宇佐美徳隆 usami noritaka

研究者番号	20262107
その他のID	https://orcid.org/0000-0002-0602-2847
外部サイト
所属 (現在)	2025年度: 名古屋大学, 工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2025年度: 名古屋大学, 工学研究科, 教授 2013年度 – 2015年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2012年度: 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 2007年度 – 2010年度: 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 1999年度 – 2006年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助教授 1995年度 – 1999年度: 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助手 1998年度: 東大, 先端科学技術研究センター, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 中区分26:材料工学およびその関連分野 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 理工系 / 結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 理工系 / 電子・電気材料工学 / 応用光学・量子光工学 / 金属物性 / 理工系隠す
キーワード	研究代表者太陽電池 / シリコン / 酸化チタン / ヘテロ接合 / 結晶シリコン / 結晶成長 / 分子線エピタキシー / シリコンゲルマニウム / 量子ドット / 半導体量子ドット … もっと見る / ヘテロ接合太陽電池 / キャリア選択性材料 / アルミニウム誘起成長法 / 窒化ガリウム / アルミニウム誘起層交換成長 / 国際研究者交流インド / シリコン多結晶 / 国際研究者交流　インド / ナノ構造 / 表面界面制御 / 雨滴発電 / 水滴発電 / 局所構造 / 白色中性子ホログラフィー / 軽元素 / 非平衡成長 / 多元混晶 / 窒化チタン / ドーパントフリー / 光閉じ込め構造 / Two-dimensional hole gas / Modulation doping / Strain-controlled thin film / Multicomponent Zone-melting Method / Molecular Beam Epitaxy / Silicon Germanium / 二次元正孔ガス / 変調ドーピング構造 / 歪み制御薄膜 / 溶質元素補給ゾーン成長法 / 分子線エピタキシー法 / indirect semiconductor / electron localization / charged exciton / modulation doping / semiconductor quantum well / semiconductor quantum dot / microscopic photoluminescence / 励起子分子 / 局在励起子 / フォトルミネッセンス / 間接遷移型半導体 / 電子局在 / 帯電励起子 / 変調ドーピング / 半導体量子井戸 / 顕微フォトルミネッセンス / 放射冷却 / ヘテロ構造 / 歪みシリコン / 亜粒界 / 粒界 / 結晶方位 / シリコンバルク多結晶 / バルク多結晶 / 状態図 / 歪み分布 / 顕微ラマン / SiGe / SGOI / MOSFET / SOI / 歪みSi / ゲルマニウム / フィードバック制御 / その場観察 / 溶質元素補給ゾーン成長 / 選択成長 / Stranski-Krastanow成長様式 / ガスソース分子線エピタキシ- / 分子線エピタキシ- / 歪み超格子 … もっと見る研究代表者以外 SiGe / シリコンゲルマニウム / InGaAsN / 量子ドット / neighboring confinement structure / 間接遷移型半導体 / 隣接閉じ込め構造 / 太陽電池 / RF-MBE / MOVPE / InGaPN / GaAsN / 無フォノン発光 / AlGaP / 量子細線 / 量子井戸 / 微小共振器 / 歪み / 結晶成長 / 結晶欠陥 / シリコン / 島状成長 / 光エレクトロニクス / 熱光発電セル / データ駆動科学 / シリサイド半導体 / 脆化 / バンド / 水素脆化 / エピタキシャル薄膜 / ハイドロジェノミクス / 界面 / 水素 / 可視化 / 錯体水素化物 / 水素化物 / resonant tunneling / strained Si / floating zone growth / multicomponent zone-melting method / multicomponent bulk crystal / ヘテロ構造 / 優先成長方位 / フローティングゾーン成長法 / 分子線エピタキシー / 逆格子空間マッピング / 共鳴トンネル / 歪みシリコン / フローティングゾーン成長 / 溶質元素補給成長法 / バルク結晶 / huge bandgap bowing / slloy semiconductors / diluted nitride alloy / 巨大ボウイング / 窒化物半導体 / 有機金属気相成長 / GaNAs / GaNP / 巨大バンドギャッブボウイング / InAsN / 巨大バンドギャップボウイング / 混晶半導体 / III-V-N型窒化物混晶 / island growth / Quantum dot / Optelectronics / exciton / strain field / 局在 / 励起子分子 / DBR / 自己形成Geドット / 不均一歪み場 / 励起子 / 歪み場 / in-situ monitoring / alloy semiconductor / multicomponet zone-melting method / 基板 / 単結晶 / 成長界面 / In-Ga-As / 均一組成 / 多元系バルク結晶 / その場観察 / 多元系半導体バルク結晶 / 溶質元素補給ゾーン成長法 / selective epitaxy / quantum dots / Stranski-Krastanow成長様式 / ガスソース分子線エピタキシ- / Si(311)面 / SiGeの混晶 / 不純物散乱 / 界面ラフネス散乱 / 変調ドープ構造 / イオン注入 / SiGe混晶 / 選択成長 / no phonon transition / indireck semiconductors / アルミニウムガリウム燐 / Antiphase Domain / Quasi Phase Matching / Sublattice Reversal / Domain Inversion / Compound Semiconductor / Second-Harmonic Generation / Frequency Conversion / Nonlinear Optics / 差周波発生 / 差調波発生 / アンチフェイズドメイン / 疑似位相整合 / 副格子交換 / 分極反転 / 化合物半導体 / 光第2高調波発生 / 波長変換 / 非線形光学 / quantum dot / quantum wire / quantum well / 超格子 / 高誘電率絶縁膜 / マイクロディスク / 光電子融合デバイス / 導波路 / シミュレーション / フォトニック結晶 / ゲルマニウム / ファセット成長 / デンドライト結晶 / せん断応力 / ランダム粒界 / 亜粒界 / Siバルク多結晶 / 浮遊キャスト法 / 浮遊キャスト成長 / 多結晶 / X線回折 / 塑性変形 / 結晶レンズ / 3次元原子像 / 結晶構造 / 局所構造 / 三次元原子像 / 電子顕微鏡 / ホログラフィー / 結晶粒径 / 成長速度 / 潜熱 / 過冷度 / 融液成長 / 初期酸化 / リン吸着デジタル制御 / 自己触媒 / 電界効果トランジスタ / 変調ドーピング / 低温Si層 / CMP / 発光ダイオード / 電界効果型トランジス / 電界効果型トランジスタ / 光物性 / 電子物性 / 人工IV族半導体 / 核スピン / 半導体 / 同位体隠す

多結晶材料組織を縮約したネットワークグラフの活用による高性能材料創成への挑戦研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2026
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分26:材料工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
データ駆動科学によるシリサイド大型結晶開発と高効率熱光発電セルへの応用
- 研究代表者
  
  鵜殿治彦
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  茨城大学
表面界面制御による雨滴発電の高効率化と雨でも発電する太陽電池への挑戦研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2023
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
太陽光発電の利用領域を拡大するドーパントフリーフレキシブル太陽電池創製への挑戦研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2021
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
軽元素制御による高機能な準安定シリコン系多元混晶材料の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分26:材料工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
局在水素によるヘテロ界面機能の強化
- 研究代表者
  
  一杉太郎
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2022
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
マイクロＬＥＤへの応用に向けたガラス基板上シリコン薄膜への窒化ガリウムの選択成長研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  特別研究員奨励費
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
結晶シリコン太陽電池の高効率化に向けたキャリア選択性材料に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2018
- 研究種目
  
  特別研究員奨励費
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
太陽電池用高品質シリコン多結晶インゴットの成長技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  特別研究員奨励費
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
シリコン融液表面の放射冷却による薄板状結晶成長とガスフロートへの挑戦研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
イオン注入による欠陥制御を利用した圧縮歪みシリコンの実現と高正孔移動度素子応用研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
   東北大学
革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京都市大学
融液中に浮遊させたSi結晶の成長メカニズムの研究と高品質Si多結晶の成長技術開発
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
局所領域三次元原子構造解析のための電子線励起X線ホログラフィーの開発
- 研究代表者
  
  林好一
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  東北大学
ゲルマニウム結晶ウェハーの高温加圧加工によるX線用モノクロメーター結晶の研究
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  東北大学
バルク多結晶組織アーキテクチュアに向けた結晶成長技術開発と高効率太陽電池への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
絶縁体上SiGe仮想基板の形成機構の解明と高機能電子デバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
量子ドットによる歪み誘起バンドギャップ変化を利用した太陽電池用材料の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2002
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
SiGe基板単結晶の低欠陥化と歪みを制御した機能性ヘテロ構造の創製
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
シリコン系混晶半導体のグローバル成長制御研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2001
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
過冷炉度を制御した融液成長法による太陽電池用Si多結晶の大粒径化と高効率化
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
SiGe混晶基板を利用した歪み制御Si系高機能電子デバイスに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
溶質元素補給ゾーン成長法による均一組成を持った多元系バルク単結晶の開発
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
不均一歪み場制御による無フォノン励起子発光増大に関する研究
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
III-V-N型窒化物系混晶半導体の巨大ボウイング効果と物性応用
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
極微プローブ光を用いた半導体微細構造の空間および時間分解分光に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
   東京大学
核スピン濃度と分析を制御した半導体超構造の作製と評価
- 研究代表者
  
  伊藤公平
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  慶応義塾大学
半導体量子ドットの構造制御と新機能素子への応用に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
機能性IV族半導体超構造の結晶成長と高機能集積回路への応用に関する研究
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
超微細構造半導体の結晶成長および配列制御に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
分極反転エピタクシーの研究と波長変換素子への応用
- 研究代表者
  
  伊藤良一
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
新しい超構造を有する間接遷移型半導体の光学遷移に関する研究
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
間接型半導体の量子マイクロ構造による光学遷移制御
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学

[図書] Silicon-germanium (SiGe) nanostructures2011
- 著者名/発表者名
  Y.Shiraki N.Usami
- 総ページ数
  627
- 出版者
  Woodhead Publishing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[図書] Silicon germanium (SiGe)nanostructures2011
- 著者名/発表者名
  Y. Shiraki and N. Usami
- 総ページ数
  627
- 出版者
  Woodhead Publishing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[図書] 太陽電池の物理2010
- 著者名/発表者名
  ペーターヴュルフェル著, 宇佐美徳隆、石原照也、中嶋一雄監訳
- 出版者
  丸善
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[図書] 太陽電池の物理2010
- 著者名/発表者名
  ペーターヴュルフェル著, 宇佐美徳隆、石原照也、中嶋一雄監訳
- 出版者
  丸善(5月出版予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[図書] Fundamental understanding of subgrain boundaries(Advances in Materials Research 14)(Crystal Growth of Si for Solar Cells, edited by K.Nakajima, and N.Usami)(chap.6)2009
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Core-shell yarn-structured triboelectric nanogenerator for harvesting both waterdrop and biomechanics energies2024
- 著者名/発表者名
  Wang Haitao、Kurokawa Yasuyoshi、Zhang Jia-Han、Gotoh Kazuhiro、Liu Xin、Miyamoto Satoru、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 17 号: 1 ページ: 0170051-6
- DOI
  10.35848/1882-0786/ad1f06
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18807
[雑誌論文] Influence of post-oxidizing treatment on passivation performance on the spin-coated titanium oxide films on crystalline silicon2023
- 著者名/発表者名
  Luo Hao、Nguyen Van Hoang、Gotoh Kazuhiro、Ajito Saya、Hojo Tomohiko、Kurokawa Yasuyoshi、Akiyama Eiji、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 764 ページ: 139597-139597
- DOI
  10.1016/j.tsf.2022.139597
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[雑誌論文] Free‐Standing Electrode and Fixed Surface Tiny Electrode Implemented Triboelectric Nanogenerator with High Instantaneous Current2023
- 著者名/発表者名
  Wang Haitao、Kurokawa Yasuyoshi、Wang Jia、Cai Wentao、Zhang Jia‐Han、Kato Shinya、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Small
  
  巻: 12 号: 18 ページ: 23085311-9
- DOI
  10.1002/smll.202308531
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18807
[雑誌論文] Performance enhancement of droplet-based electricity generator using a CYTOP intermediate layer2022
- 著者名/発表者名
  Haitao Wang, Yasuyoshi Kurokawa, Kazuhiro Gotoh, Shinya Kato, Shigeru Yamada, Takashi Itoh and Noritaka Usami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SC ページ: SC1032-SC1032
- DOI
  10.35848/1347-4065/acaca7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18807
[雑誌論文] Epitaxial growth of SiGe films by annealing Al-Ge alloyed pastes on Si substrate2022
- 著者名/発表者名
  Keisuke Fukuda, Satoru Miyamoto, Masahiro Nakahara, Shota Suzuki, Marwan Dhamrin, Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Yukiharu Uraoka, Noritaka Usami
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 12 号: 1 ページ: 147701-11
- DOI
  10.1038/s41598-022-19122-7
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[雑誌論文] Silicon Nanocrystals Embedded in Nanolayered Silicon Oxide for Crystalline Silicon Solar Cells2022
- 著者名/発表者名
  Ryohei Tsubata, Kazuhiro Gotoh, Masashi Matsumi, Markus Wilde, Tetsuya Inoue, Yasuyoshi Kurokawa, Katsuyuki Fukutani, and Noritaka Usami
- 雑誌名
  
  ACS Applied Nano Materials
  
  巻: 5 号: 2 ページ: 1820-1827
- DOI
  10.1021/acsanm.1c03355
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K15127, KAKENHI-PLANNED-18H05518, KAKENHI-PLANNED-18H05514, KAKENHI-PROJECT-21H04650
[雑誌論文] Passivation mechanism of the high-performance titanium oxide carrier-selective contacts on crystalline silicon studied by spectroscopic ellipsometry2021
- 著者名/発表者名
  Gotoh Kazuhiro、Miura Hiroyuki、Shimizu Ayako、Kurokawa Yasuyoshi、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBF04-SBBF04
- DOI
  10.35848/1347-4065/abd6dd
- NAID
  120007164846
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[雑誌論文] Improved Performance of Titanium Oxide/Silicon Oxide Electron-Selective Contacts by Implementation of Magnesium Interlayers2021
- 著者名/発表者名
  Yuta Nakagawa, Kazuhiro Gotoh, Tetsuya Inoue, Yasuyoshi Kurokawa, and Noritaka Usami
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi A
  
  巻: 218 号: 19 ページ: 21002961-6
- DOI
  10.1002/pssa.202100296
- NAID
  120007190664
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998, KAKENHI-PLANNED-18H05514
[雑誌論文] 水素局在化によるヘテロ界面機能の強化2021
- 著者名/発表者名
  後藤和泰、宇佐美徳隆
- 雑誌名
  
  セラミックス/日本セラミックス協会
  
  巻: 56 ページ: 80-83
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[雑誌論文] Impact of chemically grown silicon oxide interlayers on the hydrogen distribution at hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterointerfaces2021
- 著者名/発表者名
  Gotoh Kazuhiro、Wilde Markus、Ogura Shohei、Kurokawa Yasuyoshi、Fukutani Katsuyuki、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 567 ページ: 150799-150799
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2021.150799
- NAID
  120007190663
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04884, KAKENHI-PROJECT-21H04650, KAKENHI-PLANNED-18H05514, KAKENHI-PLANNED-18H05518
[雑誌論文] Activation energy of hydrogen desorption from high-performance titanium oxide carrier-selective contacts with silicon oxide interlayers2021
- 著者名/発表者名
  Gotoh Kazuhiro、Mochizuki Takeya、Hojo Tomohiko、Shibayama Yuki、Kurokawa Yasuyoshi、Akiyama Eiji、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Current Applied Physics
  
