谷保芳孝 Taniyasu Yoshitaka

研究者番号	20393738
所属 (現在)	2025年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 多元マテリアル創造科学研究部, 上席特別研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 多元マテリアル創造科学研究部, 上席特別研究員 2015年度 – 2016年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 2014年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 2013年度: 日本電信電話株式会社ＮＴＴ物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 特別研究員 2009年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 2007年度 – 2008年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 研究主任
審査区分/研究分野	研究代表者結晶工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外大区分D
キーワード	研究代表者紫外 / 窒化物半導体 / 半導体物性 / 結晶成長 / 発光デバイス / 発光ダイオード / A1N / 光物性 / 先端機能デバイス / 結晶工学 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る共振器 / フォノニック結晶 / マグノメカニクス / ナノテクノロジー / オプトメカニクス / スピントロニクス / ナノメカニクス / マグノフォノニクス隠す

超高速マグノフォノニック共振器デバイス
- 研究代表者
  
  山口浩司
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分D
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
AlN系へテロ構造の結晶成長と紫外発光デバイス応用に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  谷保芳孝
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
窒化アルミニウムpn接合ダイオードの発光・受光特性評価研究代表者
- 研究代表者
  
  谷保芳孝
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

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すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] 平成21年度光技術動向調査報告書第1.5.1節紫外LED2010
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝
- 総ページ数
  4
- 出版者
  財団法人光産業技術振興協会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[図書] 紫外LED(平成21年度光技術動向調査報告書, 第1.5.1節)2010
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝
- 出版者
  財団法人光産業技術振興協会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[雑誌論文] Surface morphology control of nonpolar m-plane AlN homoepitaxial layers by flow-rate modulation epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaka, Y. Taniyasu, T. Akasaka, and K. Kumakura
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b)
  
  巻: 254 号: 2 ページ: 1600545-1600545
- DOI
  10.1002/pssb.201600545
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[雑誌論文] Heteroepitaxial growth of single-domain cubic boron nitride (c-BN) films by ion-beam-assisted MBE2017
- 著者名/発表者名
  K. Hirama, Y. Taniyasu, S. Karimoto, H Yamamoto and K. Kumakura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 3 ページ: 035501-035501
- DOI
  10.7567/apex.10.035501
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[雑誌論文] 窒化物半導体/ダイヤモンドヘテロ構造の成長とその応用2016
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝, 嘉数誠, 山本秀樹, 熊倉一英
- 雑誌名
  
  NEW DIAMOND
  
  巻: 122 ページ: 2-9
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[雑誌論文] イオンビームアシストMBE法による立方晶BN(c-BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、山本秀樹、熊倉一英
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 85 ページ: 306-310
- NAID
  130007715307
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[雑誌論文] 無極性AlN系深紫外LEDの進展と展望2015
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、奥村宏典、西中淳一、熊倉一英、山本秀樹
- 雑誌名
  
  OPTRONICS
  
  巻: 11 ページ: 120-124
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[雑誌論文] 非極性面AlN 系深紫外LED2014
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、ライアンバナル、山本秀樹
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 41 ページ: 33-39
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[雑誌論文] Single-crystal cubic boron nitride thin films grown by ion-beam-assisted molecular beam epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  K.Hirama, Y. Taniyasu, S. Karimoto, Y. Krockenberger, and H. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 9
- DOI
  10.1063/1.4867353
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[雑誌論文] Deep-ultraviolet light emission properties of nonpolar M-plane AlGaN quantum wells2014
- 著者名/発表者名
  (1)B. Ryan, Y. Taniyasu, and H. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 105 号: 5 ページ: 053104-053104
- DOI
  10.1063/1.4892429
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[雑誌論文] Surface 210-nm light emission from an AlN p-n junction light-emitting diode enhanced by A-plane growth orientation2010
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu, M. Kasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.96
  
  ページ: 221110-221110
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[雑誌論文] Improved Emission Efficiency of 210-nm Deep-ultraviolet Aluminum Nitride Light-emitting Diode2010
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu, M. Kasu
- 雑誌名
  
  NTT Technical Review (掲載予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[雑誌論文] AlNの光電子物性と波長210nm発光ダイオード2010
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、嘉数誠
- 雑誌名
  
