鳥谷部達 TOYABE Toru

研究者番号	20266993
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2006年度 – 2008年度: 東洋大学, 工学部, 教授 2002年度 – 2004年度: 東洋大学, 工学部, 教授 1996年度 – 1998年度: 東洋大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・機器工学研究代表者以外無機材料・物性 / 電子デバイス・機器工学 / 構造・機能材料
キーワード	研究代表者 SOIMOSFET / Field Dependent Mobility / Schroedinger Equation / Simulation / Quantum Effect / Fully Inverted Type / シュレーデインガー方程式 / 電界依存移動度 / シュレーディンガー方程式 / シミュレーション … もっと見る / 量子効果 / 完全反転型 / Critical charge / Random structure / Modeling / Circuit / Device / Coulomb blockade / 臨界電荷 / ランダム構造 / モデリング / 回路 / デバイス / クーロンブロッケード … もっと見る研究代表者以外 SOI MOSFET / InSb / InAs / SIMOX基板 / hot luminescence / quantum dot / nanowires / luminescence spectroscopy / hot carrier / narrow-gap semiconductor / 微小ギャップ半導 / 量子細線 / 近接場ナノフォトニクス / ホットルミネッセンス / 量子ドット / ナノ細線 / 蛍光分光 / ホットキャリヤー / 微小ギャップ半導体 / short signal delay / high packing density / low power supply / top Si layer / threshold voltage / fully inverted / トップシリコン層 / 電子ビーム蒸着装置 / 完全反転臨界膜厚 / 高相互コンダクタンス / 低サブスレッショルド係数 / 低闘値電圧 / 完全反転型SOI MOSFET / シリコン超薄膜 / 伝達コンダクタンス特性 / サブヌレッショルド特性 / 臨界膜厚 / 2次元電子状態 / 高速デバイス / 短チャネル効果 / 低消費電力 / 上部Si層 / 閾値電圧 / 完全反転型 / サブスレッドショルド係数 / SOQ MOSFET / キャリア捕獲中心 / BOX(Buried Oxide) / SOQ基板 / SOI基板 / SOQ / SOI / MOSFET / 新機能材料隠す

SOQ基板を何にどう使うか?
- 研究代表者
  
  花尻達郎
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  東洋大学
微小ギャップ半導体量子ドット中のホットキャリヤーによる蛍光の時間・空間分解分光
- 研究代表者
  
  和田昇
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東洋大学
超薄膜SOIMOSFETの量子効果シミュレーション研究代表者
- 研究代表者
  
  鳥谷部達
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東洋大学
完全反転型SIMOX MOSFETの研究
- 研究代表者
  
  菅野卓雄
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東洋大学
不規則構造単一電子デバイス回路のモデリングとシミュレーション研究代表者
- 研究代表者
  
  鳥谷部達
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東洋大学

すべて 2009 2008 2007 2006

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] "Characterization of distribution of trap states in silicon-on-insulator layers by front-gate characteristics in n-channel SOI MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  K.KAJIWARA, Y.NAKAJIMA, T. HANAJIRI, T.TOYABE, and T.SUGANO
- 雑誌名
  
  IEEE trans. Electron Devices 55
  
  ページ: 1702-1707
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[雑誌論文] Drive current enhancement in silicon on quartz MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Y. NAKAJIMA, K. SASAKI, T. HANAJIRI, T. TOYABE, T. SUGANO
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett. 29
  
  ページ: 944-945
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[雑誌論文] Characterization of distribution of trap states in silicon-on-insulator layers by front-gate characteristics in n-channel SOI MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  K. KAJIWARA, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIRI. T. TOYABE, T. SUGANO
- 雑誌名
  
  IEEE trans. Electron Devices 55
  
  ページ: 1702-1707
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[雑誌論文] Drive current enhancement in silicon on quartz MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Y. NAKAJIMA, K. SASAKI, T. HANAJIRI, T. TOYABE, and T. SUGANO
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett., 29
  
  ページ: 944-945
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[雑誌論文] SOI基盤における表面再結合速度の工学的測定による評価 (2)2007
- 著者名/発表者名
  宮澤吉康, 中島義賢, 花尻達郎, 小室修二, 鳥谷部達
- 雑誌名
  
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54
  
  ページ: 825-825
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[雑誌論文] 空乏型SOI MOSFETの有用性(2)2006
- 著者名/発表者名
  宮沢健司, 宮澤吉康, 中島義賢, 花尻達郎, 鳥谷部達
- 雑誌名
  
