谷脇雅文 TANIWAKI Masafumi

研究者番号	20133712
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度: 高知工科大学, 環境理工学群, 教授 2010年度 – 2012年度: 高知工科大学, 工学部, 教授 2002年度 – 2006年度: 高知工科大学, 工学部, 教授 2000年度: 高知工科大学, 工学部, 教授 1997年度 – 1998年度: 高知工科大学, 工学部, 教授 1996年度: 北海道大学, 工学部, 助教授 1988年度: 北海道大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者金属物性 / 金属物性 / 金属物性 / 応用物性・結晶工学 / 構造・機能材料研究代表者以外理工系
キーワード	研究代表者 GaSb / イオン照射 / ボイド / 自己組織化 / イオン注入 / FIB / ナノ構造 / 半導体 / 点欠陥 / イオンビーム … もっと見る / ナノセル / ナノファブリケイション / 電子顕微鏡 / インジウムリンアンチモン / インジウムリン / 非晶質 / 化合物半導体 / 相変態 / Electronic structure / Mossbauer effect / Amorphous alloy / 熱的安定性 / 電子構造 / メスバウアー効果 / 非晶質合金 / semiconductor / surface / nano fabrication / cellular structure / point defect / void / ion implantation / セル構造 / ナノテクノロジー / 照射損傷 / TEM / 表面 / ナノファブリケーション / セル状構造 / InSb / 半導体超微細化 / 格子間原子 / 原子空孔 / 格子欠陥 / YBCO / FE-TEM / レーザーアブレイション / 照射欠陥 / 薄膜 / ジョセフソン接合 / 高温超伝導 / ガリウムヒ素 / 岩塩型 / インジウムアンチモン / 電気抵抗 / ガリウムアンチモン … もっと見る研究代表者以外水素吸蔵合金 / 活性化エネルギー / 表面被膜 / 水素化物 / 水素拡散能 / 表面活性化 / 表面改質 / イオンビーム / 表層改質 / 表面ナノ構造 / 初期活性化 / イオン注入隠す

点欠陥自己組織化現象を利用した半導体表面ナノセル形成法の確立研究代表者
- 研究代表者
  
  谷脇雅文
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  高知工科大学
超微細セル状表面構造を高機能デバイスに利用するための基礎的研究研究代表者
- 研究代表者
  
  谷脇雅文
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  高知工科大学
低温イオン注入による蜂の巣構造の形成-その機構の解明と微細構造形成法への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  谷脇雅文
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  高知工科大学
イオンミキシング法による水素吸蔵合金の表層ナノ構造の改質
- 研究代表者
  
  渡辺精一
- 研究期間 (年度)
  2000
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
イオン注入による水素吸蔵合金の表層ナノ構造の改質
- 研究代表者
  
  大貫惣明
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
高温超伝導ジョセフソン素子の新しい形成法-電界放射型透過電子顕微鏡の利用-研究代表者
- 研究代表者
  
  谷脇雅文
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  高知工科大学
低温イオン注入誘起相変態現象の探索と機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  谷脇雅文
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  高知工科大学
化合物半導体における低温イオン注入誘起相変態の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  谷脇雅文
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  高知工科大学
   北海道大学
金属金属系非晶質合金の構造とその結晶化過程の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  谷脇雅文
- 研究期間 (年度)
  1985 – 1986
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  北海道大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] 集束イオンビームによるゲルマニウム表面ナノセル構造の作製2013
- 著者名/発表者名
  森田憲治, 新田紀子, 谷脇雅文
- 雑誌名
  
  日本金属学会誌
  
  巻: 77 ページ: 64-69
- NAID
  10031155985
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Beam flux dependence of ion-irradiation-induced porous structures in III-V compound semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, T. Hasegawa, H. Yasuda, K. Sato, Q. Xu, T. Yoshiie, M. Taniwaki, and A. Hatta
- 雑誌名
  
  Radiation Effects and Defects in Solids
  
  巻: 168 号: 4 ページ: 247-252
- DOI
  10.1080/10420150.2012.737329
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268, KAKENHI-PROJECT-24760539
[雑誌論文] Beam flux dependence of ion-irradiation-induced porous structures in III -V compound semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, T. Hasegawa, H. Yasuda, K. Sato, Q. Xu, T. Yoshiie, M. Taniwaki, and A. Hatta
- 雑誌名
  
