宇治原徹 Ujihara Toru

研究者番号	60312641
その他のID
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所属 (現在)	2025年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2024年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 2014年度 – 2016年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 2013年度 – 2014年度: 名古屋大学, グリーンモビリティ連携研究センター, 教授 2013年度: 名古屋大学, 工学研究科, 教授 2011年度 – 2013年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 … もっと見る 2010年度 – 2011年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 2010年度 – 2011年度: 名古屋大学, 工学研究科, 教授 2008年度 – 2009年度: 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 2006年度 – 2009年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2006年度: 名古屋大学, 大学院工学系研究科, 助教授 2005年度 – 2006年度: 名古屋大学, 大学院工学研究科, 助教授 2004年度 – 2005年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教授 2003年度 – 2005年度: 名古屋大学, 大学院・工学系研究科, 助教授 1999年度 – 2003年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 結晶工学 / 中区分26:材料工学およびその関連分野 / 電子・電気材料工学 / 生物系 / 応用物性・結晶工学 / 物性Ⅰ 研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 … もっと見る / 電子・電気材料工学 / 中区分27:化学工学およびその関連分野 / 素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理 / 金属物性 / 電子・電気材料工学 / 薄膜・表面界面物性 / 理工系隠す
キーワード	研究代表者結晶成長 / 半導体デバイス / 相分離構造 / 脂質二重膜 / SiC / 半導体 / 熱制御 / 光電子分光 / 熱物性 / インターカレーション … もっと見る / シミュレーション / 機械学習 / バンド構造 / 結晶欠陥 / バイオデバイス / 歪み / 太陽電池 / 化合物 / マルチフィジクスシミュレーション / 酸化物 / 熱スイッチ / 熱伝導率 / アモルファス / 熱デバイス / 熱伝導率変化 / 熱伝導 / 最適化 / プロセスインフォマティクス / 半導体物性 / 光電子分光法 / 高効率太陽光発電材料・素子 / 高効率太陽光発電材料・素子 / 溶液成長 / ＳｉＣ / 転位 / シリコンカーバイド / プラズマ / ラフト構造 / 膜タンパク質 / 有機金属気相成長法 / スピン偏極 / 超格子構造 / 線形加速器 / 半導体フォトカソード / 量子構造 / エッチング / パターン形成 / ナノテクノロジー / ゲルマニウム / シリコン / 複合材料 / その場測定 / 組成分布測定 / 蛍光X線分析 / 相互拡散 / 半導体溶液 / 金属溶液 / 拡散係数 … もっと見る研究代表者以外結晶成長 / その場観察 / SiGe / シリコンゲルマニウム / InGaAsN / 溶質元素補給ゾーン成長法 / X線回折 / その場測定 / ヨハンソン分光結晶 / 混晶半導体 / 炭化ケイ素 / ベイズ最適化 / PINNs / 人工知能 / 数値流体解析 / 数値解析 / 半導体 / 情報学 / 移動速度論 / Extremely high vacuum technology / Field emission dark current / Negative Electron Affinity (NEA) / Spin polarization / ERL accelerator / Linear collider / Electron source / Emittance / フォトカソード / 超高真空 / ピコ秒レーザー / GaAs / 電界放出型偏極電子源 / 正の電子親和性(PEA) / Pepper-Pot法 / 電極間暗電流 / 超高真空環境 / 200keV直流型電子銃 / 負の電子親和性(NEA)表面 / 低エミッタンス / ERL(Energy Recovery Linac) / 電子・陽電子リニアコライダー / tip状-GaAsフォトカソード / NEA-GaAsフォトカソード / 偏極電子源 / 低エミッタンス電子源 / ビームエミッタンス / 極高真空技術 / 電界放出暗電流 / 負の電子親和性表面 / スピン偏極電子 / ERL加速器 / リニアコライダー / 電子源 / エミッタンス / resonant tunneling / strained Si / floating zone growth / multicomponent zone-melting method / multicomponent bulk crystal / ヘテロ構造 / 歪み / 優先成長方位 / フローティングゾーン成長法 / 分子線エピタキシー / 逆格子空間マッピング / 共鳴トンネル / 歪みシリコン / フローティングゾーン成長 / 溶質元素補給成長法 / バルク結晶 / Two-dimensional hole gas / Modulation doping / Strain-controlled thin film / Multicomponent Zone-melting Method / Molecular Beam Epitaxy / Silicon Germanium / 二次元正孔ガス / 変調ドーピング構造 / 歪み制御薄膜 / 分子線エピタキシー法 / image data processing / Maximum entropy method / X-ray diffraction / Mapping of X-ray fluorescence / X-ray micronanalyzer / Bent graphite monochoromator / マキシマムエンドロピー法 / 蛍光X線 / グラファイト集光素子 / 画像処理 / マキシマムエントロピー法 / 蛍光X線マッピング / X線マイクロアナライザ / 湾曲グラファイト / indirect semiconductor / electron localization / charged exciton / modulation doping / semiconductor quantum well / semiconductor quantum dot / microscopic photoluminescence / 励起子分子 / 局在励起子 / フォトルミネッセンス / 間接遷移型半導体 / 電子局在 / 帯電励起子 / 変調ドーピング / 半導体量子井戸 / 半導体量子ドット / 顕微フォトルミネッセンス / in-situ monitoring / alloy semiconductor / multicomponet zone-melting method / 基板 / 単結晶 / 成長界面 / In-Ga-As / 均一組成 / 多元系バルク結晶 / 多元系半導体バルク結晶 / SiC / ドーピング / 稼動部のない測定 / X線反射率測定 / X線散乱 / X線集光光学系 / 回転機構排除 / 分光集光結晶 / X線回折測定 / 量子ビーム / 量子エレクトロニクス / 表面・界面物性 / スピントロニクス / 量子井戸 / 半導体超微細化 / 結晶工学 / 回転移動不要 / 角度分散のあるX線 / 既存の実験室系X線源 / X線CTR散乱測定 / 半導体結晶成長 / X 線回折・散乱 / 金属内包フラーレン / 配列ナノ空間物質 / X線構造解析 / CTR散乱法 / ヘテロ界面 / 太陽電池 / 結晶欠陥 / 結晶粒径 / 成長速度 / 潜熱 / 過冷度 / 融液成長 / シリコン / フィードバック制御 / 溶質元素補給ゾーン成長隠す

インターカレーションによる熱伝導可変メカニズムの解明と新規デバイス構造の提案研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2025
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
酸化物へのインターカレーションによる熱伝導可変素子の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
潜在空間における複雑な結晶成長モデルの構築とプロセス設計研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
インターカレーションによる熱物性変化を活用した熱スイッチ素子の提案研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2021
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分26:材料工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
情報学を融合した移動速度論に基づく半導体バルク結晶成長技術の革新
- 研究代表者
  
  岡野泰則
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分27:化学工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
結晶成長インフォマティクスの方法論の構築研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分26:材料工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
可視光励起光電子分光法による中間バンド型太陽電池における２段階励起の直接観察研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
可視光励起光電子分光法による伝導バンド構造の定量評価研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2015
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
可視光励起光電子分光法による伝導バンド高速・高精度測定研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2014
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
高品質化の鍵となるSiC貫通転位変換過程のその場観察研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
高品質・低抵抗SiC結晶の実現
- 研究代表者
  
  亀井一人
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
量子構造太陽電池中を伝導する電子のエネルギー分光研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2013
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
超高輝度・高偏極度電子源の高効率化
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  公益財団法人名古屋産業科学研究所
   名古屋大学
無転位ＳｉＣ結晶の実現研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
結晶成長その場観察を可能とするＸ線回折測定装置の開発
- 研究代表者
  
  田渕雅夫
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
生体膜/半導体アクティブデバイス基本構造の提案研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2011
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
材料工学的アプローチによる人工生体膜ラフト構造の再現研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  生物系
- 研究機関
  名古屋大学
発光デバイスを用いた膜タンパク質アクティブ輸送制御研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
プラズマVLS法によるハイスピードSiC溶液成長研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
半導体結晶成長その場観察のためのX線散乱測定装置の開発
- 研究代表者
  
  田渕雅夫
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
人工生体膜におけるラフト構造膜内輸送制御システムの提案研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  生物系
- 研究機関
  名古屋大学
真のヘテロ界面構造とその形成
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
半導体デバイスを利用した生体膜相分離構造のアクティブ制御研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
結晶成長で達成する世界最高性能偏極電子ビーム源の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
押す・引っ張る・ねじ曲げる「力」によるナノ=ファブリケーション研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  名古屋大学
超低エミッタンス電子源の開発
- 研究代表者
  
  中西彊
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
- 研究機関
  名古屋大学
歪みを内在したバンドギャップ分散半導体複合結晶の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
SiGe基板単結晶の低欠陥化と歪みを制御した機能性ヘテロ構造の創製
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
シリコン系混晶半導体のグローバル成長制御
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2001
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
過冷炉度を制御した融液成長法による太陽電池用Si多結晶の大粒径化と高効率化
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
SiGe混晶基板を利用した歪み制御Si系高機能電子デバイスに関する研究
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
高温融液中における拡散係数のその場測定法研究代表者
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
円筒状湾曲グラファイトを使ったハモス型X線マイクロアナライザーの試作
- 研究代表者
  
  松原英一郎
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  東北大学
溶質元素補給ゾーン成長法による均一組成を持った多元系バルク単結晶の開発
- 研究代表者
  
  中嶋一雄
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
極微プローブ光を用いた半導体微細構造の空間および時間分解分光に関する研究
- 研究代表者
  
  宇佐美徳隆
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
   東京大学

[図書] 「SiCパワーデバイスの開発と最新動向―普及に向けたデバイスプロセスと実装技術―」2012
- 著者名/発表者名
  宇治原徹
- 総ページ数
  361
- 出版者
  S＆T出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[図書] SiC パワーデバイスの開発と最新動向―普及に向けたデバイスプロセスと実装技術―2012
- 著者名/発表者名
  宇治原徹, 他
- 総ページ数
  361
- 出版者
  S&T出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[図書] 「工学的手法による膜制御」(トランスポートソームの世界-膜輸送研究の源流から未来へ-)2011
- 著者名/発表者名
  宇治原徹
- 総ページ数
  5
- 出版者
  京都廣川書店
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656007
[雑誌論文] Geometrical design of a crystal growth system guided by a machine learning algorithm2021
- 著者名/発表者名
  Yu Wancheng、Zhu Can、Tsunooka Yosuke、Huang Wei、Dang Yifan、Kutsukake Kentaro、Harada Shunta、Tagawa Miho、Ujihara Toru
- 雑誌名
  
