今井大地 IMAI DAICHI

研究者番号	20739057
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 名城大学, 理工学部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2025年度: 名城大学, 理工学部, 准教授 2016年度 – 2019年度: 名城大学, 理工学部, 助教 2015年度: 千葉大学, 学術研究推進機構産業連携研究推進ステーション, 特任研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連 / 電子・電気材料工学研究代表者以外大区分D / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 小区分21050:電気電子材料工学関連
キーワード	研究代表者窒化物半導体 / 半導体レーザー / 光熱偏向分光法 / AlInN / 面発光レーザー / 分光エリプソメトリー / 短周期超格子 / 1分子層InN / 吸収係数 / 深い準位 … もっと見る / サブバンドギャップ / 光吸収 / ギャップ内吸収 / 光学定数 / 混晶半導体 / 光吸収過程 / サブギャップ / １分子層InN / InGaN混晶 / 秩序混晶 / 擬似混晶（秩序混晶） … もっと見る研究代表者以外ワイドギャップ半導体 / 面発光レーザー / 光デバイス / トンネル接合 / 分極ドーピング / ガリウムヒ素系半導体 / 相関測定 / 分光エリプソメトリー法 / ビーム品質 / コンタクト比抵抗 / SCOWA / モードロック / 半導体増幅器 / 斜め導波路 / 半導体レーザ / バイセクション構造 / 無反射コート / GaAs系半導体 / 超短パルス隠す

ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却
- 研究代表者
  
  竹内哲也
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  名城大学
ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却
- 研究代表者
  
  竹内哲也
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分D
- 研究機関
  名城大学
次世代光源開発に資する窒化物系混晶半導体サブギャップ領域の光・熱物性制御指針解明研究代表者
- 研究代表者
  
  今井大地
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  名城大学
窒化物系混晶半導体のサブギャップ領域における光物性解明とLD用低損失光共振器開発研究代表者
- 研究代表者
  
  今井大地
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2021
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  名城大学
蛍光バイオイメージング用小型光源をめざした超短パルス半導体レーザの要素技術開発
- 研究代表者
  
  宮嶋孝夫
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  名城大学
InN/GaN短周期超格子による窒化物半導体レーザー導波光制御構造の高機能化研究代表者
- 研究代表者
  
  今井大地
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名城大学
短周期超格子による窒化物系擬似InGaN混晶の連続的バンドエンジニアリング研究代表者
- 研究代表者
  
  今井大地
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名城大学
   千葉大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Sub-bandgap optical absorption processes in 300-nm-thick Al1－xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template2024
- 著者名/発表者名
  Daichi Imai, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kouki Noda, Kyosuke Masaki, Kazutoshi Kubo, Mayu Nomura, Makoto Miyoshi, Takao Miyajima, Tetsuya Takeuchi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 135 号: 3
- DOI
  10.1063/5.0181231
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04956
[雑誌論文] Development of High-Reflectivity and Antireflection Dielectric Multilayer Mirrors for AlGaN-Based Ultraviolet-B Laser Diodes and their Device Applications2023
- 著者名/発表者名
  Ayumu Yabutani, Ryota Hasegawa, Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Daichi Imai, Sho Iwayama, Yoshito Jin, Tatsuya Matsumoto, Masamitsu Toramaru, Hironori Torii, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya
- 雑誌名
  
  Physica Status Soldi A
  
  巻: 220 号: 16 ページ: 831-837
- DOI
  10.1002/pssa.202200831
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04956, KAKENHI-PROJECT-22H00304
[雑誌論文] Near-bandgap optical properties of Al1－xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate2022
- 著者名/発表者名
  Hayata Toyoda, Yuto Murakami, Rino Miyata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, and Takao Miyajima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SA ページ: SA1017-SA1017
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac148a
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K15182
[雑誌論文] 分子線エピタキシー法により成長したGaAs系半導体レーザの室温パルス発振2020
- 著者名/発表者名
  宮嶋孝夫、荒川亮太、石川裕介、神林大介、森田悠斗、森本晃平、宇野光輝、下原光貴、今井大地、成塚重弥
- 雑誌名
  