  Radiation Effects and Defects in Solids
  
  巻: 168 ページ: 247-252
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Investigation of Wafer-Bonded InAs/Si Heterojunction by Transmission Electron Microscopy2013
- 著者名/発表者名
  H. Kanbe, M. Tada, T. Kochigahama and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52
- NAID
  210000141720
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Investigation of Wafer-Bonded InAs/Si Heterojunction by Transmission Electron Microscopy2013
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Kanbe, Masanori Tada, Takuya Kochigahama, Masafumi Taniwaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 1R ページ: 11201-11201
- DOI
  10.7567/jjap.52.011201
- NAID
  210000141720
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Nanocell fabrication on GaSb at room temperature and cryogenic temperature2012
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, K. Yokoyama, and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
  
  巻: (accepted)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Nanocell fabrication on GaSb at room temperature and cryogenic temperature2012
- 著者名/発表者名
  Noriko Nitta, Kazuhiro Yokoyama and Masafumi Taniwaki
- 雑誌名
  
  AIP Conf. Proc.
  
  巻: 1496 ページ: 280-283
- DOI
  10.1063/1.4766543
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Nanocell fabrication on GaSb at room temperature and cryogenic temperatur2012
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, K. Yokoyama and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  AIP Conf. Proc.
  
  巻: 1496 ページ: 280-283
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Secondary defects induced by ion and electron irradiation of GaSb2011
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, E.Taguchi, H.Yasuda, H.Mori, Y.Hayashi, T.Yoshiie, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Philosophical Magazine Letters
  
  巻: 91 ページ: 223-228
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Void formation and structure change induced by heavy ion irradiation in GaSb and InSb2011
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, T. Hasegawa, H. Yasuda, Y. Hayashi, T. Yoshiie and M. Taniwaki, and H. Mori
- 雑誌名
  
  Mater. Trans.
  
  巻: 51 ページ: 1059-1063
- NAID
  10027018029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Nano-Cell Fabrication on InSb Utilizing Point Defects Behavior Induced by Focused Ion Beam2011
- 著者名/発表者名
  Sayo Morita, Noriko Nitta, Masafumi Taniwaki a
- 雑誌名
  
  Surface & Coatings Technology
  
  巻: (掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Fabrication of Tetragonal and Close-Packed Nano-cell Two-Dimensional Lattices by Ga+ beam on InSb Surface2011
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi, O.Ishikawa, K.Yokoyama, M.Taniwaki, N.Nitta
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings 1321, Ion Implantation Technology 2010, edited by J.Matsuo, M.Kase, T.Aoki, and T.Seki
  
  ページ: 282-285
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Photoluminescence, morphology, and structure of hydrothermal ZnO implanted at room temperature with 60keV Sn ions2011
- 著者名/発表者名
  G.T.Dang, T.Kawaharamura, N.Nitta, T.Hirao, T.Yoshiie, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 109 号: 12
- DOI
  10.1063/1.3598068
- NAID
  120004920368
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Characteristics of ZnO Wafers Implanted with 60 keV Sn+ Ions at Room Temperature and at 110 K2011
- 著者名/発表者名
  G.T.Dang, T.Kaharamura, T.Hirao, N.Nitta, M.Taniwakia
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings 1321, Ion Implantation Technology 2010, edited by J.Matsuo, M.Kase, T.Aoki, and T.Seki
  
  ページ: 270-273
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Formation of Defect Structure on Ge Surface by Ion Irradiation at Controlled Substrate Temperature2011
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, T.Hasegawa, H.Yasuda, Y.Hayashi, T.Yoshiie, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Materials Transactions
  
  巻: 52 ページ: 127-129
- NAID
  10027837397
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Characteristics of ZnO wafers implanted with 60 keV Sn+ ions at room temperature and at 110 K2011
- 著者名/発表者名
  K, G. T. Dang, T. Kawaharamura, T. Hirao, N. Nitta and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
  
  巻: 1321 ページ: 270-273
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Secondary defects induced by ion and electron irradiation of GaSb2011
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, E. Taguchi, H. Yasuda, H. Mori, Y. Hayashi, T. Yoshiie and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  Phil. Mag. Lett.
  
