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小林 篤  KOBAYASHI Atsushi

研究者番号 20470114
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0001-5795-6490
所属 (現在) 2025年度: 東京理科大学, 先進工学部マテリアル創成工学科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2023年度: 東京理科大学, 先進工学部マテリアル創成工学科, 准教授
2018年度 – 2022年度: 東京大学, 生産技術研究所, 特任准教授
2013年度 – 2016年度: 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分30010:結晶工学関連 / 電子・電気材料工学 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野
キーワード
研究代表者
窒化物半導体 / 国際共同研究 / デバイスプロセス / エピタキシャル成長 / 窒化物超伝導体 / 結晶成長 / 電界効果トランジスタ / 酸化物半導体 / 電子・電気材料 / 薄膜成長
  • 研究課題

    (5件)
  • 研究成果

    (88件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張研究代表者

    • 研究代表者
      小林 篤
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2026
    • 研究種目
      国際共同研究加速基金(海外連携研究)
    • 審査区分
      中区分30:応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京理科大学
  •  窒化物半導体・超伝導体融合素子作製のための基盤技術構築研究代表者

    • 研究代表者
      小林 篤
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      東京理科大学
      東京大学
  •  窒化インジウム極薄膜へのドーピング技術開発研究代表者

    • 研究代表者
      小林 篤
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      東京大学
  •  高速キャリア分離を実現するワイドギャップ半導体ヘテロバレント界面の作製研究代表者

    • 研究代表者
      小林 篤
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  窒化物半導体太陽電池のための超高品質基板の開発研究代表者

    • 研究代表者
      小林 篤
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2014
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学

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すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering2023

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Tomoya Okuda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 17 号: 1 ページ: 011002-011002

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ad120b

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23KK0094, KAKENHI-PROJECT-23K26557
  • [雑誌論文] Epitaxial Junction of Inversion Symmetry Breaking AlN and Centrosymmetric NbN: A Polarity Control of Wide-Bandgap AlN2023

    • 著者名/発表者名
      Kobayashi Atsushi、Kihira Shunya、Akiyama Toru、Kawamura Takahiro、Maeda Takuya、Ueno Kohei、Fujioka Hiroshi
    • 雑誌名

      ACS Applied Electronic Materials

      巻: 5 号: 1 ページ: 240-246

    • DOI

      10.1021/acsaelm.2c01288

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827, KAKENHI-PROJECT-20K05324
  • [雑誌論文] Reduction of Twin Boundary in NbN Films Grown on Annealed AlN2022

    • 著者名/発表者名
      Kihira Shunya、Kobayashi Atsushi、Ueno Kohei、Fujioka Hiroshi
    • 雑誌名

      Crystal Growth & Design

      巻: 22 号: 3 ページ: 1720-1723

    • DOI

      10.1021/acs.cgd.1c01287

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of superconducting NbN on wide-bandgap AlN2022

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
    • 雑誌名

      JSAP Review

      巻: 2022 号: 0 ページ: n/a

    • DOI

      10.11470/jsaprev.220408

    • ISSN
      2437-0061
    • 言語
      英語
    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [雑誌論文] Crystal‐Phase Controlled Epitaxial Growth of NbNx Superconductors on Wide‐Bandgap AlN Semiconductors2022

    • 著者名/発表者名
      Kobayashi Atsushi、Kihira Shunya、Takeda Takahito、Kobayashi Masaki、Harada Takayuki、Ueno Kohei、Fujioka Hiroshi
    • 雑誌名

      Advanced Materials Interfaces

      巻: 9 号: 31 ページ: 2201244-2201244

    • DOI

      10.1002/admi.202201244

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [雑誌論文] Ultrathin rock-salt type NbN films grown on atomically flat AlN/sapphire substrates2021

    • 著者名/発表者名
      Kobayashi Atsushi、Ueno Kohei、Fujioka Hiroshi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 572 ページ: 126269-126269

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2021.126269

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [雑誌論文] Autonomous growth of NbN nanostructures on atomically flat AlN surfaces2020

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 117 号: 23 ページ: 231601-231601

