石川博康 ISHIKAWA Hiroyasu

研究者番号	20303696
外部サイト
所属 (現在)	2025年度: 芝浦工業大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2009年度 – 2010年度: 芝浦工業大学, 工学部, 准教授 2007年度 – 2008年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 准教授 2006年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 助教授 2005年度: 名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 助教授 2004年度: 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 講師 2003年度: 名古屋工業大学, 極微デバイス機能システム研究センター, 助手 2000年度 – 2002年度: 名古屋工業大学, 極微構造デバイス研究センター, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学 / 理工系
キーワード	研究代表者有機金属気相成長(MOCVD) / 窒化ガリウム(GaN) / マイクロ・ナノデバイス / ナノ材料 / 電子デバイス・機器 / 結晶成長 / AlN中間層 / AlGaN / GaN / Si基板 … もっと見る / 多重量子井戸 / 窒化ガリウムインジウム(GaInN) / ドロップレット / 球状Si / エピタキシャルSi / 陽極化成 / ポーラスSi / XPS / 伝導帯不連続量 / LED / 直列抵抗 / Si / AlN / ジュール熱 / メルトバックエッチング / GaInN / MOCVD / 発光ダイオード / 発光ダイオード(LED) / クラック / 反り / 応力 / GaN中間層 … もっと見る研究代表者以外 GaAs / GaN / 発光ダイオード / Si / opt-electronic integrated circuit / optical waveguide / porous silicon / 多孔性シリコン / 導波路 / 光電子集積回路 / 光導波路 / 多孔質シリコン / Si MESFET / Si electronic device / Si light emitting device / Si tandem solar cell / Si laser / GaN on Si substrate / GaAs on Si substrate / Heteroepitaxy / 直列抵抗 / 発光ダイオード(LED) / GaN中間層 / AlGaN / 有機金属気相成長(MOCVD) / エピタキシャルリフトオフ(ELO) / Si上ヘテロエピタキシー / Si上タンデム太陽電池 / Si上LED / Si上レーザー / GaAs on Si / Si上のヘテロエピタキシー / 転位の不活性化 / 高効率Si上タンデム太陽電池 / Si上青・緑色LED / 大面積Si上GaN基板 / GaN on Si / CaAs on Si / シリコン上化合物半導体 / 二次元電子ガス / ヘテロ接合 / ショットキーダイオード / 高電子移動度トランジスター / X線回折 / フォトルミネッセンス / 量子井戸 / 窒化物半導体 / 四元混晶半導体 / 有機金属気相成長法 / プラズマパッシベーション / GaInN LED / 量子ドットレーザ / GaAs系レーザ / Si基板 / 多波長発光素子 / 多層膜反射鏡 / 欠陥不活性化 / ウエハ接着 / 有機金属気相成長 / Si基板上GaN / Si基板上GaAs / 半導体レーザ / ヘテロエピタキシ隠す

球状シリコン上GaNのヘテロエピタキシーと高出力LEDの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  石川博康
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  芝浦工業大学
ナノ・マイクロダブルパターニングポーラスSi基板上高出力GaN系LED研究代表者
- 研究代表者
  
  石川博康
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋工業大学
大口径シリコン基板上の四元混晶窒化ガリウム系発光・電子デバイスに関する研究
- 研究代表者
  
  江川孝志
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋工業大学
シリコン基板上の光電子集積回路の基礎研究
- 研究代表者
  
  神保孝志, 邵春林
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋工業大学
低直列抵抗シリコン上窒化物半導体発光素子の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  石川博康
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
多波長光デバイス集積化のための異種材料一体化技術
- 研究代表者
  
  神保孝志
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋工業大学
超極薄シリコン基板上窒化ガリウムのヘテロエピタキシー研究代表者
- 研究代表者
  
  石川博康
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
シリコン基板上ガリウム砒素・ガリウム窒素の結晶成長と機能デバイスの研究
- 研究代表者
  
  梅野正義
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  中部大学
   名古屋工業大学

すべて 2011 2010 2009 2008 2007 2006 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ metlback-etched Si substrates2011
- 著者名/発表者名
  H.Ishikawa, K.Shimanaka
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth Vol.315
  
  ページ: 196-199
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760258
[雑誌論文] Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ meltback-etched Si substrates2011
- 著者名/発表者名
  H.Ishikawa, K.Shimanaka
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth
  
  巻: 315 ページ: 196-199
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760258
[雑誌論文] Improved MOCVD growth of GaN on Si-on-porous-silicon substrates2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishikawa, K.Shimanaka, M.Azfar bin M.Amir, Y.Hara, M.Nakanishi
- 雑誌名
  
