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野崎 眞次  NOZAKI Shinji

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

野崎 真次  NOZAKI Shinji

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研究者番号 20237837
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2011年度 – 2015年度: 電気通信大学, 情報理工学(系)研究科, 教授
2010年度 – 2012年度: 電気通信大学, 大学院・情報理工学研究科, 教授
2010年度 – 2011年度: 電気通信大学, 情報理工学研究科, 教授
2008年度 – 2009年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 教授
2003年度 – 2004年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 教授 … もっと見る
2000年度 – 2002年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授
1997年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授
1993年度 – 1994年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授
1992年度: 東京工業大学, 工学部, 客員助教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学
研究代表者以外
電子デバイス・機器工学 / 電子材料工学
キーワード
研究代表者
光酸化 / MBE / MOS / FIB / 紫外光 / シリコン / position-controlled deposition / memory / nanocrystal / germanium … もっと見る / silicon / AFM / ケルビンプローブ / 電子ビームリソグフィー / 二次元配列 / メモリー / ナノクリスタル / ゲルマニウム / organic semiconductors / conjugated polymers / 分子線エピタキシー / 有機半導体 / 分子線エピタキシ- / 共役高分子 / プリンテッドエレクトロニクス / フレキシブルエレクトロニクス / FET / 亜鉛 / ニッケル / 酸化物半導体 / ショットキー / 太陽光発電 / 全空乏 / 酸化ニッケル / 整流器 / レクテナ / C-V / SiO_2 / 酸化 / C-t / SiOナノ粉末 / 真空紫外光 / シリコン酸化膜 / 界面準位密度 / quasi-static C-V / 低温作製 / ナノ粉末 / 真空蒸着 / ゲート酸化膜 / フレキシブル基板 / 界面準位 / 低温酸化膜 / シリコン基板 / 光応答 / ロッキングカーブ / X線回析 / 配向性 / ダイオード / 銅フタロシアニン … もっと見る
研究代表者以外
MOMBE / InGaAs / GaAs / HBT / InP / InGaP / High-Pressure Form / Phase Transformation / Cluster-Beam Evaporation / Coulomb Blockade / Granular Metal Film / MOVPE / Semiconductor Position Sensitive Detector / Griffith University / 集積デバイス / 電子線ソングラフィー / MEMS / ナノ構造デバイス / 半導体位置センター / Siナノ構造 / Position Sensitive Detector (PSD) / 高圧相 / 相転移 / クラスタービーム蒸発法 / クーロンブロッケード / 粒状金属薄膜 / MOVPE法 / 半導体位置センサー / グリフィス大学 / thermal stability / Carbon-doping / 熱安定性 / 熱的安定性 / カーボンドープ / InGaAs HBT / GaAs HBT / Tertiarybutylphosphine / Heavy doping / Carbon-doped baes HBT / Carbon / ネオペンタン / トリメチルガリウム / ターシャリブチルフォスフィン / 超高濃度ドーピング / タ-シャリブチルフォスフィン / 超高濃度ド-ピング / カーボンドープベースHBT / InGaAsHBT / GaAsHBT / カーボン 隠す
  • 研究課題

    (9件)
  • 研究成果

    (56件)
  • 共同研究者

    (8人)
  •  金属の光酸化による酸化物半導体PN接合の作製:プリンテッドエレクトロニクスの基盤研究代表者

    • 研究代表者
      野崎 眞次
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      電気通信大学
  •  ニッケル酸化物を活用した超高周波トンネルダイオードの作製:太陽光発電をめざして研究代表者

    • 研究代表者
      野崎 眞次
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2012
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      電気通信大学
  •  SiOナノ粉末の真空蒸着による高品位酸化膜の低温作製とフレキシブル基板上のIC研究代表者

    • 研究代表者
      野崎 眞次
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      電気通信大学
  •  ゲルマニウムナノ結晶の秩序化によるナノクリスタルメモリーの作製研究代表者

    • 研究代表者
      野崎 眞次 (野崎 真次)
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      電気通信大学
  •  ナノ構造半導体デバイスに関する教育・研究交流

    • 研究代表者
      森崎 弘
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      電気通信大学
  •  分子線エピタキシ-法によるSi/銅フタロシアニンヘテロ接合ダイオードの作製研究代表者

    • 研究代表者
      野崎 真次
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      電気通信大学
  •  超高濃度ドープGaAs,InGaAsの物性・結晶構造とその熱的安定性

