白石賢二 SHIRAISHI Kenji

研究者番号	20334039
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2017年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 2015年度: 名古屋大学, 工学研究科, 教授 2014年度: 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授 2013年度 – 2014年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2012年度: 筑波大学, 数理物質科学研究科, 教授 … もっと見る 2007年度 – 2010年度: 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 2008年度: 筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 教授 2007年度 – 2008年度: 筑波大学, 数理物質科学研究科, 教授 2006年度: 筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 助教授 2006年度: 筑波大学, 数理物質化学研究科, 助教授 2004年度 – 2005年度: 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 助教授 2001年度 – 2003年度: 筑波大学, 物理学系, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者薄膜・表面界面物性 / 薄膜・表面界面物性 / 表面界面物性 / 理工系研究代表者以外電子・電気材料工学 / 理工系 / 生物系 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 物理学一般 / 薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者理論 / 第一原理計算 / 界面 / 半導体 / LSI / Silicon / 欠陥 / シリコン / 界面反応 / 量子効果 … もっと見る / ナノ物性 / ナノサイエンス / 多軌道タイトバインディング法 / IV族元素 / ナノリボン / スピン軌道相互作用 / タイトバインディング近似 / 物質合成 / 物質設計 / エッジ状態 / 物質創製 / 二次元物質 / スタネン / ゲルマネン / シリセン / Interface Reaction / High-k dielectrics / Insulating films / Impurity / Defects / Semiconductor / HfO_2 / トランジスタ特性 / Si界面 / High-k絶縁膜 / SiO_2界面 / Si / シリコンナノ構造 / 量子論 / 高誘電率絶縁膜 / 絶縁膜 / 不純物 / 格子欠陥 / Diffusion barrier / Self-diffusion / Impurity diffusion / Interface / Thermal Oxidation / First principles calculations / Theory / 歪み / プロセスシミュレーション / 酸化膜 / 拡散 / シミュレーション / シリコン酸化膜 / 拡散障壁 / 自己拡散 / 不純物拡散 / 熱酸化 / 界面準位 / 絶縁体 / 金属 / 酸化物 / ナノデバイス / 将来デバイス / 炭素ナノチューブ / MOSトランジスタ / 半導体デバイス / 新材料 / ナノ界面 … もっと見る研究代表者以外電子状態 / タンパク質 / 量子論 / バイオ物質 / ナノ物質 / 半導体 / 密度汎関数理論 / 計算科学 / 第一原理計算 / プロトン移動 / computational science / Car-Parrinello molecular dynamics / density functional theory / nano-shape / electron state / quantum theory / bio-material / nano-material / 密度汎関数法 / Car-Parrinello法 / Car-Parrinello分子動力学法 / Car-Parrinello分子動力学 / ナノ形状 / Molecular structure / Electronic structure / Synthesis and AFM observation / D.L alternating amino acids rings / Ab initio molecular orbitals theory / Mathematical molecular desigining / Protein nanoring / Protein nanotube / 分子構造と電子構造 / 骨格構造の数理 / ワイドバンドギャップ半導体 / AFM観察 / Fmoc固相合成 / 環状ペプチド / 第一原理電子論 / 蛋白質ナノチューブ / ペプチドナノリング / 高分子合成 / 生体高分子 / 分子構造 / 電子構造 / L体アミノ酸5残基リング / D, L交互アミノ酸リング / 非経験的分子軌道理論 / 数理構造解析 / タンパク質ナノリング / タンパク質ナノチューブ / SiO2 / 絨毯爆撃状絶縁破壊痕 / 経時酸化膜絶縁破壊 / Hard Breakdown / Soft Breakdown / ＴＤＤＢ / ＭＯＳゲート絶縁膜 / 炭化ケイ素 / 断面TEM観察 / ヘテロ界面 / 発光解析 / 結晶欠陥 / GaN on Si(001) / SiC MOS / 透過型電子顕微鏡 / ヘテロエピタキシャル成長 / 結晶性 / ゲート絶縁膜 / 信頼性物理 / 表面・界面物理解析 / 絶縁破壊機構 / 窒化物 / 酸化物 / 電気・電子材料 / 結晶工学 / 電子電気材料 / キャリア伝導 / ダイヤモンド / マイクロ・ナのデバイス / 自己拡散 / シリコン酸窒化 / 計算物理 / マイクロ・ナノデバイス / 表面・界面物性 / CL / MBE / AIN / 非輻射再結合 / 陽電子消滅 / 光学測定 / InN / AlN / GaN / 発光ダイナミックス / 点欠陥 / III族窒化物半導体 / アミドプロトン / ペプチドグループ / シトクローム酸化酵素 / 立体構造 / RNA / 電子状態計算 / 酵素反応 / 触媒反応 / 第一原理分子動力学計算 / ハイブリッド計算 / ナノ構造 / 量子力学 / 表面・界面 / 炭素ナノチューブ / ナノ構造体 / ヘム / チトクローム酸化酵素 / 理論 / 電子移動隠す

新規IV族系二次元物質の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  白石賢二
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
新しいヘテロ界面形成による高性能・省エネルギートランジスタの基盤構築
- 研究代表者
  
  丹羽正昭
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
ダイヤモンド表面の超高濃度キャリア生成機構の統一的解明と次世代デバイスへの展開
- 研究代表者
  
  嘉数誠
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  佐賀大学
タンパク質超分子中のプロトン移動機構の電子レベルでの解明
- 研究代表者
  
  BOERO Mauro
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  生物系
- 研究機関
  筑波大学
第一原理量子論によるナノデバイス材料・界面の物性予測研究代表者
- 研究代表者
  
  白石賢二
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
III 族窒化物半導体の点欠陥と発光ダイナミックスの研究
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
ナノ界面理論の新展開とそのナノデバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  白石賢二
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  筑波大学
シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御
- 研究代表者
  
  植松真司
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  慶應義塾大学
チトクローム酸化酵素におけるプロトンポンプ機構の電子レベルでの解明
- 研究代表者
  
  BOERO Mauro
- 研究期間 (年度)
  2005
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  生物系
- 研究機関
  筑波大学
ナノ・バイオ物質における形状と機能の量子デザイン
- 研究代表者
  
  押山淳
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2008
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
   筑波大学
ナノ・バイオ物質における形状と機能の量子論:計算物理学的アプローチ
- 研究代表者
  
  押山淳
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  ナノ材料・ナノバイオサイエンス
- 研究機関
  筑波大学
次世代極薄高誘率ゲート絶縁膜中の不純物の挙動に関する理論的研究研究代表者
- 研究代表者
  
  白石賢二
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  筑波大学
シリコン熱酸化の界面素過程に関する理論的研究研究代表者
- 研究代表者
  
  白石賢二
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  筑波大学
蛋白質ナノチューブの第一原理電子論
- 研究代表者
  
  武田京三郎
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  物理学一般
- 研究機関
  早稲田大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] First-principles calculations of orientation dependence of Si thermal oxidation based on Si emission model2018
- 著者名/発表者名
  T. Nagura, S. Kawachi, K. Chokawa, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, K. Shiraishi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57
- NAID
  210000148861
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[雑誌論文] First principles investigation of the unipolar resistive switching mechanism in an interfacial phase change memory based on a GeTe/Sb2Te3 superlattice2018
- 著者名/発表者名
  H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57
- NAID
  210000148905
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[雑誌論文] Theoretical prediction of a self-forming gallium oxide layer at an n-type GaN/SiO2 interface2018
- 著者名/発表者名
  K. Chokawa, T. Narita, D. Kikuta, T. Kachi, K. Shiozaki, K. Shiraishi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 ページ: 031002-031002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[雑誌論文] Edge states of hydrogen terminated monolayer materials: silicene, germanene and stanene ribbons2017
- 著者名/発表者名
  A. Hattori, S. Tanaya, K. Yada, M. Araidai, M. Sato, Y. Hatsugai, K. Shiraishi, and Y. Tanaka
- 雑誌名
  
  J. Phys.: Condensed Matter
  
  巻: 29 号: 11 ページ: 115302-111
- DOI
  10.1088/1361-648x/aa57e0
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-15H05853, KAKENHI-PLANNED-15H05855, KAKENHI-PROJECT-26247064, KAKENHI-PROJECT-15H03564, KAKENHI-PROJECT-16K13845, KAKENHI-PLANNED-25107005
[雑誌論文] Possibility of Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories for Long Lifes-pan Archive Memories2017
- 著者名/発表者名
  H. Shirakawa, K. Yamaguchi, M. Araidai, K. Kamiya, K. Shiraishi
- 雑誌名
  
  IEICE Transaction on Electronics
  
  巻: E100 ページ: 928-933
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[雑誌論文] First-principles study on adsorption structure and electronic state of stanene on α-alumina surface2017
- 著者名/発表者名
  Araidai Masaaki、Kurosawa Masashi、Ohta Akio、Shiraishi Kenji
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 9 ページ: 095701-095701
- DOI
  10.7567/jjap.56.095701
- NAID
  210000148278
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17551, KAKENHI-PROJECT-15H03564
[雑誌論文] Mechanism of hole doping into hydrogen terminated diamond by the adsorption of inorganic molecule2013
- 著者名/発表者名
  Y. Takagi, K. Shiraishi, M. Kasu, H. Sato
- 雑誌名
  
  Surface Science
  
  巻: 609 ページ: 203-206
- DOI
  10.1016/j.susc.2012.12.015
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360124
[雑誌論文] A massively-parallel electronic-structure calculations based on real-space density functional theory2010
- 著者名/発表者名
  J-I, Iwata, D. Takahashi, A. Oshiyama, T. Boku, K. Shiraishi, S. Okada, K. Yabana
- 雑誌名
  
  J. Comp. Phys. 229
  
  ページ: 2339-2363
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文]2010
- 著者名/発表者名
  Y. Sakurai, J-I Iwata, M. Muraguchi, Y. Shigeta, Y. Takada, S. Nomura, T. Endoh, S. Saito, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 45
  
