土屋敏章 Tsuchiya Toshiaki

研究者番号	20304248
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2016年度: 島根大学, 総合理工学研究科, 教授 2013年度 – 2016年度: 島根大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 2006年度 – 2011年度: 島根大学, 総合理工学部, 教授 1999年度 – 2003年度: 島根大学, 総合理工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学 / 理工系研究代表者以外電子デバイス・電子機器 / マイクロ・ナノデバイス / 理工系
キーワード	研究代表者 SiGe / マイクロ・ナノデバイス / CMOS / ヘテロ構造 / SOI / チャージポンピング法 / MOS / 表面・界面物性 / 電子デバイス・機器 / 半導体超微細化 … もっと見る / ホットキャリア / hot carrier / low-frequency noise / high speed / low power / hetero-structure / 極浅ソース・ドレイン / ヘテロ界面準位 / 低周波雑音 / 超高速 / 低消費電力 / 電子デバイス・電子機器 / ヘテロ界面 / 雑音 / 界面準位 / 揺らぎ / MOSFET … もっと見る研究代表者以外電子スピン共鳴 / チャージポンピング / シリコン酸化膜界面 / 不純物原子 / 単一電子 / 電子正孔再結合 / 単一電子転送 / ドナー / ナノ物性制御 / マイクロ・ナノデバイス / ナノ・マイクロ科学 / 単一電子制御 / シングルドーパント / 高選択異方性エッチング / 不純物拡散 / in-situ不純物ドーピング / CVD低温選択成長 / 高精度エッチング / 不純物ドーピング / 選択成長 / CVD / HBT / MOS / SiGeC / SiGe 隠す

高感度チャージポンピング・スピン共鳴法の開発と電子対再結合のスピン制御
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  静岡大学
   富山大学
単一トラップの分離検出・電子物性評価技術の開発とトラップ物理の新展開研究代表者
- 研究代表者
  
  土屋敏章
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  島根大学
シリコン中のドーパント原子を用いた高精度電荷制御の研究
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  富山大学
シリコン・シングルドーパント・エレクトロニクス
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
ナノスケールデバイスにおける界面物性揺らぎと雑音研究代表者
- 研究代表者
  
  土屋敏章
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  島根大学
非古典的ナノヘテロデバイス実現のためのヘテロ界面に関する先駆的基盤研究研究代表者
- 研究代表者
  
  土屋敏章
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  島根大学
人工IV族半導体極微細構造を用いた超高速光・電子デバイスの開発
- 研究代表者
  
