矢嶋赳彬 YAJIMA TAKEAKI

研究者番号	10644346
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 2020年度 – 2022年度: 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 2016年度 – 2019年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 2015年度: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教
審査区分/研究分野	研究代表者薄膜・表面界面物性 / 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連 / 中区分29:応用物理物性およびその関連分野 / 電気電子工学およびその関連分野研究代表者以外大区分J / 中区分13:物性物理学およびその関連分野
キーワード	研究代表者モットトランジスタ / 電界効果トランジスタ / 相転移 / 金属絶縁体転移 / 酸化バナジウム / 低消費電力 / スティープスロープ / 微細化 / シングルドメイン / 電子・電気材料 … もっと見る / 酸化チタン / プロトン / 集団性 / モット転移 / ピンチオフ / 相転移トランジスタ / 短チャネル / ドメイン成長 / 過渡特性 / ３端子素子 / 熱揺らぎ / 低電圧 / 低電圧スイッチ / パラジウム / 酸化タングステン / 律速過程 / 水素化 / 酸化還元 / 固体電気化学 / 電子デバイス・機器 / ナノ材料 / 結晶成長 / 強相関エレクトロニクス / ナノ構造 / VO2 / 不均質性 / 相共存 / 不安定 / 非平衡 / ジュール熱 / スケーリング / アナターゼ薄膜 / 電気化学 / 水素 / 固体イオニクス / 酸化物エレクトロニクス / 揮発性 / ニューロモルフィック / AI / 固体イオにクス / 固体ゲート / エピタキシャル界面 / 酸化物ヘテロ構造 / ショットキー接合 … もっと見る研究代表者以外人工ニューロン / リーク付き積分 / リザバー / ドリフト拡散 / スローエレクトロニクス / VO2 / 金属絶縁体転移 / 強誘電 / 人工シナプス / 近藤効果 / チタン酸ストロンチウム / アトラクタ / 量子臨界点 / レザバー / SrTiO3 / 電界効果トランジスタ / ニューラルネットワーク / 超伝導 / 強誘電量子臨界点 / 強誘電体 / 強誘電金属 / ニューロモルフィック隠す

革新的エッジAI：人の周りの長時間スケール現象と相互作用する情報処理の学理構築
- 研究代表者
  
  井上公
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2029
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分J
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
固体中プロトンを利用した0.1Vエレクトロニクスの創成研究代表者
- 研究代表者
  
  矢嶋赳彬
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  挑戦的研究(開拓)
- 審査区分
  
  中区分29:応用物理物性およびその関連分野
- 研究機関
  九州大学
ゲート誘起相転移の律速過程解明による相転移トランジスタ高速化の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  矢嶋赳彬
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  九州大学
金属絶縁体転移周辺の異常な物理現象の理解とニューロモルフィック素子開発の協奏
- 研究代表者
  
  井上公
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分13:物性物理学およびその関連分野
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
酸化物中のプロトン制御による人工知能用アナログ電子デバイスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  矢嶋赳彬
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2018
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 研究分野
  
  電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学
ゲート誘起相転移を用いた低電圧トランジスタのデバイス物理構築研究代表者
- 研究代表者
  
  矢嶋赳彬
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東京大学
VO2薄膜の相転移を用いたトランジスタの動作原理解明と低電圧動作実現研究代表者
- 研究代表者
  
  矢嶋赳彬
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東京大学

すべて 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] CMOS-based area-and-power-efficient neuron and synapse circuits for time-domain analog spiking neural networks2023
- 著者名/発表者名
  Chen Xiangyu、Byambadorj Zolboo、Yajima Takeaki、Inoue Hisashi、Inoue Isao H.、Iizuka Tetsuya
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 122 号: 7 ページ: 074102-074102
- DOI
  10.1063/5.0136627
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[雑誌論文] An ultra-compact leaky integrate-and-fire neuron with long and tunable time constant utilizing pseudo resistors for spiking neural networks2022
- 著者名/発表者名
  Chen Xiangyu、Yajima Takeaki、Inoue Isao H.、Iizuka Tetsuya
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SC ページ: SC1051-SC1051
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac43e4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[雑誌論文] Controlling proton volatility in SiO2-capped TiO2 thin films for neuromorphic functionality2022
- 著者名/発表者名
  Yajima T.、Pati S. P.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 120 号: 24 ページ: 241601-241601
- DOI
  10.1063/5.0094481
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686, KAKENHI-PROJECT-20K20553
[雑誌論文] Atomistic Simulation Study of Impacts of Surface Carrier Scatterings on Carrier Transport in Pt Nanosheets2021
- 著者名/発表者名
  Tanaka Takahisa、Kato Taro、Yajima Takeaki、Uchida Ken
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 42 号: 7 ページ: 1057-1060
- DOI
  10.1109/led.2021.3077466
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00756, KAKENHI-PROJECT-20K20553, KAKENHI-PROJECT-19K15050
[雑誌論文] Observation of the Pinch‐Off Effect during Electrostatically Gating the Metal‐Insulator Transition2021
- 著者名/発表者名
  Yajima Takeaki、Toriumi Akira
- 雑誌名
  
