竹田美和 Takeda Yoshikazu

… 別表記

研究者番号	20111932
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所属 (現在)	2020年度: 公益財団法人科学技術交流財団(あいちシンクロトロン光センター、知の拠点重点研究プロジェクト統括部), あいちシンクロトロン光センター, 所長 2020年度: 公益財団法人名古屋産業科学研究所, 研究部, 上席研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2013年度: 公益財団法人名古屋産業科学研究所, 研究部, 研究員 2013年度: 名古屋大学, 工学研究科, 名誉教授 2012年度 – 2013年度: 公益財団法人名古屋産業科学研究所, その他部局等, 研究員 2012年度: 公益財団法人名古屋産業科学研究所, 研究部部局等, 研究員 2010年度 – 2011年度: 名古屋大学, 工学研究科, 教授 … もっと見る
審査区分/研究分野	研究代表者電子材料工学 / 応用物性 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器 / 薄膜・表面界面物性 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外応用物性 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 … もっと見る
キーワード	研究代表者蛍光EXAFS / EXAFS / 原子レベル / 成長初期過程 / 1原子層 / 結合長 / 半導体 / 界面構造 / InPAs / OMVPE … もっと見る研究代表者以外エルビウム / InP / 半導体 / Er / OMVPE法 / 蛍光EXAFS法 / 有機金属気相エピタキシャル法 / 原子レベル制御成長 / ダブルヘテロ構造 / 結晶成長 / 局在スピン / 希土類イオン / GaInP / X線CTR散乱法 / 希土類元素 / III-V族半導体 / 局所構造 / その場観察 / ヨハンソン分光結晶 / X線CTR散乱測定 / その場測定 / X線回折 / 有機金属気相成長 / 太陽電池 / 量子構造 / デバイス / プロセス / 評価技術 / ランタノイド化合物 / ErP / 量子効果 / AFM / STM / X-ray CTR scattering / フォトカソード / 希土類添加III-V族半導体 / 新規半導体レーザ用材料 / 誘導放出 / atomically-controlled growth / stimulated emission / erbium / doubleheterostructures / control of heterointerface / X線CTR散乱 / OMVPE / 超構造 / 原子尺度 / GaP / X線CTR法 / ジスプロシウム / 2〜3μm帯発光 / Dy / 半導体レーザ / 量子ドット / 臨界成長温度 / 共添加 / 希土類添加窒化物半導体 / フルカラーディスプレイ / 電流注入発光 / 有機Er原料 / 希土類元素添加半導体 / 半導体スピントロニクス / 希土類元素添加族半導体 / 固体光増幅器 / ナノ表面界面 / 薄膜多層膜 / 埋もれた界面 / 反射率法 / X線中性子 / X 線回折・散乱 / 半導体結晶成長 / 既存の実験室系X線源 / 角度分散のあるX線 / 回転移動不要 / 結晶工学 / 半導体超微細化 / 量子井戸 / 電子顕微鏡 / スピンエレクトロニクス / 量子ビーム / X線回折測定 / 分光集光結晶 / 回転機構排除 / X線集光光学系 / X線散乱 / X線反射率測定 / 稼動部のない測定 / 光増幅 / 光双安定 / 光スイッチ / 集積構造 / 有機金属気相エピタキシァル成長 / 有機金属気相エピタキシアル成長 / 【II】-【VI】族化合物Zn(S,Se) / ヘテロエピタキシー / 超格子緩衝層 / II-VI族半導体Zn(S,Se) / ヘテロエピ成長 / 歪超格子緩衝層 / 光増幅機能素子 / 固体イメージ増倍素子 / 異種接合光トランジスタ / 全有機金属気相エピタキシアル成長 / 原子尺度の制御 / 微構造 / アモルファスSi / 光CVD / semiconductor / quantum structure / device / process / characterization / Semiconductor / Quantum structure / Device / Process / Characterization / 原子層制御スーパーヘテロエピタキシャル / 原子間刀顕微鏡 / 走査トンネル顕微鏡 / STS / 量子機能 / δド-ピング / Lanthanoide / Super-heteroepitaxy / 高周波電子銃 / レーザー・コンプトン散乱 / レーザー・コンプトン / レーザー・コンプトン光 / レーザーコンプトン光 / Rf-Laser Gun / Photo-Cathode / Laser-Compton Scattering / 半金属 / 半導体低次元量子構造 / 原子層制御成長 / 半金属-半導体転移 / 半金属―半導体転移 / lanthanoide / semimetal / semiconductor structures / atomicallv-controlled growth / quantum effects / semimetal-semiconductor transition / ヘテロ界面制御 / rare-earth-doped III-V / semiconductors / materials for new semiconductor lasers / 不純物原子分布 / 原子層単位の原子分布 / 放射光 / 可搬な測定系 / X線散乱の計算機シミュレーション / アライメント調整法の確立 / In原子の拡散 / 不純物原子 / 薄膜多層構造 / 半導体ヘテロ構造 / 界面構造 / 原子層単位 / 相互拡散 / X-ray CTR scattering measurement / distributions of impurity atoms / atomic scale distributions / Synchrotron radiation / Portable measurement system / Computer simulation of X-ray scattering / Alignment method of optics / Diffusion of In atoms / エミッタンス / 電子源 / リニアコライダー / ERL加速器 / スピン偏極電子 / 負の電子親和性表面 / 電界放出暗電流 / 極高真空技術 / ビームエミッタンス / 低エミッタンス電子源 / 偏極電子源 / NEA-GaAsフォトカソード / tip状-GaAsフォトカソード / 電子・陽電子リニアコライダー / ERL(Energy Recovery Linac) / 低エミッタンス / 負の電子親和性(NEA)表面 / 200keV直流型電子銃 / 超高真空環境 / 電極間暗電流 / Pepper-Pot法 / 正の電子親和性(PEA) / 電界放出型偏極電子源 / GaAs / ピコ秒レーザー / 超高真空 / Emittance / Electron source / Linear collider / ERL accelerator / Spin polarization / Negative Electron Affinity (NEA) / Field emission dark current / Extremely high vacuum technology / 非平衡キャリアグイナミクス / rare-earth-doped III-V semiconductors / new semiconductor lasers / carrier dynamics / 化合物半導体 / エピタキシャル / 複雑な多層構造の解析 / OMCVD / 界面 / 回折測定の簡便な高速化 / 回折測定の簡便な高精度化 / 2次元検出器 / 1次元検出器 / 装置調整法の確立 / compound semiconductor / epitaxial growth / analysis of multilayer structure / X-ray diffraction / crystal growth / MOCVD 隠す

超高輝度・高偏極度電子源の高効率化研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  公益財団法人名古屋産業科学研究所
   名古屋大学
結晶成長その場観察を可能とするＸ線回折測定装置の開発
- 研究代表者
  
  田渕雅夫
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
スピン偏極パルスＴＥＭの開発とナノスピン解析への応用
- 研究代表者
  
  田中信夫
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  ナノ構造科学
- 研究機関
  名古屋大学
半導体結晶成長その場観察のためのX線散乱測定装置の開発
- 研究代表者
  
  田渕雅夫
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
真のヘテロ界面構造とその形成研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
X線・中性子解析による「埋もれた」界面の科学に関する調査
- 研究代表者
  
  櫻井健次
- 研究期間 (年度)
  2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  ナノ材料・ナノバイオサイエンス
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構
分散量子ドットによる超広帯域可視・赤外光デバイスの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋大学
複雑な構造を持つ半導体多層薄膜のX線CTR散乱法による解析
- 研究代表者
  
  田渕雅夫
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
希土類元素添加半導体の新展開:秩序制御による新しいスピン物性の発現
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  大阪大学
希土類元素添加半導体における電流励起光学利得とその最適化
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
超低エミッタンス電子源の開発
- 研究代表者
  
  中西彊
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
- 研究機関
  名古屋大学
希土類元素添加半導体を基盤とした波長超安定新規発光デバイスの高性能化
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
X線CTR散乱測定法による半導体中の不純物分布の原子層レベル解析
- 研究代表者
  
  田渕雅夫
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
高輝度フルカラーディスプレイ用希土類添加窒化物半導体のエピタキシャル成長と物性
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
超高濃度Er、O共添加による半導体光増幅素子の作製研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
新規半導体レーザ用材料:希土類添加III-V族半導体の原子レベル制御成長と高品質化
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
   名古屋大学
III-V族化合物半導体における希土類原子配置による局在スピンの制御と物件
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  名古屋大学
高周波電子銃とレーザーによる超小型放射光源
- 研究代表者
  
  小早川久
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
- 研究機関
  名古屋大学
ランタノイド化合物/半導体低次元量子構造の原子層制御成長と物性
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
III-V族化合物半導体における希土類原子配置による局在スピンの制御と物性
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  名古屋大学
室温動作2〜3μm帯半導体レーザ用材料:Dy添加III-V族半導体の作製と発光特性
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
III-V族化合物半導体における希土類原子配置による局在スピンの制御と物性
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
表面及び界面1原子層の結晶構造解析とヘテロ成長制御研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
ランタノイド化合物/半導体積層構造の原子層制御スーパーヘテロエピタキシャルと物性
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
異種V族半導体量子構造の原子層制御成長と評価研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
新しい量子機能材料用半導体/絶縁体/金属複合構造作製装置の開発研究研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
X線励起電子波による干渉効果とその制御研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
半導体材料・デバイスの先端科学技術
- 研究代表者
  
  柊元宏
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究機関
  東京工業大学
蛍光EXAFSによる成長素過程のその場測定と原子レベルミクロ構造の制御研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
半導体材料・デバイスの先端科学技術
- 研究代表者
  
  柊元宏
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究機関
  東京工業大学
蛍光EXAFSによる成長素過程のその場測定と原子レベルミクロ構造の制御研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
蛍光EXAFSによる成長初期過程のその場測定と界面構造の解析研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
半導体/絶縁体/金属複合構造による新しい量子機能材料の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
蛍光EXAFSによる成長素過程のその場測定と原子レベルミクロ構造の制御研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
蛍光EXAFSによる成長初期過程のその場測定と界面構造の解析研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
原子配位の直接測定による不純物自己補償機構及び不活性化機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
半導体の原子尺度での制御に関する研究
- 研究代表者
  
  伊藤良一
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  総合研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京大学
原子配位の直接測定による自己補償機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  京都大学
半導体の原子尺度での制御に関する研究
- 研究代表者
  
  伊藤良一
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  総合研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京大学
太陽電池の高効率化に関する研究
- 研究代表者
  
  高橋清
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
超格子および混晶半導体の原子尺度ミクロ構造解析法の開発研究研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  京都大学
太陽電池の高効率化に関する研究
- 研究代表者
  
  高橋清
- 研究期間 (年度)
  1987 – 1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
歪超格子緩衝層を用いたOMVPE Zn(S,Se)の高品質化の研究
- 研究代表者
  
  藤田茂夫
- 研究期間 (年度)
  1987
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  京都大学
光増幅機能素子の高性能化開発研究
- 研究代表者
  