  室田淳一
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
IV族半導体ヘテロ構造におけるホットキャリアの挙動に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  土屋敏章
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  島根大学
SiGeとSOIを駆使した超低消費電力極微細Si系CMOSデバイス構成法の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  土屋敏章
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  島根大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Distribution of the energy levels of individual interface traps and a fundamental refinement in charge pumping theory2017
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya and P. M. Lenahan
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 56(3) 号: 3 ページ: 031301-031301
- DOI
  10.7567/jjap.56.031301
- NAID
  210000147460
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[雑誌論文] Improvement of charge-pumping electrically detected magnetic resonance and its application to silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2017
- 著者名/発表者名
  M.Hori, T.Tsuchiya, Y.Ono
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 10 号: 1 ページ: 015701-015701
- DOI
  10.7567/apex.10.015701
- NAID
  210000135738
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339, KAKENHI-PROJECT-16H06087, KAKENHI-PROJECT-26289105, KAKENHI-PROJECT-15K13970
[雑誌論文] Time-domain charge pumping on silicon-on-indulator MOS devices2017
- 著者名/発表者名
  T.Watanabe, M.Hori, T.Tsuchiya, A.Fujiwara, Y.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 56 号: 1 ページ: 011303-011303
- DOI
  10.7567/jjap.56.011303
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339, KAKENHI-PROJECT-26289105, KAKENHI-PROJECT-15K13970
[雑誌論文] チャージポンピング法による単一界面トラップ（欠陥）の検出と評価2016
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 85(5) ページ: 422-426
- NAID
  130007715381
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[雑誌論文] Characterization of Interface Defects by the Charge Pumping Technique,2016
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 74(4) 号: 4 ページ: 29-37
- DOI
  10.1149/07504.0029ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[雑誌論文] Charge pumping current from single Si/SiO2 interface traps: Direct observation of Pb centers and fundamental trap-counting by the charge pumping method2015
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, Y. Ono
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 4S ページ: 04DC01-04DC01
- DOI
  10.7567/jjap.54.04dc01
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[雑誌論文] Evaluation of Accuracy of Charge Pumping Current in Time Domain2015
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E98.C 号: 5 ページ: 390-394
- DOI
  10.1587/transele.E98.C.390
- NAID
  130005067742
- ISSN
  0916-8524, 1745-1353
- 言語
  英語
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970, KAKENHI-PROJECT-25289098, KAKENHI-PROJECT-26289105, KAKENHI-PROJECT-25706003
[雑誌論文] Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method2015
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Yukinori Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 54(4S)
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[雑誌論文] Characterization of Individual Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Single Pb0 Centers by the Charge Pumping (CP) Method and Correction of the Conventional CP Theory2015
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 69(10) 号: 10 ページ: 145-154
- DOI
  10.1149/06910.0145ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[雑誌論文] Direct observation of electron emission and recombination processes by time domain measurements of charge pumping current2015
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106 号: 4
- DOI
  10.1063/1.4906997
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360128, KAKENHI-PROJECT-25289098, KAKENHI-PROJECT-25600015, KAKENHI-PROJECT-25706003, KAKENHI-PROJECT-26289105
[雑誌論文] Analysis of electron capture process in charge pumping sequence using time domain measurements2014
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 105 号: 26
- DOI
  10.1063/1.4905032
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360128, KAKENHI-PROJECT-25289098, KAKENHI-PROJECT-25600015, KAKENHI-PROJECT-25706003, KAKENHI-PROJECT-26289105
[雑誌論文] Capture/Emission Processes of Carriers in Heterointerface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: Vol.470 ページ: 201-206
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Interactions between Interface Traps in Electron Capture/Emission Processes : Deviation from Charge Pumping Current Based on the Shockley2011
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: Vol.4 号: 9 ページ: 094104-094104
- DOI
  10.1143/apex.4.094104
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Direct Observation of Fluctuations in the Number and Individual Electronic Properties of Interface Traps in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2010
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: Vol.49
- NAID
  40017176026
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Direct Observation of Fluctuations in the Number and Individual Electronic Properties of Interface Traps in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2010
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: Vol.49
- NAID
  40017176026
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] ナノスケールMOSデバイスにおける界面物性の揺らぎ-界面トラップ1個1個を検出して評価する-2009
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: vol.78 ページ: 868-872
- NAID
  10025088628
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] ナノスケールMOSデバイスにおける界面物性の揺らぎ-界面トラップ1個1個を検出して評価する-2009
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 雑誌名
  
  応用物理 78(9)
  
  ページ: 868-872
- NAID
  10025088628
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] ナノスケールMOSデバイスにおける界面物性の揺らぎ-界面トラップ1個1個を検出して評価する-2009
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 雑誌名
  
  応用物理 78(9)
  
  ページ: 868-872
- NAID
  10025088628
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] ナノスケールMOSデバイスにおける界面物性の揺らぎ-界面トラップ1個1個を検出して評価する-2009
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 雑誌名
  
  応用物理第78巻,第9号
  
  ページ: 868-872
- NAID
  10025088628
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] "High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth,"2008
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films vol. 517, no. 1
  
  ページ: 346-349
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth2008
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films vol.517,no.1
  
  ページ: 346-349
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth2008
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 346-349
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth2008
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 346-349
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Hot carrier degradation of a SiGe/Si hetero-interface and experimental estimation of the density of locally-generated hetero-interface traps2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, and J. Murota
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 5015-5020
- NAID
  40015538121
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Influence of Grain Boundaries on the Temperature Dependence of Device Characteristics and on Hot Carrier Effects in Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors Containing Large Grains2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, T. Miura, T. Yamai, G. Kawachi, and M. Matsumura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Plys 46
  