  Phys.Status Solidi
  
  巻: C7 ページ: 2049-2051
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760258
[雑誌論文] Improved MOCVD growth of GaN on Si-on-porous-silicon substrates2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishikawa, K.Shimanaka, M.Azfar bin M.Amir, Y.Hara, M.Nakanishi
- 雑誌名
  
  phys.stat.solidi C Vol.7
  
  ページ: 2049-2051
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760258
[雑誌論文] GaInN light emitting diodes with AlInN/GaN distributed Bragg reflector on Si2008
- 著者名/発表者名
  H. Ishikawa, T. Jimbo, T. Egawa
- 雑誌名
  
  physica status solidi(c) Vol.5
  
  ページ: 2086-2088
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[雑誌論文] MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates2008
- 著者名/発表者名
  H. Ishikawa, K. Shimanaka, F. Tokura, Y, Hayashi, Y. Hara, M. Nakanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4900-4903
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[雑誌論文] MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates2008
- 著者名/発表者名
  H. Ishikawa, K. Shimanaka, F. Tokura, Y. Hayashi, Y. Hara, M. Nakanishi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.310
  
  ページ: 4900-4903
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[雑誌論文] GaInN light emitting diodes with AlInN/GaN distributed Bragg reflectoron Si2008
- 著者名/発表者名
  H. Ishikawa, T. Jimbo, T. Egawa
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) 5
  
  ページ: 2086-2088
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[雑誌論文] Al composition dependent properties of quaternary AlInGaN Schottky diodes2006
- 著者名/発表者名
  Y.Liu, H.Jiang, T.Egawa, B.Zhang, H.Ishikawa
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys Vo1.99, No.12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] Novel Quaternary AlInGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors on Sapphire Substrate2006
- 著者名/発表者名
  Y. Liu, T. Egawa H. Jiang, B. Zhang and H. Ishikawa
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys Vol.45, No.7
  
  ページ: 5728-5731
- NAID
  10017999632
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] Novel Quaternary A1InGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors on Sapphire Substrate2006
- 著者名/発表者名
  Y.Liu, T.Egawa H.Jiang, B.Zhang, H.Ishikawa
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys Vol.45, No.7
  