  巻: 91 ページ: 223-228
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Void formation and structure change induced by heavy ion irradiation in GaSb and InSb2011
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, T.Hasegawa, H.Yasuda, Y.Hayashi, T.Yoshiie, M.Taniwaki, H.Mori
- 雑誌名
  
  Materials Transactions
  
  巻: 51 ページ: 1059-1063
- NAID
  10027018029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Formation of defect dtructure on Ge surface by ion irradiation at controlled Substrate Temperature2011
- 著者名/発表者名
  Nitta, T. Hasegawa, H. Yasuda, Y. Hayashi, T. Yoshiie and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  Materials Transactions
  
  巻: 52 ページ: 127-129
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Pulsed laser excitation power dependence of photoluminescence peak energies in bulk ZnO2011
- 著者名/発表者名
  Giang T.Dang, Hiroshi Kanbe, Toshiyuki Kawaharamura, Masafumi Taniwaki
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 110 号: 8
- DOI
  10.1063/1.3653273
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Photoluminescence, morphology, and structure of hydrothermal ZnO implanted at room temperature with 60 keV Sn ions2011
- 著者名/発表者名
  G. T. Dang, T. Kawaharamura, N. Nitta, T. Hirao, T. Yoshiie and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  TJ. Appl. Phys
  
  巻: 109 ページ: 123516-123516
- NAID
  120004920368
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Nano-cell fabrication on InSb utilizing point defects behavior induced by focused ion beam2011
- 著者名/発表者名
  S. Morita, N. Nitta and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  Ssurface and Cotings Technology
  
  巻: 206 ページ: 792-796
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Fabrication of tetragonal and close-packed nano-cell two-dimensional lattices by Ga+ beam on InSb Surface2010
- 著者名/発表者名
  K. Takahashi, O. Ishikawa, K. Yokoyama, M. Taniwaki, and N. Nitta
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
  
  巻: 1321 ページ: 282-285
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Crystallographic Properties of Ge/Si Heterojunctions Fabricated by Wet Water Bonding2010
- 著者名/発表者名
  H.Kanbe, M.Hirose, T.Ito, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  J.Electronic Materials
  
  巻: 39 ページ: 1248-1254
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Crystallographic Properties of Ge/Si Heterojunctions Fabricated by Wet Wafer Bonding2010
- 著者名/発表者名
  H. Kanbe, M. Hirose, T. Ito and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
  
  巻: Volume 39, Issue 8 ページ: 1248-1255
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Void formation and structure change induced by heavy ion irradiation in GaSb and InSb2010
- 著者名/発表者名
  N. Nitta, T. Hasegawa, H. Yasuda, Y. Hayashi, T. Yoshiie, M. Taniwaki, and H. Mori
- 雑誌名
  
  Mater. Trans.
  
  巻: 51 ページ: 1059-1063
- NAID
  10027018029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Kinetic Monte Carlo simulation of void swelling in GaSb irradiated with Sn at low temperature2007
- 著者名/発表者名
  T.Yoshiie, N.Nitta, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Nucl. Instrum. Methods B 255
  
  ページ: 120-123
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656205
[雑誌論文] Nano-fabrication utilizing point defects induced by ion-implantation2007
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Surface and Coatings Technology
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656205
[雑誌論文] Formation of metastable Fe-Cu alloy nanoparticles by ion implantation2006
- 著者名/発表者名
  N.Hayashi, T.Moriwaki, M.Taniwaki, I.Sakamoto, A.Tanoue, T.Toriyama, H.Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 505
  
  ページ: 152-156
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656205
[雑誌論文] Development of Nano-fabrication Technique Utilizing Self-organizational Behavior of Point Defects Induced by Ion Irradiation2006
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 872-876
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656205
[雑誌論文] Formation of Cellular Structure on GaSb Surface by Ion-Implantation2006
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki, Y.Hayashi, T.Yoshiie
- 雑誌名
  
  The 16th International Microscopy Congress Proceedings 3
  
  ページ: 1976-1976
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656205
[雑誌論文] Cellular Structure Formed by Ion-Implantation Induced Point Defect2006
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki, Y.Hayashi, T.Yoshiie
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 881-885
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656205
[雑誌論文] Development of Nano-fabrication Technique Utilizing Self-Organizational Behavior of Point Defects Induced by Ion Irradiation2006
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 872-876
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656205
[雑誌論文] Search for new materials showing self-organized formation of cellular structure by ion implantation2004
- 著者名/発表者名
  M.Taniwaki, N.Nitta, Y.Satoh, Y.Hayashi, T.Yoshiie
- 雑誌名
  