  応用電子物性分科会誌 16巻、第2号
  
  ページ: 57-62
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[雑誌論文] 波長210nm遠紫外発光ダイオードの高効率化2010
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、嘉数誠
- 雑誌名
  
  NTT技術ジャーナル 6巻
  
  ページ: 40829-40829
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[雑誌論文] Photoluminescence of highly excited AlN: Biexcitons and exciton-exciton scattering2009
- 著者名/発表者名
  R.A.R. Leute, M. Feneberg, R. Sauer, K. Thonke, S.B. Thapa, F. Scholz, Y. Taniyasu, M. Kasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.95
  
  ページ: 31903-31903
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[雑誌論文] Aluminum nitride deep-ultraviolet light-emitting p-n junction diodes2008
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu, M. Kasu
- 雑誌名
  
  Diamond & Related Materials Vol.17
  
  ページ: 1273-1277
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[雑誌論文] Aluminum nitride deep-ultraviolet light-emitting p-n junction diodes2008
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu and M. Kasu
- 雑誌名
  
  Diamond & Related Materials 17
  
  ページ: 1273-1277
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[雑誌論文] Radiation and polarization properties of free-exciton emission from AlN (0001) surface2007
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.90
  
  ページ: 261911-261911
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[雑誌論文] 窒化アルミニウム(aln)発光ダイオード2007
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝
- 雑誌名
  
  化学と工業 8巻
  
  ページ: 783-785
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[雑誌論文] Radiation and polarization properties of free-exciton emission from AIN(0001)surface2007
- 著者名/発表者名
  Y.Taniyasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[雑誌論文] 窒化アルミニウム(AlN)発光ダイオード2007
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝
- 雑誌名
  
