竹内哲也 Takeuchi Tetsuya

研究者番号	10583817
所属 (現在)	2025年度: 名城大学, 理工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2025年度: 名城大学, 理工学部, 教授 2010年度 – 2014年度: 名城大学, 理工学部, 准教授
審査区分/研究分野	研究代表者中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 大区分D / 電子・電気材料工学研究代表者以外中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 理工系 / 結晶工学 / 工学 / 理工系
キーワード	研究代表者トンネル接合 / 窒化物半導体 / 面発光レーザー / 電流狭窄 / ワイドギャップ半導体 / エピタキシャル成長 / 多層膜反射鏡 / 正孔 / 低温成長 / 光デバイス … もっと見る / 分極ドーピング / 面発光レーザ / 導電性DBR / GaN / 酸化狭窄 / DBR / その場観察 / 半導体レーザ / 光閉じ込め / 窒化ガリウム / サーファクタント効果 / アンチモン / 価電子帯制御 / 半導体物性 / 誘電体物性 / トンネル現象 / エピタキシャル / ワイドギャップ / 分極 / p型 / 水素脱離 / メモリー効果 / Mg偏析 / 水素脱理 / 低抵抗化 / 高効率 / 白色光源 … もっと見る研究代表者以外 AlGaN / 窒化アルミニウムガリウム / 結晶成長 / 窒化アルミニウム / 電子線励起 / レーザ / 窒化物半導体 / ナノワイヤ / AlN / 光励起レーザ / 窒化アルミニウムガリウム混晶 / 高品質結晶 / ミラー / 基板剥離 / 窒化アルミニウムテンプレート / 光励起 / レーザー / 光物性 / Ｘ線 / エピタキシャル / 結晶工学 / 半導体レーザ / 量子構造 / 発光素子 / 量子閉じ込め / ナノ材料 / 半導体 / 不純物 / 半導体発光デバイス / 量子効果 / 特異構造 / SiC / 超格子 / LED / 半導体発光材料 / 微細構造評価 / 光学特性 / ポーラス結晶 / ナノ構造 / 半導体レーザー / 選択成長 / 量子殻 / GaN / 紫外レーザ / 紫外線レーザ / キャリア注入 / 紫外 / 高性能レーザー / 半導体物性 / 光強度 / 低閾値 / ウェットエッチング / 光共振器 / 窒化ガリウム / 電子線 / 電子線励起電流 / 電子線励起深紫外レーザ / ソーラーブラインド紫外線検出器 / バルクAlN / ナノカーボン電極 / 分極半導体 / グラフェン / カーボンナノチューブ / 低加速電圧SEM / 分極電荷エンジニアリング / 電子線ホログラフィ / バルクAlN基板 / 深紫外発光素子 / 深紫外 / 分極ドーピング / 熱処理 / ナノカーボン / 結晶成長その場観察 / 電気・電子材料隠す

ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却研究代表者
- 研究代表者
  
  竹内哲也
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  名城大学
ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却研究代表者
- 研究代表者
  
  竹内哲也
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分D
- 研究機関
  名城大学
遠紫外線C波AlGaN系電子線励起レーザ
- 研究代表者
  
  岩谷素顕
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  名城大学
大口径・高出力青緑色面発光レーザーの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  竹内哲也
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  名城大学
高品位三原色光源実現に向けた青・緑色面発光レーザ研究代表者
- 研究代表者
  
  竹内哲也
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  名城大学
多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明
- 研究代表者
  
  上山智
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名城大学
未開拓波長域レーザダイオード実現のためのアニオン制御窒化物半導体混晶研究代表者
- 研究代表者
  
  竹内哲也
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名城大学
電子線励起・深紫外窒化物半導体レーザ
- 研究代表者
  
  岩谷素顕
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  名城大学
ワイドギャップ半導体における正孔注入手法の革新と新規発光素子への展開研究代表者
- 研究代表者
  
  竹内哲也
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  名城大学
分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  名古屋大学
ワイドギャップ半導体トンネル接合による新規電流注入構造の実現研究代表者
- 研究代表者
  
  竹内哲也
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名城大学
高効率青色面発光レーザによる白色光源研究代表者
- 研究代表者
  
  竹内哲也
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2011
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名城大学

[図書] III-Nitride Tunnel Junctions and Their Applications2017
- 著者名/発表者名
  S. Rajan, T. Takeuchi
- 出版者
  Springer
- ISBN
  9789811037542
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[図書] ポストシリコン半導体　－ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果－2013
- 著者名/発表者名
  竹内哲也（分担）
- 総ページ数
  11
- 出版者
  株式会社エヌ・ティー・エス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[図書] ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果-2013
- 著者名/発表者名
  竹内哲也(分担)
- 出版者
  株式会社エヌ・ティー・エス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[図書] 次世代半導体におけるナノ成膜ダイナミックスと界面量子効果2013
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 総ページ数
  11
- 出版者
  株式会社エヌ･ティー･エス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] Effect of Polarization‐Charge Modulation on the Carrier‐Injection Efficiency of AlGaN‐Based Ultraviolet‐B Laser Diodes Using Polarization Doping in the p‐Type AlGaN Cladding Layer2024
- 著者名/発表者名
  Kondo Ryosuke、Matsubara Eri、Nishibayashi Toma、Yamada Ryoya、Imoto Yoshinori、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Miyake Hideto、Iwaya Motoaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: - 号: 21 ページ: 2300961-2300961
- DOI
  10.1002/pssa.202300961
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] Effect of Wet Etching on AlGaN‐Based Ultraviolet‐B Laser Diodes Grown on Wet‐Etched Periodic AlN Nanopillars2024
- 著者名/発表者名
  Imoto Yoshinori、Hasegawa Ryota、Yabutani Ayumu、Kondo Ryosuke、Nishibayashi Toma、Yamada Ryoya、Matsubara Eri、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Miyake Hideto、Iwaya Motoaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: - 号: 21 ページ: 2300988-2300988
- DOI
  10.1002/pssa.202300988
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] Homoepitaxial Regrowth of AlGaN on AlGaN Templates Prepared via Chemical Mechanical Polishing and Its Application to UV‐B Laser Diodes2024
- 著者名/発表者名
  Yamada Ryoya、Kondo Ryosuke、Miyake Rintaro、Nishibayasi Toma、Matsubara Eri、Imoto Yoshinori、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Miyake Hideto、Iwaya Motoaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: - 号: 21 ページ: 2400113-2400113
- DOI
  10.1002/pssa.202400113
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] Over 20% wall plug efficiency of on-wafer GaN-based vertical-cavity surface-emitting laser2024
- 著者名/発表者名
  Watanabe Ruka、Kobayashi Kenta、Yanagawa Mitsuki、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Iwaya Motoaki、Kamei Toshihiro
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 124 号: 13 ページ: 131107-131107
- DOI
  10.1063/5.0200294
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460, KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] In Situ Center Wavelength Control of AlInN/GaN Distributed Bragg Reflectors with In Situ Reflectivity Spectra Measurements2024
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Kenta、Nishikawa Taichi、Watanabe Ruka、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Iwaya Motoaki、Kamei Toshihiro
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: online 号: 11 ページ: 2400010-2400010
- DOI
  10.1002/pssb.202400010
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460, KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] Exfoliation mechanism of AlGaN-based thin films using heated-pressurized water2023
- 著者名/発表者名
  Yamada Ryoya、Matsubara Eri、Kondo Ryosuke、Nishibayashi Toma、Hattori Koki、Imoto Yoshinori、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Maruyama Takahiro、Miyake Hideto、Iwaya Motoaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 10 ページ: 105504-105504
- DOI
  10.35848/1882-0786/acfec9
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] Development of High-Reflectivity and Antireflection Dielectric Multilayer Mirrors for AlGaN-Based Ultraviolet-B Laser Diodes and their Device Applications2023
- 著者名/発表者名
  Ayumu Yabutani, Ryota Hasegawa, Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Daichi Imai, Sho Iwayama, Yoshito Jin, Tatsuya Matsumoto, Masamitsu Toramaru, Hironori Torii, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya
- 雑誌名
  
  Physica Status Soldi A
  
  巻: 220 号: 16 ページ: 831-837
- DOI
  10.1002/pssa.202200831
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04956, KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] In situ cavity length control of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with in situ reflectivity spectra measurements2023
- 著者名/発表者名
  Tsuyoshi Nagasawa, Kenta Kobayashi, Ruka Watanabe, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Toshihiro Kamei
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: 6 ページ: 066504-066504
- DOI
  10.35848/1347-4065/acdba9
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353, KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] Fabrication of vertical AlGaN-based ultraviolet-B laser diodes using a laser lift-off method2023
- 著者名/発表者名
  Nishibayashi Toma、Kondo Ryosuke、Matsubara Eri、Yamada Ryoya、Imoto Yoshinori、Hattori Koki、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Miyake Hideto、Naniwae Koichi、Miyoshi Kohei、Yamaguchi Akihiko、Iwaya Motoaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 10 ページ: 104001-104001
- DOI
  10.35848/1882-0786/ad03ac
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] Performance of Ultraviolet‐B Laser Diodes on AlGaN Templates Prepared using Different Fabrication Methods2023
- 著者名/発表者名
  Matsubara Eri、Omori Tomoya、Hasegawa Ryota、Yamada Kazuki、Yabutani Ayumu、Kondo Ryosuke、Nishibayashi Toma、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Miyake Hideto、Iwaya Motoaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: - 号: 16 ページ: 2200836-2200836
- DOI
  10.1002/pssa.202200836
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] Suppression of (0001) plane emission in GaInN/GaN multi-quantum nanowires for efficient micro-LEDs2022
- 著者名/発表者名
  Katsuro Sae、Lu Weifang、Ito Kazuma、Nakayama Nanami、Yamamura Shiori、Jinno Yukimi、Inaba Soma、Shima Ayaka、Sone Naoki、Han Dong-Pyo、Huang Kai、Iwaya Motoaki、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi
- 雑誌名
  
  Nanophotonics
  
  巻: 11 号: 21 ページ: 4793-4804
- DOI
  10.1515/nanoph-2022-0388
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] A method for exfoliating AlGaN films from sapphire substrates using heated and pressurized water2022
- 著者名/発表者名
  Matsubara Eri、Hasegawa Ryota、Nishibayashi Toma、Yabutani Ayumu、Yamada Ryoya、Imoto Yoshinori、Kondo Ryosuke、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Shojiki Kanako、Kumagai Shinya、Miyake Hideto、Iwaya Motoaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 11 ページ: 116502-116502
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac97dc
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K14612, KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] 窒化物半導体面発光レーザーの最近の動向2022
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 雑誌名
  
  一般財団法人光産業技術振興協会オプトニューズ
  
  巻: 17 ページ: 1-1
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[雑誌論文] High-quality n-type conductive Si-doped AlInN/GaN DBRs with hydrogen cleaning2022
- 著者名/発表者名
  Kana Shibata, Tsuyoshi Nagasawa, Kenta Kobayashi, Ruka Watanabe, Takayuki Tanaka, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Toshihiro Kamei
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 11 ページ: 112007-112007
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac9bc9
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353, KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] Demonstration of ultraviolet-B AlGaN-based laser diode operation with a peak light output power of 150 mW by improving injection efficiency through polarization charge modulation2022
- 著者名/発表者名
  Kondo Ryosuke、Yabutani Ayumu、Omori Tomoya、Yamada Kazuki、Matsubara Eri、Hasegawa Ryota、Nishibayashi Toma、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Miyake Hideto、Iwaya Motoaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 121 号: 25 ページ: 253501-253501
- DOI
  10.1063/5.0135033
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] Superlattice-Induced Variations in Morphological and Emission Properties of GaInN/GaN Multiquantum Nanowire-Based Micro-LEDs2022
- 著者名/発表者名
  Inaba Soma、Lu Weifang、Ito Kazuma、Katsuro Sae、Nakayama Nanami、Shima Ayaka、Jinno Yukimi、Yamamura Shiori、Sone Naoki、Huang Kai、Iwaya Motoaki、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi
- 雑誌名
  
  ACS Applied Materials & Interfaces
  
  巻: 14 号: 44 ページ: 50343-50353
- DOI
  10.1021/acsami.2c13648
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] n-type GaN surface etched green light-emitting diode to reduce non-radiative recombination centers2021
- 著者名/発表者名
  DP. Han, R. Fujiki, R. Takahashi, Y. Ueshima, S. Ueda, W. Lu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 118 号: 2 ページ: 021102-021102
- DOI
  10.1063/5.0035343
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] GaN-based tunnel junctions and optoelectronic devices grown by metal-organic vapor-phase epitaxy2021
- 著者名/発表者名
  Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Iwaya Motoaki、Akasaki Isamu
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 36 号: 6 ページ: 063001-063001
- DOI
  10.1088/1361-6641/abeb82
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[雑誌論文] High-quality AlInN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic vapor phase epitaxy2020
- 著者名/発表者名
  T. Akagi, Y. Kozuka, K. Ikeyama, S. Iwayama, M. Kuramoto, T. Saito, T. Tanaka, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 12 ページ: 125504-125504
- DOI
  10.35848/1882-0786/abc986
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-20H00353
[雑誌論文] MOVPE growth of n-GaN cap layer on GaInN/GaN multi-quantum shell LEDs2020
- 著者名/発表者名
  N. Goto, N. Sone, K. Iida, W. Lu, A. Suzuki, H. Murakami, M. Terazawa, M. Ohya, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 539 ページ: 125571-125571
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2020.125571
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Room-temperature operation of AlGaN ultraviolet-B laser diode at 298 nm on lattice-relaxed Al0.6Ga0.4N/AlN/sapphire2020
- 著者名/発表者名
  K. Sato, S. Yasue, K. Yamada, S. Tanaka, T. Omori, S. Ishizuka, S. Teramura, Y. Ogino, S. Iwayama, H. Miyake, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 3 ページ: 031004-031004
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab7711
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Voltage-Controlled Anodic Oxidation of Porous Fluorescent SiC for Effective Surface Passivation2020
- 著者名/発表者名
  K. Yanai, W. Lu, Y. Yamane, DP. Han, H. Ou, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Nanomaterials
  
  巻: 10 号: 10 ページ: 2075-2075
- DOI
  10.3390/nano10102075
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Characterizations of GaN nanowires and GaInN/GaN multi-quantum shells grown by MOVPE2020
- 著者名/発表者名
  N. Goto, W. Lu, H. Murakami, M. Terazawa, J. Uzuhashi, T. Ohkubo, K. Hono, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SG ページ: SGGE05-SGGE05
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab70aa
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of GaInN-based light-emitting diodes operated by quasi-resonant optical excitation2020
- 著者名/発表者名
  DP. Han, CH. Oh, DS. Shin, JI. Shim, M. Iwaya, T. Takeuchi, . Kamiyama, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 128 号: 12 ページ: 123103-123103
- DOI
  10.1063/5.0008041
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with lateral optical confinements and conducting distributed Bragg reflectors2020
- 著者名/発表者名
  Iida Ryosuke、Ueshima Yusuke、Muranaga Wataru、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Iwaya Motoaki、Akasaki Isamu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SG ページ: SGGE08-SGGE08
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab6e05
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055, KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化2020
- 著者名/発表者名
  田先美貴子、清原一樹、小田原麻人、伊藤太一、竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 120 ページ: 67-70
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[雑誌論文] In-situ curvature measurements of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors during growths containing substrate temperature ramping steps2020
- 著者名/発表者名
  Hiraiwa Kei、Muranaga Wataru、Iwayama Sho、Takeuchi Tetsuya、Kamiyama Satoshi、Iwaya Motoaki、Akasaki Isamu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 531 ページ: 125357-125357
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.125357
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[雑誌論文] Aperture diameter dependences in GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with nano-height cylindrical waveguide formed by BCl3 dry etching2020
- 著者名/発表者名
  R. Iida, Y. Ueshima, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki, M. Kuramoto, T. Kamei
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 1 ページ: 012003-012003
- DOI
  10.35848/1882-0786/abcfd7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-20H00353
[雑誌論文] Internal loss of AlGaN-based ultraviolet-B band lasr diodes with p-type AlGaN cladding layer using polarization doping2020
- 著者名/発表者名
  T. Omori, S. Ishizuka, S. Tanaka, S. Yasue, K. Sato, Y. Ogino, S. Teramura, K. Yamada, S. Iwayama, H. Miyake, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 7 ページ: 071008-071008
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab9e4a
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Identifying the cause of thermal droop in GaInN-based LEDs by carrier-and thermo-dynamics analysis2020
- 著者名/発表者名
  DP. Han, GW. Lee, SM., Dong-Soo Shin, Jong-In Shim, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 10 号: 1 ページ: 1-11
- DOI
  10.1038/s41598-020-74585-w
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] In situ wafer curvature measurement and strain control of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2020
- 著者名/発表者名
  Kei Hiraiwa, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 5 ページ: 055506-055506
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab88c6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055, KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Growth and Characterization of Core-Shell Structures Consisting of GaN Nanowire Core and GaInN/GaN Multi-Quantum Shell2020
- 著者名/発表者名
  S Kamiyama, W Lu, T Takeuchi, M Iwaya, I Akasaki
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 9 号: 1 ページ: 015007-015007
- DOI
  10.1149/2.0252001jss
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Photoluminescence Characterization of Fluorescent SiC with High Boron and Nitrogen Concentrations2020
- 著者名/発表者名
  D. Tanaka, W. Lu, S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 1004 ページ: 265-271
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.1004.265
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Efficiency Enhancement Mechanism of an Underlying Layer in GaInN‐Based Green Light ;Emitting Diodes2020
- 著者名/発表者名
  DP. Han, S. Ishimoto, R. Mano, W. Lu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 217 号: 7 ページ: 1900713-1900713
- DOI
  10.1002/pssa.201900713
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Room-temperature continuous-wave operations of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with buried GaInN tunnel junctions2020
- 著者名/発表者名
  K. Kiyohara, M. Odawara, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki, T. Saito
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 11 ページ: 111003-111003
- DOI
  10.35848/1882-0786/abbe80
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-20H00353
[雑誌論文] Analysis of Spontaneous Subpeak Emission from the Guide Layers of the Ultraviolet‐B Laser Diode Structure Containing Composition‐Graded p‐AlGaN Cladding Layers2020
- 著者名/発表者名
  K. Sato, S. Yasue, Y. Ogino, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 217 号: 14 ページ: 1900864-1900864
- DOI
  10.1002/pssa.201900864
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2019
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Reports on Progress in Physics
  
  巻: 82 号: 1 ページ: 012502-012502
- DOI
  10.1088/1361-6633/aad3e9
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-17H01055
[雑誌論文] Cathodoluminescence and scanning transmission electron microscopy study of InGaN/GaN quantum wells in core-shell GaN nanowires2019
- 著者名/発表者名
  W. Yi, J. Uzuhashi, J. Chen, T. Kimura, S. Kamiyama, T. Takeuchi, T. Ohkubo, T. Sekiguchi, K. Hono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 8 ページ: 085003-085003
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab2e37
- NAID
  210000156584
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Tuning the Resonant Frequency of a Surface Plasmon by Double-Metallic Ag/Au Nanoparticles for High-Eﬃciency Green Light-Emitting Diodes2019
- 著者名/発表者名
  Ryoya Mano, Dong-Pyo Han, Kengo Yamamoto, Seiji Ishimoto, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Science
  
  巻: 9 号: 2 ページ: 305-305
- DOI
  10.3390/app9020305
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] 青色LEDの将来展望：マイクロLEDディスプレイと青色レーザー2019
- 著者名/発表者名
  竹内　哲也
- 雑誌名
  
  化学と教育
  
  巻: 67 ページ: 368-371
- NAID
  130007883568
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[雑誌論文] Doping profiles in low resistive GaN tunnel junctions grown by metalorganic vapor phase epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  Yasuto Akatsuka, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 2 ページ: 025502-025502
- DOI
  10.7567/1882-0786/aafca8
- NAID
  210000135591
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-17H01055
[雑誌論文] AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性2019
- 著者名/発表者名
  小田　薫、飯田涼介、岩山　章、清原一樹、竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤崎　勇
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 119 ページ: 57-60
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[雑誌論文] Determination of internal quantum efficiency in GaInN-based light-emitting diode under electrical injection: carrier recombination dynamics analysis2019
- 著者名/発表者名
  Dong-Pyo Han, Kengo Yamamoto, Seiji Ishimoto, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 3 ページ: 032006-032006
- DOI
  10.7567/1882-0786/aafca2
- NAID
  210000135589
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Electrical properties of relaxed p-GaN/p-AlGaN superlattices and their application in ultraviolet-B light-emitting devices2019
- 著者名/発表者名
  Kosuke Sato, Shinji Yasue, Yuya Ogino, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Jaoanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SC1016-SC1016
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab07a3
- NAID
  210000155940
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Hybrid simulation of light extraction efficiency in multi-quantum-shell NW LED2019
- 著者名/発表者名
  M. Terazawa, M. Ohya, K. Iida, N. Sone, A. Suzuki, K. Nokimura, M. Takebayashi, N. Goto, H. Murakami, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SCCC17-SCCC17
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab06b6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Study on N and B Doping by Closed Sublimation Growth Using Separated Ta Crucible2019
- 著者名/発表者名
  D Tanaka, H Kurokawa, S Kamiyama, T Takeuchi, M Iwaya, I Akasaki
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 963 ページ: 34-37
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.963.34
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers using n-type conductive AlInN/GaN bottom distributed Bragg reflectors with graded interfaces2019
- 著者名/発表者名
  Wataru Muranaga, Takanobu Akagi, Ryouta Fuwa, Shotaro Yoshida, Junichiro Ogimoto, Yasuto Akatsuka, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Jaoanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SCCC01-SCCC01
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab1253
- NAID
  210000155770
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-17H01055
[雑誌論文] Improved Uniform Current Injection into Core‐Shell‐Type GaInN Nanowire LEDs by Optimizing Growth Condition and Indium‐Tin‐Oxide Deposition2019
- 著者名/発表者名
  N. Sone, A. Suzuki, H. Murakami, N. Goto, M. Terazawa, W. Lu , D.-P. Han, K. Iida, M. Ohya, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 雑誌名
  
  phys. Stat. sol. (a)
  
