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大門 秀朗  Ohkado Hideaki

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

大門 秀明  オオカド ヒデアキ

大西 秀朗  オオニシ ヒデアキ

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研究者番号 20324816
所属 (現在) 2025年度: 九州工業大学, 大学院工学研究院, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2008年度: 九州工業大学, 大学院・工学研究科, 准教授
2008年度: 九州工業大学, 工学研究院, 准教授
2007年度: 九州工業大学, 工学研究科, 准教授
2007年度: 大阪大学, 九州工業大学大学院・工学研究科, 准教授
2005年度 – 2006年度: 九州工業大学, 工学研究科, 助教授
2001年度 – 2004年度: 大阪大学, 超高圧電子顕微鏡センター, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 表面界面物性
研究代表者以外
薄膜・表面界面物性 / 表面界面物性 / 金属物性 / 金属物性 / 理工系
キーワード
研究代表者
ナノ材料創製 / シリコンカーバイド / フラーレン / カーボンナノチューブ / ピーポッド / 量子細線 / 原子間力顕微鏡 / 透過電子顕微鏡
研究代表者以外
カーボンナノチューブ / ナノ粒子 … もっと見る / carbon nanotube / 触媒金属微粒子 / 結晶性 / 走査トンネル顕微鏡 / 単層カーボンナノチューブ / 自己組織化 / 電子顕微鏡 / Selective Detection / Oxidizing and Reducing Gases / High Throughput / Ultrasensitive Detection / Adsorption Mechanism / Gas Sensor / Single-walled Carbon Nanotubes / Langmuirの吸着等温式 / 酸化性ガス / 触媒金属修飾 / 成長形態 / 選択検知 / 酸化・還元性ガス / 高スループット / 極微量検知 / 吸着機構 / ガスセンサー / Sensors / Electrochemical Devices / Nanodevices / Micro / Electrical Materials / Electronic / Fullerene / Nanotube / 冷電子エミッター / 電気二重層キャパシター / 成長制御 / 高密度 / 長尺 / センサー / 電気化学デバイス / マイクロ・ナノデバイス / 電子・電気材料 / ナノチューブ・フラーレン / surface / interface / thermodynamic calculation / nano-particle / alloy / 界面エネルギー / 表面 / 界面 / 熱力学計算 / 合金 / Hybrid Nanowires / Nanoelectromechanical Systems / Scanning Tunneling Microscopy / Coating with Multiple Layers / Coating with Inorganic Materials / Pulsed Laser Deposition / Carbon Nanotubes / 絶縁特性 / 膜厚 / パルスレーザアブレーション / 熱化学気相成長 / 単層ナノチューブ / 絶縁膜被膜 / STM / 超伝導 / 磁性体 / 金属 / 化合物被膜 / 機能性付与 / パルスレーザ蒸着法 / ハイブリッドナノワイヤ / ナノ電気機械システム / 多層被膜 / 無機材料被膜 / パルスレーザー蒸着法 / field effect transistor / contact resistance / electron transport properties / thermal annealing / dispersing carbon nanotube / thermal chemical vapor deposition / carbon nanotube bridging between electrodes / 固有抵抗 / 電極間架橋 / 横配向 / 熱CVD / 触媒金属ナノクラスター / 自己組織化プロセス / CNT / 電界効果トランジスタ / 接触抵抗 / 電気伝導特性 / 熱処理 / 分散法 / 熱化学気相成長法 / 電極間架橋構造 / stable phase / TEM / amorphous / nanoparticle / 安定相 / アモルファス / field electron emission property / crystallinity / alignment / control of morphology / growth mechanism / chemical vapor deposition / self-organized catalyst nanoparticle / 成長温度 / プラズマ / 表面欠陥 / 電解電子放出特性 / 内部構造 / 自己組織化触媒重属微粒子 / 垂直配向CNT / ランダムCNT / 電界電子放出特性 / 配向性 / 形態制御 / 成長機構 / 化学気相成長法 / 自己組織化触媒金属微粒子 / 電子物性 / 吸着物性 / 触媒金属 / 昇温脱離分光 / 原子状水素 / 二酸化窒素 / van Hove特異性 / 単層カーボンナノチューブ薄膜ガスセンサー / 走査トンネル分光 / トンネル電流誘起発光分析 / 状態密度 / 単層カーボンナノチューブ探針 / 紫外光応答 / ZnO / 光物性 / ナノ電子物性 / 吸着・脱離特性 / 表面・界面物性 / 自己組織 / 過飽和 / ナノ構造 / エピタキシャル成長 / シリコンカーバイド 隠す
  • 研究課題

    (11件)
  • 研究成果

    (12件)
  • 共同研究者

    (10人)
  •  修飾カーボンナノチューブの表面・界面物性の評価

    • 研究代表者
      片山 光浩
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2011
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      大阪大学
  •  シリコンカーバイド基板上での高密度高配向ピーポッドの創製研究代表者

    • 研究代表者
      大門 秀朗
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  カーボンナノチューブへのガス吸着機構の解明と極微量ガスセンサーの開発

    • 研究代表者
      本多 信一
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  長尺・高密度カーボンナノチューブ作製技術の開拓とナノデバイス応用

    • 研究代表者
      尾浦 憲治郎
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  ゲート絶縁膜被覆カーボンナノチューブ作製技術の開拓と量子ナノデバイス応用