    • 研究代表者
      高橋 清
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  共役高分子膜の分子線エピタキシ-法による堆積とエレクトロニクスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      野崎 真次
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      電気通信大学
  •  カーボンドープベース・超高速ヘテロ接合バイポーラトランジスタの開発研究

    • 研究代表者
      小長井 誠
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1994
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学

すべて 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2004 2003 2002 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Structural, electrical and optical properties of CoxNi1-xO films grown by metalorganic chemical vapor deposition2015

    • 著者名/発表者名
      Teuku Muhammad Roffi, Kazuo Uchida and Shinji Nozaki
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth

      巻: 414 ページ: 123-129

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2014.10.027

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420283
  • [雑誌論文] Spectroscopic ellipsometry study of the free-carrier and band-edge absorption in ZnO thin films: Effect of non-stoichiometry2015

    • 著者名/発表者名
      Chaman Singh, Shinji Nozaki, and Shyama Rath
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 118 号: 19

    • DOI

      10.1063/1.4935629

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420283
  • [雑誌論文] Visible-blind ultraviolet photodiode fabricated by UV oxidation of metallic zinc on p-Si2015

    • 著者名/発表者名
      Dongyuan Zhang, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 118 号: 9

    • DOI

      10.1063/1.4929961

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420283
  • [雑誌論文] Low temperature formation of high-quality gate oxide by ultraviolet irradiation on spin-on-glass2015

    • 著者名/発表者名
      R. Usuda, K. Uchida, and S. Nozaki
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 107 号: 18

    • DOI

      10.1063/1.4935208

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420283
  • [雑誌論文] ZnO Nanorod-Based Non-Enzymatic Optical Glucose Biosensor2015

    • 著者名/発表者名
      Sachindra Nath Sarangi, Shinji Nozaki, and Surendra Nath Sahu
    • 雑誌名

      Journal of Biomedical Nanotechnology

      巻: 11 号: 6 ページ: 988-996

    • DOI

      10.1166/jbn.2015.2048

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420283
  • [雑誌論文] NiO/Si heterostructures formed by UV oxidation of nickel deposited on Si substrates2014

    • 著者名/発表者名
      Dongyuan Zhang, Shinji Nozaki and Kazuo Uchida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B

      巻: 32 号: 3 ページ: 01312021-6

    • DOI

      10.1116/1.4868634

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420283
  • [雑誌論文] High-quality gate oxide formed at 150 oC for flexible electronics2014

    • 著者名/発表者名
      Yasuhiro Iijima, Ryo Usuda, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 8S1 ページ: 08LC05-08LC05

    • DOI

      10.7567/jjap.53.08lc05

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420283
  • [雑誌論文] Microstructure developments of F-doped SiO2 thin filmsprepared by liquid phase deposition2012

    • 著者名/発表者名
      Shijun Yu, Jae Sung Lee, Shinji Nozaki, Junghyun Cho
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 520 ページ: 1718-1723

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [雑誌論文] Microstructure developments of F-doped SiO2 thin films prepared by liquid phase deposition2012

    • 著者名/発表者名
      Shijun Yu, Jae Sung Lee, Shinji Nozaki, Junghyun Cho
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 520 ページ: 1718-1723

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [雑誌論文] Microstructure developments of F-doped SiO2 thin films prepared by liquid phase deposition2012

    • 著者名/発表者名
      Shijun Yu, Jae Sung Lee, Shinji Nozaki, Junghyun Cho
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 520

      ページ: 1718-1723

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656211
  • [雑誌論文] High-quality oxideformed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plasticsubstrates and GaN epilayers2009

    • 著者名/発表者名
      S. Nozaki, S. Kimura, A. Koizumi, H. Onoand K. Onoand K. Uchida
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 11 ページ: 384-389

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [雑誌論文] High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plastic substrates and GaN epilayers2009

    • 著者名/発表者名
      S.Nozaki, S.Kimura, A.Koizumi, H.Ono, K.Uchida
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing 11

      ページ: 384-389

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [雑誌論文] Photoluminescence of Si nanocrystals formed by thephotosynthesis2008

    • 著者名/発表者名
      S. Nozaki, C. Y. Chen, S. Kimura, H. Ono, K. Uchida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517

      ページ: 50-54

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [雑誌論文] Photoluminescence of Si nanocrystals formed by the photosynthesis2008

    • 著者名/発表者名
      S.Nozaki, C.Y.Chen, S.Kimura, H.Ono, K.Uchida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517