  Advanced Electronic Materials
  
  巻: 8 号: 2 ページ: 2100842-2100842
- DOI
  10.1002/aelm.202100842
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686, KAKENHI-PROJECT-20H02615
[雑誌論文] 金属絶縁体転移材料を利用した回路技術の研究2020
- 著者名/発表者名
  矢嶋赳彬
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会和文論文誌C
  
  巻: J103-C ページ: 420-427
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[雑誌論文] Modulation of VO2 Metal-Insulator Transition by Ferroelectric HfO2 Gate Insulator2020
- 著者名/発表者名
  Yajima Takeaki、Nishimura Tomonori、Tanaka Takahisa、Uchida Ken、Toriumi Akira
- 雑誌名
  
  Advanced Electronic Materials
  
  巻: Early view 号: 5 ページ: 1901356-1901356
- DOI
  10.1002/aelm.201901356
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H04812, KAKENHI-PROJECT-18H03686, KAKENHI-PROJECT-20H02615
[雑誌論文] Regulating phase transformation kinetics via redox reaction in ferroelectric Ge-doped HfO22020
- 著者名/発表者名
  Yajima T.、Nishimura T.、Migita S.、Tanaka T.、Uchida K.、Toriumi A.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 18 ページ: 182902-182902
- DOI
  10.1063/5.0028620
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[雑誌論文] High-speed low-energy heat signal processing via digital-compatible binary switch with metal-insulator transitions2019
- 著者名/発表者名
  Yajima T.、Tanaka T.、Samata Y.、Uchida K.、Toriumi A.
- 雑誌名
  
  IEDM
  
  巻: 19 ページ: 903-906
- DOI
  10.1109/iedm19573.2019.8993502
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H04812
[雑誌論文] Hydrogenation of the wide-gap oxide semiconductor as a room-temperature and 3D-compatible electron doping technique2018
- 著者名/発表者名
  Yajima T.、Oike G.、Yamaguchi S.、Miyoshi S.、Nishimura T.、Toriumi A.
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 8 号: 11 ページ: 115133-115133
- DOI
  10.1063/1.5055302
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18232, KAKENHI-PROJECT-18H03686, KAKENHI-PROJECT-17K18869, KAKENHI-PROJECT-17H01317
[雑誌論文] Analog Spike Processing with High Scalability and Low Energy Consumption Using Thermal Degree of Freedom in Phase Transition Materials2018
- 著者名/発表者名
  Yajima T.、Nishimura T.、Toriumi A.
- 雑誌名
  
  VLSI Technology
  
  巻: 2018 ページ: 27-28
- DOI
  10.1109/vlsit.2018.8510649
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[雑誌論文] Inhomogeneous barrier heights at dipole-controlled SrRuO3/Nb:SrTiO3 Schottky junctions2018
- 著者名/発表者名
  Yajima T.、Minohara M.、Bell C.、Hwang H. Y.、Hikita Y.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 113 号: 22 ページ: 221603-221603
- DOI
  10.1063/1.5052712
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04946, KAKENHI-PROJECT-18H03686
[雑誌論文] Identifying the Collective Length in VO2 Metal/Insulator Transistions2017
- 著者名/発表者名
  T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Small
  
  巻: 13 号: 12
- DOI
  10.1002/smll.201603113
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17466
[雑誌論文] Drastic change in electronic domain structures via strong elastic coupling in VO2 films.2015
- 著者名/発表者名
  T. Yajima, Y. Ninomiya, T. Nishimura, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B
  
  巻: 91 号: 20 ページ: 205102-205102
- DOI
  10.1103/physrevb.91.205102
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17466
[雑誌論文] Positive-bias gate-controlled metal-insulator transition in ultrathin VO2 channels with TiO2 gate dielectrics.2015
- 著者名/発表者名
  T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Nature Commun.
  