  ページ: 1312-1317
- NAID
  10018902148
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Hot carrier degradation of a SiGe/Si hetero-interface and experimental estimation of the density of locally-generated hetero-interface traps2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, and J. Murota
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 5015-5020
- NAID
  40015538121
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] Hot carrier degradation of a SiGe/Si hetero-interface and experimental estimation of the density of locally-generated hetero-interface traps2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. vol.46,no.8A
  
  ページ: 5015-5020
- NAID
  40015538121
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Influence of Grain Boundaries on the Temperature Dependence of Device Characteristics and on Hot Carrier Effects in Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors Containing Large Grains2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, T. Miura, T. Yamai, G. Kawachi, and M. Matsumura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 1312-1317
- NAID
  10018902148
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] Hot carrier degradation of a SiGe/Si hetero-interface and experimental estimation of the density of locally-generated hetero-interface traps2007
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, S.Mishima, M.Sakuraba, and J.Murota
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.46, no.8A
  
  ページ: 5015-5020
- NAID
  40015538121
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] "Hot carrier degradation of a SiGe/Si hetero-interface and experimental estimation of the density of locally-generated hetero-interface traps,"2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, and J. Murota
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. vol. 46, no. 8A
  
  ページ: 5015-5020
- NAID
  40015538121
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET2006
- 著者名/発表者名
  竹廣忍, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS vol. 126・no. 9
  
  ページ: 1079-1082
- NAID
  10019289946
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
  
  ページ: 83-84
- NAID
  10018312310
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] "SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生,"2006
- 著者名/発表者名
  土屋敏章,櫻庭政夫,室田淳一
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C,IEEJ Trans. EIS. vol. 126, no. 9
  
  ページ: 1101-1106
- NAID
  10019289991
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Seiji Mishima, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2006)
  
  ページ: 15-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
  
  ページ: 21-24
- NAID
  110004813188
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508・Issues 1-2
  
  ページ: 326-328
- NAID
  120005587465
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] "Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs,"2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol. 508, Issues 1-2
  
  ページ: 326-328
- NAID
  120005587465
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET2006
- 著者名/発表者名
  竹廣忍, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS vol.126・no.9
  
  ページ: 1079-1082
- NAID
  10019289946
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508,Issues1-2
  
  ページ: 326-328
- NAID
  120005587465
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生2006
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS. vol.126,no.9
  
  ページ: 1101-1106
- NAID
  10019289991
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET2006
- 著者名/発表者名
  竹廣忍, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS. vol.126,no.9
  
  ページ: 1079-1082
- NAID
  10019289946
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, M.Sakuraba, and J.Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.508, Issues 1-2
  
  ページ: 326-328
- NAID
  120005587465
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol. 508・Issues 1-2
  
  ページ: 326-328
- NAID
  120005587465
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Seiji Mishima, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2006)
  
  ページ: 15-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
  
  ページ: 21-24
- NAID
  110004813188
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] ,"BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET,"2006
- 著者名/発表者名
  竹廣忍,櫻庭政夫,室田淳一,土屋敏章
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C,IEEJ Trans. EIS. vol. 126, no. 9
  
  ページ: 1079-1082
- NAID
  10019289946
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生2006
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS vol.126・no.9
  
  ページ: 1101-1106
- NAID
  10019289991
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[雑誌論文] SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生2006
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS vol. 126・no. 9
  
  ページ: 1101-1106
- NAID
  10019289991
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
- 雑誌名
  