  化学と工業 8
  
  ページ: 783-785
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[産業財産権] 発光素子2015
- 発明者名
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹
- 権利者名
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2015-032976
- 出願年月日
  2015-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] Recent progress on AlN-based ultra-wide-bandgap semiconductor devices2024
- 著者名/発表者名
  Yoshitaka Taniyasu, Masanobu Hiroki, Kazuhide Kumakura
- 学会等名
  16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2024)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05463
[学会発表] AlN/n-SiC バルク音響共振器のミリ波帯動作2023
- 著者名/発表者名
  黒子めぐみ、畑中大樹、太田竜一、山口浩司、谷保芳孝、岡本創
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05463
[学会発表] Demonstration of an acoustic resonator exceeding 40 GHz2023
- 著者名/発表者名
  Megumi Kurosu, Daiki Hatanaka, Hiroshi Yamaguchi, Yoshitaka Taniyasu, and Hajime Okamoto
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology, Conference,2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05463
[学会発表] m面AlN基板上に成長したAlGaNのSiドーピングによる格子緩和抑制2017
- 著者名/発表者名
  西中淳一, 谷保芳孝, 熊倉一英
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 立方晶窒化ホウ素(c -BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹, 熊倉一英
- 学会等名
  日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会・第98回研究会
- 発表場所
  主婦会館プラザエフ（東京都千代田区）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 無極性m面AlN基板上へのAlNの流量変調エピタキシ2016
- 著者名/発表者名
  西中淳一、谷保芳孝、赤坂哲也、熊倉一英
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] イオンビームアシストMBE法による準安定相窒化ホウ素(c-BN)薄膜の成長2016
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝,山本秀樹, 熊倉一英
- 学会等名
  東京大学生産技術研究所光電子融合研究センター公開シンポジウム
- 発表場所
  東京大学（東京都目黒区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] Flow-rate Modulation Epitaxy of Nonpolar m-plane AlN Homoepitaxial Layers Grown on AlN Bulk Substrates2016
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaka, Y. Taniyasu, T. Akasaka, and K. Kumakura
- 学会等名
  The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
- 発表場所
  Toyama International Conference Center（富山県富山市）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長における基板へのバイアス電圧印加の効果2016
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、山本秀樹、熊倉一英
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 無極性m面AlN基板上に成長したAlGaNの格子緩和機構2016
- 著者名/発表者名
  西中淳一, 谷保芳孝, 熊倉一英
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] c-BN(001)薄膜の結晶性に及ぼすイオン照射の影響2016
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝,山本秀樹, 熊倉一英
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] Role of Ar+ ion irradiation in plasma-assisted MBE growth of c-BN thin films2015
- 著者名/発表者名
  K. Hirama, Y. Taniyasu, S. Karimoto, and H. Yamamoto
- 学会等名
  The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2015-09-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] P-Type Doping Control of Mg-doped AlGaN for deep-UV LEDs2015
- 著者名/発表者名
  H. Okumura, H. Yamamoto, and Y. Taniyasu
- 学会等名
  42nd International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Santa Barbara (USA)
- 年月日
  2015-06-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] Progress in AIN-Based Deep UV Emitters and Lasers2015
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu
- 学会等名
  IEEE Photonics Society (IPC).
- 発表場所
  Reston (USA)
- 年月日
  2015-10-06
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] ダイヤモンド/立方晶窒化ホウ素(c-BN)薄膜ヘテロ構造成長2015
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 単結晶c-BN薄膜の内部応力に及ぼすイオン照射の影響2015
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹、熊倉一英
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] MOVPE法によるSiC基板上の無極性面高Al組成AlGaN成長2015
- 著者名/発表者名
  奥村宏典、谷保芳孝、山本秀樹
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] Key Parameters for Growth of Single Crystal Cubic BN by Ion-Beam-Assisted MBE2015
- 著者名/発表者名
  K. Hirama, Y. Taniyasu, S. Karimoto, and H. Yamamoto
- 学会等名
  2015 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco (USA)
- 年月日
  2015-04-09
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] Growth of Diamond/c-BN Thin-film Heterostructures2015
- 著者名/発表者名
  K. Hirama, Y. Taniyasu, S. Karimoto, and H. Yamamoto
- 学会等名
  New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2015)
- 発表場所
  Shizuoka GRANSHIP (Japan・Shizuoka)
- 年月日
  2015-05-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 立方晶窒化ホウ素(c-BN)薄膜のMBE成長におけるイオン照射の効果2015
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 準安定相窒化ホウ素(立方晶BN)薄膜のイオンビームアシストMBE成長2015
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹、熊倉一英
- 学会等名
  第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）
- 発表場所
  北海道大学（北海道・札幌市）
- 年月日
  2015-10-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 高Al組成p-AlGaN層のMgドーピング特性2014
- 著者名/発表者名
  奥村宏典、谷保芳孝、山本秀樹
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] Exciton-phonon interaction in AlGaN ternary alloys2014
- 著者名/発表者名
  Ryan Banal、谷保芳孝、山本秀樹
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 単結晶立方晶窒化ホウ素(c-BN)のイオンビームアシストMBE成長機構2014
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] M面AlGaN多重量子井戸LEDの放射特性2014
- 著者名/発表者名
  Ryan Banal、谷保芳孝、山本秀樹
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] Nonpolar M-plane AlGaN Deep-UV LEDs2014
- 著者名/発表者名
  R. Banal, Y. Taniyasu, and H. Yamamoto
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’14
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2014-04-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] イオンビームアシストMBEによる立方晶BN(111)薄膜の高品質化2014
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] Nitride/diamond heterostructure systems - from growth to devices-2014
- 著者名/発表者名
  K. Hirama, Y. Taniyasu, S. Karimoto, Y. Krockenberger, M. Kasu, and H. Yamamoto
- 学会等名
  International Union of Materials Research Societies-The IUMRS International Conference in Asia 2014
- 発表場所
  福岡
- 年月日
  2014-08-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] Nonpolar AlGaN Quantum Well Deep-UV LEDs2014
- 著者名/発表者名
  R. Banal, Y. Taniyasu, and H. Yamamoto
- 学会等名
  The 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Atlanta, USA
- 年月日
  2014-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] Growth of Single-Crystal Cubic BN by Ion-Beam-Assisted MBE2014
- 著者名/発表者名
  K. Hirama, Y. Taniyasu, S. Karimoto, Y. Krockenberger, and H. Yamamoto
- 学会等名
  The 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Atlanta, USA
- 年月日
  2014-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 非極性面AlN系深紫外LEDの開発2014
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、Ryan Banal、山本秀樹
- 学会等名
  日本学術振興会第145委員会第137回研究会
- 発表場所
  明治大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 立方晶窒化ホウ素(cBN)のイオンビームアシストMBE成長2013
- 著者名/発表者名
  平間一行, 狩元慎一, Krockenberger Yoshiharu, 谷保芳孝, 山本秀樹
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] AlN系紫外LEDの研究開発2013
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝
- 学会等名
  日本機械学会
- 発表場所
  岡山大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] AlN系ヘテロ構造のエピタキシャル成長と深紫外LED応用2013
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、Ryan Banal、平間一行、山本秀樹
- 学会等名
  日本結晶成長学会結晶成長国内会議
- 発表場所
  長野市諸生涯学習センター
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] Non-polar M-plane AlGaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diode2013
- 著者名/発表者名
  B. Ryan, Y. Taniyasu, and H. Yamamoto
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] Enhanced Deep-UV Light Emission from AlGaN Quantum Wells by Non-polar Plane2013
- 著者名/発表者名
  B. Ryan, Y. Taniyasu, and H. Yamamoto