  巻: 21 ページ: 36-42
- DOI
  10.1016/j.cap.2020.10.002
- NAID
  120007145986
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[雑誌論文] Application of Bayesian optimization for improved passivation performance in TiOx/SiOy/c-Si heterostructure by hydrogen plasma treatment2021
- 著者名/発表者名
  Miyagawa Shinsuke、Gotoh Kazuhiro、Kutsukake Kentaro、Kurokawa Yasuyoshi、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 2 ページ: 025503-025503
- DOI
  10.35848/1882-0786/abd869
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[雑誌論文] Application of Bayesian optimization for high-performance TiOx/SiOy/c-Si passivating contact2021
- 著者名/発表者名
  Shinsuke Miyagawa, Kazuhiro Gotoh, Kentaro Kutsukake, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials and Solar Cells
  
  巻: 230 ページ: 1112511-7
- DOI
  10.1016/j.solmat.2021.111251
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998, KAKENHI-PLANNED-18H05514
[雑誌論文] Scalable fabrication of GaN on amorphous substrates via MOCVD on highly oriented silicon seed layers2020
- 著者名/発表者名
  Hainey Mel、Robin Yoann、Avit Geoffrey、Amano Hiroshi、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 535 ページ: 125522-125522
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2020.125522
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366, KAKENHI-PROJECT-18F18347
[雑誌論文] Impact of deposition of indium tin oxide double layers on hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon heterojunction2020
- 著者名/発表者名
  Semma Masanori、Gotoh Kazuhiro、Wilde Markus、Ogura Shohei、Kurokawa Yasuyoshi、Fukutani Katsuyuki、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 6 ページ: 065008-065008
- DOI
  10.1063/5.0009994
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514, KAKENHI-PLANNED-18H05518, KAKENHI-PROJECT-17H01057
[雑誌論文] Effect of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiOx on crystalline silicon prepared by atomic layer deposition2020
- 著者名/発表者名
  Miyagawa Shinsuke、Gotoh Kazuhiro、Ogura Shohei、Wilde Markus、Kurokawa Yasuyoshi、Fukutani Katsuyuki、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology A
  
  巻: 38 号: 2 ページ: 022410-022410
- DOI
  10.1116/1.5134720
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514, KAKENHI-PROJECT-17H01057
[雑誌論文] Effect of forming gas annealing on hydrogen content and surface morphology of titanium oxide coated crystalline silicon heterocontacts2020
- 著者名/発表者名
  Nakagawa Yuta、Gotoh Kazuhiro、Wilde Markus、Ogura Shohei、Kurokawa Yasuyoshi、Fukutani Katsuyuki、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology A
  
  巻: 38 号: 2 ページ: 022415-022415
- DOI
  10.1116/1.5134719
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514, KAKENHI-PLANNED-18H05518, KAKENHI-PROJECT-17H01057
[雑誌論文] Fabrication of group IV semiconductor alloys on Si substrate applying Al paste with screen-printing2020
- 著者名/発表者名
  Nakahara Masahiro、Matsubara Moeko、Suzuki Shota、Dhamrin Marwan、Miyamoto Satoru、Hainey Mel Forrest、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SG ページ: SGGF07-SGGF07
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab6e0b
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366
[雑誌論文] Surface-orientation control of silicon thin films via aluminum-induced crystallization on monocrystalline cubic substrates2020
- 著者名/発表者名
  Hainey Mel、Zhou Eddie (Chenhui)、Viguerie Loic、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 533 ページ: 125441-125441
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.125441
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366
[雑誌論文] Pole figure analysis from electron backscatter diffraction?an effective method of evaluating fiber-textured silicon thin films as seed layers for epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  Hainey Mel、Robin Yoann、Amano Hiroshi、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 2 ページ: 025501-025501
- DOI
  10.7567/1882-0786/aafb26
- NAID
  210000135579
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366
[雑誌論文] Hydrogen concentration at a-Si:H/c-Si heterointerfaces-The impact of deposition temperature on passivation performance2019
- 著者名/発表者名
  Gotoh Kazuhiro、Wilde Markus、Kato Shinya、Ogura Shohei、Kurokawa Yasuyoshi、Fukutani Katsuyuki、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 9 号: 7 ページ: 075115-075115
- DOI
  10.1063/1.5100086
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514, KAKENHI-PLANNED-18H05518, KAKENHI-PROJECT-17H01057
[雑誌論文] Epitaxial growth of SiGe on Si substrate by printing and firing of Al-Ge mixed paste2019
- 著者名/発表者名
  Fukami Shogo、Nakagawa Yoshihiko、Hainey Mel F.、Gotoh Kazuhiro、Kurokawa Yasuyoshi、Nakahara Masahiro、Dhamrin Marwan、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 4 ページ: 045504-045504
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab00e5
- NAID
  210000155617
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366
[雑誌論文] Controllable Optical and Electrical Properties of Nb Doped TiO2 Films by RF Sputtering2018
- 著者名/発表者名
  Xuemei Cheng, Kazuhiro Gotoh, Takeya Mochizuki, Noritaka Usami
- 雑誌名
  
  2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC) (A Joint Conference of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC & 34th EU PVSEC) - Proceeding
  
  巻: - ページ: 1986-1990
- DOI
  10.1109/pvsc.2018.8548205
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17723
[雑誌論文] Local Structure of High Performance TiOx Electron-Selective Contact Revealed by Electron Energy Loss Spectroscopy x Electron-Selective Contact Revealed by Electron Energy Loss Spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  Mochizuki Takeya、Gotoh Kazuhiro、Kurokawa Yasuyoshi、Yamamoto Takahisa、Usami Noritaka
- 雑誌名
  
  Advanced Materials Interfaces
  
  巻: 6 号: 3 ページ: 1801645-1801645
- DOI
  10.1002/admi.201801645
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514, KAKENHI-PROJECT-16K14546
[雑誌論文] Effect of substrate type on the electrical and structural properties of TiO2 thin films deposited by reactive DC sputtering2018
- 著者名/発表者名
  Xuemei Cheng, Kazuhiro Gotoh, Yoshihiko Nakagawa, Noritaka Usami
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 491 ページ: 120-125
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.04.001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17723
[雑誌論文] Towards optimized nucleation control in multicrystalline silicon ingot for solar cells2017
- 著者名/発表者名
  G. Anandhababu, I. Takahashi, T. Muramatsu, and N. Usami
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 印刷中
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04356
[雑誌論文] Improved multicrystalline silicon ingot quality using single layer silicon beads coated with silicon nitride as seed layer2016
- 著者名/発表者名
  G .Anandhababu, I. Takahashi, S. Matsushima, and N. Usami
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 441 ページ: 124-130
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.02.021
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04356
[雑誌論文] Gas-source MBE growth of strain-relaxed Si1-xCx on Si(100) substrates2013
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Shoichiro Sakai, Hiroshi Furukawa, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 378 ページ: 212-217
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.12.152
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001, KAKENHI-PROJECT-25600079
[雑誌論文] Formation of compressively strained Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 362 ページ: 276-281
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.12.084
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760011, KAKENHI-PROJECT-24360001, KAKENHI-PROJECT-25600079
[雑誌論文] Room temperature electroluminescence from Ge quantum dots embedded in photonic crystal microcavities2012
- 著者名/発表者名
  Toshiki Tsuboi, Xuejun Xu, Jinsong Xia,Noritaka Usami, Takuya Maruizumi, andYasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 5 ページ: 052101-052101
- DOI
  10.1143/apex.5.052101
- NAID
  10030593466
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Silicon-based current-injected light emitting diodes with Ge self-assembled quantum dots embedded in photonic crystal nanocavities2012
- 著者名/発表者名
  Xuejun Xu, Toshiki Tsuboi, Taichi Chiba, Noritaka Usami, Takuya Maruizumi, and Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Optics Express
  
  巻: 20(13) 号: 13 ページ: 14714-14721
- DOI
  10.1364/oe.20.014714
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Silicon-based light emitting devices based on Ge self-assembled quantum dots embedded in optical cavity2012
- 著者名/発表者名
  Xuejun Xu, Sho Narusawa, Taichi Chiba, Toshiki Tsuboi, Jinsong Xia, Noritaka Usami, Takuya Maruizumi, and Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of Selected Topics inQuantum Electronics
  
  巻: 18(6) 号: 6 ページ: 1830-1838
- DOI
  10.1109/jstqe.2012.2206802
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Upper limit of two-dimensional hole gas mobility in strained Ge/SiGe Heterostructures2012
- 著者名/発表者名
  T. Tanaka, Y. Hoshi, K. Sawano, N. Usami, Y. Shiraki, and K. M. Itoh
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 100 号: 22 ページ: 222102-222102
- DOI
  10.1063/1.4723690
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003, KAKENHI-PROJECT-22241024
[雑誌論文] Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channels2011
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, K.Toyama, R.Masutomi, T.Okamoto, K.Arimoto, K.Nakagawa, N.Usami, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 88 ページ: 465-468
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Impact of type of crystal defects in multicrystalline Si on electrical properties and interaction with impurities2011
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, H.Mizuseki, Y.Kawazoe, G.Stokkan, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Implementation of faceted dendrite growth on floating cast method to realize high-quality multicrsytalline Si ingot for solar cells2011
- 著者名/発表者名
  N.Usami, I.Takahashi, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Line width dependence of anisotropic strain state in SiGe films induced by selective ion implantation2011
- 著者名/発表者名
  Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, S. Nagakura, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4 ページ: 95701-95701
- NAID
  10029622735
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Line width dependence of anisotropic strain state in SiGe films induced by selective ion implantation2011
- 著者名/発表者名
  Y.Hoshi, K.Sawano, A.Yamada, S.Nagakura, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4 号: 9 ページ: 095701-095701
- DOI
  10.1143/apex.4.095701
- NAID
  10029622735
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Implementation of faceted dendrite growth on floating cast method to realize high-quality multicrsytalline Si ingot for solar cells2011
- 著者名/発表者名
  N.Usami, I.Takahashi, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Impact of type of crystal defects in multicrystalline Si on electrical prope and interaction with impurities2011
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, H.Mizuseki, Y.Kawazoe, G.Stokkan, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Ion energy and dose dependence of strain relaxation for thin SiGe buffer layers using Si+ implantation2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hoshi, K.Sawano, A.Yamada, K.Arimoto, N.Usami, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Formation of Uniaxially Strained SiGe by Selective Ion Implantation Technique2010
- 著者名/発表者名
  Kentarou Sawano, Yusuke Hoshi, Atsunori Yamada, Yoshiyasu Hiraoka, Noritaka Usami, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518
  
  ページ: 2454-2456
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] A computational investigation of relationship between shear stress and multicrystalline structure in silicon2010
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, 宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, K.Morishita, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. (未定, 印刷中)
- NAID
  210000068399
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Formation of Uniaxially Strained SiGe by Selective Ion Implantation Technique2010
- 著者名/発表者名
  Kentarou Sawano, Yusuke Hoshi, AtsunoriYamada, Yoshiyasu Hiraoka, Noritaka Usami, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, and Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 518 ページ: 2454-2454
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Growth mechanism of the Si <110> faceted dendrite2010
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, H.Fukuda, N.Usami, K.Nakajima, S.Uda
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 81
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Pattern formation mechanism of a periodically faceted interface during crystallization of Si2010
- 著者名/発表者名
  M.Tokairin, K.Fujiwara, K.Kutsukake, H.Kodama, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth
  
  巻: 312 ページ: 3670-3674
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Optical anisotropies of Si grown on step-graded SiGe(110) layers2010
- 著者名/発表者名
  R.E.Balderas-Navarro, L.F.Lastras-Martinez, K.Arimoto, R.Castro-Garcia, O.Villalobos-Aguilar, A.Lastras-Martinez, K.Nakagawa, K.Sawano, Y.Shiraki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 96
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Growth mechanism of the Si <110> faceted dendrite2010
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, H.Fukuda, N.Usami, K.Nakajima, S.Uda
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 81
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Relationship between grain boundary structures in Si multicrystals and generation of dislocations during crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami, R.Yokoyama, I.Takahashi, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Ion dose, energy, and species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hoshi, K.Sawano, A.Yamada, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Ion dose, energy, and species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique2010
- 著者名/発表者名
  Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, N. Usami,K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 107 ページ: 103509-103509
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Generation mechanism of dislocations during directional solidification of multicrystalline silicon using artificially designed seed2010
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, 宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, G.Stokkan, K.Morishita, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 897-901
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Pattern formation mechanism of a periodically faceted interface during crystallization of Si2010
- 著者名/発表者名
  M.Tokairin, K.Fujiwara, K.Kutsukake, H.Kodama, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 3670-3674
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Generation mechanism of dislocations during directional solidification of multicrystalline silicon using artificially designed seed2010
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, K.Kutsukake, G.Stokkan, K.Morishita, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 312
  
  ページ: 897-901
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] A computational investigation of relationship between shear stress and multicrystalline structure in silicon2010
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, K.Kutsukake, K.Morishita, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
- NAID
  210000068399
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Relationship between grain boundary structures in Si multicrystals and generation of dislocations during crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, R.Yokoyama, I.Takahashi, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 107
  
  ページ: 13511-13511
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Room-temperature electroluminescence from Si microdisks with Ge quantum dots2010
- 著者名/発表者名
  J. Xia, Y. Takeda, N. Usami, T. Maruizumi, and Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  Optics Express
  
  巻: 18 ページ: 13945-13950
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Strain relaxation mechanisms in step-graded SiGe/Si(110) heterostructures grown by gas-source MBE at high temperatures2009
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 819-824
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Quantitative analysis of sub-grain boundaries in Si multicrystals and their impact on electrical properties and solar cell performance2009
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, T.Ohtaniuchi, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] 太陽電池用多結晶シリコン中の亜粒界についての基礎研究2009
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗、宇佐美徳隆、藤原航三、中嶋一雄
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌 36
  
  ページ: 13-20
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Local Control of Strain in SiGe by IonImplantation Technique2009
- 著者名/発表者名
  K. Sawano, Y. Hoshi, Y. Hiraoka, N. Usami , K. Nakagawa, Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 311 ページ: 806-808
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Floating cast method to realize high-quality Si bulk multicrystals for solar cells2009
- 著者名/発表者名
  Y. Nose, I. Takahashi, W. Pan, N. Usami, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 311
  
  ページ: 228-231
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] 太陽電池用高品質シリコンバルク多結晶の製造技術2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆、騰原航三、沓掛健太朗、中嶋一雄
- 雑誌名
  
  電子材料 48
  
  ページ: 10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Microstructures of Si multicrystals and their impact on minority carrier diffusion length2009
- 著者名/発表者名
  H.Y.Wang, N.Usami, K.Fujiwara, K.Kutsukake, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Acta Materialia 57
  
  ページ: 3268-3276
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Floating cast method to realize high-quality Si bulk multicrystals for solar cells2009
- 著者名/発表者名
  Y.Nose, I.Takahashi, W.Pan, N.Usami, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 311
  
  ページ: 228-231
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Strain relaxation mechanisms in compositionally uniform and step-graded SiGe films grown on Si(110) substrates2009
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics 53
  
  ページ: 1135-1143
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures2009
- 著者名/発表者名
  K. Sawano, K. Toyama, R. Masutomi, T. Okamoto, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 95 ページ: 122109-122109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures2009
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, K.Toyama, R.Masutomi, T.Okamoto, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 95
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Floating cast method to realize high-quality Si bulk multicrystals for solar cells2009
- 著者名/発表者名
  Y. Nose, I. Takahashi, W. Pan, N. Usami, K. Fujiwara, and K. Nakaiima
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 311
  
  ページ: 228-231
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Microstructures of Si multicrystals and their impact on minority carrier diffusion length2009
- 著者名/発表者名
  H.Y.Wang, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 沓掛健太朗, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  Acta Materialia 57
  
  ページ: 3268-3276
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] 太陽電池用高品質シリコンバルク多結晶の製造技術2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 藤原航三, 沓掛健太朗, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  電子材料 48
  
  ページ: 10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Quantitative analysis of sub-grain boundaries in Si multicrystals and their impact on electrical properties and solar cell performance2009
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, N. Usami, T. Ohtaniuchi, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 105
  