  巻: None 号: 7 ページ: 1900715-1900715
- DOI
  10.1002/pssa.201900715
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] 窒化物半導体による青色レーザーおよび光電変換素子の現状と展望2018
- 著者名/発表者名
  竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
- 雑誌名
  
  レーザー研究
  
  巻: 46 ページ: 711-715
- NAID
  130007957688
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] 高効率 GaN 面発光レーザの現状と展望2018
- 著者名/発表者名
  竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会論文誌 C
  
  巻: 101(8) ページ: 312-318
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] 高効率GaN面発光レーザの現状と展望2018
- 著者名/発表者名
  竹内　哲也上山　智岩谷　素顕赤﨑　勇
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会論文誌 C
  
  巻: J101-C ページ: 312-318
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[雑誌論文] Growth of High-Quality AlN and AlGaN Films on Sputtered AlN/Sapphire Templates via High-Temperature Annealing2018
- 著者名/発表者名
  Junya Hakamata, Yuta Kawase, Lin Dong, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya,
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi B
  
  巻: 1700506 号: 5 ページ: 1700506-1700506
- DOI
  10.1002/pssb.201700506
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019, KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] A GaN-Based VCSEL with a Convex Structure for Optical Guiding2018
- 著者名/発表者名
  Natsumi Hayashi, Junichiro Ogimoto, Kenjo Matsui, Takashi Furuta, Takanobu Akagi, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 1700648 号: 10 ページ: 1700648-1700648
- DOI
  10.1002/pssa.201700648
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019, KAKENHI-PROJECT-17H01055, KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] GaN 系量子殻構造の成長と光学特性評価2018
- 著者名/発表者名
  上山智・竹内哲也・岩谷素顕・赤﨑勇
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 45
- NAID
  130006727555
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] GaInN 量子井戸を用いた黄緑色発光ダイオードの作製2018
- 著者名/発表者名
  吉永純也、市川竜弥、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
- 雑誌名
  
  名城大学総合研究所紀要
  
  巻: 23 ページ: 41-44
- NAID
  40021636845
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[雑誌論文] LED(発光ダイオード)からLD(半導体レーザー)へ : 未来の光源としての期待2018
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 雑誌名
  
  工業教育資料
  
  巻: 380 ページ: 7-11
- NAID
  40021639635
- オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[雑誌論文] Characterization of nonpolar a-plane GaN epi-layers grown on high-density patterned r-plane sapphire substrates2018
- 著者名/発表者名
  Daiki Jinno, Shunya Otsuki, Shogo Sugimori, Hisayoshi Daicho, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 484 ページ: 50-55
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.12.036
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] High-quality AlN film grown on a nanosized concave-convex surface sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Akira Yoshikawa, Takaharu Nagatomi, Tomohiro Morishita, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 111 号: 16 ページ: 162102-162102
- DOI
  10.1063/1.5008258
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] High-performance solar-blind Al0.6Ga0.4N/Al0.5Ga0.5N MSM type photodetector2017
- 著者名/発表者名
  Akira Yoshikawa, Saki Ushida, Kazuhiro Nagase, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 111 号: 19 ページ: 191103-191103
- DOI
  10.1063/1.5001979
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] Characterization and optimization of sputtered AlN buffer layer on r-plane sapphire substrate to improve the crystalline quality of nonpolar a-plane GaN2017
- 著者名/発表者名
  Daiki Jinno, Shunya Otsuki, Shogo Sugimori, Hisayoshi Daicho, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 480 ページ: 90-95
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.10.018
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] Demonstration of electron beam laser excitation in the UV range using a GaN/AlGaN multiquantum well active layer2017
- 著者名/発表者名
  Takafumi Hayashi, Yuta Kawase, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Takahiro Matsumoto
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 7 号: 1 ページ: 2944-2944
- DOI
  10.1038/s41598-017-03151-8
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] High quality Al0.99Ga0.01N layers on sapphire substrates grown at 1150 °C by metalorganic vapor phase epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Shota Katsuno, Toshiki Yasuda, Koudai Hagiwara, Norikatsu Koide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 1 ページ: 015504-015504
- DOI
  10.7567/jjap.56.015504
- NAID
  210000147346
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019, KAKENHI-PROJECT-26286045, KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Relationship between lattice relaxation and electrical properties in polarization doping of graded AlGaN with high AlN mole fraction on AlGaN template2017
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hirsoshi Amano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 2 ページ: 025502-025502
- DOI
  10.7567/apex.10.025502
- NAID
  210000135770
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019, KAKENHI-PROJECT-26286045, KAKENHI-PLANNED-16H06416
[雑誌論文] Reduction of contact resistance in V-based electrode for high AlN molar fraction n-type AlGaN by using thin SiNx intermediate layer2017
- 著者名/発表者名
  Noriaki Nagata, Takashi Senga, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: - 号: 8 ページ: 1600243-1600243
- DOI
  10.1002/pssc.201600243
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] n型導電性AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの室温連続動作2017
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 雑誌名
  
  光学
  
  巻: 46
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[雑誌論文] Theoretical investigation of nitride nanowire-based quantum-shell lasers2017
- 著者名/発表者名
  Yuki Kurisaki, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: - 号: 8 ページ: 1600867-1600867
- DOI
  10.1002/pssa.201600867
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416, KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] Low-ohmic-contact-resistance V-based electrode for n-type AlGaN with high AlN molar fraction2016
- 著者名/発表者名
  Kazuki Mori, Kunihiro Takeda, Toshiki Kusafuka, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FL03-05FL03
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fl03
- NAID
  210000146566
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] GaInN-based tunnel junctions with graded layers2016
- 著者名/発表者名
  Daiki Takasuga, Yasuto Akatsuka, Masataka Ino, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 8 ページ: 081005-081005
- DOI
  10.7567/apex.9.081005
- NAID
  210000138004
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019, KAKENHI-PROJECT-26286045, KAKENHI-PROJECT-15K13959
[雑誌論文] Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with n-type conducting AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2016
- 著者名/発表者名
  Kazuki Ikeyama, Yugo Kozuka, Kenjo Matsui, Shotaro Yoshida, Takanobu Akagi, Yasuto Akatsuka, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 10 ページ: 102101-102101
- DOI
  10.7567/apex.9.102101
- NAID
  210000138061
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] Electrical properties of n-type AlGaN with high Si concentration2016
- 著者名/発表者名
  Kunihiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FE02-05FE02
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fe02
- NAID
  210000146516
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] Realization of high-performance hetero-field-effect-transistor-type ultraviolet photosensors using p-type GaN comprising three-dimensional island crystals2016
- 著者名/発表者名
  Yuma Yamamoto, Akira Yoshikawa, Toshiki Kusafuka, Toshiki Okumura, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FJ07-05FJ07
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fj07
- NAID
  210000146549
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] High-photosensitivity AlGaN-based UV heterostructure-field-effect-transistor-type photosensors2016
- 著者名/発表者名
  Akira Yoshikawa, Yuma Yamamoto, Takuya Murase, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FJ04-05FJ04
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fj04
- NAID
  210000146546
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] Room-temperature CW operation of a nitride-based vertical-cavity surface-emitting laser using thick GaInN quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  Takashi Furuta, Kenjo Matsui, Kosuke Horikawa, Kazuki Ikeyama, Yugo Kozuka, Shotaro Yoshida, Takanobu Akagi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FJ11-05FJ11
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fj11
- NAID
  210000146553
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] Electron and hole accumulations at GaN/AlInN/GaN interfaces and conductive n-type AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2016
- 著者名/発表者名
  Shotaro Yoshida, Kazuki Ikeyama, Toshiki Yasuda, Takashi Furuta, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FD10-05FD10
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fd10
- NAID
  210000146512
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019, KAKENHI-PROJECT-26286045
[雑誌論文] GaN barrier layer dependence of critical thickness in GaInN/GaN superlattice on GaN characterized by in situ X-ray diffraction2016
- 著者名/発表者名
  Junya Osumi, Koji Ishihara, Taiji Yamamoto, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FD11-05FD11
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fd11
- NAID
  210000146513
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] 窒化物半導体面発光レーザーの現状2016
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
- 雑誌名
  
  照明学会誌
  
  巻: 100 ページ: 189-189
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文] 窒化物半導体面発光レーザの現状と照明応用に向けた将来展望2016
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、岩谷素顕、上山　智、赤崎　勇
- 雑誌名
  
  J. Illum. Engng. Inst. Jpn.
  
  巻: 100 ページ: 189-192
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[雑誌論文] GaNSb alloys grown with H2 and N2 carrier gases2016
- 著者名/発表者名
  Daisuke Komori, Kaku Takarabe, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FD01-05FD01
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fd01
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13959, KAKENHI-PROJECT-26286045
[雑誌論文] Polarization dilution in a Ga-polar UV-LED to reduce the influence of polarization charges2015
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Kento Hayashi, Syouta Katsuno, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (a)
  
  巻: 212 号: 5 ページ: 920-924
- DOI
  10.1002/pssa.201431730
- 説明
  オンラインのみ
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-26286045
[雑誌論文] GaInN-based tunnel junctions with high InN mole fractions grown by MOVPE2015
- 著者名/発表者名
  Daichi Minamikawa, Masataka Ino, Shunsuke Kawai, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b)
  
  巻: 252 号: 5 ページ: 1127-1131
- DOI
  10.1002/pssb.201451507
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[雑誌論文] Low Resistive and Low Absorptive Nitride-Based Tunnel Junctions2015
- 著者名/発表者名
  Daichi Minamikawa, Daiki Takasuka, Masataka Ino, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  2014 MRS Fall Meeting Proceeding
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[雑誌論文] Microscopic crystalline structure of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/alpha-Al2O3 template2015
- 著者名/発表者名
  D.Khan, S.Takeuchi, Y.Nakamura, K.Nakamura, T.Arauchi, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Imai, S.Kimura, A.Sakai
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
  
  巻: 411 ページ: 38-41
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2014.10.052
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Internal quantum efficiency enhancement of GaInN/GaN quantum-well structures using Ag nanoparticles2015
- 著者名/発表者名
  Daisuke Iida, Ahmed Fadil, Yuntian Chen, Yiyu Ou, Oleksii Kopylov, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Haiyan Ou
- 雑誌名
  
  AIP Publishing
  
  巻: 5 号: 9 ページ: 097169-097169
- DOI
  10.1063/1.4931948
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[雑誌論文]2014
- 著者名/発表者名
  H. Kurokawa, M. Kaga, T. Goda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and Amano
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp.
  
  巻: 7 ページ: 341041-341041
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] 分極制御AlGaN : 層設計と結晶成長2014
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 41 ページ: 21-32
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討2014
- 著者名/発表者名
  小森大資, 笹島浩希, 鈴木智行,竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤崎勇
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 114 ページ: 7-10
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[雑誌論文] Homoepitaxial growth of AlN layers on freestanding AlN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Morishita, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 390 ページ: 46-50
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2013.12.023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AlN films grown on triangular-striped AlN/sapphire template2014
- 著者名/発表者名
  T.Arauchi, S.Takeuchi, K.Nakamura, K.Dinh, Y.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, A. Sakai
- 雑誌名
  
  PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
  
  巻: 211 号: 4 ページ: 731-735
- DOI
  10.1002/pssa.201300461
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Over 1000 channel nitride-based micro-light-emitting diode arrays with tunnel junctions2014
- 著者名/発表者名
  M. Watanabe, K. Nakajima, M. Kaga, Y. Kuwano, D. Minamikawa, T. Suzuki, K. Yamashita, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FL06-05FL06
- DOI
  10.7567/jjap.53.05fl06
- NAID
  210000143866
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] 分極制御AlGaN：層設計と結晶成長2014
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、岩谷素顕、上山　智、天野　浩、赤﨑　勇
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 41 ページ: 21-32
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[雑誌論文] 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響2014
- 著者名/発表者名
  勝野翔太、林　健人、安田俊輝、岩谷素顕、竹内哲也、上山　智、赤﨑　勇、天野　浩
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 114 ページ: 75-80
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[雑誌論文] 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響2014
- 著者名/発表者名
  勝野翔太, 林健人, 安田俊輝, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇, 天野浩
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 114 ページ: 75-80
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文]2014
- 著者名/発表者名
  M. Watanabe, K. Nakajima, M. Kaga, Y. Kuwano, D. Minamikawa, T. Suzuki, K. Yamashita, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] Multijunction GaInN-based solar cells using a tunnel junction2014
- 著者名/発表者名
  H. Kurokawa, M. Kaga, T. Goda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 7 号: 3 ページ: 341041-341044
- DOI
  10.7567/apex.7.034104
- NAID
  210000137029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] Investigations of Polarization-Induced Hole Accumulations and Vertical Hole Conductions in GaN/AlGaN Heterostructures2013
- 著者名/発表者名
  T. Yasuda, K. Yagi, T. Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JJ05-08JJ05
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jj05
- NAID
  210000142710
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文]2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kuwano, M. Kaga, T. Morita, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 52
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文]2013
- 著者名/発表者名
  T. Yasuda, K. Yagi, T. Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 52
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] Lateral hydrogen diffusion at p-GaN layers in nitride-based light emitting diodes with tunnel junctions2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kuwano, M. Kaga, T. Morita, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JK12-08JK12
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jk12
- NAID
  210000142725
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] AlN mole fraction dependence of polarization induced hole concentrations in GaN/AlGaN heterostructures2013
- 著者名/発表者名
  T. Yasuda, K. Yagi, Tomoyuki Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 印刷中
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] Combination of Indium–Tin Oxide and SiO2/AlN Dielectric Multilayer Reflective Electrodes for Ultraviolet-Light-Emitting Diodes2013
- 著者名/発表者名
  Tsubasa Nakashima, Kenichiro Takeda, Hiroshi Shinzato, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 82 号: 8S ページ: 08JG07-08JG07
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jg07
- NAID
  210000142682
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686003, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文]2013
- 著者名/発表者名
  M. Kaga, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 52
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] GaInN-based tunnel junctions in n-p-n light emitting diodes2013
- 著者名/発表者名
  M. Kaga, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 印刷中
- NAID
  210000142699
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] Combination of Indium-in Oxide and SiO_2/AlN Dielectric Multilayer Reflective Electrodes for Ultraviolet-Light-Emitting Diodes2013
- 著者名/発表者名
  Yuko Matsubara, Tomoaki Yamada, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  physica status solidi C
  
  巻: 10 号: 11 ページ: 1537-1540
- DOI
  10.1002/pssc.201300265
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] GaInN-Based Tunnel Junctions in n–p–n Light Emitting Diodes2013
- 著者名/発表者名
  M. Kaga, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JH06-08JH06
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jh06
- NAID
  210000142699
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] Crack-Free AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors on AlN Templates2012
- 著者名/発表者名
  K.Yagi, M. Kaga, K. Yamashita, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi,S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 5R ページ: 051001-051001
- DOI
  10.1143/jjap.51.051001
- NAID
  210000140586
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] 窒化物半導体面発光レーザの可能性2011
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 雑誌名
  
