黒内正仁 KUROUCHI Masahito

研究者番号	10452187
所属 (現在)	2025年度: 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所, 電子技術部, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度: (地独)神奈川県立産業技術総合研究所, 電子技術部電子材料グループ, 主任研究員 2016年度: 神奈川県産業技術センター, 電子技術部, 主任研究員 2015年度: 神奈川県産業技術センター, その他部局等, 主任研究員 2011年度 – 2012年度: 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, ポストドクトラルフェロー 2010年度 – 2011年度: 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, ポストドクトルフェロー 2010年度: 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション推進機構, ポストドクトラルフェロー 2007年度 – 2008年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外電子デバイス・電子機器 / 生産工学・加工学 / 応用物性・結晶工学 / 理工系
キーワード	研究代表者微細加工 / 電極 / 電子線リソグラフィ / オーミック電極 / 窒化アルミニウムガリウム / 窒化物半導体研究代表者以外 AlGaN / 深紫外発光素子 / 縦型発光素子 / AlN … もっと見る / 量子井戸 / III族窒化物半導体 / 結晶成長 / 厚膜 / ナノ / 金型 / Ni-W / 原盤 / アルミニウム / アルミ二ウム / めっき / ガラス / ナノインプリント / Ni-W金型 / 水殺菌 / 高効率 / 水銀灯 / スパッタ装置 / 2光速同時その場観測法 / 高品質GaAlN結晶 / 高出力 / 医療応用 / 水浄化 / MIPE / マイクロプラズマ / 深紫外光 / レーザーリフトオフ / AIGaN / AIN / その場観察 / 電流DLTS / しきい値電圧シフト / ひずみ電界 / フッ素プラズマ処理 / HEMT / 高耐圧 / HfO_2 / MOSFET / Mgドーピング / GaN HEMT / ノーマリオフ / ひずみ分極 / InGaN cap / HEMT、ノーマリオフ、MOSFET / GaN 隠す

窒化物半導体深紫外発光ダイオードの短波長化に向けた電極の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  黒内正仁
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  神奈川県産業技術センター
ガラス表面に複雑な形状のナノパターンを形成できる熱ナノインプリント用金型の開発
- 研究代表者
  
  安井学
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  生産工学・加工学
- 研究機関
  地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
新しい高出力深紫外発光素子の開発
- 研究代表者
  
  青柳克信
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  立命館大学
2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究
- 研究代表者
  
  武内道一
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  立命館大学
新機軸基板剥離式縦型深紫外発光素子に関する研究
- 研究代表者
  
  武内道一
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  立命館大学
ノーマリオフ型GaN HEMTの作製・評価の研究
- 研究代表者
  
  水谷孝
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋大学

すべて 2018 2017 2016 2015 2012 2011 2010 2009 2008

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Effect of metal ion concentration in Ni-W plating solution on surface roughness of Ni-W film2016
- 著者名/発表者名
  Manabu Yasui, Satoru Kaneko, Masahito Kurouchi, Hiroaki Ito, Takeshi Ozawa and Masahiro Arai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 1S ページ: 01AA22-01AA22
- DOI
  10.7567/jjap.55.01aa22
- NAID
  210000145938
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05747, KAKENHI-PROJECT-15K21684
[雑誌論文] Formation of highly planarized Ni-W electrodeposits for glass imprinting mold2016
- 著者名/発表者名
  Manabu Yasui, Satoru Kaneko, Masahito Kurouchi, Hiroaki Ito, Takeshi Ozawa and Masahiro Arai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 1S ページ: 01AB04-01AB04
- DOI
  10.7567/jjap.56.01ab04
- NAID
  210000147364
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K21684, KAKENHI-PROJECT-15K05747
[雑誌論文] High-sensitivity ozone sensing using 280nm deep ultraviolet light-emitting diode for depletion of natural hazard ozone2012
- 著者名/発表者名
  Y. Aoyagi, M. Takeuchi, K. Yoshida, M. Kurouchi, Y. Nanishi, H. Sugano, Y. Ahiko, H. Nakamura
- 雑誌名
  