  2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
  
  ページ: 83-84
- NAID
  10018312310
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Direct Observation of Fluctuations in the Number and Individual Electronic Properties of Interface Traps in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, Y.Mori, Y.Morimura, T.Mogami, Y.Ohji
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. (印刷中)
- NAID
  40017176026
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[雑誌論文] Direct Observation of Fluctuations in the Number and Individual Electronic Properties of Interface Traps in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, Y. Mori, Y. Morimura, T. Mogami, Y. Ohji
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. (印刷中)
- NAID
  40017176026
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] シリコンにおけるチャージポンプー電荷とスピンの室温極限操作に向けてー2017
- 著者名/発表者名
  小野行徳, 堀匡寛, 土屋敏章
- 学会等名
  第29回シリサイド系半導体研究会
- 発表場所
  八洲学園大学（神奈川県・横浜市）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピングの応用2017
- 著者名/発表者名
  渡辺時暢，堀匡寛，土屋敏章，藤原聡，小野行徳
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] 原子スケール信頼性に関わるMOS界面近傍の単一欠陥評価2017
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会山陰特別研究会
- 発表場所
  青嵐荘，奥出雲
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Silicon-on-insulator MOS デバイスにおける実時間チャージポンピングの応用2017
- 著者名/発表者名
  渡邉時暢, 堀匡寛, 土屋敏章, 藤原聡, 小野行徳
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method by the charge pumping method2016
- 著者名/発表者名
  土屋敏章,小野行徳
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Detection and Characterization of Single MOS Interface Traps by the Charge Pumping Method2016
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices
- 発表場所
  Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto
- 年月日
  2016-06-23
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] 高感度チャージポンピングEDMR法の開発2016
- 著者名/発表者名
  堀　匡寛，成松諒一，土屋敏章，小野行徳
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ，新潟
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] 界面トラップ数の真の値とばらつき，および従来のチャージポンピング理論による値との比較2016
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス，東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Characterization of Interface Defects by the Charge Pumping Technique2016
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya
- 学会等名
  The 14th Symp. on High Purity and High Mobility Semiconductors, PRiME 2016/The 230th ECS Meeting
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析－原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して－2016
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会，応用物理学会シリコンテクノロジ分科会共催
- 発表場所
  機械振興会館，東京
- 年月日
  2016-11-10
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] 電子捕獲放出過程における界面トラップ間の相互作用2016
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス，東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] チャージポンピング（CP）法によるMOS界面欠陥評価：CP法の原理的改善と単一欠陥評価への進展2016
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  第13回薄膜材料デバイス研究会
- 発表場所
  龍谷大学響都ホール校友会館，京都
- 年月日
  2016-10-21
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] 高感度チャージポンピングEDMR法の開発2016
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 成松諒一, 土屋敏章, 小野行徳
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] MOS界面トラップのエネルギー分布形状に及ぼす使用パラメータ値の影響2016
- 著者名/発表者名
  田代晃之，土屋敏章
- 学会等名
  応用物理学会中国四国支部2016年度学術講演会
- 発表場所
  岡山大学津島キャンパス，岡山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method2016
- 著者名/発表者名
  土屋敏章，小野行徳
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ，新潟
- 年月日
  2016-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] 単一界面トラップの準位密度分布：”U字型“分布は定説か？”2016
- 著者名/発表者名
  土屋敏章，P. M. レナハン
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ，新潟
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Characterization of Individual Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Single Pb0 Centers by the Charge Pumping (CP) Method and Correction of the Conventional CP Theory2015
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya
- 学会等名
  The 228th Electrochemical Society Meeting, the Symp. on ULSI Process Integration 9
- 発表場所
  Hyatt Regency Phoenix & Phoenix Convention Center, Phoenix, Arizona, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Distribution of the energy levels of single interface traps in nanoscale MOSFETs and a comparison of the actual number of traps with the values determined by conventional charge pumping theory2015
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya,
- 学会等名
  46th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference
- 発表場所
  Key Bridge Marriott, Arlington, VA, USA
- 年月日
  2015-12-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Detection of Single Traps and Characterization of Individual Traps: Beginning of “Atomistic Reliability Physics”2015
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Next-Generation Electronics
- 発表場所
  National Taiwan Univ. of Science and Technology, Taipei, Taiwan
- 年月日
  2015-05-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Detection and Characterization of Single MOS Interface Traps2015
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya
- 学会等名
  IEEE EDS DL-Workshop –Carrier Trapping Origin of Device Degradation-
- 発表場所
  Hiroshima Univ., Hiroshima
- 年月日
  2015-08-26
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] MOS界面近傍の個々のトラップ評価：CP法による単一Pbセンターの直接観測･評価と多値RTN関与の個別トラップ評価2015
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  独立行政法人日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会第95回研究会
- 発表場所
  CIC東京，東京
- 年月日
  2015-05-29
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] チャージポンピング法によるMOS界面評価2014
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  産業技術総合研究所SiC酸化膜界面検討会
- 発表場所
  発明会館（虎の門）
- 年月日
  2014-06-26
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Fluctuations in Electronic Properties of Individual Interface Traps in Nanoscale MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya
- 学会等名