  名城大学理工学部研究報告
  
  巻: 51号ページ: 60-67
- NAID
  40019831258
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22860064
[雑誌論文] 窒化物半導体トンネル接合の作製2011
- 著者名/発表者名
  加賀充、飯田大輔、北野　司、山下浩司、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 111 ページ: 105-110
- NAID
  110008725972
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文]2011
- 著者名/発表者名
  山下浩司、加賀充、矢木康太、鈴木敦、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 111 ページ: 99-99
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製2011
- 著者名/発表者名
  矢木康太、加賀充、山下浩司、竹田健一郎、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 111 ページ: 89-93
- NAID
  110008725969
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文]2011
- 著者名/発表者名
  加賀充、飯田大輔、北野司、山下浩司、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 111 ページ: 105-105
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[雑誌論文] III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路の検討2011
- 著者名/発表者名
  山下浩司、加賀充、矢木康太、鈴木敦志、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 111 ページ: 99-104
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[産業財産権] 緑色発光素子の製造方法2024
- 発明者名
  竹内哲也、上山智、岩谷素顕、野津浩太朗、中野元貴
- 権利者名
  学校法人　名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2024-007922
- 出願年月日
  2024
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子、及び窒化物半導体発光素子の製造方法2023
- 発明者名
  竹内哲也、小林憲汰、柴田夏奈、岩谷素顕、上山智、倉本大
- 権利者名
  学校法人名城大学、スタンレー電気株式会社
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2023
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子2023
- 発明者名
  竹内　哲也、柴田　夏奈、岩谷　素顕、上山　智、倉本　大
- 権利者名
  学校法人名城大学、スタンレー電気株式会社
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2023
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子2022
- 発明者名
  竹内　哲也、柴田　夏奈、岩谷　素顕、上山　智、倉本　大
- 権利者名
  学校法人名城大学、スタンレー電気株式会社
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2022-040955
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子、及び窒化物半導体発光素子の製造方法2022
- 発明者名
  竹内哲也、小林憲汰、柴田夏奈、岩谷素顕、上山智、倉本大
- 権利者名
  学校法人名城大学、スタンレー電気株式会社
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2022-066965
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法2022
- 発明者名
  竹内　哲也、長澤　剛、岩谷　素顕、上山　智
- 権利者名
  学校法人名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2022-152586
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[産業財産権] 埋込p層を有する発光素子の製造方法2021
- 発明者名
  竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
- 権利者名
  名城大
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2021-018091
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[産業財産権] 偏光制御された面発光レーザー素子2021
- 発明者名
  竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇、倉本大
- 権利者名
  名城大、スタンレー電気
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2021-135105
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[産業財産権] 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法2019
- 発明者名
  上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇、他
- 権利者名
  名城大、豊田合成、小糸製作所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2019-182829
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[産業財産権] 窒化物半導体多層膜反射鏡の製造方法2019
- 発明者名
  竹内哲也　他
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法2019
- 発明者名
  竹内哲也　他
- 権利者名
  名城大学、スタンレー
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[産業財産権] 垂直共振器型発光素子2019
- 発明者名
  竹内哲也　他
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[産業財産権] 半導体多層膜反射鏡及び垂直共振器型発光素子2019
- 発明者名
  竹内哲也　他
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[産業財産権] 低抵抗窒化物半導体トンネル接合を用いたレーザーダイオード2019
- 発明者名
  竹内哲也　他
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[産業財産権] 垂直共振器型面発光素子2019
- 発明者名
  竹内哲也　他
- 権利者名
  名城大学、スタンレー
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[産業財産権] 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法2019
- 発明者名
  上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇、W. Lu、他
- 権利者名
  名城大、豊田合成、小糸製作所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2019-164083
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[産業財産権] 窒化物半導体多層膜反射鏡2018
- 発明者名
  竹内哲也、平岩　恵、岩山　章、上山　智、岩谷　素顕、赤﨑　勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2018-228857
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[産業財産権] 発光体発光素子および発光体発光素子の製造方法2017
- 発明者名
  上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-127720
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[産業財産権] ⅲ族窒化物半導体発光素子とその製造方法2017
- 発明者名
  竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇、小島久範、安田俊輝、飯田一喜
- 権利者名
  名城大学、豊田合成
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-217383
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子2017
- 発明者名
  竹内哲也、岩谷基顕、赤塚泰斗、岩山章、赤﨑勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-217351
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[産業財産権] 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法2017
- 発明者名
  上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-127720
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子2017
- 発明者名
  竹内哲也、岩谷素顕、赤塚泰斗、岩山章、赤崎勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-217351
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子2017
- 発明者名
  竹内哲也、不破亮太、岩谷素顕、岩山章、赤崎勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-217348
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子番号：特願2017-2173482017
- 発明者名
  竹内哲也、岩谷基顕、不破綾太、岩山章、赤﨑勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-217348
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[産業財産権] 窒化物半導体光素子2017
- 発明者名
  竹内哲也、岩谷基顕、上山智、赤﨑勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-239235
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[産業財産権] 半導体多層膜反射鏡及び垂直共振器型発光素子の製造方法2016
- 発明者名
  竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇、赤木孝信
- 権利者名
  竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇、赤木孝信
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2016-144041
- 出願年月日
  2016-07-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[産業財産権] 窒化物半導体素子及びその製造方法2016
- 発明者名
  竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇、赤塚泰斗、赤木孝信
- 権利者名
  竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇、赤塚泰斗、赤木孝信
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2016-154227
- 出願年月日
  2016-08-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[産業財産権] 窒化物半導体AlGaN系紫外半導体レーザ2016
- 発明者名
  岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、川瀬祐太、安田俊樹
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2016-242891
- 出願年月日
  2016-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子2016
- 発明者名
  竹内哲也、高須賀大貴、岩谷素顕、赤﨑勇
- 権利者名
  竹内哲也、高須賀大貴、岩谷素顕、赤﨑勇
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2016-038890
- 出願年月日
  2016-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[産業財産権] npn型窒化物半導体発光素子の製造方法、およびnpn型窒化物半導体発光素子2015
- 発明者名
  竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、赤崎勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2015-02-23
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子及びその製造方法2015
- 発明者名
  竹内哲也、小森大資、財部覚、岩谷素顕、赤崎勇
- 権利者名
  竹内哲也、小森大資、財部覚、岩谷素顕、赤崎勇
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2015-084802
- 出願年月日
  2015-04-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13959
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子及びその製造方法2015
- 発明者名
  竹内哲也、小森大資、財部覚、岩谷素顕、赤崎勇
- 権利者名
  竹内哲也、小森大資、財部覚、岩谷素顕、赤崎勇
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2015-084802
- 出願年月日
  2015-04-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子2014
- 発明者名
  竹内哲也、岩谷素顕、赤崎　勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2014-06-16
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子の製造方法、および窒化物半導体発光素子2014
- 発明者名
  竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、赤崎勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-035192
- 出願年月日
  2014-02-26
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[産業財産権] 電流狭窄を有する窒化物半導体発光素子とその製造方法2013
- 発明者名
  竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
- 権利者名
  竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-025361
- 出願年月日
  2013-02-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[産業財産権] 電流狭窄を有する窒化物半導体発光素子とその製造方法2013
- 発明者名
  竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-025361
- 出願年月日
  2013-02-13
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[産業財産権] 半導体発光素子アレイおよびその製造方法2013
- 発明者名
  竹内哲也、渡邉雅大、岩谷素顕、赤崎勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-155760
- 出願年月日
  2013-07-26
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[産業財産権] 窒化物半導体発光素子2013
- 発明者名
  竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[産業財産権] 半導体発光素子アレイおよびその作成方法2013
- 発明者名
  竹内哲也、渡邉雅大、岩谷素顕、赤崎勇
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-155760
- 出願年月日
  2013-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[産業財産権] 分極を有する半導体を用いた半導体光素子2013
- 発明者名
  竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇、天野浩
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[産業財産権] 発光素子2010
- 発明者名
  竹内哲也, 他
- 権利者名
  名城大学
- 産業財産権番号
  2010-144170
- 出願年月日
  2010-06-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22860064
[学会発表] Hydrogen cleaning for High-quality AlInN layers2024
- 著者名/発表者名
  Taichi Nishikawa, Kana Shibata, Tsuyoshi Nagasawa, Kenta Kobayashi, Ruka Watanabe, Mitsuki Yanagawa, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya
- 学会等名
  ISPlasma 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] Epitaxial growths of highly efficient GaN VCSELs with in situ cavity length control2024
- 著者名/発表者名
  Taichi Nishikawa, Kenta Kobayashi, Ruka Watanabe, Mitsuki Yanagawa, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya
- 学会等名
  LEDIA 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] 共振器長制御された高効率GaN系面発光レーザーの発光径依存性2024
- 著者名/発表者名
  柳川光樹1、渡邊琉加1、小林憲汰1、西川太一1、竹内哲也1、上山智1、岩谷素顕1
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] PEDOT-LEDへの局在型表面プラズモン効果導入に関する検討2024
- 著者名/発表者名
  坂本龍星1、加藤悠真1、伊藤涼太郎1、上山智1、岩谷素顕1、竹内哲也1、松山絵美2、鈴木敦志2
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] GaN/Al1-xInxN多重積層構造におけるバンドギャップ内光吸収過程の解析2024
- 著者名/発表者名
  野田幸樹，小林憲汰, 今井大地, 竹内哲也, 宮嶋孝夫
- 学会等名
  第71回　応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] In-situ structural controls during the GaN-based VCSEL growths2024
- 著者名/発表者名
  T Takeuchi, S Kamiyama, M Iwaya
- 学会等名
  Photonics West Gallium Nitride Materials and Devices XIX
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Progress in UV-B laser diodes on lattice-relaxed high-quality AlGaN fabricated on sapphire substrates2024
- 著者名/発表者名
  M Iwaya, S Iwayama, T Takeuchi, S Kamiyama, H Miyake
- 学会等名
  Photonics West Gallium Nitride Materials and Devices XIX
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] PEDOT/PSSを正孔輸送層に用いたGaInN系青色LEDにおけるJ-V特性改善に関する研究2024
- 著者名/発表者名
  加藤悠真1、上山智1、竹内哲也1、岩谷素顕1、松山絵美2、鈴木敦志2
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] 化学機械研磨を用いたAlGaN系UV-B LDの結晶表面改善2024
- 著者名/発表者名
  山田凌矢1、近藤涼輔1、西林到真1、井本圭紀1、齋藤巧夢1、丸山竣大1、三宅倫太郎1、佐々木祐輔1、岩山章1、岩谷素顕1、竹内哲也1、上山智1、三宅秀人2
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Effects of barrier growth temperature on green GaInN LED characteristics2024
- 著者名/発表者名
  M. Yanagawa, M. Nakano, K. Nozu, R. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, K. Nonaka, Y. Kuraoka, T. Yoshino
- 学会等名
  ISPlasma 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] 共振器長制御された高効率GaN系面発光レーザーの発光径依存性2024
- 著者名/発表者名
  柳川光樹、渡邊琉加、小林憲汰、西川太一、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第71回　応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] ウェットエッチングしたAlNナノピラー上に作製したAlGaN系UV-Bレーザーの光学特性評価2024
- 著者名/発表者名
  井本圭紀1、三宅倫太郎1、近藤涼輔1、山田凌矢1、西林到真1、松原衣里1、齋藤巧夢1、丸山竣大1、佐々木祐輔1、岩山章1、岩谷素顕1、竹内哲也1、上山智1、三宅秀人2
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] 1μmの周期凹凸パターン構造AlN上の波長290nmのAlGaN系UV-B LD2024
- 著者名/発表者名
  田中隼也1、手良村昌平1、下川萌葉1、山田和輝1、大森智也1、岩山章1,2、佐藤恒輔1,3、三宅秀人2、岩谷素顕1、竹内哲也1、上山智1、赤﨑勇1,4
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] トンネル接合を用いた積層型RGBモノリシックGaInN系μLEDアレイの作製とメタバース応用への挑戦2024
- 著者名/発表者名
  岩谷素顕1、齋藤竜成1、末広好伸1、竹内哲也1、上山智1、飯田大輔2、大川和宏2
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Aperture diameter dependences of highly efficient GaN VCSELs with well-controlled cavity lengths2024
- 著者名/発表者名
  Mitsuki Yanagawa, Ruka Watanabe, Kenta Kobayashi, Taichi Nisikawa, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya
- 学会等名
  LEDIA 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] モノリシック型μLEDアレイにおける迷光のサファイア基板膜厚依存性2024
- 著者名/発表者名
  長谷川直希1、齋藤竜成1、末広好伸1、岩谷素顕1、竹内哲也1、上山智1
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] GaInN下地層とその場共振器長制御を有する高効率GaN系VCSELのエピタキシャル成長2024
- 著者名/発表者名
  西川大智1、小林憲汰1、渡邊琉加1、柳川光樹1、竹内哲也1、上山智1、岩谷素顕1
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] 縦型AlGaN系UV-Bレーザーダイオードの作製2024
- 著者名/発表者名
  岩谷素顕1、西林到真1、近藤凉輔1、山田凌矢1、井本圭紀1、岩山章1、竹内哲也1、上山智1、三宅秀人2
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] GaInN/GaN多重量子殻LEDにおけるプラズマ発光モニターを用いた(0001)面ITOエッチングに関する検討2024
- 著者名/発表者名
  服部祐汰1、上山智1、竹内哲也1、岩谷素顕1、稲葉颯磨1、島綾香1、伊井詩織1、高橋美月1、山中優輝1、久保田光星1
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] In situ structural controls during the GaN-based VCSEL growths2024
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, and M. Iwaya
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2024
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] Fabrication and characterizations of GaN-based nanowire/multi-quantum shell (MQS) LEDs2024
- 著者名/発表者名
  Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya
- 学会等名
  Photonics West Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVIII
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Hakki-Paoli法を用いたUV-B半導体レーザーの利得スペクトルの測定2024
- 著者名/発表者名
  齋藤巧夢1、近藤涼輔1、松原衣里1、西林到真1、井本圭紀1、山田凌矢1、三宅倫太郎1、丸山竣大1、岩山章1、岩谷素顕1、竹内哲也1、上山智1、三宅秀人2
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] 光干渉効果と封止構造を応用した深紫外LEDの高効率化2024
- 著者名/発表者名
  奥野浩司1,2、岩月梨恵2、大矢昌輝1、齋藤義樹1,2、袴田新太郎1、松嶌健史1、川岡あや1、下西正太1、石黒永孝2、上山智2、岩谷素顕2、竹内哲也2
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] AlGaN based-UVLED p-type electrode:Yield evaluation of ITO/Al and Ni/Au2024
- 著者名/発表者名
  Naoki Hamashima, Rie Iwatsuki, Maho Fujita, Hayata Takahata, Tomoaki Kachi, Ryunosuke Oka, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Koji Okuno and Yoshiki Saito
- 学会等名
  The 16th International Symposium on Advanced Plasma Science (ISPlasma2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] AlInN/GaN DBRのその場反射率スペクトル測定2023
- 著者名/発表者名
  小林憲汰、長澤剛、柴田夏奈、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Ga(In)Nトンネル接合の電気的特性および結晶学的特性2023
- 著者名/発表者名
  宇田陽、小林憲汰、可知朋晃、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、田中崇之
- 学会等名
  第84回　秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] Investigation of barriers in green GaInN quantum wells on GaN substrates2023
- 著者名/発表者名
  Kotaro Nozu, Motoki Nakano, Ruka Watanabe, Mitsuki Yanagawa, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Kentaro Nonaka, Yoshitaka Kuraoka, Takashi Yoshino
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] Status and prospects of blue vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)2023
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya
- 学会等名
  The 5th Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] その場反射率スペクトル測定を用いたAlInN/GaN DBRの高精度膜厚制御2023
- 著者名/発表者名
  小林憲汰、渡邊琉加、西川大智、竹内哲也、岩谷素顕、上山智
- 学会等名
  電子情報通信学会　レーザー・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] Electrical properties of Mg-doped Al0.35Ga0.65N contact/graded AlGaN layer2023
- 著者名/発表者名
  H. Takahata, T. Kachi, M. Fujita, N. Hamashima, R. Oka, H. Ishiguro, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, Y. Saito, K. Okuno
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] Mg添加Al0.35Ga0.65Nコンタクト/組成傾斜AlGaN構造の電気的特性2023
- 著者名/発表者名
  高畑勇太, 可知朋晃, 藤田真帆, 浜島直紀, 岡龍乃介, 石黒永孝, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 齋藤義樹, 奥野浩司
- 学会等名
  第84回　応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] GaN基板上緑色GaInN量子井戸における障壁層の検討2023
- 著者名/発表者名
  野津浩太朗、中野元貴、渡邊琉加、柳川光樹、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、野中健太朗、倉岡義孝、吉野隆史
- 学会等名
  第84回　応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] 光熱偏向分光法によるGaNトンネル接合中に形成されたバンドギャップ内準位の評価2023
- 著者名/発表者名
  市川颯人, 宇田陽，野田幸樹, 今井大地, 竹内哲也, 宮嶋孝夫
- 学会等名
  第84回　応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] MOVPE-growth of conductive AlInN/GaN DBRs towards GaN-based VCSELs2023
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] ITO電極とNb2O5スペーサ層を含むGaN面発光レーザ共振器長制御を活用したGaN系面発光レーザの作製2023
- 著者名/発表者名
  渡邊琉加、小林憲汰、柳川光樹、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  電子情報通信学会　レーザー・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] AlGaN系UV-B LDにおけるシャープなヘテロ界面形成に関する検討2023
- 著者名/発表者名
  近藤涼輔1、服部光希1、井本圭紀1、山田凌矢1、岩山章1、岩谷素顕1、竹内哲也1、上山智1、三宅秀人2
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Toward enhancement of light output power of AlGaN-based UV-B laser diodes2023
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya1, Sho Iwayama1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Hideto Miyake2
- 学会等名
  The 6th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] AlGaN量子井戸形成時における成長中断の影響2023
- 著者名/発表者名
  岡龍乃介1、可知朋晃1、高畑勇太1、石黒永孝1、竹内哲也1、上山智1、岩谷素顕1、奥野浩司2、齋藤義樹2
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Progress in UV-B laser diodes fabricated on lattice relaxed AlGaN2023
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Ryosuke Kondo, Ryota Hasegawa, Ayumu Yabutani, Eri Matsubara, Toma Nishibayashi, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake
- 学会等名
  SPIE Photonics West Gallium Nitride Materials and Devices XVIII
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Development of AlGaN-based laser diodes in the UV-A to UV-B regions2023
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake
- 学会等名
  SPIE Photonics West Novel In-Plane Semiconductor Lasers XXII
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] AlGaN量子井戸形成時における成長中断の影響2023
- 著者名/発表者名
  岡龍乃介, 可知朋晃, 高畑勇太, 石黒永孝, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 奥野浩司, 齋藤義樹
- 学会等名
  第84回　応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] Wet etching effect of AlN nanopillars in AlGaN grown on AlN nanopillars2023
- 著者名/発表者名
  Yoshinori Imoto1, Ryota Hasegawa1, Ayumu Yabutani1, Koki Hattori1, Ryosuke Kondo1, Ryoya Yamada1, Keigo Imura1, Naoki Hasegawa1, Sho Iwayama1, MotoakiIwaya1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Hideto Miyake2
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] In-situ layer thickness control of AlInN/GaN DBRs with in-situ reflectivity spectra measurements2023
- 著者名/発表者名
  Kenta Kobayashi1, Tsuyoshi Nagasawa1, Kana Shibata1, Taichi Nishikawa1, Tetsuya Takeuchi1, Motoaki Iwaya1, Satoshi Kamiyama1
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] 飽和蒸気圧水でAlxGa1-xNを処理することにより形成された変質層の解析2023
- 著者名/発表者名
  松原衣里1、近藤涼輔1、西林到真1、山田凌矢1、井本圭紀1、服部光希1、岩山章1、岩谷素顕1、竹内哲也1、上山智1、小林信太郎3、山本泰司3、三宅秀人2
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] 化学機械研磨したAlGaN上にホモエピタキシャル再成長2023
- 著者名/発表者名
  山田凌矢1、近藤涼輔1、服部光希1、西林到真1、井本圭紀1、岩山章1、岩谷素顕1、竹内哲也1、上山智1、三宅秀人2
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Fabrication of vertical UV light-emitting devices by separation of sapphire substrates2023
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Toma Nishibayashi, Moe Shimokawa, Ryota Hasegawa, Eri Matsubara, Ryoya Yamada, Yoshinori Imoto, Ryosuke Kondo, Ayumu Yabutani, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, Kohei Miyoshi, Koichi Naniwae, Akihiro Yamaguchi
- 学会等名
  SPIE Photonics West Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVII
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] GaInN-based blue LED with PEDOT/PSS hole transporting layer2023
- 著者名/発表者名
  YUMA KATO1, SATOSHI KAMIYAMA1, TETSUYA TAKEUCHI1, MOTOAKI IWAYA1
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] GaInN/GaN多重量子殻LEDにおけるプラズマ発光モニターを用いたCl2エッチングによる(0001)面の高抵抗化に関する検討2023
- 著者名/発表者名
  服部祐汰1、稲葉颯磨1、島綾香1、伊井詩織1、高橋美月1、山中優輝1、久保田光星1、上山智1、岩谷素顕1、竹内哲也1
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] サファイア基板上AlNテンプレートに対するAlN中間層膜厚の影響2023
- 著者名/発表者名
  可知朋晃, 高畑勇太, 岡龍乃介, 石黒永孝, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 齋藤義樹, 奥野浩司
- 学会等名
  第84回　応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] 水素クリーニングを用いた高品質AlInN下地層2023
- 著者名/発表者名
  西川大智、柴田夏奈、長澤剛、小林憲汰、渡邊琉加、柳川光樹、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第84回　秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] UV-B Laser Diode Realized by Two Breakthroughs of Lattice-relaxed High-quality AlGaN and Polarized Doping2023
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya1, Sho Iwayama1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Hideto Miyake2
- 学会等名
  European Materials Research Society
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] GaN基板上高InNモル分率GaInN量子井戸におけるトレンチ欠陥形成の抑制2023
- 著者名/発表者名
  中野元貴、野津浩太朗、渡邊琉加、柳川光樹、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第15回　ナノ構造エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] 窒化物半導体緑色レーザー特性における端面反射率の影響2023
- 著者名/発表者名
  臼井広大、東莉大、竹内哲也、岩谷素顕、上山智
- 学会等名
  第84回　秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] ITO電極とNb2O5スペーサ層を含むGaN面発光レーザー共振器長の制御2023
- 著者名/発表者名
  渡邊琉加、柳川光樹、長澤剛、小林憲汰、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Analysis of the sub-bandgap optical absorption processes in Al1-xInxN thin films grown on a c-plane GaN/Sapphire template2023
- 著者名/発表者名
  Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, and Takao Miyajima
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] Investigation of barriers in green GaInN quantum wells on GaN substrates2023
- 著者名/発表者名
  kotaro Nozu1, Motoki Nakano1, Ruka watanabe1, Mitsuki Yanagawa1, Tetsuya Takeuchi1, Motoaki Iwaya1, Satoshi Kamiyama1, Kentaro Nonaka2, Yoshitaka Kuraoka2, Takashi Yoshino2
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] In-situ layer thickness control of AlInN/GaN DBRs with in-situ reflectivity spectra measurements2023
- 著者名/発表者名
  Kenta Kobayashi, Ruka Watanabe, Tsuyoshi Nagasawa, Kana Shibata, Taichi Nishikawa, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] Mg添加Al0.35Ga0.65Nコンタクト/組成傾斜AlGaN構造の電気的特性2023
- 著者名/発表者名
  高畑勇汰1、可知朋晃1、藤田真帆1、浜島直紀1、岡龍之介1、石黒永孝1、竹内哲也1、上山智1、岩谷素顕1、齋藤義樹2、奥野浩司
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] GaInN下地層とその場共振器長制御を有する高効率GaN系VCSELのエピタキシャル成長2023
- 著者名/発表者名
  西川大智、小林憲汰、渡邊琉加、柳川光樹、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第71回　応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] MOVPE-grown n-type conducting AlInN/GaN DBRs with AlGaN graded layers2023
- 著者名/発表者名
  Kenta Kobayashi, Kana Shibata, Tsuyoshi Nagasawa, Ruka Watanabe, Kodai Usui, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Motoaki Iwaya
- 学会等名
  ISPlasma 2023/IC-PLANTS 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Fabrication of stacked RGB monolithic GaInN-based μLED arrays2023
- 著者名/発表者名
  Tatsunari Saito1, Naoki hasegawa1, Keigo Imura1, Yoshinobu Suehiro1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Daisuke Iida2, Kazuhiro Ohkawa2, Motoaki Iwaya1
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] サファイア基板上AlNテンプレートに対するAlN中間層膜厚の影響2023
- 著者名/発表者名
  可知朋晃1、高畑勇汰1、岡龍乃介1、石黒永孝1、竹内哲也1、上山智1、岩谷素顕1、齋藤義樹2、奥野浩司2
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Optimization of p-AlGaN electron blocking layer in GaInN/GaN multi-quantum shell LEDs2023
- 著者名/発表者名
  Yuta Hattori1, Soma Inaba1, Ayaka Shima1, Shiori Ii1, Mizuki Takahashi1, Yuki Yamanaka1, Kosei Kubota1, Satoshi Kamiyama1, Tetusya Takeuchi1, Motoaki Iwaya1
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Improvement of carrier injection efficiency of UV-B LDs by through polarization charge modulation2023
- 著者名/発表者名
  Ryosuke Kondo1, Koki Hattori1, Yoshinori Imoto1, Ryoya Yamada1, Sho Iwayama1, Motoaki Iwaya1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Hideto Miyake2
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] A blue LED with current confinement formed by mist particle supply oxidation2023
- 著者名/発表者名
  Ruka Watanabe, Tsuyoshi Nagasawa, Kenta Kobayashi, Mitsuki Yanagawa,Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Motoaki Iwaya
- 学会等名
  ISPlasma 2023/IC-PLANTS 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Optimization of in-reactor in-situ activation annealing conditions for tunnel junction layers of multi-quantum shell GaN-based LDs2023
- 著者名/発表者名
  Mizuki Takahashi1, Yuki Yamanaka1, Shiori Ii1, Ayaka Shima1, Soma Inaba1, Kosei Kubota1, Yuta Hattori1, Tetsuya Takeuchi1, Motoaki Iwaya1, Satoshi Kamiyama1
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Morphological and emission properties of GaInN/GaN multi-quantum shell nanowires with GaInN/GaN superlattice2023
- 著者名/発表者名
  Soma Inaba1, Weifang Lu2, Ayaka Shima1, Shiori Ii1, Mizuki Takahashi1, Yuki Yamanaka1, Yuta Hattori1, Kosei Kubota1, Satoshi Kamiyama1, Tetsuya Takeuchi1, Motoaki iwaya1
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Development of exfoliation technology for AlGaN from sapphire substrates using saturated vapor pressure heated water and analysis of the mechanism2023
- 著者名/発表者名
  Eri Matsubara1, Toma Nishibayashi1, Ryosuke Kondo1, Ryoya Yamada1, Yoshinori Imoto1, Sho Iwayama1, Motoaki Iwaya1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Shintaro Kobayashi3, Taiji Yamamoto3, Hideto Miyake2
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Effects of Interlayer Thickness on AlN Templates with Sapphire Substrates2023
- 著者名/発表者名
  Tomoaki Kachi1, Hayata Takahata1, Ryunosuke Oka1, Hisanori Ishiguro1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Motoaki Iwaya1, Yoshiki Saito2, Koji Okuno2
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Effect of underlying layer on red GaInN-based multi-quantum shells on hexagonal nanopyramid structures2023
- 著者名/発表者名
  Ayaka Shima1, Weifang Lu2, Mizuki Takahashi1, Yuki Yamanaka1, Soma Inaba1, Shiori Ii1, Yuta Hattori1, Kosei Kubota1, Tetsuya Takeuchi1, Motoaki Iwaya1, Satoshi Kamiyama1
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] Status and prospects of blue vertical-cavity surface-emitting lasers2023
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya
- 学会等名
  OWPT2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Effects of AlN Interlayer Thickness on AlN Templates with Sapphire Substrates2023
- 著者名/発表者名
  Tomoaki Kachi, Hayata Takahata, Ryunosuke Oka, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Yoshiki Saito, Koji Okuno
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] Progress in the development of UV-B laser diodes fabricated on sapphire substrates2023
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya1, Sho Iwayama1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Hideto Miyake2
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] N-type conducting Si-doped AlInN/GaN DBRs with AlGaN graded layers2022
- 著者名/発表者名
  Kenta Kobayashi, Kana Shibata, Tsuyoshi Nagasawa, Ruka Watanabe, Kohdai Usui, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya
- 学会等名
  OPIC LEDIA2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] 高品質導電性AlInN/GaN DBR形成に向けた水素クリーニング2022
- 著者名/発表者名
  柴田夏奈、稲垣徹郎、長澤剛、竹内哲也、上山智、岩谷素顕第69回応用物理学会春季学術講演会
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Increasing the light output power of AlGaN-based ultraviolet-B band laser diodes fabricated on periodic AlN nanopillars2022
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] 組成傾斜p-AlGaN層とp-Al0.5Ga0.5Nコンタクト層を有する深紫外LED2022
- 著者名/発表者名
