目黒多加志 MEGURO Takashi

研究者番号	20182149
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2021年度: 東京理科大学, 理学部第二部物理学科, 教授 1999年度 – 2001年度: 理化学研究所, 半導体工学研究室, 副主任研究員 1997年度: 理化学研究所, 半導体工学研究室, 副主任研究員 1994年度 – 1996年度: 理化学研究所, レーザー科学研究グループ, 先任研究員 1995年度: 理化学研究所, レーザー化学研究グループ, 先任研究員 … もっと見る 1992年度 – 1993年度: 理化学研究所, レーザー科学研究グループ, 研究員 1990年度: 理化学研究所, レーザー科学研究グループ, 研究員 1987年度: 理化学研究所, レーザー科学研究グループ, 研究員補隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性 / 材料加工・処理 / 理工系研究代表者以外電子・電気材料工学 / 中区分14:プラズマ学およびその関連分野 / 応用物性
キーワード	研究代表者ガリウム砒素 / ドライエッチング / 塩素 / ガリウムヒ素 / 原子層エッチング / 自動停止 / デジタルエッチング / 原子層 / 非線形成 / 周期構造 … もっと見る / 直接パターニング / 非線形性 / 位相制御 / 干渉 / コヒーレント光 / ポテンシャルスパッタリング / 欠陥 / 水素 / シリコン / ナノ構造 / 電子状態制御 / ダイヤモンド / グラファイト / 多価イオン … もっと見る研究代表者以外 GaAs / MOVPE / 自己停止機構 / 有機金属気相成長法 / 原子層成長 / Self-limiting effect / 量子閉じ込め効果 / フォトルミネッセンス / 選択成長 / 量子ナノ構造 / ガリウムヒ素半導体 / 動態観測 / 損傷敏感試料 / 電子顕微鏡 / 半導体フォトカソード / AlGaAs半導体 / 窒化ガリウム半導体 / パルス電子ビーム / 負電子親和力表面 / 半導体 / 電子ビーム / フォトカソード / Ar^+ laser / パターン化結晶成長 / 原子層エピタキシー / ALE / レーザーMOCV / アルコンイオンレーザ / 有機金属 / カリウム砒素 / 単原子層成長 / Fibonacci progression / X-ray diffraction / Atomic layer superlattice / Quasi-crystal / Atomic Layer Epitaxy / フィボナッチ数列 / X線回折 / 原子層超格子 / 準結晶 / Quantum confinement effect / Photoluminescnec / Selective growth / Quantum Nano-structures / Atomic Layr Epitaxy / photoassisted decomposition / atomic layer epitaxy / triethylgallium / laser MOVPE / gallium arsenide 隠す

実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源
- 研究代表者
  
  西谷智博
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分14:プラズマ学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
低速多価イオンビームによる原子操作研究代表者
- 研究代表者
  
  目黒多加志
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  特定領域研究(B)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  理化学研究所
コヒーレント光を用いた表面原子の一括操作法の開発研究研究代表者
- 研究代表者
  
  目黒多加志
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  理化学研究所
原子層制御エピタキシーによる周期構造変調超格子作製と機能性新物質の創製
- 研究代表者
  
  岩井荘八
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  理化学研究所
原子層エピタキシ-選択成長による低次元量子構造作製に関する研究
- 研究代表者
  
  岩井荘八
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  理化学研究所
原子層制御された微細量子構造の作製とその物性評価
- 研究代表者
  
  岩井荘八
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  理化学研究所
原子層エッチング技術の開発研究研究代表者
- 研究代表者
  
  目黒多加志
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  理化学研究所
レ-ザ-単原子層制御エピタキシ-の成長機構の解明と単原子層制御ヘテロ構造の製作
- 研究代表者
  
  岩井荘八
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  理化学研究所
レーザMOCVDによるパターン化結晶成長法の開発とその新光機能素子開発への応用
- 研究代表者
  
  青柳克信
- 研究期間 (年度)
  1986 – 1987
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  理化学研究所

すべて 2021 2020

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] ANALYTICAL STUDY ON TPD MEASUREMENTS DURING NEA ACTIVATION PROCESS2021
- 著者名/発表者名
  Masaru Jono, Yuhi Sada, Takashi Meguro
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 39th Symposium on Materials Science and Engineering
  
  巻: 39 ページ: 14-18
- オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[雑誌論文] Study on work function and corresponding electron emission during NEA activation of GaAs surfaces2020
- 著者名/発表者名
  Sada Y.、Meguro T.
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 513 ページ: 145699-145699
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2020.145699
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[雑誌論文] Study on surface processes and photoemission properties of NEA-GaAs after repetitive sequence of thermal pretreatment and NEA activation2020
- 著者名/発表者名
  Inagaki Yuta、Meguro Takashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 4 ページ: 045504-045504
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab7ef3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] NEA活性化過程における量子効率とCs吸着状態のO2供給量依存性2021
- 著者名/発表者名
  佐田雄飛、城生大、目黒多加志
- 学会等名
  2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] NEA活性化方法におけるInGaNフォトカソードの電子放出特性の違い, The difference of InGaN photocathode with photoemission characteristic in NEA activation method2021
- 著者名/発表者名
  鹿島将央, 佐藤大樹, 小泉淳, 飯島北斗, 西谷智博, 本田善央, 天野浩, 目黒多加志
- 学会等名
  2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] yo-yo法を用いたNEA活性化過程の昇温脱離スペクトル測定2020
- 著者名/発表者名
  城生大、佐田雄飛、目黒多加志
- 学会等名
  第39回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666

1. 青柳克信 (70087469)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 0件
2. 岩井荘八 (40087474)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
3. 一色秀夫 (60260212)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
4. 瀬川勇三郎 (30087473)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 西谷智博 (40391320)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
6. 村上浩一 (10116113)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 尾笹一成 (10231234)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 洗平昌晃 (20537427)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 成田哲博 (30360613)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 本田善央 (60362274)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
11. 石川史太郎 (60456994)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 田渕雅夫 (90222124)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 市川修平 (50803673)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 保田英洋 (60210259)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 七井靖 (80755166)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 土居功年

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

目黒 多加志 MEGURO Takashi

研究課題

研究成果

共同研究者

実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

低速多価イオンビームによる原子操作研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

コヒーレント光を用いた表面原子の一括操作法の開発研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原子層制御エピタキシーによる周期構造変調超格子作製と機能性新物質の創製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原子層エピタキシ-選択成長による低次元量子構造作製に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

原子層制御された微細量子構造の作製とその物性評価

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原子層エッチング技術の開発研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

レ-ザ-単原子層制御エピタキシ-の成長機構の解明と単原子層制御ヘテロ構造の製作

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

レーザMOCVDによるパターン化結晶成長法の開発とその新光機能素子開発への応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] ANALYTICAL STUDY ON TPD MEASUREMENTS DURING NEA ACTIVATION PROCESS2021

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Study on work function and corresponding electron emission during NEA activation of GaAs surfaces2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Study on surface processes and photoemission properties of NEA-GaAs after repetitive sequence of thermal pretreatment and NEA activation2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] NEA活性化過程における量子効率とCs吸着状態のO2供給量依存性2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] NEA活性化方法におけるInGaNフォトカソードの電子放出特性の違い, The difference of InGaN photocathode with photoemission characteristic in NEA activation method2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] yo-yo法を用いたNEA活性化過程の昇温脱離スペクトル測定2020

著者名/発表者名

目黒多加志 MEGURO Takashi