  ページ: 14001-14001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] First-Prinicple Study on In-related Nitride" Smiconductors2009
- 著者名/発表者名
  T. Obata, J.-I. Iwata, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth (印刷中)(掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Significant change in electronic structures of heme upon reduction by strong coulomb repulsion between Fe d electrons2009
- 著者名/発表者名
  K. Kamiya, S. Yamamoto, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem. B 113
  
  ページ: 6886-6886
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] A Significant Change in Electronic Structures of Heme Upon Reduction by Strong Coulomb Repulsion between Fe $d$ Electrons2009
- 著者名/発表者名
  K. Kamiya, S. Yamamoto, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  Journal of Physical Chemistry B (印刷中)(掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] First principles studies on In-related nitride semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  T. Obata, J-I. Iwata, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth (印刷中)(掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Significant Change in Electronic Structures of Heme Upon Reduction by Strong Coulomb Repulsion between Fe d Electrons2009
- 著者名/発表者名
  K. Kamiya, S. Yamamoto, K. Shiraishi, A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem. B 113
  
  ページ: 6866-6872
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Theoretical studies on the charge trap mechanism of MONOS type memories - Relationship between atomistic information and program/erase actions2009
- 著者名/発表者名
  A. Otake, K. Yamaguchi, K. Kobayashi, K. Shiraishi
- 雑誌名
  
  Microelectronic. Eng. 86
  
  ページ: 1849-1851
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] 'Chemical Controllability of Charge States of Nitrogen-Related Defects in HfO$_x$N$ y$ : First-Principles Calculations2008
- 著者名/発表者名
  N. Umezawa, K. Shiraishi, Y. Akasaka, A. Oshiyama, S. Inumiya, S. Miyazaki, K. Ohmori, T. Chikyow, T. Ohno_ K. Yamahe. Y. Nara.
- 雑誌名
  
  Physical Review B 77
  
  ページ: 165130-165130
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Ge vacancies at Ge/Si interfaces : stress enhanced pairing distrotion2008
- 著者名/発表者名
  K. Takai, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B77
  
  ページ: 45308-45308
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Large-scale density-functional calculations on Si divacancies2008
- 著者名/発表者名
  J. -I. Iwata, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B77
  
  ページ: 115208-115208
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Possible proton transfer mechanism through peptide groups in the H-pathway of the bovine cytochrome c oxidas2008
- 著者名/発表者名
  K. Kamiya, M. Boero, M. Tateno, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  Biochimica et Biophysica Acta-Bioenergetics 1777
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Large-scale density-functional calculations on silicon divacancies.2008
- 著者名/発表者名
  J. Iwata, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  Physics Beview B77
  
  ページ: 115280-115280
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Ge vacancies at Ge/Si interfaces: Stress-enhanced pairing dist ortion2008
- 著者名/発表者名
  K., Takai・K., Shiraishi・A., Oshiyama
- 雑誌名
  
  PHYSICAL REVIEW B 77
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Ge Vacancies at Ge/Si Interfacee: Stress Enhanced Pairing Distrotion2008
- 著者名/発表者名
  K. Takai, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  Physics Beview B77
  
  ページ: 45308-45308
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Generation of Acceptor Levels in Ge by the Uniaxial Strain-A Theoretical Approach-2008
- 著者名/発表者名
  K. Takai, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  ECS Trans 16
  
  ページ: 261-266
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Ge vacancies at Ge/Si interfaces: Stress-enhanced pairing distortion2008
- 著者名/発表者名
  K. Takai, K. Shiraishi, A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  PHYSICAL REVIEW B 77
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] 金属/絶縁体界面の統一理論2008
- 著者名/発表者名
  白石賢二、中山隆史
- 雑誌名
  
  表面科学 29
  
  ページ: 92-98
- NAID
  10021165483
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Theoretical study of the time-dependent phenomena on a two-dimensional electron gas weakly coupled with a discrete level2008
- 著者名/発表者名
  M. Muraguchi, Y. Takada, S. Nomura, K. Shiraishi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 7807-7811
- NAID
  120007131216
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Quantum cascade multi-electron injection into Si-quantum-dot floating gates embedded in SiO2 matrices2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takada, M. Muraguchi, K. Shiraishi
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. 254
  
  ページ: 6199-6202
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Chemical controllability of charge states of nitrogen-related defects in HfOxNy : First-principles calculations2008
- 著者名/発表者名
  N. Umezawa, K. Shiraishi, Y. Akasaka, A. Oshiyama, 他8名
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B77
  
  ページ: 165130-165130
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Influences of annealing in reducing and oxidizing ambients on flatband voltage properties of HfO2 gate stack structures2007
- 著者名/発表者名
  K. Ohmori, P. Ahmet, M. Yoshitake, T. Chikyow, K. Shiraishi, K. Yamabe, H. Watanabe, Y. Akasaka, Y. Nara, K.-S. Chang, M. L. Green, K. Yamada
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Novel Mechanism for Proton Transfer in Bovine Cytochrome c Oxidase2007
- 著者名/発表者名
  K. Kamiya, M. Boero, M. Tateno, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  Journal of Physics: Condensed Matter 19
  
  ページ: 365220-365220
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Role of nitrogen atoms in reduction of electron charge traps in Hf-based high-k dielectrics2007
- 著者名/発表者名
  N. Umezawa, K. Shiraishi, K. Torii, et. al.
- 雑誌名
  
  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 28
  
  ページ: 363-365
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Quantum effects in a double-walled carbon nanotube capacitor2007
- 著者名/発表者名
  K. Uchida, S. Okada, K. Shiraishi, and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  PHYSICAL REVIEW B 76(15) : Art. No. 155436 OCT
- NAID
  120007139048
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Possible mechanism of proton transfer through peptide groups in the H-pathway of the Bovine cytochrome c oxidase.2007
- 著者名/発表者名
  Kamiya, K.・Boero, M.・Tateno, M.・Shiraishi, K.・Oshiyama, A.
- 雑誌名
  
  J. Ame. Chem. Soc. 129
  
  ページ: 9663-9663
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18054004
[雑誌論文] Suppression of oxygen vacancy formation in Hf-based high-k dielectrics by lanthanum incorporation2007
- 著者名/発表者名
  N., Umezawa・K., Shiraishi・S., Sugino, et. al.
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Possible mechanism of proton transfer through peptideg Groups in the H pathway of the Bovine Cytochrome c Oxidase2007
- 著者名/発表者名
  K. Kamiya, M. Boero, M. Tateno, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  J. Ame. Chem. Soc. 129
  
  ページ: 9663-9663
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Quantum effects in a double-walled carbon nanotube capacitor2007
- 著者名/発表者名
  K. Uchida, S. Okada, K. Shiraishi, A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  PHYSICAL REVIEW B 76(15)
  
  ページ: 155436-155436
- NAID
  120007139048
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Role of Nitrogen Atoms in Reduction of Electron Charge Traps in Hf-based High-k Dielectrics2007
- 著者名/発表者名
  N. Umezawa, K. Shiraishi, K. Torii, M. Boero, T. Chikyow, H. Watanabe, K. Yamabe, T. Ohno, K. Yamaba, and Y. Nara
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters 28
  
  ページ: 363-365
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] 金属/絶縁体界面の物理:ショットキーバリアと原子間混晶化2007
- 著者名/発表者名
  中山隆史、白石賢二
- 雑誌名
  
  表面科学 28
  
  ページ: 28-33
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Physical origin of stress-induced leakage currents in ultra-thin silicon dioxide films2007
- 著者名/発表者名
  T., ・Endoh・K., Hirose・K., Shiraishi
- 雑誌名
  
  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E90C
  
  ページ: 955-961
- NAID
  10018216417
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Role of Nitrogen Atoms in Reduction of Electron Charge Traps in Hf-based High-k Dielectrics2007
- 著者名/発表者名
  N., Umezawa・K., Shiraishi・K., Torii・M., Boero, et. al.
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Dev. Lett. 28
  
  ページ: 363-363
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18054004
[雑誌論文] Quantum effects in a cylindrical carbon-nanotube capacito2007
- 著者名/発表者名
  K., Uchida・S., Okada・K., Shiraishi・A., Oshiyama
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 19
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Gate-component-induced high-k compositional change for dual-metal/dual-high-k CMOS-Cost-effective approach to utilize the effective work function stabilization by pinning-2007
- 著者名/発表者名
  M. Kadoshima, Y. Sugita, K. Shiraishi, H. Watanabe, S. Miyazaki, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, and Y. Ohji.
- 雑誌名
  
  Technical Digest of 2007 Symposium on VLSI Technology
  
  ページ: 66-67
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Possible Mechanism of Proton Transfer through Peptide Groups in the H-pathway of the Bovine Cytochrome c Oxidase2007
- 著者名/発表者名
  K. Kamiya, M. Boero, M. Tateno, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  Journal of the American Chemical Society 129
  
  ページ: 9663-9673
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Suppression of oxygen vacancy formation in Hf-based high-k dielectrics by lanthanum incorporation2007
- 著者名/発表者名
  N, Umezawa, K, Shiraishi, et.al.
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 91(13) : Art. No. 132904 SEP
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Quantum effects in a cylindrical carbon-nanotube capacitor2007
- 著者名/発表者名
  K. Uchida, S. Okada, K. Shiraishi, and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  OURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 19 (36) : Art. No. 365218
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Role of nitrogen atoms in reduction of electron charge traps in Hf-based High-k dielectrics2007
- 著者名/発表者名
  N. Umezawa, K. Shiraishi, K. Torii, M. Boero, 他6名
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters 28
  
  ページ: 363-363
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Suppression of oxygen vacancy formation in Hf-based high-k dielectrics by lanthanum incorporation2007
- 著者名/発表者名
  N. Umezawa, K. Shiraishi, S. Sugino, et. al.
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Quantum effects in a double-walled carbon nanotube capacitor2007
- 著者名/発表者名
  K., Uchida・S., Okada・K., Shiraishi・A., Oshiyama
- 雑誌名
  
  PHYSICAL REVIEW B 76
- NAID
  120007139048
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Suppression of oxygen vacancy formation in Hf-based high-k dielectrics by lanthanum incorporation2007
- 著者名/発表者名
  N, Umezawa, K, Shiraishi, et al
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 91 (13) : Art. No. 132904
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Quantum effects in double- walled carbon nanotubec capacitor2007
- 著者名/発表者名
  K. Uchida, S. Okada, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B76
  