  Journal of Environmental Protection
  
  巻: 3 ページ: 695-699
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[雑誌論文]2012
- 著者名/発表者名
  Y. Aoyagi, M. Takeuchi, K. Yoshida, M. Kurouchi, Y. Nanishi, H. Sugano, Y. Ahiko,H. Nakamura
- 雑誌名
  
  Journal of Environmental Protection
  
  巻: 137 ページ: 1215-1218
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[雑誌論文] Inactivation of Bacterial Viruses in Water Using Deep Ultraviolet Semiconductor Light-Emitting Diode2011
- 著者名/発表者名
  Y. Aoyagi, M. Takeuchi, K. Yoshida, M. Kurouchi, N. Yasui, N. Kamiko, T. Araki and Y. Nanishi
- 雑誌名
  
  J. Environ. Eng
  
  巻: 137 ページ: 1215-1215
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[雑誌論文] Evaluation of deep levels in GaN grown by RF-MBE on GaN template by capacitance DLTS2008
- 著者名/発表者名
  T. Mitsunaga, M. Kurouchi, S. Kishimoto, T. Mizutani, et. al
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 5
  
  ページ: 3032-3034
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[学会発表] Aluminum nano dot pattern formation with Ni-W nano electroformed mold2018
- 著者名/発表者名
  M. Yasui, S. Yasaka, S. Kaneko, M. Kurouchi, H. Ito, M. Arai
- 学会等名
  Isplasma2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05747
[学会発表] Ni-W thick film processing with higher frequency of pulse plating2017
- 著者名/発表者名
  M. Yasui, S. Kaneko, M. Kurouchi, H. Ito, T. Ozawa, M. Arai
- 学会等名
  Isplasma2017
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2017-03-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05747
[学会発表] Ni-W Mold for Moth-eye Structure on Inorganic Material2017
- 著者名/発表者名
  M. Yasui, S. Kaneko, M. Kurouchi, T. Ozawa
- 学会等名
  IUMRS-ICAM 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05747
[学会発表] 添加剤を加えたN-メチル-2-ピロリドンによるSU8の剥離2017
- 著者名/発表者名
  安井学，中野一史，黒内正仁，川野伸一，金子智
- 学会等名
  第8回マイクロ・ナノ工学シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05747
[学会発表] 電子線描画装置によるラインアンドスペースパターン形成における2変数2次近似モデルの検討2017
- 著者名/発表者名
  黒内正仁，安井学，小沢武
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K21684
[学会発表] Ni-W film Processing with Pulse Plating2017
- 著者名/発表者名
  M. Yasui, S. Kaneko, M. Kurouchi, H. Ito, M. Arai
- 学会等名
  電気学会　電子材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05747
[学会発表] Ni-W thick film processing with higher frequency of pulse plating2017
- 著者名/発表者名
  Manabu Yasui, Satoru Kaneko, Masahito Kurouchi, Hiroaki Ito, Takeshi Ozawa, and Masahiro Araki
- 学会等名
  9th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2017)
- 発表場所
  Chubu University, Aichi, Japan
- 年月日
  2017-03-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K21684
[学会発表] Removal of SU8 with N-Methyl-2-Pyrrolidone Doping LiCl and H2O2016
- 著者名/発表者名
  M. Yasui, H. Nakano, M. Kurouchi, T. Ozawa, S. Kawano and S. Kaneko
- 学会等名
  29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2016)
- 発表場所
  ANA Crowne Plaza, Kyoto, Japan
- 年月日
  2016-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K21684
[学会発表] Removal of SU8 with N-Methyl-2-Pyrrolidone Doping LiCl and H2O2016
- 著者名/発表者名
  M. Yasui, H. Nakano, M. Kurouchi, T. Ozawa, S. Kawano and S. Kaneko
- 学会等名
  29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016)
- 発表場所
  ANAクラウンプラザホテル京都
- 年月日
  2016-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05747
[学会発表] Effect of metal concentration in Ni-W bath on Ni-W alloy film2016
- 著者名/発表者名
  0)M. Yasui, S. Kaneko, M. Kurouchi, H. Ito, T. Ozawa and M. Arai
- 学会等名
  ISPlasma 2016
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2016-03-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05747
[学会発表] めっき液中の金属濃度がインプリント金型用Ni-W膜に与える影響2016
- 著者名/発表者名
  安井学, 黒内正仁, 金子智, 小沢武, 伊藤寛明, 荒井政大
- 学会等名
  日本機械学会　2016年度年次大会
- 発表場所
  九州大学　伊都キャンパス, 福岡市
- 年月日
  2016-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K21684
[学会発表] Study of metal ion concentration in Ni-W bath for glass imprinting mold2016
- 著者名/発表者名
  Manabu Yasui, Masahito Kurouchi, Hiroaki Ito, Takeshi Ozawa and Msahiro Arai
- 学会等名
  ISPlasma 2016/IC-PLANTS2016(8th International Symposium on Advanced Plasma Science and Applications for Nitrides and Nanomaterials/ 9th International Conference on Plasma-Nano
- 発表場所
  Nagoya University(Nagoya, Aichi Pref., Japan)
- 年月日
  2016-03-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K21684
[学会発表] めっき液中の金属濃度がインプリント金型用Ni-W 膜に与える影響2016
- 著者名/発表者名
  安井学，黒内正仁，金子智，伊藤寛明，小沢武，荒井政大
- 学会等名
  日本機械学会2016年度年次大会
- 発表場所