  CrystEngComm
  
  巻: 23 号: 14 ページ: 2695-2702
- DOI
  10.1039/d1ce00106j
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[雑誌論文] Adaptive process control for crystal growth using machine learning for high-speed prediction: application to SiC solution growth2021
- 著者名/発表者名
  Dang Yifan、Zhu Can、Ikumi Motoki、Takaishi Masaki、Yu Wancheng、Huang Wei、Liu Xinbo、Kutsukake Kentaro、Harada Shunta、Tagawa Miho、Ujihara Toru
- 雑誌名
  
  CrystEngComm
  
  巻: 23 号: 9 ページ: 1982-1990
- DOI
  10.1039/d0ce01824d
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[雑誌論文] Explainable machine learning for the analysis of transport phenomena in top-seeded solution growth of SiC single crystal2021
- 著者名/発表者名
  TAKEHARA Yuto、SEKIMOTO Atsushi、OKANO Yasunori、UJIHARA Toru、DOST Sadik
- 雑誌名
  
  Journal of Thermal Science and Technology
  
  巻: 16 号: 1 ページ: JTST0009-JTST0009
- DOI
  10.1299/jtst.2021jtst0009
- NAID
  130007965495
- ISSN
  1880-5566
- 言語
  英語
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[雑誌論文] Three-dimensional numerical analysis of Marangoni convection occurring during the growth process of SiC by the RF-TSSG method2019
- 著者名/発表者名
  Wang L.、Horiuchi T.、Sekimoto A.、Okano Y.、Ujihara T.、Dost S.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 520 ページ: 72-81
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.05.017
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[雑誌論文] The Effect of Crucible Rotation and Crucible Size in Top-Seeded Solution Growth of Single-Crystal Silicon Carbide2019
- 著者名/発表者名
  Horiuchi Takashi、Wang Lei、Sekimoto Atsushi、Okano Yasunori、Yamamoto Takuya、Ujihara Toru、Dost Sadik
- 雑誌名
  
  Crystal Research and Technology
  
  巻: 54 号: 5 ページ: 1900014-1900014
- DOI
  10.1002/crat.201900014
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[雑誌論文] Adjoint-based sensitivity analysis for the optimal crucible temperature profile in the RF-Heating TSSG-SiC crystal growth process2019
- 著者名/発表者名
  Horiuchi Takashi、Wang Lei、Sekimoto Atsushi、Okano Yasunori、Ujihara Toru、Dost Sadik
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 517 ページ: 59-63
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.04.001
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[雑誌論文] Application of C-face dislocation conversion to 2 inch SiC crystal growth on an off-axis seed crystal2019
- 著者名/発表者名
  Liu Xinbo、Zhu Can、Harada Shunta、Tagawa Miho、Ujihara Toru
- 雑誌名
  
  CrystEngComm
  
  巻: 21 号: 47 ページ: 7260-7265
- DOI
  10.1039/c9ce01338e
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[雑誌論文] Conversion behavior of threading screw dislocations on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth2016
- 著者名/発表者名
  S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, M. Tagawa, T. Ujihara
- 雑誌名
  
  Cryst. Growth Des
  
  巻: 16 号: 11 ページ: 6436-6439
- DOI
  10.1021/acs.cgd.6b01107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246019
[雑誌論文] Polytype control by activity ratio of silicon to carbon during SiC solution growth using multicomponent solvents2016
- 著者名/発表者名
  A. Horio, S. Harada, D. Koike, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 55 号: 1S ページ: 01AC01-01AC01
- DOI
  10.7567/jjap.55.01ac01
- NAID
  210000145949
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249034
[雑誌論文] Characterization of V-shaped defects formed during the 4H-SiC solution growth by transmission electron microscopy and X-ray topography analysis2016
- 著者名/発表者名
  S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, T. Ujihara
- 雑誌名
  
  Cryst. Growth Des
  
  巻: 16 号: 9 ページ: 5136-5140
- DOI
  10.1021/acs.cgd.6b00711
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246019
[雑誌論文] Spatial Distribution of Carrier Concentration in 4H-SiC Crystal Grown by Solution Method2016
- 著者名/発表者名
  Z. Wang, T. Kawaguchi, K. Murayama, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Kato, T. Ujihara
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 858 ページ: 57-60
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249034
[雑誌論文] Nitrogen doping of 4H-SiC by top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent2014
- 著者名/発表者名
  K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada and Toru Ujihara
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 392 ページ: 60-65
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2014.01.044
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249034
[雑誌論文] Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion Behavior during Solution Growth of 4HSiC Using Al-Si Solvent2014
- 著者名/発表者名
  S.Harada, Y.Yamamoto, S.Y.Xiao, M.Tagawa, T.Ujihara
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 67-70
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.67
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004, KAKENHI-PROJECT-24686078
[雑誌論文] "Reduction of Threading Screw Dislocation Utilizing Defect Conversion during Solution Growth of 4H-SiC"2013
- 著者名/発表者名
  S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, T. Ujihara
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 740-742 ページ: 189-192
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[雑誌論文] Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC2013
- 著者名/発表者名
  S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, M.Tagawa, T.Ujihara
- 雑誌名
  
  APL Mater.
  
  巻: 1(2) 号: 2 ページ: 22109-22109
- DOI
  10.1063/1.4818357
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004, KAKENHI-PROJECT-24686078
[雑誌論文] Effect of Surface Polarity on the Conversion of Threading Dislocations in Solution Growth"2013
- 著者名/発表者名
  K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 740-742 ページ: 15-18
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[雑誌論文] Effect of Surface Polarity on the Conversion of Threading Dislocations in Solution Growth2013
- 著者名/発表者名
  K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 740-742 ページ: 15-18
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.15
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[雑誌論文] Reduction of Threading Screw Dislocation Utilizing Defect Conversion during Solution Growth of 4HSiC2013
- 著者名/発表者名
  S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, T.Ujihara
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 740-742 ページ: 189-192
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.189
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004, KAKENHI-PROJECT-24686078
[雑誌論文] "Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth"2012
- 著者名/発表者名
  T. Ujihara, S. Kozawa, K. Seki, Alexander, Y. Yamamoto, S. Harada
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 717-720 ページ: 351-354
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[雑誌論文] Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth2012
- 著者名/発表者名
  Y.Yamamoto, K.Seki, S.Kozawa, Alexander, S.Harada, T.Ujihara
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 717-720 ページ: 53-56
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.53
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[雑誌論文] Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth2012
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, S.Kozawa, K.Seki, Alexander, Y.Yamamoto, S.Harada
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 717-720 ページ: 351-354
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.351
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[雑誌論文] Analysis of thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice by TEM observation2012
- 著者名/発表者名
  X. Jin, H. Nakahara, K. Saitoh, T. Saka, T. Ujihara, N. Tanaka, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growtｈ
  
  巻: 353 号: 1 ページ: 84-87
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.05.017
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011, KAKENHI-PROJECT-23246003, KAKENHI-PROJECT-23760310
[雑誌論文] "Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth"2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yamamoto, K. Seki, S. Kozawa, Alexander, S. Harada, T. Ujihara
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 717-720 ページ: 53-56
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[雑誌論文] High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth2012
- 著者名/発表者名
  Y.Yamamoto, S.Harada, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 5 号: 11 ページ: 115501-115501
- DOI
  10.1143/apex.5.115501
- NAID
  10031126459
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[雑誌論文] "High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth"2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yamamoto, S. Harada, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, and T. Ujihara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 5
- NAID
  10031126459
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[雑誌論文] Polytype Transformation by Replication of Stacking Faults Formed by Two-Dimensional Nucleation on Spiral Steps during Sic Solution Growth2012
- 著者名/発表者名
  S. Harada, K. Seki, Y. Yamamoto, C. Zhu, Y. Yamamoto, S. Arai, J. Yamasaki, N. Tanaka and T. Ujihara
- 雑誌名
  
  Crystal Growth & Design
  
  巻: 12 号: 6 ページ: 3209-3214
- DOI
  10.1021/cg300360h
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011, KAKENHI-PROJECT-23246004
[雑誌論文] "Polytype Transformation by Replication of Stacking Faults Formed by Two-Dimensional Nucleation on Spiral Steps during SiC Solution Growth"2012
- 著者名/発表者名
  S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto, C. Zhu, Y. Yamamoto, S. Arai, J. Yamasaki, N. Tanaka, and T. Ujihara
- 雑誌名
  
  Crystal Growth & Design
  
  巻: 12, (6) ページ: 3209-3214
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[雑誌論文] Elimination of local thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattices for high spin-polarization photocathodes2011
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, S.Fuchi, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: 298 ページ: 012011-012011
- DOI
  10.1088/1742-6596/298/1/012011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] Status of the high brightness polarized electron source using transmission photocathode2011
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: 298 ページ: 12017-12017
- DOI
  10.1088/1742-6596/298/1/012017
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003, KAKENHI-PROJECT-23246015, KAKENHI-PROJECT-23540340
[雑誌論文] Stacking Faults around the hetero-interface Induced by 6H-SiC Polytype Transformation on 3C-SiC with Solution Growth2010
- 著者名/発表者名
  K.Seki, K.Morimoto, T.Ujihara, T.Tokunaga, K.Sasaki, K.Kuroda, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Mater.Sci. Forum 363-366
  
  ページ: 363-366
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[雑誌論文] Stacking Faults around the hetero-interface Induced by 6H-SiC Polytype Transformation on 3C-SiC with Solution Growth2010
- 著者名/発表者名
  K. Seki, K. Morimoto, T. Ujihara, T. Tokunaga, K. Sasaki, K. Kuroda, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum 645-648
  
  ページ: 363-366
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[雑誌論文] High Temperature Solution Growth on Free-standing (001)3C-SiC Epilayers2009
- 著者名/発表者名
  R.Tanaka, K.Seki, T.Ujihara, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 615-617
  