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductor
- 発表場所
  Kobe Convention Center
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] AlNの光電子物性と波長210nm発光ダイオード2010
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、嘉数誠
- 学会等名
  応用電子物性分科会研究例会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2010-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] p型MgドープAINおよび高A1組成AlGaNの伝導制御2010
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] 【招待講演】AINの光電子物性と波長210nm発光ダイオード2010
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝
- 学会等名
  応用電子物性分科会研究例会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2010-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] p型MgドープAlNおよび高Al組成AlGaNの伝導制御2010
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、嘉数誠
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] Y. Taniyasu and M. Kasu, Recent progress in AlN deep-UV light-emitting diodes: physics and device structure, SPIE Photonic West 20092009
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu, M. Kasu
- 学会等名
  Gallium Nitride Materials and Devices IV
- 発表場所
  San Jose, USA
- 年月日
  2009-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] a面AIN発光ダイオードからの波長210nm遠紫外発光2009
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] Non-c-plane 210-nm AIN light-emitting diode2009
- 著者名/発表者名
  Y.Taniyasu
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride semiconductors (ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] High excitation photoluminescence bands in AlN2009
- 著者名/発表者名
  R. Leute, M. Feneberg, K. Thonke, R. Sauer, S. Thapa, F. Scholz, Y. Taniyasu, M. Kasu
- 学会等名
  e-MRS 2009 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] High excitation photoluminescence studies on epitaxially grown AlN layers2009
- 著者名/発表者名
  R. Leute, M. Feneberg, K. Thonke, R. Sauer, S. Thapa, F. Scholz, Y. Taniyasu, M. Kasu
- 学会等名
  Deutsche Physikalische Gesellschaft conference (DPG2009)
- 発表場所
  Dresden, Germany
- 年月日
  2009-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] Recent progress in AlN deep-UV light-emitting diodes: physics and device structure2009
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu
- 学会等名
  SPIE Photonic West 2009, "Gallium Nitride Materials and Devices IV"
- 発表場所
  San Jose, USA
- 年月日
  2009-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] Non-c-plane 210-nm AlN light-emitting diode2009
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu, M. Kasu
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride semiconductors (ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] a面AlN発光ダイオードからの波長210nm遠紫外発光2009
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、嘉数誠
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] Increase in free-exciton emission intensity from AlN by using m-plane2008
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu, M. Kasu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN 2008)
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] 櫛形メサ構造によるaln遠紫外発光ダイオードの発光強度の増大2008
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、嘉数誠
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学、春日井
- 年月日
  2008-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] Influence of dislocations on AlN deep-UV light-emitting diodes2008
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu
- 学会等名
  The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT4)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2008-05-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] 櫛形メサ構造によるAlN遠紫外発光ダイオードの発光強度の増大2008
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学、春日井
- 年月日
  2008-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] m面alnによるバンド端発光強度の増大2008
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、嘉数誠
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学、船橋
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] Influence of dislocations on AlN deep-UV light-emitting diodes2008
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu, M. Kasu
- 学会等名
  The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT4)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2008-05-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] Increase in free-exciton emission intensity from AlN by using m-plane2008
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors (IWN 2008)
- 発表場所
  Monteux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] AIN deep-ultraviolet light-emitting diodes2007
- 著者名/発表者名
  Y.Taniyasu
- 学会等名
  14th Semiconducting and Insulating MaterialsConferences(SIMC XIV)
- 発表場所
  University of Arkansas,Arkansas,USA
- 年月日
  2007-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] Deep-UV light emitting diodes by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  Y.Taniyasu
- 学会等名
  European Workshop on Metal Organic Vapor PhaseEpitaxy(EW-MOVPE)
- 発表場所
  SUZU hotel,Bratislava,Slovakia
- 年月日
  2007-06-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] Deep-UV light emitting diodes by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto
- 学会等名
  European Workshop on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (EW-MOVPE)
- 発表場所
  SUZU hotel, Bratislava, Slovakia
- 年月日
  2007-06-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] AlN deep-UV light-emitting diodes2007
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto
- 学会等名
  18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (Diamond 2007)
- 発表場所
  Maritim hotel, Berlin, Germany
- 年月日
  2007-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] 負の結晶場分裂エネルギーに起因したAlN発光ダイオードの偏光特性2007
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学、札幌
- 年月日
  2007-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] AlN:pnドーピングと遠紫外LED2007
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝
- 学会等名
  第26回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖、大津
- 年月日
  2007-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] aln:pnドーピングと遠紫外l ed2007
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、嘉数誠、牧本俊樹
- 学会等名
  第26回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖、大津
- 年月日
  2007-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] AIN deep-UV light-emitting diodes2007
- 著者名/発表者名
  Y.Taniyasu
- 学会等名
  18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, andNitrides (Diamond 2007)
- 発表場所
  Maritim hotel,Berlin,Germany
- 年月日
  2007-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] 負の結晶場分裂エネルギーに起因したaln発光ダイオードの偏光特性2007
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、嘉数誠、牧本俊樹
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学、札幌
- 年月日
  2007-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] aln深紫外ledの現状と展望2007
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、嘉数誠、牧本俊樹
- 学会等名
  応用物理学会関西支部主催セミナー「窒化物半導体のフロンティア」
- 発表場所
  グランキューブ大阪/大阪国際会議場、大阪
- 年月日
  2007-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] AlN deep-ultraviolet light-emitting diodes2007
- 著者名/発表者名
  Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto
- 学会等名
  14th Semiconducting and Insulating Materials Conferences (SIMC XIV)
- 発表場所
  University of Arkansas, Arkansas, USA
- 年月日
  2007-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003
[学会発表] AlN深紫外LEDの現状と展望2007
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝
- 学会等名
  応用物理学会関西支部主催セミナー「窒化物半導体のフロンティア」
- 発表場所
  グランキューブ大阪/大阪国際会議場、大阪
- 年月日
  2007-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686003