  佐々木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1987 – 1988
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  京都大学
超格子緩衝層付Zn(S,Se)エピタキシャル成長とその評価に関する研究
- 研究代表者
  
  藤田茂夫
- 研究期間 (年度)
  1986
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  京都大学
光増幅機能素子の開発研究
- 研究代表者
  
  佐々木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1985 – 1986
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  京都大学
二元/二元超格子による新物性の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1985 – 1986
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  京都大学

すべて 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] 強力永久磁石の開発と軸観察先端技術, 第6章,高輝度・高スピン偏極度フォトカソードの開発, マイクロビームアナリシス第141委員会強力永久磁石の開発と軸観察先端技術, 第6章,高輝度・高スピン偏極度フォトカソードの開発, マイクロビームアナリシス第141委員会2014
- 著者名/発表者名
  竹田美和
- 総ページ数
  416
- 出版者
  日本学術振興会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[図書] マイクロビームアナリシス・ハンドブック2014
- 著者名/発表者名
  竹田美和（分担執筆）
- 総ページ数
  715
- 出版者
  オーム社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] Nano-scale characterization of GaAsP/GaAs strained superlattice structure by nano-beam electron diffraction2014
- 著者名/発表者名
  X.G. Jin, H. Nakahara, K. Saito, N. Tanaka, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] Picosecond electron bunches from GaAs/GaAsP strained superlattice photocathode2014
- 著者名/発表者名
  X.G. Jin, S. Matsuba, Y. Honda, T. Miyajima, M. Yamamoto, T. Utiyama, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Ultramicroscopy
  
  巻: 130 ページ: 44-48
- DOI
  10.1016/j.ultramic.2013.04.008
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003, KAKENHI-PROJECT-25390066
[雑誌論文] In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Guangxu Ju, Yoshio Honda, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[雑誌論文] Temporal Response Measurements of GaAs-Based Photocathodes2013
- 著者名/発表者名
  Y.Honda, S.Matsubara, X.G.Jin, T.Miyajima, M.Yamamoto, T.Uchiyama, M.Kuwahara, and Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.52 号: 8R ページ: 086401-086401
- DOI
  10.7567/jjap.52.086401
- NAID
  210000142576
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003, KAKENHI-PROJECT-23760310, KAKENHI-PROJECT-25390066, KAKENHI-PROJECT-25706031
[雑誌論文] In situ X-ray measurements of MOVPE growth of InxGa1-xN single quantum well2013
- 著者名/発表者名
  G. X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 370 ページ: 36-41
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.09.028
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] High performance spin-polarized photocathodes using a GaAs/GaAsP strain-compensated superlattice2013
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, A.Mano, F.Ichihashi, N.Yamamoto, and Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: Vol.6 号: 1 ページ: 015801-015801
- DOI
  10.7567/apex.6.015801
- NAID
  10031140457
- ISSN
  1882-0778, 1882-0786
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003, KAKENHI-PROJECT-23540340, KAKENHI-PROJECT-23760310
[雑誌論文] スピン偏極パルス透過型顕微鏡の開発-偏極電子源の原理とその応用2013
- 著者名/発表者名
  桑原真人、中西彊、竹田美和、田中信夫
- 雑誌名
  
  顕微鏡
  
  巻: 48巻1号ページ: 3-8
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[雑誌論文] In situ X-ray reflectivity measurements on annealed InxGa1-xN epilayer grown by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52
- NAID
  210000142606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] Phase-locking of oscillating images using laser-induced spin-polarized pulse TEM2013
- 著者名/発表者名
  M. Kuwahara, Y. Nambo, S. Kusunoki, X Jin, K. Saitoh, H. Asano, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Nakanishi and N. Tanaka
- 雑誌名
  
  Microscopy
  
  巻: 62(6) ページ: 607-614
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[雑誌論文] Phase-locking of oscillating images using laser-induced spin-polarized pulse TEM2013
- 著者名/発表者名
  M. Kuwahara, Y. Nambo, S. Kusunokk, X. Jin, K. Saitoh, H. Asano, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Nakanishi, and N. Tanaka
- 雑誌名
  
  Microscopy Advance Access
  
  巻: 62 ページ: 607-607
- DOI
  10.1093/jmicro/dft035
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005, KAKENHI-PROJECT-23241036, KAKENHI-PROJECT-24651123, KAKENHI-PROJECT-25390066, KAKENHI-PROJECT-25706031
[雑誌論文] Analysis of Cs/GaAs NEA surface by XAFS2013
- 著者名/発表者名
  K.Tsubota, M.Tabuchi, T.Nishitani, A.Era, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J. Phys. : Conf. Ser.
  
  巻: Vol. 430 ページ: 12079-12079
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[雑誌論文] In situ X-ray measurements of MOVPE growth of In_xGa_<1-x>N single quantum well2013
- 著者名/発表者名
  G.X.Ju, S.Fuchi, M.Tabuchi, and Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol. 370 ページ: 36-41
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] Picosecond electron bunches from GaAs/GaAsP strained superlattice photocathode2013
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, S.Matsuba, Y.Honda, T.Miyajima, M.Yamamoto, T.Utiyama, and Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Ultramicroscopy
  
  巻: Vol.130 ページ: 44-48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] In situ X-ray reflectivity of indium supplied on GaN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 114
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] X-ray investigation of GaInN single quamtum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, Y. Kato, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 11 ページ: 393-396
- DOI
  10.1002/pssc.201300670
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] Effect of compressive strain relaxation on surface morphology in GaAsP growth on GaP substrate2013
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, S.Fuchi, and Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J. of Crystal Growth
  
  巻: Vol.370 ページ: 201-207
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.09.008
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003, KAKENHI-PROJECT-23760310, KAKENHI-PROJECT-24651123
[雑誌論文] Effect of compressive strain relaxation on surface morphology in GaAsP growth on GaP substrate2013
- 著者名/発表者名
  X. Jin, S. Fuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  J. of Crystal Growth
  
  巻: 370 ページ: 201-207
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[雑誌論文] Development of spin-polarized and pulsed TEM2012
- 著者名/発表者名
  M Kuwahara, F.Ichihashi, S.Kusunoki, Y Takeda, K Saitoh, T Ujihara, H Asano, T.Nakanishi, N Tanaka
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Seriese
  
  巻: (未定)(掲載確定)
- NAID
  130007640949
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[雑誌論文] Development of spin-polarized and pulsed TEM2012
- 著者名/発表者名
  M Kuwahara, F. Ichihashi, S. Kusunoki, Y. Takeda, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, T. Nakanishi, N. Tanaka
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: 371 ページ: 12004-12004
- NAID
  130007640949
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[雑誌論文] Analysis of thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice by TEM observation2012
- 著者名/発表者名
  Xiuguang Jin, Hirotaka Nakahara, Koh Saitoh, Takashi Saka, Toru Ujihara, Nobuo Tanaka, Yoshikazu Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 353 ページ: 84-87
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[雑誌論文] Fourfold increase of quantum efficiency in highly spin-polarized transmission-type2012
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, F.Ichihashi, A.Mano, N.Yamamoto, and Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.51 ページ: 108004-108004
- DOI
  10.1143/jjap.51.108004
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003, KAKENHI-PROJECT-23540340, KAKENHI-PROJECT-23760310
[雑誌論文] Analysis of thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice by TEM observation2012
- 著者名/発表者名
  X. G. Jin, H. Nakahara, K. Saitoh, T. Saka, T. Ujihara, N. Tanaka, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal rowth
  
  巻: 353 ページ: 84-87
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[雑誌論文] 30-kV spin-polarized transmission electron microscope with GaAs-GaAsP strained superlattice photocathode2012
- 著者名/発表者名
  M. Kuwahara, S. Kusunoki, X. G. Jin, T. Nakanishi, Y. Takeda, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, and N. Tanaka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 101(3) ページ: 33102-33102
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[雑誌論文] Analysis of thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice by TEM observation2012
- 著者名/発表者名
  X. Jin, H. Nakahara, K. Saitoh, T. Saka, T. Ujihara, N. Tanaka, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 353 ページ: 84-87
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.05.017
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011, KAKENHI-PROJECT-23246003, KAKENHI-PROJECT-23760310
[雑誌論文] 30-kV spin-polarized transmission electron microscope using a GaAs-GaAsP strained superlattice photocathode2012
- 著者名/発表者名
  Makoto Kuwahara, Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 101 ページ: 0331021-0331024
- DOI
  10.1063/1.4737177
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003, KAKENHI-PROJECT-23760310
[雑誌論文] Mean Transverse Energy Measurement of Negative Electron Affinity GaAs-based2012
- 著者名/発表者名
  S.Matduba
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 ページ: 046402-046402
- DOI
  10.1143/jjap.51.046402
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22740157, KAKENHI-PROJECT-23246003, KAKENHI-PROJECT-23760310
[雑誌論文] Evaluation of newly developed X-ray diffractometer equipped with Johansson monochromator2011
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, H.Tameoka, T.Kawase, and Y.Takeda
- 雑誌名
  
  IOP Conf. Ser.
  
  巻: Vol. 24 ページ: 12007-12007
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[雑誌論文] Magnetic and Electronic Properties of Double Perovskite Sr_<2-x> La_x VMoO_62011
- 著者名/発表者名
  H.Matsushima, H.Gotoh, Y.Takeda, K.Ueda, H.Asano
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
  
  巻: 50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[雑誌論文] Evaluation of newly developed X-ray diffractometer equipped with Johansson monochromator2011
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, H.Tameoka, T.Kawase, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  IOP Conf.Ser.
  