  KURRI Progress Report 2003 2003
  
  ページ: 60-60
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350343
[雑誌論文] Search for new materials showing self-organized formation of cellular structure by ion implantation2004
- 著者名/発表者名
  M.Taniwaki, N.Nitta, Y.Satoh, Y.Hayashi, T.Yoshiie
- 雑誌名
  
  KURRI Progress Report 200 2003
  
  ページ: 60-60
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350343
[雑誌論文] イオン注入による半導体微細セル構造の自己組織化的形成2004
- 著者名/発表者名
  新田紀子, 谷脇雅文
- 雑誌名
  
  まてりあ 43巻12号
  
  ページ: 1014-1014
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350343
[雑誌論文] Search for New Materials Showing Self-Organized Formation of Cellular Structure by Ion-Implantation2004
- 著者名/発表者名
  M.Taniwaki, N.Nitta, Y.Hayashi, Y.Satoh, T.Yoshiie
- 雑誌名
  
  KURRI Progress Report 2003
  
  ページ: 60-60
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350343
[雑誌論文] Self-Organized Formation of Cellular structure on Semiconductors by Ion-Implantation2004
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Materia Japan 43
  
  ページ: 1014-1014
- NAID
  10014238976
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350343
[雑誌論文] Novel Nano-Fabrication Technique Utilizing Ion Beam2003
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods B 206
  
  ページ: 482-485
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350343
[雑誌論文] Novel Nano-Fabrication Technique Utilizing Ion Beam2003
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Methods B 206
  
  ページ: 482-485
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350343
[雑誌論文] Proposal of New Nano-Fabrication Technique Utilizing Ion Beam2003
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki, Y.Hayashi, Y.Satoh, T.Yoshiie
- 雑誌名
  
  KURRI Progress Report 2002
  
  ページ: 76-76
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350343
[雑誌論文] Proposal of New Nano-Fabrication Technique Utilizing Ion Beam2003
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M Taniwaki, Y.Hayashi, Y.Satoh, T.Yoshiie
- 雑誌名
  
  KURRI Progress Report 2002
  
  ページ: 76-76
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350343
[雑誌論文] Formation of Cellular Defect Structure on GaSb Ion-implanted at a Low Temperature2002
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki, Y.Hayashi, T.Yoshiie
- 雑誌名
  
  Journal of Applied.Phyics 92巻
  
  ページ: 1799-1802
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350343
[雑誌論文] Formation of Anomalous Defect Structure on GaSb Surface by Low Temperature Sn Ion-Implantation2002
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki, T.Suzuki, Y.Hayashi, Y.Satoh, T.Yoshiie
- 雑誌名
  
  Mater.Trans. 43
  
  ページ: 674-680
- NAID
  10012322315
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350343
[雑誌論文] Formation of Cellular Defect Structure on GaSb Ion-implanted at a Low Temperature2002
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki, Y.Hayashi, T.Yoshiie
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 92
  
  ページ: 1799-1802
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350343
[雑誌論文] Formation of Anomalous Defect Structure on GaSb Surface by Low Temperature Sn Ion-Implantation2002
- 著者名/発表者名
  N.Nitta, M.Taniwaki, T.Suzuki, Y, Hayashi, Y.Satoh, T.Yoshiie
- 雑誌名
  