  岩月梨恵、藤田真帆、石黒永孝、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、永田賢吾、奥野浩司、齋藤義樹
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] GaNトンネル接合によるpコンタクト形成2022
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会　第8回個別討論会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] AlGaN組成傾斜層を有するn型導電性 AlInN/GaN DBR2022
- 著者名/発表者名
  小林憲汰、柴田夏奈、長澤剛、渡邊琉加、臼井広大、岩山章、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] MOVPE法により作製した下部トンネル接合青色レーザーダイオード2022
- 著者名/発表者名
  臼井広大、稲垣哲郎、竹内哲也、岩谷素顕、上山智
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] GaN系面発光レーザ構造のその場反射率スペクトル測定2022
- 著者名/発表者名
  長澤剛、柴田夏奈、稲垣徹郎、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] GaN-based VCSELs with conductive AlInN/GaN DBRs2022
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya
- 学会等名
  ICMOVPE XX
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] 窒化物半導体面発光レーザー：多層膜反射鏡と電流狭窄構造2022
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  応用物理学会　応用電子物性分科会研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] GaN-based VCSELswith conductive AlInN/GaN DBRs2022
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, and M. Iwaya
- 学会等名
  ICMOVPE XX
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] N-type conducting Si-doped AlInN/GaN DBRs with AlGaN graded layers2022
- 著者名/発表者名
  Kenta Kobayashi, Kana Shibata, Tsuyoshi Nagasawa, Ruka Watanabe, Kodai Usui, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Motoaki Iwaya
- 学会等名
  OPIC LEDIA 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] GaN-based tunnel junctionsand laser diodes2022
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, and M. Iwaya
- 学会等名
  IWN2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] 高品質AlGaN結晶の作製とデバイス応用2022
- 著者名/発表者名
  岩谷素顕，岩山　章，竹内　哲也, 上山　智, 三宅秀人
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体学会　チュートリアル：ワイドギャップ半導体光・電子デバイスの最前線
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] AlGaN-based UV-B laser diode fabricated on sapphire substrate and its progress2022
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake
- 学会等名
  APWS 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] In-situ reflectivity spectra measurements of GaN-Based VCSELs2022
- 著者名/発表者名
  Tsuyoshi Nagasawa, Kana Shibata, Kenta Kobayashi, Ruka Watanabe, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Satoshi Kamiyama
- 学会等名
  ISLC 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] VCSELおよびEEL向けトンネル接合の最新の進展2022
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体学会（WideG）第6回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Hydrogen cleaning for high-quality conductive AlInN/GaN DBRs2022
- 著者名/発表者名
  Kana Shibata, Tsuyoshi Nagasawa, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Satoshi Kamiyama
- 学会等名
  ISLC 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] GaN VCSELの最新動向2022
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第1回光技術動向調査委員会　トピックス講演
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] AlGaN-Based UV-B Laser Diodes Fabricated on Lattice-Relaxed AlGaN Formed on Sapphire Substrates2022
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi , Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake
- 学会等名
  The 5th International workshop on ultraviolet materials and devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] MOVPE growth of long-wavelength GaInN single layers on GaN substrates2022
- 著者名/発表者名
  Motoki Nakano, Shintaro Ueda, Ruka Watanabe, Tsuyoshi Nagasawa, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya
- 学会等名
  OPIC LEDIA2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] 深紫外LDの最近の進展2022
- 著者名/発表者名
  岩谷素顕，岩山　章，竹内　哲也, 上山　智, 三宅秀人
- 学会等名
  光とレーザーの科学技術フェア2022
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00304
[学会発表] GaN-based tunnel junctions and laser diodes2022
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya
- 学会等名
  IWN2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] GaNトンネル接合の現状とレーザーダイオードへの応用2022
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  レーザー学会学術講演会　第42回年次大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] ミスト供給酸化を用いた電流狭窄型青色LED2022
- 著者名/発表者名
  渡邊琉加、松本浩輝、長澤剛、小林憲汰、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] GaN系面発光レーザ構造のその場反射率スペクトル測定2022
- 著者名/発表者名
  長澤剛、柴田夏奈、稲垣徹郎、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] MOVPE-grown GaN-based tunnel junctions and optoelectronic devices2022
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] 高品質導電性 AlInN/GaN DBR 形成に向けた水素クリーニング2022
- 著者名/発表者名
  柴田夏奈、稲垣徹郎、長澤剛、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] その場Mg活性化を用いたGaNトンネル接合2022
- 著者名/発表者名
  神谷直樹、伊藤太一、岩月梨恵、上山智、岩谷素顕、竹内哲也
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] 近接昇華法による4H-SiCのB,N高濃度コドーピングに関する検討2021
- 著者名/発表者名
  山根耀真、Weifang Lu、柳井光佑、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] AlGaN系UV-B LD構造における注入効率向上に関する検討2021
- 著者名/発表者名
  薮谷歩武，大森智也，田中隼也，山田和輝，佐藤恒輔，岩山章，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇，三宅秀人
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaInN 系量子殻の光学特性改善のためのGaInN/GaN超格子の検討2021
- 著者名/発表者名
  中山奈々美、Weifang Lu、曽根直樹、伊藤和真、宮本義也、奥田廉士、勝呂紗衣、神野幸美、山村志織、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN系VCSELに向けた微小段差による横方向光閉じ込め・電流狭窄構造2021
- 著者名/発表者名
  田中実乃里、飯田涼介、小田薫、稲垣徹郎、柴田夏奈、長澤剛、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Improvement of device performance in UV-B laser diodes2021
- 著者名/発表者名
  M. Iwaya, S. Tanaka, Y. Ogino, M. Shimokawa,K. Yamada, T. Omori, S. Ishizuka, S. Teramura,K. Sato, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama,I. Akasaki, H. Miyake
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 組成傾斜p-AlGaN層とp-Al0.4Ga0.6Nコンタクト層を有する深紫外LED2021
- 著者名/発表者名
  岩月梨恵、速水一輝、石黒永孝、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Nitride-based tunnel junction current confinement structures by Ar plasma irradiation toward VCSELs2021
- 著者名/発表者名
  M. Odawara, K. Kiyohara, S. Iwayama, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
- 学会等名
  ISPlasma2021/IC-PLANTS2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] 量子殻特異構造の作製と光デバイス応用2021
- 著者名/発表者名
  上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] In-situ activation of MOVPE-grown GaN tunnel junctions2021
- 著者名/発表者名
  T. Ito, M. Tasaki, M. Odawara, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  ISPlasma2021/IC-PLANTS2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] 高温スパッタ法によるScAlMgO4基板上AlNバッファ層の検討2021
- 著者名/発表者名
  寶藏圭祐、韓東杓、眞野稜也、高橋遼、藤木領人、平松稜也、澤井奏人、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇、福田承生、藤井高志
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN-based Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers with Lattice-Matched AlInN/GaN DBRs2021
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  OPIC LDC2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] In-situ activation of MOVPE-grown GaN tunnel junctions2021
- 著者名/発表者名
  T. Ito, M. Odawara, M. Tasaki, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 2つの手法を組み合わせたシミュレーション法によるナノパターン化基板を用いたGaInN系緑色LEDの光取り出し効率の計算2021
- 著者名/発表者名
  平松稜也, 韓東杓, 眞野稜也, 高橋遼, 藤木領人, 澤井奏人, 寶藏圭祐、上山智, 竹内哲也、岩谷素顕, 赤﨑勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 量子殻デバイスへのトンネル接合導入のためのm面GaN基板上トンネル接合成長に関する検討2021
- 著者名/発表者名
  山村志織、宮本義也、曽根直樹、Weifang Lu、奥田廉士、伊藤和真、神野幸美、中山奈々美、勝呂紗衣、奥野浩司、水谷浩一、飯田一喜、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] トンネル接合を用いた量子殻レーザの実現に向けたn-GaNへの電極形成に関する検討2021
- 著者名/発表者名
  神野幸美,　奥田廉士,　水谷浩一,　奥野浩司,　飯田一喜,　宮本義也,　山村志織,　曽根直樹,　伊藤和真,　勝呂紗衣,　Weifang Lu、中山奈々美、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Progress in GaN-based VCSEL2021
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, and M. Iwaya
- 学会等名
  ISLC2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] MOVPE growth of AlInN/GaN DBRs and GaN VCSELs2021
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  CGCT-8 Category 1. III-V Semiconductors and Oxide Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] High InN-mole-fraction GaInN thin layers on GaN substrates grown by MOVPE2021
- 著者名/発表者名
  S. Ueda, Y. Ueshima, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  ISPlasma2021/IC-PLANTS2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Thermal oxidation of AlInN surfaces by mist particle supply2021
- 著者名/発表者名
  Hiroki Matsumoto, Sho Iwayama, Norikatsu Koide, Mahito Odawara, Yusuke Ueshima, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Takahiro Maruyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  ISPlasma2021/IC-PLANTS2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Developments of GaN-based VCSELs with epitaxially grown DBRs2021
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  SPIE OPTO Gallium Nitride Materials and Devices XVI: 11686-3
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Emission wavelength control of GaInN/GaN multi-quantum shells /nanowires grown by metalorganic vapour phase epitaxy2021
- 著者名/発表者名
  K. Ito, W. Lu, N. Sone, Y. Miyamoto, R. Okuda, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] MOVPE growth and fabrication of multi-quantum-shell-based blue lasers2021
- 著者名/発表者名
  S. Kamiyama, W. Lu, N. Sone, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Lateral Mg activation for GaInN blue LEDs with GaN tunnel junctions2021
- 著者名/発表者名
  M. Tasaki, K. Kiyohara, M. Odawara, T. Ito, T. Inagaki, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  ISPlasma2021/IC-PLANTS2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Crystal growth of n-GaN on nanowire-based light emitter including multiple-quantum-shell and tunnel junction2021
- 著者名/発表者名
  Y. Miyamoto, N. Sone, W. Lu, K. Ito, R. Okuda, K. Iida, M. Ohya, K. Okuno, K. Mizutani, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] AlInN/GaN多層膜反射鏡における反射率スペクトルの温度依存性2021
- 著者名/発表者名
  長澤剛、上島佑介、稲垣徹郎、柴田夏奈、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、三好実人
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] AlGaN組成傾斜層を有する導電性AlInN/GaNDBRのピット低減2021
- 著者名/発表者名
  柴田夏奈、上島佑介、稲垣徹郎、上田晋太郎、長澤剛、田中実乃里、竹内哲也、上山智、岩谷素顕
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Fabrication of index-guided multi-quantum shell lasers toward room-temperature pulsed lasing operation2021
- 著者名/発表者名
  S. Kamiyama T. Takeuchi, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 量子殻/トンネル接合を用いたナノワイヤLD実現に向けたGaN結晶中の不純物ドーピング評価2021
- 著者名/発表者名
  曽根直樹、宮本義也、奥田廉士、伊藤和真、山村志織、神野幸美、勝呂紗衣、中山奈々美、奥野浩司、水谷浩一、飯田一喜、Weifang Lu、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaInN系量子殻LEDのEL特性2021
- 著者名/発表者名
  勝呂紗衣、Weifang Lu、伊藤和真、中山奈々美、曽根直樹、奥田廉士、宮本義也、神野幸美、山村志織、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Device fabrication for multiple quantum shell nanowires based laser diodes2021
- 著者名/発表者名
  R. Okuda, W. Lu, N. Sone, Y. Miyamoto, K. Ito, K. Iida, M. Ohya, K. Okuno, K. Mizutani, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 量子殻活性層及びトンネル接合を有するレーザ構造の作製と評価2021
- 著者名/発表者名
  奥田廉士、Weifang Lu、曽根直樹、飯田一喜、奥野浩司、水谷浩一、宮本義也、伊藤和真、神野幸美、勝呂紗衣、中山奈々美、山村志織、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 高品質AlGaN結晶の結晶成長とその上に作製したUV-B半導体レーザ2020
- 著者名/発表者名
  岩谷素顕、佐藤恒輔、田中隼也、手良村昌平、大森智也、山田和輝、石塚彩花、下川萌葉、荻野雄矢、岩山章、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
- 学会等名
  第８１回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] トンネル接合を用いた屈折率導波型量子殻レーザ構造の検討2020
- 著者名/発表者名
  奥田廉士、Weifang Lu、曽根直樹、飯田一喜、大矢昌輝、奥野浩司、水谷浩一、宮本義也、伊藤和真、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第８１回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] ITOを用いた窒化物半導体量子殻LED長波長発光デバイスの作製2020
- 著者名/発表者名
  伊藤和真、Weifang Lu、曽根直樹、宮本義也、奥田廉士、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] AlGaN UVB レーザダイオードのキャリア注入効率の算出2020
- 著者名/発表者名
  佐藤恒輔、大森智也、山田和輝、田中隼也、石塚彩花、手良村昌平、岩山章、岩谷素顕、三宅秀人、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] ミスト供給法を用いたAlInN層の熱酸化の低温化2020
- 著者名/発表者名
  松本浩輝、岩山章、小出典克、小田原麻人、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、丸山隆浩、赤崎勇
- 学会等名
  第８１回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] ナノワイヤ径及びピッチ制御によるナノワイヤLEDの発光波長制御2020
- 著者名/発表者名
  伊藤和真、W. Lu、曽根直樹、村上ヒデキ、後藤七美、寺澤美月、宮本義也、奥田廉士、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] トンネル接合を用いた量子殻LD 実現に向けた結晶成長評価2020
- 著者名/発表者名
  曽根直樹、奥田廉士、宮本義也、伊藤和真、飯田一喜、奥野浩司、水谷浩一、大矢昌輝、Weifang Lu、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第８１回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] サファイア基板上AlGaN材料UVBレーザダイオードの構造検討2020
- 著者名/発表者名
  佐藤恒輔，山田和輝, 石塚彩花,田中隼也, 大森智也, 手良村昌平, 岩山章, 三宅秀人,岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇
- 学会等名
  第８１回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] ミスト供給法を用いたAlInN層の熱酸化2020
- 著者名/発表者名
  松本浩輝、岩山章、小出典克、小田原麻人、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、丸山隆浩、赤崎勇
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] 組成傾斜AlGaNクラッド層を用いた UV -B LDの内部ロス評価2020
- 著者名/発表者名
  大森智也、石塚彩花、田中隼也、佐藤恒輔、安江信次、荻野雄矢、山田和輝、手良村昌平、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
- 学会等名
  第８１回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] ミスト供給法を用いたAllnN層の熱酸化の低温化2020
- 著者名/発表者名
  松本浩輝、岩山章、小出典克、小田原麻人、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、丸山隆浩、赤崎勇
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] AlGaN/AlNの分極を利用したp型伝導2020
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
- 学会等名
  結晶加工と評価技術第145委員会　第169回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] UV -B LDにおける分極ドーピングp型AlGaNクラッド層のAl組成およびMg濃度依存性2020
- 著者名/発表者名
  山田和輝、佐藤恒輔、大安江信次、田中隼也、手良村昌平、荻野雄矢、大森智也、石塚彩花、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人、寒川義裕、K. Sakowski
- 学会等名
  第８１回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] ナノパターンを形成したAlNおよび Al0.55Ga0.45N上へのAl0.55Ga0.45Nの結晶成長2020
- 著者名/発表者名
  手良村昌平、下川萌葉, 岩山章, 岩谷素顕 , 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  第８１回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 近接昇華法による4H-SiCのB,N高濃度コドーピングに関する検討2020
- 著者名/発表者名
  山根耀真, 田中大稀, W. Lu, 柳井光佑, 上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤﨑勇
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GRIN-SCH構造を用いたAlGaN系UV-Bレーザダイオードの最適化2020
- 著者名/発表者名
  田中隼也、佐藤恒輔、安江信次、荻野雄矢、山田和輝、石塚彩花、手良村昌平、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
- 学会等名
  第８１回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 量子殻/トンネル接合発光デバイスの実現に向けたn-GaN埋め込み成長に関する検討2020
- 著者名/発表者名
  宮本義也、後藤七美、曽根直樹、飯田一喜、W. Lu、村上ヒデキ、寺澤美月、伊藤和真、奥田廉士、大矢昌輝、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化2020
- 著者名/発表者名
  田先美貴子、清原一樹、小田原麻人、伊藤太一、竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討2020
- 著者名/発表者名
  宮本義也、曽根直樹、Weifang Lu、奥田廉士、伊藤和真、奥野浩司、飯田一喜、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 高温アニールしたスパッタAlNテンプレート上に成長した Al 0.6Ga 0.4N厚膜のホモエピタキシャルAlN層依存性2020
- 著者名/発表者名
  下川萌葉，手良村昌平，岩山章，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇，三宅秀人
- 学会等名
  第49回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] n型AlInN/GaN多層膜反射鏡のSi濃度依存性2020
- 著者名/発表者名
  上島佑介、稲垣徹郎、飯田涼介、岩山章、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] Crystal growth and optical property2020
- 著者名/発表者名
  S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2020
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 窒化物半導体光デバイスの現状と展望2020
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 学会等名
  第4回パワーエレクトロニクス等の研究開発の在り方に関する検討会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00353
[学会発表] 高濃度のホウ素・窒素が添加された蛍光SiCにおける光学特性2019
- 著者名/発表者名
  田中大稀，W. Lu，上山智，竹内哲也，岩谷素顕，赤﨑勇
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Epitaxy and Performance of VCSEL Structures2019
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性2019
- 著者名/発表者名
  小田薫、飯田涼介、岩山章、清原一樹、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  電子情報通信学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Blue edge-emitting laser diodes with AlInN/AlGaN multiple cladding layers2019
- 著者名/発表者名
  Kei Arakawa, Kohei Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Cathodoluminescence enhancement in InGaN/GaN multiquantum shell/GaN nanowires core structure by using AlGaN undershells2019
- 著者名/発表者名
  W. Lu, N. Goto, N. Sone, K. Iida, A. Suzuki, H. Murakami, M. Terazawa, K. Nokimura, M. Takebayashi, M. Ohya, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 学会等名
  The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] その場反り測定によるAlInN/GaN多層膜反射鏡の高精度組成制御2019
- 著者名/発表者名
  平岩恵、村永亘、岩山章、清原一樹、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Crystal growth and optical property of GaInN/GaN multi-quantum shells and GaN nanowire cores by metalorganic vapor phase epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  S. Kamiyama, W. Lu, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  IEEE Photonics Conference 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Developments of GaN-based VCSELs with AlInN/GaN DBRs2019
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Workshop on Nitride Semiconductor Lasers Program
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] GaN系面発光レーザーの進展と応用展開2019
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] White LED in combination with bulk and porous fluorescent SiC2019
- 著者名/発表者名
  S. Kamiyama, A. Suzuki, W. Lu, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Statas and Prospects of GaN-based VCSELs2019
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Photonic Device Workshop 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Statas and Prospects of GaN-based VCSELs2019
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  ICAE 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] MOCVD法によるナノワイヤLED上n-GaNキャップ層成長2019
- 著者名/発表者名
  後藤七美、曽根直樹、飯田一喜、Weifang Lu、鈴木敦志、軒村恭平、竹林穣、村上ヒデキ、寺澤美月、大矢昌輝、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN-based VCSELs with AlInN/GaN distributed Bragg reflectors (DBRs)2019
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  21th International Vacuum Congress
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] "高品質AlInN/GaN多層膜反射鏡のためのその場観察反り測定"2019
- 著者名/発表者名
  平岩恵, 村永亘 , 岩山章竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
- 学会等名
  第66回応用物理学会春期学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] GaN系面発光レーザーの現状と展望2019
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
- 学会等名
  第5回窒化物半導体に関する最先端技術研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Epitaxy of GaN-based VCSELs2019
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  ICCGE-19, OMVPE-19
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Polarization characteristics in GaN-based VCSELs2019
- 著者名/発表者名
  Kaoru Oda, Ryosuke Iida, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
- 学会等名
  LEDIA2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] 面発光レーザの応用へ向けたArプラズマ照射による窒化物半導体トンネル接合電流狭窄構造2019
- 著者名/発表者名
  小田原麻人、不破綾太、清原一樹、岩山章、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] 近接昇華法を用いた6H-SiCへのB,Nの高濃度コドーピングの検討2019
- 著者名/発表者名
  田中大稀, 黒川広朗, 上山智, 岩谷素顕, 竹内哲也, 赤﨑勇
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] コアシェル型ナノワイヤLEDのp-GaNシェル成長に関する検討2019
- 著者名/発表者名
  曽根直樹、後藤七美、飯田一喜、大矢昌輝、Weifang Lu、村上ヒデキ、寺澤美月、埋橋淳, 大久保忠勝, 宝野和博, 上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] In-situ curvature monitoring of AlInN/GaN DBRs2019
- 著者名/発表者名
  Kei Hiraiwa, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetusya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
- 学会等名
  LEDIA2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Embedded SiO2 waveguide structure for GaInN VCSELs2019
- 著者名/発表者名
  Ryosuke iida, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
- 学会等名
  11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] ミラー形成にTMAHTMAHTMAHウェットエチングを用いたUV デバイスのデバイスのデバイスの特性評価2019
- 著者名/発表者名
  安江信次，佐藤恒輔，川瀬雄太，池田隼也、櫻木勇介，岩山章，岩谷素顕，上山智，竹内哲也，赤﨑勇
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN based VCSELs using conducting AlInN/GaN DBRs with graded interfaces2019
- 著者名/発表者名
  Yusuke Ueshima, Wataru Muranaga, Ryosuke Iida, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi, Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Aasaki
- 学会等名
  The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] 量子殻構造LEDのp型殻用電極に関する検討2019
- 著者名/発表者名
  鈴木敦志, 村上ヒデキ, 軒村恭平,竹林穣,後藤七美, 寺澤美月, Weifang Lu,曽根直樹, 飯田一喜,大矢昌輝, 上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤﨑勇
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 青色LEDおよびレーザーの開発とその応用2019
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 学会等名
  2019年度　日本医用歯科機器学会　第29回研究発表大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] AlInN/GaN DBRs for long-wavelength GaN-based VCSELs2019
- 著者名/発表者名
  Kei Hiraiwa, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi, Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Aasaki
- 学会等名
  The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] 世界を変えた青色LED、世界を変える青色レーザー2019
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 学会等名
  軽金属学会東海支部　2019年度　第1回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Improved Uniform Current Injection into Core-shell Type GaInN Nanowire LEDs by Optimizing Growth Condition and Indium-Tin-Oxide Deposition2019
- 著者名/発表者名
  N. Sone, A. Suzuki, H. Murakami, K. Nokimura, Minoru Takebayashi, Nanami Goto, Mizuki Terazawa, W. Lu, K. Iida, M. Ohya, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Lateral current distribution in GaN-based VCSELs with conducting AlInN/GaN DBRs2019
- 著者名/発表者名
  Ryosuke iida, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] GaNナノワイヤとGaInN/GaN多重量子殻のMOVPE成長と構造評価2019
- 著者名/発表者名
  後藤七美、曽根直樹、飯田一喜、W. Lu、村上ヒデキ、寺澤美月、埋橋淳, 関口隆史, 大久保忠勝, J. Chen, W. Yi, 宝野和博、大矢昌輝、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN-based VCSELs using conducting AlInN/GaN DBRs with graded interfaces2019
- 著者名/発表者名
  Yusuke Ueshima, Wataru Muranaga, Ryosuke Iida, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
- 学会等名
  LEDIA2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] 様々なAlNテンプレート上に形成した緩和AlGaN層に作製したUV-Bレーザ2019
- 著者名/発表者名
  手良村昌平，川瀬雄太, 池田隼也，櫻木勇介，安江信次, 田中隼也，荻野雄矢，岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 岩山章, 赤﨑勇, 三宅秀人
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] IN-SITU CURVATURE MONITORING OF ALINN/GAN DBRS2019
- 著者名/発表者名
  Kei Hiraiwa, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  ICCGE-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] 埋め込みSiO2光閉じ込め構造とn型導電性AlInN/GaN DBRを有するGaN系VCSEL2019
- 著者名/発表者名
  飯田涼介、村永亘、上島佑介、岩山章、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] "Polarization characteristic of GaN-based VCSELs with AlInN/GaN DBRs "2019
- 著者名/発表者名
  Kaoru Oda, Ryosuke Iida,　Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Optical characterization of fluorescent SiC with high boron and nitrogen concentrations2019
- 著者名/発表者名
  D. Tanaka, W. Lu, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN系面発光レーザーの進展と波長域拡大2019
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
- 学会等名
  光エレクトロニクス第130委員会第320回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] MOVPE-grown GaInN laser diodes with GaN tunnel junctions2019
- 著者名/発表者名
  Ryosuke Iida, Kohei Miyoshi, Yuki Kato, Kei Arakawa, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  APWS2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] MOVPE growth of n-GaN cap layer on GaInN/GaN multi-quantum shell LEDs2019
- 著者名/発表者名
  N. Goto, N. Sone, K. Iida, W. Lu, A. Suzuki, H. Murkami, M. Terazawa, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  The 19th International Conference on Crystal Growth and Eptaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 放射光を使ったGaN系混晶半導体とGaN系ナノワイヤの局所構造評価2019
- 著者名/発表者名
  宮嶋孝夫，清木良麻，近藤剣，市川貴登，伊奈稔哲，新田清文，宇留賀朋哉，鶴田一樹，隅谷和嗣，今井康彦，木村滋，安田伸広，三好実人，今井大地，竹内哲也，上山智
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 高効率緑色LEDのための二重金属Ag/Auナノ粒子による表面プラズモン共鳴波長の制御2019
- 著者名/発表者名
  真野稜也，ハン・ドンピョ,石本聖治,山本賢吾,上山智, 竹内哲也,岩谷素顕,赤﨑勇
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Fabrication and Characterization of Multi-Quantum-Shell light emitting diodes with Tunnel Junction2019
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, A. Suzuki, K. Nokimura, M. Takebayashi, N. Goto, M. Terazawa, W. Lu, N. Sone, K. Iida, M. Ohya, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Characteristics of GaN-based VCSELs with conducting AlInN/GaN DBRs2019
- 著者名/発表者名
  R. Iida, W. Muranaga, Y. Ueshima, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  SSDM2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] 高反射率AlInN/GaN多層膜反射鏡のためのその場観察反り測定2019
- 著者名/発表者名
  平岩恵，村永亘，岩山章，竹内哲也，上山智，岩谷素顕，赤﨑勇
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Lateral current distribution in GaN-based VCSELs with conducting AlInN/GaN DBRs2019
- 著者名/発表者名
  Ryosuke Iida, Wataru Muranaga, Syo Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
- 学会等名
  LEDIA2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Growth of GaN nanowire and GaInN/GaN multi-quantum shell (MQS) grown by metal-organic vapor phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Naoki Sone, Nanami Goto, Mizuki Terazawa, Hideki Murakami, Kyohei Nokimura, Minoru Takebayashi,, Atsushi Suzuki, Kazuyoshi Iida, Masaki Ohya, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] AlN molar fraction dependence of TMAH wet etching on AlGaN2018
- 著者名/発表者名
  Shinji Yasue, Kosuke Sato, Yuta Kawase, Junya Ikeda, Yusuke Sakuragi, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya,, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] A 1.8mW GaN-based VCSEL with an n-type conducting bottom DBR2018
- 著者名/発表者名
  Wataru Muranaga,youta Fuwa, Takanobu Akagi, Sho Iwayama, Shotaro Yoshida,Yasuto Akatsuka, Junichiro Ogimoto, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaInN VCSELswith semiconductor-based DBRs2018
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  SPIE photonics Europe
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Low resistive GaN tunnel junctionsgrown by MOVPE2018
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Photonics West OPTO
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] AlInN/AlGaN多周期クラッド層を用いた青色端面発光レーザダイオード2018
- 著者名/発表者名
  荒川渓, 三好晃平, 竹内哲也, 三好実人, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
- 学会等名
  第10 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ2018
- 著者名/発表者名
  飯田涼介, 林菜摘, 村永亘, 岩山章, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(Laser and Quantum Electronics)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] GaN-based VCSELs: Their Progress and Prospects2018
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  23rd Microoptics Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 深紫外LED発光特性の基板オフ角・方向依存性2018
- 著者名/発表者名
  小島久範、小笠原多久満、金明姫、飯田一善、小出典克、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
- 学会等名
  第79回応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Realization of high photosensitivity AlGaN-based photosensors2018
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Akira Yoshikawa
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Realization of high performance AlGaN-based UV emitters and detectors2018
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Ceramic Congress,
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] AlGaN/アニール処理スパッタAlNテンプレート上に作製した紫外レーザ2018
- 著者名/発表者名
  川瀬雄太、池田隼也、櫻木勇介、安江信次、岩山章、金明姫、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
- 学会等名
  第79回応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Optical and structural characterization of GaInN/GaN multiple quantum wells grown on nonpolar a-plane GaN templates by MOVPE2018
- 著者名/発表者名
