諏訪雄二 SUWA YUJI

研究者番号	20216500
所属 (現在)	2025年度: 株式会社日立製作所(研究開発グループ), 基礎研究センタ, その他
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2014年度: 株式会社日立製作所, 日基礎研究所, 主任研究員 2006年度 – 2008年度: 株式会社日立製作所(研究開発本部), 基礎研究所, 主任研究員 1998年度: 日立研究所, 前助手 1996年度 – 1997年度: 東京理科大学, 理学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者物性Ⅰ 研究代表者以外固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体) / 理工系
キーワード	研究代表者単文子膜 / 有効遮蔽場法 / 相補型TFT / 第一原理計算 / 電気双極子 / ショットキーバリア / 単分子膜 / 有機トランジスタ / 有機半導体 / 界面 / 表面 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る第一原理計算 / antiferro magnetic order / many-electreon states / copper oxides / optical properties / strong magnetic field / semiconductor superlattices / bound exciton / first principles / 膜厚依存性 / アルカリハライド超格子 / アルミニウム燐 / ガリウム燐 / 励起子 / 理論 / 多重量子井戸構造 / 超伝導状態 / YBCO / 高温超伝導 / 反強磁性秩序 / 多電子状態 / 銅酸化物高温超伝導体 / 光学特性 / 強磁場 / 束縛励起子 / 半導体超格子 / 分子動力学法 / モデリング / 原子間力モデル / 電極反応 / 非平衡ダイナミクス / 熱伝導 / 第一原理分子動力学法隠す

第一原理分子動力学法による構造サンプリングと非平衡ダイナミクス
- 研究代表者
  
  常行真司
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2014
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
有機半導体界面における電荷輸送機構の解明と機能性単分子膜による制御研究代表者
- 研究代表者
  
  諏訪雄二
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  株式会社日立製作所(研究開発本部)
(GaP)m(AlP)n短周期超格子・多重井戸構造の電子状態と発光機構
- 研究代表者
  
  上村洸
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  東京理科大学

すべて 2013 2011 2008 2007 2006

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] A first-principles core-level XPS study on the boron impurities in germanium crystal2013
- 著者名/発表者名
  J. Yamauchi, Y. Yoshimoto, and Y. Suwa
- 雑誌名
  
  AIP Conf. Proc.
  
  巻: 1566 ページ: 41-41
- DOI
  10.1063/1.4848275
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-22104006
[雑誌論文] Identification of boron clusters in silicon crystal by B1s core-level X-ray photoelectron spectroscopy : A first-principles study2011
- 著者名/発表者名
  Jun Yamauchi, Yoshihide Yoshimoto and Yuji Suwa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 99 号: 19 ページ: 191901-191901
- DOI
  10.1063/1.3658030
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20740215, KAKENHI-PLANNED-22104006
[雑誌論文] Formation of dihydride chains on H-terminated Si(100)-2xl surfaces : Scanning tunneling microscopy and first-principles calculations2006
- 著者名/発表者名
  Yuji Suwa
- 雑誌名
  
  Physical Review B 74
  
  ページ: 205308-205308
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[雑誌論文] Formation of dihydride chains on H-terminated Si(100)-2x1surfaces : Scanning tunneling microscopy and first-principles calculations2006
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、藤森正成、平家誠嗣、寺田康彦、吉本芳英、赤木和人、杉野修、橋詰富博
- 雑誌名
  