  Materials Transactions 43巻
  
  ページ: 674-680
- NAID
  10012322315
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350343
[学会発表] Fabrication of Josephson-Junction utilizing nanocell on compound semiconductor GaSb2013
- 著者名/発表者名
  K. Shigematsu, K. Becchaku, K. Morita, K. Yokoyama, N. Nitta, and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nanomaterials
- 発表場所
  Hilton Sorrento Palace Hotel, Sorremto, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication of nano-cell structure on InSb surface filled with heterogeneous material2013
- 著者名/発表者名
  K. Betchaku, K. Nakauchi, O. Ishikawa, N. Nitta and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nnomaterials
- 発表場所
  ソレント（イタリア）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Optical property and crystallographical structure of metal doped TiO2 thin films fabricated by pulsed laser deposition2013
- 著者名/発表者名
  T . Nishiuchi, A. Sakamoto, N. Kawadu, M. Ikeuchi, K. Hayashi, H. Tomozawa, S. Kusuno, N. Nishimura, R. Kodama, N. Nitta, and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nanomaterials
- 発表場所
  Hilton Sorrento Palace Hotel, Sorremto, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication of Josephson junction utilizing nanocell on compound semiconductor GaSb2013
- 著者名/発表者名
  K. Shigematsu, K. Betchaku, K. Morita, K. Yokoyama , N. Nitta and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nnomaterials
- 発表場所
  ソレント（イタリア）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] イオン照射誘起化合物半導体ポーラス構造の加速電圧依存性2013
- 著者名/発表者名
  新田紀子, 西内大貴, 谷脇雅文, 八田章光
- 学会等名
  日本金属学会第148回春期大会
- 発表場所
  東京理科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Optical property and crystallographical structure of metal doped TiO22013
- 著者名/発表者名
  T. Nishiuchi, S. Ayumi, N. Kawadu, M. Ikeuchi, K. Hayashi, H. Tomozawa, N. Nitta and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nnomaterials
- 発表場所
  ソレント（イタリア）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication and characterization of environmentally conscionable semiconductor b-FeSi22013
- 著者名/発表者名
  N. Nishioka, M. Okamoto, N. Nitta and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nnomaterials
- 発表場所
  ソレント（イタリア）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication and characterization of environmentally conscionable semiconductor β-FeSi22013
- 著者名/発表者名
  N. Nishioka, M. Okamoto, N. Nitta and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nanomaterials
- 発表場所
  Hilton Sorrento Palace Hotel, Sorremto, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] イオン照射誘起化合物半導体ポーラス構造の加速電圧依存性2013
- 著者名/発表者名
  新田紀子, 西内大貴, 谷脇雅文, 八田章光
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  東京理科大（東京神楽坂）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication of nano-cell structure on InSb surface filled with heterogeneous material2013
- 著者名/発表者名
  K. Becchaku, N. Nitta, and M. Taniwaki
- 学会等名
  Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nanomaterials
- 発表場所
  Hilton Sorrento Palace Hotel, Sorremto, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 電子デバイスを目指した充填ナノセルの形成2012
- 著者名/発表者名
  別役和秀, 中内和也, 西岡誠剛, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第147回秋期大会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 電子デバイスを目指した充填ナノセルの形成2012
- 著者名/発表者名
  別役和秀　中内和也　西岡誠剛　新田紀子　谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  愛媛大（松山）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] ジョセフソン接合のバリア層を指向したFIB によるGaSb 表面ナノセル構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  重松晃次, 別役和秀, 森田憲治, 横山和弘, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第147回秋期大会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication of nanocell lattice on semiconductor utilizing point defects movement induced by ion irradiation2012
- 著者名/発表者名
  M. Taniwaki and N. Nitta
- 学会等名
  XI International Conference on Nanostructure Materials (Nano2012)
- 発表場所
  Rodos Palace International Convention Center, Rodos, Greece
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Nano-cell fabrication on GaSb and InSb compound semiconductors by focused ion beam at room temperature2012
- 著者名/発表者名
  M. Taniwaki, O. Ishikawa, K. Yokoyama and N. Nitta
- 学会等名
  19 th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT 2012)
- 発表場所
  Congress Center , Valladolid, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication of nanocell lattice on semiconductor utilizing point defects movement induced by ion irradiation2012
- 著者名/発表者名
  M. Taniwaki and N. Nitta
- 学会等名
  XI International Conference on Nanostructure Materials (Nano2012)
- 発表場所
  XI International Conference on Nanostructure Materials (Nano2012)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] ジョセフソン接合のバリア層を指向したFIBによるGaSb表面ナノセル構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  重松晃次　別役和秀　森田憲治　横山和弘　新田紀子　谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  愛媛大（松山）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 環境半導体β-FeSi2薄膜の作製と評価2012
- 著者名/発表者名
  西岡誠剛　新田紀子　谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  愛媛大（松山）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビーム法によるGe表面ナノセル構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  森田憲治　新田紀子　谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  愛媛大（松山）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビーム法によるGe 表面ナノセル構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  森田憲治, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第147回秋期大会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 低エネルギー電子照射によるナノ結晶形成の照射温度依存性2012
- 著者名/発表者名
  新田紀子　西内大貴　谷脇雅文　八田章光　保田英洋
- 学会等名
  日本金属学会
- 発表場所
  愛媛大（松山）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 環境半導体β-FeSi2 薄膜の作製と評価2012
- 著者名/発表者名
  西岡誠剛, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第147回秋期大会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] いくつかの半導体に見られる特異なイオン照射挙動とこれを利用した新しい微細構造作製技術2012
- 著者名/発表者名
  谷脇雅文
- 学会等名
  材料照射効果と応用ワークショップ
- 発表場所
  京都大学原子炉実験所
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication of ordered nano-cell structure on Ge surface by FIB2012
- 著者名/発表者名
  K. Morita, N. Nitta and M. Taniwaki
- 学会等名