      ページ: 50-54

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [雑誌論文] Photoluminescence of Sinanocrystals formed by the photosynthesis2008

    • 著者名/発表者名
      S. Nozaki, C. Y. Chen, S. Kimura, H. Ono, and K. Uchida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 517 ページ: 50-54

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [雑誌論文] Optical nonlineality of monodispersed, capped ZnS quantum particles2004

    • 著者名/発表者名
      V.V.Nikesh, A.Dharmadhikari, H.Ono, S.Nozaki, G.R.Kumar, S.Mahamuni
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 84(23)

      ページ: 4602-4604

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350183
  • [雑誌論文] Growth and characterization of p-type InGaAs on InP substrates by LP-MOCVD using a new carbon-dopant source, CBrCl_32004

    • 著者名/発表者名
      K.Uchida, K.Takahashi, S.Kabe, S.Nozaki, H.Morisaki
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 272

      ページ: 658-663

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350183
  • [雑誌論文] Substrate Nanostructuration : Self-assembling and Nanoparticles, (European Materials Research Society Symposia Proceedings 174, Proceedings of Symposium T of the 2004 European Materials Research Society Meeting, Strasbourg, France, 24-28 May 2004).2004

    • 著者名/発表者名
      I.Berbezier, A.Pimpinelli, R.Hull, S.Nozaki, Editors
    • 雑誌名

      Superlattices and Microstructures (Special Issue) 36(1-3)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350183
  • [雑誌論文] Quantum confinement effect in HgTe nanocrystals and visible luminescence2004

    • 著者名/発表者名
      S.Rath, A.K.Dash, S.N.Sahu, S.Nozaki
    • 雑誌名

      International Journal of Nanoscience 3(3)

      ページ: 393-401

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350183
  • [雑誌論文] Real-time measurement of rocking curves during MOVPE growth of Ga_xIn_<1-x>P/GaAs2003

    • 著者名/発表者名
      S.Bhunia, T.Kawamura, Y.Watanabe, S.Fujikawa, J.Matsui, Y.Kagoshima, Y.Tsusaka, K.Uchida, S.Nozaki, H.Morisaki
    • 雑誌名

      Appl.Surface Science 216

      ページ: 382-387

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350183
  • [雑誌論文] EMRS 2002 Symposium S, Micro- and Nano-Structured Semiconductors2003

    • 著者名/発表者名
      I.Berbezier, A.Nassiopoulou, S.Nozaki ed.
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering (Special Issue) B101(1-3)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350183
  • [雑誌論文] Metal organic vapor phase epitaxial growth of heavily carbon-doped GaAs using a dopant source of CCl_3 and quantitative analysis of the compensation mechanism in the epilayers2003

    • 著者名/発表者名
      S.Bhunia, K.Uchida, S.Nozaki, N.Sugiyama, M.Furiya, H.Morisaki
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 93(3)

      ページ: 1613-1619

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350183
  • [雑誌論文] The effects of Sb on the oxidation of Ge quantum dots2003

    • 著者名/発表者名
      Y.S.Lim, F.Bassani, A.Portavoce, A.Ronda, S.Nozaki, I.Berbezier
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering B101 I.(1-3)

      ページ: 190-193

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350183
  • [雑誌論文] Heavily carbon doping of GaAs by MOVPE using a newdopant source CBrCl_3 and characterization of the epilayers2003

    • 著者名/発表者名
      K.Uchida, S.Bhunia, N.Sugiyama, M.Furiya, M.Katoh, S.Katoh, S.Nozaki, H.Morisaki
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 248

      ページ: 124-129

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350183
  • [雑誌論文] Electron transport in Ge nanocrystalline films deposited using the cluster beam evaporation technique2002

    • 著者名/発表者名
      S.Banerjee, S.Nozaki, H.Morisaki
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 91(7)

      ページ: 4307-4311

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350183
  • [雑誌論文] A photo-oxidation generated low-k dielectric film deposited by reactive evaporation of SiO2002

    • 著者名/発表者名
      J.J.Si, Y.Show, S.Banerjee, H.Ono, K.Uchida, S.Nozaki, H.Morisaki
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering 60

      ページ: 313-321

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350183
  • [産業財産権] 整流素子2012

    • 発明者名
      野崎眞次、内田和男、黒川真吾、古川実、白土正
    • 権利者名
      日本電業工作株式会社、電気通信大学
    • 産業財産権番号
      2012-094148
    • 出願年月日
      2012-04-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656211
  • [産業財産権] 整流素子2012