  ページ: 155436-155436
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Role of nitrogen atoms in reduction of electron charge traps in Hf-based high-k dielectrics2007
- 著者名/発表者名
  N., Umezawa・K., Shiraishi・K., Torii, et. al.
- 雑誌名
  
  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 28
  
  ページ: 363-365
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Guiding principle of energy level controllability of silicon dangling bonds in HfSiON2007
- 著者名/発表者名
  N., Umezawa・K., Shiraishi・S., Miyazaki, et. al.
- 雑誌名
  
  JAPANEST JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1 46
  
  ページ: 1891-1894
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Quantum Effects in Cylindrical Carbon-Nanotube Capacitor2007
- 著者名/発表者名
  K. Uchida, S. Okada, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  Journal of Physics: Condensed Matter 19
  
  ページ: 365218-365218
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Physical origin of stress-induced leakage currents in ultra-thin silicon dioxide films2007
- 著者名/発表者名
  T. Endoh, K. Hirose, K. Shiraishi
- 雑誌名
  
  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E90C
  
  ページ: 955-961
- NAID
  110007519658
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Ab initio-based approach on initial growth kinetics of GaN on GaN(001)2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kangawa, Y. Matsuo, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi and K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 301
  
  ページ: 75-78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] First-Principles Molecular Dynamics Study of Proton Transfer Mechanism in Bovine Cytochromec Oxidase.2007
- 著者名/発表者名
  Kamiya, K.・Boero, M.・Tateno, M.・Shiraishi, K.・Oshiyama, A.
- 雑誌名
  
  Journal of Physics 19
  
  ページ: 365220-365220
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18054004
[雑誌論文] Quantum Effects in Double-Walled Carbon Nanotube Capacitor2007
- 著者名/発表者名
  K. Uchida, S. Okada, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  Physics Beview B76
  
  ページ: 155436-155436
- NAID
  120007139048
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Quantum effects in a double-walled carbon nanotube capacitor2007
- 著者名/発表者名
  K. Uchida, S. Okada, K. Shiraishi, and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  PHYSICAL REVIEW B 76 (15) : Art. No. 155436
- NAID
  120007139048
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Hafnium 4f core-level shifts caused by nitrogen incorporation in Hf-based high-k gate dielectrics2007
- 著者名/発表者名
  N., Umezawa・K., Shiraishi・S., Miyazaki, et. al.
- 雑誌名
  
  JAPANEST JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1 46
  
  ページ: 3507-3509
- NAID
  40015421738
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Oxygen-vacancy-induced threshold voltage shifts in Hf-related high-k gate stacks2006
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, K. Yamada, K. Torii, Y. Akasaka, K. Nakajima, M. Konno, T. Chikyow, H. Kitajima, T. Arikado, Y. Nara
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 305-310
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Enol-to-Keto Tautomerism of Peptide Groups2006
- 著者名/発表者名
  K.Kamiya, M.Boero, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  J.Phys.Chem B 110
  
  ページ: 4443-4450
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Theoretical Studies on the Physical Properties of Poly-Si and Metal Gates/HfO_2 related High-k Dielectric Interfaces2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Torii, Y.Akasaka, T.Nakayama, T.Nakaoka, S.Miyazaki, T.Chikyow, K.Yamada, Y.Nara
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1
  
  ページ: 479-479
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Real-space Density-functional Calculations for Si Divacancies with Large Size Supercell Models2006
- 著者名/発表者名
  J.-I.Iwata, A.Oshiyama, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Physica B (In press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Real-space Density-Functional Cal- culations for Si Divacancies with Large Size Supercell Models2006
- 著者名/発表者名
  J.-I.Iwata, A.Oshiyama, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 196-196
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Oxygen-Vacancy-Induced Threshold Voltage Shifts in Hf-Related High-k Gate Stacks2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Yamada, K.Torii, Y.Akasaka, K.Nakajima, M.Konno, T.Chikyow, H.Kitajima, T.Arikado, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 305-305
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Enol-to-keto Tautomerism of Peptide Groups2006
- 著者名/発表者名
  K.Kamiya, M.Boero, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Journal of Physical Chemistry B 110
  
  ページ: 4443-4443
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Transport mechanism of interfacial network forming atoms during silicon oxidation2006
- 著者名/発表者名
  H.Kageshima, M.Uematsu, K.Akagi, S.Tsuneyuki, T.Akiyama, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Part 1 45
  
  ページ: 694-694
- NAID
  40007140212
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Enol-to-Keto Tautomerism of Peptide Groups2006
- 著者名/発表者名
  K.Kamiya, M.Boero, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem B 110
  
  ページ: 4443-4450
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Unique Behavior of F-centers in High-k Hf-based Oxides2006
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, M.Boero, H.Watanabe, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamabe, K.Yamada, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 392-395
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Modified Oxygen Vacancy Induced Fermi Level Pinning Model Extendable to P-Metal Pinning2006
- 著者名/発表者名
  Y.Akasaka, G.Nakamura, K.Shiraishi, N.Umezawa, K.Yamabe et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Part2 45
- NAID
  10018461127
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Unique Behavior of F-centers in High-k Hf-based Oxides2006
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, M.Boero, H.Watanabe, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamabe, K.Ymada, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 392-392
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Modified Oxygen Vacancy Induced Fermi Level Pinning Model Extendable to P-Metal Pinning2006
- 著者名/発表者名
  Y. Akasaka, G. Nakamura, K. Shiraishi, N. Umezawa, K. Yamabe, O. Ogawa, M. Lee, T. Amiaka, T. Kasuya, H. Watanabe, T. Chikyow, F. Ootsuka, Y. Nara, and K. Nakamura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys Part 2, 45
- NAID
  10018461127
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] A Novel Remote Reactive Sink Layer Technique for the Control of N and O Concentrations in Metal/High-k Gate Stacks2006
- 著者名/発表者名
  Y.Akasaka, K.Shiraishi, N.Umezawa, O.Ogawa, T.Kasuya, T.Chikyow, F.Ootsuka, Y.Nara, K.Nakamura
- 雑誌名
  
  Technical Digest of 2006 Symposium on VLSI Tech.(Honolulu, USA)
  
  ページ: 206-206
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Effect of N atom doping on dielectric constants of Hf-based gate oxides2006
- 著者名/発表者名
  H.Momida, T.Hamada, T.Yamamoto, T.Uda, N.Umezawa, T.Chikyow, K.Shiraishi, T.Ohno
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 88
  
  ページ: 112903-112903
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Unique behavior of F-centers in high-k Hf-based Oxide2006
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, M.Boero, H.Watanabe, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamabe, K.Yamada, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 392-394
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Oxygen-Vacancy-Induced Threshold Voltage Shifts in Hf-Related High-k Gate Stacks2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Yamada, K.Torii, Y.Akasaka, K.Nakajima, M.Konno, T.Chikyow, H.Kitajima, T.Arikado, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 305-305
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Modified Oxygen Vacancy Induced Fermi Level Pinning Model Extendable to P-Metal Pinning2006
- 著者名/発表者名
  Y.Akasaka, G.Nakamura, K.Shiraishi, N.Umezawa, K.Yamabe, O.Ogawa, M.Lee, T.Amiaka, T.Kasuya, H.Watanabe, T.Chikyow, F.Ootsuka, Y.Nara, K.Nakamura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 45
- NAID
  10018461127
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures - Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2 -2006
- 著者名/発表者名
  K.Ohmori, P.Ahmet, K.Shiraishi, K.Yamabe, H.Watanabe, Y.Akasaka, N.Umezawa, K.Nakajima, M.Yoshitake, T.Nakayama, K.-S.Chang, K.Kakushima, Y.Nara, M.L.Green, H.Iwai, K.Yamada, T.Chikyow
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 3(3)
  
  ページ: 351-351
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Enhances Si and B diffusion in Smiconductir-Grade SiO_2 and the Effect of Strain on Diffusion2006
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi, M, Otani, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 270-270
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Modified Oxygen Vacancy Induced Fermi Level Pinning Model Extendable to P-Metal Pinning2006
- 著者名/発表者名
  Y. Akasaka, G. Nakamura, K. Shiraishi, N. Umezawa, K. Yamabe, O. Ogawa, M. Lee, T. Amiaka, T. Kasuya, H. Watanabe, T. Chikyow, F. Ootsuka, Y. Nara, K. Nakamura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 45
- NAID
  10018461127
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Modified Oxygen Vacancy Induced Fermi Level Pinning Model Extendable to P-Metal Pinning2006
- 著者名/発表者名
  Y.Akasaka, G.Nakamura, K.Shiraishi, N.Umezawa, K.Yamabe et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Part 2 45
- NAID
  10018461127
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Physical Model of Electron and Hole Traps in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor (MONOS) for Embedded Flash Memories2006
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiraishi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices
  
  ページ: 135-136
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[雑誌論文] Enhanced Si and B diffusion in Semiconductor-Grade SiO_2 and the Effect of Strain on Diffusion2006
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi, M.Otani, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 270-270
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] New theory of effective work functions at metal/high-k dielectric interfaces : Application to metal/high-k HfO_2 and La_2O_3 dielectric interfaces2006
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, 他12名
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 2
  
  ページ: 25-25
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Characterization of HfSiON gate dielectrics using monoenergetic positoron beams2006
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, K.Ikeuchi, T.Otsuka, K.Shiraishi, K.Yamabe, S.Miyazaki, N.Umezawa, A.Hamid, T.Chikyow, T.Ohdaira, M.Muramatsu, R.Suzuki, S.Inumiya, S.Kamiyama, Y.Akasaka, Y.Nara, K.Yamada
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 99
  
  ページ: 54507-54507
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Enol-to-Keto tautomerism of peptide groups2006
- 著者名/発表者名
  K.Kamiya, M.Boero, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem. B 110
  
