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菅野 卓雄  SUGANO Takuo

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

管野 卓雄  スガノ タクオ

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研究者番号 50010707
外部サイト
所属 (現在) 2022年度: 東洋大学, 大学共同利用機関等の部局等 , 研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2000年度: 東洋大学, 教授
1993年度 – 2000年度: 東洋大学, 工学部, 教授
1986年度 – 1991年度: 東京大学, 工学部, 教授
1986年度: 東大, 工学部, 教授
1985年度: 東京大学, 工, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・機器工学 / 応用物性 / 電子材料工学
研究代表者以外
表面界面物性 / 応用物性
キーワード
研究代表者
酸化物超伝導体 / 超伝導集積回路 / 超高速集積回路 / 薄膜 / 高温超伝導材料 / ジョセフソン / 電界効果トランジスタ / SIMOX / SOI / MOSFET … もっと見る / 低消費電力 / シリコン / クーロン・ブロッケード / 単電子トランジスタ / トンネル現象 / シングル・エレクトロニクス / 高精度微小傾角基板 / ステップ構造 / 異方性エッチング / 非対称トンネル障壁 / SOI MOSFET / 配列制御 / ニュ-ロ機能 / 有機薄膜 / 原子の配列制御 / 分子の配列制御 / 高温超伝導体 / YBCO / BSCCO / MOCVD / 知能的機能 / アドバンスド・デバイス / 高機能デバイス / 電子デバイス / ファンクショナル・デバイス / 情報処理デバイス / インゾウムリン / 光堆積法 / ゲ-ト絶縁膜 / 応力 / 表面再結合速度 / レ-ザラマン分光 / インジウムリン / 電果効果トランジスタ / 光励起 / 絶縁物の堆積 / 窒化燐 / インジウム燐 / 化合物半導体 / MIS電界効果トランジスタ / MISダイオ-ド / Indium phosphide / Field effect transister / Photo-CVD / Gate insulator / Stress / Surface recombination velocity / Laser Raman spectroscopy / 集積回路 / 超高速デバイス / 短チャネルMOS電界効果トランジスタ / 短チャンネルMOS電界効果トランジスタ / IC / High-speed device / Low-power / Silicon / Thin film / ナノ・パワー・エレクトロニクス / 超高速エレクトロニクス / 単電子エレクトロニクス / 表面反転層 / 量子ドット / 極微細パターン / 単一電子デバイス / クーロン・ブロッケイド / Small misorientation substrate / Step-terrace structure / anisotropic etching / Surface inversion layr / Single electron transistor / Quantum dot / Ultra-fine pattern / Asymmetric tunnel barrier / 微小傾角基板 / 自己形成化現象 / 鱗片状ステップ / テラス構造 / 走査型トンネル顕微鏡 / 原子間力顕微鏡 / 単電子トンネル・トランジスタ / ステップ / 酸化雰囲気中加熱処理 / キャパシタンス・アレイ / シャドウイング / 金属細線構造 / substrate with samll off-set / Self-organization / imbricate step / terrace structure / Anisotropic etching / Scnning Tunnel Microscope / Atomic Force Microscope / single electron tunnel transistor / Asymmetric Tunnel Barrier / 完全反転型 / 閾値電圧 / 上部Si層 / 短チャネル効果 / 高速デバイス / 2次元電子状態 / 臨界膜厚 / サブヌレッショルド特性 / 伝達コンダクタンス特性 / シリコン超薄膜 / SIMOX基板 / 完全反転型SOI MOSFET / 低闘値電圧 / 低サブスレッショルド係数 / 高相互コンダクタンス / 完全反転臨界膜厚 / 電子ビーム蒸着装置 / トップシリコン層 / fully inverted / threshold voltage / top Si layer / low power supply / high packing density / short signal delay / 超伝導 / ブリッジ型素子 / ディジタル回路 / 超伝導微粒子 / Nb技術 / ステップ型素子 / 一方向性回路 / ジョセフソン結合 / 超伝導デバイス / 3端子デバイス / コプレーナ型デバイス / シリコン・デバイス / ジョセフソン接合 / デバイス / Josephson junction / superconductine device / three terminal device / coplanar type device silicon device … もっと見る
研究代表者以外
単電子デバイス / ナノ構造 / プラズマプロセシング / 反応性プラズマ / プラズマの制御 / 単電子トランジスタ / クーロンブロッケード / 集積回路 / 量子現象 / トンネル現象 / 表面・界面 / トンネル障壁 / 量子ドット / 量子デバイス / 高密度集積化 / 原子スケール制御 / 量子コンピューティング / 集積化 / 分子デバイス / 有機分子集合体 / LB膜 / 蒸着膜 / 分子設計 / Single electron devices / nanostructure / surfaces and interfaces / tunnel barrier / quantum dot / quantum devices / atomic-scale control / high-density intgration 隠す
  • 研究課題