  ページ: 44909-44909
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Structural and transport properties of strained SiGe grown on V-groove patterned Si(110) substrates2009
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Genki Kawaguchi, Kana Shimizu, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 814-818
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Generation and Wavelength Control of Resonant Luminescence from Silicon Photonic Crystal Microcavities with Ge Dots2009
- 著者名/発表者名
  Jinsong Xia, Ryuichiro Tominaga, Seiji Fukamitsu, Noritaka Usami, Yasuhiro Shiraki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
- NAID
  40016464751
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Formation mechanism of the faceted interface: in-situ observation of the Si (100) crystal-melt interface during crystallization2009
- 著者名/発表者名
  M.Tokairin, K.Fujiwara, K.Kutsukake, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B. 80
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  Cap.6 Fundamental understanding of subgrain boundaries, in"Crystal Growth of Si for Solar Cells"(edited by K. Nakajima, and N. Usami)(Springer)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Crystalline morphologies of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (110) Si substrates2009
- 著者名/発表者名
  Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 809-813
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Fabrication of thin strain-relaxed SiGe buffer layers with high Ge composition by ion implantation method2009
- 著者名/発表者名
  Y.Hoshi, K.Sawano, Y.Hiraoka, Y.Sato, Y.Ogawa, A.Yamada, N.Usami, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 825-828
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Local Control of Strain in SiGe by Ion Implantation Technique2009
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, Y.Hoshi, Y.Hiraoka, N.Usami, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 806-808
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[雑誌論文] Floating cast method to realize high-quality Si bulk multicrystals for solar cells2009
- 著者名/発表者名
  Y. Nose, I. Takahashi, W. Pan, N. Usami, K. Fujiwara, and K. Nakaiima
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 311
  
  ページ: 228-231
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Growth Behavior of Faceted Si Crystals at Grain Boundary Formation2009
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, S.Tsumura, M.Tokairin, K.Kutsukake, N.Usami, S.Uda, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 19-23
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Quantitative analysis of sub-grain boundaries in Si multicrystals and their impact on electrical properties and solar cell performance2009
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, N. Usami, T. Ohtaniuchi, K. Fujiwara, and K. Nakaiima
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 105
  
  ページ: 44909-44909
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Formation mechanism of the faceted interface : in-situ observation of the Si(100)crystal-melt interface during crystallization2009
- 著者名/発表者名
  M.Tokairin, 藤原航三, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 80
  
  ページ: 174108-174108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Growth behavior of faceted Si crystals at grain boundary formation2009
- 著者名/発表者名
  藤原航三, S.Tsumura, M.Tokairin, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, S.Uda, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 19-23
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Quantitative analysis of sub-grain boundaries in Si multicrystals and their impact on electrical properties and solar cell performance2009
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, N. Usami, T. Ohtaniuchi, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 105
  
  ページ: 44909-44909
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] 太陽電池用高品質シリコンバルク多結晶の製造技術2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆、藤原航三、沓掛健太朗、中嶋一雄
- 雑誌名
  
  電子材料 48
  
  ページ: 10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Structural origin of a cluster of bright spots in reverse bias electroluminescence image of solar cells based on Si multicrystals2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, I. Yonenaga, and K. Nakaiima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
  
  ページ: 75001-75001
- NAID
  10025081680
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Impact of defect density in.Si bulk multicrystals on gettering effect of impurities2008
- 著者名/発表者名
  I. Takahashi, N. Usami, R. Yokoyama, Y. Nose, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakaiima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 47
  
  ページ: 8790-8792
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Siバルク多結晶の組織制御による太陽電池の高効率化2008
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆. 藤原航三, 沓掛健太朗, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 108
  
  ページ: 73-76
- NAID
  110006792719
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] In situ observation of Si faceted dendrite growth from low-degree-of-undercooling melts2008
- 著者名/発表者名
  K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, G. Sazaki, Y. Nose, A. Nomura, T. Shishido and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Acta Materialia 56
  
  ページ: 2663-2668
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Growth mechanism of Si-faceted dendrites2008
- 著者名/発表者名
  K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, K. Nakaiima
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Lett 101
  
  ページ: 55503-55503
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Siバルク結晶の組織制御による電池の高効率化2008
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆、藤原航二、沓掛健太朗、中嶋一雄
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 108
  
  ページ: 73-76
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Impact of detect density in Si bulk multicrystals on gettering effect of impurities2008
- 著者名/発表者名
  I. Takahashi, N. Usami, R. Yokoyama, Y. Nose, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 47
  
  ページ: 8790-8792
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Structural origin of a cluster of bright spots in reverse bias electroluminescence image of solar cells based on Si multicrystals2008
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, K.Fujiwara, I.Yonenaga, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 1
- NAID
  10025081680
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Impact of defect density in Si bulk multicrystals on gettering effect of impurities2008
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, R.Yokoyama, Y.Nose, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 47
  
  ページ: 8790-8792
- NAID
  40016389603
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Poly-Si film with long carrier lifetime prepared by rapid thermal annealing of Cat-CVD amorphous silicon thin films2008
- 著者名/発表者名
  K. Ohdaira, Y. Abe, M. Fukuda, S. Nishizaki, N. Usami, K. Nakajima, T. Karasawa, T. Torikai, and H. Matsumura
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 516
  
  ページ: 600-603
- NAID
  120001300211
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Impact of defect density in Si bulk multicrystals on gettering effect of impurities2008
- 著者名/発表者名
  I. Takahashi, N. Usami, R. Yokoyama, Y. Nose, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 47
  
  ページ: 8790-8792
- NAID
  40016389603
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Siバルク多結晶の組織制御による太陽電池の高効率化2008
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆、藤原航三、沓掛健太朗、中嶋一雄
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 108
  
  ページ: 73-76
- NAID
  110006792719
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Structural origin of a cluster of bright spots in reverse bias electroluminescence image of solar cells based on Si multicrystals2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, I. Yonenaga, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
  
  ページ: 75001-75001
- NAID
  10025081680
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] In situ observation of Si faceted dendrite growth from low-degree-of-undercooling melts2008
- 著者名/発表者名
  K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, G Sazaki, Y. Nose, A. Nomura, T. Shishido and K. Nakaiima
- 雑誌名
  
  Acta Materialia 56
  
  ページ: 2663-2668
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] In situ observation of Si faceted dendrite growth from low-degree-of-undercooling melts2008
- 著者名/発表者名
  K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, G. Sazaki, Y. Nose, A. Nomura, T. Shishido and K. Nakaiima
- 雑誌名
  
  Acta Materialia 56
  
  ページ: 2663-2668
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Growth mechanism of Si-faceted dendrites2008
- 著者名/発表者名
  K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Lett 101
  
  ページ: 55503-55503
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Growth mechanism of Si-faceted dendrites2008
- 著者名/発表者名
  K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Lett 101
  
  ページ: 55503-55503
- NAID
  40019490875
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Structural origin of a cluster of bright spots in reverse bias electroluminescence image of solar cells based on Si multicrystals2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, I. Yonenaga, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
  
  ページ: 75001-75001
- NAID
  10025081680
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[雑誌論文] Control of strain status in SiGe thin film by epitaxial growth on Si with buried porous layer2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, K.Nakajima, S.Amtabilian et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 90
- NAID
  120002337940
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth temperature dependence of lattice structures of SiGe/graded buffer structures grown on Si(110) substrates by gas-source MBE2007
- 著者名/発表者名
  K.Arimoto, J.Yamanaka, K.Nakagawa, K.Sawano, Y.Shiraki, N.Usami, et al.
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 301/302
  
  ページ: 343-348
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Formation mechanism of parallel twins related to Si-facetted dendrite growth2007
- 著者名/発表者名
  K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, G. Sazaki, Y. Nose and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Scripta Materialia 57
  
  ページ: 81-84
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Control of strain status in SiGe thin film by epitaxial growth on Si with buried porous layer2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of structural imperfection of Σ5 grain boundaries in bulk multicrystalline Si on their electrical activities2007
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 101
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] シリコンバルク多結晶太陽電池の粒界設計に向けて2007
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  マテリアルインテグレーション 20
  
  ページ: 31-36
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Fabrication of Ge channels with extremely high compressive strain and their magnetotransport properties2007
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, Y.Kunishia, K.Toyama, T.Okamoto, N.Usami, et al.
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 301/302
  
  ページ: 339-342
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Application of Czochralski-grown Si-rich SiGe bulk crystal as a substrate for luminescent quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, R.Nihei, I.Yonenaga, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 90
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Improvement in the conversion efficiency of single-junction SiGe solar cells by intentional introduction of the compositional distribution2007
- 著者名/発表者名
  M.Tayanagi, N.Usami, et al.
- 雑誌名
  
  J. Applied Physics 101
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Control of strain status in SiGe thin film by epitaxial growth on Si with buried porous layer2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, K.Nakajima, S.Amtabilian, A.Fave, M.Lemiti
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 90
- NAID
  120002337940
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] シリコンバルク多結晶太陽電池の粒界設計に向けて2007
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗、宇佐美徳隆、藤原航三、中嶋一雄
- 雑誌名
  
  マテリアルインテグレーション 20
  
  ページ: 31-36
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Improvement in the conversion efficiency of single-junction SiGe solar cells by intentional introduction of the compositional distribution2007
- 著者名/発表者名
  M. Tayanagi, N. Usami, W. Pan, K. Ohdaira , K. Ujiwara , Y. Nose , and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 101
  
  ページ: 54504-54504
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] A new technique for quantitative analysis of sub-grain boundary density and its influence on minority carrier diffusion length in bulk multicrystalline silicon2007
- 著者名/発表者名
  Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami, Tsuyoshi Ohtaniuchi, Kozo Fujiwara, Yoshitaro Nose, and Kazuo Nakajima
- 雑誌名
  
  Proceedings of 22nd Europena Photovoltaic Solar Energy Conference
  
  ページ: 1371-1373
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Effect of the compositional distribution on the photovoltaic power conversion of SiGe solar cells2007
- 著者名/発表者名
  N. Usami, W. Pan, K. Fujiwara, M. Tayanagi, K. Ohdaira, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Solar Energy Mat. And Solar Cells 91
  
  ページ: 123-128
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Structure and its influence on electrical activity of a near {310}Σ5 grain boundary in bulk silicon2007
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Nose, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Materials Transaction 48
  
  ページ: 143-147
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Structure and its influence on electrical activity of a near {310} Σ5 grain boundary in bulk silicon2007
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  Materials Transaction 48
  
  ページ: 143-147
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Improvement in the conversion efficiency of single-junction SiGe solar cells by intentional introduction of the compositional distribution2007
- 著者名/発表者名
  M.Tayanagi, N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 89
  
  ページ: 162103-162103
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Effect of the compositional distribution on the photovoltaic power conversion of SiGe solar cells2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, M.Tayanagi, K.Ohdaira, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Solar Energy Mat.and Solar Cells 91
  
  ページ: 123-128
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Application of Czochralski-grown Si-rich SiGe bulk crystal as a substrate for luminescent strain-controlled quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, R.Nihei, I.Yonenaga, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Structure and its influence on electrical activity of a near {310} Σ5 grain boundary in bulk silicon2007
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Materials Transaction. 48
  
  ページ: 143-147
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Effect of the compositional distribution on the photovoltaic power conversion of SiGe solar cells2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, et al.
- 雑誌名
  
  Solar Energy Mat. and Solar Cells 91
  
  ページ: 123-128
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Improvement in the conversion efficiency of single-junction SiGe solar cells by intentional introduction of the compositional distribution2007
- 著者名/発表者名
  M.Tayanagi, N.Usami, W.Pan, K.Ohdaira, K.Fujiwara, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 101
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Improvement in the conversion efficiency of single-junction SiGe solar cells by intentional introduction of the compositional distribution2007
- 著者名/発表者名
  M.Tayanagi, N.Usami, W.Pan, K.Ohdaira, K.Fujiwara, Y.Nose et al.
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 101
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Modification of local structures in multicrystals revealed by spatially resolved X-ray rocking curve analysis2007
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 102
  
  ページ: 103504-103504
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] 太陽電池用Siバルク多結晶成長技術2007
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆他
- 雑誌名
  
  工業材料 55
  
  ページ: 69-72
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Modification of local structures in multicrystals revealed by spatially resolved X-ray rocking curve analysis2007
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Effect of the compositional distribution on the photovoltaic power conversion of SiGe solar cells2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  Solar Energy Mat. and Solar Cells 91
  
  ページ: 123-128
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Influence of structural imperfection of Σ5 grain boundaries in bulk multicrystalline Si on their electrical activities2007
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 101
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Effect of the compositional distribution on the photovoltaic power conversion of SiGe solar cells2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, M.Tayanagi, K.Ohdaira et al.
- 雑誌名
  
  Solar Energy Mat. and Solar Cells 91
  
  ページ: 123-128
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of structural imperfection of Σ5 grain boundaries in bulk multicrystalline Si on their electrical activities2007
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, Y. Nose, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 101
  
  ページ: 63509-63509
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] 太陽電池用Siバルク多結晶成長技術2007
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 藤原航三, 藩伍根, 沓掛健太朗, 野瀬嘉太郎, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  工業材料 55
  
  ページ: 69-72
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Structutal modification in multicrystalline Si during directional solidification revealed by spatially resolved X-ray rocking curve analysis2007
- 著者名/発表者名
  Noritaka Usami, Kentaro Kutsukake, Kozo Fujiwara, and Kazuo Nakajima
- 雑誌名
  
  Proceedings of 22nd Europena Photovoltaic Solar Energy Conference
  
  ページ: 1104-1105
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] High-quality poly-crystalline silicon films with minority carrier lifetimes over 5μs formed by flash lamp annealing of precursor amorphous Si films prepared by catalytic chemical vapor deposition2007
- 著者名/発表者名
  K. Ohdaira, S. Nishizaki, Y, Endo, T. Fujiwara, H. matsumura, N. Usami, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 7198-7203
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Application of Czochralski-grown Si-rich SiGe bulk crystal as a substrate for luminescent quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  N.Usami, R.Nihei, I.Yonenaga, Y.Nose, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 90
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] High-quality poly-crystalline silicon films with minority carrier lifetimes over 5μs formed by flash lamp annealing of precursor amorphous Si films prepared by catalytic chemical vapor deposition2007
- 著者名/発表者名
  K. Ohdaira, S. Nishizaki, Y, Endo, T. Fujiwara, H. matsumura, N. Usami, and K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 46
  
  ページ: 7198-7203
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] シリコンバルク多結晶の粒界制御に向けて2006
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 藤原航三, 野瀬嘉太郎, 中嶋一雄
- 雑誌名
  
  まてりあ 45
  
  ページ: 720-724
- NAID
  10018310872
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Strain field and related roughness formation in SiGe relaxed buffer layers2006
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 117-119
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Strong resonant luminescence from Ge quantum dots in photonic crystal microcavity at room temperature2006
- 著者名/発表者名
  J.S.Xia, Yuta Ikegami, Y.Shiraki, N.Usami, Y.Nakata
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 89
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Suppression of structural imperfection in strained Si by utilizing SiGe bulk substrate2006
- 著者名/発表者名
  N.Usami, Y.Nose, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 88
- NAID
  120001858007
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of Structure-Controlled Polycrystalline Silicon Ingot for Solar Cells by Casting2006
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, W.Pan, N.Usami, K.Sawada, M.Tokairin, Y.Nose et al.
- 雑誌名
  
  Acta Materialia 54
  
  ページ: 3191-3197
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] High Sensitive Imaging of Atomic Arrangement of Ge Clusters Buried in a Si Crystal by X-ray Fluorescence Holography2006
- 著者名/発表者名
  S.Kusano, S.Nakatani, K.Sumitani, T.Takahashi, Y.Yoda, N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 45
  