    • DOI

      10.1063/5.0031604

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
  • [雑誌論文] Growth of InN ultrathin films on AlN for the application to field-effect transistors2020

    • 著者名/発表者名
      Jeong Dayeon, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 10 号: 12 ページ: 125221-125221

    • DOI

      10.1063/5.0035203

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
  • [雑誌論文] Coherent epitaxial growth of superconducting NbN ultrathin films on AlN by sputtering2020

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 6 ページ: 061006-061006

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab916e

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
  • [雑誌論文] Optical characteristics of highly conductive n-type GaN prepared by pulsed sputtering deposition2019

    • 著者名/発表者名
      Kohei Ueno、Taiga Fudetani、Atsushi Kobayashi、Hiroshi Fujioka
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 9 号: 1 ページ: 20242-20242

    • DOI

      10.1038/s41598-019-56306-0

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
  • [雑誌論文] Characteristics of unintentionally doped and lightly Si-doped GaN prepared via pulsed sputtering2019

    • 著者名/発表者名
      Kohei Ueno、Atsushi Kobayashi、Hiroshi Fujioka
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 9 号: 7 ページ: 075123-075123

    • DOI

      10.1063/1.5103185

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
  • [雑誌論文] Improving the electron mobility of polycrystalline InN grown on glass substrates using AlN crystalline orientation layers2019

    • 著者名/発表者名
      Masumi Sakamoto、Atsushi Kobayashi、Yoshino K. Fukai、Kohei Ueno、Yuki Tokumoto、Hiroshi Fujioka
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 126 号: 7 ページ: 075701-075701

    • DOI

      10.1063/1.5117307

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PLANNED-16H06414
  • [雑誌論文] Wide range doping controllability of p-type GaN films prepared via pulsed sputtering2019

    • 著者名/発表者名
      Fudetani Taiga、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Fujioka Hiroshi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 114 号: 3 ページ: 032102-032102

    • DOI

      10.1063/1.5079673

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PLANNED-16H06414
  • [雑誌論文] AlN/InAlN thin-film transistors fabricated on glass substrates at room temperature2019

    • 著者名/発表者名
      Kyohei Nakamura、Atsushi Kobayashi、Kohei Ueno、Jitsuo Ohta、Hiroshi Fujioka
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 9 号: 1 ページ: 6254-6254

    • DOI

      10.1038/s41598-019-42822-6

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
  • [雑誌論文] Growth of Si-doped AlN on sapphire (0001) via pulsed sputtering2018

    • 著者名/発表者名
      Sakurai Yuya、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Ohta Jitsuo、Miyake Hideto、Fujioka Hiroshi
    • 雑誌名

      APL Materials

      巻: 6 号: 11 ページ: 111103-111103

    • DOI

      10.1063/1.5051555

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PLANNED-16H06414
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of In-rich InGaN on yttria-stabilized zirconia and its application to metal-insulator-semiconductor field-effect transistors2016

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi, Khe Shin Lye, Kohei Ueno, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 120 号: 8

    • DOI

      10.1063/1.4961876

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13939
  • [雑誌論文] Structural properties of GaN films grown on multilayer graphene films by pulsed sputtering2014

    • 著者名/発表者名
      J. W. Shon, J. Ohta, K. Ueno, A. Kobayashi, and H. Fujioka
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 7 号: 8 ページ: 085502-085502

    • DOI

      10.7567/apex.7.085502

    • NAID

      210000137197

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25820120
  • [雑誌論文] Fabrication of full-color InGaN-based light-emitting diodes on amorphous substrates by pulsed sputtering2014

    • 著者名/発表者名
      J. W. Shon, J. Ohta, K. Ueno, A. Kobayashi, and H. Fujioka
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 4 号: 1 ページ: 5325-5325

    • DOI

      10.1038/srep05325

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25820120
  • [雑誌論文] AlGaN/GaN heterostructure prepared on a Si (110) substrate via pulsed sputtering2014

    • 著者名/発表者名
      T. Watanabe, J. Ohta, T. Kondo, M. Ohashi, K. Ueno, A. Kobayashi, and H. Fujioka
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 104 号: 18 ページ: 182111-182111