  ページ: 27-30
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[雑誌論文] Low temperature solution growth of 3C-SiC crystals in Si-Ge-Ti solvent2009
- 著者名/発表者名
  R.Tanaka, T.Ujihara, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 600-603
  
  ページ: 59-62
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[雑誌論文] Low temperature solution growth of 3C-SiC crystals in Si-Ge-Ti solvent2009
- 著者名/発表者名
  R. Tanaka, T. Ujihara, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum 600-603
  
  ページ: 59-62
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[雑誌論文] Polytype and Crystal Quality of SiC Crystals Grown on 3C-SiC by Seeded Solution Method2009
- 著者名/発表者名
  K. Seki, R. Tanaka, T. Ujihara, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum 615-617
  
  ページ: 27-30
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[雑誌論文] Local Condensation of Artificial Raft Domains under Light Irradiation in Supported Lipid Bilayer of PSM-DOPC-Cholesterol System2009
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, S.Suzuki, Y.Yamauchi, R.Tero, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Trans.Mater.Res.Soc.Jpn 34
  
  ページ: 179-182
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20056012
[雑誌論文] Polytype and Crystal Quality of SiC Crystals Grown on 3C-SiC by Seeded Solution Method2009
- 著者名/発表者名
  K.Seki, R.Tanaka, T.Ujihara, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 615-617
  
  ページ: 27-30
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[雑誌論文] Effects of Applied Voltage on the Size of Phase-Separated Domains in DMPS-DOPC Lipid Binary Bilayers Supported on SiO2/Si Substrates2009
- 著者名/発表者名
  Y.Yamauchi, T.Ujihara, R.Tero, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Trans.Mater.Res.Soc.Jpn 34
  
  ページ: 217-220
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20056012
[雑誌論文] High Temperature Solution Growth on Free-standing (001)3C-SiC Epilayers2009
- 著者名/発表者名
  R. Tanaka, K. Seki, T. Ujihara, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum 615-617
  
  ページ: 37-40
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[雑誌論文] Highly spin polarized Photocathode based on GaAs-GaAsP superlattice grown on mosaic-structured buffer layer(査読有)2008
- 著者名/発表者名
  X. G. Jin, Y. Maeda, T. Saka, M. Tanioku, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, T. Koshikawa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 5039-5043
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] 固体表面物性がサポーティッドメンブレンの形成過程と構造に及ぼす影響2008
- 著者名/発表者名
  手老龍吾、宇治原徹、宇理須恒雄
- 雑誌名
  
  表面 (印刷中)
- NAID
  40016130895
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656007
[雑誌論文] Local concentration of gel phase domains in supported lipid bilayers under light irradiation in binary mixture of phospholipids doped with dyes for photoinduced activation2008
- 著者名/発表者名
  T. Ujihara, et.al.
- 雑誌名
  
  Langmuir 24
  
  ページ: 10974-10980
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20056012
[雑誌論文] Local concentration of gel phase domains in supported lipid bilayers under light irradiation in binary mixture of phospholipids doped with dyes for photoinduced activation2008
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, S.Suzuki, Y.Yamauchi, R.Tero, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Langmuir 24
  
  ページ: 10974-10980
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656003
[雑誌論文] 固体表面物性がサポーティツドメンブレンの形成過程と構造に及ぼす影響2008
- 著者名/発表者名
  手老龍吾、宇治原徹、宇理須恒雄
- 雑誌名
  
  表面 (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18059013
[雑誌論文] “High brightness and high polarization electron source using transmission photocathode with GaAs-GaAsP super-lattice layer"(査読有)2008
- 著者名/発表者名
  N. Yamamoto, T. Nakanishi, A. Mano, H. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Konomi, X., Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, H. Horinaka, T. Yasue, T. Koshikawa, M. Kuwahara
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 103
  
  ページ: 64905-64905
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] “Super-high brightness and high spin-polarization photocathode"(査読有)2008
- 著者名/発表者名
  X. Jin, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, T. Kato, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, T. Saka, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, T. Koshikawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1・4
  
  ページ: 45002-45002
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] Super-high brightness and high spin-polarization photocathode2008
- 著者名/発表者名
  X. Jin, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, T. Kato, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, T. Saka, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, T. Koshikawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express Vol. 1, No. 4
- NAID
  10025080044
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] Highly spin polarized Photocathode based on GaAs-GaAsP superlattice grown on mosaic-structured buffer layer2008
- 著者名/発表者名
  X. G. Jin, Y. Maeda, T. Saka, M. Tanioku, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, T. Koshikawa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 5039-5043
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] High brightness and high polarization electron source using transmission photocathode with GaAs-GaAsP super- lattice layer2008
- 著者名/発表者名
  N. Yamamoto, T. Nakanishi, A. Mano, H. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Konomi, X., Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, H. Horinaka, T. Yasue, T. Koshikawa, M. Kuwahara
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics vol. 103, No. 6
  
  ページ: 64905-64905
- NAID
  120001442826
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] Supported lipid bilayer membranes on SiO_2 and TiO_2: substrate effects on membrane formation and shape transformation2007
- 著者名/発表者名
  R. Tero, T. Ujihara, and T. Urisu
- 雑誌名
  
  Proceedings of SPIE 6769
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656007
[雑誌論文] “Thermal emittance measurements for electron beams produced from bulk and superlattice NEA photocathodes"(査読有)2007
- 著者名/発表者名
  N. Yamamoto, M. Yamamoto, M. Kuwahara, R. Ryosuke, T. Morino, K. Tamagaki, A. Mano, A. Utsu, S. Okumi, T Nakanishi, M. Kuriki, C. Bo, T. Ujihara, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 102
  
  ページ: 24904-24904
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] Thermal emittance measurements for electron beams produced from bulk and superlattice NEA photocathodes2007
- 著者名/発表者名
  N. Yamamoto, M. Yamamoto, M. Kuwahara, R. Ryosuke, T. Morino, K. Tamagaki, A. Mano, A. Utsu, S. Okumi, T. Nakanishi, M. Kuriki, C. Bo, T. Ujihara, Y. Takeda.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics vol. 102
  
  ページ: 24904-24904
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering2007
- 著者名/発表者名
  A. Mori, Y. Ohtake, T. Ujihara, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Indium Phosphide and Related Materials 2007 IPRM2007
  
  ページ: 315-318
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Supported lipid bilayer membranes on SiO_2 and TiO_2: substrate effects on membrane formation and shape transformation2007
- 著者名/発表者名
  R.Tero, T. Ujihara, and T. Urisu
- 雑誌名
  
  Proceedings of SPIE 6769
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18059013
[雑誌論文] Size uniformity of InAs dots on mesa-structure templates on (001) InP substrates grown by droplet metal-organic vapor phase epitaxy method2006
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, Y.Yoshida, W-S.Lee, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 89
  
  ページ: 83110-83110
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17686004
[雑誌論文] Pattern size effect on source supply process for sub-micrometer scale selective-area-growth by organometallic vapor phase epitaxy"2006
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, Y.Yoshida, W-S.Lee, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 289
  
  ページ: 89-95
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17686004
[雑誌論文] Influence of growth temperature on minority carrier lifetime of Si layer grown by liquid phase epitaxy using Ga solvent2005
- 著者名/発表者名
  Y.Satoh, N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 98
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御2005
- 著者名/発表者名
  宇治原徹, 吉田義浩, 李祐植, 竹田美和
- 雑誌名
  
  信学技報 105
  
  ページ: 23-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17686004
[雑誌論文] Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, Y.Azuma, N.Usami, G.Sazaki, T.Ujihara, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  INTERNATIONAL JOURNAL OF MATERIALS ＆ PRODUCT TECHNOLOGY 22
  
  ページ: 185-212
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams2005
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, Y.Azuma, N.Usami, G.Sazaki, T.Ujihara, K.Fujiwara, T.Shishido, Y.Nishijima, T.Kusunoki
- 雑誌名
  
  INTERNATIONAL JOURNAL OF MATERIALS ＆ PRODUCT TECHNOLOGY 22
  
  ページ: 185-212
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Structural properties of directionally grown polycrystalline SiGe for solar cells2005
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, W.Pan, N.Usami, K.Sawada, A.Nomura, T.Ujihara, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 275
  
  ページ: 467-473
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained Si layer2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, B.Zhang et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 275
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化2005
- 著者名/発表者名
  宇治原徹, 陳博, 安井健一, 酒井良介, 山本将博, 中西彊, 竹田美和
- 雑誌名
  
  信学技報 106
  
  ページ: 79-84
- NAID
  110004737610
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17686004
[雑誌論文] Structural properties of directionally grown polycrystalline SiGe for solar cells2005
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, W.Pan, N.Usami, K.Sawada, A.Nomura, T.Ujihara et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 275
  
  ページ: 467-473
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of growth temperature on minority carrier lifetime of Si layer grown by liquid phase epitaxy using Ga solvent2005
- 著者名/発表者名
  Y.Satoh, N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 98
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained Si layer2005
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Kutsukake, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, B.Zhang, T.Yokoyama, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 275
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Phase diagram of growth mode for the SiGe/Si heterostructure system with misfit dislocations2004
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, T.Ujihara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 260
  
  ページ: 372-383
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Ge composition dependence of properties of solar cells based on multicrystalline SiGe with microscopic compositiona distribution2004
- 著者名/発表者名
  W.Pan, K.Fujiwara, N.Usami, T.Ujihara, K.Nakajima et al.
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 96
  
  ページ: 1238-1241
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Grain growth behaviors of polycrystalline silicon during melt growth processes2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Y.Obinata, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 266
  
  ページ: 441-448
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Phase diagram of growth mode for the SiGe/Si heterostructure system with misfit dislocations2004
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, T.Ujihara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 260
  
  ページ: 372-383
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Effects of spacer thickness on quantum efficiency of the solar cells with embedded Ge islands in the intrinsic layer2004
- 著者名/発表者名
  Alguno, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima, K.Sawano, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 84
  
  ページ: 2802-2804
- NAID
  120002337903
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Effects of growth temperature on the surface morphology of silicon thin-film on (111) silicon monocrystalline substrate by liquid phase epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Obara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 266
  