    (21件)
  • 共同研究者

    (34人)
  •  完全反転型SIMOX MOSFETの研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東洋大学
  •  単電子デバイスとその高密度集積化

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 2000
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      北海道大学
  •  ナノ構造の表面・界面の制御と単電子トンネル障壁の最適化

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1999
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      北海道大学
  •  単電子ナノエレクトロニクスの基礎

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      北海道大学
  •  原子層ステップを利用した自己形成ディジタル回路の試作研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東洋大学
  •  単電子エレクロニクスの基礎

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      北海道大学
  •  クーロン・ブロッケードを利用したナノパワー超高速エレクトロニクスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東洋大学
  •  微小傾角基板を用いた単一電子トンネル・デバイスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東洋大学
  •  高温超伝導材料の集積回路への応用の研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  反応性プラズマの制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  高温超伝導材料の集積回路への応用の研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  原子・分子系の配列制御とそのニュ-ロ機能への展開研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  反応性プラズマの制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  高温超伝導材料の集積回路への応用の研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  inーsitu光堆積法によるInPMIS電界効果トランジスタ用ゲ-ト絶縁膜の研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄 (管野 卓雄)
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  SIMOXを用いた高トランスコンダクタンスMOS電界効果トランジスタの試作研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1991
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  反応性プラズマの制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  知能的機能を有するアドバンスド・デバイスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  分子デバイスの設計と電子機能

    • 研究代表者
      岡田 正和
    • 研究期間 (年度)
      1986
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      広島大学
  •  コプレーナ型シリコン結合超伝導3端子デバイス研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  ブリッジ型ジョセフソン接合素子を用いた新しいデイジタル集積回路の研究研究代表者

    • 研究代表者
      菅野 卓雄
    • 研究期間 (年度)
      1982 – 1985
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 研究機関
      東京大学
  • 1.  新井 夫差子 (10010927)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  浅田 邦博 (70142239)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  長谷川 英機 (60001781)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  村山 洋一 (40057956)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  籏野 嘉彦 (90016121)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  森泉 豊栄 (80016534)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  榊 裕之 (90013226)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  佐々木 昭夫 (10025900)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  岡田 正和 (70034478)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  板谷 良平 (90025833)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  広瀬 全孝 (10034406)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  田頭 博昭 (10001174)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  後藤 俊夫 (50023255)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  安田 幸夫 (60126951)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  澤木 宣彦 (70023330)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  花尻 達郎 (30266994)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  川辺 光央 (80029446)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  川村 清 (00011619)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  神田 洋三 (70041845)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  小間 篤 (00010950)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  岩見 基弘 (80029123)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  鳥谷部 達 (20266993)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  尾浦 憲次郎 (60029288)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  八百 隆文 (60230182)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  塚田 捷 (90011650)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  難波 進 (70029370)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  井口 洋夫 (00100826)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  高木 俊宣 (10025801)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  生駒 俊明 (80013118)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  谷口 研二 (20192180)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  青柳 克信 (70087469)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  酒井 徹志
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  和田 恭雄
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  杉 道夫
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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