  ページ: 4443-4443
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18054004
[雑誌論文] Oxygen-vacancy-induced threshold voltage shifts in Hf-related high-k gate stacks"2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 305-310
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Oxygen-Vacancy-Induced Threshold Voltage Shifts in Hf-Related High-k Gate Stacks2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Yamada, K.Torii, Y.Akasaka, K.Nakajima, M.Konno, T.Chikyow, H.Kitajima, T.Arikado, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 305-305
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Unique Behavior of F-centers in High-k Hf-based Oxides2006
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, M.Boero, H.Watanabe, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamabe, K.Yamada, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 392-392
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Enol-to-Keto Tautomerism of Peptide Groups2006
- 著者名/発表者名
  K.Kamiya, M.Boero, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Journal of Physical Chemistry B 110
  
  ページ: 4433-4433
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] New Theory of Effective Work Functions at Metal/High-k Dielectric Interfaces - Application to Metal/High-k HfO_2 And La_2O_3 Dielectric Interfaces -2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, T.Nakayama, Y.Akasaka, S.Miyazaki, T.Nakaoka, K.Ohmori, P.Ahmet, K.Torii, H.Watanabe, T.Chikyow, Y.Nara, H.Iwai, K.Yamada
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 2(1)
  
  ページ: 25-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Extensive Studies for Effects of Nitrogen Incorporation into Hf-based High-k Gate Dielectricxs2006
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, H.Watanabe, K.Torii, Y.Akasaka, S.Inumiya, M.Boero, A.Uedono, S.Miyazaki, T.Ohno, T., Chikyow, K.Yamabe, Y.Nara, K.Yamada
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 2(1)
  
  ページ: 63-63
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Oxygen-Vacancy-Induced Threshold Voltage Shifts in Hf-Related High-k Gate Stacks2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Yamada, K.Torii, Y.Akasaka, K.Nakajima, M.Konno, T.Chikyow, H.Kitajima, T.Arikado, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 305-305
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Real-space Density-Functional Cal- culations for Si Divacancies with Large Size Supercell Models2006
- 著者名/発表者名
  J.-I.Iwata, A.Oshiyama, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 196-199
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Enhanced Si and B diffusion in Smiconductir-Grade SiO_2 and the Effect of Strain on Diffusion2006
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi, M.Otani, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 270-270
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Theoretcial studies on the physical properties of polu-Si and metal gate/HfO_2 related high-k dielectrics interfaces2006
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, 他8名
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1
  
  ページ: 479-479
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Physics of Metal/High-k Interfaces2006
- 著者名/発表者名
  T.Nakayama, K.Shiraishi, S.Miyazaki, Y.Akasaka, T.Nakaoka, K.Torii, A.Ohta, P.Ahmet, K.Ohmori, N.Umezawa, H.Watanabe, T.Chikyow, Y.Nara, H.Iwai, K.Yamada
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 3(3)
  
  ページ: 129-129
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] New Theory of Effective Work Functions at Metal/High-k Dielectric Interfaces-Application to Metal/High-k HfO_2 And La_2O_3 Dielectric Interfaces-2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, T.Nakayama, Y.Akasaka, S.Miyazaki, T.Nakaoka, K.Ohmori, P.Ahmet, K.Torii, H.Watanabe, T.Chikyow, Y.Nara, H.Iwai, K.Yamada
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 2(1)
  
  ページ: 25-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Oxygen-vacancy-induced threshold voltage shifts in Hf-related high-k gate stacks2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Yamada, K.Torii, Y.Akasaka, K.Nakajima, M.Konno, T.Chikyow, H.Kitajima, T.Arikado, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 305-310
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Introduction of defects into HfO_2 gate dielectrics by metal-gate deposition studied using x-ray photoelectron spectroscopy and positron annihilation2006
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, T.Naito, T.Otsuka, K.Shiraishi, K.Yamabe, S.Miyazaki, H.Watanabe, N.Umezawa, T.Chikyow, Y.Akasaka, S.Kamiyama, Y.Nara, Yamada
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 100
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Enol-to-keto Tautomerism of Peptide Groups2006
- 著者名/発表者名
  K.Kamiya, M.Boero, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Journal of Physical Chemistry B 110
  
  ページ: 4443-4443
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17053002
[雑誌論文] Introduction of defects into HfO_2 gate dielectrics by metal-gate deposition studied using x-ray photoelectron spectroscopy and positron annihilation2006
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, T.Naito, T.Otsuka, K.Shiraishi, K.Yamabe, S.Miyazaki, H.Watanabe, N.Umezawa, T.Chikyow, Y.Akasaka, S.Kamiyama, Y.Nara, Yamada
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 100
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Theoretical Studies on the Physical Properties of Poly-Si and Metla Gates/HfO_2 related High-K Dielectric Interfaces2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Torii, Y.Akasaka, T.Nakayama, T.Nakaoka, S.Miyazaki, T.Chikyow, K.Yamada, Y.Nara
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1
  
  ページ: 479-479
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Enhanced Si and B diffusion in Smiconductir-Grade SiO_2 and the Effect of Strain on Diffusion2006
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi, M.Otani, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 270-270
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Real-space Density-Functional Cal-culations for Si Divacancies with Large Size Super cell Models2006
- 著者名/発表者名
  J.I.Iwata, A.Oshiyama, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 196-196
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Theoretical Studies on the Physical Properties of Poly-Si and Metla Gates/HfO_2 related High-k Dielectric Interfaces2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Torii, Y.Akasaka, T.Nakayama, T.Nakaoka, S.Miyazaki, T.Chikyow, K.Yamada, Y.Nara
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1
  
  ページ: 479-479
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Modified Oxygen Vacancy Induced Fermi Level Pinning Model Extendable to P-Metal Pinning2006
- 著者名/発表者名
  Y.Akasaka, G.Nakamura, K.Shiraishi, N.Umezawa, et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Part 2, 45
- NAID
  10018461127
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Mechanism of oxide deformation during silicon thermal oxidation2006
- 著者名/発表者名
  H.Kageshima, M.Uematsu, K.Akagi, S.Tsuneyuki, T.Akiyama, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 407-410
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] THEORETICAL STUDIES ON THE PHYSICAL PROPERTIES OF POLY-SI AND METAL GATES/HfO_2 RELATED HIGH-K DIELECTRICS INTERFACES2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Torii, Y.Akasaka, T.Nakayama, T.Nakaoka, S.Miyazaki, T.Chikyow, K.Yamada, Yasuo Nara
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1(5)
  
  ページ: 479-479
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Transport mechanism of interfacial network forming atoms during silicon oxidation2006
- 著者名/発表者名
  H.Kageshima, M.Uematsu, K.Akagi, S.Tsuneyuki, T.Akiyama, K.Shiraishi.
- 雑誌名
  
  Jap.J.of Appl.Phys. 45
  
  ページ: 694-699
- NAID
  40007140212
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Enol-to-keto tautomerism of peptide groups2006
- 著者名/発表者名
  K. Kamiya, M. Boero, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem. B110
  
  ページ: 4443-4443
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Enol-to-Keto Tautomerism of Peptide Groups2006
- 著者名/発表者名
  K.Kamiya, M.Boero, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem. B 110
  
  ページ: 4443-4443
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Enol-to-Keto Tautomerism of Peptide Groups2006
- 著者名/発表者名
  K.Kamiya, M.Boero, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  J.Phys.Chem.B 110
  
  ページ: 4443-4443
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] A Novel Remote Reactive Sink Layer Technique for the Control of N and O Concentrations in Metal/High-k Gate Stacks2006
- 著者名/発表者名
  Y.Akasaka, K.Shiraishi, N.Umezawa, O.Ogawa, T.Kasuya, T.Chikyow, F.Ootsuka, Y.Nara, K.Nakamura
- 雑誌名
  
  Technical Digest of 2006 Symposium on VLS1 Tech., Honolulu, USA
  
  ページ: 206-206
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[雑誌論文] Enhanced Si and B diffusion in semiconductor-grade SiO2 and the effect of strain on diffusion2006
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi, M.Otani, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 270-275
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Unique Behavior of F-centers in High-k Hf-based Oxides2006
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, M.Boero, H.Watanabe, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamabe, K.Yamada, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Physica B
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Modified Oxygen Vacancy Induced Fermi Level Pinning Model Extendable to P-Metal Pinning2006
- 著者名/発表者名
  Y.Akasaka, G.Nakamura, K.Shiraishi, N.Umezawa, et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 45
- NAID
  10018461127
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Theoretical Studies on the Physical Properties of Poly-Si and Metla Gates/HfO_2 related High-k Dielectric Interfaces2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Torii, Y.Akasaka, T.Nakayama, T.Nakaoka, S.Miyazaki, T.Chikyow, K.Yamada, Y.Nara
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1
  
  ページ: 479-479
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Modified Oxygen Vacancy Induced Fermi Level Pinning Model Extendable to P-Metal Pinning2006
- 著者名/発表者名
  Y.Akasaka, G.Nakamura, K.Shiraishi, N.Umezawa, K.Yamabe, O.Ogawa, M.Lee, T.Amiaka, T.Kasuya, H.Watanabe, T.Chikyow, F.Ootsuka, Y.Nara, K.Nakamura
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Part 2 45
- NAID
  10018461127
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[雑誌論文] Real-space Density-Functional Calculations for Si Deviancies with Large Size Supercell Models2006
- 著者名/発表者名
  J.-I.Iwata, A.Oshiyama, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Physica B
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] A practical treatment for the three-body interactions in the transcorrelated variational Monte Carlo method : Application to atoms from lithium to neon2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, S.Tsuneyuki, T.Ohno, K.Shiraishi, T.Chikyow
- 雑誌名
  
  J. Chem. Phys 122
  
  ページ: 224101-224101
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Effect of nitrogen on diffusion in silicon oxynitride2005
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Japanease Journal of Applied Physics PART 1 44
  
  ページ: 7756-7756
- NAID
  10016870318
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, H.Watanabe, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamabe, K.Yamada, H.Kitajima, T.Arikado
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 86
  
  ページ: 143507-143507
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17053002
[雑誌論文] Effect of nitrogen on diffusion in silicon oxynitride2005
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Jap.J.Appl.Phys.PART 1 44
  
  ページ: 7756-7756
- NAID
  10016870318
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Role of nitrogen incorporation into Hf-based high-k gate dielectrics for termination of local current leakage paths2005
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, S.Kamiyama, N.Umezawa, K.Shiraishi, S.Yoshida, Y.Watanabe, T.Arikado, T.Chikyow, K.Yamada, K.Yasutake
- 雑誌名
  
  Jap.J.Appl.Phys.PART 2 44
- NAID
  10016856711
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Effect of nitrogen on diffusion in silicon oxynitride2005
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Jap.J.Appl.Phys.PART 1 44
  
  ページ: 7756-7759
- NAID
  10016870318
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] First-principles studies on metal induced gap states(MIGS) at metal/high-k HfO_2 interfaces2005
- 著者名/発表者名
  T.Nakaoka, K.Shiraishi, Y.Akasaka, T.Chikyow, K.Yamada, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2004 Conference on Solid State Device and Materials, Kobe, Japan
  
  ページ: 860-861
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] New Electron States that Float on semiconductor and Metal Surface2005
- 著者名/発表者名
  S.Okada, Y.Enomoto, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Surface Science 585
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] An ab initio-based approach to Ga adatom migration on GaAs (n 11) A-(001) non-planar surfaces2005
- 著者名/発表者名
  T.Ito, K.Asano, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Shiraishi, A.Taguchi
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. 244
  
  ページ: 178-178
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 86
  
  ページ: 143507-143507
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] First-principles study of excess Si-atom stability around Si oxide/Si interfaces2005
- 著者名/発表者名
  H.Kageshima, M.Uematsu, K.Akagi, S.Tsuneyuki, T.Akiyama, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 27th International Conference on the Physics of Semiconductors
  
  ページ: 389-390
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] A practical treatment for the three-body interactions in the transcorrelated variational Monte Carlo method : Application to atoms from lithium to neon2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, S.Tsuneyuki, T.Ohno, K.Shiraishi, T.Chikyow
- 雑誌名
  
  Journal of Chemical Physics 122
  
  ページ: 224101-224101
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Universal theory of workfunctions at metal/Hf-based high-k dielectrics interfaces -Guiding principles for gate metal selection-2005
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Technical Digest of IEEE International Electron Devices Meeting, Washington D.C.
  
  ページ: 43-46
- NAID
  110004382125
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] A practical treatment for the three-body interactions in the transcorrelated variational Monte Carlo method : Application to atoms from lithium to neon2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, S.Tsuneyuki, T.Ohno, K.Shiraishi, T.Chikyow
- 雑誌名
  
  Journal of Chemical Physics 122
  
  ページ: 224101-224101
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17053002
[雑誌論文] Effect of nitrogen on diffusion in silicon oxynitride2005
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.PART 1 44
  
  ページ: 7756-7756
- NAID
  10016870318
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Microscopic Effect of Nitrogen Doping on Dielectric Constant of Hf-silicate2005
- 著者名/発表者名
  H.Momida, T.Hamada, T.Yamamoto, T.Uda, N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Chikyow, T.Ohno
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2004 Conference on Solid State Device and Materials, Kobe, Japan
  
  ページ: 488-489
- NAID
  10022542324
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] New Electron States that Float on semiconductor and Metal Surface2005
- 著者名/発表者名
  S.Okada, Y.Enomoto, K Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Surface Science 585
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Reliability degradation model of HfO_2 related high-k gate dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  K.Torii, K.Shiraishi, S.Miyazaki, K.Yamada
- 雑誌名
  
  Ouyobutsuri 74
  
  ページ: 1211-1216
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] New Electron States that Float on semiconductor and Metal Surface2005
- 著者名/発表者名
  S.Okada, Y.Enomoto, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Surface Science 585
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17053002
[雑誌論文] Improvement of interfacial layer reliability by incorporation of deuterium into HfAlOx formed by D_2O-ALD2005
- 著者名/発表者名
  K.Torii, T.Kawahara, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters 26
  
  ページ: 722-722
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Effect of nitrogen on diffusion in silicon oxynitride2005
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics, PART 1 44
  
  ページ: 7756-7756
- NAID
  10016870318
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] A practical treatment for the three-body interactions in the transcorrelated variational Monte Carlo method : application to atoms from lithium to neon2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, S.Tsuneyuki, T.Ohno, K.shiraishi, T.Chikyow
- 雑誌名
  
  J.Chem.Phys. 122
  
  ページ: 224101-224101
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-kdielectrics2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.shiraishi et al.
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 86
  
  ページ: 143507-143507
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Impact of Electrode-side Chemical Structures on Electron Mobility in Metal/HfO2 MISFETs with sub-1nm EOT2005
- 著者名/発表者名
  Y.Akasaka, K.Miyagawa, T.Sasaki, K.Shiraishi, S.Kamiyama, O.Ogawa, F.Ootsuka, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Technical Digest of 2005 Symposium on VLSI Technology, Kyoto, Japan
  
  ページ: 228-229
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] An ab initio-based approach to phase diagram calculations for GaAs(001) surfaces2005
- 著者名/発表者名
  T.Ito, H.Ishizaki, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Shiraishi, A.Taguchi
- 雑誌名
  
  e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3
  
  ページ: 488-488
- NAID
  130004438978
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Universal theory of workfunctions at metal/Hf-based high-kdieletrics interfaces - Guiding principles for gate metal selection.2005
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi et al.
- 雑誌名
  
  Technical Digest of IEEE International Electron Devices Meeting
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Role of nitrogen incorporation into Hf-based high-k gate dielectrics for termination of local current leakage paths2005
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, S.Kamiyama, N.Umezawa, K.Shiraishi et al.
- 雑誌名
  
  Jap. J. Appl. Phys. PART 2 44
- NAID
  10016856711
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Atomic Processes at and near Silicon/Silicon Dioxide interfaces2005
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 27th International Conference on the Physics of Semiconductors
  
  ページ: 427-430
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Impact of Electrode-side Chemical Structures on Electron Mobility in Metal/HfO_2 MISFETs with sub-1nm EOT2005
- 著者名/発表者名
  Y.Akasaka, K.Miyagawa, T.Sasaki, K.Shiraishi, S.Kamiyama, O.Ogawa, F.Ootsuka, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Technical Digest of 2005 Symposium on VLSI Technology, Kyoto, Japan
  
  ページ: 228-228
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, H.Watanabe, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamabe, K.Yamada, H.Kitajima, T.Arikado
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 86
  
  ページ: 143507-143507
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Role of nitrogen incorporation into Hf-based high-k gate dielectrics for termination of local current leakage paths2005
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, S.Kamiyama, N.Umezawa, K.Shiraishi et al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics, PART 2 44
- NAID
  10016856711
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Universal theory of workfunctions at metal/Hf-based high-k dielectrics interfaces -Guiding principles for gate metal selection2005
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, Y.Akasaka, S.Miyazaki, T.Nakayama, T.Nakaoka, G.Nakamura, K.Torii, H.Furutou, A.Ohta, P.Ahmet, K.Ohmori, H.Watanabe, T.Chikyow, M.L.Green, Y.Nara, K.Yamada
- 雑誌名
  
  Technical Digest of IEEE International Electron Devices Meeting, Washington D.C., USA
  
  ページ: 43-43
- NAID
  110004382125
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Universal theory of workfunctions at metal/Hf-based high-k dielectrics interfaces - Guiding principles for gate metal selection,2005
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi et al.
- 雑誌名
  
  Technical Digest of IEEE International Electron Devices Meeting
- NAID
  110004382125
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] New Electron States that Float on semiconductor and Metal Surface2005
- 著者名/発表者名
  S.Okada, Y.Enomoto, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Surface Science 585
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] First Principles Studies on the Novel Intrinsic Effect of Nitrogen Atoms for Reduction in Gate Leakage Current through Hf-based High-k Dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] New electron states that float on semiconductor and metal surface2005
- 著者名/発表者名
  S. Okada, Y. Enomoto, K. Shiraishi and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  Surf. Sci. 585
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] An ab initio-based approach to Ga adatom migration on GaAs(n 1 1)A-(001) non-planar surfaces2005
- 著者名/発表者名
  T.Ito, K.Asano, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Shiraishi, A.Taguchi
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. 244
  
  ページ: 178-178
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Improvement of interfacial layer reliability by incorporation of deuterium into HfAlOx formed by D_2O-ALD2005
- 著者名/発表者名
  K.Torii, T.Kawahara, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters 26
  
  ページ: 722-722
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17053002
[雑誌論文] An ab initio-based approach to Ga adatom migration on GaAs(n11)A-(001) non-planar surfaces2005
- 著者名/発表者名
  T.Ito, K.Asano, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Shiraishi, A.Taguchi
- 雑誌名
  
  Applied.Surface.Science 244
  
  ページ: 178-178
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17053002
[雑誌論文] First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 86
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] A practical treatment for the three-body interactions in the transcorrelated variational Monte Carlo method : Application to atoms from lithium to neon2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, S.Tsuneyuki, T.Ohno, K.Shiraishi, T.Chikyow
- 雑誌名
  
  Journal of Chemical Physics 122
  
  ページ: 224101-224101
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Effect of nitrogen on diffusion in silicon oxynitride2005
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. PART 1 44
  
  ページ: 7756-7756
- NAID
  10016870318
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] An ab initio-based approach to Ga adatom migration on GaAs(n11)A-(001) non-planar surfaces2005
- 著者名/発表者名
  T.Ito, K.Asano, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Shiraishi, A.Taguchi
- 雑誌名
  
  Applied.Surface.Science 244
  
  ページ: 178-178
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Role of nitrogen incorporation into Hf-based high-k gate dielectrics for termination of local current leakage paths2005
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, S.Kamiyama, N.Umezawa, K.Shiraishi et al.
- 雑誌名
  
  Jap.J.Appl.Phys.PART 2 44
- NAID
  10016856711
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Theoretical investigation of phase transition on GaAs(001)-c(4x4) surface2005
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Shiraishi, A.Taguchi, T.Ito
- 雑誌名
  
  Applied.Surface.Science 244
  
  ページ: 186-186
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Effect of nitrogen on diffusion in silicon oxynitride2005
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Japanease Journal of Applied Physics PART 1 44
  