    • DOI

      10.1063/1.4876449

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25820120
  • [雑誌論文] Theoretical study of InN growth on Mn-stabilized zirconia (111) substrates2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Guo, S. Inoue, A. Kobayashi, J. Ohta, and H. Fujioka
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 551 ページ: 110-113

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.11.100

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25820120
  • [雑誌論文] Solid-phase epitaxy of InOxNy alloys via thermal oxidation of InN films on yttria-stabilized zirconia2014

    • 著者名/発表者名
      A. Kobayashi, T. Itoh, J. Ohta, M. Oshima, and H. Fujioka
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi RRL

      巻: Early View 号: 4 ページ: 362-366

    • DOI

      10.1002/pssr.201400007

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25820120
  • [雑誌論文] Field-effect transistors based on cubic indium nitride2014

    • 著者名/発表者名
      M. Oseki, K. Okubo, A. Kobayashi, J. Ohta, and H. Fujioka
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 4 号: 1 ページ: 3951-3951

    • DOI

      10.1038/srep03951

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25820120
  • [雑誌論文] Atomic scattering spectroscopy for determination of the polarity of semipolar AlN grown on ZnO2013

    • 著者名/発表者名
      A. Kobayashi, K. Ueno, J. Ohta, M. Oshima, and H. Fujioka
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 103 号: 19 ページ: 192111-192111

    • DOI

      10.1063/1.4829478

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25820120
  • [雑誌論文] Electrical properties of amorphous-Al2O3/single-crystal ZnO heterointerfaces2013

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, A. Kobayashi, J. Ohta, H. Fujioka, and M. Oshima
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 103 号: 17 ページ: 172101-172101

    • DOI

      10.1063/1.4826538

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25820120
  • [学会発表] ScAlN/GaNおよびAlGaN/GaNの二次元電子ガス濃度の数値計算と解析モデルの提案2023

    • 著者名/発表者名
      若本裕介,小林篤,中野義昭,前田拓也
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] Characterization of Optical Properties and Bandgaps of ScxAl1-xN Epitaxially Grown on GaN Bulk Substrate by Sputtering Method2023

    • 著者名/発表者名
      Takuya Maeda,Yusuke Wakamoto,Shota Kaneki,Hajime Fujikura,Atsushi Kobayashi
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] Epitaxial growth of NbN superconductors on lattice-matched AlN wide-bandgap semiconductors (Invited Paper)2023

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi,Shunya Kihira,Kohei Ueno,Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2023 - Gallium Nitride Materials and Devices XVIII
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] 分光エリプソメトリーによるScAlN/GaNの光学物性評価2023

    • 著者名/発表者名
      前田 拓也,若本 裕介,金木 奨太,藤倉 序章,小林 篤
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] Sputtering Epitaxial Integration of AlN and NbN for Polarity Control and Crystal Phase Manipulation2023

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi,Shunya Kihira,Takahito Takeda,Masaki Kobayashi,Takuya Maeda,Takayuki Harada,Toru Akiyama,Takahiro Kawamura,Kohei Ueno,Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] Characterization of Optical Properties and Bandgaps of Sc<sub>x</sub>Al<sub>1-x</sub>N Epitaxially Grown on GaN Bulk Substrate by Sputtering Method2023

    • 著者名/発表者名
      Takuya Maeda,Yusuke Wakamoto,Shota Kaneki,Hajime Fujikura,Atsushi Kobayashi
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23KK0094
  • [学会発表] Electronic States at the Interface of β-Nb2N/AlN Superlattices2023

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura,Toru Akiyama,Atsushi Kobayashi
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] ScAlN/GaNとAlGaN/GaNに対する数値計算・解析式による2DEGモデリング2023

    • 著者名/発表者名
      Y. Wakamoto,A. Kobayashi,Y. Nakano,T. Maeda
    • 学会等名
      第42回電子材料シンポジウム(EMS-42)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23KK0094
  • [学会発表] 窒化物半導体・超伝導体・強誘電体のエピタキシャル融合2023

    • 著者名/発表者名
      小林 篤
    • 学会等名
      第4回半導体ナノフォトニクス研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23KK0094
  • [学会発表] β-Nb2N/AlN超格子構造における界面の電子状態の解析2023