  25th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS25)
- 発表場所
  Kyoto University, Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Characterization of hydrothermal bulk ZnO implanted at room temperature with 60 keV Sn^+ ions2011
- 著者名/発表者名
  Giang T.Dang, T.Kawaharamura, N.Nitta, T.Hirao, T. Yoshiie, M.Taniwaki
- 学会等名
  11th International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition (PBII&D 2011)
- 発表場所
  Harbin (China)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Characterization of hydrothermal bulk ZnO implanted at room temperature with 60 keV Sn+ ions2011
- 著者名/発表者名
  Giang T. Dang, T. Kawaharamura, N. Nitta, T. Hirao, T. Yoshiie and M. Taniwaki
- 学会等名
  11th International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition (PBII&D 2011)
- 発表場所
  Harbin (China)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビーム法によるGaSbナノセル構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  政本泰佑, 石川修, 森田憲治, 横山和弘, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第146回秋期大会
- 発表場所
  沖縄コンベンションセンター
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] FIBによる化合物半導体GaSb表面微細構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  横山和弘石川修高橋和之谷脇雅文
- 学会等名
  日本材料科学会四国支部第20回講演大会
- 発表場所
  高知工科大学
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビームによるInSb表面ナノセル構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  石川修, 横山和弘, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本材料科学会四国支部第20回講演大会
- 発表場所
  高知工科大学
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Photoluminescence mechanisms of an Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum well in the temperature range from 5 K to 296 K2011
- 著者名/発表者名
  Giang T. Dang, Hiroshi Kanbe and Masafumi Taniwaki
- 学会等名
  日本材料科学会四国支部第20回講演大会
- 発表場所
  高知工科大学
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 不純物ドープしたTiO2の構造と光学特性2011
- 著者名/発表者名
  谷脇雅文河津直紀
- 学会等名
  日本材料科学会四国支部第20回講演大会
- 発表場所
  高知工科大学
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビームによる化合物半導体GaSbセル構造の制御2011
- 著者名/発表者名
  横山和弘, 高橋和之, 森田憲治, 石川修, 政本泰佑, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第146回秋期大会
- 発表場所
  沖縄コンベンションセンター
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビーム法によるGaSb ナノセル構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  政本泰佑, 石川修, 森田憲治, 横山和弘,新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第146回秋期大会
- 発表場所
  沖縄コンベンションセンター
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Evaluation of nano-cell lattice on semiconductor surface fabricated by FIB2011
- 著者名/発表者名
  M.Taniwaki, O. Ishikawa, K. Yokoyama, K. Takahashi and N.Nitta
- 学会等名
  The 17th international conference on surface modification of materials by ion beams
- 発表場所
  Harbin (China)
- 年月日
  2011-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] FIB によるInSb 表面ナノセル構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  石川修, 横山和弘, 高橋和之, 森田憲治,政本泰祐,新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本材料科学会四国支部第20回講演大会
- 発表場所
  高知工科大学
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] レーザーアブレーション法によるFe-Si系半導体薄膜の作製と分析2011
- 著者名/発表者名
  横田正博,山本知起新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本材料科学会四国支部第20回講演大会
- 発表場所
  高知工科大学
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビームによるInSb 表面ナノセル構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  石川修横山和弘谷脇雅文
- 学会等名
  日本材料科学会四国支部第20回講演大会
- 発表場所
  高知工科大学
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] レーザーアブレーション法によるFe-Si系半導体薄膜の作製と分析2011
- 著者名/発表者名
  横田正博, 山本知起, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第146回秋期大会
- 発表場所
  沖縄コンベンションセンター
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] FIBによるInSb表面ナノセル構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  石川修, 横山和弘, 高橋和之, 森田憲治, 政本泰祐, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第146回秋期大会
- 発表場所
  沖縄コンベンションセンター
- 年月日
  2011-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビームによる化合物半導体GaSb セル構造の制御2011
- 著者名/発表者名
  横山和弘, 高橋和之, 森田憲治石川修,政本泰佑, 新田紀子, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本材料科学会四国支部第20回講演大会
- 発表場所
  高知工科大学
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] 集束イオンビーム法によるInSb表面微細構造作製条件の検討2010
- 著者名/発表者名
  石川修, 横山和弘, 高橋和之, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第147回秋期大会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2010-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Photoluminescence of ZnO wafers implanted with 60 keV Sn^+ ions to doses from 2×10^<14> to 1.5×10^<15> cm^<-3> at 112K and room temperature2010
- 著者名/発表者名
  G.T.Dang, T.Kawaharamura, T.Hirao, N.Nitta, M.Taniwaki
- 学会等名
  18th Int.Conf.on Ion Implantation Technology
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2010-06-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] イオン照射によりGaSb及びInSbに形成される構造のフラックス依存性2010
- 著者名/発表者名
  長谷川季也, 新田紀子, 保田英洋, 佐藤紘一, 徐〓, 義家敏正, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第147回秋期大会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2010-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] レーザーアブレーション法によるFe-Si系半導体薄膜の作製と分析2010
- 著者名/発表者名
  山本知起, 横田正博, 山川智弘, 岡真由美, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第147回秋期大会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2010-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] FIBによる化合物半導体GASb稠密ナノセル構造の作製2010
- 著者名/発表者名
  横山和弘, 石川修, 高橋和之, 谷脇雅文
- 学会等名
  日本金属学会第147回秋期大会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2010-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Fabrication of Tetragonal and Close-Packed Nano-cell Structureon Compound Semiconductor Surface2010
- 著者名/発表者名
  K.Takahashi, O.Ishikawa, K.Yokoyama, M.Taniwaki, N.Nitta
- 学会等名
  18th Int.Conf.on Ion Implantation Technology
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2010-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Photoluminescence of ZnO wafers implanted with 60keV Sn^+ ions to doses from 2×10^<14> to 1.5×10^<15> cm^<-3> at 112K and room temperature2010
- 著者名/発表者名
  G.T.Dang, T.Kawaharamura, T.Hirao, N.Nitta, M.Taniwaki
- 学会等名
  18^<th> Int.Conf.on Ion Implantation Technology
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2010-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268