1. 熊倉一英 (00393736)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
2. 平間一行 (50434329)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 14件
3. 山本秀樹 (70393733)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 34件
4. 山口浩司 (60374071)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
5. 林将光 (70517854)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 畑中大樹 (60601771)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
7. 黒子めぐみ (90898587)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
8. 浅野元紀 (60867224)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
9. 岡本創 (20350465)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件

谷保 芳孝 Taniyasu Yoshitaka

研究課題

研究成果

共同研究者

超高速マグノフォノニック共振器デバイス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

AlN系へテロ構造の結晶成長と紫外発光デバイス応用に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化アルミニウムpn接合ダイオードの発光・受光特性評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] 平成21年度光技術動向調査報告書 第1.5.1節 紫外LED2010

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] 紫外LED(平成21年度光技術動向調査報告書, 第1.5.1節)2010

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] Surface morphology control of nonpolar m-plane AlN homoepitaxial layers by flow-rate modulation epitaxy2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Heteroepitaxial growth of single-domain cubic boron nitride (c-BN) films by ion-beam-assisted MBE2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ構造の成長とその応用2016

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] イオンビームアシストMBE法による立方晶BN(c-BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] 無極性AlN系深紫外LEDの進展と展望2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 非極性面AlN 系深紫外LED2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Single-crystal cubic boron nitride thin films grown by ion-beam-assisted molecular beam epitaxy2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Deep-ultraviolet light emission properties of nonpolar M-plane AlGaN quantum wells2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Surface 210-nm light emission from an AlN p-n junction light-emitting diode enhanced by A-plane growth orientation2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Improved Emission Efficiency of 210-nm Deep-ultraviolet Aluminum Nitride Light-emitting Diode2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] AlNの光電子物性と波長210nm発光ダイオード2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

谷保芳孝 Taniyasu Yoshitaka

[図書] 平成21年度光技術動向調査報告書第1.5.1節紫外LED2010

[雑誌論文] 窒化物半導体/ダイヤモンドヘテロ構造の成長とその応用2016