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黒岩 紘一  KUROIWA Koichi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 20170102
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1994年度 – 1997年度: 東京農工大学, 工学部, 教授
1995年度: 東京農工大学, 大学院・工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・機器工学
研究代表者以外
電子デバイス・機器工学
キーワード
研究代表者
PZT / digital-MOCVD / perovskite structure / non-volatile memory / Ferroelectric films / ペロブスカイト / 強誘電体薄膜 / デジタルCVD / ペロブスカイト型結晶 / 不揮発性メモリ / 強誘導体薄膜 … もっと見る
研究代表者以外
… もっと見る SBT / YSZ / acaling rule / heteroepitaxy / Ceria / PbTiO_3 / memory / ferroelectric material / デジタルCVD / C-V特性 / スケーリング則 / ヘテロエピタキシ- / セリア / チタン酸鉛 / メモリ / 強誘電体 / crystalline insulator / atomic oxygen / atomic hydrogen / VUV light / silicide contact / thin film transistor / 電界効果移動度 / シリサイドコンタクト / CVD / 非晶質シリコン / 結晶性絶縁物 / 原子状酸素 / 原子状水素 / 高エネルギーフォトン / シリサイド / 薄膜トランジスタ 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  デジタルMOCVD法によるPZT強誘電体薄膜の作製とそのデバイス応用に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      黒岩 紘一
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  金属シリサイドコンタクトを用いた非晶質シリコン薄膜トランジスタの作製

    • 研究代表者
      上野 智雄
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  欠陥の少ない強誘電体とシリコンの界面の構成方法とこれを用いたメモリデバイスの研究

    • 研究代表者
      垂井 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      早稲田大学
  • 1.  垂井 康夫 (10143629)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  上野 智雄 (90223487)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  小松 周一
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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