  ページ: 7756-7756
- NAID
  10016870318
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17053002
[雑誌論文] Theoretical investigation of phase transition on GaAs(001)-c(4x4) surface2005
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Shiraishi, A.Taguchi, T.Ito
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 244
  
  ページ: 186-186
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, H.Watanabe, T.Chikow, K.Torii, K.Yamabe, H.Kitajima, T.Arikado
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 86
  
  ページ: 143507-143507
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Universal theory of workfunctions at metal/Hf-based high-k dielectrics interfaces -Guiding principles for gate metal selection-2005
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, Y.Akasaka, S.Miyazaki, T.Nakayama, T.Nakaoka, G.Nakamura, K.Torii, H.Furutou, A.Ohta, P.Ahmet, K.Ohmori, H.Watanabe, T.Chikyow, M.L.Green, Y.Nara, K.Yamada
- 雑誌名
  
  Technical Digest of IEEE International Electron Devices Meeting, Washington D.C., USA
  
  ページ: 43-46
- NAID
  110004382125
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] An ab initio-based approach to Ga adatom migration on GaAs(n 11)A-(001) non-planar surfaces2005
- 著者名/発表者名
  T.Ito, K.Asano, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Shiraishi, A.Taguchi
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 244
  
  ページ: 178-178
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] A practical treatment for the three-body interactions in the transcorrelated variational Monte Carlo method : Application to atoms from lithium to neon2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, S.Tsuneyuki, T.Ohno, K.Shiraishi, T.Chikyow
- 雑誌名
  
  J.Chem.Phys 122
  
  ページ: 224101-224101
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] An ab initio-based approach to Ga adatom migration on GaAs(n 1 1)A-(001) non-planar surfaces2005
- 著者名/発表者名
  T.Ito, K.Asano, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Shiraishi, A.Taguchi
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci 244
  
  ページ: 178-178
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] New Electron States that Float on semiconductor and Metal Surface2005
- 著者名/発表者名
  S.Okada, Y.Enomoto, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Surface Science 585
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] Theoretical investigation of phase transition on GaAs(001)-c(4x4) surface2005
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Shiraishi, A.Taguchi, T.Ito
- 雑誌名
  
  Applied.Surface.Science 244
  
  ページ: 186-186
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17053002
[雑誌論文] New Electron States that Float on semiconductor and Metal Surface2005
- 著者名/発表者名
  S.Okada, Y.Enomoto, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Surf.Sci. 585
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Role of nitrogen incorporation into Hf-based high-k gate dielectrics for termination of local current leakage paths2005
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, S.Kamiyama, N.Umezawa, K.Shiraishi, S.Yoshida, Y.Watanabe, T.Arikado, T.Chikyow, K.Yamada, K.Yasutake
- 雑誌名
  
  Japanease Journal of Applied Physics PART 2 44
- NAID
  10016856711
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Role of nitrogen incorporation into Hf-based high-k gate dielectrics for termination of local current leakage paths2005
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, S.Kamiyama, N.Umezawa, K.Shiraishi, S.Yoshida, Y.Watanabe, T.Arikado, T.Chikyow, K.Yamada, K.Yasutake
- 雑誌名
  
  Japanease Journal of Applied Physics PART 2 44
- NAID
  10016856711
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17053002
[雑誌論文] Improvement of interfacial layer reliability by incorporation of deuterium into HfAlOx formed by D_2O-ALD2005
- 著者名/発表者名
  K.Torii, T.Kawahara, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters 26
  
  ページ: 722-722
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[雑誌論文] First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics2005
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi et al.
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 86
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Improvement of interfacial layer reliability by incorporation of deuterium into HfAlOx formed by D_2O-ALD2005
- 著者名/発表者名
  K.Torii, T.Kawahara, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett. 26
  
  ページ: 722-724
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Physics in Fermi Level Pinning at the PolySi/Hf-based High-k Oxide Interface2004
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Yamada, K.Torii, Y.Akasaka, K.Nakajima, M.Konno, T.Chikyow, H.Kitajima, T.Arikado
- 雑誌名
  
  Tech.Digest of 2004 Symposium on VLSI Technology, (Honolulu, USA, June 15-17, 2004)
  
  ページ: 108-109
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] 多くの現象を説明できる新モデル「酸素空孔説」を提案2004
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 雑誌名
  
  日経マイクロデバイス 10月号
  
  ページ: 55-58
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Oxygen Vacancy Induced Substantial Threshold Voltage Shifts in the Hf-based High-k MISFET with p^+poly-Si Gates -A Theoretical Approach2004
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Part 2, Express Letter 43
- NAID
  10013787295
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Density Functional Calculations and Eigenchannel Analyses for Electron Transport in Al and Si Atomic Wires2004
- 著者名/発表者名
  S.Okano, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Phys.Rev. B, 69
  
  ページ: 45401-45401
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Band Structures of Wurtzite InN and Ga{1-x}InxN by All-Electron GW Calculation2004
- 著者名/発表者名
  M.Usuda, N.Hamada, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
- NAID
  210000057192
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Proposal of a new O-vacancy model that can explain many phenomena2004
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Yamada, T.Chikyow
- 雑誌名
  
  Nikkei Micro Device Vol.10
  
  ページ: 55-58
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Electronic Structure of Polyglycine and Active sites of Cytochrome c Oxidase2004
- 著者名/発表者名
  K.Kamiya, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  J.Phys.Soc.Jpn 73
  
  ページ: 3198-3208
- NAID
  110001979277
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Theoretical Study of Excess Si Emitted from Si-Oxide/Si Interfaces2004
- 著者名/発表者名
  H.Kageshima, M.Uematsu, K.Akagi, S.Tsuneyuki, T.Akiyama, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Jap.J.Appl.Phys.Part 1 43
  
  ページ: 8223-8226
- NAID
  10014216586
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Oxygen Vacancy Induced Substantial Threshold Voltage Shifts in the Hf-based High-k MISFET with p+poly-Si Gates -A Theoretical Approach2004
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi, K.Yamada, K.Torii, Y.Akasaka, K.Nakajima, M.Konno, T.Chikyow, H.Kitajima, T.Arikado
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Part 2, Express Letter 43
- NAID
  10013787295
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Physical Model of BTI, TDDB, and SILC in HfO_2 based high-k gate dielectrics2004
- 著者名/発表者名
  K.Torii, K.Shiraishi, et al.
- 雑誌名
  
  Technical Digest of 2004 IEEE International Electron Device Meeting, San Francisco, USA
  
  ページ: 129-132
- NAID
  110003311212
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Band Structures of Wurtzite InN and Ga{1-x}InxN by All-Ele ctron GW Calculation2004
- 著者名/発表者名
  M.Usuda, N.Hamada, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Effect of Si/SiO_2 Interface on Silicon and Boron Diffusion in Thermally Grown SiO_22004
- 著者名/発表者名
  S.Fukatsu, K.M.Itoh, M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Jap.J.Appl.Phys. 43
  
  ページ: 7837-7842
- NAID
  10014215041
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Electronic Structure of Polyglycine and Active sites of Cytochrome c Oxidase2004
- 著者名/発表者名
  K.Kamiya, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  J. Phys. Soc. Jpn 73
  
  ページ: 3198-3208
- NAID
  110001979277
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Physics in Fermi Level Pinning at the PolySi/Hf-based High-k Oxide Interface2004
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Tech. Digest of 2004 Symposium on VLSI Technology, (Honolulu, USA, June 15-17, 2004)
  
  ページ: 108-109
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Density Functional Calculations and Eigenchannel Analyses for Electron Transport in Al and Si Atomic Wires2004
- 著者名/発表者名
  S.Okano, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 69
  
  ページ: 45401-45401
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] Simulation of correlated diffusion of Si and B in thermally grown Si O_22004
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 96
  
  ページ: 5513-5519
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Physical model of BTI, TDDB, and SILC in HfO_2-based high-k dielectrics2004
- 著者名/発表者名
  K.Torii, K.Shiraishi, S.Miyazaki, K.Yamabe, M.Boero, T.Chikyow, K.Yamada, H.Kitajima, T.Arikado
- 雑誌名
  
  Tech.Digest of 2004 IEEE International Electron Device Meeting (San Francisco, USA, December 13-15, 2004)
  
  ページ: 129-132
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Oxygen Vacancy Induced Substantial Threshold Voltage Shifts in the Hf-based High-K MISFET with p+poly-Si Gates -A Theoretical Approach2004
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi et al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43
- NAID
  10013787295
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Physics in Fermi Level Pinning at the PolySi/Hf-based High-k Oxide Interface2004
- 著者名/発表者名
  K.Shiraishi et al.
- 雑誌名
  
  Technical Digest of 2004 Symposium on VLST Technology, Honolulu, USA
  
  ページ: 108-109
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Correlated diffusion of silicon and boron in thermally grown SiO_22004
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 85
  
  ページ: 221-223
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Characterization of Hf_<0.3>Al_<0.7>O_x Fabricated by Atomic-Layer-Deposition Technique Using Monoenergetic Positron Beams2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Goto, K.Higuchi, K.Shiraishi, K.Yamabe, H.Kitajima, R.Mitsuhashi, A.Horiuchi, K.Torii, T.Arikado, R.Suzuki, T.Ohdaira, K.Yamada
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Part 1 43
  
  ページ: 7847-7852
- NAID
  10014215085
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Density Functional Calculations and Eigenchannel Analyses for Electron Transport in Al and Si Atomic Wires2004
- 著者名/発表者名
  S.Okano, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 69
  
  ページ: 45401-45401
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[雑誌論文] An Unfavorable Effect of Nitrogen Incorporation on Reduction in the Oxygen Vacancy Formation Energy in Hf-based High-k Gate Oxides
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, Y.Akasaka, S.Inumiya, A.Uedono, S.Miyazaki, T.Chikyow, T.Ohno, Y.Nara, K.Yamada
- 雑誌名
  
  Trans.Material Res.Soc.Jpn. 31
  
  ページ: 129-132
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] The Role of Nitrogen Incorporation in Hf-based High-k Dielectrics : Reduction in Electron Charge Traps
- 著者名/発表者名
  N.Umezawa, K.Shiraishi, K.Torii, M.Boero, T.Chikyow, H.Watanabe, K.Yamabe, T.Ohno, K.Yamada, Y.Nara
- 雑誌名
  
  Proceedings of 35^<th> European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2005)(12-16 September 2005, Grenoble, France.)
  