  九州大学伊都キャンパス
- 年月日
  2016-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05747
[学会発表] 金属イオン濃度がNi-Wめっき膜の平坦性に与える影響に関する一考察2015
- 著者名/発表者名
  安井学，金子智，黒内正仁，伊藤寛明，小沢武，荒井政大
- 学会等名
  2015年度日本機械学会年次大会
- 発表場所
  北海道大学工学部(北海道札幌市)
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K21684
[学会発表] 熱インプリント用金型材料としてのNi-W膜の組成・結晶構造に関する研究2015
- 著者名/発表者名
  安井　学，金子　智，黒内　正仁，小沢　武，伊藤　寛明，荒井　政大
- 学会等名
  第23回機械材料・材料加工技術講演会
- 発表場所
  広島大学東広島キャンパス(広島県東広島市)
- 年月日
  2015-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K21684
[学会発表] 金属イオン濃度がNi-W めっき膜の平坦性に与える影響に関する一考察2015
- 著者名/発表者名
  安井学,金子智,黒内正仁,伊藤寛明,小沢武,荒井政大
- 学会等名
  日本機械学会2015年度年次大会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05747
[学会発表] 熱インプリント用金型材料としてのNi-W膜の組成・結晶構造に関する研究2015
- 著者名/発表者名
  安井学,金子智,黒内正仁,小沢武,伊藤寛明,荒井政大
- 学会等名
  第23回機械材料・材料加工技術講演会
- 発表場所
  広島大学
- 年月日
  2015-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05747
[学会発表] 電子線描画装置によるサブミクロンパターンの試作2015
- 著者名/発表者名
  黒内　正仁，安井　学，小沢　武
- 学会等名
  神奈川県ものづくり技術交流会
- 発表場所
  神奈川県産業技術センター(神奈川県海老名市)
- 年月日
  2015-10-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K21684
[学会発表] ウェハそりを制御した厚膜AlNテンプレート上の265nm帯深紫外LEDの作製2012
- 著者名/発表者名
  黒内正仁, 武内道一, 青柳克信
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、新宿区(東京都)
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 極性混在AlN上へのAlGaN量子ドット状キャリア局在構造2012
- 著者名/発表者名
  武内道一, 黒内正仁, 黄恩淑, 青柳克信
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、新宿区(東京都)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] ウェハそりを制御した厚膜AlNテンプレート上の265nm帯深紫外LEDの作製2012
- 著者名/発表者名
  黒内正仁, 武内道一, 青柳克信
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] マイクロプラズマを用いた深紫外発光素子の原理実証研究2012
- 著者名/発表者名
  黒瀬範子, 黒内正仁, 武内道一, 青柳克信
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、新宿区(東京都)
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] マイクロプラズマを用いた深紫外発光素子の原理実証研究2012
- 著者名/発表者名
  黒瀬範子, 黒内正仁, 武内道一, 青柳克信
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 極性混在AlN上へのAlGaN量子ドット状キャリア局在構造2012
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 市販MOCVD装置によるAlGaN系深紫外LEDとその素子応用2011
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学、山形市(山形県)
- 年月日
  2011-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 成長レート増加によるAlN成長中のウェハそり低減2011
- 著者名/発表者名
  黒内正仁、武内道一、青柳克信
- 学会等名
  第72会応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学、山形市(山形県)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Over 1 mW Emission Achieved by Polarity-Inversion MOCVD Growth for AlGaN-Based Deep UV LEDs (λ〓265 nm)2011
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, M.Kurouchi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow, UK
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 成長レート増加によるAlN成長中のウェハそり低減2011
- 著者名/発表者名
  黒内正仁, 武内道一, 青柳克信
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 高効率・高出力縦型深紫外発光素子の開発とその環境、バイオ・計測への応用2011
- 著者名/発表者名
  武内道一, 黒内正仁, 青柳克信
- 学会等名
  京都ナノクラスター生活資源グループ平成22年度第2回グループミーティング
- 発表場所
  JSTイノベーションプラザ京都(京都府)
- 年月日
  2011-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] 2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究2011
- 著者名/発表者名
  武内道、黒内正仁、青柳克信
- 学会等名
  窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
- 発表場所
  長浜・滋賀(Invited)
- 年月日
  2011-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] Recent progress in our AlGaN deep UV LEDs-over 6 mW operation2011
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, M. Kurouchi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  The 8^<th> SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop on Compound Semiconductors
- 発表場所
  韓国、ソウル(招待講演)
- 年月日
  2011-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究2011
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信
- 学会等名
  窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
- 発表場所
  長浜ロイヤルホテル・滋賀(Invited)
- 年月日
  2011-03-01
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] 市販MOCVD装置によるAlGaN系深紫外LEDとその素子応用2011
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Over 1 mW Emission Achieved by Polarity-Inversion MOCVD Growth for AlGaN-Based Deep UV LEDs(λ265 nm)2011
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi, M. Kurouchi, Y. Aoyagi
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-9)
- 発表場所
  グラスゴー(英国)
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Suppression of wafer curvature increment during AlN groth by increasing growth rate2011
- 著者名/発表者名
  黒内正仁、武内道一、青柳克信
- 学会等名
