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権丈 淳  ATSUSHI Kenjo

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

權丈 淳  ケンジョウ アツシ

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研究者番号 20037899
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2008年度 – 2010年度: 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, テクニカルスタッフ
2008年度: 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 助教
2006年度: 九州大学, システム情報科学研究院, 助教授
2006年度: 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 助手
2006年度: 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 助教授 … もっと見る
2000年度 – 2006年度: 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 助手
1999年度: 九州大学, 大学院・システム情報科学研究科, 助手
1998年度: 九州大学, 大学院システム情報科学研究科, 助手
1995年度: 九州大学, システム情報科学研究科, 助手
1994年度 – 1995年度: 九州大学, 工学部, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 理工系 / 電子・電気材料工学 / 薄膜・表面界面物性
キーワード
研究代表者
Semiconducting silicide / Crystal Growth / Opto-electronic integrated circuit / Optical communication / Opto-device / Electronic device / シリサイド半導体 / 結晶成長 / 光・電気集積回路 / 光通信 … もっと見る / オプトデバイス / 電子デバイス・機器 / clean energy / Cost of generation / Sunshine energy / Solar system / Lifetime evaluation / Amorphous silicon solar cell / 太陽電池の寿命 / アモルファス太陽電池 / 無公害エネルギー / 発電コスト / 太陽光エネルギー / ソーラーシステム / 太陽電池の寿命評価 / アモルファスシリコン太陽電池 … もっと見る
研究代表者以外
集積回路 / 電子デバイス・機器 / シリコン / ディスプレイ / 薄膜トランジスタ / シリコンゲルマニウム / 結晶成長 / silicon / Thin-film transistor / Silicon-germanium / Display / Integrated circuit / Electronic device / crystal growth / display / large-scale integrated circuit / electron device / solid-phase crystallization / ion beam / 固相成長 / イオン線 / Oxidation / Crystallization / Silicidation / Rradiation-induced defect / Ion-beam / Silicon / 酸化 / シリサイド / 照射誘起欠陥 / イオンビーム / SiGe / 半導体 / システムオンパネル / 多結晶シリコン / シリコン薄膜 / レーザーアニール / 金属誘起固相結晶化 / ナノインプリント / スピントロニクス 隠す
  • 研究課題

    (10件)
  • 研究成果

    (8件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  ガラス上における歪み擬似単結晶SiGeの創製と薄膜トランジスタの高速化研究代表者

    • 研究代表者
      佐道 泰造, 権丈 淳
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  強磁性シリサイドの形成とソース/ドレインエンジニアリング

    • 研究代表者
      宮尾 正信
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2009
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      九州大学
  •  ナノインプリント・シーディングによる単結晶シリコン薄膜の形成に関する研究

    • 研究代表者
      浅野 種正
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      九州大学
  •  ガラス上における歪みSiGe結晶の創製と薄膜トランジスタの超高移動度化

    • 研究代表者
      佐道 泰造
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  シリサイド半導体の格子歪み制御による1・5μm帯発光の高効率化と波長多重化研究代表者

    • 研究代表者
      権丈 淳
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  ガラス上に於けるSiGe局所結晶の低温方位制御とデバイス応用

    • 研究代表者
      宮尾 正信
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  Si系ヘテロ混晶の非熱平衡成長の創出とボンド配列の局在制御による新機能探索研究

    • 研究代表者
      宮尾 正信
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      九州大学
  •  過剰空孔の導入及びその緩和過程制御による擬似単結晶シリコン形成技術の研究

    • 研究代表者
      宮尾 正信
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  Si結晶中の照射誘起欠陥の動的挙動の解明とプロセス応用

    • 研究代表者
      佐道 泰造, 鶴島 稔夫
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  薄膜太陽電池の実負荷寿命評価と劣化モデリングの研究研究代表者

    • 研究代表者
      権丈 淳
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      九州大学

すべて 2009 2008 2007 2006

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Stress-relaxation mechanism in ultra-thin SiGe on insulator formed by H^+ irradiation-assisted Ge condensation method2008

    • 著者名/発表者名
      M.Tanaka, A.Kenjo, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517, No.1

      ページ: 248-250

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Low-Temperature Solid-Phase Crystallization of Amorphous SiGe Films on Glass by Imprint Technique2008

    • 著者名/発表者名
      K.Toko, H.Kanno, A.Kenjo, T.Sadoh, T.Asano, M.Miyao
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics Vol.52, No.8

      ページ: 1221-1224

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Catalytic Effect of Ni in Crystallization of Amorphous SiGe Films by Imprint Technique2007

    • 著者名/発表者名
      K.Toko, H. Kanno, A. Kenjo, T.Sadoh, T.Asano and M.Miyao
    • 雑誌名

      Dig.Tech.Papers, The 14th Int.Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices

      ページ: 275-278

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360025
  • [雑誌論文] 強磁性体シリサイド/半導体積層構造の低温エピタキシャル成長-Si系スピントロノクスの創出を目指して-2007

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造, 熊野守, 安藤裕一郎, 上田公二, 権丈淳, 宮尾正信
    • 雑誌名

      九州大学中央分析センター報告 第25号

      ページ: 7-11

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Ni-imprint induced solid-phase crystallization in Sil-xGex(x:0-1) on insulator2007

    • 著者名/発表者名
      K.ToKo, H. Kanno, A. Kenjo, T.Sadoh, T.Asano and M.Miyao
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 91

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360025
  • [雑誌論文] Influence of Substrate Orientation on Low-Temperature Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide Fe3Si on Si2007

    • 著者名/発表者名
      K. Ueda, R. Kizuka, H. Takeuchi, A. Kenjo, T. Sadoh,., M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.515,No.22

      ページ: 8250-8253

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Atomically controlled molecular beam epitaxy of ferromagnetic silicide Fe3Si on Ge2006

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, M. Kumano, R. Kizuka, K. Ueda, A. Kenjo, M. Miyao
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. Vol.89,No.18

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [学会発表] 金属触媒誘起横方向成長法による多結晶Geの極低温成長2009

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造, 萩原貴嗣, 黒澤昌志, 都甲薫, 権丈淳
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会,1a-T-3
    • 発表場所
      筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • 1.  佐道 泰造 (20274491)
    共同の研究課題数: 11件
    共同の研究成果数: 8件
  • 2.  宮尾 正信 (60315132)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 5件
  • 3.  浜屋 宏平 (90401281)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  浅野 種正 (50126306)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 5.  鶴島 稔夫 (10236953)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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