  名城大学総合研究所　紀要
  
  巻: 25 ページ: 17-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02176
[雑誌論文] Analysis of the optical constants and bandgap energy in Al1-xInxN alloys grown on a c-plane freestanding GaN substrate by using spectroscopic ellipsometry2020
- 著者名/発表者名
  Daichi Imai, Yuto Murakami, Rino Miyata, Hayata Toyoda, Tomoaki Yamaji, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 12 ページ: 121001-121001
- DOI
  10.35848/1347-4065/abc29f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K15182, KAKENHI-PROJECT-19H02176
[雑誌論文] Growth kinetics and structural perfection of (InN)1/(GaN)n short-period superlattices on +c-GaN template in dynamic atomic layer epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Kazuhide Kusakabe, Naoki Hashimoto, Takaomi Itoi, Ke Wang, Daichi Imai, and Akihiko Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 108 号: 15
- DOI
  10.1063/1.4946860
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18036
[雑誌論文] Leak path passivation by in situ Al-N for InGaN solar cells operating at wavelengths up to 570 nm2016
- 著者名/発表者名
  Ke Wang, Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 108 号: 4
- DOI
  10.1063/1.4940970
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18036
[雑誌論文] Systematic study on dynamic atomic layer epitaxy of InN on/in +c-GaN matrix and fabrication of fine-structure InN/GaN quantum wells: Role of high growth temperature2016
- 著者名/発表者名
  Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Naoki Hashimoto, Eun-Sook Hwang, Daichi Imai, and Takaomi Itoi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 120 号: 22
- DOI
  10.1063/1.4967928
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18036
[雑誌論文] Systematic study on dynamic atomic layer epitaxy of InN on/in +c-GaN matrix and fabrication of fine-structure InN/GaN quantum wells: Impact of excess In-atoms at high growth temperature2016
- 著者名/発表者名
  Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Naoki Hashimoto, Daichi Imai, and Eun-Sook Hwang
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 120 号: 23
- DOI
  10.1063/1.4972027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18036
[雑誌論文] Proposal of leak path passivation for InGaN solar cells to reduce the leakage current2016
- 著者名/発表者名
  Ke Wang, Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 108 号: 9
- DOI
  10.1063/1.4942507
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18036
[雑誌論文] InN/GaN Short-Period Superlattices as Ordered InGaN Ternary Alloys2015
- 著者名/発表者名
  Kazuhide Kusakabe, Daichi Imai, Ke Wang, and Akihiko Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Physica Status Soldi C
  
  巻: * 号: 5-6 ページ: 1-4
- DOI
  10.1002/pssc.201510306
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18036
[学会発表] Characterizations of the thermal properties for nitride-based wide bandgap semiconductors by photothermal deflection spectroscopy2024
- 著者名/発表者名
  Mayu Nomura, Daichi Imai, and Takao Miyajima
- 学会等名
  ISPlasma/IC-PLANTS 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04956
[学会発表] GaN/Al1-xInxN多重積層構造におけるバンドギャップ内光吸収過程の解析2024
- 著者名/発表者名
  野田幸樹，小林憲汰, 今井大地, 竹内哲也, 宮嶋孝夫
- 学会等名
  第71回　応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] GaN/Al1-xInxN多重積層構造におけるバンドギャップ内光吸収過程の解析2024
- 著者名/発表者名
  野田幸樹、小林憲汰、今井大地、竹内哲也、宮嶋孝夫
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04956
[学会発表] 光熱偏向信号の周波数依存性解析によるGaNの熱伝導率評価2024
- 著者名/発表者名
  野村麻友、今井大地、宮嶋孝夫
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04956
[学会発表] Analysis of the sub-bandgap optical absorption in sub-100-nm-thick Al1-xInxN alloys by using photothermal deflection spectroscopy2024
- 著者名/発表者名
  Kouki Noda, Kana Shibata, Kenta Kobayashi, Daichi Imai, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, and Takao Miyajima
- 学会等名
  ISPlasma/IC-PLANTS 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04956
[学会発表] 利得スイッチ駆動させた青紫色 GaN 系半導体レーザからの短パルス光の偏光多重とピークパワーの増強2023
- 著者名/発表者名
  間渕勇多、太田翔也、鈴木晴道、今井大地、宮嶋孝夫
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02176
[学会発表] 光熱偏向分光法によるAl1-xInxN混晶薄膜のギャップ内光吸収過程評価2023
- 著者名/発表者名
  野田幸樹，村上裕人，豊田隼大, 柴田夏奈, 野村麻友, 市川颯人, 今井大地，宮嶋孝夫, 三好実人, 竹内哲也
- 学会等名
  第70回春季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04956
[学会発表] Analysis of the sub-bandgap optical absorption processes in Al1-xInxN thin films grown on a c-plane GaN/Sapphire template2023
- 著者名/発表者名
  Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, and Takao Miyajima
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] 光熱偏向分光法によるGaNトンネル接合中に形成されたバンドギャップ内準位の評価2023
- 著者名/発表者名
  市川颯人, 宇田陽, 野田幸樹, 今井大地, 竹内哲也, 宮嶋孝夫
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04956
[学会発表] 光熱偏向分光法による窒化物系混晶半導体薄膜の光・熱物性評価に関する理論的検討2023
- 著者名/発表者名
  野村麻友, 野田幸樹, 今井大地, 宮嶋孝夫
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04956
[学会発表] Analysis of the sub-bandgap optical absorption processes in Al 1 x In x N thin films grown on a c plane GaN/Sapphire template2023
- 著者名/発表者名
  Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04956
[学会発表] Analysis of the sub-bandgap optical absorption processes in 300 nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template by photothermal deflection spectroscopy2023
- 著者名/発表者名
  Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kazutoshi Kubo, Kyosuke Masaki, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, and Takao Miyajima
- 学会等名
  ISPlasma/IC-PLANTS 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04956
[学会発表] