小金丸正明 KOGANEMARU Masaaki

研究者番号	20416506
所属 (現在)	2025年度: 鹿児島大学, 理工学域工学系, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2023年度: 鹿児島大学, 理工学域工学系, 准教授 2013年度: 福岡県産業, 科学技術振興財団 2009年度 – 2011年度: 福岡県工業技術センター, 機械電子研究所, 専門研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分18010:材料力学および機械材料関連 / 機械材料・材料力学研究代表者以外小区分21010:電力工学関連 / 機械材料・材料力学
キーワード	研究代表者応力 / 有機基板 / ひずみ / シリコン / ピエゾ効果 / 極薄Siウェハの残留応力 / 電気特性 / 変形 / 有機半導体 / 有機半導体の機械的応力効果 … もっと見る / ゲートリーク電流 / 機械的応力効果 / ゲート絶縁膜 / 電気特性変動 / 機械的負荷 / 有機薄膜トランジスタ / デバイス設計・製造プロセス / 機械材料・材料力学 / 実験力学 / エレクトロニクス実装 / 電子デバイス・機器 … もっと見る研究代表者以外ヘテロジニアスインテフレーション / ３次元IC / ３次元集積回路 / GaN / 3次元パワーIC / パワーIC / GaNパワーデバイス / ヘテロジニアスインテグレーション / 3DIC / 3D パワーIC / 移動度 / デバイスシミュレーション / 電子移動度 / シリコン / pMOSFET / nMOSFET / 電気特性変動 / トランジスタ / 応力 / 半導体 / ひずみ効果 / 評価 / 物性 / プロセス / 材料設計隠す

極薄Siウェハのピエゾ効果に関する研究と有機基板へのフレキシブル実装の検討研究代表者
- 研究代表者
  
  小金丸正明
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分18010:材料力学および機械材料関連
- 研究機関
  鹿児島大学
高電力パワーIC実現に向けたヘテロジニアスインテグレーション技術の研究
- 研究代表者
  
  松本聡
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21010:電力工学関連
- 研究機関
  九州工業大学
変形下での有機半導体デバイスの電気的性能劣化を引き起こす機械的要因の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  小金丸正明
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分18010:材料力学および機械材料関連
- 研究機関
  鹿児島大学
ひずみ負荷による半導体デバイスの電気特性変動についてのナノメカニクス的検討
- 研究代表者
  
  池田徹
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  機械材料・材料力学
- 研究機関
  鹿児島大学
   京都大学
X線透視画像を用いた電子パッケージ内部ひずみの非破壊計測技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  小金丸正明
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  機械材料・材料力学
- 研究機関
  福岡県工業技術センター

すべて 2022 2021 2020 2014 2013 2012 2011

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] 有機薄膜トランジスタ用ゲート絶縁層の機械的負荷下でのリーク電流評価とリークパスの推定2021
- 著者名/発表者名
  日髙功二，小金丸正明，関根智仁，宍戸信之，神谷庄司，三成剛生，池田徹，時任静士
- 雑誌名
  
  エレクトロニクス実装学会誌
  
  巻: 24 号: 6 ページ: 586-594
- DOI
  10.5104/jiep.JIEP-D-21-00015
- NAID
  130008082301
- ISSN
  1343-9677, 1884-121X
- 年月日
  2021-09-01
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04093
[雑誌論文] Examination of Residual Stress Measurement in Electronic Packages Using Phase-Shifted Sampling Moiré Method and X-Ray Images2014
- 著者名/発表者名
  Masaaki Koganemaru, Masakazu Uchino, Akihiro Ikeda, and Tanemasa Asano
- 雑誌名
  
  Electronics System-Integration Technology Conference (ESTC), 2014
  
  ページ: 1-5
- DOI
  10.1109/estc.2014.6962827
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560109
[雑誌論文] 樹脂封止された積層半導体チップの残留応力に起因する電気特性変動評価手法2013
- 著者名/発表者名
  松田和敏, 池田徹, 小金丸　正明，宮崎則幸
- 雑誌名
  
  日本機械学会論文集 (A編)
  
  巻: 第79巻, 第797号ページ: 74-88
- NAID
  130003374587
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[雑誌論文] 樹脂封止された積層半導体チップの残留応力に起因する電気特性変動評価手法2013
- 著者名/発表者名
  松田和敏, 池田徹, 小金丸正明, 宮崎則幸
- 雑誌名
  
  日本機械学会論文集(A編)
  
  巻: 第79巻,第797号ページ: 74-88
- NAID
  130003374587
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[雑誌論文] Device simulation for effecs of mechanical stress on electrical performances of NMOSFETs: The inpaacts of stress-induced change of intrinsic carriear density2013
- 著者名/発表者名
  Masaaki Koganemaru, Naohiro Tada, Toru Ikeda, Noriyuki Miyazaki
- 雑誌名
  