    • 研究代表者
      片山 光浩
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  合金ナノ粒子に出現する熱力学的に安定なアモルファス相の成因解明

    • 研究代表者
      森 博太郎
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      金属物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  自己組織化によるカーボンナノチューブの全体配列制御技術の確立とナノデバイス応用

    • 研究代表者
      尾浦 憲治郎
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  透過電子顕微鏡ホルダーに組み込める原子間力顕微鏡の開発と量子細線への応用研究代表者

    • 研究代表者
      大門 秀朗 (大西 秀朗)
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  半導体に過飽和に固溶させた金属の析出を用いた自己組織化ナノ構造の形成

    • 研究代表者
      森 博太郎
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      金属物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  水素誘起ナノクラスターを触媒としたカーボンナノチューブ形成メカニズムの研究

    • 研究代表者
      尾浦 憲治郎
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  ナノ粒子に出現する安定相としてのアモルファスとその成因

    • 研究代表者
      森 博太郎
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      金属物性
    • 研究機関
      大阪大学

すべて 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface2008

    • 著者名/発表者名
      J. Yoshida, Y. Yonekubo, T. Nakanishi, H. Okado, M. Naitoh, T. Sakata, H. Mori
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 254

      ページ: 7723-7727

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19510118
  • [雑誌論文] Scanning Tunneling Spectroscopy Study of the Zn0(0001)-Zn Surface2006

    • 著者名/発表者名
      M.Kishida, Y.Murata, D.Maeda, H.Okado, S.Honda, K.Oura, M.Katayama
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 45, Part 2, No.1

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206007
  • [雑誌論文] Growth Process and Structure of Er/Si(001) Thin Film2006

    • 著者名/発表者名
      S.Fujii, Y.Michishita, N.Miyamae, H.Suto, S.Honda, H.Okado, K.Oura, M.Katayama
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 82-85

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17206007
  • [雑誌論文] Long-Period Modulations in the Linear Chains of Tl Atoms on Si(100)2005

    • 著者名/発表者名
      A.A.Saranin, A.V.Zotov, I.A.Kuyanov, V.G.Kotlyar, M.Kishida, Y.Murata, H.Okado, I.Matsuda, H.Morikawa, N.Miyata, S.Hasegawa, M.Katayama, K.Oura
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 71

      ページ: 165307-165307

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206005
  • [雑誌論文] Self-Assembly Formation of the Ordered Nanostructure Arrays Induced by Be Interaction with Si(111) Surface2005

    • 著者名/発表者名
      A.A.Saranin, A.V.Zotov, V.G.Kotlyar, T.V.Kasyanova, O.A.Utas, H.Okado, M.Katayama, K.Oura
    • 雑誌名

      Surf.Sci. 574

      ページ: 99-109

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206005
  • [雑誌論文] Ordered Arrays of Be-Encapsulated Si Nanotubes on Si(111) Surface2004

    • 著者名/発表者名
      A.A.Saranin, A.V.Zotov, V.G.Kotlyar, T.V.Kasyanova, O.A.Utas, H.Okado, M.Katayama, K.Oura
    • 雑誌名

      Nano Letters 4, No.8

      ページ: 1469-1473

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206005
  • [雑誌論文] Real-Time Scanning Tunneling Microscope Observations of High-Temperature Oxygen Reaction with the 6H-SiC(0001)【square root】3x【square root】3 surface2003

    • 著者名/発表者名
      H.Okado, O.Kubo, N.Yamaoka, S.Itou, A.Nishida, M.Katayama, K.Oura
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 42, Part 2, No.5A

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206005
  • [雑誌論文] Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface

    • 著者名/発表者名
      J. Yoshida, Y. Yonekubo, T. Nakanishi, H. Okado, M. Naitoh, T. Sakata, H. Mori
    • 雑誌名

      Applied Surface Science (印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19510118
  • [学会発表] SiC(0001)基板上での高密度高配向ピーポッドの作製2009

    • 著者名/発表者名
      橋本健二、大門秀朗、内藤正路
    • 学会等名
      九州表面・真空研究会2009(兼)第14回九州薄膜表面研究会
    • 発表場所
      九州工業大学
    • 年月日
      2009-06-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19510118
  • [学会発表] SiC表面分解法を用いて生成したCNTを用いたフラーレンピーポッドの作製2008

    • 著者名/発表者名
      橋本健二、大門秀朗
    • 学会等名
      平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • 発表場所
      宮崎大学
    • 年月日
      2008-11-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19510118
  • [学会発表] Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface2007

    • 著者名/発表者名
      J. Yoshida, Y. Yonekubo,T. Nakanishi, H. Okado, M. Naitoh, T. Sakata, H. Mori
    • 学会等名
      9th Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19510118
  • [学会発表] Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface2007

    • 著者名/発表者名
      J. Yoshida, Y. Yonekubo, T. Nakanishi,H. Okado, M. Naitoh, T. Sakata, H. Mori
    • 学会等名
      9th Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • 発表場所
      東京大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19510118
  • 1.  本多 信一 (90324821)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 2件
  • 2.  片山 光浩 (70185817)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 6件
  • 3.  尾浦 憲治郎 (60029288)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 2件
  • 4.  森 博太郎 (10024366)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  桑原 裕司 (00283721)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  田畑 博史 (00462705)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  内藤 正路 (60264131)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 5件
  • 8.  平尾 孝 (50304019)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  綿森 道夫 (80222412)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  WINADDA Wongwiriyapan
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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