  International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Fluctuation in Electronic Properties of Interface Traps in Nano-MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, Y.Mori, Y.Morimura, T.Mogami
- 学会等名
  4th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  東北大学(仙台)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Direct Observation of Fluctuation in the Carrier Capture Process of Single Interface Traps in MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  M.Hu, Y.Morimural, T.Mogami, T.Tsuchiya
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(平塚市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Fluctuation in Electronic Properties of Interface Traps in Nano-MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, Y. Mori, Y. Morimura, T. Mogami
- 学会等名
  4th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Direct Observation of Fluctuations in Both the Number and Individual Carrier Capture Rate of Interface Traps in Small Gate-Area MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, Y.Mori, Y.Morimura, T.Mogami, Y.Ohji
- 学会等名
  39th European Solid-State Device Research Conference
- 発表場所
  アテネ(ギリシャ)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Fluctuation in Electronic Properties of Interface Traps in Nano-MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya
- 学会等名
  4th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] 界面準位を数個含む極微細MOSFETのチャージポンピング特性2009
- 著者名/発表者名
  森村由太, 最上徹, 大路譲, 土屋敏章
- 学会等名
  応用物理学会中国四国支部 2009年度学術講演会
- 発表場所
  広島大学(広島)
- 年月日
  2009-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Direct Observation of Fluctuations in Both the Number and Individual Carrier Capture Rate of Interface Traps in Small Gate-Area MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya
- 学会等名
  39th European Solid-State Device Research Conference
- 発表場所
  Athens, Greece
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Direct Observation of Fluctuations in Both the Number and Individual Carrier Capture Rate of Interface Traps in Small Gate-Area MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, Y. Mori, Y. Morimura, T. Mogami, Y. Ohji
- 学会等名
  Proc. of the 39th European Solid-State Device Research Conference
- 発表場所
  Athens, Greece
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] MOSFETの界面準位密度に及ぼすチャネルドープの影響2009
- 著者名/発表者名
  嘉藤俊宏, 最上徹, 大路譲, 土屋敏章
- 学会等名
  応用物理学会中国四国支部 2009年度学術講演会
- 発表場所
  広島大学(広島)
- 年月日
  2009-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] ナノスケールMOSFETにおけるSi/SiO2界面準位数の揺らぎ2009
- 著者名/発表者名
  森祐樹, 最上徹, 大路譲, 土屋敏章
- 学会等名
  応用物理学会中国四国支部 2009年度学術講演会
- 発表場所
  広島大学(広島)
- 年月日
  2009-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed inthe Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  39th IEEE Semiconductor Interface SpecialistConference (SISC 2008)
- 発表場所
  San Diego (USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge Pumping Characteristics of MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya
- 学会等名
  39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, K.Yoshida, M.Sakuraba, and J.Murota
- 学会等名
  4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] SiGeチャネルMOSトランジスタのホットキャリア効果2008
- 著者名/発表者名
  森祐樹, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 学会等名
  応用物理学会中国四国支部2008年度学術講演会
- 発表場所
  松山
- 年月日
  2008-08-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] シリコン及びシリコン系ヘテロMOSデバイスの信頼性物理2008
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  第5回薄膜材料デバイス研究会
- 発表場所
  奈良(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] "Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs,"2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  4th International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] SiGeチャネルMOSトランジスタのホットキャリア効果2008
- 著者名/発表者名
  森祐樹, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 学会等名
  応用物理学会中国四国支部2008年度学術講演会
- 発表場所
  松山
- 年月日
  2008-08-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] SiGeチャネルpMOSFETにおけるホットキャリアストレス中の基板電流変化2008
- 著者名/発表者名
  森祐樹, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 学会等名
  第10回IEEE広島支部学生シンポジウム(IEEE HISS)
- 発表場所
  広島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2008)
- 発表場所
  San Diego (USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] SiGeチャネルpMOSFETにおけるホットキャリアストレス中の基板電流変化2008
- 著者名/発表者名
  森祐樹, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
- 学会等名
  第10回IEEE広島支部学生シンポジウム(IEEE HISS)
- 発表場所
  広島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  4th International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] MOSデバイスにおける信頼性物理とヘテロ界面に関する研究2008
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  応用物理学会中国四国支部貢献賞受賞記念講演
- 発表場所
  松山
- 年月日
  2008-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2008)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] "シリコン及びシリコン系ヘテロMOSデバイスの信頼性物理,"2008
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  第5回薄膜材料デバイス研究会
- 発表場所
  奈良100年会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  4th International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Hsinchu (Taiwan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] MOSデバイスにおける信頼性物理とヘテロ界面に関する研究2008
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  応用物理学会中国四国支部貢献賞受賞記念講演
- 発表場所
  松山
- 年月日
  2008-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] シリコン及びシリコン系ヘテロMOSデバイスの信頼性物理(招待講演)2008
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  第5回薄膜材料デバイス研究会
- 発表場所
  奈良
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] SiGe/SiヘテロチャネルMOSFETにおける過渡チャージポンピング特性2008
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一
- 学会等名
  電気学会電子材料研究会
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2008-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  4th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, K.Yoshida, M.Sakuraba, and J.Murota
- 学会等名
  39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (IEEE SISC)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  4th International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Hsinchu (Taiwan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] SiGe/SiヘテロチャネルMOSFETにおける過渡チャージポンピング特性2008