  30th Electronic Materials Symposium(EMS30)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖、守山市(滋賀県)
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究2011
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信
- 学会等名
  窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
- 発表場所
  長浜ロイヤルホテル(滋賀)(Invited)
- 年月日
  2011-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Recent progress in our AlGaN deep UV LEDs-over 6 mW operation(Invited)2011
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi, M. Kurouchi, Y. Aoyagi
- 学会等名
  The 8th SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop on Compound Semiconductors
- 発表場所
  ソウル(韓国)
- 年月日
  2011-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Water Sterilization by AlGaN base DUV Light Emitting Diodes2010
- 著者名/発表者名
  K.Yoshida, M, Kurouchi, M.Takeuchi, N.Yasui, N.Kamiko, Y.Nanishi, T.Araki, Y, Aoyagi
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 水殺菌、およびオゾン検知へのAlGaN系深紫外LEDの実応用2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、吉田薫、黒内正仁、荒木努、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会「GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状」
- 発表場所
  東北大学(宮城)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Formation of three-dimensional AlN structure for initial growth by an nealing AlN buffer layer2010
- 著者名/発表者名
  M.Kurouchi, M.Takeuchi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  タンパ、フロリダ州
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Formation of three-dimensional AlN structure for initial growth by annealing AlN buffer layer2010
- 著者名/発表者名
  M.Kurouchi, M.Takeuchi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  タンパ、フロリダ州
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] 深紫外線LEDを用いたオゾン濃度測定2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、武内道一、荒木努、名西やすし、菅野裕靖、阿彦由美、中村広隆、青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Water Sterilization by AlGaN base DUV Light Emitting Diodes2010
- 著者名/発表者名
  K. Yoshida, M, Kurouchi, M. Takeuchi, N. Yasui, N. Kamiko, Y. Nanishi, T. Araki, and Y. Aoyagi
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium(EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺、伊豆市(静岡県)
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] III族窒化物半導体深紫外光源による水処理2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信、安井宣仁、神子直之
- 学会等名
  第13回日本水環境学会シンポジウム
- 発表場所
  京都大学(京都)(Invited)
- 年月日
  2010-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外線LEDを用いたオゾン濃度測2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、武内道山、荒木努、名西〓之、菅野裕靖、阿彦由美、中村広隆、青柳克信
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] 極性混在AlNバッファ層のアニール処理による新しい核形成法2010
- 著者名/発表者名
  黒内正仁、武内道一、黄恩淑、青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] 水殺菌、およびオゾン検知へのAlGaN系深紫外LEDの実応用2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、吉田薫、黒内正仁、荒木努、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会「GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状」
- 発表場所
  東北大学(宮城)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外線LEDを用いた水の消毒2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、安井宣仁、武内道一、荒木努、神子直之、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2010-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] Water Sterilization by AlGaN base DUV Light Emitting Diodes2010
- 著者名/発表者名
  K.Yoshida, M, Kurouchi, M.Takeuchi, N.Yasui, N.Kamiko, Y.
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡県)
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] III族窒化物半導体深紫外光源による水処理2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正人、青柳克信、安井宣仁、神子直之
- 学会等名
  第13回日本水環境学会シンポジウム
- 発表場所
  京都大学(京都府)
- 年月日
  2010-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] Formation of Three-dimensional AlN Structure for Initial Growth by Annealing AlN Buffer Layer2010
- 著者名/発表者名
  M. Kurouchi, Misaichi Takeuchi, Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010(IWN2010)
- 発表場所
  タンパ(米国)
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外線LEDを用いた水の消毒2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、安井宣仁、武内道一、、荒木努、神子直之、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Growth and Application of AlGaN Deep UV LEDs-Water Purification and Ozone Sensing-(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi, K. Yoshida, M. Kurouchi, T. Araki, Y. Nanishi, Y. Aoyagi
- 学会等名
  The 6th SNU-Ritsumeikan Joint Workshop on Compound Semiconductors
- 発表場所
  ソウル(韓国)
- 年月日