  ページ: 467-474
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] On the origin of strain fluctuation in strained-Si grown on SiGe-on-insulator and SiGe virtual substrates2004
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 85
  
  ページ: 1335-1337
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Relationship between device performance and grain boundary structural configuration in a solar cell based on multicrystalline SiGe2004
- 著者名/発表者名
  N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
- NAID
  10012039322
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime2004
- 著者名/発表者名
  N.Usami, A.Alguno, K.Sawano, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Thin Sold Films 451/452
  
  ページ: 604-607
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ observation of melt growth behavior of polycrystalline silicon2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Y.Obinata, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 262
  
  ページ: 124-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Grain growth behaviors of polycrystalline silicon during melt growth processes2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Y.Obinata, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 266
  
  ページ: 441-448
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ observation of melt growth behavior of polycrystalline silicon2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Y.Obinata, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 262
  
  ページ: 124-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime2004
- 著者名/発表者名
  N.Usami, A.Alguno, K.Sawano, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, Y.Shiraki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Thin Sold Films 451/452
  
  ページ: 604-607
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate2004
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. 224
  
  ページ: 95-98
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Ge composition dependence of properties of solar cells based on multicrystalline SiGe with microscopic compositional distribution2004
- 著者名/発表者名
  W.Pan, K.Fujiwara, N.Usami, T.Ujihara, K.Nakajima, R.Shimokawa
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 96
  
  ページ: 1238-1241
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate2004
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Nakajima, B.P.Zhang, Y.Segawa
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. 224
  
  ページ: 95-98
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] On the origin of strain fluctuation in strained-Si grown on SiGe-on-insulator and SiGe virtual substrates2004
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 85
  
  ページ: 1335-1337
- NAID
  120002337905
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Effects of spacer thickness on quantum efficiency of the solar cells with embedded Ge islands in the intrinsic layer2004
- 著者名/発表者名
  Alguno, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 84
  
  ページ: 2802-2804
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Relationship between device performance and grain boundary structural configuration in a solar cell based on multicrystalline SiGe2004
- 著者名/発表者名
  N.Usami, W.Pan, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
- NAID
  10012039322
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Effects of growth temperature on the surface morphology of silicon thin-film on (111) silicon monocrystalline substrate by liquid phase epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Obara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 266
  
  ページ: 467-474
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of homogeneous SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate2003
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 42
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Stacked Ge islands for photovoltaic applications2003
- 著者名/発表者名
  N.Usami, A.Alguno, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima, K.Sawano, Y.Shiraki
- 雑誌名
  
  Sci.Tech.Adv.Mat. 4
  
  ページ: 367-370
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of the elastic strain on the band structure of ellipsoidal SiGe coherently embedded in Si matrix2003
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Ichitsubo, T.Ujihara, T.Takahashi, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 94
  
  ページ: 916-920
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] High-quality crystalline silicon layer grown by liquid phase epitaxy method at low growth temperature2003
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Obara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki, T.Shishido, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
- NAID
  10010781885
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Stacked Ge islands for photovoltaic applications2003
- 著者名/発表者名
  N.Usami, A.Alguno, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Sci. Tech. Adv. Mat. 4
  
  ページ: 367-370
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Influence of the elastic strain on the band structure of ellipsoidal SiGe coherently embedded in Si matrix2003
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Ichitsubo, T.Ujihara, T.Takahashi, K.Fujiwara, G.Sazaki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 94
  
  ページ: 916-920
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of homogeneous SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate2003
- 著者名/発表者名
  K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, B.P.Zhang, Y.Segawa, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Enhanced quantum efficiency of solar cells with self-assembled Ge dots stacked in multilayer structure2003
- 著者名/発表者名
  A.Alguno, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, Y.Shiraki, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 83
  
  ページ: 1258-1260
- NAID
  120002337899
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by utilizing feedback control system of the crystal-melt interface position for precise control of the growth temperature2003
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 250
  
  ページ: 298-304
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] High-quality crystalline silicon layer grown by liquid phase epitaxy method at low growth temperature2003
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Obara, N.Usami, K.Fujiwara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 42
- NAID
  10010781885
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Enhanced quantum efficiency of solar cells with self-assembled Ge dots stacked in multilayer structure2003
- 著者名/発表者名
  A.Alguno, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, Y.Shiraki et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 83
  
  ページ: 1258-1260
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by utilizing feedback control system of the crystal-melt interface position for precise control of the growth temperature2003
- 著者名/発表者名
  Y.Azuma, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, Y.Murakami et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 250
  
  ページ: 298-304
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Murakami, T.Ujihara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials and Solar Cells 72
  
  ページ: 93-100
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Control of Macroscopic Absorption Coefficient of Multicrystalline SiGe by Microscopic Compositional Distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, H.Yaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 41
- NAID
  110006344347
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Evaluation of mutual and intrinsic diffusion coefficients in the liquid GaGe binary system using novel determination method based on Fick's first law2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Non-cryst. Solids 312
  
  ページ: 196-202
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ observation of the Marangoni convection of a NaC1 aqueous solution under microgravity2002
- 著者名/発表者名
  G.Sazaki, S.Miyashita, M.Nokura, T.Ujihara, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 234
  
  ページ: 516-522
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Simultaneous in-situ measurement of solute and temperature distributions in the alloy solutions2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 242
  
  ページ: 313-320
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of SiGe bulk crystals with uniform composition as substrates for Si-based heterostructures2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, Y.Azuma, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  Mat. Sci. Eng. B 89
  
  ページ: 364-367
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Evidence for the presence of built-in strain in multicrystalline SiGe with large compositional distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Takahashi, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 41
  
  ページ: 4462-4465
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ observation of the Marangoni convection of a NaCl aqueous solution under microgravity2002
- 著者名/発表者名
  G.Sazaki, S.Miyashita, M.Nokura, T.Ujihara, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 234
  
  ページ: 516-522
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface2002
- 著者名/発表者名
  G.Sazaki, Y.Azuma, S.Miyashita, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 236
  
  ページ: 125-131
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In situ observation of crystal growth behavior of silicon melt2002
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Ke.Nakajima, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki, H.Hasegawa, S.Mizoguchi, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 243
  
  ページ: 275-282
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Strain distribution of Si thin film grown on multicrystalline-SiGe with microscopic compositional distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Takahashi, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 92
  
  ページ: 7098-7101
- NAID
  120002338155
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for high-efficiency solar cells2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Murakami, T.Ujihara et al.
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials ＆ Solar Cell 73
  
  ページ: 305-320
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Simultaneous in-situ measurement of solute and temperature distributions in the alloy solutions2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 242
  
  ページ: 313-320
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] New method for measurement of interdiffusion coefficient in high temperature solutions based on Fick's first law2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 241
  
  ページ: 387-394
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Evidence for the presence of built-in strain in multicrystalline SiGe with large compositional distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Takahashi, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 41
  
  ページ: 4462-4465
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Fabrication of SiGe bulk crystals with uniform composition as substrates for Si-based heterostructures2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, Y.Azuma, T.Ujihara, G.Sazaki, K.Fujiwara, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Eng.B 89
  
  ページ: 364-367
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Growth and properties of SiGe multicrystals with microscopic compositional distribution for high-efficiency solar cells2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Murakami, T.Ujihara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials ＆ Solar Cell 73
  
  ページ: 305-320
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] New method for measurement of interdiffusion coefficient in high temperature solutions based on Fick's first law2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 241
  
  ページ: 387-394
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Evaluation of mutual and intrinsic diffusion coefficients in the liquid GaGe binary system using novel determination method based on Fick's first law2002
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, K.Fujiwara, G.Sazaki, N.Usami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Non-cryst.Solids 312
  
  ページ: 196-202
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Melt growth of multicrystalline SiGe with large compositional distribution for new solar cell applications2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, N.Usami, K.Fujiwara, Y.Murakami, T.Ujihara et al.
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials and Solar Cells 72
  
  ページ: 93-100
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Control of Macroscopic Absorption Coefficient of Multicrystalline SiGe by Microscopic Compositional Distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, H.Yaguchi, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 41
- NAID
  110006344347
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Strain distribution of Si thin film grown on multicrystalline-SiGe with microscopic compositional distribution2002
- 著者名/発表者名
  N.Usami, T.Takahashi, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 92
  
  ページ: 7098-7101
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface2002
- 著者名/発表者名
  G.Sazaki, Y.Azuma, S.Miyashita, N.Usami, T.Ujihara, K.Fujiwara, Y.Murakami, K.Nakajima
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 236
  
  ページ: 125-131
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] In situ observation of crystal growth behavior of silicon melt2002
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, Ke.Nakajima, T.Ujihara, N.Usami, G.Sazaki et al.
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 243
  
  ページ: 275-282
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[雑誌論文] Compositional variation in Si-rich SiGe single crystals grown by multi-component zone melting method using Si seed and source crystals2002
- 著者名/発表者名
  K.Nakajima, T.Kusunoki, Y.Azuma, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, T.Shishido
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 240
  