  Shunya Otsuki, Daiki Jinno, Hisayoshi Daicho, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] AlGaN系材料に対するTMAHウェットエッチングのAlNモル分率依存性2018
- 著者名/発表者名
  安江信次、佐藤恒輔、川瀬雄太、池田隼也、櫻木勇介、岩山章、岩谷素顕、上山智、竹内哲也、赤崎勇
- 学会等名
  第79回応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Electrically-injectedGaN-based VCSELs2018
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] n-GaN電流拡散層を用いたGaInN系量子殻LEDの光学シミュレーション2018
- 著者名/発表者名
  寺澤美月、大矢昌輝、飯田一喜、曽根直樹、鈴木敦志、軒村恭平、竹林穣、後藤七美、村上ヒデキ、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第79回応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] High photosensitivity AlGaN/GaInN/GaN heterojunction field-effect transistor type visible photosensors2018
- 著者名/発表者名
  Megumi Sakata, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Kamiyama
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 量子殻構造を有する LED のデバイス特性評価2018
- 著者名/発表者名
  村上ヒデキ、鈴木敦志、軒村恭平、竹林穣、後藤七美、寺澤美月、曽根直樹、飯田一喜、大矢昌輝、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第79回応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 深紫外LED発光特性の基板オフ角・方向依存性2018
- 著者名/発表者名
  小島久範, 小笠原多久満, 金明姫, 飯田一善, 小出典克, 竹内哲也, 岩谷素顕,上山智, 赤崎勇
- 学会等名
  第79 回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Growth of GaInN yellow-green LEDs2018
- 著者名/発表者名
  Junya Yoshinaga, Tatsuya Ichikawa, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] UV laser fabricated on relaxed AlGaN high temperature annealed and sputtered AlN Sapphire templates2018
- 著者名/発表者名
  Yuta Kawase, Junya Ikeda, Yusuke Sakuragi, shinji Yasue, Sho Iwayama, Myunghee Kim, Motoaki Iwaya,, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hideto Miyake
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] MOVPE-grown GaN-based tunnel junction and its application2018
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  SPIE Photonics West OPTO
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Reduction of threading dislocation density in AlInN/GaN DBRs for GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers2018
- 著者名/発表者名
  Takanobu Akagi, Yugo Kozuka, Kazuki Ikeyama, Sho Iwayama, Masaru Kuramoto, Tatsuma Saito, Tetsuya, Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Crystal growth of high quality AlGaN for UV lasers2018
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaInN VCSELs with semiconductor-based DBRs2018
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  SPIE photonics Europe
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] AlInN/GaN DBRs for long-wavelength GaN-based VCSELs2018
- 著者名/発表者名
  Kei Hiraiwa, Wataru Muranaga, Junichiro Ogimoto, Takanobu Akagi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi, Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Aasaki
- 学会等名
  International Symposium of Growth of III-Nitrides ISGN-7
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Realization of High Performance UV Emitters and detectors by using AlGaN Materials2018
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Conference on Nanomaterials and Nanotechnology
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Study on GaInN/GaN multi-quantum shells for high-performance optoelectronic devices2018
- 著者名/発表者名
  S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Growth of GaInN yellow-green LEDs2018
- 著者名/発表者名
  Junya Yoshinaga, Tatsuya Ichikawa, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Conference on MOVPE-XIX
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Growth mechanism of GaInN/GaN multi-quantum shells and GaN nanowire structure grown by metalorganic vapor phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 19th World Congress on Materials Science and Engineering
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Observation of crystal growth of group III nitride semiconductors by using in situ X-ray diffraction attached metalorganic vapor phase epitaxial equipment2018
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Conference on MOVPE-XIX
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] AlGaN-based electron beam excitation UV lasers using AlGaN well layer2018
- 著者名/発表者名
  Yusuke Sakuragi, Yuta Kawase, Jyunya Ikeda, Shinji Yasue, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama,, Tetsuya Takeuchi, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] MOVPE　growth of thick and smooth surface GaInN on semipolar (1011) and (1011) GaN substrate and it sapplication of solar cell2018
- 著者名/発表者名
  Noboru Muramatsu, Toru Takanishi, Syun Mitsufujji, Kazuya Takahashi, Motoaki Iwayaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Conference on MOVPE-XIX
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] MOVPE-grown GaN-based tunnel junction and its application2018
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  Photonics West OPTO
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] GaInN系面発光レーザーの開発と展望2018
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
- 学会等名
  レーザー学会学術講演会第38回年次大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Effects of underlying layers on electrical properties of p-(Al)GaN/p-AlGaN superlattices2018
- 著者名/発表者名
  Kosuke Sato,Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 緑色LEDにおける表面プラズモン効果のためのp-GaN層の最適化2018
- 著者名/発表者名
  山本賢吾、ハンドンピョ、石本聖治、真野稜也、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
- 学会等名
  第79回応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN-based VCSELs with conducting AlInN/GaN DBRs2018
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Photonics West OPTO
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Study on emission wavelength control of GaInN multi-quantum-shell / GaN nanowire2018
- 著者名/発表者名
  Nanami Goto, Kohei Sasai, Kazuyoshi Iida, Naoki Sone, Atushi Suzuki, Kyohei Nokimura, Minoru Takebayashi, Satoshi Kamiyama, Tetuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Conference on MOVPE-XIX
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Substrate off-angle and direction dependences on DUV-LED2018
- 著者名/発表者名
  Hisanori Kojima, Takuma Ogasawara, Myunghee Kim, Yoshiki Saito, Kazuyoshi Iida, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Electrically-injected GaN-based VCSELs2018
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN-based VCSELs: Their Progress and Prospects2018
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  MOC2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] GaN系長波長面発光レーザへ向けたAlInN/GaN多層膜反射鏡2018
- 著者名/発表者名
  平岩恵, 村永亘 , 赤木孝信, 竹内哲也, 三好実人, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
- 学会等名
  第10 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Substrate off-angle and direction dependences on DUV-LED characteristics2018
- 著者名/発表者名
  Hisanori Kojima, Takuma Ogasawara, Myunghee Kim, Yoshiki Saito, Kazuyoshi Iida, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Optical simulation of GaInN-based Multi-Quantum-Shell (MQS) LED using n-GaN current diffusing layer2018
- 著者名/発表者名
  Mizuki Terazawa, Masaki Ohya, Kazuyoshi Iida, Naoki Sone, Atsushi Suzuki, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaInN系面発光レーザーの開発と展望2018
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
- 学会等名
  レーザー学会学術講演会第38回年次大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Growth and characterization of GaInN/GaN multi-quantum shell (MQS) /GaN nanowire2018
- 著者名/発表者名
  Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
- 学会等名
  World Congress on Nano Science and Technology
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaInN/GaN multi-quantum shells for high-performance optoelectronic devices2018
- 著者名/発表者名
  S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  SPIE Photonics West OPTO
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Determination of Internal Quantum Efficiency in Light-emitting Diode under Electrical Injection: IQE Degradation Mechanism Analysis2018
- 著者名/発表者名
  Dong-Pyo Han, Kengo Yamamoto, Seiji Ishimoto, Ryoya Mano, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 半導体多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザの高効率・高出力化2018
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
- 学会等名
  第3回パワー光源及び応用システム調査専門委員会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] GaNトンネル接合の低抵抗化に向けた不純物プロファイルの最適化2018
- 著者名/発表者名
  赤塚泰斗、不破綾太、岩山章、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Blue edge-emitting laser diodes with AlInN/AlGaN multiple cladding layers2018
- 著者名/発表者名
  Kei Arakawa, Kohei Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] EB excitation of UV lasers using the GaN/AlGaN MQW active layers2018
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
- 学会等名
  EMN meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 電子線励起による GaN/AlGaN 系レーザー2018
- 著者名/発表者名
  岩谷素顕、岩山章、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、松本貴裕
- 学会等名
  レーザー学会学術講演会第38回年次大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaN系長波長面発光レーザへ向けたAlInN/GaN多層膜反射鏡2018
- 著者名/発表者名
  平岩恵，荻本純一郎，赤塚泰斗，村永亘，赤木孝信，竹内哲也，上山智，岩谷素顕，赤﨑勇
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Optimization of ITO deposition condition for surface plasmon enhanced green LED2018
- 著者名/発表者名
  Kengo Yamamoto, Dong-Pyo Han, Seiji Ishimoto, Ryoya Mano, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with MOVPE-grown AlInN/GaN DBRs2018
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  ICMOVPE XIX
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] A 1.8mW GaN-based VCSEL with an n-type conducting bottom DBR2018
- 著者名/発表者名
  Wataru Muranaga, Ryota Fuwa, Takanobu Akagi, Shotaro Yoshida, Junichiro Ogimoto, Yasuto Akatsuka, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Influence of trap level on Al0.6Ga0.4N/Al0.5Ga0.5N-MSM UV photodetector2018
- 著者名/発表者名
  Akira Yoshikawa, Saki Ushida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Modification of underlying layers to improve quantum efficiency in green light emitting diodes2018
- 著者名/発表者名
  Seiji Ishimoto, Dong-Pyo Han, Kengo Yamamoto, Ryoya Mano, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 下地GaN/GaInN超格子による緑色LEDの発光特性の変化2018
- 著者名/発表者名
  石本聖治、Han Dong-Pyo、山本賢吾、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第79回応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with MOVPE-grown AlInN/GaN DBRs2018
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Conference on MOVPE-XIX
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Fabrication of GaN-based multi-quantum shell LED2018
- 著者名/発表者名
  Kyohei Nokimura, Naoki Sone, Atsushi Suzuki, Kazuyoshi Iida, Minoru Takebayashi, Satoshi Kamiyama,, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaInN VCSELs with AlInN/GaN DBRs2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  ICNS’ 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] 高効率GaN面発光レーザの現状と展望2017
- 著者名/発表者名
  竹内哲也・上山　智・岩谷素顕・赤﨑　勇
- 学会等名
  電子情報通信学会　総合大会
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2017-03-22
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Modified Shockley diode equation suitable for InGaN-based light-emitting diodes2017
- 著者名/発表者名
  Dong-Pyo Han, Jong-In Shim, Dong-Soo Shin, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaN/GaN tunnel junctions grown by MOVPE2017
- 著者名/発表者名
  R.Fuwa, D. Takasuka, Y. Akatsuka, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  LEDIA`17
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] X線マイクロビームを用いた窒化物系単一ナノワイヤ上Ga1-xInxN/GaN量子井戸の構造評価2017
- 著者名/発表者名
  清木良麻、澁谷弘樹、今井康彦、隅谷和嗣、木村滋、岩瀬航平、宮嶋孝夫、上山智、今井大地、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaN-based VCSELs towards high efficiency2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi
- 学会等名
  LDC18
- 発表場所
  Yokohasma, Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Nitride-based nanowire and multi-quantum shell active layer for advanced photonic devices2017
- 著者名/発表者名
  S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  The 3rd Congress on Materials Science and Engineering
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Semipolar (10-1-1) GaInN/GaN p-i-n lightemitting2017
- 著者名/発表者名
  N. Muramatsu, T. Takanishi, S. Mitsufuji, M. Iwaya, T. Takeuchi, S.Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 高効率GaN面発光レーザの現状と展望2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi
- 学会等名
  電子通信情報学会大会
- 発表場所
  名古屋
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] トンネル接合を用いた低温成長 p 側構造黄色 LED の作製2017
- 著者名/発表者名
  吉永純也,市川達弥,鈴木健太,小出典克,竹内哲也,岩谷素顕,上山智,赤﨑勇
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] GaN-based VCSELs with AlInN/GaN DBRs2017
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  SPIE Photonics west
- 発表場所
  San Fransisco
- 年月日
  2017-01-29
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Nitride-based nanowire and multi-quantum shell active layer for advanced photonic devices2017
- 著者名/発表者名
  S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  The 3rd Congress on Materials Science and Engineering
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaNナノワイヤ結晶の限定領域形成に関する基礎検討2017
- 著者名/発表者名
  竹林穣、栗崎勇気、澁谷弘樹、M. Kim、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN-based VCSELs towards high efficiency2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  OPIC 2017 LDC’17
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] High-performance GaN-based VCSELs2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  2017 IEEE Photonics Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 高効率窒化物半導体発光素子に向けた新展開2017
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第104回合同研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] GaN-based VCSELs with lateral optical confinement structures2017
- 著者名/発表者名
  N. Hayashi, K. Matsui, T. Furuta, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  ISPlasma 2017
- 発表場所
  Chubu University, Japan
- 年月日
  2017-02-28
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 紫外発光素子に向けたp層側光吸収低減の検討2017
- 著者名/発表者名
  安田俊輝、桑原奈津子、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇、天野浩
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] （優秀論文賞受賞記念講演） Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with n-type conducting AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2017
- 著者名/発表者名
  池山和希、小塚祐吾、松井健城、吉田翔太朗、赤木孝信、赤塚泰斗、小出典克、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Structural analysis of GaInN/GaN multiquantum wells grown on a GaN {1-100} sidewall of nanowire by using an x-ray micro beam2017
- 著者名/発表者名
  R. Seiki, H. Shibuya, Y. Imai, K.Sumitani, S. Kimura, K. Iwase, T. Miyajima, S. Kamiyama, D. Imai, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] r面サファイア基板上スパッタリング成膜AlNバッファ層の結晶品質と熱処理効果2017
- 著者名/発表者名
  大槻隼也、神野大樹、大長久芳、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Modified Shockley diode equation suitable for InGaN-based light-emitting diodes2017
- 著者名/発表者名
  D.-P. Han, J.-I. Shim, D.-S. Shin, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Fabrication of GaInN/GaInP/GaAs/Ge 4-junction solar cell using wafer bonding technology2017
- 著者名/発表者名
  Kazuya Takahashi Ryoji Shinoda Syun Mitsufuji Motoaki Iwaya Tetsuya Takeuchi Satoshi Kamiyama Tomokazu Hattori Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaInN vertical-cavity surface-emitting lasers with AlInN/GaN DBRs2017
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 12th international conference on nitride semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] AlN系窒化物半導体のウェハ接合技術の検討2017
- 著者名/発表者名
  高橋一矢、篠田涼二、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、服部友一、赤崎勇、片山竜二、上向井正裕
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Study on growth condition of 3D nanowire/GaInN-based multi-quantum shell active layer2017
- 著者名/発表者名
  K. Nokimura, M. H. Kim, A. suzuki, Y. Kurisaki, M. Takebayashi, H. Shibuya, K. Sasai. S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Materials Research Society Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Low resistive GaN tunnel junctions grown by MOVPE2017
- 著者名/発表者名
  R.Fuwa, Y. Akatsuka, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  2017 MRS Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] GaNナノワイヤ結晶の限定領域形成に関する基礎検討2017
- 著者名/発表者名
  林菜摘、松井健城、古田貴士、赤木孝信、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 名城大学におけるGaInN系面発光レーザの現状とその展望2017
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
- 学会等名
  光電相互変換第125委員会　第236回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaN/GaN tunnel junctions grown by MOVPE2017
- 著者名/発表者名
  Ryota Fuwa, Daiki Takasuka, Yasuto Akatsuka, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  LEDIA'17
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] 横方向光閉じ込め構造を有するGaN系面発光レーザ2017
- 著者名/発表者名
  林菜摘，松井健城，古田貴士，赤木孝信，竹内哲也，上山智，岩谷素顕，赤﨑勇
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] r面サファイア基板上スパッタリング成膜AlNバッファ層の結晶品質と熱処理効果2017
- 著者名/発表者名
  大槻隼也, 神野大樹, 大長久芳, 上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤﨑勇
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Demonstration of AlGaN/GaN UV lasers by electron beam pumping2017
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya,　Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
- 発表場所
  Mallorca, Spain
- 年月日
  2017-03-05
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] High-performanceGaN-based VCSELs2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  2017 IEEE Photonics Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] GaN-based VCSELs towards high efficiency2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Laser Disply Conference 2017
- 発表場所
  Yokohama
- 年月日
  2017-04-18
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Structure of porous SiC by voltage controlled anodic oxidation method2017
- 著者名/発表者名
  H. Kurokawa, S. Kamiyama, I. Akasaki, T. Takeuchi, M. Iwaya, Y. Iwasa
- 学会等名
  The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Alternative hole injections in nitride-based light-emitting devices2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  2017 MRS Fall Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] アニール処理したスパッタ AlN膜上に形成したAlGaNの特性2017
- 著者名/発表者名
  袴田淳哉、川瀬雄太、岩山章、岩谷素顕、上山智、竹内哲也、赤﨑勇、三宅秀人
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaInN/GaN Multi-Quantum-Shell (MQS) on GaN Nanowire for 3D Light-Emitting Diode2017
- 著者名/発表者名
  M. H. Kim, K. Nokimura, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  European Materials Research Society Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 紫外発光素子に向けたp層側光吸収低減の検討2017
- 著者名/発表者名
  安田俊輝、桑原奈津子、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇、天野浩
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] MOVPE法による低抵抗GaNトンネル接合2017
- 著者名/発表者名
  不破綾太、赤塚泰人、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] GaNナノワイヤを用いた高出力LED作製に向けた検討2017
- 著者名/発表者名
  軒村恭平、栗崎湧気、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Nitride-based tunnel junctionsby MOCVD2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi
- 学会等名
  DOE SSL R&D workshop
- 発表場所
  Long Beach, USA
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Feasibility study on limited area formation of GaN nanowires for multi-quantum shell LDs2017
- 著者名/発表者名
  Minoru Takebayashi, Yuki Kurisaki, Hiroki Shibuya, Myunghee Kim, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 面発光レーザへの応用に向けた窒化物半導体埋め込みトンネル接合2017
- 著者名/発表者名
  赤塚泰斗、不破綾太、岩山章、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] AlGaN系紫外レーザの現状と期待2017
- 著者名/発表者名
  岩谷　素顕, Ling Dong , 岩山　章，川瀬雄太，竹内　哲也, 上山　智, 赤﨑　勇，三宅秀人
- 学会等名
  第46回日本結晶成長学会国内会議
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Feasibility study on limited area formation of GaN nanowires for multi-quantum shell LDs2017
- 著者名/発表者名
  M. Takebayashi, Y. Kurisaki, H. Shibuya, M. Kim, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN/GaN tunnel junctions grown by MOVPE2017
- 著者名/発表者名
  R. Fuwa, D. Takasuka, Y. Akatsuka, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama,and I. Akasaki
- 学会等名
  The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Formation and characterization of porous SiC by anodic oxidation using potassium persulfate solution2017
- 著者名/発表者名
  Y. Iwasa, S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki
- 学会等名
  SPIE NanoPhotonics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Demonstration of AlGaN/GaN-based UV lasers excited by electron beam2017
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya,　Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
- 学会等名
  SPIE Photonics west
- 発表場所
  San Fransisco, USA
- 年月日
  2017-01-29
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] X 線マイクロビームを用いた窒化物系単一ナノワイヤ上 Ga1-xInxN/GaN 量子井戸の構造評価2017
- 著者名/発表者名
  清木良麻，澁谷弘樹，今井康彦，隅谷和嗣，木村滋，岩瀬航平，宮嶋孝夫，上山智，今井大地，竹内哲也，岩谷素顕，赤崎勇
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 高効率窒化物半導体発光素子に向けた新展開2017
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第104回合同研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaN-based VCSELs with lateral optical confinement structures2017
- 著者名/発表者名
  N. Hayashi, K. Matsui, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN-based VCSELs towards high efficiency2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  OPIC 2017 LDC’17
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Low-temperature embedded growth over III-nitride nanowires2017
- 著者名/発表者名
  H. Shibuya, Y. Kurisaki,S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi and I. Akasaki
- 学会等名
  ISPlasma 2017
- 発表場所
  Nagoya
- 年月日
  2017-03-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN-based VCSELs Towards High Efficiency2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Demonstration of electron beam pumped GaN-based laser2017
- 著者名/発表者名
  T. Hayashi, N. Nagata, T. Senga, S. Iwayama, M. Iwaya, T.Takeuchi, S.Kamiyama, I. Akasaki, and T. Matsumoto
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Fabrication and characterization of AlGaN templates on annealed sputtering AlN layer2017
- 著者名/発表者名
  J. Hakamata, Y. Kawase, S. Iwayama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Miyake
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Electron beam excitation of ultraviolet laser using a GaN/AlGaN multi quantum well active layer2017
- 著者名/発表者名
  Takafumi Hayashi, Lin Dong, Yuta Kawase, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
- 学会等名
  The 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 横方向光閉じ込め構造を有するGaN系面発光レーザ2017
- 著者名/発表者名
  林菜摘、松井健城、古田貴士、赤木孝信、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 蛍光SiCの発光特性評価2017
- 著者名/発表者名
  上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第370回蛍光体同学会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Alternative hole injections in nitride-based light-emitting devices2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  2017 MRS Fall Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaN-based VCSELs with lateral optical confinement structures2017
- 著者名/発表者名
  N. Hayashi, K. Matsui, T. Furuta, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  ISPlasma 2017
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] GaN-based VCSELs with lateral optical confinement structures2017
- 著者名/発表者名
  N. Hayashi, K. Matsui, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  ICNS-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] AlN epitaxial growth with Ga supply on off-cut sapphire substrate2017
- 著者名/発表者名
  Takuma Ogasawara, Toshiki Yasuda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  LEDIA'17
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] GaInN vertical-cavity surface-emitting lasers with AlInN/GaN DBRs2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 電子線励起法によるGaN/AlGaN-MQW レーザ2017
- 著者名/発表者名
  林貴文、永田訓章、千賀崇史、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 横方向光閉じ込め構造を有するGaN系面発光レーザ2017
- 著者名/発表者名
  林菜摘，松井健城，古田貴士，赤木孝信，竹内哲也，上山智，岩谷素顕，赤﨑勇
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] GaN-based VCSELs with lateral optical confinement structures2017
- 著者名/発表者名
  N. Hayashi , K. Matsui , T. Takeuchi , S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 窒化物半導体における新しい導電性制御：トンネル接合と分極ドーピング2017
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、岩谷素顕、上山　智、赤﨑　勇
- 学会等名
  第36回電子材料シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Acceleration Voltage Dependence of Threshold Power Density in AlGaN/GaN Based Electron2017
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Takafumi Hayash, Noriaki Nagata,Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Takahiro Matsumoto
- 学会等名
  11th International Symposium on
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 名城大学におけるGaInN系面発光レーザの現状とその展望2017
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、上山　智、岩谷素顕、赤﨑　勇
- 学会等名
  光電相互変換第125委員会　第236回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] Optical characteristics of plasmonic LEDs with and without dielectic films2017
- 著者名/発表者名
  S. Matsuo, J. Ohsumi, K. Niwa, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Realization of electron beam excitation of UV laser using a AlGaN/GaN multi quantum well active layer2017
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
- 学会等名
  European Material Research Scociety Symposium Fall meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] High electron concentrations in MOCVD-grown Si-doped dilute AlxGa1-xN on sapphire2017
- 著者名/発表者名
  B. Monemar, P. P. Paskov, J. P. Bergman, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama and I. Akasaki
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 紫外発光素子に向けたp層側光吸収低減の検討2017
- 著者名/発表者名
  安田俊輝、桑原奈津子、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇、天野浩
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Low-temperature-grown p-side structure with tunnel junction towards long wavelength nitride-based LED2017
- 著者名/発表者名
  J. Yoshinaga, K. Suzuki, D. Takasuka, N. Koide, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 学会等名
  LEDIA’17
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13959
[学会発表] GaN-based VCSELswith AlInN/GaN DBRs2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi
- 学会等名
  SPIE OPTO
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] GaNナノワイヤを用いた高出力LED作製に向けた検討2017
- 著者名/発表者名
  軒村恭平, 栗崎湧気, 上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤崎勇
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Fabrication of high-quality AlN template by high-temperature annealing for deepultraviolet2017
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Takafumi Hayashi, Noriaki Nagata, Takashi Senga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Takahiro Matsumoto
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices 2017
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 窒化物半導体における新しい導電性制御：　トンネル接合と分極ドーピング2017
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、岩谷素顕、上山　智、赤﨑　勇
- 学会等名
  第36回電子材料シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01055
[学会発表] GaInN トンネル接合と n 型 GaNSb による低温 p 側構造の作製2016
- 著者名/発表者名
  鈴木健太、財部覚、高須賀大貴、小出典克、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13959
[学会発表] 高速成長（0.43 μm/h）させたGaInN量子井戸の弱・強励起PL評価2016
- 著者名/発表者名
  市川竜弥、高須賀大貴、財部覚、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第5回結晶工学未来塾
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13959
[学会発表] GaInN トンネル接合と n 型 GaNSb による低温 p 側構造の作製2016
- 著者名/発表者名