  巻: 24 ページ: 12007-12007
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[雑誌論文] Initial Stages of High-Temperature CaF2/Si(001) Epitaxial Growth Studied by Surface X-Ray Diffraction2011
- 著者名/発表者名
  S.Suturin, N.Sokolov, A.Banshchikov, R.Kyutt, O.Sakata, T.Shimura, J.Harada, M.Tabuchi, and Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J. Nanoscience and Nanotechnology
  
  巻: Volume11, Number 4 ページ: 2990-2996
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[雑誌論文] Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator2011
- 著者名/発表者名
  H. Tameoka, T. Kawase, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c)
  
  巻: ol. 8, No.2 ページ: 294-296
- DOI
  10.1002/pssc.201000508
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Development of spin-polarized transmission electron microscope2011
- 著者名/発表者名
  M. Kuwahara, Y. Takeda, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, T. Nakanishi, and N Tanaka
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Seriese
  
  巻: 298 ページ: 12016-12016
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[雑誌論文] X-ray characterization of GaN and related materials at growth temperatures system design and measurements2011
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, T. Mizuno, S. Fuchi, and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering
  
  巻: Vol.24 ページ: 12002-12002
- DOI
  10.1088/1757-899x/24/1/012002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Novel system for X-ray CTR scattering measurement on in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures2011
- 著者名/発表者名
  S.Fuchi, M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 ページ: 1139-1142
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Development of spin-polarized transmission electron microscope2011
- 著者名/発表者名
  M.Kuwahara, Y.Takeda, K.Saitoh, T.Ujihara, H.Asano, T.Nakanishi, N Tanaka
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Seriese
  
  巻: 298 ページ: 12016-12016
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[雑誌論文] Status of the High Brightness Polarized Electron Source Using Transmission Photocathode2011
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
- 雑誌名
  
  Journal of Physics: Conference Series
  
  巻: 298 ページ: 12017-12017
- DOI
  10.1088/1742-6596/298/1/012017
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003, KAKENHI-PROJECT-23246015, KAKENHI-PROJECT-23540340
[雑誌論文] Elimination of local thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattices for high spin-polarization photocathodes2011
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, S.Fuchi, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: 298
- DOI
  10.1088/1742-6596/298/1/012011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator2011
- 著者名/発表者名
  H.Tameoka, T.Kawase, M.Tabuchi, and Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8, No.2 ページ: 294-296
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[雑誌論文] X-ray characterization of GaN and related materials at growth temperatures-system design and measurements2011
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, S.Fuchi, M.Tabuchi, 他
- 雑誌名
  
  IOP Conf.Series : Materials Science and Engineering
  
  巻: 24
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray characterization at growth temperatures of In_xGa_<1-x>N growth by MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  S.Fuchi, M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 ページ: 1143-1146
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Novel system for X-ray CTR scattering measurement on in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures2010
- 著者名/発表者名
  K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol.318 ページ: 1139-1142
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.10.201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Ga and As composition profiles in InP/GaInAs/InP heterostructures-X-ray CTR scattering and cross-sectional STM measurements2010
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, M. Tabuchi, and A. Nakamura
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Condensed Matter
  
  巻: Vol.22 ページ: 474011-474011
- DOI
  10.1088/0953-8984/22/47/474011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Ga and As composition profiles in InP/GaInAs/InP heterostructures-X-ray CTR scattering and cross-sectional STM measurements2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, M.Tabuchi, 他
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Condensed Matter
  
  巻: 22
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray characterization at growth temperatures of InxGa1-xN growth by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  G. Ju, K. Ninoi, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol.318 ページ: 1143-1146
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.11.051
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Study on Accumulation process of As atoms in InP/GaInAs/InP hetero-structures2009
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, A. Mori, H. Tameoka, K. Fujii, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.34, No.4 ページ: 593-595
- NAID
  130004676258
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Development of New X-ray CTR Scattering Measurement System Using Johansson Monochromator2009
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 雑誌名
  
  Trans.Mat.Res.Soc.Jpn. 34
  
  ページ: 589-591
- NAID
  130004676257
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Measurement of X-ray CTR Signals from GaN/GaInN/GaN at High Temperatures Using Newly Developed Measurement System2009
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, K. Ninoi, and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.34, No.4 ページ: 585-588
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Development of New X-ray CTR Scattering Measurement System Using Johansson Monochromator2009
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, H. Tameoka, T. Kawase, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.34, No.4 ページ: 589-5918
- NAID
  130004676257
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Study on Accumulation process of As atoms in InP/GaInAs/InP hetero-structures2009
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 雑誌名
  
  Trans.Mat.Res.Soc.Jpn. 34
  
  ページ: 593-595
- NAID
  130004676258
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Measurement of X-ray CTR Signals from GaN/GaInN/GaN at High Temperatures Using Newly Developed Measurement System2009
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, M.Tabuchi, 他
- 雑誌名
  
  Trans.Mat.Res.Soc.Jpn. 34
  
  ページ: 585-588
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Buried Heterostructure of nitride semiconductors revealed by laboratory level X-ray CTR scattering2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno. M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. 33
  
  ページ: 547-550
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray CTR scattering, measurements using conventional X-ray source to study semiconductor hetero-interfaces2008
- 著者名/発表者名
  Y. Maeda, M. TabucM, Y. TaKeda
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Ees. Soc. Jpn 33
  
  ページ: 591-594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[雑誌論文] “High brightness and high polarization electron source using transmission photocathode with GaAs-GaAsP super-lattice layer"(査読有)2008
- 著者名/発表者名
  N. Yamamoto, T. Nakanishi, A. Mano, H. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Konomi, X., Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, H. Horinaka, T. Yasue, T. Koshikawa, M. Kuwahara
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 103
  
  ページ: 64905-64905
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] Buried Heterostructure of Nitride Semiconductors Revealed by Laboratory Level X-ray GTR Scattering2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno, M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn 33
  
  ページ: 547-550
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[雑誌論文] “Super-high brightness and high spin-polarization photocathode"(査読有)2008
- 著者名/発表者名
  X. Jin, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, T. Kato, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, T. Saka, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, T. Koshikawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1・4
  
  ページ: 45002-45002
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] High brightness and high polarization electron source using transmission photocathode with GaAs-GaAsP super- lattice layer2008
- 著者名/発表者名
  N. Yamamoto, T. Nakanishi, A. Mano, H. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Konomi, X., Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, H. Horinaka, T. Yasue, T. Koshikawa, M. Kuwahara
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics vol. 103, No. 6
  
  ページ: 64905-64905
- NAID
  120001442826
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] Highly spin polarized Photocathode based on GaAs-GaAsP superlattice grown on mosaic-structured buffer layer2008
- 著者名/発表者名
  X. G. Jin, Y. Maeda, T. Saka, M. Tanioku, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, T. Koshikawa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 5039-5043
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] X-ray CTR scattering measurements using conventional X-ray source to study semiconductor hetero-interfaces2008
- 著者名/発表者名
  Y. Maeda, T. Mizuno, A. Mori, M. Tabuchi and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn 33
  
  ページ: 591-594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[雑誌論文] X-ray CTR scatterittg measurements using conventional x-ray source to study semiconductor hetero-interfaces2008
- 著者名/発表者名
  Y. Maeda, T. Mizuno, A. Mori, M. Tabuchi, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. 33
  
  ページ: 591-594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Buried Heterostructure of nitride semi-conductors revealed by laboratory level X-ray CTR scattering2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. Vol.33
  
  ページ: 547-550
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Buried Heterostructure of nitride semiconductors revealed by laboratory level X-ray CTR scattering2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno, and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.33 ページ: 547-550
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray CTR scattering measurements using conventional X-ray source to study semi- conductor hetero-interfaces2008
- 著者名/発表者名
  Y. Maeda, T. Mizuno, A. Mori, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. Vol. 33
  
  ページ: 591-594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Super-high brightness and high spin-polarization photocathode2008
- 著者名/発表者名
  X. Jin, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, T. Kato, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, T. Saka, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, T. Koshikawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express Vol. 1, No. 4
- NAID
  10025080044
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] X-ray CTR scattering measurements using conventional X-ray source to study semiconductor hetero-interfaces2008
- 著者名/発表者名
  Y. Maeda, T. Mizuno, A. Mori, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.33 ページ: 591-594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Highly spin polarized Photocathode based on GaAs-GaAsP superlattice grown on mosaic-structured buffer layer(査読有)2008
- 著者名/発表者名
  X. G. Jin, Y. Maeda, T. Saka, M. Tanioku, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, T. Koshikawa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 5039-5043
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] Measurement of Compositional Grading at InP/GaInAs/InP Hetero-interfaces by X-ray CTR Scattering Using Synchrotron Radiation2007
- 著者名/発表者名
  Y.Ohtake, T.Eguchi, S.Miyake, W.S.Lee, M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings 879巻
  
  ページ: 1619-1622
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Atomic Scale Analysis of MOVPE Grown Heterostructures by X-ray Crystal Truncation Rod Scattering Measurement2007
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 298巻
  
  ページ: 12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] GaNおよび関運材料のX線非破壊その場評価システムの開発2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno, and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  第7回赤崎記念研究センターシンポジウム資料 7
  
  ページ: 19-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, A. Mori, Y. Ohtake, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  J. Phys. Conference Series 83
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Thermal emittance measurements for electron beams produced from bulk and superlattice NEA photocathodes2007
- 著者名/発表者名
  N. Yamamoto, M. Yamamoto, M. Kuwahara, R. Ryosuke, T. Morino, K. Tamagaki, A. Mano, A. Utsu, S. Okumi, T. Nakanishi, M. Kuriki, C. Bo, T. Ujihara, Y. Takeda.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics vol. 102
  
  ページ: 24904-24904
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] The importance to reveal buried interfaces in the semiconductor heterostructure devices (invited)2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, M. Tabuchi and J. Phys.
- 雑誌名
  
  Conference Series Vol.83
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, A. Mori, Y. Ohtake, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: Vol.83 ページ: 12031-12031
- DOI
  10.1088/1742-6596/83/1/012031
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] The importance to reveal buried interfaces in the semiconductor heterostructure devices2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: Vol.83 ページ: 12002-12002
- DOI
  10.1088/1742-6596/83/1/012002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] “Thermal emittance measurements for electron beams produced from bulk and superlattice NEA photocathodes"(査読有)2007
- 著者名/発表者名
  N. Yamamoto, M. Yamamoto, M. Kuwahara, R. Ryosuke, T. Morino, K. Tamagaki, A. Mano, A. Utsu, S. Okumi, T Nakanishi, M. Kuriki, C. Bo, T. Ujihara, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 102
  
  ページ: 24904-24904
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] Analysis of In distribution in GaInN/GaN multilayer structures by X-ray CTR scattering2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. Vol.32 No.9
  
  ページ: 219-222
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Atomic scale analysis of MOVPE grown heterostructures by X-ray crystal truncation rod scattering measurement2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth Vol. 298
  
  ページ: 12-17
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] The importance to reveal buried interfaces in the semicondutor heterostructure devices2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  J. Phys. Conference Series 83
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering2007
- 著者名/発表者名
  A. Mori, Y. Ohtake, T. Ujihara, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Indium Phosphide and Related Materials 2007 IPRM2007
  
  ページ: 315-318
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Study on buried interfaces in semiconductor heterostructures by X-ray reflectivity2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.32, No.1 ページ: 187-192
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Study on Buried Interfaces in Semiconductor Heterostructures by X-ray Reflectivity2007
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, M.Tabuchi
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan 32巻・1号
  
  ページ: 187-192
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Analysis of In distribution in GaInN/GaN multilayer structures by X-ray CTR scattering2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.32, No.9 ページ: 219-222
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Analysis of In Distribution in GaInN/GaN Multilayer Structures by X-ray CTR Scattering2007
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, Y.Ohtake, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan 32巻・1号
  
  ページ: 219-222
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, A. Mori, Y. Ohtake and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  J. Phys. : Conference Series Vol. 83
  
  ページ: 12031-12031
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[雑誌論文] The importance to reveal buried interfaces in the semiconductor heterostructure devices2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  J. Phys. : Conference Series Vol. 83
  
  ページ: 12002-12002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[雑誌論文] Formation of Patterned GaInAs/GaAs Hetero-structures Using Amorphous Arsenic Mask2007
- 著者名/発表者名
  Y.Noritake, T.Yamada, M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 301-302巻
  