  ページ: 5248-5253
- NAID
  10018149383
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Suppression of structural imperfection in strained Si by utilizing SiGe bulk substrate2006
- 著者名/発表者名
  N.Usami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 88
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of Stacked Ge islands on the Dark Current-Voltage Characteristics and Conversion Efficiency of the Solar Cells2006
- 著者名/発表者名
  A.Alguno, N.Usami, K.Ohdaira, W.Pan, M.Tayanagi, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 402-405
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Realization of Bulk Multicrystalline Silicon with Controlled Grain Boundaries by Utilizing Spontaneous Modification of Grain Boundary Configuration2006
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, T.Sugawara, K.Fujiwara, W.Pan, Y.Nose, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 45
  
  ページ: 1734-1737
- NAID
  40007177936
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Determination of lattice parameters of SiGe/Si(110) heterostructures2006
- 著者名/発表者名
  K.Arimoto, J.Yamanaka, K.Nakagawa, K.Sawano, Y.Shiraki, S.Koh, N.Usami
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 132-135
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Directional growth method to obtain high quality polycrystalline silicon from its melt2006
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, W.Pan, K.Sawada, M.Tokairin, N.Usami, Y.Nose, A.Nomura, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 292
  
  ページ: 282-285
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Strong resonant luminescence from Ge quantum dots in photonic crystal microcavity at room temperature2006
- 著者名/発表者名
  J.S.Xia, Yuta Ikegami, Y.Shiraki, N.Usami, Y.Nakata
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 89
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Magnetotransport properties of Ge channels with extremely high compressive strain2006
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, Y.Kunishi, Y.Shiraki, K.Toyama, T.Okamoto, N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 89
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of Structure-Controlled Polycrystalline Silicon Ingot for Solar Cells by Casting2006
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, W.Pan, N.Usami, K.Sawada, M.Tokairin, Y.Nose, A.Nomura, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Acta Materialia 54
  
  ページ: 3191-3197
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] シリコンバルク多結晶の粒界制御に向けて2006
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆他
- 雑誌名
  
  まてりあ 45
  
  ページ: 720-724
- NAID
  10018310872
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Suppression of structural imperfection in strained Si by utilizing SiGe bulk substrate2006
- 著者名/発表者名
  N.Usami, Y.Nose, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 88
- NAID
  120001858007
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Magnetotransport properties of Ge channels with extremely high compressive strain2006
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, Y.Kunishi, Y.Shiraki, K.Toyama, T.Okamoto, N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Directional growth method to obtain high quality polycrystalline silicon from its melt2006
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, W.Pan, K.Sawada, M.Tokairin, N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 292
  
  ページ: 282-285
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[雑誌論文] Magnetotransport properties of Ge channels with extremely high compressive strain2006
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, Y.Kunishi, Y.Shiraki, K.Toyama, T.Okamoto, N.Usami, K.Nakagawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 89
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Directional growth method to obtain high quality polycrystalline silicon from its melt2006
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, W.Pan, K.Sawada, M.Tokairin, N.Usami, Y.Nose et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 292
  
  ページ: 282-285
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Realization of Bulk Multicrystalline Silicon with Controlled Grain Boundaries by Utilizing Spontaneous Modification of Grain Boundary Configuration2006
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, T.Sugawara, K.Fujiwara, W.Pan, Y.Nose et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 45
  
  ページ: 1734-1737
- NAID
  40007177936
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] High Sensitive Imaging of Atomic Arrangement of Ge Clusters Buried in a Si Crystal by X-ray Fluorescence Holography2006
- 著者名/発表者名
  S.Kusano, S.Nakatani, K.Sumitani, T.Takahashi, Y.Yoda, N.Usami, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 45
  
  ページ: 5248-5253
- NAID
  10018149383
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Intermixing of Ge and Si during exposure of GeH_4 on Si2006
- 著者名/発表者名
  G.Watari, N.Usami, Y.Nose, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 163-165
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Strong resonant luminescence from Ge quantum dots in photonic crystal microcavity at room temperature2006
- 著者名/発表者名
  J.S.Xia, Y.Ikegami, Y.Shiraki, N.Usami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Changes in elastic deformation of strained Si by microfabrication2005
- 著者名/発表者名
  K.Arimoto, D.Furukawa, J.Yamanaka, K.Nakagawa, K.Sawano, S.Koh, Y.Shiraki, N.Usami
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 8
  
  ページ: 181-185
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Floating zone growth of Si-rich SiGe bulk crystal using pre-synthesized SiGe feed rod with uniform composition2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, M.Kitamura, K.Obara, Y.Nose, G.Sazaki, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 284
  
  ページ: 57-64
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, Y.Azuma, N.Usami, G.Sazaki, T.Ujihara, K.Fujiwara, T.Shishido, Y.Nishijima, T.Kusunoki
- 雑誌名
  
  INTERNATIONAL JOURNAL OF MATERIALS ＆ PRODUCT TECHNOLOGY 22
  
  ページ: 185-212
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] A simple approach to determine preferential growth orientation using multiple seed crystals with random orientations and its utilization for seed optimization to restrain polycrystalline of SiGe bulk crystal2005
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihrara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 276
  
  ページ: 393-400
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Liquid phase eptiaxial growth of Si layer on thin Si substrates from Si pure melts under near-equilibrium conditions2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Fujiwara, Y.Nose, N.Usami
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 44
  
  ページ: 5092-5095
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] On the origin of improved conversion efficiency of solar cells based on SiGe with compositional distribution2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
  
  ページ: 857-860
- NAID
  10014418496
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] A simple approach to determine preferential growth orientation using multiple seed crystals with random orientations and its utilization for seed optimization to restrain polycrystalline of SiGe bulk crystal2005
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihrara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 276
  
  ページ: 393-400
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained Si layer2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, B.Zhang, T.Yokoyama, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 275
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] On the origin of improved conversion efficiency of solar cells based on SiGe with compositional distribution2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Fujiwara, W.Pan, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
  
  ページ: 857-860
- NAID
  10014418496
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of growth temperature on minority carrier lifetime of Si layer grown by liquid phase epitaxy using Ga solvent2005
- 著者名/発表者名
  Y.Satoh, N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 98
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, Y.Azuma, N.Usami, G.Sazaki, T.Ujihara, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  INTERNATIONAL JOURNAL OF MATERIALS ＆ PRODUCT TECHNOLOGY 22
  
  ページ: 185-212
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Structural properties of directionally grown polycrystalline SiGe for solar cells2005
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, W.Pan, N.Usami, K.Sawada, A.Nomura, T.Ujihara, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 275
  
  ページ: 467-473
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Strain-field evaluation of strain-relaxed thin SiGe layers fabricated by ion-implantation method2005
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, Y.Ozawa, A.Fukumoto, N.Usami, J.Yamanaka, K.Suzuki, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
- NAID
  10016856628
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Observation of strain field fluctuation in SiGe-relaxed buffer layers and its influence on overgrown structures2005
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, N.Usami, K.Arimoto, S.Koh, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 8
  
  ページ: 177-180
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Structural properties of directionally grown polycrystalline SiGe for solar cells2005
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, W.Pan, N.Usami, K.Sawada, A.Nomura, T.Ujihara et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 275
  
  ページ: 467-473
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Floating zone growth of Si-rich SiGe bulk crystal using pre-synthesized SiGe feed rod with uniform composition2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, M.Kitamura, K.Obara, Y.Nose, G.Sazaki, K.Fujiwara, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 284
  
  ページ: 57-64
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Strain-field evaluation of strain-relaxed thin SiGe layers fabricated by ion-implantation method2005
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, Y.Ozawa, A.Fukumoto, N.Usami, J.Yamanaka et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 44
- NAID
  10016856628
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Thickness Dependence of Strain Field Distribution in SiGe Relaxed Buffer Layers2005
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 44
  
  ページ: 8445-8447
- NAID
  10016958722
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Liquid phase eptiaxial growth of Si layer on thin Si substrates from Si pure melts under near-equilibrium conditions2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Fujiwara, Y.Nose, N.Usami
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
  
  ページ: 5092-5095
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of multicrystalline Si with controlled grain boundary configuration by the floating zone technique2005
- 著者名/発表者名
  M.Kitamura, N.Usami, T.Sugawara, K.Kutsukake, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 280
  
  ページ: 419-424
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Thickness Dependence of Strain Field Distribution in SiGe Relaxed Buffer Layers2005
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
  
  ページ: 8445-8447
- NAID
  10016958722
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution and their applications for high efficiency solar cells2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Fujiwara, W.Pan, N.Usami, T.Shishido
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 275
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained Si layer2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, B.Zhang et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 275
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Analysis of the Dark-current Density in Solar Cells Based on Multicrystalline SiGe2005
- 著者名/発表者名
  K.Ohdaira, N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
  
  ページ: 8019-8022
- NAID
  10016871374
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of growth temperature on minority carrier lifetime of Si layer grown by liquid phase epitaxy using Ga solvent2005
- 著者名/発表者名
  Y.Satoh, N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 98
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Floating zone growth of Si bicrystals using seed crystals with artificially designed grain boundary configuration2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, M.Kitamura, T.Sugawara, K.Kutsukake, K.Ohdaira, Y.Nose, K.Fujiwara, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
- NAID
  10016590610
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Strain-field evaluation of strain-relaxed thin SiGe layers fabricated by ion-implantation method2005
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, Y.Ozawa, A.Fukumoto, N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
- NAID
  10016856628
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution and their applications for high efficiency solar cells2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Fujiwara, W.Pan, N.Usami, T.Shishido
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 275
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained Si layer2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 275
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained Si layer2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth (発表予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15686013
[雑誌論文] Thickness Dependence of Strain Field Distribution in SiGe Relaxed Buffer Layers2005
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
  
  ページ: 8445-8447
- NAID
  10016958722
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Analysis of the Dark-current Density in Solar Cells Based on Multicrystalline SiGe2005
- 著者名/発表者名
  K.Ohdaira, N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 44
  
  ページ: 8019-8022
- NAID
  10016871374
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Floating zone growth of Si-rich SiGe bulk crystal using pre-synthesized SiGe feed rod with uniform composition2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 284
  
  ページ: 57-64
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] On the origin of improved conversion efficiency of solar cells based on SiGe with compositional distribution2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Fujiwara, W.Pan, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 44
  
  ページ: 857-860
- NAID
  10014418496
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Structural Properties of Directionally Grown Polycrystalline SiGe for Solar Cells2005
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, W.Pan, N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 275
  
  ページ: 467-473
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of multicrystalline Si with controlled grain boundary configuration by the floating zone technique2005
- 著者名/発表者名
  M.Kitamura, N.Usami, T.Sugawara, K.Kutsukake, K.Fujiwara, Y.Nose, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 280
  
  ページ: 419-424
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] A simple approach to determine preferential growth orientation using multiple seed crystals with random orientations and its utilization for seed optimization to restrain polycrystalline of SiGe bulk crystal2005
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, N.Usami et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 276
  
  ページ: 393-400
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Floating zone growth of Si bicrystals using seed crystals with artificically designed grain boundary configuration2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, M.Kitamura, T.Sugawara, K.Kutsukake, K.Ohdaira et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 44
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] On the origin of strain fluctuation in strained-Si grown on SiGe-on-insulator and SiGe virtual substrates2004
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 85
  
  ページ: 1335-1337
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime2004
- 著者名/発表者名
  N.Usami, A.Alguno, K.Sawano, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Thin Sold Films 451/452
  
  ページ: 604-607
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ observation of melt growth behavior of polycrystalline silicon2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Y.Obinata, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 262
  
  ページ: 124-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Phase diagram of growth mode for the SiGe/Si heterostructure system with misfit dislocations2004
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, T.Ujihara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 260
  
  ページ: 372-383
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Grain growth behaviors of polycrystalline silicon during melt growth processes2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Y.Obinata, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 266
  
  ページ: 441-448
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of high-quality strain-relaxed thin SiGe layers on ion-implanted Si substrates2004
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, S.Koh, Y.Shiraki, Y.Ozawa, T.Hattori, J.Yamanaka, K.Suzuki, K.Arimoto, K.Nakagawa, N.Usami
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 85
  
  ページ: 2514-2516
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ observation of melt growth behavior of polycrystalline silicon2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Y.Obinata, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 262
  
  ページ: 124-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Grain growth behaviors of polycrystalline silicon during melt growth processes2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Y.Obinata, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 266
  
  ページ: 441-448
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime2004
- 著者名/発表者名
  N.Usami
- 雑誌名
  
  Thin Sold Films 451/452
  
  ページ: 604-607
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Effects of spacer thickness on quantum efficiency of the solar cells with embedded Ge islands in the intrinsic layer2004
- 著者名/発表者名
  Alguno, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 84
  
  ページ: 2802-2804
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Ge composition dependence of properties of solar cells based on multicrystalline SiGe with microscopic compositiona distribution2004
- 著者名/発表者名
  W.Pan, K.Fujiwara, N.Usami, T.Ujihara, K.Nakajima et al.
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 96
  
  ページ: 1238-1241
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Successful growth of an In_xGa_<1-x>As (x>0.18) single bulk crystal directly on a GaAs seed crystal with preferential orientation2004
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, Y.Nishijima, K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
- NAID
  10013276997
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Relationship between device performance and grain boundary structural configuration in a solar cell based on multicrystalline SiGe2004
- 著者名/発表者名
  N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
- NAID
  10012039322
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate2004
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Nakajima, B.P.Zhang, Y.Segawa
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. 224
  
  ページ: 95-98
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] On the origin of strain fluctuation in strained-Si grown on SiGe-on-insulator and SiGe virtual substrates2004
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 85
  
  ページ: 1335-1337
- NAID
  120002337905
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Relationship between device performance and grain boundary structural configuration in a solar cell based on multicrystalline SiGe2004
- 著者名/発表者名
  N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
- NAID
  10012039322
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Effects of growth temperature on the surface morphology of silicon thin-film on (111) silicon monocrystalline substrate by liquid phase epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Obara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 266
  
  ページ: 467-474
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Phase diagram of growth mode for the SiGe/Si heterostructure system with misfit dislocations2004
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, T.Ujihara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 260
  
  ページ: 372-383
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Successful growth of an In_xGa_<1-x>As(x>0.18) single bulk crystal directly on a GaAs seed crystal with preferential orientation2004
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, Y.Nishijima, K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihrara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
- NAID
  10013276997
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Effects of spacer thickness on quantum efficiency of the solar cells with embedded Ge islands in the intrinsic layer2004
- 著者名/発表者名
  Alguno, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima, K.Sawano, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 84
  
  ページ: 2802-2804
- NAID
  120002337903
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Effects of growth temperature on the surface morphology of silicon thin-film on (111) silicon monocrystalline substrate by liquid phase epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Obara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 266
  
  ページ: 467-474
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime2004
- 著者名/発表者名
  N.Usami, A.Alguno, K.Sawano, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, Y.Shiraki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Thin Sold Films 451/452
  
  ページ: 604-607
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate2004
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. 224
  
  ページ: 95-98
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Ge composition dependence of properties of solar cells based on multicrystalline SiGe with microscopic compositional distribution2004
- 著者名/発表者名
  W.Pan, K.Fujiwara, N.Usami, T.Ujihara, K.Nakajima, R.Shimokawa
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 96
  
  ページ: 1238-1241
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of high-quality strain-relaxed thin SiGe layers on ion-implanted Si substrates2004
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, S.Koh, Y.Shiraki, Y.Ozawa, T.Hattori, J.Yamanaka, K.Suzuki, K.Arimoto, K.Nakagawa, N.Usami
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 85
  
  ページ: 2514-2516
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of the elastic strain on the band structure of ellipsoidal SiGe coherently embedded in Si matrix2003
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Ichitsubo, T.Ujihara, T.Takahashi, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 94
  
  ページ: 916-920
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of homogeneous SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate2003
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, B.P.Zhang, Y.Segawa, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by utilizing feedback control system of the crystal-melt interface position for precise control of the growth temperature2003
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 250
  