  Physical Review B 74
  
  ページ: 205308-205308
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[産業財産権] 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法2008
- 発明者名
  諏訪雄二, 橋詰富博, 平家誠嗣
- 権利者名
  株式会社日立製作所
- 取得年月日
  2008-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[産業財産権] 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法2008
- 発明者名
  諏訪雄二、橋詰富博、平家誠嗣
- 権利者名
  株式会社日立製作所
- 産業財産権番号
  2008-057232
- 出願年月日
  2008-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[産業財産権] 有機薄膜トランジスタおよびその製造装置2008
- 発明者名
  諏訪雄二, 橋詰富博, 平家誠嗣
- 権利者名
  株式会社日立製作所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2008-057232
- 出願年月日
  2008-03-07
- 取得年月日
  2012-06-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[産業財産権] 有機薄膜トランジスタ2008
- 発明者名
  橋詰富博, 諏訪雄二, 新井唯, 芝健夫
- 権利者名
  株式会社日立製作所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2008-001024
- 出願年月日
  2008-01-08
- 取得年月日
  2011-11-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[産業財産権] 有機薄膜トランジスタアレイおよび有機薄膜トランジスタアレイの製造方法2008
- 発明者名
  橋詰富博、諏訪雄二、新井唯、芝健夫
- 権利者名
  株式会社日立製作所
- 産業財産権番号
  2008-001024
- 出願年月日
  2008-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[産業財産権] 有機薄膜トランジスタアレイおよび有機薄膜トランジスタアレイの製造方法2008
- 発明者名
  橋詰富博, 諏訪雄二, 新井唯, 芝健夫
- 権利者名
  株式会社日立製作所
- 出願年月日
  2008-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究2008
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、平家誠嗣、森下英郎、伊藤耕三、橋詰富博
- 学会等名
  日本物理学会2008年秋季大会
- 発表場所
  岩手大学
- 年月日
  2008-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] Fitst Principlpes Study of Self-Assembled Monolayers in Organic Transistors2008
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、橋詰富博
- 学会等名
  The 1st International Conference of the Grand Challenge to Net-Generation Integrated Nanoscience
- 発表場所
  日本科学未来館
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] First Principles Study of Self-Assembled Monolayers between Metal and Organic Semiconductor2007
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、藤森正成、橋詰富博
- 学会等名
  International Symposium on Theories of Organic-Metal Interfaces 2007
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2007-01-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究2007
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、藤森正成、橋詰富博
- 学会等名
  日本物理学会第62回年次大会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] First Principles study of Self-Assembled Monolayers at the interface between Metal and Organic Semiconductor2007
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、橋詰富博
- 学会等名
  9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  東京大学駒場キャンパス
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] First Principles Study of Self-Assembled Monolayers at the interface between Metal and Organic Semiconductor2007
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、橋詰富博
- 学会等名
  9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  東京大学駒場キャンパス
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] 金属・有機半導体界面のショットキーバリア低減のための単分子膜材料設計2007
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、平家誠嗣、藤森正成、新井唯、橋詰富博
- 学会等名
  ナノ学会第5回大会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2007-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] First Principles Study of Self-Assembled Monolayers on Metal Surfaces2006
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、藤森正成、平家誠嗣、安藤正彦、橋詰富博
- 学会等名
  28th International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  ウイーン・インペリアルパレス
- 年月日
  2006-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328

1. 中山隆史 (70189075)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
2. 橋詰富博 (70198662)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
3. 常行真司 (90197749)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 大谷実 (50334040)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 吉本芳英 (80332584)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
6. 山内淳 (90383984)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
7. 杉野修 (90361659)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 森川良忠 (80358184)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 赤木和人 (50313119)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 館山佳尚 (70354149)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 合田義弘 (50506730)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 上村洸 (60011475)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

諏訪 雄二 SUWA YUJI

研究課題

研究成果

共同研究者

第一原理分子動力学法による構造サンプリングと非平衡ダイナミクス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

有機半導体界面における電荷輸送機構の解明と機能性単分子膜による制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

(GaP)m(AlP)n短周期超格子・多重井戸構造の電子状態と発光機構

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] A first-principles core-level XPS study on the boron impurities in germanium crystal2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Identification of boron clusters in silicon crystal by B1s core-level X-ray photoelectron spectroscopy : A first-principles study2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Formation of dihydride chains on H-terminated Si(100)-2xl surfaces : Scanning tunneling microscopy and first-principles calculations2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Formation of dihydride chains on H-terminated Si(100)-2x1surfaces : Scanning tunneling microscopy and first-principles calculations2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[産業財産権] 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法2008

発明者名

権利者名

取得年月日

データソース

[産業財産権] 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法2008

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 有機薄膜トランジスタおよびその製造装置2008

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

取得年月日

データソース

[産業財産権] 有機薄膜トランジスタ2008

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

取得年月日

データソース

[産業財産権] 有機薄膜トランジスタアレイおよび有機薄膜トランジスタアレイの製造方法2008

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 有機薄膜トランジスタアレイおよび有機薄膜トランジスタアレイの製造方法2008

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[学会発表] 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究2008

著者名/発表者名

諏訪雄二 SUWA YUJI