  ページ: 876-879
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Study on buried interfaces in semiconductor heterostructures by X-ray reflectivity (invited)2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. Vol. 32, No. 1
  
  ページ: 187-192
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Direct observation of trapping of photoexcited carriers in Er,O-codoped GaAs2006
- 著者名/発表者名
  K.Nakamura, S.Takemoto, Y.Terai, M.Suzuki, A.Koizumi, Y.Takeda, M.Tonouchi, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 556-559
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] The wideband light-emission aroun 800nm deom ternary InAsP quantum dots with an intentionally broadened size and composition distribuion2006
- 著者名/発表者名
  S.Miyake, W.S.Lee, T.Ujihara, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  The Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM06) 18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656107
[雑誌論文] Investigation of Hetero-interfaces Formed in InP/GaInAs/InP Structures with Different Growth Rates2006
- 著者名/発表者名
  Y.Ohtake, T.Eguchi, S.Miyake, W.S.Lee, M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Indium Phosphide and Related Materials 2006 IPRM2006
  
  ページ: 290-293
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Investigation of Hetero-Interfaces formed in InP/GaInAs/InP Structures with Different Growth Rates2006
- 著者名/発表者名
  Y.Ohtake, T.Eguchi, S.Miyake, W.S.Lee, M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  The Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM06) 18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656107
[雑誌論文] Pattern size effect on source supply process for sub-micrometer scale selective-area-growth by organometallic vapor phase epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, Y.Yoshida, W-S.Lee, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 289
  
  ページ: 89-95
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656107
[雑誌論文] 選択成長により形成したInPメサ構造へのドットの形成とサイズ均一性の向上2005
- 著者名/発表者名
  宇治原徹, 吉田義浩, 李祐植, 竹田美和
- 雑誌名
  
  応用物理学会学術講演会 66
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656107
[雑誌論文] Pump and probe reflection study on photoexcited carrier dynamics in Er,O-codoped GaAs2005
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, K.Nakamura, A.Koizumi, Y.Takeda, M.Suzuki, M.Tonouchi
- 雑誌名
  
  Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings 772
  
  ページ: 139-140
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Terahertz radiation from Er,O-codoped GaAs surface2005
- 著者名/発表者名
  M.Suzuki, M.Tonouchi, A.Koizumi, Y.Takeda, K.Nakamura, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings 772
  
  ページ: 131-132
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御2005
- 著者名/発表者名
  宇治原徹, 吉田義浩, 李祐植, 竹田美和
- 雑誌名
  
  信学技報 ED-105
  
  ページ: 23-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656107
[雑誌論文] Behaviors of nonequilibrium carriers in Er,O-codoped GaAs for 1.5μm light-emitting devices with extremely stable wavelength2005
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Koizumi, K.Nakamura, M.Suzuki, Y.Takeda, M.Tonouchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 512
  
  ページ: 159-164
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Nonequilibrium carrier dynamics studied in Er,O-codoped GaAs by pump-probe reflection technique2005
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, K.Nakamura, S.Takemoto, Y.Terai, M.Suzuki, A.Koizumi, Y.Takeda, M.Tonouchi
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings, Rare-Earth Doping for Optoelectronic Applications (edited by T.Gregorkiewicz, Y.Fujiwara, M.Lipson and J.M.Zavada) (Materials Research Society, Pittsburgh) Vol.866
  
  ページ: 79-83
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Highly Polarized Electrons from GaAs-GaAsF and InGaAs-AlGaAs Strained Layer Super lattice Photocathodes2005
- 著者名/発表者名
  T. Nishitani, T. Nakanishi, M. Yamamoto, S. Okumi, F. Furuta, M. Miyamoto, M. Kuwahara, N. Yamamoto, K. Naniwa, 0. Watanabe, Y. Takeda, H. Kobayakawa, Y. Takashima, H. Horinaka, T. Matsuyama, K. Togawa, T. Saka, M. Tawada, T. Omori, Y. Kurihara, M. Yoshioka, K. Kato, T. Baba
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 97
  
  ページ: 94907-94907
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] Perturbation method of analysis of crystal truncation rod dat2005
- 著者名/発表者名
  I.K.Robbinson, M.Tabuchi, S.Hisadome, R.Oga, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Crystallography 8
  
  ページ: 299-305
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360006
[雑誌論文] ESR study of Zn codoping effect on the luminescence efficiency of the Er-2O center in GaAs:Er,O2005
- 著者名/発表者名
  M.Yoshida, K.Hiraka, H.Ohta, A.Koizumi, Y.Fujiwara, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings 772
  
  ページ: 121-122
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] “Highly Polarized Electrons from GaAs-GaAsP and InGaAs-AlGaAs Strained Layer Superlattice Photocathodes"(査読有)2005
- 著者名/発表者名
  T. Nishitani, T. Nakanishi, M. Yamamoto, S. Okumi, F. Furuta, M. Miyamoto, M. Kuwahara, N. Yamamoto, K. Naniwa, O. Watanabe, Y. Takeda, H. Kobayakawa, Y. Takashima, H. Horinaka, T. Matsuyama, K. Togawa, T. Saka, M. Tawada, T. Omori, Y. Kurihara, M. Yoshioka, K. Kato, T. Baba
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Phys ics 97
  
  ページ: 94907-94907
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[雑誌論文] Perturbation method of analysis of crystal truncation rod data2005
- 著者名/発表者名
  I.K.Robbinson, M.Tabuchi, S.Hisadome, R.Oga, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Crystallography 8
  
  ページ: 299-305
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360006
[雑誌論文] Nonequilibrium carrier dynamics studied in Er,O-codoped GaAs by pump-probe reflection technique2005
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, K.Nakamura, S.Takemoto, Y.Terai, M.Suzuki, A.Koizumi, Y.Takeda, M.Tonouchi
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings 866
  
  ページ: 79-83
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Effects of S-doping and subsequent annealing on photoluminescence around 1.54μm from Er-containing ZnO2005
- 著者名/発表者名
  Z.Zhou, N.Sato, T.Komaki, A.Koizumi, T.Komori, M.Morinaga, Y.Fujiwara, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 475-479
  
  ページ: 1125-1128
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Electron spin resonance study of Zn-codoping effect on local structure of the Er-related centers in GaAs:Er,O2005
- 著者名/発表者名
  M.Yoshida, K.Hiraka, H.Ohta, Y.Fujiwara, A.Koizumi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 97(2)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Analytical evaluation of growth process in a sub-micron scale selective-area growth by OMVPE2005
- 著者名/発表者名
  T.Ujihara, Y.Yoshida, W.S.Lee, R.Oga, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  The Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM05) 17
  
  ページ: 112-112
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656107
[雑誌論文] Electron spin resonance study of GaAs:Er,O grown by organometallic vapor phase epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  M.Yoshida, K.Hiraka, H.Ohta, Y.Fujiwara, A.Koizumi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 96(8)
  
  ページ: 4189-4196
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Formation of reactive center of rare-earth atom and application to optical devices-control of atom arrangements by crystal growth and fabrication of devices-2004
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, Y.Fujiwara, M.Tabuchi, H.Ofuchi
- 雑誌名
  
  Materia Japan [in Japanese] 43(4)
  
  ページ: 312-317
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Injection-type light-emitting devices using rare-earth-doped III-V semiconductors2004
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Koizumi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Oyo Buturi [in Japanese] 73(2)
  
  ページ: 224-228
- NAID
  10011963097
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] 希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス2004
- 著者名/発表者名
  藤原康文, 小泉淳, 竹田美和
- 雑誌名
  
  応用物理 73(2)
  
  ページ: 224-228
- NAID
  10011963097
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Collection of reciprocal space maps using imaging plates at the Australian National Beamline Facility at the Photon Factory2004
- 著者名/発表者名
  S.Mudie, K.Pavlov, M.Morgan, J.Hester, M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J. Synchrotron Radiation 11
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360006
[雑誌論文] 希土類元素発光中心の形成と光デバイスへの展開-結晶成長による原子配置の制御とデバイス作製-2004
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 藤原康文, 田渕雅夫, 大渕博宣
- 雑誌名
  
  まてりあ 43(4)
  
  ページ: 312-317
- NAID
  10012905206
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] X線 CTR散乱法と断面STMによるヘテロ界面形成過程の考察-OMVPE法によるInP/IhGaAs/INPの形成-2004
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫, 大賀涼, 山川市朗, 中村新男
- 雑誌名
  
  信学技報 CPM2004-40
  
  ページ: 53-57
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656107
[雑誌論文] Fabrication of InAs quantum dots by droplet heteroepitaxy on periodic arrays of InP nanopyramids2004
- 著者名/発表者名
  Y.Yoshida, R.Oga, W.S.Lee, Y.Fujiwara, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 464-465
  
  ページ: 240-243
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656107
[雑誌論文] Composition dependence of energy structure and lattice structure in InGaAs/GaP2004
- 著者名/発表者名
  S.Fuchi, Y.Nonogaki, H.Moriya, A.Koizumi, Y.Fujiwara, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Physica E 21
  
  ページ: 36-44
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Atomic-scale observation of interfacial roughness and As-Pexchange in InGaAs/InP multiple quantum wellsc2004
- 著者名/発表者名
  I.Yamakawa, R.Oga, Y.Fujiwara, Y.Takeda, A.Nakamura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 84(22)
  
  ページ: 4436-4438
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656107
[雑誌論文] Atomic-scale observation of interfacial roughness and As-P exchange in InGaAs/InP multiple quantum well2004
- 著者名/発表者名
  I.Yamakawa, R.Oga, Y.Fujiwara, Y.Takeda, A.Nakamura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 84(22)
  
  ページ: 4436-4438
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Collection of reciprocal space maps using imaging plates at the Australian National Beamline Facility at the Photon Factory2004
- 著者名/発表者名
  S.Mudie, K.Pavlov, M.Morgan, J.Hester, M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J.Synchrotron Radiation 11
  
  ページ: 406-413
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360006
[雑誌論文] Effects of growth sequence on atomic level interfacial structures and characteristics of GaInP/GaAs/GaInP double heterostructures grown by low-pressure OMVPE2004
- 著者名/発表者名
  T.Yoshikane, A.Koizumi, S.Hisadome, M.Tabuchi, Y.Fujiwara, A.Urakami, K.Inoue, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 237
  
  ページ: 246-250
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Photoluminescence around 1.54 μm from Er-containing ZnO at room temperature2004
- 著者名/発表者名
  Z.Zhou, T.Komaki, A.Koizumi, T.Komori, M.Yoshino, M.Morinaga, Y.Fujiwara, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Materials Transactions 45(7)
  
  ページ: 2003-2007
- NAID
  10013336252
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] SEM observation of overgrown InP on ErP/InP (001), InP (111)A, and InP (111)B2003
- 著者名/発表者名
  T.Hirata, T.Akane, S.Jinno, T.Kuno, Y.Yang, Y.Fujiwara, A.Nakamura, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 6
  