    • 著者名/発表者名
      河村 貴宏,秋山 亨,小林 篤
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] Sputtering Epitaxial Integration of AlN and NbN for Polarity Control and Crystal Phase Manipulation2023

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi,Shunya Kihira,Takahito Takeda,Masaki Kobayashi,Takuya Maeda,Takayuki Harada,Toru Akiyama,Takahiro Kawamura,Kohei Ueno,Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23KK0094
  • [学会発表] Structural Properties of Epitaxial ScAlN Films Grown by Sputtering: Experimental and Machine Learning Approaches2023

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi,Yoshio Honda,Takuya Maeda,Kohei Ueno,Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] 窒化物半導体・超伝導体・強誘電体のエピタキシャル融合2023

    • 著者名/発表者名
      小林 篤
    • 学会等名
      第4回半導体ナノフォトニクス研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] Study on 2DEG Density in ScAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures Based on Simulation and Analytical Modeling2023

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Wakamoto,Atsushi Kobayashi,Yoshiaki Nakano,Takuya Maeda
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] ScAlN/GaNヘテロ接合界面における二次元電子ガス濃度の数値計算2023

    • 著者名/発表者名
      若本裕介,小林篤,中野義昭,前田拓也
    • 学会等名
      第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] Electronic States at the Interface of β-Nb<sub>2</sub>N/AlN Superlattices2023

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura,Toru Akiyama,Atsushi Kobayashi
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23KK0094
  • [学会発表] ScAlN/GaNとAlGaN/GaNに対する数値計算・解析式による2DEGモデリング2023

    • 著者名/発表者名
      Y. Wakamoto,A. Kobayashi,Y. Nakano,T. Maeda
    • 学会等名
      第42回電子材料シンポジウム(EMS-42)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] Selectively regrown heavily Si-doped degenerate GaN contact to AlN/AlGaN HEMTs prepared via pulsed sputtering2023

    • 著者名/発表者名
      Ryota Maeda,Takao Kozaka,Kohei Ueno,Atsushi Kobayashi,Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] GaN基板上にスパッタ成長したScAlN薄膜の構造・光学物性の評価2023

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda,Y. Wakamoto,S. Kaneki,H. Fujikura,A. Kobayashi
    • 学会等名
      第42回電子材料シンポジウム(EMS-42)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] Study on 2DEG Density in ScAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures Based on Simulation and Analytical Modeling2023

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Wakamoto,Atsushi Kobayashi,Yoshiaki Nakano,Takuya Maeda
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23KK0094
  • [学会発表] GaN基板上にスパッタ成長したScAlN薄膜の構造・光学物性の評価2023

    • 著者名/発表者名
      T. Maeda,Y. Wakamoto,S. Kaneki,H. Fujikura,A. Kobayashi
    • 学会等名
      第42回電子材料シンポジウム(EMS-42)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23KK0094
  • [学会発表] β-Nb2N/AlN超格子の電子構造解析2023

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,秋山亨,小林篤
    • 学会等名
      第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] NbN/AlNヘテロ構造の作製とAlN極性反転技術への応用2023

    • 著者名/発表者名
      小林篤, 上野耕平, 藤岡洋
    • 学会等名
      日本学術振興会 第R032産業イノベーションのための結晶成長委員会 第10回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] Structural Properties of Epitaxial ScAlN Films Grown by Sputtering: Experimental and Machine Learning Approaches2023

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi,Yoshio Honda,Takuya Maeda,Kohei Ueno,Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23KK0094
  • [学会発表] Epitaxial integration of NbN superconductors with AlN2022

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi,Shunya Kihira,Kohei Ueno,Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      IWSingularity 2022
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] AlNに格子整合する六方晶Nb2N超伝導体のエピタキシャル成長2022

    • 著者名/発表者名
      小林 篤, 紀平 俊矢, 武田 崇仁, 小林 正起, 秋山 亨, 河村 貴宏, 原田 尚之, 上野 耕平, 藤岡 洋
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] NbNを利用したAl極性AlN上へのN極性AlNエピタキシャル成長2022