  ページ: 298-304
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Stacked Ge islands for photovoltaic applications2003
- 著者名/発表者名
  N.Usami, A.Alguno, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima, K.Sawano, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Sci.Tech.Adv.Mat. 4
  
  ページ: 367-370
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] High-quality crystalline silicon layer grown by liquid phase epitaxy method at low growth temperature2003
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Obara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
- NAID
  10010781885
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Enhanced quantum efficiency of solar cells with self-assembled Ge dots stacked in multilayer structure2003
- 著者名/発表者名
  A.Alguno, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, Y.Shiraki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 83
  
  ページ: 1258-1260
- NAID
  120002337899
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] High-quality crystalline silicon layer grown by liquid phase epitaxy method at low growth temperature2003
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Obara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 42
- NAID
  10010781885
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-plane strain fluctuation in strained-Si/SiGe heterostructures2003
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, S.Koh, Y.Shiraki, N.Usami, K.Nakagawa
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 83
  
  ページ: 4339-4341
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of the elastic strain on the band structure of ellipsoidal SiGe coherently embedded in Si matrix2003
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Ichitsubo, T.Ujihara, T.Takahashi, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 94
  
  ページ: 916-920
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Planarization of SiGe virtual substrates by CMP and its application to strained Si modulation-doped structures2003
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, K.Arimoto, Y.Hirose, S.Koh, N.Usami, K.Nakagawa et al.
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 251
  
  ページ: 693-696
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by utilizing feedback control system of the crystal-melt interface position for precise control of the growth temperature2003
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, Y.Murakami et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 250
  
  ページ: 298-304
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of homogeneous SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate2003
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 42
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-plane strain fluctuation in strained-Si/SiGe heterostructures2003
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, S.Koh, Y.Shiraki, N.Usami, K.Nakagawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 83
  
  ページ: 4339-4341
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Stacked Ge islands for photovoltaic applications2003
- 著者名/発表者名
  N.Usami, A.Alguno, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Sci. Tech. Adv. Mat. 4
  
  ページ: 367-370
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Planarization of SiGe virtual substrates by CMP and its application to strained Si modulation-doped structures2003
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, K.Arimoto, Y.Hirose, S.Koh, N.Usami, K.Nakagawa, T.Hattori, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 251
  
  ページ: 693-696
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Enhanced quantum efficiency of solar cells with self-assembled Ge dots stacked in multilayer structure2003
- 著者名/発表者名
  A.Alguno, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, Y.Shiraki et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 83
  
  ページ: 1258-1260
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] 3D atomic imaging of SiGe system by X-ray fluorescence holography2003
- 著者名/発表者名
  K.Hayashi, Y.Takahashi, E.Matsubara, K.Nakajima, N.Usami
- 雑誌名
  
  J.Materials Science : Materials in Electronics 14
  
  ページ: 459-462
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Control of Macroscopic Absorption Coefficient of Multicrystalline SiGe by Microscopic Compositional Distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, H.Yaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 41
- NAID
  110006344347
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Evidence for the presence of built-in strain in multicrystalline SiGe with large compositional distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Takahashi, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 41
  
  ページ: 4462-4465
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface2002
- 著者名/発表者名
  G.Sazaki, Y.Azuma, S.Miyashita, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 236
  
  ページ: 125-131
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Strain distribution of Si thin film grown on multicrystalline-SiGe with microscopic compositional distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Takahashi, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 92
  
  ページ: 7098-7101
- NAID
  120002338155
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of SiGe bulk crystals with uniform composition as substrates for Si-based heterostructures2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, Y.Azuma, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Fujiwara, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Eng.B 89
  
  ページ: 364-367
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] New method for measurement of interdiffusion coefficient in high temperature solutions based on Fick's first law2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 241
  
  ページ: 387-394
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Strain distribution of Si thin film grown on multicrystalline-SiGe with microscopic compositional distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Takahashi, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 92
  
  ページ: 7098-7101
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface2002
- 著者名/発表者名
  G.Sazaki, Y.Azuma, S.Miyashita, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 236
  
  ページ: 125-131
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Murakami, T.Ujihara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials and Solar Cells 72
  
  ページ: 93-100
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In situ observation of crystal growth behavior of silicon melt2002
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Ke.Nakajima, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, H.Hasegawa, S.Mizoguchi, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 243
  
  ページ: 275-282
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for high-efficiency solar cells2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Murakami, T.Ujihara et al.
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials ＆ Solar Cell 73
  
  ページ: 305-320
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] New method for measurement of interdiffusion coefficient in high temperature solutions based on Fick's first law2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 241
  
  ページ: 387-394
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for high-efficiency solar cells2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Murakami, T.Ujihara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials ＆ Solar Cell 73
  
  ページ: 305-320
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Compositional variation in Si-rich SiGe single crystals grown by multi-component zone melting method using Si seed and source crystals2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, T.Kusunoki, Y.Azuma, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 240
  
  ページ: 373-381
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Simultaneous in-situ measurement of solute and temperature distributions in the alloy solutions2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 242
  
  ページ: 313-320
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ observation of the Marangoni convection of a NaCl aqueous solution under microgravity2002
- 著者名/発表者名
  G.Sazaki, S.Miyashita, M.Nokura, T.Ujihara, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 234
  
  ページ: 516-522
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Murakami, T.Ujihara et al.
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials and Solar Cells 72
  
  ページ: 93-100
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In situ observation of crystal growth behavior of silicon melt2002
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Ke.Nakajima, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 243
  
  ページ: 275-282
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Evaluation of mutual and intrinsic diffusion coefficients in the liquid GaGe binary system using novel determination method based on Fick's first law2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Non-cryst. Solids 312
  
  ページ: 196-202
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ observation of the Marangoni convection of a NaC1 aqueous solution under microgravity2002
- 著者名/発表者名
  G.Sazaki, S.Miyashita, M.Nokura, T.Ujihara, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 234
  
  ページ: 516-522
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of SiGe bulk crystals with uniform composition as substrates for Si-based heterostructures2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, Y.Azuma, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  Mat. Sci. Eng. B 89
  
  ページ: 364-367
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Simultaneous in-situ measurement of solute and temperature distributions in the alloy solutions2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 242
  
  ページ: 313-320
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Evidence for the presence of built-in strain in multicrystalline SiGe with large compositional distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Takahashi, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 41
  
  ページ: 4462-4465
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Evaluation of mutual and intrinsic diffusion coefficients in the liquid GaGe binary system using novel determination method based on Fick's first law2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Non-cryst.Solids 312
  
  ページ: 196-202
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Control of Macroscopic Absorption Coefficient of Multicrystalline SiGe by Microscopic Compositional Distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, H.Yaguchi, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 41
- NAID
  110006344347
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Compositional variation in Si-rich SiGe single crystals grown by multi-component zone melting method using Si seed and source crystals2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, T.Kusunoki, Y.Azuma, N.Usami, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 240
  
  ページ: 373-381
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Microstructures of Si multicrystals and their impact on minority carrier diffusion length
- 著者名/発表者名
  H.Y. Wang, N. Usami, K. Fujiwara, K. Kutsukake, K. Nakajima
- 雑誌名
  