  鈴木健太、財部覚、高須賀大貴、小出典克、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2016-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Observation of AlGaN/GaN heterostructure by in situ XRD attached metalorganic vapor phase epitaxial equipment2016
- 著者名/発表者名
  J. Osumi, R. Kanayama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki,
- 学会等名
  18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya/Japan
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Polarization induced hole accumulations in nitride semiconductor heterostructures2016
- 著者名/発表者名
  T. Yasuda, S. Yoshida, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  LEDIA’16
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] ITO/Ga2O3 multilayer electrodes towards deep UV-LEDs2016
- 著者名/発表者名
  N. Kuwabara, T. Yasuda, S. Katsuno, N. Koide, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  LEDIA’16
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Determination of the Site of Sb Occupation in MOCVD-Grown GaN1xSbx Using X-Ray Absorption Fine-Structure Measurements2016
- 著者名/発表者名
  Takao Miyajima, Daisuke Komori, Toshiaki Ina, Ryoma Seiki, Kiyofumi Nitta, Tetsuya Takeuchi, Tomoya Uruga, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki,
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaInNトンネル接合とn型GaNSbによる低温p側構造の作製2016
- 著者名/発表者名
  鈴木健太, 財部覚, 小森大資, 高須賀大貴, 小出典克、竹内哲也, 岩谷素顕, 上山智,赤﨑勇
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13959
[学会発表] アニール処理AlN下地層上AlGaN/AlN-MQWの光学特性2016
- 著者名/発表者名
  袴田淳哉、草深敏匡、千賀崇史、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、三宅秀人、赤崎勇
- 学会等名
  第63回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  東京/日本
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] X線吸収微細構造測定によるAl0.82In0.18Nの局所構造解析2016
- 著者名/発表者名
  清木良麻、小森大資、池山和希、伊奈稔哲、小沼猛儀、宮嶋孝夫、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 3-mW RT-CW GaN-Based VCSELs and Their Temperature Dependence2016
- 著者名/発表者名
  Kenjo Matsui, Takashi Furuta, Natsumi Hayashi, Yugo Kozuka, Takanobu Akagi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki,
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] High Temperature Annealing of Sputtered AlN Buffer Layer on r-Plane Sapphire Substrate and its Effect on Crystalline Quality of a-Plane GaN2016
- 著者名/発表者名
  Daiki Jinno, Shun Otsuki, Teruyuki Niimi, Hisayoshi Daicho, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 低温下におけるⅢ族窒化物ナノワイヤの埋め込み成長に関する研究2016
- 著者名/発表者名
  澁谷弘樹、上山智、岩谷素顕、竹内哲也、赤﨑勇
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] アニール処理AlN下地層上AlGaN/AlN-MQWの光学特性2016
- 著者名/発表者名
  袴田淳哉、草深敏匡、千賀崇史、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、三宅秀人、赤崎勇
- 学会等名
  第63回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  東京/日本
- 年月日
  2016-03-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Low Temperature Photoluminescence in Highly Si-Doped AlxGa1-xN with x < 0.092016
- 著者名/発表者名
  Bo Monemar, Plamen P. Paskov, K. Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Low-temperature grown p-side structure with GaInN tunnel junction and n-GaNSb2016
- 著者名/発表者名
  K. Suzuki, K. Takarabe, D. Komori, D. Takasuka, N. Koide, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
- 学会等名
  LEDIA'16
- 発表場所
  Yokphama, Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13959
[学会発表] 3-mW RT-CW GaN-based VCSELs and their temperature dependence2016
- 著者名/発表者名
  K. Matsui, T. Furuta, N. Hayashi, Y. Kozuka, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors 2016
- 発表場所
  Orlando, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] サファイア基板上AlNエピタキシャル層へのGa添加の効果2016
- 著者名/発表者名
  小笠原多久満、安田俊輝、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  2016結晶工学未来塾
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Characterization of AlGaN/GaN Heterostructure by In Situ X-Ray Diffraction Attached Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Ryousuke Kanayama, Junya Osumi, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Local Structural Analysis around In Atoms in Al0.82In0.18N alloy by Using X-Ray Absorption Fine-Structure Measurements2016
- 著者名/発表者名
  Ryoma Seiki, Daisuke Komori, Kazuki Ikeyama, Toshiaki Ina, Takeyoshi Onuma, Takao Miyajima, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Theoretical Investigation of Nitride Nanowire-Based QuantumShell Lasers2016
- 著者名/発表者名
  Yuki Kurisaki, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Si3N4による高AlNモル分率n-AlGaN用V系電極の低接触比抵抗化2016
- 著者名/発表者名
  永田訓章、森一喜、武田邦宏、草深敏匡、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第63回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  東京/日本
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlGaN多重量子井戸構造のレーザ発振特性のSi濃度依存性2016
- 著者名/発表者名
  千賀崇史、永田訓章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第63回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  東京/日本
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] ITO/Ga2O3 Multilayer Electrodes Towards Deep UV-LEDs2016
- 著者名/発表者名
  N. Kuwabara, T. Yasuda, S. Katsuno, N. Koide, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki,
- 学会等名
  The 4th International Conference on Light- Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  Yokohama/Japan
- 年月日
  2016-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaN-based VCSELs using Periodic Gain Structures2016
- 著者名/発表者名
  K. Matsui, K. Ikeyama, T. Furuta, Y. Kozuka, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 4th International Conference on Light- Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  Yokohama/Japan
- 年月日
  2016-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Physical Property of the High Photosensitive Field Effect Transistor Type UV Photosensors with AlGaN/AlGaN Hetero Structure2016
- 著者名/発表者名
  Akira Yoshikawa, Saki Ushida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] AlGaN多重量子井戸構造のレーザ発振特性のSi濃度依存性2016
- 著者名/発表者名
  千賀崇史、永田訓章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第63回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  東京/日本
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Room temperature CW operation of GaN-based VCSELs2016
- 著者名/発表者名
  K. Matsui, T. Furuta, N. Hayashi, Y. Kozuka, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  IEEE 2016 Lester Eastman Conference
- 発表場所
  Bethlehem, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Low Resistivity Ohmic Contact V-Based Electrode Contributed by Using Thin SiNx Intermediate Layer for High AlN Molar Fraction n-Type AlGaN2016
- 著者名/発表者名
  Noriaki Nagata, Takashi Senga, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Temperature Dependence in AlGaN-Based Heterostructure Field-Effect Transistor Type UV Photosensors2016
- 著者名/発表者名
  Saki Ushida, Akira Yoshikawa, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Design and Fabrication of Modulation-Doped GaN-Based Vertical Cavities for Blue Surface-Emitting Lasers 2016
- 著者名/発表者名
  J. Ogimoto, Y. Kozuka, T. Akagi, N. Hayashi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors 2016
- 発表場所
  Orlando, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Polarization Induced Hole Accumulations in Nitride Semiconductor Heterostructures2016
- 著者名/発表者名
  T. Yasuda, S. Yoshida, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  The 4th International Conference on Light- Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  Yokohama/Japan
- 年月日
  2016-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaN-based VCSELs using Periodic Gain Structures2016
- 著者名/発表者名
  K. Matsui , K. Ikeyama , T. Furuta , Y. Kozuka , T. Akagi , T. Takeuchi , S. Kamiyama , M. Iwaya , and I. Akasaki
- 学会等名
  LEDIA’16
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] X線その場観察MOVPEによるAlGaN/GaNヘテロ構造評価2016
- 著者名/発表者名
  金山亮介、大角純也、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Polarization induced holes for ultraviolet emitting devices2016
- 著者名/発表者名
  T. Yasuda, S. Yoshida, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  IEEE 2016 Lester Eastman Conference
- 発表場所
  Bethlehem, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] 分極電荷による高ホール濃度を有するp型AlGaNの作製2016
- 著者名/発表者名
  安田俊輝、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇、天野浩
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 1.7-mW nitride-based vertical-cavity surface-emitting lasers using AlInN/GaN bottom DBRs2016
- 著者名/発表者名
  T. Furuta, K. Matsui, Y. Kozuka, S. Yoshida, N. Hayasi, T. Akagi, N. Koide, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016)
- 発表場所
  Kobe, Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] XAFS法を用いたGaN1-xSbx混晶半導体中のSb占有位置評価2016
- 著者名/発表者名
  宮嶋孝夫、小森大資、清木良麻、伊奈稔哲、新田清文、鈴木健太、竹内哲也、宇留賀朋哉、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Group-III nitride-based nanostructures for novel optoelectronic devices2016
- 著者名/発表者名
  S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I Akasaki
- 学会等名
  Nano Science & Technology 2016
- 発表場所
  Singapore
- 年月日
  2016-10-26
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] 窒化物系ナノワイヤーおよび量子殻構造の作製と、光デバイス応用2016
- 著者名/発表者名
  上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaN-based VCSEL using a periodic gain structure consisting of two GaInN 5QWs2016
- 著者名/発表者名
  K. Matsui, T. Furuta, Y. Kozuka, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  第35回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  滋賀
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Nitride-based tunnel junctions with graded GaInN layers2016
- 著者名/発表者名
  D. Takasuka, M. Ino, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
- 学会等名
  ISPlasma/IC-PLANTS 2016
- 発表場所
  Nagoya
- 年月日
  2016-03-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] High hole accumulation and low p-contact resistande with graded-AlGaN layers2016
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 学会等名
  8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 発表場所
  Nagoya/Japan
- 年月日
  2016-03-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] High hole accumulation and low p-contact resistande with graded-AlGaN layers2016
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 学会等名
  8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 発表場所
  Nagoya/Japan
- 年月日
  2016-03-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 電子線励起法によるGaInN/GaN-MQW レーザ2016
- 著者名/発表者名
  林貴文、永田訓章、千賀崇史、金山亮介、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] MOVPE-grown GaN-based vertical cavity surface emitting lasers2016
- 著者名/発表者名
  K. Matsui, T. Furuta, N. Hayashi, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  EMN Meeting on Epitaxy
- 発表場所
  Budapest, Hungary
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Nano-size concavo-convex (NCC)サファイア基板を用いた高品質 AlN 膜成長2016
- 著者名/発表者名
  吉川陽、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2016-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Temperature Dependence of the Nitride-based HFET Structure Photosensors2016
- 著者名/発表者名
  S. Ushida, A. Yoshikawa, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 4th International Conference on Light- Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  Yokohama/Japan
- 年月日
  2016-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 窒化物半導体 HFET 型光センサの動作に関する温度依存性2016
- 著者名/発表者名
  牛田彩希、吉川陽、岩谷素顕、上山智、竹内哲也、赤﨑勇
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2016-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Low resistiveGaInN tunneljunctionswith high Si concentrations2016
- 著者名/発表者名
  Y. Akatsuka, D. Takasuka, M. Ino, T. Akagi, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasak
- 学会等名
  18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya/Japan
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 深紫外LEDのためのITO/Ga203 多層膜透明電極の検討2016
- 著者名/発表者名
  桑原奈津子, 安田俊輝, 勝野翔太, 小出典克, 竹内哲也, 岩谷素顕, 上山智, 赤﨑勇
- 学会等名
  第63回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  東京/日本
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 高温アニール処理のスパッタ AlN 層における効果2016
- 著者名/発表者名
  袴田淳哉、岩谷素顕、上山智、竹内哲也、三宅秀人、赤﨑勇
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2016-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Growth and characterization of GaInN/GaN multi-quantum shell active layer for novel optoelectronic devices2016
- 著者名/発表者名
  S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I Akasaki
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  San Sebastian, Spain
- 年月日
  2016-09-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06416
[学会発表] Hole accumulation to polarization charges in relaxed AlGaN heterostructures with high AlN mole fractions2016
- 著者名/発表者名
  T. Yasuda, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors 2016
- 発表場所
  Orlando, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Low-Temperature Grown p-Side Structure with GaInN Tunnel Junction and n-GaNSb2016
- 著者名/発表者名
  281.K. Suzuki, K. Takarabe, D. Komori, D. Takasuka, N. Koide, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 4th International Conference on Light- Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  Yokohama/Japan
- 年月日
  2016-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Si3N4による高AlNモル分率n-AlGaN用V系電極の低接触比抵抗化2016
- 著者名/発表者名
  永田訓章、森一喜、武田邦宏、草深敏匤、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第63回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  東京/日本
- 年月日
  2016-03-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Improvement of p-type electrical property by polarization-doping in graded-AlGaN layer2016
- 著者名/発表者名
  安田俊輝、勝野翔太、桑原奈津子、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇、天野浩
- 学会等名
  第35回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  滋賀
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Improvement of p-type electrical property by polarization-doping in graded-AlGaN layer2016
- 著者名/発表者名
  Y. . Yasuda, S. Katsuno, N. Kuwabara, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 学会等名
  35th Electronic Materilas Symposium
- 発表場所
  Moriyama, Japan
- 年月日
  2016-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] AlGaN系HFET型光センサのSiNxパッシベーション効果2016
- 著者名/発表者名
  牛田彩希、吉川陽、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第７７回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaN-based VCSEL using a periodic gain structure consisting of two GaInN 5QWs2016
- 著者名/発表者名
  K. Matsui, T. Furuta, Y. Kozuka, T. Akagi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya and I. Akasaki
- 学会等名
  35th Electronic Materilas Symposium
- 発表場所
  Moriyama, Japan
- 年月日
  2016-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] GaInN-based tunnel junctionsfor novel optoelectronic devices2016
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  EMN Meeting on Photovoltaics
- 発表場所
  HongKong
- 年月日
  2016-01-20
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Hole Accumulations to Polarization Charges in Relaxed AlGaN Heterostructures with High AlN Mole Fractions2016
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Buried Tunnel Junctions Using Low Resistive GaInN Tunnel Junctions with High Si Concentrations2016
- 著者名/発表者名
  Yasuto Akatsuka, Daiki Takasuka, Takanobu Akagi, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Si concentration dependence of laser oscillation characteristics in AlGaN multiple quantum well active layer2016
- 著者名/発表者名
  T. Senga, N. Nagata, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 学会等名
  18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya/Japan
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Buried tunnel junctions using low resistive GaInN tunnel junctions with high Si concentrations2016
- 著者名/発表者名
  Y. Akatsuka, D. Takasuka, T. Akagi, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors 2016
- 発表場所
  Orlando, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] GaNSb alloys grown under H2carrier gases2015
- 著者名/発表者名
  Daisuke Komori, Kaku Takarabe, Kenta Suzuki, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Hamamatsu, Japan
- 年月日
  2015-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] サファイア上AlN テンプレートの表面平坦性の検討2015
- 著者名/発表者名
  勝野翔太, 萩原康大, 安田俊輝, 小出典克,岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇, 天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2015-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] AlN Epitaxial Growth on Sapphire with an Intermediate Layer2015
- 著者名/発表者名
  S. Katsuno, T. Yasuda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '15
- 発表場所
  Yokohama/Japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Carrier Gas Dependence on GaNSb MOVPE Growth2015
- 著者名/発表者名
  D. Komori, H. Sasajima, K. Takarabe, K. Suzuki, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 3rd International Confenerce on Light-Emitting Devices and thier Induatrial Applications
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Correlation between crystal qualities and electrical properties in Si-doped AlGaN2015
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '15
- 発表場所
  Yokohama/Japan
- 年月日
  2015-05-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 青色LEDの基板技術と次世代発光素子の将来展望2015
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 学会等名
  コロイドマテリアル応用研究会　第5回研究会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2015-06-24
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] GaNSb におけるGaSb モル分率のキャリアガス依存性2015
- 著者名/発表者名
  小森大資, 財部覚, 鈴木健太, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 宮嶋孝夫, 小出典克,赤﨑勇
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2015-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] 青色LEDの基盤技術と次世代光源の展望2015
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 学会等名
  日本騒音制御工学会　定時総会特別講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2015-05-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Epitaxial Growth of AlN Templates with Smooth Surfaces on Sapphire2015
- 著者名/発表者名
  S. Katsuno, K. Hagiwara, T. Yasuda, N. Koide, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  2015 Material Research Society Fall Meeting
- 発表場所
  Boston/USA
- 年月日
  2015-12-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Status and Prospects of GaN-Based Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSELs)2015
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki:
- 学会等名
  International Symposium on Optical Memory
- 発表場所
  Fukui, Japan
- 年月日
  2015-10-05
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Electrical properties of extremely low-resistivity and high-carrier-concentration Si-doped AlGaN with low AlN molar fraction2015
- 著者名/発表者名
  Kunihiro Takeda, Kazuki Mori, Toshiki Kusafuka,Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  Seoul/Korea
- 年月日
  2015-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Optimization of growth condition of conductive AlGaN layer with high Al content2015
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  Seoul/Korea
- 年月日
  2015-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Correlation between Crystal Qualities and Electrical Properties in Si-Doped Al0.6Ga0.4N2015
- 著者名/発表者名
  T. Yasuda, S. Katsuno, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  The 3rd International Confenerce on Light-Emitting Devices and thier Induatrial Applications
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Carrier Gas Dependence on GaNSb MOVPE Growth2015
- 著者名/発表者名
  D. Komori, H. Sasajima, K. Takarabe, K. Suzuki, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 3rd International Confenerce on Light-Emitting Devices and thier Induatrial Applications
- 発表場所
  Yoohama, Japan
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13959
[学会発表] Nitride-Based Tunnel Junctions towards DeepUV-LEDs2015
- 著者名/発表者名
  D. Takasuka, D. Minamikawa, M. Ino, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '15
- 発表場所
  Yokohama/Japan
- 年月日
  2015-05-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Electrical Properties of High Carrier Concentration n-Type AlGaN2015
- 著者名/発表者名
  K. Takeda, K. Mori, T. Kusafuka, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications' 15
- 発表場所
  Yokohama/japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 高Al組成のn-AlGaNにおけるV系電極のコンタクト特性2015
- 著者名/発表者名
  森一喜、武田邦宏、草深敏匡、岩谷素顕、上山智、竹内哲也、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川県平塚市
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] サファイア上AlNテンプレートの表面平坦性の検討2015
- 著者名/発表者名
  勝野翔太, 萩原康大, 安田俊輝, 小出典克, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇, 天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋/日本
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlN Epitaxial Growth on Sapphire with an Intermediate Layer2015
- 著者名/発表者名
  S. Katsuno, T. Yasuda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications'15
- 発表場所
  Yokohama/Japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Low Ohmic contact resistance to high AlN molar fraction n-type AlGaN by V-based electrode2015
- 著者名/発表者名
  Kazuki Mori, Kunihiro Takeda, Toshiki Kusafuka, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Hamamatsu/Japan
- 年月日
  2015-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 青色LEDの発明と新規発光デバイスへの展開2015
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 学会等名
  IEEE MIT-S Kansai Chapter窒化物半導体デバイスとマイクロ波ワークショップ
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2015-10-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] GaNSb におけるGaSb モル分率のキャリアガス依存性2015
- 著者名/発表者名
  小森大資, 財部覚, 鈴木健太, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 宮嶋孝夫, 小出典克,赤﨑勇
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13959
[学会発表] Electrical characteristics of externally high Si-doped AlGaN with low AlN molar fraction2015
- 著者名/発表者名
  Kunihiro Takeda, Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Toru Sugiyama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Hamamatsu/Japan
- 年月日
  2015-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Nitride-Based Tunnel Junctions towards Deep UV-LEDs2015
- 著者名/発表者名
  D. Takasuka, D. Minamikawa, M. Ino, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 3rd International Confenerce on Light-Emitting Devices and thier Induatrial Applications
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Extremely low-resistivity and high-carrier-concentration Si-doped AlGaN with low AlN molar fraction for improvement of wall plug efficiency of nitride-based LED2015
- 著者名/発表者名
  M. Iwaya, D. Iida, K. Takeda, T. Sugiyama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 学会等名
  11th international coference of nitride semiconductor
- 発表場所
  Beijing/China
- 年月日
  2015-08-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Contact Characteristics of V-Based Electrode for High AlN Molar Fraction n-AlGaN2015
- 著者名/発表者名
  K. Mori, K. Takeda, T. Kusafuka, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications'15
- 発表場所
  Yokohama/japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Epitaxial Growth of AlN Templates with Smooth Surfaces on Sapphire2015
- 著者名/発表者名
  Syouta Katsuno, Koudai Hagiwara, Toshiki Yasuda, Norikatsu Koide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  MRS fall meeting 2015
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2015-11-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] 高キャリア濃度n型AlGaNの電気的特性2015
- 著者名/発表者名
  武田邦宏、森一喜、山田知明、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川県平塚市
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 青色LEDの発明と固体照明への将来展望2015
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 学会等名
  日本セラミックス協会関東支部講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2015-04-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] 深紫外LEDに向けた窒化物半導体トンネル接合の検討2015
- 著者名/発表者名
  髙須賀大貴,南川大智,井野匡貴,竹内哲也,岩谷素顕,上山智,天野浩,赤﨑勇
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  平塚
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Nitride-Based Buried Tunnel Junctions for Current Confinement in Blue VCSEL2015
- 著者名/発表者名
  Masataka Ino, Daiki Takasuka, Kohei Iwase, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Norikatsu Koide, Isamu Akasaki
- 学会等名
  MRS fall meeting 2015
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2015-11-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Extremely low-resistivity and high-carrier-concentration Si-doped AlGaN with low AlN molar fraction for improvement of wall plug efficiency of nitride-based LED2015
- 著者名/発表者名
  M. Iwaya, D. Iida, K. Takeda, T. Sugiyama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 学会等名
  11th international coference of nitride semiconductors
- 発表場所
  Beijing/China
- 年月日
  2015-08-30
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Nitride-Based Tunnel Junctions towards Deep UV-LEDs2015
- 著者名/発表者名
  D. Takasuka, D. Minamikawa, M. Ino, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications' 15
- 発表場所
  Yokohama/japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlGaN-based UV-LEDs with polarization engineering2015
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 学会等名
  14th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Nagoya/japan
- 年月日
  2015-11-20
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlGaN-based UV-LEDs with polarization engineering2015
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 学会等名
  14th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Nagoya/Japan
- 年月日
  2015-11-20
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] MOVPE Growth of AlNSb Alloys2015
- 著者名/発表者名
  K. Suzuki, D. Komori, H. Sasajima, K. Takarabe, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 3rd International Confenerce on Light-Emitting Devices and thier Induatrial Applications
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13959
[学会発表] GaInN系面発光レーザの室温パルス発振と今後の展望2015
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、岩谷素顕、上山　智、赤崎　勇
- 学会等名
  産業用LED応用研究会＆JPC紫外線研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2015-06-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] AlInN多層膜反射鏡を有する窒化物半導体面発光レーザのパルス発振2015
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、岩谷素顕、上山　智、赤崎　勇
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2015-09-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] バナジウム系電極による高AlNモル分率n型AlGaNのとの低接触比抵抗の検討2015
- 著者名/発表者名
  森一喜、草深敏匡、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋/日本
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Electron and hole accumulations to polarization charges at GaN/AlInN/GaN interfaces2015
- 著者名/発表者名
  Shotaro Yoshida, Kazuki Ikeyama, Toshiki Yasuda, Takashi Furuta, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki,
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Hamamatsu, Japan
- 年月日
  2015-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] 窒化物半導体面発光レーザの現状と照明応用に向けた将来展望2015
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、岩谷素顕、上山　智、赤崎　勇
- 学会等名
  第48回照明学会全国大会　固体光源分科会シンポジウム
- 発表場所
  福井
- 年月日
  2015-08-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] AlN Epitaxial Growth on Sapphire with an Intermediate Layer2015
- 著者名/発表者名
  S. Katsuno, T. Yasude, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  The 3rd International Confenerce on Light-Emitting Devices and thier Induatrial Applications
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Contact Characteristics of V-Based Electrode for High AlN Molar Fraction n-AlGaN2015
- 著者名/発表者名
  K. Mori, K. Takeda, T. Kusafuka,M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '15