  ページ: 473-476
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Room-temperature 1.54μm light emission from Er,O-codoped GaAs/GaInP LEDs grown by low-pressure organometallic vapor phase epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  A.Koizumi, Y.Fujiwara, K.Inoue, A.Urakami, T.Yoshikane, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 42(4B)
  
  ページ: 2223-2225
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Growth sequence dependence of GaAs-on-GaInP interface characteristics in GaAs/GaInP/GaAs structures grown by low-pressure organometallic vapor phase epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  A.Koizumi, Y.Fujiwara, K.Inoue, T.Yoshikane, A.Urakami, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 560-563
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Room-temperature 1.5μm electroluminescence from GaInP/Er,O-codoped GaAs/GaInP double heterostructure injection-type light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Koizumi, A.Urakami, T.Yoshikane, K.Inoue, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering B 105(1-3)
  
  ページ: 57-60
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Reactor structure dependence of interface abruptness in GaInAs/InP and GaInP/GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, Y.Nonogaki, R.Oga, A.Koizumi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 564-568
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Extremely large Er excitation cross section in Er,O-codoped GaAs light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Koizumi, K.Inoue, A.Urakami, T.Yoshikane, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings, Progress in Semiconductors II--Electronic and Optoelectronic Applications (edited by B.D.Weaver, M.O.Manasreh, C.C.Jagadish and S.Zollner) (Materials Research Society, Pittsburgh) Vol.744
  
  ページ: 149-154
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] AFM observation of OMVPE grown ErP on InP (001), (111)A and (111)B substrates2003
- 著者名/発表者名
  T.Kuno, T.Akane, S.Jinno, T.Hirata, Y.Yang, Y.Isogai, N.Watanabe, Y.Fujiwara, A.Nakamura, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 6
  
  ページ: 461-464
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Extremely large Er excitation cross section in Er,O-codoped GaAs light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Koizumi, K.Inoue, A.Urakami, T.Yoshikane, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings, Progress in Semiconductors II, Electronic and Optoelectronic Applications 744
  
  ページ: 149-154
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Room-temperature electroluminescence properties of Er,O-codoped GaAs injection-type light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  A.Koizumi, Y.Fujiwara, A.Urakami, K.Inoue, T.Yoshikane, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 83(22)
  
  ページ: 4521-4523
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Room-temperature electroluminescence properties of Er,O-codoped GaAs injection-type light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  A.Koizumi, Y.Fujiwara, A.Urakami, K.Inone, T.Yoshikane, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 83(22)
  
  ページ: 4521-4523
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] AFM observation of OMVPE-grown ErP on InP substrates using a new organometal Er(EtCp)_32003
- 著者名/発表者名
  T.Akane, S.Jinno, Y.Yang, T.Hirata, T.Kuno, Y.Isogai, N.Watanabe, Y.Fujiwara, A.Nakamura, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 537-541
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Effects of active layer thickness on Er excitation cross section in GaInP/GaAs:Er,O/GaInP DH structure light-emitting diodes2003
- 著者名/発表者名
  A.Koizumi, Y.Fujiwara, A.Urakami, K.Inoue, T.Yoshikane, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Physica B 340-342
  
  ページ: 309-314
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[雑誌論文] Fluorescence EXAFS analysis for ErP grown on by organometallic vapor phase epitaxy using a new organometal Er(EtCp)_32003
- 著者名/発表者名
  H.Ofuchi, T.Akane, S.Jinno, Y.Yang, N.Kuno, T.Hirata, M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 6
  