  ページ: 373-381
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14102020
[産業財産権] 結晶成長条件の決定方法2018
- 発明者名
  朱燦, 遠藤友樹, 原田俊太, 宇治原徹
- 権利者名
  朱燦, 遠藤友樹, 原田俊太, 宇治原徹
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[産業財産権] 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶2009
- 発明者名
  宇治原徹, 吉川和男, 小宮山聰
- 権利者名
  名古屋大学・東海カーボン
- 産業財産権番号
  2009-234325
- 出願年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[産業財産権] 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶2008
- 発明者名
  宇治原徹, 吉川和男, 小宮山聰
- 権利者名
  名古屋大学・東海カーボン
- 産業財産権番号
  2008-262078
- 出願年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[産業財産権] 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶2008
- 発明者名
  宇治原徹, 吉川和男, 小宮山聰
- 権利者名
  名古屋大学・東海カーボン
- 産業財産権番号
  2008-026078
- 出願年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[産業財産権] スピン偏極電子源2008
- 発明者名
  宇治原徹, 金秀光, 竹田美和, 中西彊, 山本尚人, 坂貴, 加藤俊宏
- 権利者名
  名古屋大学, 大同工業大学, 大同特殊鋼
- 産業財産権番号
  2008-079292
- 出願年月日
  2008-03-25
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[産業財産権] スピン偏極電子発生素子2006
- 発明者名
  宇治原徹ほか4名
- 権利者名
  名古屋大学
- 産業財産権番号
  2006-060673
- 出願年月日
  2006-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17686004
[産業財産権] スピン偏極電子発生装置2006
- 発明者名
  宇治原徹, 竹田美和, 中西彊, 山本将博, 陳博
- 権利者名
  名古屋大学
- 産業財産権番号
  2006-060673
- 出願年月日
  2006-03-07
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[学会発表] デジタルツインを用いた結晶成長プロセス最適化技術（SiC溶液成長を中心に）2022
- 著者名/発表者名
  宇治原徹
- 学会等名
  CVD反応分科会第35回シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[学会発表] 大口径SiC結晶成長のためのプロセスインフォマティクス技術の開発2021
- 著者名/発表者名
  宇治原徹
- 学会等名
  先進セラミックス学振124委員会　第166回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[学会発表] 溶液法による6インチSiC結晶の成長とそれに活用したプロセス・インフォマティクス技術2021
- 著者名/発表者名
  宇治原徹
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[学会発表] Application of Machine Learning for High Quality SiC Crystal Growth2019
- 著者名/発表者名
  T. Ujihara
- 学会等名
  the 5th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[学会発表] Threading Screw Dislocations Conversion and Suppression of Inclusions in 3-inch 4° off-axis C-face 4H-SiC Solution Growth with Pure Si2019
- 著者名/発表者名
  TAKAMA UNNO, CAN ZHU, SHUNTA HARADA, HARUHIKO KOIZUMI, MIHO TAGAWA, TORU UJIHARA
- 学会等名
  the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[学会発表] The control of conduction type in high quality bulk solution growth of SiC2019
- 著者名/発表者名
  Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
- 学会等名
  the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[学会発表] Machine learning for SiC crystal growth (modeling, optimization and visualization)2019
- 著者名/発表者名
  T. Ujihara
- 学会等名
  International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[学会発表] Threading Screw Dislocations Conversion and Suppression of Inclusions in 3-inch 4° off-axis C-face 4H-SiC Solution Growth with Pure Si2019
- 著者名/発表者名
  TAKAMA UNNO, CAN ZHU, SHUNTA HARADA, HARUHIKO KOIZUMI, MIHO TAGAWA, TORU UJIHARA
- 学会等名
  ICSCRM2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[学会発表] The control of conduction type in high quality bulk solution growth of SiC2019
- 著者名/発表者名
  Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
- 学会等名
  ICSCRM2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[学会発表] PREDICTION MODEL OF COMPUTATIONAL FLUID DYNAMICS BASED ON NEURAL NETWORK CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING AND PROCESS OPTIMIZATION OF SIC SOLUTION GROWTH2019
- 著者名/発表者名
  T. Ujihara, Y. Tsunooka, H. Lin, C. Zhu, T. Narumi, K. Kutsukake, S. Harada, M. Tagawa
- 学会等名
  the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[学会発表] Application of high-quality SiC solution growth to large size crystal2019
- 著者名/発表者名
  Can Zhu, Tomoki Endo, Takama Unno, Haruhiko Koizumi, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
- 学会等名
  ICSCRM2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[学会発表] ESTIMATION OF HIGH-TEMPERATURE PHYSICAL PROPERTIES BY MACHINE LEARNING TOWARD ACCURATE NUMERICAL MODELING OF CRYSTAL GROWTH2019
- 著者名/発表者名
  K. Ando, H. Lin, Y. Tsunooka, T. Narumi, C. Zhu, K. Kutsukake, S. Harada, K. Matsui, I. Takeuchi, Y. Koyama, Y. Kawajiri, M. Tagawa, T. Ujihara
- 学会等名
  the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[学会発表] PREDICTION MODEL OF COMPUTATIONAL FLUID DYNAMICS BASED ON NEURAL NETWORK CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING AND PROCESS OPTIMIZATION OF SIC SOLUTION GROWTH2019
- 著者名/発表者名
  T. Ujihara, Y. Tsunooka, H. Lin, C. Zhu, T. Narumi, K. Kutsukake, S. Harada, M. Tagawa
- 学会等名
  ICCGE-19
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03839
[学会発表] Spectroscopy of electrons emitting from conduction mini-band of semiconductor superlattice through negative-electron-affinity surface2017
- 著者名/発表者名
  T. Ujihara
- 学会等名
  the 39th International conference on Vacuum Ultraviolet and X-ray Physics
- 発表場所
  Zurich, Switzerland
- 年月日
  2017-07-03
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14230
[学会発表] Evaluation of conduction mini-bands in semiconductor superlattice by visible-light photoelectron spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  T. Ujihara
- 学会等名
  13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  Rome. Italy
- 年月日
  2016-10-09
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14230
[学会発表] The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth2016
- 著者名/発表者名
  S. Y. Xiao, S. Harada, P. L. Chen, K. Murayama, T.Ujihara
- 学会等名
  the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246019
[学会発表] High Quality SiC Single Crystal Grown by Soltion Growth Method2016
- 著者名/発表者名
  T. Ujihara
- 学会等名
  Fall Meeting of the Korean Ceramics Society
- 発表場所
  Seoul
- 年月日
  2016-11-23
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246019
[学会発表] 透過電子顕微鏡による窒素添加 SiC 積層欠陥の高温その場観察2016
- 著者名/発表者名
  陳鵬磊, 原田俊太, 荒井重勇, 藤榮文博, 肖世玉, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第3回講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2016-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249034
[学会発表] Direct observation of electrons transported in second conduction mini-band of a semiconductor superlattice by visible-light photoemission spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  F. Ichihashi, K. Nishitani, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara
- 学会等名
  SPIE photonics
- 発表場所
  San Francisco, CA
- 年月日
  2016-02-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13349
[学会発表] 窒素添加した 4H-SiC における積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察2016
- 著者名/発表者名
  藤榮文博, 原田俊太, 村山健太, 花田賢志, 陳鵬磊, 田川美穂, 加藤智久, 宇治原徹,
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第3回講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2016-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249034
[学会発表] Control of Macrostep Structure for High-Quality SiC Grown by Liquid Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Ujihara, C. Zhu, K. Murayama, S. Harada, M.Tagawa
- 学会等名
  the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2016-08-07
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246019
[学会発表] 可視光励起光電子分光法を用いたGaPにおけるキャリア散乱の温度依存性評価2016
- 著者名/発表者名
  市橋史朗，川口昂彦，董キン宇，井上明人，桑原真人，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹
- 学会等名
  第６３回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13349
[学会発表] 半導体伝導帯構造を明らかにする可視光電子光電子分光法の提案2016
- 著者名/発表者名
  宇治原徹, 市橋史朗, 董キン宇, 井上明人, 川口昂彦, 桑原真人, 伊藤孝寛, 原田俊太, 田川美穂
- 学会等名
  2016年真空・表面科学合同講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2016-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14230
[学会発表] Temperature Dependence of the Energy Distribution of the Conduction Electrons in GaP Single Crystal2015
- 著者名/発表者名
  F. Ichihashi, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa and T. Ujihara
- 学会等名
  10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices
- 発表場所
  Shimane, Japan
- 年月日
  2015-10-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13349
[学会発表] 可視光励起光電子分光によるGaP中伝導電子分布の温度変化の観測2015
- 著者名/発表者名
  川口昂彦, 市橋史朗, 董キン宇, 桒原真人, 伊藤孝寛, 宇治原徹
- 学会等名
  日本物理学会秋季大会
- 発表場所
  関西大学
- 年月日
  2015-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13349
[学会発表] Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method2014
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara
- 学会等名
  ICSEM 2014 (International Conference on Science and Engineering of Materials)
- 発表場所
  Sharda University, Greater Noida, India
- 年月日
  2014-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “可視光励起光電子分光法による半導体超格子ミニバンド構造の有効質量評価”2014
- 著者名/発表者名
  西谷健治，志村大樹，市橋史朗，桒原真人，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス、神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] "Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method"2014
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara
- 学会等名
  ICSEM 2014 (International Conference on Science and Engineering of Materials
- 発表場所
  Sharda University, Greater Noida, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “可視光励起光電子分光法による半導体中の伝導電子の直接観察”2014
- 著者名/発表者名
  市橋史朗，志村大樹，西谷健治，原真，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹
- 学会等名
  日本物理学会第69回年次大会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス、神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] 可視光励起光電子分光法による半導体中の伝導電子の直接観察2014
- 著者名/発表者名
  市橋史朗, 志村大樹, 西谷健治, 原真, 伊藤孝寛, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  日本物理学会第69回年次大会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2014-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] Efficient Process for Ultrahigh Quality 4H-SiC Crystal Utilizing Solution Growth on Off-axis Seed Crystal2014
- 著者名/発表者名
  S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara
- 学会等名
  2012 MRS Spring Meeting & Exhibit
- 発表場所
  California, USA
- 年月日
  2014-04-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] 可視光励起光電子分光法による半導体超格子ミニバンド構造の有効質量評価2014
- 著者名/発表者名
  西谷健治, 志村大樹, 市橋史朗 , 桒原真人, 伊藤孝寛, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method utilizing the conversion from threading dislocations to basal plane defects2013
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, Y.Yamamoto, S.Harada, S.Xiao, K.Seki
- 学会等名
  ICCGE-17
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- 年月日
  2013-08-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] 4H-SiC 溶液成長における成長表面のステップ構造と貫通転位変換挙動の相関2013
- 著者名/発表者名
  原田俊太, 山本祐治, 肖世玉, 堀尾篤史, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  SiC 及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館
- 年月日
  2013-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “SiC溶液成長過程における基底面転位の形成”2013
- 著者名/発表者名
  肖世玉，原田俊太，宇治原徹
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館，埼玉県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] Structure of basal plane defects formed by threading screw dislocation conversion during high quality SiC solution growth2013
- 著者名/発表者名
  S.Harada, R.Kunimatsu, Xiao Shiyu, Y.Yamamoto, M.Tagawa, Y.Yamamoto, S.Arai, N.Tanaka, T.Ujihara
- 学会等名
  ISETS '13
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2013-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] "Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method utilizing the conversion from threading dislocations to basal plane defects"2013
- 著者名/発表者名
  T. Ujihara, Y. Yamamoto, S. Harada, S. Xiao, K. Seki
- 学会等名
  17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-17)
- 発表場所
  University of Warsaw, Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] "Observation of Conduction Electrons in Superlattice Structure by Visible Light Photoemission Spectroscopy"2013
- 著者名/発表者名
  K. Nishitani, F. Ichihashi, D. Shimura, S. Harada, M. Kuwahara, M. Tagawa, T. Ito, T. Ujihara
- 学会等名
  the 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC-23)
- 発表場所
  Taipei International Conventional Center, Taipei, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] SiC溶液成長過程における基底面転位の形成2013
- 著者名/発表者名
  肖世玉, 朱燦, 原田俊太, 宇治原徹
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- 年月日
  2013-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] "Control of Dislocation Conversion during Solution Growth by Changing Surface Step Structure"2013
- 著者名/発表者名
  S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, A. Horio, M. Tagawa, T. Ujihara
- 学会等名
  the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
- 発表場所
  Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “4H-SiC溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する欠陥の微細構造”2013
- 著者名/発表者名
  原田俊太,國松亮太,田川美穂,山本悠太,荒井重勇,田中信夫,宇治原徹