    • 発明者名
      野崎眞次、内田和男、黒川真吾、古川 実、白土 正
    • 権利者名
      日本電業工作株式会社、電気通信大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2012-04-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656211
  • [学会発表] Effect of O2/Ni gas ratio on the epitaxial growth of NiO films by metalorganic chemical vapordeposition,2013

    • 著者名/発表者名
      Teuku Muhammad Roffi, Motohiko Nakamura, Kazuo Uchida and Shinji Nozaki
    • 学会等名
      2013 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      SanFrancisco, CA, USA.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656211
  • [学会発表] Effect of O2/Ni gas ratio on the epitaxial growth of NiO films by metalorganic chemical vapor deposition2013

    • 著者名/発表者名
      Teuku Muhammad Roffi, Motohiko Nakamura, Kazuo Uchida and Shinji Nozaki
    • 学会等名
      2013 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, CA, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656211
  • [学会発表] Intense ultraviolet photoluminescence observed at room temperature from NiO nano-porous thin films grown by the hydrothermal technique2012

    • 著者名/発表者名
      Sachindra Nath Sarangi, Puratap Kumar Sahoo, Kazuo Uchida, Surendra Nath Sahu, Shinji Nozaki, and Dongyuan Zhang
    • 学会等名
      2012 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656211
  • [学会発表] Fabrication of a p-NiO/n-Si heterjunction diode by UV oxidation of Ni deposited on n-Si2012

    • 著者名/発表者名
      Dongyuan Zhang, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki
    • 学会等名
      2012 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656211
  • [学会発表] Fabrication of a p-NiO/n-Si heterjunction diode by UV oxidation of Ni deposited on n-Si2012

    • 著者名/発表者名
      Dongyuan Zhang, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki
    • 学会等名
      2012 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, MA, USA.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656211
  • [学会発表] UV酸化による半導体ニッケル酸化物の作製2011

    • 著者名/発表者名
      張 東元、小泉 淳、内田和男、Ramakrishnan Veerabahu、野崎眞次
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656211
  • [学会発表] XPSによる低温シリコン酸化膜の評価-フレキシブル基板上の集積回路をめざして2011

    • 著者名/発表者名
      野崎眞次
    • 学会等名
      日本電子EPMA・表面分析ユーザーズミーティング2011
    • 発表場所
      東京大学武田先端知ビル
    • 年月日
      2011-10-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] UV 酸化による半導体ニッケル酸化物の作製2011

    • 著者名/発表者名
      張東元,小泉淳,内田和男,Ramakrishnan Veerabahu,野崎眞次
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • 年月日
      2011-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656211
  • [学会発表] UV酸化による半導体ニッケル酸化物の作製2011

    • 著者名/発表者名
      張東元、小泉淳、小野洋、内田和男、野崎眞次
    • 学会等名
      電気通信大学・東京農工大学第8回合同シンポジウム
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2011-12-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] UV酸化による半導体ニッケル酸化膜の作製2011

    • 著者名/発表者名
      張 東元、小泉 淳、小野 洋、内田和男、野崎眞次
    • 学会等名
      電気通信大学・東京農工大学第8回合同シンポジウム
    • 発表場所
      東京農工大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656211
  • [学会発表] XPSによる低温シリコン酸化膜の評価-フレキシブル基板上の集積回 路をめざして2011

    • 著者名/発表者名
      野崎 眞次
    • 学会等名
      日本電子 EPMA・表面分析ユーザーズミーティング 2011
    • 発表場所
      東京大学武田先端知ビル
    • 年月日
      2011-10-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656211
  • [学会発表] UV酸化による半導体ニッケル酸化物の作製2011

    • 著者名/発表者名
      張東元、小泉淳、内田和男、Ramakrishnan Veerabahu、野崎眞次
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • 年月日
      2011-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] UV酸化による半導体ニッケル酸化物の作製2011

    • 著者名/発表者名
      張東元m小泉淳、小野 洋、内田和男、野崎眞次
    • 学会等名
      電気通信大学・東京農工大学第8回合同シンポジウム
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2011-12-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23656211
  • [学会発表] 真空紫外光照射によるSi/SiO2界面構造の改質2010