  巻: 6 号: 1 ページ: 10104-10104
- DOI
  10.1038/ncomms10104
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17466
[産業財産権] 半導体デバイス2019
- 発明者名
  矢嶋赳彬, 田中貴久, 内田建, 鳥海明
- 権利者名
  矢嶋赳彬, 田中貴久, 内田建, 鳥海明
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2019-204806
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H04812
[学会発表] Modulation of synaptic behavior in a 2-terminal protonic device through proton potential and applied voltage2023
- 著者名/発表者名
  Satya Prakash Pati, Satoshi Hamasuna, and Takeaki Yajima
- 学会等名
  春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20553
[学会発表] プロトンを用いたニューロモルフィック情報素子の設計2023
- 著者名/発表者名
  矢嶋赳彬
- 学会等名
  春季応用物理学会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] VO2金属絶縁体転移における静特性と過渡特性の結びつき2023
- 著者名/発表者名
  浜砂智, パティサトウヤプラカシュ, 矢嶋赳彬
- 学会等名
  春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] Electrical control of two-terminal protonic device using an amorphous WO3 thin film2023
- 著者名/発表者名
  Satya Prakash Pati, Satoshi Hamasuna, Takeaki Yajima
- 学会等名
  春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] プロトンを用いたニューロモルフィック情報素子の設計2023
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  春季応用物理学会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20553
[学会発表] VO2三端子素子におけるゲート誘起相転移と温度誘起相転移の等価性2023
- 著者名/発表者名
  浜砂智, パティサトウヤプラカシュ, 矢嶋赳彬
- 学会等名
  春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02615
[学会発表] VO2三端子素子におけるゲート誘起相転移と温度誘起相転移の等価性2023
- 著者名/発表者名
  浜砂智, パティサトウヤプラカシュ, 矢嶋赳彬
- 学会等名
  春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] 持続可能社会のためのニューロモルフィックデバイス設計2022
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  学振R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02615
[学会発表] Next-generation switching devices based on metal-insulator transitions2022
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  ISPlasma2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] 持続可能社会のためのニューロモルフィックデバイス設計2022
- 著者名/発表者名
  矢嶋赳彬
- 学会等名
  学振R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会第7回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] VO2三端子素子における絶縁転移の速度の研究2022
- 著者名/発表者名
  浜砂智, パティサトウヤプラカシュ, 矢嶋赳彬
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02615
[学会発表] 持続可能社会のためのニューロモルフィックデバイス設計2022
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  学振R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20553
[学会発表] VO2三端子素子における絶縁転移の速度の研究2022
- 著者名/発表者名
  浜砂智, パティサトウヤプラカシュ, 矢嶋赳彬
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] An Ultra-low-voltage Synaptic Behavior of WO3/Pd based 2-terminal Protonic Memristive Device2022
- 著者名/発表者名
  Satya Prakash Pati, Satoshi Hamasuna, and Takeaki Yajima
- 学会等名
  SSDM2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20553
[学会発表] Codesign of materials and circuits for neuromorphic edge computing2022
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  ナノ学会合同シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02615
[学会発表] Ultra-sharp conductance change with proton potential in WO3 heterostructure2022
- 著者名/発表者名
  Satya Prakash Pati, Satoshi Hamasuna, and Takeaki Yajima
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20553
[学会発表] Ultra-sharp conductance change with proton potential in WO3 heterostructure2022
- 著者名/発表者名
  Satya Prakash Pati, Satoshi Hamasuna, Takeaki Yajima
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] Next-generation switching devices based on metal-insulator transitions2022
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  ISPlasma2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20553
[学会発表] VO2金属絶縁体転移における静特性と過渡特性の結びつき2022
- 著者名/発表者名
  浜砂智, パティサトウヤプラカシュ, 矢嶋赳彬
- 学会等名
  春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] VO2金属絶縁体転移における静特性と過渡特性の結びつき2022
- 著者名/発表者名
  浜砂智, パティサトウヤプラカシュ, 矢嶋赳彬
- 学会等名
  春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02615
[学会発表] An Ultra-low-voltage Synaptic Behavior of WO3/Pd based 2-terminal Protonic Memristive Device2022
- 著者名/発表者名
  Satya Prakash Pati, Satoshi Hamasuna, Takeaki Yajima
- 学会等名
  SSDM2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] Modulation of synaptic behavior in a 2-terminal protonic device through proton potential and applied voltage2022
- 著者名/発表者名
  Satya Prakash Pati, Satoshi Hamasuna, Takeaki Yajima
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] Next-generation switching devices based on metal-insulator transitions2022
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  ISPlasma2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02615
[学会発表] Ultra-sharp three-terminal switch using nano-scale phase transition material2021
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20553
[学会発表] Codesign of materials and circuits for neuromorphic edge computing2021
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  ナノ学会合同シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] Ultra-sharp three-terminal switch using nano-scale phase transition material2021
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02615
[学会発表] Ultra-sharp three-terminal switch using nano-scale phase transition material2021
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] VO2 Mott Transistors for Low-Voltage ON/OFF Switching.2020
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  21th International Symposium on Eco-materials Processing and Design
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H04812
[学会発表] VO2 Mott Transistors for Low-Voltage ON/OFF Switching2020