  応用物理学会学術講演会講演予稿集 67
  
  ページ: 798-798
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] Suppression of DIBL in deca-nano SOI MOSFETs by controlling permittivity and thickness of BOX layers2009
- 著者名/発表者名
  S. ABE, Y. MIYAZAWA, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIRI, T. TOYABE, and T. SUGANO
- 学会等名
  Proc. of 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] Suppression of DIBL in deca-nano SOI MOSFETs by controlling permittivity and thickness of BOX layers2009
- 著者名/発表者名
  S. ABE, Y. MIYAZAWA, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIRI, T. TOYABE, T. SUGANO
- 学会等名
  Proc. of 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon
- 発表場所
  Aahen, Germany
- 年月日
  2009-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] Discussion of origins of high-density trap states in SIMOX wafers2009
- 著者名/発表者名
  Y. NAKAJIMA, T. TODA, T. HANAJIRI, T. TOYABE, and T. SUGANO
- 学会等名
  Proc. of 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] ゲート酸化膜のトラップがSOIMOSFETトンネル電流に与える影響の評価2009
- 著者名/発表者名
  戸田貴大, 中島義賢, 花尻達郎, 鳥谷部達, 菅野卓雄
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] Improvement of performance of Drain-Source-On-Insulator MOSFETs by using heavily doped-Si region between local BOX regions2009
- 著者名/発表者名
  T. YAMADA, Y.MIYAZAWA, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIRI, T. TOYABE, and T. SUGANO
- 学会等名
  Proc. of 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] Discussion of origins of high-density trap states in SIMOX wafers2009
- 著者名/発表者名
  Y. NAKAJIMA, T. TODA, T. HANAJIRI, T. TOYABE, T. SUGANO
- 学会等名
  Proc. of 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon
- 発表場所
  Aahen, Germany
- 年月日
  2009-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] Improvement of performance of Drain-Source-On-Insulator MOSFETs by using heavily doped-Si region between local BOX regions2009
- 著者名/発表者名
  T. YAMADA, Y. MIYAZAWA, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIRI, T. TOYABE, T. SUGANO
- 学会等名
  Proc. of 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon
- 発表場所
  Aahen, Germany
- 年月日
  2009-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] BOX比誘電率およびBOX膜厚制御によるDIBLの抑制効果2008
- 著者名/発表者名
  阿部俊平、宮澤吉康、中島義賢、花尻達郎、鳥谷部達、菅野卓雄
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会予稿集
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] 選択的BOXを有するSOI MOSFETの有用性2008
- 著者名/発表者名
  前川貴信、山田辰哉、宮澤吉康、中島義賢、花尻達郎、鳥谷部達、菅野卓雄
- 学会等名
  第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
- 発表場所
  日本大学理工学部
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] 局所BOX間高不純物ドーピングによるDSOI MOSFETの特性改善2008
- 著者名/発表者名
  山田辰哉、宮澤吉康、中島義賢、花尻達郎、鳥谷部達、菅野卓雄
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会予稿集
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] SOI 基板における表面再結合速度の光学的測定による評価(2)2007
- 著者名/発表者名
  宮澤吉康、中島義賢、花尻達郎、小室修二、鳥谷部達
- 学会等名
  第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2007-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] Advantages of Depletion Type SOI MOSFETs", Abst. of symposium E (Nanodevices and Nanofabrication), 4th Int.2007
- 著者名/発表者名
  K. MIYAZAWA, Y. MIYAZAWA, Y.NAKAJIMA, T.HANAJIRI and T.TOYABE
- 学会等名
  Conf. on Materials for Advanced Technologies 2007
- 発表場所
  Convention Center, Singapore
- 年月日
  2007-03-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] "Advantages of Depletion Type SOI MOSFETs"2007
- 著者名/発表者名
  K. MIYAZAWA, Y. MIYAZAWA, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIRI and T. TOYABE
- 学会等名
  4th Int. Conf. on Materials for Advanced Technologies 2007
- 発表場所
  Convention Center, Singapore
- 年月日
  2007-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] "Qantitative Estimation of Surface Recombination Velocity of SOI wafers by PL Decay Method2007
- 著者名/発表者名
  Y.MIYAZAWA, Y.NAKAJIMA,T.HANAJIRI, S.KOMURO and T.TOYABE
- 学会等名
  Abst. of symposium E (Nanodevices and Nanofabrication), 4th Int. Conf
- 発表場所
  Convention Center, Singapore
- 年月日
  2007-03-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] "Qantitative Estimation of Surface Recombination Velocity of SOI wafers by PL Decay Method"2007
- 著者名/発表者名
  Y. MIYAZAWA, Y. NAKAJIMA, T. HANAJIRI, S. KOMURO and T. TOYABE
- 学会等名
  Abst. of symposium E(Nanodevices and Nanofabrication), 4th Int. Conf. on Materials for Advanced Technologies
- 発表場所
  Convention Center, Singapore
- 年月日
  2007-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679
[学会発表] 空乏型SOI MOSFET の有用性(2)2006
- 著者名/発表者名
  宮沢健司、宮澤吉康、中島義賢、花尻達郎、鳥谷部達
- 学会等名
  第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集
- 発表場所
  立命館大学
- 年月日
  2006-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560679

1. 花尻達郎 (30266994)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 22件
2. 柏木邦宏 (30058094)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 森川滝太郎 (80191013)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 菅野卓雄 (50010707)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 和田昇 (40256772)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 石橋幸治 (30211048)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

鳥谷部 達 TOYABE Toru

研究課題

研究成果

共同研究者

SOQ基板を何にどう使うか?

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

微小ギャップ半導体量子ドット中のホットキャリヤーによる蛍光の時間・空間分解分光

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超薄膜SOIMOSFETの量子効果シミュレーション研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

完全反転型SIMOX MOSFETの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

不規則構造単一電子デバイス回路のモデリングとシミュレーション研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] "Characterization of distribution of trap states in silicon-on-insulator layers by front-gate characteristics in n-channel SOI MOSFETs2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Drive current enhancement in silicon on quartz MOSFETs2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Characterization of distribution of trap states in silicon-on-insulator layers by front-gate characteristics in n-channel SOI MOSFETs2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Drive current enhancement in silicon on quartz MOSFETs2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] SOI基盤における表面再結合速度の工学的測定による評価 (2)2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 空乏型SOI MOSFETの有用性(2)2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] Suppression of DIBL in deca-nano SOI MOSFETs by controlling permittivity and thickness of BOX layers2009

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Suppression of DIBL in deca-nano SOI MOSFETs by controlling permittivity and thickness of BOX layers2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Discussion of origins of high-density trap states in SIMOX wafers2009

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] ゲート酸化膜のトラップがSOIMOSFETトンネル電流に与える影響の評価2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Improvement of performance of Drain-Source-On-Insulator MOSFETs by using heavily doped-Si region between local BOX regions2009

著者名/発表者名

鳥谷部達 TOYABE Toru