    • 著者名/発表者名
      山崎政宏、小泉淳、小野洋、内田和男、野崎眞次
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] C-t法による低温酸化膜MOSキャパシターの電気的特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      高井伸彰, 小池俊平, 小野洋, 内田和男, 野崎眞次
    • 学会等名
      電子情報通信学会東京支部学生会講演論文集
    • 発表場所
      東京電機大学
    • 年月日
      2010-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] C-t法による低温酸化膜MOSキャパシターの電気的特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      高井伸彰、小池俊平、小野洋、内田和男、野崎眞次
    • 学会等名
      電子情報通信学会東京支部学生会講演会
    • 発表場所
      東京電機大学
    • 年月日
      2010-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] SiOナノ粉末への光照射によるSiナノクリスタルの形成機構2010

    • 著者名/発表者名
      杉本真矩、小泉淳、小野洋、内田和男、野崎眞次
    • 学会等名
      第30回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2010-11-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] C-t法による低温酸化膜MOSキャパシターの電気的特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      高井伸彰、小池俊平、小野洋、内田和男、野崎眞次
    • 学会等名
      電子情報通信学会東京支部学生会
    • 発表場所
      東京電機大学
    • 年月日
      2010-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] フレキシブル基板、化合物半導体基板上のMOSFET作製用酸化シリコンナノ粒子:真空蒸着と光酸化による高品位酸化膜の作製2010

    • 著者名/発表者名
      野崎眞次
    • 学会等名
      ケースレー・シンポジウム2010
    • 発表場所
      ホテルインターコンチネンタル東京ベイ
    • 年月日
      2010-07-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] フレキシブル基板、化合物半導体基板上のMOSFET作製用酸化シリコンナノ粒子:真空蒸着と光酸化による高品位酸化膜の作製2010

    • 著者名/発表者名
      野崎眞次
    • 学会等名
      ケースレー・シンポジウム2010
    • 発表場所
      ホテルインターコンチネンタル東京ベイ(基調講演)
    • 年月日
      2010-07-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] SiOナノ粒子への光照射によるシリコンナノ結晶の形成機構2009

    • 著者名/発表者名
      杉本真矩、小泉淳、小野洋、内田和男、野崎真次
    • 学会等名
      電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2009-12-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] SiO粉末への光照射によるSiナノ結晶の形成2008

    • 著者名/発表者名
      李宰盛、野崎真次、小泉淳、内田和男、小野洋
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plastic substrates and GaN epilayers(招待講演)2008

    • 著者名/発表者名
      S. Nozaki, S. Kimura, A. Koizumi, H. Ono, K. Uchida
    • 学会等名
      The E-MRS 2008 Spring Meeting, SymposiumJ
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      2008-05-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] High-quality oxideformed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plasticsubstrates and GaN epilayers2008

    • 著者名/発表者名
      S. Nozaki, S. Kimura, A. Koizumi, H. Onoand K. Uchida
    • 学会等名
      The E-MRS2008 Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      2008-05-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder : Application to MOSFET's on plastic substrates and GaN epilayers2008

    • 著者名/発表者名
      S.Nozaki, S.Kimura, A.Koizumi, H.Ono, K.Uchida
    • 学会等名
      The E-MRS 2008 Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg, France(招待講演)
    • 年月日
      2008-05-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360137
  • [学会発表] Structural, electrical and optical properties of CoxNi1-xO films grown by metalorganic chemical vapor deposition

    • 著者名/発表者名
      Teuku Muhammad Roffi, Kazuo Uchida and Shinji Nozaki
    • 学会等名
      17th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Lausanne, Switzerland
    • 年月日
      2014-07-13 – 2014-07-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420283
  • [学会発表] UV酸化によるp-NiO/n-Siヘテロ接合ダイオードの作製

    • 著者名/発表者名
      張 東元、内田和男、野崎眞次
    • 学会等名
      第74回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420283
  • [学会発表] Visible-blind UV sensor made by UV oxidation of metallic zinc on p-Si

    • 著者名/発表者名
      Dongyuan Zhang, Kazuo Uchida and Shinji Nozaki
    • 学会等名
      8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials
    • 発表場所
      Niagara Falls, Ontario, Canada
    • 年月日
      2014-09-07 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420283
  • 1.  小野 洋 (00134867)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 16件
  • 2.  森崎 弘 (00029167)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  小長井 誠 (40111653)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  高橋 清 (10016313)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  内田 和男 (80293116)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 5件
  • 6.  松本 和彦
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  HANEMAN Dan
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  WEBER Eicke
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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