  ページ: 469-472
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360164
[産業財産権] 電子顕微鏡2013
- 発明者名
  田中信夫、中西彊、竹田美和、浅野秀文、齋藤晃、宇治原徹、桑原真人
- 権利者名
  名古屋大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-01-10
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[産業財産権] 電子顕微鏡2013
- 発明者名
  田中信夫、中西彊、竹田美和、浅野秀文、齋藤晃、宇治原徹、桑原真人
- 権利者名
  名古屋大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-02-06
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[産業財産権] 半導体フォトカソード2012
- 発明者名
  金秀光, 竹田美和, 山本将博, 宮島司, 本田洋介
- 権利者名
  金秀光, 竹田美和, 山本将博, 宮島司, 本田洋介
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2012-221001
- 出願年月日
  2012
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[産業財産権] スピン偏極電子発生素子及びその作製方法2012
- 発明者名
  金秀光, 渕真悟, 竹田美和
- 権利者名
  金秀光, 渕真悟, 竹田美和
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2012-108186
- 出願年月日
  2012
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[産業財産権] スピン偏極電子発生素子及びその作製方法2012
- 発明者名
  金　秀光、竹田美和他
- 権利者名
  金　秀光、竹田美和他
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2012-108186
- 出願年月日
  2012-05-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[産業財産権] 半導体フォトカソード2012
- 発明者名
  金　秀光、竹田美和他
- 権利者名
  金　秀光、竹田美和他
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2012-221001
- 出願年月日
  2012-10-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[産業財産権] 電子顕微鏡2011
- 発明者名
  田中信夫、中西彊、竹田美和、浅野秀文、齋藤晃、宇治原徹、桑原真人
- 権利者名
  名古屋大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2012-508141
- 出願年月日
  2011-02-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[産業財産権] スピン偏極電子源2008
- 発明者名
  宇治原徹, 金秀光, 竹田美和, 中西彊, 山本尚人, 坂貴, 加藤俊宏
- 権利者名
  名古屋大学, 大同工業大学, 大同特殊鋼
- 産業財産権番号
  2008-079292
- 出願年月日
  2008-03-25
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[産業財産権] スピン偏極電子発生装置2006
- 発明者名
  宇治原徹, 竹田美和, 中西彊, 山本将博, 陳博
- 権利者名
  名古屋大学
- 産業財産権番号
  2006-060673
- 出願年月日
  2006-03-07
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15204019
[学会発表] 半導体光陰極を用いたTEMの空間コヒーレンス測定2014
- 著者名/発表者名
  桑原真人、南保由人、鮫島健輔、楠聡一郎、齋藤晃、宇治原徹、浅野秀文、竹田美和、田中信夫
- 学会等名
  日本物理学会第69回年次大会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] 半導体光陰極を用いたTEMの空間コヒーレンス測定2014
- 著者名/発表者名
  桑原真人、南保由人、鮫島健輔、楠総一郎、齋藤晃、宇治原徹、浅野秀文、竹田美和、田中信夫
- 学会等名
  日本物理学会第69回年次大会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Pulse operation of spin-polarized photocathodes2014
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda
- 学会等名
  Workshop on Novel Surface Microscopy and Spectroscopy 2014 in OECU
- 発表場所
  Eki-Mae Campus, Osaka Electro-Communication University
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Pulse operation of spin-polarized photocathodes2014
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda
- 学会等名
  Workshop on Novel Surface Microscopy and Spectroscopy 2014 in OECU
- 発表場所
  Eki-Mae Campus, Osaka Electro-Communication University,
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Development of spin-polarized transmission electron microscope2013
- 著者名/発表者名
  M. Kuwahara, S. Kusunoki, Y. Nambo, K. Sameshima, K. Saitoh, T. Ujihara, H Asano, Y Takeda, T Nakanishi and N Tanaka
- 学会等名
  9th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices
- 発表場所
  Hawaii, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Nano-scale characterization of GaAsP/GaAs strained superlattice structures by nano-beam electron diffraction2013
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, H.Nakahara, K.Saitoh, N.Tanaka, Y.Takeda
- 学会等名
  17^<th> International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] in-situ and ex-situ X-ray measurements on buried heterostructures for semiconductor devices2013
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Doshisha University, Kyotanabe Campus, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] In situ X-ray investigation on InGaN SQWs with various growth conditions o of GaN barriers by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Doshisha University, Kyotanabe Campus, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Spin-polarized transmission electron microscope toward an analysis of sub-picosecond dynamics2013
- 著者名/発表者名
  M. Kuwahara, S. Kusunoki, Y. Nambo, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, Y. Takeda, T. Nakanishi and N. Tanaka
- 学会等名
  The 3rd Banff Meeting on Structural Dynamics Ultrafast Dynamics with X-Ray and Electrons
- 発表場所
  Banff, Alberta, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] スピン偏極パルスTEMによるパルス同期TEM像の取得2013
- 著者名/発表者名
  桑原真人,南保由人,楠聡一郎,齋藤晃,宇治原徹,竹田美和,中西彊,田中信夫
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第69回学術講演会
- 発表場所
  ホテル阪急エキスポパーク.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Development of spin-polarized transmission electron microscope2013
- 著者名/発表者名
  M. Kuwahara, S. Kusunoki, Y. Nambo, K. Sameshima, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, Y. Takeda, T. Nakanishi , and N. Tanaka
- 学会等名
  9the International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '13
- 発表場所
  Sheraton Kona (Hawaii)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Novel development of very high brightness and highly spin-polarized electron gun with compact 3D spin manipulator for SPLEEM2013
- 著者名/発表者名
  T.Koshikawa, T.Yasue, M.Suzuki, K.Tsuno, S.Goto, X.G.Jin, and Y.Takeda
- 学会等名
  IVC-19/ICSS-15 AND ICN+T
- 発表場所
  Paris, France
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] スピン偏極パルスTEM2013
- 著者名/発表者名
  桑原真人、楠総一郎、南保由人、鮫島健輔、齋藤晃、宇治原徹、浅野秀文、竹田美和、田中信夫
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第57回シンポジウム
- 発表場所
  ウィンクあいち (名古屋市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Atomic Level In-Situ Monitoring during Epitaxial Growth of Group III Nitrides2013
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda, Y. Honda, M. Yamaguchi, and
- 学会等名
  第74回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] In situ X-ray investigation on InGaN SQWs with various growth conditions of quantum barrier by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  G.X Ju, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC , USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Continuous in situ X-ray reflectivity measurement on InGaN epitaxial growth by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  G.X Ju, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
- 学会等名
  The 17th International Conference on Crystal Growth (ICCGE-17)
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] スピン偏極透過電子顕微鏡による電子線空間干渉性2013
- 著者名/発表者名
  楠総一郎、桑原真人、宇治原徹、浅野秀文、竹田美和、齋藤晃、田中信夫
- 学会等名
  日本物理学会秋季大会
- 発表場所
  ホテル阪急エキスポパーク (吹田市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] スピン偏極パルスTEM2013
- 著者名/発表者名
  桑原真人, 楠総一郎, 南保由人,鮫島健輔, 齋藤晃, 宇治原徹, 浅野秀文, 竹田美和, 田中信夫
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第57回シンポジウム
- 発表場所
  ウインクあいち
- 年月日
  2013-11-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] スピン偏極透過電子顕微鏡による電子線空間干渉性2013
- 著者名/発表者名
  楠総一郎, 桑原真人, 宇治原徹,浅野秀文, 竹田美和, 齋藤晃, 田中信夫
- 学会等名
  日本物理学会秋季大会
- 発表場所
  徳島大学常三島キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Continuous In situ X-ray Reflectance on InxGa1-xN Single Quantum Well by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, Y. Honda, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
- 学会等名
  OPTICS & PHOTONICS International Congress 2013, Conference on LED and Its Industrial Application’13 (LEDIA’13)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] スピン偏極パルス同期TEM像の取得2013
- 著者名/発表者名
  桑原真人、楠総一郎、南保由人、鮫島健輔、齋藤晃、宇治原徹、竹田美和、中西彊、田中信夫
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第69回学術講演会
- 発表場所
  ホテル阪急エキスポパーク (吹田市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] 窒化物半導体結晶の特異構造形成を理解するためのX線によるその場観察装置の開2012
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫、益田征典、安西孝太、鞠光旭、二木浩之、森康博、渕真悟、竹田美和
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] Fabrication of high brightness and highly spin-polarized semiconductor photocathodes2012
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda
- 学会等名
  OECU Workshop on Novel Development of Magnetic Microscopy and Smart Spintronics Materials
- 発表場所
  大阪電気通信大学(大阪府)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] High performance spin-polarized photocathode for microscopy2012
- 著者名/発表者名
  Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
- 学会等名
  14th Joint Vacuum Conference
- 発表場所
  Dubrovnik, Croatia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] レーザー励起半導体電子源を用いた30kVパルスTEMの開発2012
- 著者名/発表者名
  田中信夫、桑原真人、楠聡一郎、浅野秀文、宇治原徹、齋藤晃、竹田美和、中西彊
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第68回学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Spin-polarized and Pulsed TEM Using a Laser-driven Semiconductor Photocathode2012
- 著者名/発表者名
  N. Tanaka, M. Kuwahara, K. Saitoh, S. Kusunoki, T. Ujihara, H. Asano, Y. Takeda and T. Nakanishi
- 学会等名
  Microscopy & Microanalysis 2012
- 発表場所
  Phoenix, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] 窒化物半導体結晶の特異構造形成を理解するためのX 線によるその場観察装置の開発2012
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫、益田征典、安西孝太、鞠光旭、二木浩之、森康博、渕真悟、竹田美和
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会、15p-F11-3
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] Spin-polarized and Pulsed TEM Using a Laser-driven Semiconductor Photocathode2012
- 著者名/発表者名
  N. Tanaka, M. Kuwahara, K. Saitoh, S. Kusunoki, T. Ujihara, H. Asano, Y. Takeda and T. Nakanishi
- 学会等名
  Microscopy & Microanalysis 2012
- 発表場所
  Phoenix, USA.
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Picosecond electron bunch from GaAs/GaAsP strained superlattice photocathode2012
- 著者名/発表者名
  Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
- 学会等名
  8th international workshop on LEEM/PEEM
- 発表場所
  Hong Kong
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] スピン偏極TEMにおけるNEAフォトカソードからの低エネルギー分散ビームの生成2012
- 著者名/発表者名
  楠聡一郎、桑原真人、宇治原徹、浅野秀文、竹田美和、中西彊、齋藤晃、田中信夫
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第68回学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Effect of compressive strain relaxation on surface morphology in GaAsP growth on GaP2012
- 著者名/発表者名
  Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
- 学会等名
  16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy,
- 発表場所
  Busan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] GaAs/GaAsP歪み補償超格子構造による高機能スピン偏極電子源の高量子効率化2012
- 著者名/発表者名
  金, 竹田, 他
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] GaAs に吸着したCs が作るNEA 表面のXAFS測定2012
- 著者名/発表者名
  坪田光治、恵良淳史、田渕雅夫、竹田美和、西谷智博
- 学会等名
  第28回PF シンポジウム、UG-01-08
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] High performance spin-polarized photocathode using strain compensated superlattice2012
- 著者名/発表者名
  Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
- 学会等名
  8th international workshop on LEEM/PEEM
- 発表場所
  Hong Kong
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] GaAs/GaAsP 歪み超格子の成長におけるGaAs(001)面と微傾斜面が層厚変調へ及ぼす影響2012
- 著者名/発表者名
  金秀光, 中原弘貴, 齋藤晃, 坂貴, 田中信夫, 竹田美和
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学, 17p-DP3-5
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] レーザー励起半導体電子源を用いた30kVパルスTEMの開発2012
- 著者名/発表者名
  田中信夫、桑原真人、楠聡一郎、浅野秀文、宇治原徹、齋藤晃、竹田美和、中西彊
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第68回学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Analysis of Cs/GaAs NEA surface by XAFS2012
- 著者名/発表者名
  K.Tsubota, A.Era, M.Tabuchi, T.Nishitani, Y.Takeda
- 学会等名
  The 15th Inter. Conf. X-ray Absorption Fine Structure (XAFS15), I1274
- 発表場所
  Bejin, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] Initial emittance and temporal response measurement for GaAs based photocathodes2012
- 著者名/発表者名
  S.Matsuba, Y.Honda, T.Miyajima, T.Uchiyama, M.Yamamoto, X.G.Jin, Y.Takeda
- 学会等名
  International Particle Accelerator Conference 2012
- 発表場所
  Ernest N. Morial Convention Center, New Orleans Louisiana, MOPPP035
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] GaAs/GaAsP歪み超格子の成長におけるGaAs(001)面と微傾斜面が層厚変調へ及ぼす影響2012
- 著者名/発表者名
  金, 竹田, 他
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] スピン偏極透過電子顕微鏡の開発とその性能2012
- 著者名/発表者名
  桑原真人、楠聡一郎、宇治原徹、浅野秀文、竹田美和、中西彊、齋藤晃、田中信夫
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第68回学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Development of novel compact spin-polarized electron gun2012
- 著者名/発表者名
  Takanori Koshikawwa, Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
- 学会等名
  8th international workshop on LEEM/PEEM
- 発表場所
  Hong Kong
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] In situ X-ray measurements of MOVPE growth of InxGa1-xN single quantum well2012
- 著者名/発表者名
  渕、田渕、竹田, 他
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] GaAs/GaAsP 歪み補償超格子構造による高機能スピン偏極電子源の高量子効率化2012
- 著者名/発表者名
  金秀光,真野篤志, 市橋史朗, 山本尚人, 竹田美和
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学, 17p-DP3-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Observation of Position Dependence of InP/GaInAsP/InP Quantum Well Structure Grown on Pattern-Masked Substrate2012
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, K.Fujii, O.Sakata, M.Sugiyama, and Y.Takeda
- 学会等名
  Interational Union of Materials Research Scientists Inter. Conf. Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM 2012), D7-101756
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] スピン偏極透過電子顕微鏡の開発とその性能2012
- 著者名/発表者名
  桑原真人、楠聡一郎、宇治原徹、浅野秀文、竹田美和、中西彊、齋藤晃、田中信夫
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第68回学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Initial emittance and temporal response measurement for GaAs based photocathodes2012
- 著者名/発表者名
  Shunya Mataubara, Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
- 学会等名
  International Particle Accelerator Conference 2012
- 発表場所
  New Orleans, Louisiana, USA,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Effects of mis-orientation of crystal planes on thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice2012
- 著者名/発表者名
  Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
- 学会等名
  16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy,
- 発表場所
  Busan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] スピン偏極TEMにおけるNEAフォトカソードからの低エネルギー分散ビームの生成2012
- 著者名/発表者名
  楠聡一郎、桑原真人、宇治原徹、浅野秀文、竹田美和、中西彊、齋藤晃、田中信夫
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第68回学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Development of high performance photocathodes for microscopy and accelerator2012
- 著者名/発表者名
  Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
- 学会等名
  Photocathode Physics for Photoinjectors (P3)
- 発表場所
  Cornell University, Ithaca, NY, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] ヨハンソン分光結晶を用いたX 線CTR 散乱の短時間測定系の開発2011
- 著者名/発表者名
  二木浩之、益田征典、森康博、田渕雅夫、竹田美和
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会、17
- 発表場所
  学習院大学創立100周年記念会館
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] 4 times improvement of quantum efficiency in high spin-polarization transmission-type Photocathode2011
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, S.Fuchi, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
- 学会等名
  33^<rd> International Free Electron Laser Conference
- 発表場所
  上海(中国)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Development of spin-polarized and pulsed TEM2011
- 著者名/発表者名
  M. Kuwahara, T. Nakanishi, Y. Takeda, K. Saito, T. Ujihara, H. Asano, and N. Tanaka
- 学会等名
  Electron Microscopy and Analysis Group Conference 2011
- 発表場所
  Birmingham UK
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] AlGaAs 中間層及びSi_3N_4 反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP 歪み超格子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上2011
- 著者名/発表者名
  市橋史朗,金秀光,山本尚人,真野篤志, 桒原真人,渕真悟,宇治原徹,竹田美和
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学, 31a-ZA-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] NEA-GaAsフォトカソードのエミッタンス及び時間応答の測定2011
- 著者名/発表者名
  金, 竹田, 他
- 学会等名
  第8回日本加速器学会
- 発表場所
  つくば国際会議場(茨城県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] 蛍光収量法によるNEA 表面作製中のGaAs上へのCs 吸着量の測定2011
- 著者名/発表者名
  坪田光治、恵良淳史、田渕雅夫、竹田美和、西谷智博
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会、18
- 発表場所
  学習院大学創立100周年記念会館
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] 透過光型フォトカソードを用いた高スピン偏極・高輝度電子源の開発現状2011
- 著者名/発表者名
  金, 宇治原, 竹田, 他
- 学会等名
  第8回日本加速器学会
- 発表場所
  つくば国際会議場(茨城県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Injection system of spin-polarized transmission microscopy2011
- 著者名/発表者名
  M. Kuwahara, S. Kusunoki, F. Ichihashi, Y. Takeda, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, T. Nakanishi, and N. Tanaka
- 学会等名
  International Symposium on EcoTopia Science 2011
- 発表場所
  Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Super-high brightness and high spin-polarization photocathode for spin-polarized LEEM and pulse spin-TEM2011
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, Y.Takeda, 他
- 学会等名
  The 19^<th> International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems and the 15^<th> Conference on Modulated Semiconductor Structures
- 発表場所
  Florida (USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] AlGaAs中間層及びSi_3N_4反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上2011
- 著者名/発表者名
  金, 竹田, 他
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Effect of inhomogeneous strain distribution on the thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice2011
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
- 学会等名
  24^<th> International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  Kyoto (Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Super-high brightness and high spin-polarization photocathode for spin-polarized LEEM and pulse spin-TEM2011
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, A.Mano, N.Yamamoto, M.Suzuki, T.Yasue, T.Koshikawa, N.Tanaka, and Y.Takeda
- 学会等名
  The 19^<th> International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems and the 15^<th> Conference on Modulated Semiconductor Structures
- 発表場所
  Tallahassee, Florida, USA, Th-1-5
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Development of X-ray diffractometer for X-ray CTR measurement using Johansson monochromator and quick measurements2011
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 学会等名
  11th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)(招待講演)
- 年月日
  2011-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Highly polarized and high quantum efficiency electron source using transmission-type photocathode2011
- 著者名/発表者名
  X.G.Jin, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
- 学会等名
  2^<nd> International Particle Accelerator Conference
- 発表場所
  San Sebastian (Spain)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] スピン偏極パルスTEM用電子源と照射系の開発2011
- 著者名/発表者名
  桑原真人、中西彊、竹田美和、浅野秀文、齋藤晃、宇治原徹、田中信夫
- 学会等名
  日本顕微鏡学会第67回学術講演会
- 発表場所
  福岡
- 年月日
  2011-05-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Superlattice photocathode development for low emittance2010
- 著者名/発表者名
  M. Kuwahara, M, Yamamoto, X. G. Jin, T. Ujihara, T, Nakanishi, Y. Takeda
- 学会等名
  The 17th IFSM International Microscopy Congress
- 発表場所
  Rio de Janeilo, Brazil
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Growth temperature and room temperature characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system2010
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, K. Ninoi, G. X. Ju, S. Fuchi, and M. Tabuchi