  2010-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 極性混在AINバッファ層のアニール処理による新しい核形成法2010
- 著者名/発表者名
  黒内正仁、武内道一、黄恩淑、青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 水殺菌、およびオゾン検知へのAlGaN系深紫外LEDの実応用2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、吉田薫、黒内正人、荒木努、名西〓之、青柳克信
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状
- 発表場所
  東北大学(宮城県)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] 極性混在AlNバッファ層のアニール処理による新しい核形成法2010
- 著者名/発表者名
  黒内正仁, 武内道一, 黄恩淑, 青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学、長崎市(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] III族窒化物半導体深紫外光源による水処理2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正仁、青柳克信、安井宣仁、神子直之
- 学会等名
  第13回日本水環境学会シンポジウム
- 発表場所
  京都大学(京都)(Invited)
- 年月日
  2010-09-09
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] 深紫外線LEDを用いた水の消毒2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、安井宣仁、武内道一、荒木努、神子直之、名西やすし、青柳克信
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Growth and Application of AlGaN Deep UV LEDs -Water Purification and Ozone Sensing2010
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, K.Yoshida, M.Kurouchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  The 6th SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop
- 発表場所
  Soeul, Korea
- 年月日
  2010-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] 極性混在AlNバッファ層のアニール処理による新しい核形成法2010
- 著者名/発表者名
  黒内正人、武内道一、青柳克信
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] Formation of Three-dimensional AlN Structure for Initial Growth by Annealing AlN Buffer Love2010
- 著者名/発表者名
  Masahiro Kurouchi, Misaichi Takeuchi, Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246051
[学会発表] Growth and Application of AlGaN Deep UV LEDs-Water Purification and Ozone Sensing-2010
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, K.Yoshida, M.Kurouchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  The 6th SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop
- 発表場所
  ソウル、韓国(Invited)
- 年月日
  2010-11-10
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] Water Sterilization by AlGaN base DUV Light Emitting Diodes2010
- 著者名/発表者名
  K.Yoshida, M, Kurouchi, M.Takeuchi, N.Yasui, N.Kamiko, Y.Nanishi, T.Araki, Y, Aoyagi
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007
[学会発表] 水殺菌、およびオゾン検知へのAlGaN系深紫外LEDの実応用2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、吉田薫、黒内正人、荒木努、名西.之、青柳克信
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状
- 発表場所
  東北大学、仙台市(宮城県)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外線LEDを用いたオゾン濃度測定2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、武内道一、荒木努、名西.之、菅野裕靖、阿彦由美、中村広隆、青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  発表場所:長崎大学、長崎市(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] III族窒化物半導体深紫外光源による水処理(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  武内道一、黒内正人、青柳克信、安井宣仁、神子直之
- 学会等名
  第13回日本水環境学会シンポジウム
- 発表場所
  京都大学、京都市(京都府)
- 年月日
  2010-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] 深紫外線LEDを用いたオゾン濃度測定2010
- 著者名/発表者名
  吉田薫、黒内正仁、武内道一、荒木努、名西やすし、菅野裕靖、阿彦由美、中村広隆、青柳克信
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Growth and Application of AlGaN Deep UV LEDs-Water Purification and Ozone Sensing-2010
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, K.Yoshida, M.Kurouchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  The 6th SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop
- 発表場所
  ソウル、韓国(Invited)
- 年月日
  2010-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Designing of multiple quantum well structures to increase emission intensity from AlGaN LEDs2009
- 著者名/発表者名
  M.Kurouchi, Y.Hayashi, M.Takeuchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀)
- 年月日
  2009-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Designing of multiple quantum well structures to increase emission intensity from AlGaN LEDs2009
- 著者名/発表者名
  M. Kurouchi, Y. Hayashi, M. Takeuchi, T. Araki, Y. Nanishi, and Y. Aoyagi
- 学会等名
  28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖、守山市(滋賀県)
- 年月日
  2009-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360013
[学会発表] Designing of multiple quantum well structures to increase emission intensity from AlGaN LEDs2009
- 著者名/発表者名
  M.Kurouchi, Y.Hayashi, M.Takeuchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀)
- 年月日
  2009-07-10
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016007