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一
- 学会等名
  電気学会電子材料研究会
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2008-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2008)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] "MOSデバイスにおける信頼性物理とヘテロ界面に関する研究,"2008
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  応用物理学会中国四国支部貢献賞受賞記念講演
- 発表場所
  メルパルク松山,松山
- 年月日
  2008-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] "Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs,"2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2008)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] "Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs,"2008
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  4th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] "High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth,"2007
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota
- 学会等名
  5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Reliability and instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  Int'l Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Marseille (France)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] "Reliability and instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs,"2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] "Instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs due to Joule heating,"2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Reliability and instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  Int'l Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Marseille(France)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs due to Joule heating2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Reliability and instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth2007
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota
- 学会等名
  5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress2006
- 著者名/発表者名
  T.Tsuchiya, S.Mishima, M.Sakuraba, and J.Murota
- 学会等名
  37th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (IEEE SISC)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
- 発表場所
  Tohoku Univ., Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] "Fabrication of Sub-100-nm Gate-Length SiGe-Heterochannel MOSFETs with In-Situ Doped Selectively Epitaxial SiGe Sourcs/Drain,"2006
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, S. Kawada, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota
- 学会等名
  2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] Fabrication of Sub-100-nm Gate-Length SiGe-Heterochannel MOSFETs with In-Situ Doped Selectively Epitaxial SiGe Sourcs/Drain2006
- 著者名/発表者名
  S. Takehiro, S. Kawada, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota
- 学会等名
  2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, J. Murota
- 学会等名
  37th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2006)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063016
[学会発表] "The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress,"2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  37th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2006)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] "Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs,"2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] "Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices,"2006
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
- 学会等名
  2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
- 発表場所
  Tohoku Univ., Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360174
[学会発表] Time domain measurement of the charge pumping current
- 著者名/発表者名
  Masahiro Hori, Tokinobu Watanabe, Toshiaki Tsuchiya, Yukinori Ono
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Hilton Hawaiian Village (Honolulu)
- 年月日
  2014-06-08 – 2014-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] ナノスケールMOSFETにおいて多値RTNに関与している個々の酸化膜トラップのキャラクタリゼーション
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  映像情報メディア学会・電子情報通信学会共催情報センシング・集積回路合同研究会
- 発表場所
  大社文化プレイスうらら館（出雲市）
- 年月日
  2014-07-03 – 2014-07-04
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Time-domain measurements of charge pimping current
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 学会等名
  2014 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2014-06-08 – 2014-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] 電子捕獲履歴現象を利用したナノスケールMOSFETにおける多値ランダムテレグラフノイズの解析
- 著者名/発表者名
  土屋敏章
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  東北大学未来科学技術共同研究センター（仙台）
- 年月日
  2014-10-16 – 2014-10-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] チャージポンピング電流の実時間計測による電子放出，再結合過程の直接観察
- 著者名/発表者名
  堀　匡寛，渡辺時暢，土屋敏章，小野行徳
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Yukinori Ono
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center
- 年月日
  2014-09-09 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method by the charge pumping method
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, Y. Ono
- 学会等名
  2014 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba Japan
- 年月日
  2014-09-09 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] 単一Si/SiO2界面トラップのチャージポンピング(CP)特性：Pb0センターの電気的直接観測と従来CP理論の原理的改善
- 著者名/発表者名
  土屋敏章，小野行徳
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] チャージポンピング電流の実時間計測による電子捕獲過程の解析
- 著者名/発表者名
  堀　匡寛，渡辺時暢，土屋敏章，小野行徳
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Evaluation of Accuracy of Time Domain Charge Pumping
- 著者名/発表者名
  Tokinobu Watanabe, Masahiro Hori1, Toshiaki Tsuchiya, Yukinori Ono
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Kanazawa Bunka Hall
- 年月日
  2014-07-01 – 2014-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Evaluation of accuracy of time-domain charge pumping
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 学会等名
  2014 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Kanazawa, Japan
- 年月日
  2014-07-01 – 2014-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098