  The ASME 2013 International Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Microsystems (InterPACK 2013)
  
  巻: Proceedings
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[雑誌論文] ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた1軸負荷に起因するnMOSFET の電気特性変動評価手法2012
- 著者名/発表者名
  小金丸正明, 多田直弘, 池田徹, 宮崎則幸, 友景肇
- 雑誌名
  
  エレクトロニクス実装学会誌
  
  巻: 第15巻, 第6号ページ: 483-491
- NAID
  10030878367
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[雑誌論文] ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動評価手法2012
- 著者名/発表者名
  小金丸正明，吉田圭佑，多田直弘，池田徹，宮崎則幸，友景肇
- 雑誌名
  
  エレクトロニクス実装学会誌
  
  巻: Vol. 15, No. 6 ページ: 483-491
- NAID
  10030878367
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[雑誌論文] Device Simulation for Evaluating Effects of Inplane Biaxial Mechanical Stress on n-Type Silicon Semiconductor Devices2011
- 著者名/発表者名
  Masaaki Koganemaru, Keisuke Yoshida, Toru Ikeda, Noriyuki Miyazaki and Hajime Tomokage
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. on Electron Devices
  
  巻: Vol. 58, No.8 ページ: 2525-2536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[雑誌論文] Experimental and Numerical Study on Uniaxial-Stress Effects of N-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors2011
- 著者名/発表者名
  Masaaki KOGANEMARU, Keisuke YOSHIDA, Naohiro TADA, u IKEDA, Noriyuki MIYAZAKI and Hajime TOMOKAGE
- 雑誌名
  
  Proceedings of The ASME 2011 Pacific Rim Technical Conference & Exposition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Systems, MEMS and NEMS (InterPACK 2011)
  
  巻: IPACK2011-52150 ページ: 1-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[雑誌論文] Device Simulation for Evaluating Effects of Inplane Biaxial Mechanical Stess on n-Type Silicon Semiconductor2011
- 著者名/発表者名
  Masaaki Koganemaru, Keisuke Yoshida, Toru Ikeda, Noriyuki Miyazaki and Hajime Tomokage
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: Vol.58,No.8 ページ: 2525-2536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] SOI-nMOSFETにおける機械的応力効果のゲート長さおよび負荷方向依存性のデバイスシミュレーション2022
- 著者名/発表者名
  塩田智基，小金丸正明，塩塚航生，松本聡，池田徹
- 学会等名
  CMD2022 日本機械学会第35回計算力学講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01314
[学会発表] 有限要素法解析とラマン分光法によるパワーデバイス用GaN-on-Si構造の応力場評価2022
- 著者名/発表者名
  尾ノ上義喜，小金丸正明，松本聡，池田徹
- 学会等名
  CMD2022 日本機械学会第35回計算力学講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01314
[学会発表] 有機薄膜トランジスタの曲げおよび面外圧縮負荷による電気特性変動2021
- 著者名/発表者名
  中島太聖，中城朋也，小金丸正明，関根智仁，宍戸信之，神谷庄司，三成剛生，池田徹，時任静士
- 学会等名
  27th Symposium on "Microjoining and Assembly Technology in Electronics" (Mate 2021)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04093
[学会発表] 有機薄膜トランジスタ用Ag配線の1軸引張り負荷による抵抗値変動2021
- 著者名/発表者名
  中島太聖，小金丸正明，関根智仁，宍戸信之，神谷庄司，三成剛生，池田徹，時任静士
- 学会等名
  第31回マイクロエレクトロニクスシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04093
[学会発表] 薄膜有機トランジスタ用ゲート絶縁層の機械的負荷下での絶縁性能評価2020
- 著者名/発表者名
  日髙功二，小金丸正明，関根智仁，宍戸信之，神谷庄司，三成剛生，池田徹，時任静士
- 学会等名
  マイクロエレクトロニクスシンポジウム2020（MES2020）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04093
[学会発表] Device simulation for effecs of mechanical stress on electrical performances of NMOSFETs: The inpaacts of stress-induced change of intrinsic carriear density2013
- 著者名/発表者名
  Masaaki Koganemaru, Naohiro Tada, Toru Ikeda, Noriyuki Miyazaki
- 学会等名
  The ASME 2013 International Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Microsystems (InterPACK 2013)
- 発表場所
  Burlingame, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] Device simulation for effecs of mechanical stress on electrical performances of NMOSFETs : The inpaacts of stress-induced change of intrinsic carriear density2013
- 著者名/発表者名
  Masaaki Koganemaru, Naohiro Tada, Toru Ikeda, Noriyuki Miyazaki
- 学会等名
  The ASME 2013 International Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Microsystems (InterPACK 2013)
- 発表場所
  Burlingame, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] デバイス内部の応力集中と真性キャリア濃度変化を考慮したnMOSFET の電気特性変動でバイスシミュレーション2012
- 著者名/発表者名
  多田直弘, 小金丸正明, 池田徹, 宮崎則幸, 友景肇
- 学会等名
  第22回マイクロエレクトロニクスシンポジウム (MES2012)
- 発表場所
  堺市
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] Numerical Study on Impact of Mechanical Stress in the Regions of High Current Density in n-type MOS Devices2012
- 著者名/発表者名
  Masaaki KOGANEMARU, Naohiro TADA, Toru IKEDA, Noriyuki MIYAZAKI and Hajime TOMOKAGE
- 学会等名
  4th Electronics System Integration technologies Conference (ESTC 2012)
- 発表場所
  アムステルダム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] nMOSFET 内部の応力分布と電気特性との相関に関するデバイスシミュレーション2012
- 著者名/発表者名
  小金丸正明, 多田直弘, 池田徹, 宮崎則幸, 友景肇
- 学会等名
  日本機械学会第25回計算力学講演会
- 発表場所
  神戸市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] Numerical Evaluation of Correlation between Stress Concentration and Electronic Characteristics on nMOSFETs2012
- 著者名/発表者名
  Naohiro Tada, Masaaki Koganemaru, Toru Ikeda, Noriyuki Miyazaki and Hajime Tomokage
- 学会等名
  International Computational Mechanics Symposium 2012 (ICMS2012)
- 発表場所
  Kobe Japan
- 年月日
  2012-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] Numerical Study on Impact of Mechanical Stress in the Regions of High Current Density in n-type MOS Devices2012
- 著者名/発表者名
  Masaaki Koganemaru, Naohiro Tada, Toru Ikeda, Noriyuki Miyazaki and Hajime Tomokage
- 学会等名
  4th Electronics System Integration technologies Conference (ESTC 2012)
- 発表場所
  Amsterdam, The Netherlands
- 年月日
  2012-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] デバイス内部の応力集中と真性キャリア濃度変化を考慮したnMOSFETの電気特性変動でバイスシミュレーション2012
- 著者名/発表者名
  多田直弘, 小金丸正明, 池田　徹, 宮崎則幸, 友景　肇
- 学会等名
  第22回マイクロエレクトロニクスシンポジウム (MES2012)
- 発表場所
  堺市大阪府立大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] nMOSFET 内部の応力分布と電気特性との相関に関するデバイスシミュレーション2012
- 著者名/発表者名
  小金丸正明, 多田直弘, 池田徹, 宮崎則幸, 友景肇
- 学会等名
  日本機械学会第25回計算力学講演会講演論文集
- 発表場所
  神戸市
- 年月日
  2012-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] Numerical Evaluation of Correlation between Stress Concentration and Electronic Characteristics on nMOSFETs2012
- 著者名/発表者名
  Naohiro TADA, Masaaki KOGANEMARU, Toru IKEDA, Noriyuki MIYAZAKI and Hajime TOMOKAGE
- 学会等名
  International Computational Mechanics Symposium 2012 (ICMS2012)
- 発表場所
  神戸市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] Device Simulation of Stress Effect on Electrical Performances of Semiconductor Devices : Impact of Mechanical Stress in the Region of High Current Density in the Devices2012
- 著者名/発表者名
  Masaaki Koganemaru, Naohiro Tada, Toru Ikeda, Noriyuki Miyazaki and Hajime Tomokage
- 学会等名
  10th World Congress on Computational Mechanics
- 発表場所
  Sao Paulo, Brazil
- 年月日
  2012-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] Device Simulation of Stress Effect on Electrical Performances of Semiconductor Devices : Impact of Mechanical Stress in the Region of High Current Density in the Devices2012
- 著者名/発表者名
  Masaaki KOGANEMARU, Naohiro TADA, Toru IKEDA, Noriyuki MIYAZAKI and Hajime TOMOKAGE
- 学会等名
  10th World Congress on Computational Mechanics
- 発表場所
  サンパウロ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] デバイスシミュレーションによるnMOSFETへの一軸応力負荷の影響評価2011
- 著者名/発表者名
  多田直弘, 小金丸正明, 池田徹, 宮崎則幸, 友景肇
- 学会等名
  日本機械学会第24回計算力学講演会
- 発表場所
  岡山市
- 年月日
  2011-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] Experimental and Numerical Study on Uniaxial-Stress Effects of N-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors2011
- 著者名/発表者名
  Masaaki KOGANEMARU, Keisuke YOSHIDA, Naohiro TADA, Toru IKEDA, Noriyuki MIYAZAKI and Hajime TOMOKAGE
- 学会等名
  ASME 2011 Pacific Rim Technical Conference & Exposition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Systems, MEMS and NEMS
- 発表場所
  ポートランド
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] Numerical Study on Impact of Uniaxial Stress on n-type Silicon MOS Devices2011
- 著者名/発表者名
  Masaaki KOGANEMARU, Naohiro TADA, Toru IKEDA, Noriyuki MIYAZAKI and Hajime TOMOKAGE
- 学会等名
  The13th International Conference on Electronics Materials and Packaging (EMAP2011)
- 発表場所
  京都市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] Evaluation of Uniaxial-Stress Effects on DC Characteristics of n-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors2011
- 著者名/発表者名
  Masaaki KOGANEMARU, Keisuke YOSHIDA, Naohiro TADA, Toru IKEDA, Noriyuki MIYAZAKI and Hajime TOMOKAGE
- 学会等名
  International Conference on Advanced Technology in Experimental Mechanics (ATEM’11)(招待講演)
- 発表場所
  神戸市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] nMOSFETにおける１軸応力の影響評価2011
- 著者名/発表者名
  小金丸正明，多田直弘，池田　徹，宮崎則幸，友景　肇
- 学会等名
  第21回マイクロエレクトロニクスシンポジウム (MES2011)
- 発表場所
  大阪府吹田市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] nMOSFETにおける1軸応力の影響評価2011
- 著者名/発表者名
  小金丸正明, 多田直弘, 池田徹, 宮崎則幸, 友景肇
- 学会等名
  第21回マイクロエレクトロニクスシンポジウム (MES2011)
- 発表場所
  吹田市
- 年月日
  2011-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] Evaluation of Uniaxial-Stress Effects on DC Characteristics of n-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors2011
- 著者名/発表者名
  Masaaki Koganemaru, Keisuke Yoshida, Naohiro Tada, Toru Ikeda, Noriyuki Miyazaki and Hajime Tomokage
- 学会等名
  International Conference on Advanced Technology in Experimental Mechanics (ATEM'11)
- 発表場所
  Kobe, Japan
- 年月日
  2011-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083
[学会発表] The ASME 2011 Pacific Rim Technical Conference & Exposition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Systems2011
- 著者名/発表者名
  Masaaki Koganemaru, Keisuke Yoshida, Naohiro Tada, Toru Ikeda, Noriyuki Miyazaki and Hajime Tomokage
- 学会等名
  MEMS and NEMS (InterPACK 2011)
- 発表場所
  Portland, USA
- 年月日
  2011-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656083