1. 武内道一 (60284585)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 56件
2. 青柳克信 (70087469)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 21件
3. 安井学 (80426361)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 20件
4. 水谷孝 (70273290)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
5. 岸本茂 (10186215)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
6. 大坂次郎 (20377849)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 荒井政大 (30260532)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
8. 伊藤寛明 (70534981)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
9. 金子智 (40426359)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
10. 黒瀬範子

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

黒内 正仁 KUROUCHI Masahito

研究課題

研究成果

共同研究者

窒化物半導体深紫外発光ダイオードの短波長化に向けた電極の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ガラス表面に複雑な形状のナノパターンを形成できる熱ナノインプリント用金型の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新しい高出力深紫外発光素子の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新機軸基板剥離式縦型深紫外発光素子に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ノーマリオフ型GaN HEMTの作製・評価の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Effect of metal ion concentration in Ni-W plating solution on surface roughness of Ni-W film2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Formation of highly planarized Ni-W electrodeposits for glass imprinting mold2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] High-sensitivity ozone sensing using 280nm deep ultraviolet light-emitting diode for depletion of natural hazard ozone2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文]2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Inactivation of Bacterial Viruses in Water Using Deep Ultraviolet Semiconductor Light-Emitting Diode2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Evaluation of deep levels in GaN grown by RF-MBE on GaN template by capacitance DLTS2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] Aluminum nano dot pattern formation with Ni-W nano electroformed mold2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Ni-W thick film processing with higher frequency of pulse plating2017

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Ni-W Mold for Moth-eye Structure on Inorganic Material2017

著者名/発表者名

黒内正仁 KUROUCHI Masahito