  Acta Materialia (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[産業財産権] シリコンインゴット及びその製造方法2015
- 発明者名
  宇佐美　徳隆、高橋　勲、アナンダ　ゴビンダン　バブ
- 権利者名
  宇佐美　徳隆、高橋　勲、アナンダ　ゴビンダン　バブ
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2015-195801
- 出願年月日
  2015-10-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04356
[産業財産権] Siバルク多結晶インゴットの製造方法2010
- 発明者名
  宇佐美徳隆、中嶋一雄、高橋勲
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2008-108887
- 取得年月日
  2010-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[産業財産権] Siバルク多結晶インゴットの製造方法2010
- 発明者名
  宇佐美徳隆、中嶋一雄、高橋勲
- 権利者名
  東北大学
- 取得年月日
  2010-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[産業財産権] 半導体バルク多結晶の製造方法2009
- 発明者名
  宇佐美徳隆、中嶋一雄、沓掛健太朗
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2009-120594
- 出願年月日
  2009-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[産業財産権] Si多結晶インゴット、Si多結晶インゴットの製造方法およびSi多結晶ウェノハ2009
- 発明者名
  中嶋一雄、藤原航三、宇佐美徳隆
- 権利者名
  東北大学
- 公開番号
  2009-084145
- 出願年月日
  2009-04-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[産業財産権] Si結晶インゴットの製造方法2009
- 発明者名
  中嶋一雄、宇佐美徳隆
- 権利者名
  東北大学
- 公開番号
  2009-173518
- 出願年月日
  2009-08-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[産業財産権] Siバルク多結晶インゴットの製造方法2008
- 発明者名
  宇佐美徳隆、中嶋一雄、高橋勲
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2008-108887
- 出願年月日
  2008-04-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[産業財産権] Si結晶インゴットの製造方法2007
- 発明者名
  中嶋一雄、宇佐美徳隆
- 権利者名
  国立大学法人東北大学
- 産業財産権番号
  2007-336605
- 出願年月日
  2007-12-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[産業財産権] Si結晶インゴットの製造方法2007
- 発明者名
  宇佐美徳隆, 中嶋一
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2007-336605
- 出願年月日
  2007-08-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[産業財産権] バルク多結晶材料の製造方法2006
- 発明者名
  宇佐美徳隆, 藤原航三, 中嶋一雄
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2006-227131
- 出願年月日
  2006-08-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[産業財産権] バルク多結晶材料の製造方法2006
- 発明者名
  宇佐美徳隆他
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2006-227131
- 出願年月日
  2006-08-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[産業財産権] Si結晶インゴットの製造方法
- 発明者名
  中嶋一雄、宇佐美徳隆
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2008-180842
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 印刷とパルスレーザーアニールによるGe基板上へのGeSn薄膜成長2024
- 著者名/発表者名
  佐藤剛志, 宮本聡, 鈴木紹太, 南山偉明, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] 印刷とパルスレーザーアニールによるSi基板上へのSiGe薄膜成長2024
- 著者名/発表者名
  佐藤剛志, 宮本聡, 鈴木紹太, 南山偉明, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] Crystal growth of group IV mixed crystal thin films using screen-printing and pulse laser annealing2024
- 著者名/発表者名
  T. Sato, S. Suzuki, H. Minamiyama, M. Dhamrin, S. Miyamoto, N. Usami
- 学会等名
  2024 Korea-Japan PV Joint Workshop
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] CYTOP/BaTiO3ナノ粒子複合膜を用いた薄膜系直流水滴発電デバイス2024
- 著者名/発表者名
  王　海涛, 黒川　康良, 王　嘉, 宇佐美　徳隆
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18807
[学会発表] 表面接触電極デザインに基づき開発された高電流出力を持つ新たな摩擦発電機2023
- 著者名/発表者名
  王　海涛, 黒川　康良, 宇佐美　徳隆
- 学会等名
  第10回応用物理学会名大SC 東海地区学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18807
[学会発表] Mover Electrode/Stater with Double Electrodes Triboelectric Nanogenerator with High Instantaneous Current Triggered by a Surficial Contact Electrode2023
- 著者名/発表者名
  H. Wang, Y. Kurokawa, K. Gotoh, S. Kato, J. Zhang and N. Usami
- 学会等名
  MRS Spring Meeting & Exhibit
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18807
[学会発表] SiGe epitaxial growth via pulsed laser annealing of Al-Ge pastes on Si2023
- 著者名/発表者名
  T. Sato, S. Miyamoto, L. Xuan, S. Suzuki, M. Dhamrin, N. Usami
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE20)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] Research on next-generation PV technology in Japan2023
- 著者名/発表者名
  N. Usami
- 学会等名
  2nd Indo -Japan Joint Workshop on Photovoltaics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Impact of Plasma Treatment on Heterostructures for Silicon-Based Solar Cells2022
- 著者名/発表者名
  N. Usami
- 学会等名
  ISPlasma2022
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] 太陽電池用の結晶成長やセルプロセスへのインフォマティクス応用2022
- 著者名/発表者名
  宇佐美　徳隆
- 学会等名
  第 190 回総研セミナー「次世代の太陽光発電システム」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] Silicon nanopyramid texture fabricated by one-step solution process and its application to silicon heterojunction solar cells2022
- 著者名/発表者名
  Yuqing Li, Hitoshi Sai, Takuya Matsui, and Noritaka Usami
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] 太陽電池材料SnドープSi,Ge薄膜での局所構造観測によるSn置換量の定量評価への試み2022
- 著者名/発表者名
  星翔太, 菅野友哉, 高野元輝, Keiko Widyanisa, 小林洋大, 富松優花, 木村耕治, 八方直久, 鈴木紹太, ダムリンマルワン, 福田啓介, 宮本聡, 宇佐美徳隆, 林好一, 大山研司
- 学会等名
  日本物理学会2022年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] Rapid growth of SiGe thin-films by pulsed laser annealing of Al-Ge alloyed pastes on silicon2022
- 著者名/発表者名
  Takeshi Sato, Satoru Miyamoto, Shota Suzuki, Marwan Dhamrin, Noritaka Usami
- 学会等名
  33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] Study of local structures in Sn doped Si,Ge thin film for evaluation of Sn concentration2022
- 著者名/発表者名
  S. Hoshi, T. Kanno, M. Takano, W. Keiko, Y. Kobayashi, Y. Tomimatu, K. Kimura, N. Happo, S. Suzuki, M. Dhamrin, K. Fukuda, S. Miyamoto, N. Usami, K. Hayashi, K.Ohoyama
- 学会等名
  International Workshop on Exploration of Atomistic Disorder in Long-Range Ordered Systems and of Order in Disordered Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] Boosting the output of droplet-based energy harvester by a CYTOP intermediate layer2022
- 著者名/発表者名
  Haitao Wang, Yasuyoshi Kurokawa, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Shinya Kato, Shigeru Yamada, Takashi Itoh, Noritaka Usami
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18807
[学会発表] 太陽電池材料 Sn ドープ Si，Ge 薄膜中の Sn 及び Ge 周りの原子イメージング2022
- 著者名/発表者名
  星翔太，菅野友哉，高野元輝，小林洋大，富松優花，木村耕治，八方直久，鈴木紹太，ダムリンマルワン，宮本聡，宇佐美徳隆，林好一，大山研司
- 学会等名
  中性子科学会第22回年会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] Verification of Sn position in Sn-doped Si,Ge thin film solar cell materials　by X-ray fluorescence holography2022
- 著者名/発表者名
  S. Hoshi, T. Kanno, M. Takano, W. Keiko, Y. Kobayashi, Y. Tomimatu, K. Kimura, N. Happo, S. Suzuki, M. Dhamrin, K. Fukuda, S. Miyamoto, N. Usami, K. Hayashi, K.Ohoyama
- 学会等名
  33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] Suppressed Degradation of Passivation Performance in Titanium Oxide/Crystalline Silicon Heterostructure by Metallization using Titanium Nitride Interlayer2022
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Inoue, Kazuhiro Gotoh, Yasuyohshi Kurokawa, Noritaka Usami
- 学会等名
  SiliconPV2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] 窒化チタン/酸化チタン積層膜を用いた結晶シリコンヘテロ構造の電気的特性向上2022
- 著者名/発表者名
  井上　徹哉、後藤　和泰、黒川　康良、宇佐美　徳隆
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] Host-crystal orientation effects on SiGe epitaxial films grown by annealing Al-Ge alloyed pastes2022
- 著者名/発表者名
  Keisuke Fukuda, Satoru Miyamoto, Shota Suzuki, Masahiro Nakahara, Marwan Dhamrin, Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Noritaka Usami
- 学会等名
  33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] 脱炭素社会実現を加速する次世代太陽電池への期待2022
- 著者名/発表者名
  宇佐美　徳隆
- 学会等名
  日本工学アカデミー中部レクチャー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Al-Ge合金ペーストのパルスレーザー熱処理によるSi基板上へのSiGe薄膜成長2022
- 著者名/発表者名
  佐藤剛志, 宮本聡, 鈴木紹太, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] Impact of Plasma Treatment on Heterostructures for Silicon-Based Solar Cells2022
- 著者名/発表者名
  Noritaka Usami
- 学会等名
  ISPlasma2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] Al-Ge合金ペーストによるSi(111)基板上へのSiGe混晶薄膜の成長2022
- 著者名/発表者名
  福田啓介，宮本聡，鈴木紹太，中原正博，ダムリンマルワン，前田健作，藤原航三，宇佐美徳隆
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] 脱炭素社会実現を加速する次世代太陽電池への期待2022
- 著者名/発表者名
  宇佐美　徳隆
- 学会等名
  日本工学アカデミー中部レクチャー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] Performance enhancement of droplet-based electricity generator using a CYTOP intermediate layer2022
- 著者名/発表者名
  Haitao Wang, Yasuyoshi Kurokawa, Kazuhiro Gotoh, Satoru Miyamoto, Shinya Kato, Shigeru Yamada, Takashi Itoh, Noritaka Usami
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18807
[学会発表] Bayesian Optimization of Passivating Contacts for Crystalline Silicon Solar Cells2021
- 著者名/発表者名
  N. Usami
- 学会等名
  240th ECS Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] 太陽電池材料SnドープSi,Ge薄膜の活性サイト位置のSn量の定量評価2021
- 著者名/発表者名
  星翔太, 菅野友哉, 高野元輝, Keiko Widyanisa, 小林洋大, 富松優花, 木村耕治, 八方直久, 鈴木紹太, ダムリンマルワン, 福田啓介, 宮本聡, 宇佐美徳隆, 林好一, 大山研司
- 学会等名
  日本中性子科学会科学会第21回年会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] TiOx/結晶Siヘテロ構造における電極製膜後のパッシベーション性能の定量的評価の検討2021
- 著者名/発表者名
  深谷　昌平、後藤　和泰、松井　卓矢、齋　均、黒川　康良、宇佐美　徳隆
- 学会等名
  第18回次世代の太陽光発電システムシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] Formation of SiGe alloyed films on Si substrate by screen-printing of Al-Ge pre-alloyed mixture pastes2021
- 著者名/発表者名
  M. Nakahara, M. Matsubara, S. Suzuki, M. Dhamrin, K. Fukuda, S. Miyamoto, K. Maeda, K. Fujiwara, and N. Usami
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] Bayesian Optimization of Passivating Contacts for Crystalline Silicon Solar Cells2021
- 著者名/発表者名
  Noritaka Usami
- 学会等名
  240th ECS Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] Application of Bayesian Optimization for Improved Passivation Performance in TiOx/SiOy/c-Si Heterostructure by Hydrogen Plasma Treatment2021
- 著者名/発表者名
  N. Usami
- 学会等名
  The International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] 太陽電池用シリコン系材料の結晶成長の新展開2021
- 著者名/発表者名
  宇佐美　徳隆
- 学会等名
  R032産業イノベーションのための結晶成長委員会第１回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] Al-Ge合金ペーストを用いた多接合型太陽電池のためのSiGe混晶層形成2021
- 著者名/発表者名
  福田啓介, 宮本聡, 中原正博, 鈴木紹太, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆
- 学会等名
  第18回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム(第1回日本太陽光発電学会学術講演会)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] High Ge-Content SiGe Films Epitaxially Grown by Annealing Al-Ge Alloyed Pastes on Si Substrate2021
- 著者名/発表者名
  K. Fukuda, S. Miyamoto, M. Nakahara, S. Suzuki, M. Dhamrin, K. Maeda, K. Fujiwara and N. Usami
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials, SSDM 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] 窒化チタンを用いた酸化チタン/結晶シリコンヘテロ構造のパッシベーション性能劣化抑制2021
- 著者名/発表者名
  井上　徹哉、後藤　和泰、黒川　康良、宇佐美　徳隆
- 学会等名
  第31回材料フォーラム TOKAI
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] 合金ペーストにより形成されるSiGe混晶層のその場観察と構造評価2021
- 著者名/発表者名
  福田啓介，宮本聡，中原正博，鈴木紹太，ダムリンマルワン，前田健作，藤原航三，宇佐美徳隆
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] 蛍光X線ホログラフィーによる太陽電池材料SnドープSiGe薄膜の局所構造観測2021
- 著者名/発表者名
  星翔太, 菅野友哉, 高野元輝, 荒瀬将太朗, 石崎嵩人, 野田新太, 木村耕治, 八方直久, 中原正博, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆, 林好一, 大山研司
- 学会等名
  日本物理学会2021年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] ベイズ最適化を援用した高性能パッシベーティングコンタクトの実現～TiOx/結晶Siヘテロ構造への適用～2021
- 著者名/発表者名
  宮川晋輔, 後藤和泰, 沓掛健太朗, 黒川康良, 宇佐美徳隆
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] 日本に育て次世代型太陽電池2021
- 著者名/発表者名
  宇佐美　徳隆
- 学会等名
  第155回結晶工学分科会研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] Materials and Process Informatics for Research on Photovoltaics2020
- 著者名/発表者名
  N. Usami
- 学会等名
  The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Impact of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiOx prepared on crystalline silicon by atomic layer deposition2020
- 著者名/発表者名
  S. Miyagawa, K. Gotoh, S. Ogura, M. Wilde, Y. Kurokawa, K. Fukutani, and N. Usami
- 学会等名
  The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] 原子分解能ホログラフィーを用いた太陽電池材料 SnドープSi薄膜のSn位置の決定2020
- 著者名/発表者名
  星翔太, 菅野友哉, 高野元輝, 荒瀬将太郎, 石崎嵩人, 野田新太, 木村耕一, 八方直久, 中原正博, ダムリンマルワン, 林好一, 大山研司, 宇佐美徳隆
- 学会等名
  日本中性子科学会2020年年会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] 印刷と焼成で形成したSiGe混晶薄膜の顕微ラマン分析2020
- 著者名/発表者名
  福田啓介, 宮本聡, 中原正博, 沓掛健太郎, ダムリンマルワン, 宇佐美徳隆
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00303
[学会発表] Fabrication of Si textures with low etching margin using Ag-assisted alkaline solution2020
- 著者名/発表者名
  Y. Li, V.H. Nguyen, and N. Usami
- 学会等名
  The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20998
[学会発表] 太陽電池の物理と高効率化技術2020
- 著者名/発表者名
  宇佐美　徳隆
- 学会等名
  THE 27th INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Pathways to high-performance silicon-based solar cells: Overview of photovoltaic research at Nagoya University2019
- 著者名/発表者名
  Noritaka Usami
- 学会等名
  Instituts-Kolloquium, Institut fuer Solarenergieforschung in Hameln (ISFH)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Aluminum-induced crystallization of Si (111) on highly mismatched crystalline substrates2019
- 著者名/発表者名
  Mel Hainey, Eddie (Chenhui) Zhou, Noritaka Usami
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366
[学会発表] ヘテロ接合の高性能化メカニズムと太陽電池応用2019
- 著者名/発表者名
  後藤和泰, 宇佐美徳隆
- 学会等名
  日本学術振興会第175委員会次世代シリコン太陽電池分科会第10回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] ALD 法で作製したTiOx 電子選択層の積層化による電気的特性の制御2019
- 著者名/発表者名
  望月健矢, 後藤和泰, 黒川康良, 宇佐美徳隆
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] 太陽電池高性能化への材料科学的アプローチ：結晶シリコン太陽電池を中心に2019
- 著者名/発表者名
  宇佐美　徳隆
- 学会等名
  令和元年度物質科学研究会第2回iMATERIA研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Surface passivation of low temperature processed titanium oxide /alluminium oxide for silicon substrate2019
- 著者名/発表者名
  Xuemei Cheng, Kazuhiro Gotoh, Noritaka Usami
- 学会等名
  Global Photovoltaic Conference 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Surface passivation of low temperature processed titanium oxide /alluminium oxide for silicon substrate2019
- 著者名/発表者名
  Xuemei Cheng, Kazuhiro Gotoh, Noritaka Usami
- 学会等名
  Global Photovoltaic Conference 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17723
[学会発表] Role of the Interlayer in Improving Passivating Contact with Atomic Layer Deposited TiOx on Crystalline Si2019
- 著者名/発表者名
  Noritaka Usami
- 学会等名
  Material Research Society Fall meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] ALD法で作製した法で作製したTiOx/SiOx/結晶Siヘテロ界面のパッシベーョン効果発現メカニズム水素原子脱離の影響2019
- 著者名/発表者名
  望月健矢, 後藤和泰, 北條智彦, 黒川康良, 秋山英二, 宇佐美徳隆
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Aluminum-induced crystallization of Si(111) on highly mismatched crystalline substrates2019
- 著者名/発表者名
  Mel Hainey, Jr., Takahisa Yamamoto, Eddie (Chenhui) Zhou, Loic Viguerie, Noritaka Usami
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366
[学会発表] Multicrystalline informatics for silicon ingot with ideal microstructures2019
- 著者名/発表者名
  Noritaka Usami
- 学会等名
  European Materials Modeling Council International Workshop 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Silicon Seed Layers Fabricated by Aluminum-induced Crystallization: Guidelines for Heteroepitaxy2019
- 著者名/発表者名
  Mel Hainey, Jr., Yoann Robin, Geoffrey Avit, Loic Viguerie, Hiroshi Amano, Noritaka Usami
- 学会等名
  Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366
[学会発表] Aluminum Induced Crystallization for Heterointegration of Electronic Materials2019
- 著者名/発表者名
  el Hainey, Jr., Yoann Robin, Eddie Zhou, Hiroshi Amano, Noritaka Usami
- 学会等名
  Japan-Korea PV Joint Student Seminar,
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366
[学会発表] 印刷と焼成によるSi基板上へのSiGe層のエピタキシャル成長におけるSi基板方位の影響2019
- 著者名/発表者名
  中原　正博、深見　昌吾、Mel F. Hainey, Jr.、中川　慶彦、有元　圭介、後藤　和泰、黒川　康良、前田　健作、藤原　航三、ダムリン　マルワン、宇佐美　徳隆
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366
[学会発表] Pathways to high-performance silicon-based heterojunction solar cells2019
- 著者名/発表者名
  Noritaka Usami
- 学会等名
  XXIII International symposium Nanophysics & Nanoelectronics
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Pole figures as tools for understanding film misorientation in Group IV thin films fabricated by aluminum-induced crystallization2018
- 著者名/発表者名
  Mel Hainey、Yoann Robin、Hiroshi Amano、Noritaka Usami
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366
[学会発表] Controllable optical and electrical properties of Nb doped TiO2 films by RF sputtering2018
- 著者名/発表者名
  Xuemei Cheng, Kazuhiro Gotoh, Takeya Mochizuki, Noritaka Usami
- 学会等名
  7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17723
[学会発表] Surface passivation property of ultra-thin titanium oxide/aluminum oxide stacks for silicon based selective contact2018
- 著者名/発表者名
  Xuemei Cheng, Kazuhiro Gotoh, Ryota Nezasa, Takeya Mochizuki, Noritaka Usami
- 学会等名
  The 10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17723
[学会発表] Surface Passivation Property of Ultra-thin Titanium Oxide/Aluminum Oxide stacks for Silicon Based Selective Contact2018
- 著者名/発表者名
  Xuemei Cheng, K. Gotoh, R. Nezasa, T. Mochizuki, and N. Usami
- 学会等名
  10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17723
[学会発表] Low temperature processed high conductive Nb doped　titanium oxide thin film deposited by RF magnetron　sputtering2018
- 著者名/発表者名
  Xuemei Cheng, Kazuhiro Gotoh and Noritaka Usami
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17723
[学会発表] Transparent conductive Nb doped titanium oxide thin film deposited under low temperature by RF magnetron sputtering2018
- 著者名/発表者名
  Xuemei Cheng, Kazuhiro Gotoh, Hyunju Lee, Noritaka Usami
- 学会等名
  14th China SoG Silicon and PV Power Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17723
[学会発表] 超薄膜TiOx/結晶Si界面における酸素・水素原子の挙動2018
- 著者名/発表者名
  望月健矢,後藤和泰,黒川康良,山本剛久,宇佐美徳隆
- 学会等名
  第12回物性科学領域横断研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Coalesced, Centimeter-scale GaN Films on Amorphous Substrates via MOCVD Growth on a Silicon Seed Layer Fabricated by Aluminum-induced Crystallization2018
- 著者名/発表者名
  Mel Hainey、Yoann Robin、Hiroshi Amano、Noritaka Usami
- 学会等名
  2018 International Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366
[学会発表] Influence of illumination during ITO sputtering on passivation performance at a-Si:H/c-Si interface2018
- 著者名/発表者名
  Masanori Semma, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
- 学会等名
  The 7th Korea-Japan Joint Seminar on PV
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Local analysis of TiOx/SiOx stack with excellent electrical properties for carrier selective contact2018
- 著者名/発表者名
  Takeya Mochizuki, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Takahisa Yamamoto, Noritaka Usami
- 学会等名
  The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Multicrystalline Informatics for Silicon Ingot with Ideal Microstructures2018
- 著者名/発表者名
  Noritaka Usami
- 学会等名
  Materials Research Society Fall Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Controllable optical and electrical properties of Nb doped TiO2 films by RF sputtering2018
- 著者名/発表者名
  Xuemei Cheng, K. Gotoh, T. Mochizuki and N. Usami
- 学会等名
  WCPEC-7
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17723
[学会発表] Multicrystalline silicon informatics: A novel methodology to realize high-quality multicrystalline materials2018
- 著者名/発表者名
  Noritaka Usami
- 学会等名
  The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18H05514
[学会発表] Coalesced, Centimeter-scale GaN Films on Amorphous Substrates via MOCVD Growth on a Silicon Seed Layer Fabricated by Aluminum-induced Crystallization2018
- 著者名/発表者名
  Mel Hainey、Yoann Robin、Hiroshi Amano、Noritaka Usami
- 学会等名
  Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17366
[学会発表] Effect of substrate type on the electrical and structural properties of TiO2 thin films deposited by reactive DC sputtering2017
- 著者名/発表者名
  Xuemei Cheng, Kazuhiro Gotoh, Yoshihiko Nakagawa, Noritaka Usami
- 学会等名
  The 7th Asian Conference on Crystal growth and Crystal Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17723
[学会発表] イオン注入を利用した圧縮歪みSi/緩和Si1-xCxヘテロ構造の作製におけるイオン注入条件の検討2016
- 著者名/発表者名
  有澤洋、澤野憲太郎、宇佐美徳隆
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] Thermal stability of compressively strained Si/relaxed Si1-xCx heterostructures formed on Ar ion implanted Si (100) substrates2016
- 著者名/発表者名
  You Arisawa, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Chiaya Yamamoto, Noritaka Usami
- 学会等名
  8th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Nagoya University
- 年月日
  2016-06-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] On the growth mechanism of a muticrystalline silicon ingot with small grains by using single layer silicon beads2016
- 著者名/発表者名
  T. Muramatsu, I.Takahashi, G.Anandha Babu, and N.Usami
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Nagoya
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04356
[学会発表] Siビーズ核形成層によるハイパフォーマンス多結晶Siの育成2016
- 著者名/発表者名
  村松哲郎、高橋勲、G. Anandha babu、宇佐美徳隆
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04356
[学会発表] 微傾斜基板を用いた伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のモフォロジー及び素子特性2016
- 著者名/発表者名
  宇津山直人、佐藤圭、山田崇峰、有元圭介、山中淳二、中川清和、原康介、宇佐美徳隆、澤野憲太郎
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] Towards optimized nucleation control in multicrystalline silicon ingot for solar cells2016
- 著者名/発表者名
  G.Anandha babu, I.Takahashi, T.Muramatsu, and N.Usami
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Nagoya
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04356
[学会発表] Arイオン注入法を用いた圧縮歪み/緩和Si1-xCxヘテロ構造の作製2015
- 著者名/発表者名
  有澤洋, 星裕介, 藤原幸亮, 山中淳二, 有元圭介, 中川清和, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] Low density of dislocation clusters in high performance multicrystalline silicon ingots2015
- 著者名/発表者名
  G .Anandhababu, I. Takahashi, S. Matsushima, and N. Usami
- 学会等名
  25th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition Global Photovoltaic Conference 2015
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2015-11-15
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04356
[学会発表] 歪みSi/Si1-xCx/Si(001)ヘテロ構造の結晶性と不純物活性化過程との関係2015
- 著者名/発表者名
  藤原幸亮、酒井翔一朗、小林昭太、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、星裕介、澤野憲太郎
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] Compressively strained Si/Si1-xCx heterostructures formed by Ar ion implantation technique2015
- 著者名/発表者名
  Y.Hoshi, K.Arimoto, K.Sawano, Y.Arisawa, K.Fujiwara, J.Yamanaka, K.Nakagawa, and N.Usami
- 学会等名
  The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI 9)
- 発表場所
  Montreal, Canada
- 年月日
  2015-05-17
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] イオン注入による欠陥制御を用いて作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx ヘテロ構造の熱的安定性2015
- 著者名/発表者名
  有澤洋、星裕介、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎、宇佐美徳隆
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] Compressively strained Si/Si1-xCx heterostructures formed by Ar ion implantation technique2015
- 著者名/発表者名
  Y. Hoshi, K. Arimoto, K. Sawano, Y. Arisawa, K. Fujiwara, J. Yamanaka, K. Nakagawa, and N. Usami
- 学会等名
  9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Montreal
- 年月日
  2015-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価2015
- 著者名/発表者名
  中込諒、酒井翔一朗、藤原幸亮、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、星裕介、澤野憲太郎
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] 2歪みSi/Si1-xCx/Si(001) 構造の不純物活性化過程における結晶性及び電気特性評価2014
- 著者名/発表者名
  藤原幸亮、酒井翔一朗、古川洋志、井上樹範、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、星裕介、澤野憲太郎
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] イオン注入法がSi1-xCx/Si(001)構造の欠陥形成過程に及ぼす効果2014
- 著者名/発表者名
  中込諒、酒井翔一朗、藤原幸亮、古川洋志、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、星裕介、澤野憲太郎
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] イオン注入法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001) 構造の結晶性及びデバイス特性評価2014
- 著者名/発表者名
  中込諒、酒井翔一朗、藤原幸亮、古川洋志、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、星裕介、澤野憲太郎
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] 圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(100)ヘテロ構造における炭素傾斜組成の電気伝導特性への効果2014
- 著者名/発表者名
  酒井翔一朗、古川洋志、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、星裕介、澤野憲太郎
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] 不純物イオン注入および熱処理がSi1-xCx層の結晶性に及ぼす影響2014
- 著者名/発表者名
  藤原幸亮、酒井翔一朗、古川洋志、井上樹範、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、星裕介、澤野憲太郎
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] ガスソースMBE法による圧縮歪みSi/緩和Sil-xCx /Siヘテロ構造の形成と構造評価2013
- 著者名/発表者名
  古川洋志、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] 次世代太陽電池創製に向けたマルチスケールシリコン系結晶2013
- 著者名/発表者名
  宇佐美　徳隆
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会
- 発表場所
  産業技術総合研究所
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600084
[学会発表] 圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(100)構造を用いたMOSFETに関する研究2013
- 著者名/発表者名
  中込諒、酒井翔一朗、藤原幸亮、古川洋志、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、星裕介、澤野憲太郎、白木靖寛
- 学会等名
  第２回結晶工学未来塾
- 発表場所
  学習院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] 太陽電池用マルチスケールシリコン系結晶2013
- 著者名/発表者名
  宇佐美　徳隆
- 学会等名
  日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第81回研究会
- 発表場所
  東北大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600084
[学会発表] Si1-xCx混晶半導体の不純物活性化プロセスにおける結晶欠陥形成過程の解明2013
- 著者名/発表者名
  藤原幸亮、酒井翔一朗、古川洋志、井上樹範、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、星裕介、澤野憲太郎、白木靖寛
- 学会等名
  第２回結晶工学未来塾
- 発表場所
  学習院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] Gas-source MBE growth of compressively strained-Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures2012
- 著者名/発表者名
  S. Sakai, H. Furukawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, Y. Hoshi, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami
- 学会等名
  The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  奈良
- 年月日
  2012-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360001
[学会発表] Electroluminescence of a Si-based light emitting device using photonic crystal microcavity with self-assembled Ge dots2011
- 著者名/発表者名
  T.Tsuboi, J.S.Xia, X.Xu, N.Usami, T.Maruizumi, Y.Shiraki
- 学会等名
  E-MRS 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Nice, France
- 年月日
  2011-05-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Stripe line width dependence of anisotorpic strain states induced into SiGe films by selective ion implantation technique2011
- 著者名/発表者名
  Y.Hoshi, K.Sawano, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 学会等名
  E-MRS 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Nice, France
- 年月日
  2011-05-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Room temperature electroluminescence from Ge quantum dots embedded in photonic crystal microcavity2011
- 著者名/発表者名
  Toshiki Tsuboi, Jinsong Xia, Xuejun Xu, Yuuki Takeda, Noritaka Usami, Takuya Maruizumi, Yasuhiro Shiraki
- 学会等名
  7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2011-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] シリコンバルク多結晶の結晶成長過程における欠陥発生機構の解明2010
- 著者名/発表者名
  阿部匠朗, 沓掛健太朗, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(平塚)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 選択的イオン注入法により作製される一軸性歪みSiGeの表面構造評価2010
- 著者名/発表者名
  永倉壮, 星裕介, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆, 中川清和, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Impact of coherency of grain boundaries in Si multicrystals on materials properties to affect solar cell performance2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami, I.Takahashi, K.Kutsukake, K.Nakajima
- 学会等名
  in the CSSC-4 Workshop(Invited Speaker)
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] High efficiency solar cells obtained from small size ingots with 30cmφ by controlling the distribution and orientation of dendrite crystals grown along the bottom of the ingots2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Kutsukake, K.Fujiwara, N.Usami, S.Ono, I.Yamasaki
- 学会等名
  in The 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (25th EU PVSEC) The 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-5) Feria Valencia
- 発表場所
  Valencia, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Impact of grain boundaries in multicrystalline Si on materials properties2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami
- 学会等名
