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上林 利生  KANBAYASHI Toshio

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 20111669
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1986年度 – 1989年度: 長岡技術科学大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者以外
電子材料工学 / 電子機器工学
キーワード
研究代表者以外
Light emitting device / Laser irradiation during MBE growth / compound semiconductor ZnS / molecular beam epitaxy (MBE) / 青色発光素子 / II-VI族化合物半導体(ZnS) / 分子線エピタシヤル法 / 発光素子への応用 / 発行素子の応用 / MBE成長時のレ-ザ照射効果 … もっと見る / 化合物半導体ZnS / 分子線エピタキシャル法(MBE) / Nonlinear optics / Refractive index grating / Distributed feedback optical amplifier / Semiconductor optical amplifier / 光タップ / 光増幅器 / 屈折率グレーティング / 屈折率グレ-テング / 非線形光学 / 屈折率グレ-ティング / 分布帰還型光増幅器 / 半導体光増幅器 / MICROWAVE (MILLIMETER / MOLECULAR BE@aM EPITAXY / MICROWAVE (MILLIMETER-WAVE) SEMICONDUCTOR DEVICES / CRYSTAL CHARACTERIZATION / SiC SINGLE CRYSTAL / NOLECULAR BEAM EPITAXY / ミリ波デバイスへの応用 / SiC單結晶 / 分子線エピタキシャル(MBE)法 / ガスソースMBE / SiC軍結晶 / 分子線エピタキシー(MBE) / マイクロ波(ミリ波)半導体デバイス / 結晶評価 / SiC単結晶 / 分子線エピタキシ-(MBE) 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 共同研究者

    (8人)
  •  分子線エピタキシャル法によるP型ZnSの作成とその発光素子への応用

    • 研究代表者
      金田 重男
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      長岡技術科学大学
  •  非線形光学特性を利用した広帯域光増幅器の研究

    • 研究代表者
      作田 共平
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      長岡技術科学大学
  •  MBE法による3C-SiCの作成とそのミリ波デバイスへの応用

    • 研究代表者
      金田 重男
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      長岡技術科学大学
  • 1.  金田 重男 (00029406)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  安井 寛治 (70126481)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  井上 泰宜 (30016133)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  鎌田 喜一郎 (80100999)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  弘津 禎彦 (70016525)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  作田 共平 (60143814)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  飯田 誠之 (90126467)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  藤井 信行 (50011119)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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