  ページ: 5728-5731
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[雑誌論文] Al composition dependent properties of quaternary AlInGaN Schottky diodes2006
- 著者名/発表者名
  Y. Liu, H. Jiang, T. Egawa, B. Zhang and H. Ishikawa
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys Vol.99, No.12
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360169
[産業財産権] 窒素化合物半導体形成用基板、該基板を用いてなる窒化物半導体及びその製造法
- 発明者名
  原陽介、中西正美、石川博康
- 権利者名
  (株)シリコンテクノロジー、名古屋工業大学
- 産業財産権番号
  2007-053129
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] Si基板上GaInN MQWのPL特性と微細構造の相関2010
- 著者名/発表者名
  石川博康、森直人
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760258
[学会発表] Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ meltback-etched Si substrates2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishikawa, K.Shimanaka
- 学会等名
  15th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Incline Village, NV, USA
- 年月日
  2010-05-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760258
[学会発表] Reduction of threading dislocations in GaN on In-Situ Meltback-Etched Si Substrates2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishikawa, K.Shimanaka
- 学会等名
  15th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XV)
- 発表場所
  Incline Village (NV, USA)
- 年月日
  2010-05-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760258
[学会発表] Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ meltback-etched Si substrates2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishikawa, N.Mori
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2010-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760258
[学会発表] PL and structuralstudies of GaInN MQWs grown on Si substrates2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishikawa, N.Mori
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2010-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760258
[学会発表] デンドライトウェブSi基板上GaInN MQW LEDの試作2009
- 著者名/発表者名
  石川博康、森直人、嶋中啓太、原陽介、中西正美
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760258
[学会発表] Improved MOCVD growth of GaN on Si-on-porous-silicon sbstrates2009
- 著者名/発表者名
  H.Ishikawa, K.Shimanaka, M.Azfar bin M.Amir, Y.Hara M.Nakanishi
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  済州(韓国)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760258
[学会発表] MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates2008
- 著者名/発表者名
  H. Ishikawa, K. Shimanaka, F. Tokura, Y. Hayashi, Y. Hara, M. Nakanishi
- 学会等名
  14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Metz
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] Si基板上GaInN MQW LEDにおけるn型層のドーピング濃度の影響2008
- 著者名/発表者名
  森直人、嶋中啓太、広森公一、石川博康
- 学会等名
  第55回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2008-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] MOCVD growth of c-axis oriented GaN on Si substrates2008
- 著者名/発表者名
  H. Ishikawa, K. Shimanaka, Kouichi Hiromori, Naoto Mori, Tomohiko Morimoto
- 学会等名
  Second International Symposium on Growth on III-Nitrides(ISGN-2)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2008-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] MOCVD法によるSi(110)基板上へのGaN成長2008
- 著者名/発表者名
  嶋中啓太、広森公一、森直人、石川博康
- 学会等名
  第55回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  日本大学
- 年月日
  2008-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] MOCVD growth of c-axis oriented GaN on Si substrates2008
- 著者名/発表者名
  H. Ishikawa, K. Shimanaka, Kouichi Hiromori, Naoto Mori, Tomohiko Morimoto
- 学会等名
  Second International Symposium on Growth on III-Nitrides (ISGN-2)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2008-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] Siエピを施したポーラスSi基板上へのGaNのMOCVD成長2008
- 著者名/発表者名
  石川博康、嶋中啓太、M. Azfar .bin M. Amir、原陽介、中西正美
- 学会等名
  第55回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2008-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates2008
- 著者名/発表者名
  H. Ishikawa, K. Shimanaka, F. Tokura, Y, Hayashi, Y. Hara, M. Nakanishi
- 学会等名
  14 th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Metz (フランス)
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] In-situメルトバックエッチングを施したSi基板上GaN2008
- 著者名/発表者名
  石川博康、十倉史行、嶋中啓太
- 学会等名
  第55回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  日本人学
- 年月日
  2008-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] In-situメルトバックエッチングを施したSi基板上GaN2008
- 著者名/発表者名
  石川博康、十倉史行、嶋中啓太
- 学会等名
  第55回春季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  日本大学
- 年月日
  2008-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] MOCVD法によるポーラスSi基板上GaNの諾特性2007
- 著者名/発表者名
  嶋中啓太、石川博康、十倉史行、林靖彦、原陽介、中西正美
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] ポーラスSi基板上へのGaNのMOCVD成長2007
- 著者名/発表者名
  石川博康、嶋中啓太、十倉史行、林靖彦、原陽介、中西正美
- 学会等名
  第68回秋季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] ポーラスSi基板上GaNの諸特性2007
- 著者名/発表者名
  嶋中啓太、石川博康、十倉史行、林靖彦、原陽介、中西正美
- 学会等名
  Sic及び開連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  愛知県女性総合センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] GaInN Light Emitting Diodes with Lattice-Matched AlInN/GaN Distributed Bragg Reflector on Si2007
- 著者名/発表者名
  H. Ishikawa, T. Egawa, and T. Jimbo
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors(ISNS7)
- 発表場所
  Lasvegas
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] GaInN Light Emitting Diodes with Lattice-Matched AlInN/GaN Distributed Bragg Reflector on Si2007
- 著者名/発表者名
  H. Ishikawa, T. Egawa, and T. Jimbo
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ISNS7)
- 発表場所
  MGM Garand Hotel (Lasvegas, USA)
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] ポーラスSi基板上GaNの諸特性2007
- 著者名/発表者名
  嶋中啓太、石川博康、十倉史行、林靖彦、原陽介、中西正美
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  愛知県女性総合センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] ポ-ラスSi基板上へのGaNのMOCVD成長2007
- 著者名/発表者名
  石川博康、嶋中啓太、十倉史行、林靖彦、原陽介、中西正美
- 学会等名
  第68回秋季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北侮道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235
[学会発表] MOCVD法によるポーラスSi基板上GaNの諸特性2007
- 著者名/発表者名
  嶋中啓太、石川博康、十倉史行、林靖彦、原陽介、中西正美
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760235

1. 神保孝志 (80093087)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
2. 江川孝志 (00232934)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 4件
3. 梅野正義 (90023077)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 林靖彦 (50314084)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 曽我哲夫 (20197007)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 井戸敏之 (60023256)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 脇田紘一 (20301640)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 邵春林 (20242828)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 原陽介

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
10. 中西正美

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件

石川 博康 ISHIKAWA Hiroyasu

研究課題

研究成果

共同研究者

球状シリコン上GaNのヘテロエピタキシーと高出力LEDの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノ・マイクロダブルパターニングポーラスSi基板上高出力GaN系LED研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

大口径シリコン基板上の四元混晶窒化ガリウム系発光・電子デバイスに関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン基板上の光電子集積回路の基礎研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低直列抵抗シリコン上窒化物半導体発光素子の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

多波長光デバイス集積化のための異種材料一体化技術

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

超極薄シリコン基板上窒化ガリウムのヘテロエピタキシー研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン基板上ガリウム砒素・ガリウム窒素の結晶成長と機能デバイスの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ metlback-etched Si substrates2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ meltback-etched Si substrates2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Improved MOCVD growth of GaN on Si-on-porous-silicon substrates2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Improved MOCVD growth of GaN on Si-on-porous-silicon substrates2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] GaInN light emitting diodes with AlInN/GaN distributed Bragg reflector on Si2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

石川博康 ISHIKAWA Hiroyasu