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会　2012年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] "Direct Observation of Conduction Band Structure and Conduction Electron Distribution in Semiconductor for Intermediate-band Solar Cells"2013
- 著者名/発表者名
  F.Ichihashi, D.Shimura, K.Nishitani, M.Kuwahara, S.Harada, T.Ito, M.Tagawa, T.Ujihara
- 学会等名
  ISETS '13
- 発表場所
  Nagoya University, Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] 4H-SiC 溶液成長過程における貫通転位変換挙動と成長表面モフォロジーの相関2013
- 著者名/発表者名
  原田俊太, 山本祐治, 肖世玉, 堀尾篤史, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  日本結晶成長学会第43回結晶成長国内会議
- 発表場所
  長野市生涯学習センター
- 年月日
  2013-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] "Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at a High Speed during the Solution Growth of SiC"2013
- 著者名/発表者名
  T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara
- 学会等名
  the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
- 発表場所
  Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] 可視光励起光電子分光法による半導体超格子構造の伝導キャリア観察2013
- 著者名/発表者名
  西谷健治, 市橋史朗 , 志村大樹, 桒原真人, 伊藤孝寛, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- 年月日
  2013-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at a High Speed during the Solution Growth of SiC2013
- 著者名/発表者名
  T.Umezaki, D.Koike, S.Harada, T.Ujihara
- 学会等名
  ICSCRM2013
- 発表場所
  Miyazaki, Japan
- 年月日
  2013-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “高品質SiC溶液成長”2013
- 著者名/発表者名
  宇治原徹, 原田俊太
- 学会等名
  一般社団法人資源・素材学会　平成25年度春季大会
- 発表場所
  千葉工業大学津田沼キャンパス, 千葉県
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “SiC溶液成長過程における基底面転位の形成”2013
- 著者名/発表者名
  肖世玉，朱燦，原田俊太，宇治原徹
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] 角度分解光電子分光法を用いた半導体超格子のミニバンド評価2013
- 著者名/発表者名
  志村大樹, 市橋史朗 , 西谷健治, 原田俊太, 伊藤孝寛, 桒原真人, 松波雅治, 木村真一, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- 年月日
  2013-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] Control of Dislocation Conversion during Solution Growth by Changing Surface Step Structure2013
- 著者名/発表者名
  S.Harada, Y.Yamamoto, S.Xiao, A.Horio, M.Tagawa, T.Ujihara
- 学会等名
  ICSCRM2013
- 発表場所
  Miyazaki, Japan
- 年月日
  2013-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “角度分解光電子分光法を用いた半導体超格子のミニバンド評価”2013
- 著者名/発表者名
  志村大樹，市橋史朗，西谷健治，原田俊太，伊藤孝寛，桒原真人，松波雅治，木村真一，田川美穂，宇治原徹
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス、京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] Observation of Conduction Electrons in Superlattice Structure by Visible Light Photoemission Spectroscopy2013
- 著者名/発表者名
  K. Nishitani, F. Ichihashi, D. Shimura, S. Harada, M. Kuwahara, M. Tagawa, T. Ito, T. Ujihara
- 学会等名
  the 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC-23)
- 発表場所
  Taipei International Conventional Center, Taipei, Taiwan
- 年月日
  2013-10-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] Direct Observation of Conduction Band Structure and Conduction Electron Distribution in Semiconductor for Intermediate-band Solar Cells2013
- 著者名/発表者名
  F. Ichihashi, D. Shimura, K. Nishitani, M. Kuwahara, S. Harada, T. Ito, M. Tagawa, T. Ujihara
- 学会等名
  ISETS '13
- 発表場所
  Nagoya University, Nagoya
- 年月日
  2013-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC2013
- 著者名/発表者名
  S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, M.Tagawa, T.Ujihara
- 学会等名
  ICCGE-17
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- 年月日
  2013-08-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] 4H-SiC 溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する欠陥の微細構造2013
- 著者名/発表者名
  原田俊太, 國松亮太, 田川美穂, 山本悠太, 荒井重勇, 田中信夫, 宇治原徹
- 学会等名
  応用物理学会 2012年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “4H-SiC溶液成長過程における貫通転位変換挙動と成長表面モフォロジーの相関”2013
- 著者名/発表者名
  原田俊太，山本祐治，肖世玉，堀尾篤史, 田川美穂，宇治原徹
- 学会等名
  日本結晶成長学会第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
- 発表場所
  長野市生涯学習センター（TOiGO内）, 長野県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “4H-SiC溶液成長における成長表面のステップ構造と貫通転位変換挙動の相関”2013
- 著者名/発表者名
  原田俊太，山本祐治，肖世玉，堀尾篤史，田川美穂，宇治原徹
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館，埼玉県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “可視光励起光電子分光法による半導体超格子構造の伝導キャリア観察”2013
- 著者名/発表者名
  西谷健治，市橋史朗，志村大樹，桒原真人，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス、京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] "Evaluation of Mini-Bands Formed in Superlattice Structure for Intermediate-Band Solar Cell"2013
- 著者名/発表者名
  D.Shimura, F.Ichihashi, K.Nishitani, S.Harada, T.Ito, M.Kuwahara, M.Matsunami, S.Kimura, M.Tagawa, T.Ujihara
- 学会等名
  ISETS '13
- 発表場所
  Nagoya University, Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] "Structure of basal plane defects formed by threading screw dislocation conversion during high quality SiC solution growth"2013
- 著者名/発表者名
  S.Harada, R.Kunimatsu, Xiao Shiyu, Y.Yamamoto, M.Tagawa, Y.Yamamoto, S.Arai, N.Tanaka, T.Ujihara
- 学会等名
  ISETS '13
- 発表場所
  Nagoya University, Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] SiC 溶液成長過程における基底面転位の形成2013
- 著者名/発表者名
  肖世玉, 原田俊太, 宇治原徹
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館
- 年月日
  2013-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] "Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC"2013
- 著者名/発表者名
  S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, M. Tagawa, T. Ujihara
- 学会等名
  17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)
- 発表場所
  University of Warsaw, Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “SiC溶液成長過程における貫通転位変換と成長表面のステップ構造”2013
- 著者名/発表者名
  原田俊太，山本祐治，肖世玉，堀尾篤史，田川美穂，宇治原徹
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] 高品質SiC 溶液成長2013
- 著者名/発表者名
  宇治原徹, 原田俊太
- 学会等名
  資源・素材学会平成25年度春季大会
- 発表場所
  千葉工業大学
- 年月日
  2013-03-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] 「講演奨励賞受賞記念講演」可視光励起光電子分光法による伝導電子の直接観察2013
- 著者名/発表者名
  市橋史朗 , 志村大樹, 西谷健治, 桒原真人, 伊藤孝寛, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- 年月日
  2013-09-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] SiC 溶液成長過程における貫通転位変換と成長表面のステップ構造2013
- 著者名/発表者名
  原田俊太, 山本祐治, 肖世玉, 堀尾篤史, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- 年月日
  2013-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] Evaluation of Mini-Bands Formed in Superlattice Structure for Intermediate-Band Solar Cell2013
- 著者名/発表者名
  D. Shimura, F. Ichihashi, K. Nishitani, S. Harada, T. Ito, M. Kuwahara, M. Matsunami, S. Kimura, M. Tagawa, T. Ujihara
- 学会等名
  ISETS '13
- 発表場所
  Nagoya University, Nagoya
- 年月日
  2013-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600088
[学会発表] "Evolution of Threading Edge Dislocation During Solution Growth of SiC"2012
- 著者名/発表者名
  S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, and T. Ujihara
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
- 発表場所
  Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “Si-C-X溶媒を用いたSiC溶液成長における結晶化多形の熱力学的考察”2012
- 著者名/発表者名
  堀尾篤史, 原田俊太,宇治原徹
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会
- 発表場所
  大阪市中央公会堂, 大阪府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] Evolution of Threading Edge Dislocation During Solution Growth of SiC2012
- 著者名/発表者名
  S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara
- 学会等名
  SSDM2012
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2012-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] Reduction of threading screw dislocation density utilizing defect conversion during solution growth of 4H-SiC2012
- 著者名/発表者名
  S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, T.Ujihara
- 学会等名
  ECSCRM-2012
- 発表場所
  Saint-Petersburg, Russia
- 年月日
  2012-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “4H-SiC溶液成長における貫通刃状転位の選択的変換”2012
- 著者名/発表者名
  原田俊太, 山本祐治, 関　和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会　2012年秋季第73回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  愛媛大学城北地区,　愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] 一方向の溶液流れ下におけるSiC のステップバンチングの挙動2012
- 著者名/発表者名
  朱燦, 原田俊太, 関和明, 新家寛正, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学
- 年月日
  2012-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] Direct Observation of Defect Evolution during Solution Growth of SiC by Synchrotron X-ray Topography2012
- 著者名/発表者名
  S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara
- 学会等名
  IUMRS-ICEM2012
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2012-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] 溶液法による高品質SiC 結晶成長メカニズム2012
- 著者名/発表者名
  原田俊太, 山本祐治, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] 溶液法による超高品質SiC 結晶成長2012
- 著者名/発表者名
  宇治原徹, 原田俊太, 山本祐治, 関和明
- 学会等名
  日本セラミックス協会第25回秋季シンポジウム
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2012-09-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] Si-C-X溶媒を用いたSiC 溶液成長における結晶化多形の熱力学的考察2012
- 著者名/発表者名
  堀尾篤史, 原田俊太, 宇治原徹
- 学会等名
  SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会第21回講演会
- 発表場所
  大阪市中央公会堂
- 年月日
  2012-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] "Effect of surface polarity on the conversion of threading dislocations in solution growth"2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yamamoto, S. Harada, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara
- 学会等名
  The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012)
- 発表場所
  Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “一方向の溶液流れ下におけるSiCのステップバンチングの挙動”2012
- 著者名/発表者名
  朱燦, 原田俊太, 関和明, 新家寛正, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議 (NCCG-42)
- 発表場所
  九州大学, 福岡県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] "Efficient Process for Ultrahigh Quality 4H-SiC Crystal Utilizing Solution Growth on Off-axis Seed Crystal"2012
- 著者名/発表者名
  S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara
- 学会等名
  2012 MRS Spring Meeting & Exhibit
- 発表場所
  Moscone West Convention Center Martiott Marquis San Francisco, California, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal : conversion of threading edge dislocations by solution growth2012
- 著者名/発表者名
  S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, C.Zhu, M.Tagawa, T.Ujihara
- 学会等名
  ECSCRM-2012
- 発表場所
  Saint-Petersburg, Russia
- 年月日
  2012-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] 4H-SiC 溶液成長における貫通刃状転位の選択的変換2012
- 著者名/発表者名
  原田俊太, 山本祐治, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹
- 学会等名
  応用物理学会 2012年秋季第73回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] "Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal: conversion of threading edge dislocations by solution growth"2012
- 著者名/発表者名
  S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, C. Zhu, M. Tagawa, T. Ujihara
- 学会等名
  The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012)
- 発表場所
  Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “溶液法による高品質SiC結晶成長メカニズム”2012
- 著者名/発表者名
  原田俊太, 山本祐治, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議 (NCCG-42)
- 発表場所
  九州大学, 福岡県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] "Reduction of threading screw dislocation density utilizing defect conversion during solution growth of 4H-SiC"2012
- 著者名/発表者名
  S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, T. Ujihara
- 学会等名
  The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012)
- 発表場所
  Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “溶液法による超高品質SiC結晶成長”2012
- 著者名/発表者名
  宇治原徹, 原田俊太,山本祐治, 関　和明
- 学会等名
  公益社団法人日本セラミックス協会第25回秋季シンポジウム
- 発表場所
  名古屋大学,　愛知県
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] “溶液成長過程における貫通転位変換を利用した高品質4H-SiCの実現”2012
- 著者名/発表者名
  原田俊太, 山本祐治, 関和明, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会
- 発表場所
  大阪市中央公会堂, 大阪府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] "Direct Observation of Defect Evolution during Solution Growth of SiC by Synchrotron X-ray Topography"2012
- 著者名/発表者名
  S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, and T. Ujihara
- 学会等名
  International Union of Materials Research Societies International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
- 発表場所
  PACIFICO YOKOHAMA, Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] Effect of surface polarity on the conversion of threading dislocations in solution growth2012
- 著者名/発表者名
  Y.Yamamoto, S.Harada, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara
- 学会等名
  ECSCRM-2012
- 発表場所
  Saint-Petersburg, Russia
- 年月日
  2012-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] 溶液成長過程における貫通転位変換を利用した高品質4H-SiC の実現2012
- 著者名/発表者名
  原田俊太, 山本祐治, 関和明, 田川美穂, 宇治原徹
- 学会等名
  SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会第21回講演会
- 発表場所
  大阪市中央公会堂
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246004