    • 著者名/発表者名
      紀平俊矢,小林篤,上野耕平,藤岡洋
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] NbNを利用したAl極性AlN上へのN極性AlNエピタキシャル成長2022

    • 著者名/発表者名
      紀平俊矢, 小林篤, 上野耕平, 藤岡洋
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] Epitaxial integration of NbN superconductors with AlN2022

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi, Shunya Kihira, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      IWSingularity 2022
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] 表面平坦化処理を施したAlN上へのNbNエピタキシャル成長2021

    • 著者名/発表者名
      紀平俊矢,前田亮太,小林篤,上野耕平,藤岡洋
    • 学会等名
      第82回 応用物理学会 秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] 表面平坦化処理を施したAlN上へのNbNエピタキシャル成長2021

    • 著者名/発表者名
      紀平俊矢, 前田亮太, 小林篤, 上野耕平, 藤岡洋
    • 学会等名
      第82回 応用物理学会 秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] 格子整合AlN上へのNbN低温エピタキシャル成長2021

    • 著者名/発表者名
      趙康,紀平俊矢,小林篤,上野耕平,藤岡洋
    • 学会等名
      第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] 窒化物半導体と超伝導体の融合をめざして2021

    • 著者名/発表者名
      小林篤
    • 学会等名
      応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] Epitaxial growth of NbN superconductors on AlN by sputtering2021

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] 窒化物半導体と超伝導体の融合をめざして2021

    • 著者名/発表者名
      小林篤
    • 学会等名
      応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01827
  • [学会発表] 格子整合AlN上へのNbN低温エピタキシャル成長2021

    • 著者名/発表者名
      趙康, 紀平俊矢, 小林篤, 上野耕平, 藤岡洋
    • 学会等名
      第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] 表面処理を施したAlN上に成長させたNbNの結晶方位解析2021

    • 著者名/発表者名
      紀平俊矢, 小林篤, 上野耕平, 藤岡洋
    • 学会等名
      第68回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] Superconducting NbN/AlN Nanostructures Prepared by Sputtering2021

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      ISPlasma2021/IC-PLANTS2021
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] AlN原子ステップを利用したNbNナノ構造の自己組織化2021

    • 著者名/発表者名
      小林篤, 上野耕平, 藤岡洋
    • 学会等名
      第68回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] Field-effect transistors of ultrathin InN grown on AlN2020

    • 著者名/発表者名
      Dayeon Jeong, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      第67回 応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] スパッタ法によるAIN上へのNbN極薄膜エピタキシャル成長2020

    • 著者名/発表者名
      小林篤、上野耕平、藤岡洋
    • 学会等名
      第67回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] AlN上にコヒーレント成長したNbN極薄膜の超伝導特性2020

    • 著者名/発表者名
      小林篤, 上野耕平, 藤岡洋
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] Growth of ultrathin InN films on Al-polar AlN and its application to field-effect transistors2020

    • 著者名/発表者名
      ジョンダヨン, 小林篤, 上野耕平, 藤岡洋
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] ガラス基板上に形成した窒化物結晶成長用配向制御層の評価2019

    • 著者名/発表者名
      中野はるか、小林篤、上野耕平、藤岡洋
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] Basic characteristics of ultrathin InN layers prepared by sputtering on various AlN templates2019

    • 著者名/発表者名
      Dayeon Jeong, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      第80回 応用物理学会 秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] AlN系バッファー層上に成長した多結晶InNの特性2019

    • 著者名/発表者名
      坂本 真澄、小林 篤、上野 耕平、藤岡 洋
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] Characteristics of ultra-thin InN films grown on AlN2019

    • 著者名/発表者名
      Dayeon Jeong、Atsushi Kobayashi、Kohei Ueno、Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] Ⅳ族結晶配向層を用いたガラス基板上への窒化物半導体成長2019

    • 著者名/発表者名
      小林篤、中野はるか、上野耕平、藤岡洋
    • 学会等名
      第80回 応用物理学会 秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] Basic characteristics of ultra-thin InN grown on AIN2019

    • 著者名/発表者名
      Dayeon Jeong, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] ガラス基板上に成長させたc軸配向InN薄膜の電気特性2018