- 発表場所
  Yokohama/Japan
- 年月日
  2015-05-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Correlation between crystal qualities and electrical properties in Si-doped AlGaN2015
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications'15
- 発表場所
  Yokohama/japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 青色LEDの発明と固体照明への将来展望2015
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 学会等名
  日本セラミック協会　関東支部講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2015-04-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Electrical Properties of High Carrier Concentration n-Type AlGaN2015
- 著者名/発表者名
  K. Takeda, K. Mori, T. Kusafuka,M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '15
- 発表場所
  Yokohama/Japan
- 年月日
  2015-05-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] Electrical characteristics of externally high Si-doped AlGaN with low AlN molar fraction2015
- 著者名/発表者名
  Kunihiro Takeda, Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Toru Sugiyama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Hamamatsu/Japan
- 年月日
  2015-11-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] AlN Epitaxial Growth on Sapphire with an Intermediate Layer2015
- 著者名/発表者名
  S. Katsuno, T. Yasude, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications'15
- 発表場所
  Yokohama/japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] MOVPE Growth of AlNSb Alloys2015
- 著者名/発表者名
  K. Suzuki, D. Komori, H. Sasajima, K. Takarabe, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  The 3rd International Confenerce on Light-Emitting Devices and thier Induatrial Applications
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Low Ohmic contact resistance to high AlN molar fraction n-type AlGaN by V-based electrode2015
- 著者名/発表者名
  Kazuki Mori, Kunihiro Takeda, Toshiki Kusafuka, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Hamamatsu/Japan
- 年月日
  2015-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02019
[学会発表] 深紫外LEDに向けた窒化物半導体トンネル接合の検討2015
- 著者名/発表者名
  高須賀大貴, 南川大智, 井野匡貴, 竹内哲也, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤﨑勇
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川県平塚市
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Optimization of growth condition of conductive AlGaN layer with high Al content2015
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  Seoul/Korea
- 年月日
  2015-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Electrical properties of extremely low-resistivity and high-carrier-concentration Si-doped AlGaN with low AlN molar fraction2015
- 著者名/発表者名
  Kunihiro Takeda, Kazuki Mori, Toshiki Kusafuka, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  Seoul/Korea
- 年月日
  2015-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表]2014
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, D. Minamikawa, Y. Kuwano, M. Watanabe, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 学会等名
  International conference on metamaterials and nanophysics 2014
- 発表場所
  Varadero, Cuba
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2014
- 著者名/発表者名
  M. Ino, Y. Kuwano, T. Morita, D. Minamikawa, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Conference on LED and its Ondustrial Application 2014
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Investigation of hole injection in UV-LEDs utilizing polarization effect2014
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Kento Hayashi, Tsubasa Nakashima, Testuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 学会等名
  LEDIA'14
- 発表場所
  yokohama/japan
- 年月日
  2014-04-23
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] III族窒化物半導体埋め込みトンネル接合による電流狭窄構造2014
- 著者名/発表者名
  桑野侑香、堀川航佑、森田隆敏、井野匡貴、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第61回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学、相模原
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討2014
- 著者名/発表者名
  小森大資, 笹島浩希, 鈴木智行, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤崎勇
- 学会等名
  電子情報通信学会2014　電子デバイス研究会（ED）
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2014-05-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] 窒化物半導体LEDにおける正孔伝導に対する分極電荷の影響2014
- 著者名/発表者名
  安田俊輝、勝野翔太、林健人、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇、天野浩
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表]2014
- 著者名/発表者名
  Y. Kuwano, M. Ino, T. Morita, D. Minamikawa, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Ⅲ族窒化物半導体による電流狭窄構造へのトンネル接合の応用2014
- 著者名/発表者名
  井野匡貴，南川大智，水野尚之，竹内哲也，上山智，岩谷素顕，赤﨑勇
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表]2014
- 著者名/発表者名
  井野匡貴、森田隆敏、桑野侑香、渡邉雅大、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇
- 学会等名
  第61回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  相模原
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Current confinement by nitride-based tunnel junction2014
- 著者名/発表者名
  Y. Kuwano, M. Ino, T. Morita, D. Minamikawa, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  ISplasma2014
- 発表場所
  名城大学、名古屋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 窒化物半導体HFET型UV光センサーの火炎センサー応用2014
- 著者名/発表者名
  山本雄磨, 村瀬卓弥, 石黒真未, 山田知明, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇
- 学会等名
  第61回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Improvement of the light extraction efficiency in 350-nm-emission UV light-emitting diodes by novel distributed bragg reflector p-type electrode2014
- 著者名/発表者名
  T. Nakashima, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
- 学会等名
  ISPlasma2014/IC-PLANTS2014
- 発表場所
  Meijo Univ., Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響2014
- 著者名/発表者名
  勝野翔太, 林健人, 安田俊輝, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 天野浩, 赤﨑勇
- 学会等名
  電子情報通信学会2014　電子デバイス研究会（ED）
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2014-05-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響2014
- 著者名/発表者名
  勝野翔太, 林健人, 安田俊輝, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 天野浩, 赤﨑勇
- 学会等名
  電子情報通信学会2014 電子デバイス研究会(ED)
- 発表場所
  名古屋/日本
- 年月日
  2014-05-29
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] III族窒化物半導体トンネル接合上の高効率LED2014
- 著者名/発表者名
  井野　匡貴、森田隆敏、桑野侑香、渡邉雅大、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇
- 学会等名
  第61回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学、相模原
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2014
- 著者名/発表者名
  桑野侑香、堀川航佑、森田隆敏、井野匡貴、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
- 学会等名
  第61回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  相模原
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 青色LEDはなぜ発光するのか？その原理と未来への展望2014
- 著者名/発表者名
  竹内哲也
- 学会等名
  第44回結晶成長国内会議特別講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2014-11-05
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] MOCVD法によるSbを添加したAiNおよびGaNの作製2014
- 著者名/発表者名
  笹島浩希, 小森大資, 竹内哲也, 岩谷素顕, 上山智, 赤崎勇
- 学会等名
  電子情報通信学会2014　電子デバイス研究会（ED）
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2014-05-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Low Resistive and Low Absorptive Nitride-Based Tunnel junctions2014
- 著者名/発表者名
  Daichi Minamikawa, Daiki Takasuka, Masataka Ino, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  2014 MRS FALL MEETING ＆ EXHIBIT
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2014-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] 高InNモル分率GaInNを用いたトンネル接合(2)2014
- 著者名/発表者名
  南川大智, 井野匡貴, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] MOCVDを用いたGaNSbの結晶成長2014
- 著者名/発表者名
  小森大資, 笹島浩希, 鈴木智行, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤崎勇
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Band Enginnering Considering Negative and Positive polarization Charges in UV-LEDs2014
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Kento Hayashi, Syouta Katsuno, Tsubasa Nakashima, Testuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 学会等名
  IWN2014
- 発表場所
  wroclaw/poland
- 年月日
  2014-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 窒化物半導体LEDにおける分極電荷の補償2014
- 著者名/発表者名
  勝野翔太, 林健人, 安田俊輝, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 天野浩, 赤﨑勇
- 学会等名
  第６回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] 窒化物半導体LEDにおける正孔伝導に対する分極電荷の影響2014
- 著者名/発表者名
  安田俊輝、勝野翔太、林健人、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇、天野浩
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会2014春季講演会第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名古屋/日本
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 高感度な窒化物半導体HFET型ソーラーブラインド紫外光センサー2014
- 著者名/発表者名
  村瀬卓弥, 石黒真未, 山田知明, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇
- 学会等名
  第61回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 分極制御による紫外発光素子のホール注入の検討2014
- 著者名/発表者名
  安田俊樹、林健人、竹田健一郎、中島翼、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第61回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 窒化物半導体LEDにおける分極電荷の補償2014
- 著者名/発表者名
  勝野翔太, 林健人, 安田俊輝, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 天野浩, 赤﨑勇
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名古屋/日本
- 年月日
  2014-07-25
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] GaInN系トンネル接合を有するLED2014
- 著者名/発表者名
  南川大智, 井野匡貴, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
- 学会等名
  第６回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2014-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] An alternative hole injection:Nitride-based tunnel junctions2014
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, D. Minamikawa, Y. Kuwano, M. Watanabe, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 学会等名
  International conference on metamaterials and nanophysics 2014
- 発表場所
  Varadero, Cuba
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Nitride-Based Light Emitting Diodes with Buried Tunnel Junctions2014
- 著者名/発表者名
  M. Ino, Y. Kuwano, T. Morita, D. Minamikawa, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’14
- 発表場所
  パシフィコ横浜、横浜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2014
- 著者名/発表者名
  T. Morita, M. Kaga, Y. Kuwano, K. Matsui, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Conference on LED and its Industrial Application 2013
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Nitride-based hetero-field-effect-transistor-type photosensors with extremely high photosensitivity and complete solar-blind2014
- 著者名/発表者名
  Takuya Murase, Mami Ishiguro, Yuma Yamamoto, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  ISPlasma2014/IC-PLANTS2014
- 発表場所
  Meijo Univ., Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Ⅲ族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流狭窄構造の低抵抗化2014
- 著者名/発表者名
  井野　匡貴, 南川大智, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Nitride-Based p-Side Down LEDs on Tunnel Junction2014
- 著者名/発表者名
  T. Morita, M. Kaga, Y. Kuwano, K. Matsui, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13
- 発表場所
  パシフィコ横浜、横浜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2013
- 著者名/発表者名
  中島啓介、渡邉雅大、加賀充、鈴木智行、南川大智、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] トンネル接合を有する青色マイクロLED の電流電圧特性2013
- 著者名/発表者名
  中島啓介, 渡邉雅大 , 加賀充 , 鈴木智行 , 南川大智, 竹内哲也, 上山智 , 岩谷素顕, 赤崎勇
- 学会等名
  第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 青色面発光レーザに向けた電流狭窄構造の検討2013
- 著者名/発表者名
  中島啓介，渡邉雅大，加賀充，鈴木智行，南川大智，竹内哲也，上山智，岩谷素顕，赤﨑勇
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学、京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Reduction of the threshold power density in AlGaN/AlN multiquntum wells DUV (288 nm) optical pumped lasers2013
- 著者名/発表者名
  Tomoaki Yamada, Yuko Matsubara, Hiroshi Shinzato, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Doshisha Univ., Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 10-μm-Square Micro LED Array with Tunnel Junction2013
- 著者名/発表者名
  Masahiro Watanabe, Mitsuru Kaga, Koji Yamashita, Tomoyuki Suzuki, Daichi Minamikawa, Yuka Kuwano, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Karniyarna, Motoaki Iwaya, and Isarnu Akasaki
- 学会等名
  10th International Conference of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Bandgap Dependence in Nitride Semiconductor-Based Tunnel Junctions2013
- 著者名/発表者名
  D. Minamikawa, M. Kaga, Y. Kuwano, T. Morita, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  New Taipei City, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討2013
- 著者名/発表者名
  黒川泰視, 合田智美, 加賀　充, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山　智, 赤﨑　勇, 天野　浩
- 学会等名
  電子情報通信学会 (ED, CPM, LQE合同研究会）
- 発表場所
  大阪大学、大阪
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2013
- 著者名/発表者名
  森田隆敏、加賀充、桑野侑香、松井健城、渡邉雅大、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] トンネル接合を用いたIII族窒化物半導体多接合型太陽電池2013
- 著者名/発表者名
  合田智美, 黒川泰視，森田隆敏, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇, 天野浩
- 学会等名
  応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013
- 発表場所
  名古屋大学、名古屋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2013
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
- 学会等名
  日本学術振興ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第86回研究会
- 発表場所
  名城大、名古屋
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2013
- 著者名/発表者名
  D. Minamikawa, M. Kaga, Y. Kuwano, T. Morita, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2013
- 発表場所
  New Taipei City, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] VSL法を用いたAlGaN/AlN多重量子井戸の光学利得測定2013
- 著者名/発表者名
  山田知明, 松原由布子, 竹田健一郎, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 天野浩
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] トンネル接合を活用した窒化物半導体多接合太陽電池の作製2013
- 著者名/発表者名
  黒川泰視，合田智美，加賀充，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇，天野浩
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学、京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 横方向p型活性化における雰囲気ガス依存性2013
- 著者名/発表者名
  桑野侑香、加賀充、森田隆敏、山下浩司、南川大智、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Nitride-based p-side down LEDs on tunnel junction2013
- 著者名/発表者名
  T. Morita, M. Kaga, Y. Kuwano, K. Matsui, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Conference on LED and its industrial application '13
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Microscopic structure analysis of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/sapphire template by X-ray microdiffraction2013
- 著者名/発表者名
  K. T. Dinh, S. Takeuchi, K. Nakamura, T. Arauchi, Y. Nakamura., H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura and Akira Sakai
- 学会等名
  MRS-JSAP joint sympojium
- 発表場所
  同志社大学, 京田辺市
- 年月日
  2013-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] X線回折による断各周期溝加工構造AlN/Sapphire基板上エピタキシャル成長AlN厚膜の結晶構造解析2013
- 著者名/発表者名
  荒内琢士, 竹内正太郎, 中村邦彦, KhanDhin, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 酒井朗
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学, 京田辺市
- 年月日
  2013-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表]2013
- 著者名/発表者名
  黒川泰視、合田智美、加賀充、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Externally high sensitivity group III nitride semiconductor based heterostructure field effect transistor type photosensors2013
- 著者名/発表者名
  M. Ishiguro, M. Mizuno, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 学会等名
  3rd International conterence on Materials and Applications for Sensors and Transducers
- 発表場所
  Progue, Czech Republic
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] LED構造上GaNトンネル接合の低抵抗化2013
- 著者名/発表者名
  南川大智、加賀充、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 非対称AlN/GaN多層膜反射鏡の設計と作製2013
- 著者名/発表者名
  萩原康大、矢木康太、安田俊輝、竹田健一郎、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究2013
- 著者名/発表者名
  中嶋翼, 竹田健一郎, 岩谷素顕, 上山智, 竹内哲也, 赤崎勇, 天野浩
- 学会等名
  電子情報通信学会(ED, CPM, LQE合同研究会)
- 発表場所
  大阪大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] オーバーフロー抑制に向けたnp接合GaInN-LED2013
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、岩谷素顕、上山　智、赤﨑　勇
- 学会等名
  日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第86回研究会
- 発表場所
  名城大学、名古屋
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Dislocation density dependence of stimulated emission characteristics in AlGaN/AlN multi-quantum wells2013
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Yuko Matsubara, Tomoaki Yamada, Kenichiro Takeda, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasak, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductor
- 発表場所
  Kloster Seeon, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] GaInNトンネル接合素子の低抵抗化2013
- 著者名/発表者名
  森田隆敏、加賀充、桑野侑香、松井健城、渡邉雅大、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 窒化物半導体における分極の影響と発光素子への応用2013
- 著者名/発表者名
  竹内哲也、岩谷素顕、上山　智、赤﨑　勇
- 学会等名
  第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学、大阪
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2013
- 著者名/発表者名
  M. Watanabe, M. Kaga, T. Suzuki, D. Minamikawa, Y. Kuwano, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Improvement of Light Extraction Efficiency in 350-nm Emission UV Light-Emitting Diodes2013
- 著者名/発表者名
  Tsubasa Nakashima, Kenitirou Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  10th International Conference of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington DC
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表]2013
- 著者名/発表者名
  M. Watanabe, M. Kaga, K. Yamashita, T. Suzuki, D. Minamikawa, Y. Kuwano, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  10th International Conference of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Bandgap dependence in nitride semiconductor-based tunnel junctions2013
- 著者名/発表者名
  D. Minamikawa, M. Kaga, Y. Kuwano, T.Morita, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2013
- 発表場所
  New Taipei City, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2013
- 著者名/発表者名
  桑野侑香、加賀充、森田隆敏、山下浩司、南川大智、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 10 um square micro LED and 100 channel array with tunnel junctions2013
- 著者名/発表者名
  Masahiro Watanabe, Mitsuru Kaga, Koji Yamashita, Tomoyuki Suzuki, Daichi Minamikawa, Yuka Kuwano, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki:
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  同志社大学、京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2012
- 著者名/発表者名
  加賀充、山下浩司、森田隆敏、桑野侑香、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] III族窒化物半導体トンネル接合を用いたn-p接合LED2012
- 著者名/発表者名
  森田隆敏，加賀　充，桑野侑香，松井健城，竹内哲也，上山　智，岩谷素顕，赤崎　勇
- 学会等名
  第73回応用物理学会講演会
- 発表場所
  愛媛
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 窒化物半導体トンネル接合による低抵抗電流注入2012
- 著者名/発表者名
  加賀充、山下浩司、森田隆敏、桑野侑香、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇
- 学会等名
  第59 回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Lateral hydrogen diffusion at p-GaN layers in nitride-based LEDs with tunnel junctions2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kuwano, M. Kaga, T. Morita, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kuwano, M. Kaga, T. Morita, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] n型GaN直下におけるトンネル接合およびp型GaN活性化の検討2012
- 著者名/発表者名
  桑野侑香、山下浩司、加賀充、森田隆敏、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Optimizations of Nitride Semiconductor-Based Tunnel Junctions2012
- 著者名/発表者名
  M. Kaga, K. Yamashita, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Pusan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Investigation of AlN/GaN Multilayer Stacks for DBR Applications2012
- 著者名/発表者名
  K. Yagi, M. Kaga, K. Yamashita, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
- 学会等名
  16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Pusan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] DBR 応用のためのAlN/GaN 多層膜積層構造の検討2012
- 著者名/発表者名
  矢木康太、加賀充、山下浩司、竹田健一郎、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第59 回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] AlN mole fraction dependence of polarization induced hole concentrations in GaN/AlGaN heterostructures2012
- 著者名/発表者名
  T. Yasuda, K. Yagi, Tomoyuki Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] AlGaInN量子井戸の発光特性に関する検討2012
- 著者名/発表者名
  鈴木智行、加賀充、北野司、難波江宏一、平野敬祐、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇
- 学会等名
  第59 回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2012
- 著者名/発表者名
  桑野侑香、山下浩司、加賀充、矢木康太、森田隆敏、松井健城、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2012
- 著者名/発表者名
  森田隆敏、加賀充、桑野侑香、松井健城、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇
- 学会等名
  第73回応用物理学会講演会
- 発表場所
  愛媛
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] III族窒化物半導体を用いた低抵抗トンネル接合2012
- 著者名/発表者名
  森田隆敏、加賀充、桑野侑香、山下浩司、松井健城、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2012
- 著者名/発表者名
  M. Kaga, M. Yamashita, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Pusan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2012
- 著者名/発表者名
  T. Yasuda, K. Yagi, T. Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表]2012
- 著者名/発表者名
  M. Kaga, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 二つの活性層を有する窒化物半導体発光ダイオードのキャリア注入制御2012
- 著者名/発表者名
  松井健城、山下浩司、加賀充、森田隆敏、鈴木智行、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇
- 学会等名
  第59 回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] n 型GaN 表面層を有するトンネル接合p 型層活性化の検討2012
- 著者名/発表者名
  桑野侑香、山下浩司、加賀充、矢木康太、森田隆敏、松井健城、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第59 回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 窒化物半導体トンネル接合に向けた高濃度ドーピング2011
- 著者名/発表者名
  加賀　充、山下　浩司、矢木　康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] AlN/GaN多層膜反射鏡の高反射率化2011
- 著者名/発表者名
  矢木康太、加賀充、山下浩司、竹田健一郎、谷川智之、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 窒化物半導体トンネル接合の作製2011
- 著者名/発表者名
  加賀充、飯田大輔、北野　司、山下浩司、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 窒化物半導体トンネル接合のシミュレーションと成長2011
- 著者名/発表者名
  加賀充、竹内哲也, 他
- 学会等名
  2011年春季応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22860064
[学会発表]2011
- 著者名/発表者名
  加賀充、山下浩司、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] 窒化物半導体トンネル接合を用いたLEDの作製と評価2011
- 著者名/発表者名
  山下浩司、竹内哲也, 他
- 学会等名
  2011年春季応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22860064
[学会発表] AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製2011
- 著者名/発表者名
  矢木康太、加賀充、山下浩司、竹田健一郎、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路の検討2011
- 著者名/発表者名
  山下浩司、加賀充、矢木康太、鈴木敦志、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560015
[学会発表] Correlation between crystal qualities and electrical properties in Si-doped Al0.6Ga0.4N
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Syouta Katsuno, Testuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2015-04-22 – 2015-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Band Enginnering Considering Negative and Positive polarization Charges in UV-LEDs
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Kento Hayashi, Syouta Katsuno, Tsubasa Nakashima, Testuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Nitride-based optoelectronic devices utilizing tunnel junctions
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices
- 発表場所
  Ithaca, USA
- 年月日
  2014-08-05 – 2014-08-07
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] 窒化物半導体結晶特異構造の構造解析評価-マルチスケール評価へのアプローチー
- 著者名/発表者名
  酒井朗, 竹内正太郎, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Nitride-based light emitting diodes with buried tunnel junctions
- 著者名/発表者名
  M. Ino, Y. Kuwano,T. Morita, D. Minamikawa, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
- 学会等名
  Conference on LED and ItsIndustrial Application '14
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-04-22 – 2014-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Nitride-based tunnel junctions as an alternative hole injection
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Laser illuminations: Prospects of blue VCSELs
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 学会等名
  LED Japan conference
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-10-15 – 2014-10-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Optimization of growth condition of conductive AlGaN layer with high Al content
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Syouta Katsuno, Testuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semicounductors
- 発表場所
  Seoul, Korea
- 年月日
  2015-05-17 – 2015-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] AlN epitaxial growth on sapphire with an intermediate layer
- 著者名/発表者名
  Syouta Katsuno, Toshiki Yasuda, Motoaki Iwaya, Testuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2015-04-22 – 2015-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Electrical properties of GaNSb grown at low temperatures
- 著者名/発表者名
  K. Takarabe, D. Komori, K. Suzuki, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2015-04-22 – 2015-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Demonstration of GaInN-based laser pumped by an electron beam
- 著者名/発表者名
  M. Iwaya, K. Kozaki, T. Yamada, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, Y. Honda, H. Amano, S. Iwayama, J. Matsuda, N. Matsubara, and T. Matsumoto
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 発表場所
  ヴロツワフ/ポーランド
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Dislocation Density Dependence of Modal Gain in AlGaN/AlN Multiquantum Wells
- 著者名/発表者名
  Tomoaki Yamada, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  アトランタ/アメリカ
- 年月日
  2014-05-18 – 2014-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Carrier gas dependence on GaNSb MOVPE growth
- 著者名/発表者名
  Daisuke Komori, Hiroki Sasajima, Kaku Takarabe, Kenta Suzuki, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu.Akasaki
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2015-04-22 – 2015-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Activation Energy of Extremely Low-Resistivity and High-Carrier-Concentration Si-Doped AI0.05Ga0.95N
- 著者名/発表者名
  Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Toru Sugiyama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  アトランタ/アメリカ
- 年月日
  2014-05-18 – 2014-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] GaNにおけるキャリア・励起子エネルギー緩和過程
- 著者名/発表者名
  馬〓, 山口裕暉, 高橋賢治, 後藤圭, 竹内和真, 岩堀友洋, 森田健, 石谷善博, 三宅秀人, 平松和政
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] An alternative hole injection: Nitride-based tunnel junctions
- 著者名/発表者名
  T. Takeuchi, D. Minamikawa, Y. Kuwano, M. Watanabe, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
- 学会等名
  International conference on metamaterials and nanophysics 2014
- 発表場所
  Varadero, Cuba
- 年月日
  2014-04-22 – 2014-05-01
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] 励起子励起準位を用いたGaNの励起子ダイナミクスの解析
- 著者名/発表者名
  竹内和真、大泉尚之、馬〓、森田健、石谷善博、三宅秀人、平松和政
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Nitride-based Tunnel Junctions towards deep UV-LEDs
- 著者名/発表者名
  髙須賀大貴,南川大智,井野匡貴,竹内哲也,岩谷素顕,上山智, 天野浩,赤﨑勇
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2015-04-22 – 2015-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] MOVPE grouwth of AlNSb alloys
- 著者名/発表者名
  Kenta Suzuki, Daisuke Komori, Hiroki Sasajima, Kaku Takarabe, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2015-04-22 – 2015-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045
[学会発表] Investigation of hole injection in UV-LEDs utilizing polarization effect
- 著者名/発表者名
  Toshiki Yasuda, Kento Hayashi, Tsubasa Nakashima, Testuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
- 学会等名
  Conference on LED and ItsIndustrial Application '14
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-04-22 – 2014-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286045