1. 義家敏正 (20124844)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 26件
2. 神戸宏 (10299373)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 6件
3. 前町敏彦 (50399169)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 新田紀子 (80412443)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 65件
5. 鈴木朝夫 (80016782)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 大貫惣明 (10142697)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 須田孝徳 (50301940)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 渡辺精一 (60241353)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
9. 兜森俊樹

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
10. 徐ぎゅう (90273531)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 佐藤裕樹 (20211948)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
12. 前田正雄 (80001105)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 徐ぎょう

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件

谷脇 雅文 TANIWAKI Masafumi

研究課題

研究成果

共同研究者

点欠陥自己組織化現象を利用した半導体表面ナノセル形成法の確立研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超微細セル状表面構造を高機能デバイスに利用するための基礎的研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低温イオン注入による蜂の巣構造の形成-その機構の解明と微細構造形成法への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオンミキシング法による水素吸蔵合金の表層ナノ構造の改質

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

イオン注入による水素吸蔵合金の表層ナノ構造の改質

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高温超伝導ジョセフソン素子の新しい形成法-電界放射型透過電子顕微鏡の利用-研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低温イオン注入誘起相変態現象の探索と機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

化合物半導体における低温イオン注入誘起相変態の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属金属系非晶質合金の構造とその結晶化過程の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] 集束イオンビームによるゲルマニウム表面ナノセル構造の作製2013

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Beam flux dependence of ion-irradiation-induced porous structures in III-V compound semiconductors2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Beam flux dependence of ion-irradiation-induced porous structures in III -V compound semiconductors2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Investigation of Wafer-Bonded InAs/Si Heterojunction by Transmission Electron Microscopy2013

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Investigation of Wafer-Bonded InAs/Si Heterojunction by Transmission Electron Microscopy2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

谷脇雅文 TANIWAKI Masafumi