- 学会等名
  10th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Hotel Rubura Ohzan, Nagoya, Japan
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] スピン偏極パルスTEM用電子源の特性評価2010
- 著者名/発表者名
  桑原真人, 中西彊, 田中信夫, 竹田美和, 浅野秀文, 斎藤晃, 宇治原徹
- 学会等名
  日本顕微鏡学会66回学術講演会
- 発表場所
  Rio de Janeilo, Brazil
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Development of X-ray diffractometer for quick X-ray CTR scattering observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, S.Fuchi, M.Tabuchi, 他
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] New X-ray CTR scattering measurement system using conventional X-ray source for in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures2010
- 著者名/発表者名
  K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Superlattice photocathode development for low emittance2010
- 著者名/発表者名
  M. Kuwahara, M. Yamamoto, X. G. Jin, T. Ujihara, T. Nakanishi, Y. Takeda
- 学会等名
  Photocathode Physics for Photoinjectors
- 発表場所
  NY, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] 窒化物半導体のOMVPE成長過程その場測定用実験室系X線CTR散乱測定装置の開発2010
- 著者名/発表者名
  渕、田渕、竹田, 他
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-ray CTR scattering measurement at growth temperature of In_xGa_<1-x>N grown by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  S.Fuchi, M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] New X-ray CTR scattering measurement system using conventional X-ray source for in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures2010
- 著者名/発表者名
  S.Fuchi, M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-ray CTR scattering measurement at growth temperature of InxGa1-xN grown by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  G. Ju, K. Ninoi, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Growth and characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system2010
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫, 他
- 学会等名
  9^<th> Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  ルブラ王山、名古屋
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 半導体OMVPE成長過程のその場X線反射率測定の試み2010
- 著者名/発表者名
  渕、田渕、竹田, 他
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会
- 発表場所
  学習院大学(東京都)
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Pulsed spin-polarized electron source toward a transmission electron microscope2010
- 著者名/発表者名
  M. Kuwahara, T. Nakanishi, N. Tanaka, Y. Takeda, H. Asano, K. Saito, T. Ujihara
- 学会等名
  The 17th IFSM International Microscopy Congress
- 発表場所
  Rio de Janeilo, Brazil
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, M.Tabuchi, 他
- 学会等名
  The 37th International Symposium Compound Semi-conductors (ISCS2010)
- 発表場所
  Kagawa (Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 半導体成長環境下におけるその場X線反射率測定2010
- 著者名/発表者名
  渕、田渕、竹田, 他
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] スピン偏極パルス透過電子顕微鏡の開発12010
- 著者名/発表者名
  田中信夫, 中西彊, 竹田美和, 浅野秀文, 斎藤晃, 宇治原徹, 桒原真人
- 学会等名
  日本顕微鏡学会66回学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] In_xGa_<1-x>N grown by MOVPE installed in the CTR scattering measurement system2010
- 著者名/発表者名
  渕、田渕、竹田, 他
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] スピン偏極パルスTEM用電子源の特性評価2010
- 著者名/発表者名
  桒原真人, 中西彊, 田中信夫, 竹田美和浅野秀文, 斎藤晃, 宇治原徹
- 学会等名
  日本顕微鏡学会66回学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21221005
[学会発表] X-ray characterization of semiconductor heterostructures at the atomic-level2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, M.Tabuchi
- 学会等名
  2010 International Symposium on Crystal Growth
- 発表場所
  Seoul (Korea)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Growth temperature and room temperature characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, S.Fuchi, M.Tabuchi, 他
- 学会等名
  10th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Nagoya (Japan)(招待講演)
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator2010
- 著者名/発表者名
  H. Tameoka, T. Kawase, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 37th International Symposium Compound Semiconductors(ISCS2010)
- 発表場所
  FrC3-7, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-Ray Characterization of Semiconductor Heterostructures at the Atomic-Level2010
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda and M. Tabuchi
- 学会等名
  2010 International Symposium on Crystal Growth
- 発表場所
  Hanyang University, Seoul, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Growth and characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system2010
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, H. Kamiya, K. Ninoi, G. X. Ju, S. Fuchi, and M. Tabuchi
- 学会等名
  9th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Hotel Rubura Ohzan, Nagoya, Japan
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 半導体のOMVPE成長のその場測定用実験室系X線CTR散乱測定装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2009-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 結晶成長その場観察を目指した新しいX線CTR散乱測定装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2009-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 半導体における埋もれた界面の重要性とその測定・解析法2009
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会, X線・中性子による埋もれた界面研究の最前線
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 半導体における埋もれた界面の重要性とその測定・解析法(invited)2009
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会, 「X線・中性子による埋もれた界面研究の最前線」
- 発表場所
  筑波大学(31a-D-3)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Influence of growth rate and temperature on InP/GaInAs interface structure analyzed by X-ray CTR scattering measurement2009
- 著者名/発表者名
  H. Tameoka, A. Mori, M. Tabuchi and Y. Takeda
- 学会等名
  2009 Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009)
- 発表場所
  MA2.4, Newport Beach, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Influence of Growth Rate and Temperature on InP/GaInAs Interface Structure Analyzed by X-ray CTR Scattering Measurement2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  2009 Indium Posphide and Related Materials
- 発表場所
  Newport Beach, CA, 米
- 年月日
  2009-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 結晶成長のその場観察を目指した新しいX線CTR散乱装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  第39回結晶成長学会国内会議
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] ヨハンソン分光結晶を用いた実験室系X線CTR散乱測定装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  為岡博, 川瀬達也, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] ヨハンソン分光結晶を用いた実験室系X線CTR散乱測定装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  為岡博, 川瀬達也, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] InP/GaInAs/IhPヘテロ構造におけるAs原子蓄積過程の検討2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  埋もれた界面のX線・中性子回折に関するワークショップ
- 発表場所
  筑波大学東京キャンパス
- 年月日
  2009-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] ヨハンソン分光結晶を用いたX線CTR散乱測定装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  埋もれた界面のX線・中性子回折に関するワークショップ
- 発表場所
  筑波大学東京キャンパス
- 年月日
  2009-07-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Influence of Growth Rate and Temperature on InP/GaInAs Interface Structure Analyzed by X-ray CTR Scattering Measurement2009
- 著者名/発表者名
  H. Tameoka, A. Mori, M. Tabuchi and Y. Takeda
- 学会等名
  2009 Indium Posphide and Related Materials (IPRM2009)
- 発表場所
  Beach, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 半導体における埋もれた界面の重要性とその測定・解析法2009
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Influence of growth rate and temperature on InP/GaInAs interface structure analyzed by X-ray CTR scattering measurement2009
- 著者名/発表者名
  H. Tameoka, A. Mori, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  2009 Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2009)
- 発表場所
  MA2. 4, Newport Beach, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] ヨハンソン分光結晶を用いた実験室系X線CTR散乱測定装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  為岡博, 川瀬達也, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会.
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] InP/GalnAs/InPヘテロ界面におけるAs原子吸着効果の温度依存性のX線CTR散乱法による解析2009
- 著者名/発表者名
  森晶子, 為岡博, 藤井克典, 川瀬達也, 由渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
- 発表場所
  東京大学本郷キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 実験室系X線CTR散乱測定装置におけるソーラスリットの効果2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 半導体における埋もれた界面の重要性とその測定・解析法2009
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] InP/GalnAs/InPヘテロ界面におけるAs原子吸着効果の温度依存性のX線CTR散乱法による解析2009
- 著者名/発表者名
  森晶子, 為岡博, 藤井克典, 川瀬達也, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
- 発表場所
  東京大学本郷キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] InP/GaInAs/InPヘテロ界面におけるAs原子吸着効果の温度依存性のX線CTR散乱法による解析2009
- 著者名/発表者名
  森晶子, 為岡博, 藤井克典, 川瀬達也, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
- 発表場所
  東京大学本郷キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] InP/GalnAs界面におけるAs原子吸着効果の温度依存性-X線CTR散乱法による解析-2008
- 著者名/発表者名
  森晶子, 為岡博, 川瀬達也, 藤井克憲, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2008-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 成長温度と成長遠度がInP/GalnAs界面に及ぼす影響のX線CTR散乱法による解析2008
- 著者名/発表者名
  為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] MOVPE reactor and X-ray CTR measurement system for GaN and related compounds2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, M. Tabuchi
- 学会等名
  8th Akasaki Research Center Symp.
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2008-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-ray OTR scattering analysis of as accumulation on GaInAs surface and growth temperature effects2008
- 著者名/発表者名
  A. Mori, H. Tameoka, M. TabucLi, Y. Takeda
- 学会等名
  Indium Posphide and Related Materials 2008
- 発表場所
  Versailles, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] OMVPE成長の半導体ヘテロ界面その場観察に向けた実験室系X線CTR散乱測定2008
- 著者名/発表者名
  水野哲也, 前田義紀, 神谷肇, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第27回電子材料シンポジウム(EMS27)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-ray CTR scattering analysis of as accumulation on GaInAs surface and growth temperature effects2008
- 著者名/発表者名
  A. Mori, H. Tameoka, M. Tabuchi, Y. Takeda
- 学会等名
  Indium Posphide and Related Materials 2008 (IPRM2008)
- 発表場所
  Versailles, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 異なる成長温度での InP/GaInAs界面 As 原子分布に対する成長中断の影響2008
- 著者名/発表者名
  森晶子、為岡博、田渕雅夫、竹田美和
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学理工学部船橋キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] X-ray CTR scattering analysis of As accumulation on GaInAs surface and growth temperature Effects2008
- 著者名/発表者名
  A. Mori, H. Tameoka, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  2008 Indium Phosphide and Related Materials 2008(IPRM2008)
- 発表場所
  WeP6, Versailles, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] OMVPE成長の半導体ヘテロ界面その場観察に向けた実験室系X線CTR散乱測定(EMS賞受賞)2008
- 著者名/発表者名
  水野哲也, 前田義紀, 神谷肇, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第27回電子材料シンポジウム(EMS27)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(K-15)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 成長温度と成長速度がInP/GalnAs界面に及ぼす影響のX線CTR散乱法による解析2008
- 著者名/発表者名
  為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] MOVPE reactor and X-ray CTR measurement system for GaN and related compounds2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, and M. Tabuchi
- 学会等名
  8th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2008-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-ray CTR scattering analysis of As accumulation on GaInAs surface and growth temperature effects2008
- 著者名/発表者名
  A. Mori, H. Tameoka, M. Tabuchi, Y. Takeda
- 学会等名
  2008 Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2008)
- 発表場所
  Versailles, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] OMVPE成長の半導体ヘテロ界面その場観察に向けた実験室系X線CTR散乱測定2008
- 著者名/発表者名
  水野哲也, 前田義紀, 神谷肇, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第27回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] MOVPE reactor and X-ray CTR measurement system for GaN and related compounds (invited)2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya and M. Tabuchi
- 学会等名
  8th Akasaki Research Center Symp.
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2008-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 成長温度と成長速度がInP/GaInAs界面に及ぼす影響のX線CTR散乱法による解析2008
- 著者名/発表者名
  為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 成長温度と成長速度がInP/GalnAs界面に及ぼす影響のX線CTR散乱法による解析2008
- 著者名/発表者名
  為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2008-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] InP/GaInAs界面におけるAs 原子吸着効果の温度依存性-X線CTR散乱法による解析-2008
- 著者名/発表者名
  森晶子, 為岡博, 川瀬達也, 藤井克憲, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催 2008年年末講演会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2008-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] MOVPE reactor and X-ray CTR measurement system for GaN and related compounds2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, M. Tabuohi
- 学会等名
  8th Akasaki Research Center Symp
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2008-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 成長温度と成長速度がInP/GaInAs 界面に及ぼす影響のX 線CTR 散乱法による解析2008
- 著者名/発表者名
  為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催 2008年年末講演会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2008-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 埋もれた界面の制御について2007
- 著者名/発表者名
  竹田美和
- 学会等名
  埋もれた界面のX線・中性子回折に関するワークショップ2007
- 発表場所
  東北大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-ray CTR scattering measurements to reveal the effect of the growth interruption processes on the InP/InGaAs interface structures2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 15th International Conference on CrystalGrowth, o07
- 発表場所
  Salt Lake City, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 窒化物半導体の埋もれたヘテロ構造2007
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第18回日本MRS学術シンポジウム
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] X-ray CTR scattering measurements to reveal the effect of the growth interruption processes on the InP/InGaAs interface structures2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori and Y. Takeda
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)
- 発表場所
  Salt Lake City, Utah, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 窒化物半導体の埋もれたヘテロ構造2007
- 著者名/発表者名
  竹田美和、田渕雅夫
- 学会等名
  第18回日本MRS学術シンポジウム、G-06-I(Invited)
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 窒化物半導体の埋もれたヘテロ構造(invited)2007
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第18回日本M R S 学術シンポジウム
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎(G-06-I)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] InP/GaInAs界面における原子の分布広がり発生メカニズム2007
- 著者名/発表者名
  森晶子、大竹悠介、田渕雅夫、竹田美和
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会8a-H-3
- 発表場所
  北海道工大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Development of in-situ X-ray non-invasive characterization system on GaN and related compounds2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno, and M. Tabuchi
- 学会等名
  7th Akasaki Research Center Symposium-To the New Horizon of the Nitride Research-
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2007-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth(ICCG15)
- 発表場所
  o06, Salt Lake City, Utah, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth, o06
- 発表場所
  Salt Lake City, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 埋め込まれたInAsナノドットのGI-SAXSを用いた構造解析2007
- 著者名/発表者名
  久野啓志、大高幹雄、中野聡志、奥田浩司、落合庄治郎、則竹陽介、鈴木裕史、竹田美和、田渕雅夫
- 学会等名
  第18回日本MRS学術シンポジウム、G-P05-M
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering2007
- 著者名/発表者名
  A. Mori, Y. Ohtake, T. Ujihara, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, PB29
- 発表場所
  Matsue, Japann
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering2007
- 著者名/発表者名
  A. Mori, Y. Ohtake, T. Ujihara, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  2007 Indium Phosphide and Related Materials 2007(IPRM2007)
- 発表場所
  PB29, Kunibiki Messe, Matsue, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 異なる成長温度でのInP/Ga_<0.47>In_<0.53>As界面As原子分布に対する成長中断の影響2007
- 著者名/発表者名
  森晶子、為岡博、田渕雅夫、竹田美和
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会、29aZT-5
- 発表場所
  日本大学理工学部船橋キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 実験室系のX線源を用いたX線CTR散乱測定による半導体へテロ界面の評価2007
- 著者名/発表者名
  前田義紀, 水野哲也, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第37回結晶成長国内会議(NCCG-37)
- 発表場所
  北海道大学(06aC09)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] InP/GaInAs界面における原子の分布広がり発生メカニズム2007
- 著者名/発表者名
  森晶子, 大竹悠介, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 埋もれた界面の制御について2007
- 著者名/発表者名
  竹田美和
- 学会等名
  埋もれた界面のX線・中性子解析に関するワークショップ2007
- 発表場所
  東北大学金属材料研究所
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 実験室系のX線回折装置による半導体へテロ界面のX線CTR散乱測定2007
- 著者名/発表者名
  前田義紀, 水野哲也, 森晶子, 竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第18回日本MRS学術シンポジウム
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎(G-P04-M)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Development of in-situ X-ray non-invasive characterization system on GaN and related compounds (invited)2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno and M. Tabuchi
- 学会等名
  7th Akasaki Research Center Symp.
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2007-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori and Y. Takeda
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)
- 発表場所
  Salt Lake City, Utah, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 実験室系のX線回折装置による半導体ヘテロ界面のX線CTR散乱測定2007
- 著者名/発表者名
  前田義紀、水野哲也、森晶子、竹田美和、田渕雅夫
- 学会等名
  第18回日本MRS学術シンポジウム、G-P04-M
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 実験室系のX線源を用いたX線CTR散乱測定による半導体ヘテロ界面の評価2007
- 著者名/発表者名
  前田義紀, 水野哲也, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第37回結晶成長国内会議(NCCG-37), 06aC09
- 発表場所
  北海道大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Analysis of In distribution in GaInN/GaN multilayer structures by X-ray CTR scattering (invited)2006
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi and Y. Takeda
- 学会等名
  6th Akasaki Research Center Symp.
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2006-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X 線C T R 散乱測定によるGaInN/GaN多層構造中のIn原子分布の解析2006
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 大竹悠介, 竹田美和
- 学会等名
  第17回日本M R S 学術シンポジウム
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎(G-P02)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X線CTR散乱法によるGaInN/GaN量子井戸構造中のIn組成分布の解析2006
- 著者名/発表者名
  大竹悠介, 田渕雅夫, 竹見政義, 岡川広明, 竹田美和
- 学会等名
  第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  立命館大学(30p-C-9)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] In-situ measurementon GaInN/GaN heterostructures growth by X-ray reflectivity
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, G.X. Ju, S. Fuchi, H. Amano
- 学会等名
  13th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Nagoya University
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] 可視光およびX線を用いた窒化物半導体結晶成長原子レベルその場観察
- 著者名/発表者名
  鞠光旭, 渕真悟, 田渕雅夫, 竹田美和, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] X線反射率による半導体ヘテロ構造の埋もれた界面の研究(invited)
- 著者名/発表者名
  竹田美和
- 学会等名
  第17回日本M R S 学術シンポジウム
- 発表場所
  (G-02P02)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001