  in 2010 International Conference of Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] デンドライト利用キャスト成長法によるSi多結晶インゴットの組織と欠陥制御による高品質化2010
- 著者名/発表者名
  中嶋一雄、沓掛健太朗、宇佐美徳隆、藤原航三
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(平塚)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 材料科学からの結晶シリコン太陽電池の高効率化へのアプローチ2010
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗、宇佐美徳隆、藤原航三、森下浩平、中嶋一雄
- 学会等名
  日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部学術討論会
- 発表場所
  名古屋大学(名古屋)
- 年月日
  2010-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Impact of grain boundaries in multicrystalline Si on materials properties2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami
- 学会等名
  2010 International Conference of Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  東京(日本)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Growth mechanism of Si faceted dendrites and its application to the casting method for growing structure-controlled polycrystalline Si ingots2010
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, K.Nakajima, K.Kutsukake, N.Usami, S.Uda
- 学会等名
  16th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  北京(中国)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Suppression of generation of dislocations in Si multicrystals by controlling coherency of grain boundaries at the initial stage of crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami, I.Takahashi, R.Yokoyama, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  in The 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (25th EU PVSEC), The 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-5), Feria Valencia
- 発表場所
  Valencia, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Suppression of generation of dislocations in Si multicrystals by controlling coherency of grain boundaries at the initial stage of crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami, I.Takahashi, R.Yokoyama, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  The 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (25th EU PVSEC) The 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-5)
- 発表場所
  バレンシア(スペイン)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] CVDにより作製した歪みGeチャネルの電気伝導特性2010
- 著者名/発表者名
  榑林徹, 星裕介, 那須賢太郎, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Growth mechanism of Si faceted dendrites and its application to the casting method for growing structure-controlled polycrystalline Si ingots2010
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, K.Nakajima, K.Kutsukake, N.Usami, S.Uda
- 学会等名
  in the 16th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Beijin, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] High efficiency solar cells obtained from small size ingots with 30 cmφ by controlling the distribution and orientation of dendrite crystals using the dendritic casting method2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Morishita, K.Kutsukake, K.Fujiwara, N.Usami, S.Ono, I.Yamasaki
- 学会等名
  CSSC-4 Workshop
- 発表場所
  台北(台湾)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Toward realization of high-quality multicrystalline silicon for solar cells2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami
- 学会等名
  The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010
- 発表場所
  岡山(日本)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] フォトニック結晶微小共振器を用いたSi系発光デバイスのエレクトロルミネッセンス2010
- 著者名/発表者名
  坪井俊紀、夏金松、深水聖司、宇佐美徳隆、丸泉琢也、白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Effect of line width on uniasial strain states of SiGe layers fabricated by selective ion implantation2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hoshi, K.Sawano, A.Yamada, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 学会等名
  5th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
- 発表場所
  Stockholm (Sweden)
- 年月日
  2010-05-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channels2010
- 著者名/発表者名
  K.Sawano, K.Toyama, R.Masutomi, T.Okamoto, N.Usami, K.Arimoto, K.Nakagawa, Y.Shiraki
- 学会等名
  E-MRS 2010 Spring Meeting, Symposium H
- 発表場所
  Strasbourg (France)
- 年月日
  2010-06-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Toward realization of high-quality multicrystalline silicon for solar cells2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami
- 学会等名
  in The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010
- 発表場所
  Okayama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Formation mechanism of twin boundaries in silicon multicrystals during crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, T.Abe, N.Usami, K.Fujiwara, K.Morishita, K.Nakajima
- 学会等名
  in The 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Hawaii Convention Center, Honolulu, In Proceedings of The 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference(pp.810-811)(2010).
- 発表場所
  Hawaii, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 複合種結晶を用いた多結晶Siの成長と転位発生メカニズムの解明2010
- 著者名/発表者名
  高橋勲、宇佐美徳隆、沓掛健太朗、Gaute Stokkan、森下浩平、中嶋一雄
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(平塚)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] (110)面を表面に有する歪みSiの正孔移動度と結晶モフォロジーとの関係2010
- 著者名/発表者名
  八木聡介, 有元圭介, 中川清和, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄, 澤野憲太郎, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] High efficiency solar cells obtained from small size ingots with 30cmφ by controlling the distribution and orientation of dendrite crystals using the dendritic casting method2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Morishita, K.Kutsukake, K.Fujiwara, N.Usami, S.Ono, I.Yamasaki
- 学会等名
  in the CSSC-4 Workshop(Invited Speaker)
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Ge量子ドットを有する1次元フォトニック結晶微小共振器による1,3μm帯での単一ピーク発光2010
- 著者名/発表者名
  小林正人、夏金松、武田雄貴、宇佐美徳隆、丸泉琢也、白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Formation mechanism of twin boundaries in silicon multicrystals during crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, T.Abe, N.Usami, K.Fujiwara, K.Morishita, K.Nakajima
- 学会等名
  The 35^<th> IEEE Photovoltaic Specialists Conference
- 発表場所
  ハワイコンベンションセンター(ホノルル)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Ar^+およびSi^+イオン注入欠陥がSiGe層の歪緩和に与える影響2010
- 著者名/発表者名
  星裕介, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆, 有元圭介, 中川清和, 白木靖寛
- 学会等名
  2010年秋季<第71回>応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003
[学会発表] Impact of coherency of grain boundaries in Si multicrystals on materials properties to affect solar cell performance2010
- 著者名/発表者名
  N.Usami, I.Takahashi, K.Kutsukake, K.Nakajima
- 学会等名
  CSSC-4 Workshop
- 発表場所
  台北(台湾)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] High efficiency solar cells obtained from small size ingots with 30 cmφ by controlling the distribution and orientation of dendrite crystals grown along the bottom of the ingots2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Kutsukake, K.Fujiwara, N.Usami, S.Ono, I.Yamasaki
- 学会等名
  The 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (25th EU PVSEC) The 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-5)
- 発表場所
  バレンシア(スペイン)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] How can we decrease defect density in Si multicrystals to realize high-efficiency solar cells?2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 高橋勲, R.Yokoyama, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  ハンブルグ(ドイツ)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Growth of high-quality Si multicrystals using dendritic casting method and mechanism to obtain high-quality crystals with low defects2009
- 著者名/発表者名
  中嶋一雄, 藤原航三, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆
- 学会等名
  CSSC-3 Workshop
- 発表場所
  トロンハイム(ノルウェー)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] A computational investigation of relationship between shear stress and multicrystal structure in Si2009
- 著者名/発表者名
  高橋勲, 宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 森下浩平, 中嶋一雄
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2009)
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶成長過程における多結晶組織形成メカニズムとその制御2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] A computational investigation of relationship betwenn shear stress and multicrystal structure in Si2009
- 著者名/発表者名
  高橋勲, 宇佐美徳隆, R.Yokoyama, 沓掛健太朗, 藤原航三, 森下浩平, 中嶋一雄
- 学会等名
  CSSC-3 Workshop
- 発表場所
  トロンハイム(ノルウェー)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] A computational investigation of relationship between shear stress and multicrystal structure in Si2009
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, K.Kutsukake, K.Morishita, K.Nakajima
- 学会等名
  in 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Role of crystal growth in challenges to high-efficiency solar cells2009
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Fujiwara, K.Kutsukake, K.Nakajima
- 学会等名
  in GCOE Singapore workshop (NTU-Tohoku U)
- 発表場所
  Singapore
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 太陽電池用バルク多結晶シリコンの結晶成長過程における欠陥発生2009
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗、高橋勲、宇佐美徳隆、藤原航三、中嶋一雄
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(名古屋)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶シリコン太陽電池の現状と課題 : 結晶成長技術開発の重要性2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆
- 学会等名
  電気学会
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2009-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Quantitative Analysis of Defects and Microstructures in Si Multicrystals Using X-ray Diffraction2009
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  in 19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition (PVSEC19)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] シリコンのファセットデンドライトの成長機構2009
- 著者名/発表者名
  藤原航三、前田健作、宇佐美徳隆、宇田聡、中嶋一雄
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(名古屋)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Control of microstructures and crystal defects in Si multicrystals grown by the casting method -how to improve the quality of multicrystals to the level of single crystals-2009
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, K.Kutsukake
- 学会等名
  in 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, CCH- Congress Center and International Fair Hamburg
- 発表場所
  Hamburg, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶シリコン太陽電池の現状と課題 : 結晶成長技術開発の重要性2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆
- 学会等名
  電気学会
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2009-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] A computational investigation of relationship betwenn shear stress and multicrystal structure in Si2009
- 著者名/発表者名
  I.Takahashi, N.Usami, R.Yokoyama, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Morishita, K.Nakajima
- 学会等名
  in the CSSC-3 Workshop
- 発表場所
  Trondheim, Norway
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶成長過程におけるシリコン多結晶の亜粒界発生メカニズム2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  東北大学(仙台)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Improvement in quantitative analysis of defects and microstructures in Si multicrystals using X-ray diffraction2009
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Comprehensive study of defects in Si Multicrystals Toward High-Efficiency Solar Cells2009
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, N, Usami, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  18^<th> International photovoltaic science and engineering conference and exhibition
- 発表場所
  Kolkota (India)
- 年月日
  2009-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] How can we decrease defect density in Si multicrystals to realize high-efficiency solar cells?2009
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, I.Takahashi, R.Yokoyama, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  in 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, CCH- Congress Center and International Fair
- 発表場所
  Hamburg,Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Control of microstructures and crystal defects in Si multicrystals grown by the casting method -how to improve the quality of multicrystals to the level of single crystals-2009
- 著者名/発表者名
  中嶋一雄, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 沓掛健太朗
- 学会等名
  24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  ハンブルグ(ドイツ)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶シリコン太陽電池の高効率化に対する結晶成長からのアプローチ2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  広域産学官交流ネットワーク
- 発表場所
  メルパルク長野(長野)
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Quantitative Analysis of Defects and Microstructures in Si Multicrystals Using X-ray Diffraction2009
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition(PVSEC19)
- 発表場所
  済州(韓国)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Analysis of microstructures in Si multicrystals and their impact on electrical properties2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, H.Y.Wang, 藤原航三, 沓掛健太朗, 中嶋一雄
- 学会等名
  CSSC-3 Workshop
- 発表場所
  トロンハイム(ノルウェー)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Analysis of microstructures in Si multicrystals and their impact on electrical properties2009
- 著者名/発表者名
  N.Usami, H.Y.Wang, K.Fujiwara, K.Kutsukake, K, Nakajima
- 学会等名
  in the CSSC-3 Workshop
- 発表場所
  Trondheim, Norway
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] In-situ observation of Si (100) crystal-melt interface2009
- 著者名/発表者名
  M.Tokairin, K.Fujiwara, K.Kutsukake, N.Usami, K.Nakajima
- 学会等名
  in GCOE Singapore workshop (NTU-Tohoku U)
- 発表場所
  Singapore
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶成長過程における多結晶組織形成メカニズムとその制御2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Improvement in quantitative analysis of defects and microstructures in Si multicrystals using X-ray diffraction2009
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  in 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶シリコン太陽電池の現状と課題:結晶成長技術開発の重要性2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆
- 学会等名
  電気学会
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2009-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Growth of high-quality Si multicrystals using dendritic casting method and mechanism to obtain high-quality crystals with low defects2009
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, K.Fujiwara, K.Kutsukake, N.Usami
- 学会等名
  in the CSSC-3 Workshop
- 発表場所
  Trondheim, Norway
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Comprehensive study of defects in Si Multicrystals Toward High-Efficiency Solar Cells2009
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, N, Usami, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  18^<th> International photovoltaic science and engineering conference and exhibition
- 発表場所
  Kolkota(India)
- 年月日
  2009-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Comprehensive study of defects in Si Multicrystals Toward High-Efficiency Solar Cells2009
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N, Usami, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  in PVSEC18
- 発表場所
  Kolkata, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶成長過程におけるシリコン多結晶の欠陥発生メカニズム2009
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  結晶加工と評価技術第145委員会第118回研究会
- 発表場所
  九州大学(福岡)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶Si太陽電池の高効率化へ向けたSiバルク多結晶中亜粒界の総合研究2008
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗, 大谷内毅, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  第5回次世代の太陽光発電シンポジウム
- 発表場所
  宮崎県宮崎市
- 年月日
  2008-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Fundamental study on Si melt growth toward engineering of microstructures in multicrystalline Si (Invited)2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  Mini PV conference
- 発表場所
  Trondheim, Norway
- 年月日
  2008-01-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Siバルク多結晶の組織制御による太陽電池の高効率化2008
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆, 藤原航三, 沓掛健太朗, 中嶋一雄
- 学会等名
  電子情報通信学会・シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  沖縄県那覇市
- 年月日
  2008-04-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Comprehensive study of sub-grain boundaries in Si multicrystals toward defect engineering for high-efficiency solar cell2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona (USA)
- 年月日
  2008-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Challenges toward high-efficiency solar cells2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Fujiwara, K. Kutsukake, and K. Nakajima
- 学会等名
  Tech Horizon 200
- 発表場所
  Riverside (USA)
- 年月日
  2008-05-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] On the generation mechanism of sub-grain boundaries during directional growth of Si bulk multicrystal2008
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  Velencia (Spain)
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Growth of high-quality Si multicrystals with same grain orientation and large grains using dendritic casting method and formation mechanism of dendrite crystals with parallel twins2008
- 著者名/発表者名
  K. Nakajima, K. Fujiwara, N. Usami, and S. Okamoto
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology(CGCT-4)
- 発表場所
  宮城県仙台市
- 年月日
  2008-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Reduction of shunt resistance in solar cells based on Si multicrystals by accumulated imuurities at suberain boundaries2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K.Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technoloev(CGCT-4)
- 発表場所
  宮城県仙台市
- 年月日
  2008-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Toward defect engineering in Si multicrystal for high-efficiency solar cells : Fundamental mechanisms of generation of sub-grain boundaries, spatial distribution, electrical properties, and impact on solar cell performance2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, T. Ohtaniuchi, and K. Nakajima
- 学会等名
  23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  Velencia(Spain)
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Growth of high-quality Si multicrystals using dendritic casting method and mechanism to obtain high-quality crystals with low defects2008
- 著者名/発表者名
  K. Nakajima, K. Fujiwara, K. Kutsukake, N. Usami, and S. Okamoto
- 学会等名
  23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  Velencia (Spain)
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Reduction of shunt resistance in solar cells based on Si multicrystals by accumulated impurities at subgrain boundaries2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K.Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)
- 発表場所
  宮城県仙台市
- 年月日
  2008-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Siバルク多結晶の組織制御による太陽電池の高効率化2008
- 著者名/発表者名
  宇佐美徳隆、藤原航三、沓掛健太朗、中嶋一雄
- 学会等名
  電子情報通信学会・シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  沖縄県那覇市
- 年月日
  2008-04-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Reduction of shunt resistance in solar cells based on Si multicrystals by accumulated impurities at subarain boundaries2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K.Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)
- 発表場所
  宮城県仙台市
- 年月日
  2008-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] シリコンバルク多結晶におけるせん断応力と多結晶組織との関係2008
- 著者名/発表者名
  高橋勲, 宇佐美徳隆, 横山竜介, 沓掛健太朗, 森下浩平, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  第5回次世代の太陽光発電シンポジウム
- 発表場所
  宮崎県宮崎市
- 年月日
  2008-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] On the generation mechanism of sub-grain boundaries during directional growth of Si bulk multicrystal2008
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  Velencia(Spain)
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] The effect of Ge addition on growth of Si faceted dendrite2008
- 著者名/発表者名
  M. Tokairin, K. Fujiwara, N. Usami, K. Kutsukake, K. Morishita and K. Nakaiima
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)
- 発表場所
  宮城県仙台市
- 年月日
  2008-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Toward defect engineering in Si multicrystal for high-efficiency solar cells : Fundamental mechanisms of generation of sub-grain boundaries, spatial distribution, electrical properties, and impact on solar cell nerformance2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, T. Ohtaniuchi, and K. Nakaiima
- 学会等名
  23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  Velencia(Spain)
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] シリコンバルク多結晶におけるせん断応力と多結晶組織との関係2008
- 著者名/発表者名
  高橋勲, 宇佐美徳隆, 横山竜介, 沓掛健太朗, 森下浩平, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  第5回次世代の太陽光発電シンポジウム
- 発表場所
  宮崎県宮崎市
- 年月日
  2008-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Fundamental study toward engineering of microstructures in Si multicrystals (Invited)2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Fujiwara, K. Kutsukake, and K. Nakajima
- 学会等名
  4th Workshop on the Future Directions of Photovoltaics
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2008-03-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Challenges toward high-efficiency solar cells2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Fujiwara, K. Kutsukake, and K. Nakajima
- 学会等名
  Tech Horizon 2008
- 発表場所
  Riverside(USA)
- 年月日
  2008-05-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Comprehensive research of sub-grain boundaries in Si bulk multicrystal for solar cells2008
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, T. Ohtaniuchi, N. Usami, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology(CGCT-4)
- 発表場所
  宮城県仙台市
- 年月日
  2008-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Toward defect engineering in Si multicrystal for high-efficiency solar cells : Fundamental mechanisms of generation of sub-grain boundaries, spatial distribution. electrical proPerties. and impact on solar cell performance2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, T. Ohtaniuchi, and K. Nakajima
- 学会等名
  23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  Velencia (Spain)
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] シリコンバルク多結晶における粒界の方位関係とせん断応力との関係2008
- 著者名/発表者名
  高橋勲, 宇佐美徳隆, 横山竜介, 沓掛健太朗, 藤原航三, 森下浩平, 中嶋一雄
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会・年末講演会
- 発表場所
  東京都豊島区
- 年月日
  2008-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Fundamental study on Si melt growth toward engineering of microstructures in multicrystalline Si2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  Mini PV conference
- 発表場所
  Trondheim, Norway
- 年月日
  2008-01-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Challenges toward high-efficiency solar cells2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Fujiwara, K. Kutsukake, and K. Nakaiima
- 学会等名
  Tech Horizon 2008
- 発表場所
  Riverside (USA)
- 年月日
  2008-05-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Comprehensive study of sub-grain boundaries in Si multicrystals toward defect engineering for high-efficiency solar cell2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona(USA)
- 年月日
  2008-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Growth of high-quality Si multicrystals with same grain orientation and large grains using dendritic casting method and formation mechanism of dendrite crystals with parallel twins2008
- 著者名/発表者名
  K. Nakajima, K. Fujiwara, N. Usami, and S. Okamoto
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technoloav (CGCT-4)
- 発表場所
  宮城県仙台市
- 年月日
  2008-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Growth of high-quality Si multicrystals using dendritic casting method and mechanism to obtain high-quality crystals with low defects2008
- 著者名/発表者名
  K. Nakajima, K. Fujiwara, K. Kutsukake, N. Usami, and S. Okamoto
- 学会等名
  23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  Valencia(Spain)
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Comprehensive study of sub-grain boundaries in Si multicrystals toward defect engineering for high-efficiency solar cell2008
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, K.Fujiwara, K.Nakajima
- 学会等名
  in the 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] Comprehensive research of sub-grain boundaries in Si bulk multicrystal for solar cells2008
- 著者名/発表者名
  K. Kutsukake, T. Ohtaniuchi, N. Usami, K. Fujiwara, and K. Nakaiima
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)
- 発表場所
  宮城県仙台市
- 年月日
  2008-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Fundamental study toward engineering of microstructures in Si multicrystals2008
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Fujiwara, K. Kutsukake, and K. Nakajima
- 学会等名
  4th Workshop on the Future Directions of Photovoltaics
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2008-03-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] The effect of Ge addition on growth of Si faceted dendrite2008
- 著者名/発表者名
  M. Tokairin, K. Fujiwara, N. Usami, K. Kutsukake, K. Morishita and K. Nakaiima
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growili and Crystal Technology(CGCT-4)
- 発表場所
  宮城県仙台市
- 年月日
  2008-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20226001
[学会発表] 結晶Si太陽電池の高効率化へ向けたSiバルク多結晶中亜粒界の総合研究2008
- 著者名/発表者名
  沓掛健太朗, 大谷内毅, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 中嶋一雄
- 学会等名
  第5回次世代の太陽光発電シンポジウム
- 発表場所
  宮崎県宮崎市
- 年月日
  2008-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Si-based crystals for photovoltaic and photonic applications (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  N. Usami
- 学会等名
  日仏ジョイントフォーラム
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2007-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Si-based crystals for photovoltaic and photonic applications2007
- 著者名/発表者名
  N. Usami
- 学会等名
  日仏ジョイントフォーラム
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2007-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Spatially resolved X-ray rocking curve analysis as a tool to invesitagtelocal structures in Si multicrystals (Invited).2007
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  The second international workshop on science and technology of crystalline Si solar cells
- 発表場所
  Xiamen, China
- 年月日
  2007-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Spatially resolved X-ray rocking curve analysis as a tool to invesitagte local structures in Si multicrystals2007
- 著者名/発表者名
  N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
- 学会等名
  The second international workshop on science and technology of crystalline Si solar cells
- 発表場所
  Xiamen, China
- 年月日
  2007-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18686001
[学会発表] Multiscale Si-based Materials for Photovoltaic Applications
- 著者名/発表者名
  Noritaka Usami
- 学会等名
  Eleventh International Conference on Flow Dynamics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2014-10-08 – 2014-10-10
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600084
[学会発表] Siバルク多結晶の結晶組織制御に向けた炉内温度分布計算
- 著者名/発表者名
  平松　巧也、高橋　勲、宇佐美　徳隆
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600084
[学会発表] How can we control adjacent dendrite crystals in parallel direction to realize high-quality multicrystalline Si ingot for solar cells?
- 著者名/発表者名
  Takuya Hiramatsu, Isao Takahashi, Noritaka Usami
- 学会等名
  The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2014-11-23 – 2014-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600084
[学会発表] Calculation of temperature distribution for controlling growth of dendrite crystals to decrease dislocation density in a multicrystalline Silicon ingot
- 著者名/発表者名
  Takuya Hiramatsu, Isao Takahashi, Satoru Matsushima, Noritaka Usami
- 学会等名
  The 7th forum on the Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Hamamatsu, Japan
- 年月日
  2014-10-19 – 2014-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600084

1. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 10件

共同の研究成果数: 37件
2. 中嶋一雄 (80311554)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 169件
3. 宇治原徹 (60312641)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 65件
4. 中川清和 (40324181)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 24件
5. 黄晋二 (50323663)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
6. 尾鍋研太郎 (50204227)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
7. 長田俊人 (00192526)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
8. 佐崎元 (60261509)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
9. 藤原航三 (70332517)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 79件
10. 澤野憲太郎 (90409376)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 44件
11. 伊藤良一 (40133102)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
12. 矢口裕之 (50239737)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
13. 近藤高志 (60205557)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
14. 片山竜二 (40343115)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
15. GOVINDAN ANANDHA BABU

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
16. 林好一 (20283632)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 沓掛健太朗 (00463795)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 80件
18. 森下浩平 (00511875)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
19. 丸泉琢也 (00398893)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
20. 野平博司 (30241110)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 瀬戸謙修 (10420241)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 徐学俊 (80593334)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
23. 夏金松 (00434184)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
24. 松井敏明 (20358922)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 宮田典幸 (40358130)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 有元圭介 (30345699)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 19件
27. 深津晋 (60199164)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 宮下哲 (00219776)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 宍戸統悦 (50125580)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 18件
30. 宇田聡 (90361170)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 一杉太郎 (90372416)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 伊藤公平 (30276414)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 佐藤徹哉 (20162448)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 末光眞希 (00134057)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
35. 櫻庭政夫 (30271993)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
36. 北原邦紀 (60304250)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
37. 松原英一郎 (90173864)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
38. 松下智裕 (10373523)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
39. 呉軍 (80313005)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
40. 秋山英二 (70231834)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
41. 大山研司 (60241569)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
42. 鵜殿治彦 (10282279)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
43. 高倉健一郎 (70353349)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
44. 石川浩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
45. HAINEY, JR. MEL

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
46. CHENG XUEMEI

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 20件
47. 小倉正平

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
48. 後藤和泰

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

宇佐美 徳隆 usami noritaka

研究課題

研究成果

共同研究者

多結晶材料組織を縮約したネットワークグラフの活用による高性能材料創成への挑戦研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

表面界面制御による雨滴発電の高効率化と雨でも発電する太陽電池への挑戦研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

太陽光発電の利用領域を拡大するドーパントフリーフレキシブル太陽電池創製への挑戦研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

軽元素制御による高機能な準安定シリコン系多元混晶材料の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

マイクロＬＥＤへの応用に向けたガラス基板上シリコン薄膜への窒化ガリウムの選択成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

結晶シリコン太陽電池の高効率化に向けたキャリア選択性材料に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

太陽電池用高品質シリコン多結晶インゴットの成長技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン融液表面の放射冷却による薄板状結晶成長とガスフロートへの挑戦研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオン注入による欠陥制御を利用した圧縮歪みシリコンの実現と高正孔移動度素子応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

宇佐美徳隆 usami noritaka