[学会発表] Highly polarized and high quantum efficiency electron source using transmission-type photocathode2011
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
- 学会等名
  2^<nd> International Particle Accelerator Conference
- 発表場所
  San Sebastian (Spain)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] 透過光型フォトカソードを用いた高スピン偏極・高輝度電子源の開発現状2011
- 著者名/発表者名
  金, 宇治原, 竹田, 他
- 学会等名
  第8回日本加速器学会
- 発表場所
  つくば国際会議場(茨城県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] 4 times improvement of quantum efficiency in high spin-polarization transmission-type Photocathode2011
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, S.Fuchi, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
- 学会等名
  33^<rd> International Free Electron Laser Conference
- 発表場所
  上海(中国)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] AlGaAs 中間層及びSi_3N_4 反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP 歪み超格子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上2011
- 著者名/発表者名
  市橋史朗,金秀光,山本尚人,真野篤志, 桒原真人,渕真悟,宇治原徹,竹田美和
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学, 31a-ZA-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Effect of inhomogeneous strain distribution on the thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice2011
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
- 学会等名
  24^<th> International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  Kyoto (Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] 次世代パワーデバイス半導体SiCの溶液成長2010
- 著者名/発表者名
  宇治原徹
- 学会等名
  日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部学術討論会「次世代自動車の普及と地球温暖化対策を目指す最先端材料研究」
- 発表場所
  名古屋名古屋大学
- 年月日
  2010-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] 人工脂質二重膜における膜欠陥の低減と相分離ドメイン凝集への影響2010
- 著者名/発表者名
  内田昌志, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656003
[学会発表] Laser light patterning on phase-separated domain in supported lipid bilayer2010
- 著者名/発表者名
  Masashi Uchida, Toru Ujihara, Ryugo Tero, Yoshikazu Takeda
- 学会等名
  The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656007
[学会発表] 光照射による人工脂質二重膜相分離ドメイン凝集制御における光強度の影響2009
- 著者名/発表者名
  内田昌志, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656003
[学会発表] 固体基板上脂質二重膜における光照射による相分離ドメイン局所形成メカニズムの検討2009
- 著者名/発表者名
  宇治原徹, 山内庸詞, 内田昌志, 手老龍吾, 竹田美和
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学、茨城県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656003
[学会発表] Active Control of Gel-Phase and Raft Domain Condensation in Supported Lipid Bilayer2009
- 著者名/発表者名
  宇治原徹
- 学会等名
  2nd International Symposium, on Nanomedicine(ISNM2009)Asian Core Symposium -Nano and Biomedical Molecular Science-
- 発表場所
  Okazaki, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656003
[学会発表] Stacking Faults Induced by Polytype Transformation in 6H-SiC Grown on 3C-SiC with Solution Growth2009
- 著者名/発表者名
  Kazuaki Seki, Kai Morimoto, Toru Ujihara, Tomoharu Tokunaga, Katsuhiro Sasaki, Kotaro Kuroda, Yoshikazu Takeda
- 学会等名
  13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM2009)
- 発表場所
  Nuremberg, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] Active Control of Gel-Phase and Raft Domain Condensation in Supported Lipid Bilayer2009
- 著者名/発表者名
  T. Ujihara
- 学会等名
  2nd International Symposium on Nanomedicine (ISNM 2009) Asian Core Svmnosium
- 発表場所
  岡崎、日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20056012
[学会発表] 3C-SiC種結晶上への溶液成長における多形変化2008
- 著者名/発表者名
  関和明, 田中亮, 宇治原徹, 徳永智春, 佐々木勝寛, 黒田光太郎, 竹田美和
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学, 愛知県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] SiO2/Si基板上PSM-DOPC-Cholesterol系脂質二重膜における相分離ドメインの観察と制御2008
- 著者名/発表者名
  鈴木翔也、山内庸詞、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会(日大)
- 発表場所
  船橋・日大理工学部船橋キャンパス
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18059013
[学会発表] 3C-SiC上の溶液成長における結晶方位と結晶内欠陥の成長多形への影響2008
- 著者名/発表者名
  関和明, 田中亮, 宇治原徹, 竹田美和
- 学会等名
  第38回結晶成長国内会議
- 発表場所
  仙台市戦災復興記念館、宮城県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] 電圧印加による人工脂質膜相分離ドメインのアクティブ制御2008
- 著者名/発表者名
  山内庸詞、鈴木翔也、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会(日大)
- 発表場所
  船橋・日大理工学部船橋キャンパス
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18059013
[学会発表] 3C-SiC種結晶(001)面上への高品質3C-SiC低温溶液成長2008
- 著者名/発表者名
  田中亮, 関和明, 宇治原徹, 竹田美和
- 学会等名
  第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会
- 発表場所
  大田区産業プラザ、東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] 3C-SiC上の溶液成長における結晶方位と結晶内欠陥の成長多形への影響2008
- 著者名/発表者名
  関和明, 田中亮, 宇治原徹, 竹田美和
- 学会等名
  第38回結晶成長国内会議
- 発表場所
  仙台市戦災復興記念館, 宮城県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] 3C-SiC(111)面への溶液成長における多形変化と高密度積層欠陥の生成2008
- 著者名/発表者名
  関和明, 田中亮, 宇治原徹, 森本海, 徳永智春, 佐々木勝寛, 黒田光太郎、竹田美和
- 学会等名
  第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会
- 発表場所
  大田区産業プラザ, 東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] SiO2/Si基板上人工脂質膜相分離構造のドメインサイズにおける電圧印加効果2008
- 著者名/発表者名
  山内庸詞, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学、愛知県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656003
[学会発表] 3C-SiC種結晶上への溶液成長における多形変化2008
- 著者名/発表者名
  関和明, 田中亮, 宇治原徹, 徳永智春, 佐々木勝寛, 黒田光太郎, 竹田美和
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学、愛知県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] Local Condensation of Artificial Raft Domains in Supported Lipid Bilayer under Light Irradiation in PSM-DOPC-Cholesterol System2008
- 著者名/発表者名
  T. Ujihara, et.al.
- 学会等名
  International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia
- 発表場所
  名古屋、日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20056012
[学会発表] シングルステップTiO_2表面上でのリン脂質吸着ベシクルから平面二重膜への形状変化2008
- 著者名/発表者名
  手老龍吾、宇治原徹、宇理須恒雄
- 学会等名
  日本化学会第88春季年会
- 発表場所
  東京・立教大池袋キャンパス
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656007
[学会発表] Solution growth on free-standing (001) 3C-SiC epilayers2008
- 著者名/発表者名
  R. Tanaka, K. Seki, T. Ujihara, Y. Takeda
- 学会等名
  7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Barcelona, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] (001)3C-SiC自立基板上への溶液成長における多形変化2008
- 著者名/発表者名
  田中亮, 関和明, 宇治原徹, 佐々木勝寛, 黒田光太郎, 竹田美和
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学、愛知県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] 3C-SiC種結晶(001)面上への高品質3C-SiC低温溶液成長2008
- 著者名/発表者名
  田中亮, 関和明, 宇治原徹, 竹田美和
- 学会等名
  第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会
- 発表場所
  大田区産業プラザ, 東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] シングルステップTiO_2表面上でのリン脂質吸着ベシクルから平面二重膜への形状変化2008
- 著者名/発表者名
  手老龍吾、宇治原徹、宇理須恒雄
- 学会等名
  日本化学会第88春季年会
- 発表場所
  東京・立教大池袋キャンパス
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18059013
[学会発表] 3C-SiC(111)面への溶液成長における多形変化と高密度積層欠陥の生成2008
- 著者名/発表者名
  関和明、田中亮、宇治原徹、森本海、徳永智春、佐々木勝寛、黒田光太郎、竹田美和
- 学会等名
  第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会
- 発表場所
  大田区産業プラザ、東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] VLS法によるSiC単結晶の成長2008
- 著者名/発表者名
  小宮山聰, 吉川和男, 田中亮, 関和明, 宇治原徹
- 学会等名
  第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会
- 発表場所
  大田区産業プラザ, 東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] VLS法によるSiC単結晶の成長2008
- 著者名/発表者名
  小宮山聰、吉川和男、田中亮、関和明、宇治原徹
- 学会等名
  第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会
- 発表場所
  大田区産業プラザ、東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] (001)3C-SiC自立基板上への溶液成長における多形変化2008
- 著者名/発表者名
  田中亮, 関和明, 宇治原徹, 佐々木寛, 黒田光太郎, 竹田美和
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学, 愛知県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] 電圧印加による人工脂質膜相分離ドメインのアクティブ制御2008
- 著者名/発表者名
  山内庸詞、鈴木翔也、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会(日大)
- 発表場所
  船橋・日大理工学部船橋キャンパス
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656007
[学会発表] Polytype transformation during solution growth on 3C-SiC seed crystals2008
- 著者名/発表者名
  K. Seki, R. Tanaka, T. Ujihara, Y. Takeda
- 学会等名
  7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Barcelona, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686003
[学会発表] SiO2/Si基板上PSM-DOPC-Cholesterol系脂質二重膜における相分離ドメインの観察と制御2008
- 著者名/発表者名
  鈴木翔也、山内庸詞、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会(日大)
- 発表場所
  船橋・日大理工学部船橋キャンパス
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656007
[学会発表] Fabrication of DMPC-DOPC Lipid Binary Bilayers Supported on SiO2/Al/Si Substrate for Electrical Control of Phase-Separated Structure2007
- 著者名/発表者名
  Yoji Yamauchi, Shoya Suzuki, Toru Ujihara, Ryugo Tero
- 学会等名
  18th MRS-J Symposium
- 発表場所
  東京・日大理工学部
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656007
[学会発表] Supported planar lipid bilayerのドメイン形状への基板表面構造の影響2007
- 著者名/発表者名
  手老龍吾、宇治原徹、宇理須恒雄
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌・北工大
- 年月日
  2007-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18059013
[学会発表] Supported lipid bilayer membranes on SiO_2 and TiO_2: Effects of substrate surface chemical species and atomic structures (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  Ryugo Tero, Toru Ujihara
- 学会等名
  SPIE Optic East 2007
- 発表場所
  Boston,USA
- 年月日
  2007-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656007
[学会発表] 高濃度Ca2+緩衝液を用いたべシクル展開法による平面状脂質二重膜の形成2007
- 著者名/発表者名
  鈴木翔也、山内庸詞、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌・北工大
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656007
[学会発表] Supported planar lipid bilayerのドメイン形状への基板表面構造の影響2007
- 著者名/発表者名
  手老龍吾、宇治原徹、宇理須恒雄
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌・北工大
- 年月日
  2007-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656007
[学会発表] Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering2007
- 著者名/発表者名
  A. Mori, Y. Ohtake, T. Ujihara, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, PB29
- 発表場所
  Matsue, Japann
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Supported planar lipid bilayers on step-and-terrace TiO_2 surfaces2007
- 著者名/発表者名
  Ryugo Tero, Toru Ujihara
- 学会等名
  The 234rd American Chemical Society National Meeting
- 発表場所
  Boston,USA
- 年月日
  2007-08-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656007
[学会発表] 高濃度Ca2+緩衝液を用いたベシクル展開法による平面状脂質二重膜の形成2007
- 著者名/発表者名
  鈴木翔也、山内庸詞、宇治原徹、手老龍吾、竹田美和
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌・北工大
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18059013
[学会発表] Supported lipid bilayer membranes on SiO_2 and TiO_2: Effects of substrate Surface chemical species and atomic structures (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  Ryugo Tero, Toru Ujihara
- 学会等名
  SPIE Optic East 2007
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2007-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18059013
[学会発表] Supported planar lipid bilayers on step-and-terrace TiO_2 surfaces2007
- 著者名/発表者名
  Ryugo Tero, Tom Ujihara
- 学会等名
  The 234rd American Chemical Society National Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2007-08-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18059013
[学会発表] シングルステップTiO_2表面上に形成した平面脂質二重膜の形状と相分離構造2007
- 著者名/発表者名
  手老龍吾、宇治原徹、宇理須恒雄
- 学会等名
  ナノ学会第5回大会
- 発表場所
  つくば・つくば国際会議場
- 年月日
  2007-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18656007
[学会発表] Fabrication of DMPC-DOPC Lipid Binary Bilayers Supported on SiO2/Al/Si Substrate for Electrical Control of Phase-Separated structure2007
- 著者名/発表者名
  Yoji Yamauchi, Shoya Suzuki, Toru Ujihara, Ryugo Tero
- 学会等名
  18th MRS-J Symposium
- 発表場所
  東京・日大理工学部
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18059013
[学会発表] シングルステップTiO_2表面上に形成した平面脂質二重膜の形状と相分離構造2007
- 著者名/発表者名
  手老龍吾、宇治原徹、宇理須恒雄
- 学会等名
  ナノ学会第5回大会
- 発表場所
  つくば・つくば国際会議場
- 年月日
  2007-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18059013
[学会発表] Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering2007
- 著者名/発表者名
  A. Mori, Y. Ohtake, T. Ujihara, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  2007 Indium Phosphide and Related Materials 2007(IPRM2007)
- 発表場所
  PB29, Kunibiki Messe, Matsue, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] N-Type Doping of 4H-SiC by the Top-Seeded Solution Growth Technique
- 著者名/発表者名
  K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada, and T. Ujihara
- 学会等名
  the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
- 発表場所
  宮崎、日本
- 年月日
  2013-09-29 – 2013-10-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249034
[学会発表] High quality SiC crystal grown by solution method
- 著者名/発表者名
  Toru Ujihara
- 学会等名
  International Conference on Chemical, Materials and Bio-Sciences for Sustainable Development
- 発表場所
  Solarpul, Indo
- 年月日
  2015-01-08 – 2015-01-10
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249034