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  21th International Symposium on Eco-materials Processing and Design
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H04812
[学会発表] Operation Principles of VO2 Mott Transistor: Local Electrostatic Modulation and Global Avalanche Effect2020
- 著者名/発表者名
  T. Yajima, T. Tanaka, K. Uchida, A. Toriumi
- 学会等名
  International Coference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] Operation Principle of VO2 Mott Transistor: Local Electrostatic Modulation and Global Avalanche Effect2020
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima, Takahisa Tanaka, Ken Uchida, and Akira Toriumi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02615
[学会発表] Impact of Scaling the VO2-Channel Mott Transistor below Material Correlation Length2019
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  SSDM2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H04812
[学会発表] High-speed low-energy heat signal processing via digital-compatible binary switch with metal-insulator transitions2019
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  IEDM2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H04812
[学会発表] 材料特性を利用したニューロモルフィック素子の設計2019
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  電気情報通信学会ソサイエティ大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] 超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード2019
- 著者名/発表者名
  矢嶋赳彬
- 学会等名
  SDM研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H04812
[学会発表] VO2モットトランジスタにおける微細化の影響2019
- 著者名/発表者名
  矢嶋赳彬
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H04812
[学会発表] Designing Neuron Functionality Based on Phase Transition Materials2019
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] Integrate-and-Fire of Input Spike Signals with High Scalability and Low Energy Consumption Using VO2 Metal-Insulator Transition.2018
- 著者名/発表者名
  T. Yajima, T. Nishimura, and A. Toriumi
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] 相転移材料の熱自由度を利用した低消費電力アナログスパイク処理2018
- 著者名/発表者名
  矢嶋赳彬
- 学会等名
  シリコンテクノロジー分科会第210回研究集会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] Analog Spike Processing with High Scalability and Low Energy Consumption Using Thermal Degree of Freedom in Phase Transition Materials2018
- 著者名/発表者名
  T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  2018 Symposia on VLSI Technology and Circuits
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] 強誘電性HfO2ゲート３端子素子によるVO2電気伝導度の変調2018
- 著者名/発表者名
  矢嶋赳彬、西村知紀、鳥海明
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686
[学会発表] 相転移材料によって開かれる新しい電子デバイスと回路の可能性2017
- 著者名/発表者名
  矢嶋赳彬
- 学会等名
  電気学会/ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術専門員会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H04812
[学会発表] 相転移現象によって開かれる新しい電子デバイスと回路の可能性2017
- 著者名/発表者名
  矢嶋赳彬
- 学会等名
  第6回酸化物研究の新機軸に向けた学際討論会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H04812
[学会発表] Hydrogenation of The Buried Interface as A Stable Nano-Doping Technique to Oxide Semiconductors2017
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  MRS Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18869
[学会発表] VO2薄膜への局所的な不純物ドープによる独立フォノンの形成2016
- 著者名/発表者名
  T. Yajima
- 学会等名
  応用物理学会2016 秋季講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟・新潟県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17466
[学会発表] Collective gate modulation in Mott transistors with ultrathin VO2 channels.2016
- 著者名/発表者名
  T. Yajima
- 学会等名
  2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  函館国際ホテル（函館市・北海道）
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17466
[学会発表] Time Response Characteristics of the VO2 Mott Transistor.2016
- 著者名/発表者名
  T. Yajima
- 学会等名
  JSPS MEETING 2016 (C2C Program)
- 発表場所
  ユーリッヒ研究センタ（Julich, Germany）
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17466
[学会発表] Time Response to The Gate Voltagein Strongly Correlated TransistorsUsing Epitaxial VO2/TiO2 Stacks2016
- 著者名/発表者名
  T. Yajima
- 学会等名
  Workshop on Oxide Electronics 23
- 発表場所
  Nanjing International Conference Hotel（南京・中国）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17466
[学会発表] Time Response of Gate-Controlled Metal-Insulator Transitions in Ultrathin VO2 Channels2016
- 著者名/発表者名
  T. Yajima
- 学会等名
  SSDM2016
- 発表場所
  つくば国際会議場（つくば・茨城県）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17466
[学会発表] Critical Role of Domain Boundary Parallel to the Interface in the Operation of VO2 Mott Transistors2015
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi
- 学会等名
  2015 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco（USA）
- 年月日
  2015-04-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17466
[学会発表] Interaction between 2D Electrons and 3D Metal-Insulator Transitions in VO2-Channel Transistors.2015
- 著者名/発表者名
  Takeaki Yajima
- 学会等名
  CEMS Topical Meeting on Oxide Interfaces
- 発表場所
  理化学研究所（埼玉県・和光市）
- 年月日
  2015-11-05
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17466
[学会発表] Interaction between 2D electrons and 3D metal-insulator transition in VO2-channel transistors2015
- 著者名/発表者名
  T. Yajima, T. Nishimura, and A. Toriumi
- 学会等名
  ep2ds-21
- 発表場所
  仙台国際センター（宮城県・仙台市）
- 年月日
  2015-07-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17466
[学会発表] Solid-State Operation of Mott Transistors with Ultra-Thin VO2 Channels2015
- 著者名/発表者名
  T. Yajima, T. Nishimura, A, Toriumi
- 学会等名
  SSDM 2015
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター（北海道・札幌市）
- 年月日
  2015-09-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K17466