    • 著者名/発表者名
      坂本真澄,小林篤,上野耕平,藤岡洋
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋国際会議場
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] InN系窒化物半導体のパルススパッタリング成長とFET応用2018

    • 著者名/発表者名
      小林篤,上野耕平,藤岡洋
    • 学会等名
      第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] バッファー層挿入によるガラス基板上多結晶InNの電気特性の改善2018

    • 著者名/発表者名
      坂本真澄,小林篤,上野耕平,藤岡洋
    • 学会等名
      第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] 高移動度薄膜トランジスタ作製に向けた非晶質基板上へのInN結晶成長2018

    • 著者名/発表者名
      小林篤,坂本真澄,中村享平,ライ・ケーシン,伊藤剛輝,上野耕平,藤岡洋
    • 学会等名
      日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス 第162委員会 第110 回研究会・特別公開シンポジウム,東京大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] InN transistors prepared on glass substrates with AlN buffer layers2018

    • 著者名/発表者名
      Masumi Sakamoto, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, and Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), Kanazawa
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04955
  • [学会発表] 高移動度窒化物半導体の薄膜トランジスタ応用2017

    • 著者名/発表者名
      小林篤,上野耕平,太田実雄,藤岡洋
    • 学会等名
      東北大学 多元物質科学研究所 若手研究者交流講演会 ―機能性材料合成と特性計測―
    • 発表場所
      東北大学多元物質科学研究所、仙台市
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13939
  • [学会発表] アモルファス基板上に作製したInGaN薄膜トランジスタの特性2016

    • 著者名/発表者名
      小林 篤,伊藤剛輝,ライケーシン,上野耕平,太田実雄,藤岡洋
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス、東京
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13939
  • [学会発表] 窒化物半導体のガラス基板上への成長と薄膜トランジスタ応用2016

    • 著者名/発表者名
      小林篤,伊藤剛輝,上野耕平,太田実雄,藤岡洋
    • 学会等名
      第8回 窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス、京都市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13939
  • [学会発表] ガラス基板上窒化物半導体薄膜トランジスタの特性2015

    • 著者名/発表者名
      伊藤剛輝,小林 篤,上野耕平,太田実雄,藤岡洋
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、名古屋
    • 年月日
      2015-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13939
  • [学会発表] YSZ基板上に成長した高In組成InGaNの諸特性2015

    • 著者名/発表者名
      小林篤,ライケーシン,上野耕平,太田実雄,藤岡洋
    • 学会等名
      第34回電子材料シンポジウム(EMS-34)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖、滋賀
    • 年月日
      2015-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13939
  • [学会発表] InGaN thin-film transistors on amorphous glass substrates2015

    • 著者名/発表者名
      T. Itoh, A. Kobayashi, K. Ueno, J. Ohta, and H. Fujioka
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN6)
    • 発表場所
      アクトシティ浜松、浜松
    • 年月日
      2015-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13939
  • [学会発表] 酸化亜鉛基板上への窒化物半導体低温成長2014

    • 著者名/発表者名
      小林篤,太田実雄,藤岡洋
    • 学会等名
      第6回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2014-07-26
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25820120
  • [学会発表] 酸化亜鉛基板上窒化物半導体の格子歪みと偏光特性

    • 著者名/発表者名
      小林篤,玉木啓晶 ,太田実雄,藤岡洋
    • 学会等名
      第61回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25820120
  • [学会発表] Low-temperature epitaxial growth of non/semi-polar group-III nitrides on ZnO

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Kobayashi, Tomofumi Kajima, Hiroaki Tamaki, Jituso Ohta, Masaharu Oshima, and Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposium
    • 発表場所
      同志社大学
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25820120
  • [学会発表] YSZ 基板上に成長した(InN)x(In2O3)1-x薄膜の特性

    • 著者名/発表者名
      小林篤,伊藤剛輝,太田実雄,尾嶋正治,藤岡洋
    • 学会等名
      第32回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25820120
  • 1.  中野 貴之 (00435827)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 2.  前田 拓也 (20965694)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 3.  本田 善央 (60362274)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件

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