  ページ: 201-204
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560020
[雑誌論文] Band Structures of Wurtzite InN and Ga{1-x}InxN by All-Electron GW Calculation
- 著者名/発表者名
  M.Usuda, N.Hamada, K.Shiraishi, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
- NAID
  210000057192
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16310083
[学会発表] ゲルマネンの水素吸脱着に関する第一原理計算2018
- 著者名/発表者名
  洗平昌晃、黒澤昌志、大田晃生、白石賢二
- 学会等名
  日本物理学会第73回年次大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] 水素終端シリセン・ゲルマネンスタネンナノリボンのエッジ状態2017
- 著者名/発表者名
  服部綾実，棚谷翔，矢田圭司，洗平昌晃，佐藤昌利，初貝安弘，白石賢二，田仲由喜夫
- 学会等名
  第3回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会
- 発表場所
  名古屋
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] ELECTRONIC STRUCTURES OF GROUP IV TWO DIMENSIONAL MATERIALS2017
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi、A. Hattori、S. Tanaya、K. Yada、M. Araidai、Y. Hatsugai、M. Sato、Y. Tanaka
- 学会等名
  13th International Conference on Diffusion in Solids and Liquids (DSL 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] Electronic States of Silicene and Germanene on Amorphous Alumina2017
- 著者名/発表者名
  M. Araidai、M. Kurosawa、A. Ohta、K. Shiraishi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Device and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] Theoretical Studies on Group IV Two Dimensional Material2017
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  Japan-India Seminar
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] IV族系二次元物質の理論的研究2017
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  日本物理学会第72回年次大会
- 発表場所
  吹田市
- 年月日
  2017-03-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] First-principles study on adsorption structures and electronic states of stanene and germanene on alumina2017
- 著者名/発表者名
  洗平昌晃、黒澤昌志、大田晃生、白石賢二
- 学会等名
  Special Meeting in JSPS Brain Circulation Program
- 発表場所
  名古屋
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] Edge states of silicene, germanene and stanene nanoribbons with edge hydrogen terminations2016
- 著者名/発表者名
  服部綾美、洗平昌晃、初貝安弘、矢田圭司、白石賢二、佐藤昌利、田仲由喜夫
- 学会等名
  Physics of bulk-edge correspondence & its universality From solid state physics to cold atoms International workshop 2016
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2016-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] 絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析2016
- 著者名/発表者名
  洗平昌晃，黒澤昌志，大田晃生，白石賢二
- 学会等名
  日本物理学会第71回年次大会
- 発表場所
  東北学院大学泉キャンパス
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] Edge states of silicene, germanene and stanene nanoribbons with edge hydrogen terminations2016
- 著者名/発表者名
  服部綾美、洗平昌晃、初貝安弘、矢田圭司、白石賢二、佐藤昌利、田仲由喜夫
- 学会等名
  Quantum Materials Program Meeting
- 発表場所
  トロント
- 年月日
  2016-04-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] 水素終端シリセン，ゲルマネン，スタネンリボンにおけるエッジ状態2016
- 著者名/発表者名
  服部綾実，洗平昌晃，初貝安弘，矢田圭司，白石賢二，佐藤昌利，田仲由喜夫
- 学会等名
  日本物理学会第71回年次大会
- 発表場所
  東北学院大学泉キャンパス
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] Electronic States of two-dimensional crystals of group IV element on α-Al2O3(0001) surfaces2016
- 著者名/発表者名
  洗平昌晃、黒澤昌志、大田晃生、白石賢二
- 学会等名
  13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures,
- 発表場所
  ローマ
- 年月日
  2016-10-09
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] Theoretical Investigation of Group IV Two Dimensional Materials2016
- 著者名/発表者名
  白石賢二、服部綾美、棚谷翔、矢田圭司、洗平昌晃、初貝安弘、佐藤昌利、田仲由喜夫
- 学会等名
  JSPS-EPSRC Tohoku-Cambridge-CNRS Core to Core program Symposium
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2016-11-16
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] First-Principles Study on Germanene and Stanene on α-Alumina2016
- 著者名/発表者名
  洗平昌晃、黒澤昌志、大田晃生、白石賢二
- 学会等名
  24th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy
- 発表場所
  ホノルル
- 年月日
  2016-12-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] Edge states of silicene, germanene and stanene nanoribbons with edge hydrogen terminations2016
- 著者名/発表者名
  服部綾美、洗平昌晃、初貝安弘、矢田圭司、白石賢二、佐藤昌利、田仲由喜夫
- 学会等名
  Frontiers in Quantum Materials and Devices Workshop
- 発表場所
  和光市
- 年月日
  2016-06-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] First Principles Theoretical Investigation of Future Nano-Materials2016
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  8th International Syposium on Advanced Plasma Science and Its Application for Nitrides and Nanomaterials
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2016-03-06
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] Theoretical Studies on Electronic Structures of Silicene Ribbon and Silicene on Insulator2016
- 著者名/発表者名
  白石賢二、服部綾美、棚谷翔、洗平昌晃、大田晃生、黒澤昌志、初貝安弘、佐藤正敏、田仲由喜夫
- 学会等名
  International Symposium on 2D Layered Materials and Art: Two Worlds Meet
- 発表場所
  マルセイユ、フランス
- 年月日
  2016-03-23
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] 絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算2015
- 著者名/発表者名
  洗平昌晃，黒澤昌志，大田晃生，白石賢二
- 学会等名
  日本表面科学会第35回表面科学学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2015-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film2015
- 著者名/発表者名
  洗平昌晃、大田晃生、黒澤昌志、白石賢二
- 学会等名
  23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy
- 発表場所
  ニセコ
- 年月日
  2015-12-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] First Principles Study of Silicene2015
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2015
- 発表場所
  釜山、韓国
- 年月日
  2015-06-15
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03564
[学会発表] Guiding Principles toward Future Gate Stacks Given by the Construction of New Physical Concepts2009
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  2009 Symposium on VLSI Technologies
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Physics of Nano-contact between Si Quantum Dots and Inversion Layer2009
- 著者名/発表者名
  S. Nomura, Y. Sakurai, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
- 学会等名
  216th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Vienna, Austria
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Physics of Nano-Interfaces and Nano-Structures for Future Si Nano-Devices2009
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  10^<th>I10th International Conference on Atomically Cotrolled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  Granada, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Atomistic Studies for MONOS-Type Charge Trap Memories -A Theoretical Guiding Principles for High Program/Erase Endurance-2009
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  The 15^<th> International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
- 発表場所
  New Delhi, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Theoretical models for work function control2009
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  16^<th> biannual conference of Insulating Films on Semiconductors
- 発表場所
  Cambridge, UK
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Universal Guiding Principles for Charge-Trap Memories with High Program/Erase Cycle Endurance2009
- 著者名/発表者名
  K. Yamaguchi, A. Otake, K. Kobayashi, K. Shiraishi
- 学会等名
  2009 IEEE Electron Devices Meeting
- 発表場所
  Baltimore, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Atomistic Studies for MONOS-Type Charge Trap Memories -A Theoretical Guiding Principles for High Program/Erase Endurance-2009
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, K. Yamaguchi, A. Otake, K. Kobayashi
- 学会等名
  The 15th International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
- 発表場所
  New Delhi, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] First principles studies on the proton transfer mechanism in cytochrome c oxidase2009
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  第47回日本生物物理学会年会シンポジウム"Structural chemical studies on physiological functions of proteins"
- 発表場所
  徳島市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] 蛋白質の立体構造・電子状態・生物機能の間の相関関係の研究2009
- 著者名/発表者名
  神谷克政、重田育照、マウロボエロ、白石賢二、押山淳
- 学会等名
  第64回日本物理学会年次大会
- 発表場所
  立教大学
- 年月日
  2009-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[学会発表] Physics of Nano-Interfaces and Nano-Structures for Future Si Nano-Devices2009
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  216th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Vienna, Austria
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Guiding Principles toward Future Gate Stacks Given by the Construction of New Physical Concepts2009
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  2009 Symposium on VLSI Technologies
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Physics for Si nanowire FET and its fabrication2009
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists
- 発表場所
  Tokyo, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Theoretical models for work function control2009
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  16th biannual conference of Insulating Films on Semiconductors
- 発表場所
  Cambridge, UK
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Physics for Si nanowire FET and its fabrication2009
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030 : Prospects by World's Leading Scientists
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] イオン性と共有結合性が織りなす新しい材料科学の世界-High-kゲートスタックを振り返って2009
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会シンポジウム、「High-kゲートスタック研究を振り返り、次のステップヘ」
- 発表場所
  富山市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Physics of Nano-Interfaces and Nano-Structures for Future Si Nano-Devices2009
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  10th I10th International Conference on Atomically Cotrolled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  Granada, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Physics of Nano-Interfaces and Nano-Structures for Future Si Nano-Devices2009
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  216^<th> Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Vienna, Austria
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Characteristic Nature of High-K Dielectric Interfaces2008
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  IEEE EDS WIMNACT 2008 on NANOELECRONICS
- 発表場所
  Sikkim, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Characteristic Nature of High-k Dielectric Interfaces2008
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  IEEE EDS WIMNACT 2008 on NANOELECRONICS
- 発表場所
  Sikkim, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[学会発表] Theoretical investigations on metal/high-k interfaces2008
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  2008 Intemational Conferonce on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
- 発表場所
  北京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[学会発表] タンパク質内環境下における新しいpKaの第一原理計算による提案2008
- 著者名/発表者名
  田中朝紀、神谷克政、重田育照、白石賢二
- 学会等名
  第46回日本生物物理学会
- 発表場所
  福岡
- 年月日
  2008-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[学会発表] MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究2008
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会. 表面・界面・シリコン材料研究委員会
- 発表場所
  東京大学
- 年月日
  2008-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[学会発表] 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算2008
- 著者名/発表者名
  岩田潤一、白石賢二、押山淳
- 学会等名
  日本物理学会
- 発表場所
  岩手大学
- 年月日
  2008-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[学会発表] MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究2008
- 著者名/発表者名
  白石賢二
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
- 発表場所
  東京大学
- 年月日
  2008-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[学会発表] Characteristic Nature of High-k Dielectric Interfaces2008
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  IEEE EDS WIMNACT 2008 on NANOELECRONICS
- 発表場所
  Sikkim, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Physics of Schottky barrier at Metal/high-k Interfaces2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, R. Ayuda, H. Nii, K. Shiraishi
- 学会等名
  2008 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA(invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Physics of Schottky barrier at Metal/high-k Interface2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, R. Ayuda, H. Nii, K. Shiraishi
- 学会等名
  2008 MRS Spring Meeting, H5.5
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[学会発表] Theoretical Investigation of Metal/Dielectric Interfaces -Breakdown of Schottky Barrier Limits-2008
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, T. Nakayama, T. Nakaoka, A. Ohta, S. Miyazaki
- 学会等名
  214th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Pheonix, AZ., USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Theoretical investigations on metal/high-k interfaces2008
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi. T. Nakayama, S. Miyazaki, A. Ohta, Y. Akasaka, H. Watanabe, Y. Nara, K. Yamada
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Recent Progress in Understanding the Mechanism of Shottoky Barrier Height Formation at Various Interfaces2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, T. Nakayama, S. Okada, S. Miyazaki, H. Watanabe, Y. Akasaka, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamada
- 学会等名
  International Symposium on Theories of Organic-Metal Interfaces 2007
- 発表場所
  Suita, Osaka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] How can first principles calculations give large contributions to industries?2007
- 著者名/発表者名
  K., Shiraishi
- 学会等名
  ISSP International Workshiop/Symposium on Foundation and Application of Density Functional Theory
- 発表場所
  Kashiwa, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] シトクロ-ム酸化酸素の発現機構の理論的解析2007
- 著者名/発表者名
  舘野賢・神谷克也・白石賢二・押山淳・ボエロマウロ
- 学会等名
  科学研究費補助金特定領域研究「生体超分子構造」公開シンポジウム
- 発表場所
  千里ライフサイエンスセンタ,大阪
- 年月日
  2007-12-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18054004
[学会発表] Theoretical Studies on Fermi Level Pining of Hf-Based High-K Gate Stacks Based on Thermodynamics2007
- 著者名/発表者名
  K., Shiraishi・Y., Akasaka・G., Nakamura・T., Nakayama・S., Miyazaki・H., Watanabe・A., Ohta・K., Ohmori・T., Chikyow・Y., Nara・K., Yamada
- 学会等名
  212th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Washington D. C., USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Theoretical Studies on Metal/.High-k Gate Stacks2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S.Miyazaki, H.Watanabe, A.Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K.Yamabe, and K. Yamada
- 学会等名
  211th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Chicago, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Theoretical Studies on Metal/. High-k Gate Stacks2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S.Miyazaki, H.Watanabe, A.Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K.Yamabe, and K. Yamada(Invited)
- 学会等名
  211th Meeting of Electrochemical Society, Chicago
- 発表場所
  USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[学会発表] Theoretical Studies on Fermi Level Pining of Hf-Based High-k Gate Stacks Based on Thermodynamics2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, M. Kadoshima, H. Watanabe, K. Ohmori, T. Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara, Y. Ohji, K. Yamada
- 学会等名
  212th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Washington D.C., USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Theoretical Studies on Fermi Level Pining of Hf-Based High-k Gate Stacks Based on Thermodynamics2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, M. Kadoshima, H. Watanabe, K. Ohmori, T. Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara, Y. Ohji and K. Yamada
- 学会等名
  212th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Washington D. C., USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[学会発表] 超分子における機能制御機構の量子構造生物学2007
- 著者名/発表者名
  舘野賢・神谷克也・白石賢二・押山淳・ボエロマウロ
- 学会等名
  科学研究費補助金特定領域研究「生体超分子構造」第三回ワ-クショップ
- 発表場所
  ホテルニュ-アカオ,熱海
- 年月日
  2007-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18054004
[学会発表] Theoretical Studies on Metal/. High-k Gate Stacks2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, A. Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamabe, K. Yamada
- 学会等名
  211th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Chicago, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] How can first principles calculations give large contributions to industries?2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  ISSP International Workshop/Symposium on Foundation and Application of Density Functional Theory
- 発表場所
  Kashiwa, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[学会発表] Interface Properties of Hf-Based High-k Gate Dielectrics-O Vacancies and Interface Reaction2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  14th International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
- 発表場所
  Mumbai, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[学会発表] How can first principles calculations give large contributions to industries?2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  ISSP Int. Sympo. on Foundation and Application of density functional theory
- 発表場所
  Kashiwa, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[学会発表] Theoretical Studies on Metal/.High-k Gate Stacks2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, A. Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamabe, and K. Yamada
- 学会等名
  211th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Chicago, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360017
[学会発表] Interface Properties of Hf-Based High-k Gate Dielectrics -O Vacancies and Interface Reaction-2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  14th International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
- 発表場所
  Mumbai, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] How can first principles calculations give large contributions to industries?2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  ISSP International Workshop/ Symposium on Foundation and Application of Density Functional Theory
- 発表場所
  Kashiwa, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Interface Properties of Hf-Based High-K Gate Dielectrics -O Vacancies and Interface Reaction2007
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  14th International Workshop on the Physics of Semicon ductor Devices
- 発表場所
  Mumbai, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] What Happen at High-k Dielectric Interfaces?2006
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, T. Nakayama, Y. Akasaka, H. Takeuchi, S. Miyazaki, N. Umezawa, G. Nakamura, A. Ohta, T. Nakaoka, H. Watanabe, K. Yamabe, K. Ohmori, P. Ahmet, T. Chikyow, Y. Nara, H. Iwai, K. Yamada
- 学会等名
  37th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Physics of Metal/High-k Interfaces2006
- 著者名/発表者名
  T. Nakayama, K. Shiraishi, S. Miyazaki, Y. Akasaka, K. Torii, P. Ahmet, K. Ohmori, N. Umezawa, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, H. Iwai, K. Yamada
- 学会等名
  Fourth International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks at the 210th Meeting of Electrochemical Society
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Theoretical approaches towards elucidation of the cytochrome c oxidase reaction mechanism2006
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  Int. Workshop on Reaction Mechanisms of Energy Transducing Metalloenzymes
- 発表場所
  Hyogo
- 年月日
  2006-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[学会発表] Physics of interfaces between gate electrodes and high-k dielectrics2006
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  8th Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
- 発表場所
  Shanghai, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[学会発表] What happen at high-k dielectric interfaces?2006
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  37^<th> IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[学会発表] Theory of Fermi Level Pinning of High-k Dielectrics2006
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, H. Takeuchi, Y. Akasaka, H. Watanabe, N. Umezawa, T. Chikyow, Y. Nara, T. -J. King Liu, K. Yamada
- 学会等名
  2006 International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices
- 発表場所
  Monterey, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Physical Model of Electron and Hole Traps in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor (MONOS) for Embedded Flash Memories2006
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  2006 International Work-shop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices
- 発表場所
  川崎
- 年月日
  2006-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[学会発表] Theoretical approaches for protein function2006
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi
- 学会等名
  5th East Asian Biophysics Symposium
- 発表場所
  Okinawa, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064002
[学会発表] Physics of interfaces between gate electrodes and high-k dielectrics2006
- 著者名/発表者名
  K. Shiraishi, H. Takeuchi, Y. Akasaka, T. Nakayama, S. Miyazaki, T. Nakaoka, A. Ohta, H. Watanabe, N. Umezawa, K. Ohmori, P. Ahmet, K. Toii, T. Chikyow, Y. Nara, T-J. King Liu, H. Iwai, K. Yamada
- 学会等名
  8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
- 発表場所
  Shanghai, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063003
[学会発表] Diamond MOS Interface Properties Studied by XPS/UPS/XANES and C-V Measurements
- 著者名/発表者名
  M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, M. Imamura, K. Takahashi, K. Shiraishi
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Surface Science
- 発表場所
  松江
- 年月日
  2014-11-02 – 2014-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360124