1. 井上公 (00356502)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
2. 山田浩之 (00415762)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 渋谷圭介 (00564949)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 浅沼周太郎 (30409635)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 押川正毅 (50262043)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 白川直樹 (60357241)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 富岡泰秀 (60357572)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. Stoliar Pablo (40824545)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 井上悠 (90843342)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 飯塚哲也 (10552177)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 堀田育志 (30418652)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 藤原寛太郎 (00557704)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 田中剛平 (90444075)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 三好正悟

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
15. 内田建

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
16. 簑原誠人

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

矢嶋 赳彬 YAJIMA TAKEAKI

研究課題

研究成果

共同研究者

革新的エッジAI：人の周りの長時間スケール現象と相互作用する情報処理の学理構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

固体中プロトンを利用した0.1Vエレクトロニクスの創成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ゲート誘起相転移の律速過程解明による相転移トランジスタ高速化の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

金属絶縁体転移周辺の異常な物理現象の理解とニューロモルフィック素子開発の協奏

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

酸化物中のプロトン制御による人工知能用アナログ電子デバイスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ゲート誘起相転移を用いた低電圧トランジスタのデバイス物理構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

VO2薄膜の相転移を用いたトランジスタの動作原理解明と低電圧動作実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] CMOS-based area-and-power-efficient neuron and synapse circuits for time-domain analog spiking neural networks2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] An ultra-compact leaky integrate-and-fire neuron with long and tunable time constant utilizing pseudo resistors for spiking neural networks2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Controlling proton volatility in SiO2-capped TiO2 thin films for neuromorphic functionality2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Atomistic Simulation Study of Impacts of Surface Carrier Scatterings on Carrier Transport in Pt Nanosheets2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Observation of the Pinch‐Off Effect during Electrostatically Gating the Metal‐Insulator Transition2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 金属絶縁体転移材料を利用した回路技術の研究2020

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Modulation of VO2 Metal-Insulator Transition by Ferroelectric HfO2 Gate Insulator2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

矢嶋赳彬 YAJIMA TAKEAKI