1. 室田淳一 (70182144)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 29件
2. 小野行徳 (80374073)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 22件
3. 櫻庭政夫 (30271993)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 松浦孝 (60181690)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 堀匡寛 (50643269)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 7件
6. 竹廣忍

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 12件
7. 三島誠史

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 10件
8. 吉田啓一

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 12件
9. 森祐樹

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 13件
10. 堀口誠二 (60375219)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 西口克彦 (00393760)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 山口徹 (30393763)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. モハメッドカラファラ (70463627)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 栗野浩之 (70282093)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 小柳光正 (60205531)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 最上徹

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
17. 森村由太

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
18. 杉山直治

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 小野昭一

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 櫻場政夫

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 63件

土屋 敏章 Tsuchiya Toshiaki

研究課題

研究成果

共同研究者

高感度チャージポンピング・スピン共鳴法の開発と電子対再結合のスピン制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単一トラップの分離検出・電子物性評価技術の開発とトラップ物理の新展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン中のドーパント原子を用いた高精度電荷制御の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン・シングルドーパント・エレクトロニクス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノスケールデバイスにおける界面物性揺らぎと雑音研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

非古典的ナノヘテロデバイス実現のためのヘテロ界面に関する先駆的基盤研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

人工IV族半導体極微細構造を用いた超高速光・電子デバイスの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

IV族半導体ヘテロ構造におけるホットキャリアの挙動に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

SiGeとSOIを駆使した超低消費電力極微細Si系CMOSデバイス構成法の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Distribution of the energy levels of individual interface traps and a fundamental refinement in charge pumping theory2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Improvement of charge-pumping electrically detected magnetic resonance and its application to silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Time-domain charge pumping on silicon-on-indulator MOS devices2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] チャージポンピング法による単一界面トラップ（欠陥）の検出と評価2016

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

土屋敏章 Tsuchiya Toshiaki