1. BOERO Mauro (40361315)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 25件
2. 押山淳 (80143361)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 60件
3. 岡田晋 (70302388)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 17件
4. バーバーサヴァッシュ (90375402)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 中山隆史 (70189075)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 20件
6. 山内淳 (90383984)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 内田和之 (10393810)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
8. 岩田潤一 (70400695)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 7件
9. 舘野賢 (40291926)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
10. 植松真司 (60393758)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
11. 秋山亨 (40362363)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 8件
12. 村口正和 (90386623)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
13. 野村晋太郎 (90271527)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
14. 遠藤哲郎 (00271990)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
15. 上殿明良 (20213374)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 秩父重英 (80266907)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 影島博之 (70374072)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 渡邉孝信 (00367153)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 伊藤公平 (30276414)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 嘉数誠 (50393731)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
21. 丹羽正昭 (90608936)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 蓮沼隆 (90372341)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 佐藤創志 (80649749)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 山部紀久夫 (10272171)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 武田京三郎 (40277851)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 三原久和 (30183966)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 重田育照 (80376483)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 財満鎭明 (70158947)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 宮崎誠一 (70190759)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 牧原克則 (90553561)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 初貝安弘 (80218495)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
32. 洗平昌晃 (20537427)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 20件
33. 中塚理 (20334998)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 田仲由喜夫

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
35. 佐藤宇史

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

白石 賢二 SHIRAISHI Kenji

研究課題

研究成果

共同研究者

新規IV族系二次元物質の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

第一原理量子論によるナノデバイス材料・界面の物性予測研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノ界面理論の新展開とそのナノデバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

次世代極薄高誘率ゲート絶縁膜中の不純物の挙動に関する理論的研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン熱酸化の界面素過程に関する理論的研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] First-principles calculations of orientation dependence of Si thermal oxidation based on Si emission model2018

白石賢二 SHIRAISHI Kenji