1. 岩谷素顕 (40367735)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 524件
2. 上山智 (10340291)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 477件
3. 田中崇之 (10367120)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 1件
4. 亀井利浩 (90356824)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 4件
5. 本田善央 (60362274)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
6. 宮嶋孝夫 (50734836)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
7. 今井大地 (20739057)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
8. 天野浩 (60202694)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 32件
9. 出来真斗 (80757386)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 大野雄高 (10324451)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 三宅秀人 (70209881)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
12. 成塚重弥 (80282680)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 福山博之 (40252259)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 田中成泰 (70217032)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 松本貴裕 (10422742)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
16. 井手利英 (90397092)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
17. 秩父重英 (80266907)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 正直花奈子

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
19. 平松和政

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

竹内 哲也 Takeuchi Tetsuya

研究課題

研究成果

共同研究者

ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

遠紫外線C波AlGaN系電子線励起レーザ

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

大口径・高出力青緑色面発光レーザーの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高品位三原色光源実現に向けた青・緑色面発光レーザ研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

未開拓波長域レーザダイオード実現のためのアニオン制御窒化物半導体混晶研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電子線励起・深紫外窒化物半導体レーザ

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ワイドギャップ半導体における正孔注入手法の革新と新規発光素子への展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ワイドギャップ半導体トンネル接合による新規電流注入構造の実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高効率青色面発光レーザによる白色光源研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] III-Nitride Tunnel Junctions and Their Applications2017

著者名/発表者名

出版者

ISBN

竹内哲也 Takeuchi Tetsuya

[図書] ポストシリコン半導体　－ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果－2013