1. 池田徹 (40243894)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 29件
2. 内野正和 (30416507)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
3. 糸平圭一 (90463497)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 宮崎則幸 (10166150)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 浅野種正 (50126306)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
6. 松本聡 (10577282)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
7. 新海聡子 (90374785)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

小金丸 正明 KOGANEMARU Masaaki

研究課題

研究成果

共同研究者

極薄Siウェハのピエゾ効果に関する研究と有機基板へのフレキシブル実装の検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高電力パワーIC実現に向けたヘテロジニアスインテグレーション技術の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

変形下での有機半導体デバイスの電気的性能劣化を引き起こす機械的要因の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ひずみ負荷による半導体デバイスの電気特性変動についてのナノメカニクス的検討

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

X線透視画像を用いた電子パッケージ内部ひずみの非破壊計測技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] 有機薄膜トランジスタ用ゲート絶縁層の機械的負荷下でのリーク電流評価とリークパスの推定2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

ISSN

年月日

言語

データソース

[雑誌論文] Examination of Residual Stress Measurement in Electronic Packages Using Phase-Shifted Sampling Moiré Method and X-Ray Images2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 樹脂封止された積層半導体チップの残留応力に起因する電気特性変動評価手法2013

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] 樹脂封止された積層半導体チップの残留応力に起因する電気特性変動評価手法2013

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Device simulation for effecs of mechanical stress on electrical performances of NMOSFETs: The inpaacts of stress-induced change of intrinsic carriear density2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた1軸負荷に起因するnMOSFET の電気特性変動評価手法2012

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動評価手法2012

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Device Simulation for Evaluating Effects of Inplane Biaxial Mechanical Stress on n-Type Silicon Semiconductor Devices2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Experimental and Numerical Study on Uniaxial-Stress Effects of N-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

小金丸正明 KOGANEMARU Masaaki