1. 中嶋一雄 (80311554)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 47件
2. 宇佐美徳隆 (20262107)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 65件
3. 原田俊太 (30612460)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 80件
4. 竹田美和 (20111932)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 18件
5. 田渕雅夫 (90222124)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 3件
6. 佐崎元 (60261509)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
7. 手老龍吾 (40390679)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 23件
8. 渕真悟 (60432241)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 3件
9. 岡野泰則 (90204007)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 3件
10. 加藤正史 (80362317)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
11. 金秀光 (20594055)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
12. 佐々木勝寛 (00211938)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 奥田浩司 (50214060)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 亀井一人 (10527576)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
15. 宮下哲 (00219776)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 松原英一郎 (90173864)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 櫻井雅樹 (80235225)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 黄晋二 (50323663)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 中川清和 (40324181)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 宍戸統悦 (50125580)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
22. 宇田聡 (90361170)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 中西彊 (40022735)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
24. 山本将博 (00377962)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
25. 小早川久 (50022611)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 堀中博道 (60137239)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
27. 栗木雅夫 (80321537)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
28. 北原邦紀 (60304250)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 藤原航三 (70332517)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 長田俊人 (00192526)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 篠田弘造 (10311549)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 高嶋圭史 (40303664)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 佐藤正英 (20306533)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 稲富裕光 (50249934)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
35. 烏山昌幸 (40628640)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
36. 河村貴宏 (80581511)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
37. 沓掛健太朗 (00463795)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
38. 石川浩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
39. 田中信夫

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

宇治原 徹 Ujihara Toru

研究課題

研究成果

共同研究者

インターカレーションによる熱伝導可変メカニズムの解明と新規デバイス構造の提案研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

酸化物へのインターカレーションによる熱伝導可変素子の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

潜在空間における複雑な結晶成長モデルの構築とプロセス設計研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

インターカレーションによる熱物性変化を活用した熱スイッチ素子の提案研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

情報学を融合した移動速度論に基づく半導体バルク結晶成長技術の革新

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

結晶成長インフォマティクスの方法論の構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

可視光励起光電子分光法による中間バンド型太陽電池における２段階励起の直接観察研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

可視光励起光電子分光法による伝導バンド構造の定量評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

可視光励起光電子分光法による伝導バンド高速・高精度測定研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高品質化の鍵となるSiC貫通転位変換過程のその場観察研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高品質・低抵抗SiC結晶の実現

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

量子構造太陽電池中を伝導する電子のエネルギー分光研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高輝度・高偏極度電子源の高効率化

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

宇治原徹 Ujihara Toru