1. 田渕雅夫 (90222124)

共同の研究課題数: 23件

共同の研究成果数: 152件
2. 藤原康文 (10181421)

共同の研究課題数: 18件

共同の研究成果数: 31件
3. 大柳宏之

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 0件
4. 野々垣陽一 (40300719)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
5. 宇治原徹 (60312641)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 19件
6. 吉田博 (30133929)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 3件
7. 大渕博宣 (40312996)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
8. 渕真悟 (60432241)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 73件
9. 中西彊 (40022735)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 40件
10. 藤田茂夫 (30026231)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
11. 八百隆文 (60230182)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
12. 松下正 (40092332)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
13. 佐々木昭夫 (10025900)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
14. 宮本智之 (70282861)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
15. 奥田浩司 (50214060)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
16. 柊元宏 (50013488)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
17. 吉川明彦 (20016603)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
18. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
19. 小早川久 (50022611)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
20. 高嶋圭史 (40303664)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
21. 伊藤良一 (40133102)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
22. 尾鍋研太郎 (50204227)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
23. 高柳邦夫 (80016162)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
24. 中島尚男 (20198071)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
25. 吉野淳二 (90158486)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
26. 高橋清 (10016313)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
27. 坂田忠良 (40013510)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
28. 坪村宏 (20029367)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
29. 梅野正義 (90023077)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
30. 垂井康夫 (10143629)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
31. LIM Kee Youn

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
32. CHANG Kee Jo

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
33. MIN Suk Ki

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
34. LEE Hyung Ja

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
35. CHOI Byung D

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
36. 町田英明

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
37. 尾江邦重

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
38. 車田克彦

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
39. 田中信夫 (40126876)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 37件
40. 金秀光 (20594055)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 37件
41. 松本浩 (90132688)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
42. 吉岡正和 (50107463)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
43. 中村新男 (50159068)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
44. 山本将博 (00377962)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
45. 堀中博道 (60137239)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
46. 栗木雅夫 (80321537)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
47. 太田仁 (70194173)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
48. 白井光雲 (60178647)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
49. 斗内政吉 (40207593)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
50. 藤村紀文 (50199361)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
51. 櫻井健次 (00354176)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
52. 高原淳 (20163305)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
53. 武田全康 (70222099)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
54. 鳥飼直也 (70300671)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
55. 浅野秀文 (50262853)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 32件
56. 齋藤晃 (50292280)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 32件
57. 桑原真人 (50377933)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 35件
58. 藤田静雄 (20135536)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
59. 野田進 (10208358)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
60. 藤嶋昭 (30078307)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
61. 伊東謙太郎 (20020977)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
62. 立田利明

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
63. 原田仁平

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
64. 高幣謙一郎

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
65. 澤井巳喜夫

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
66. 山本尚人

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 5件
67. 安江常夫

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
68. 越川孝範

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

竹田 美和 Takeda Yoshikazu

武田 美和 タケダ ヨシカズ

竹田 義和 タケダ ヨシカヅ

研究課題

研究成果

共同研究者

超高輝度・高偏極度電子源の高効率化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

真のヘテロ界面構造とその形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

分散量子ドットによる超広帯域可視・赤外光デバイスの作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高濃度Er、O共添加による半導体光増幅素子の作製研究代表者

竹田美和 Takeda Yoshikazu

武田美和タケダヨシカズ

竹田義和タケダヨシカヅ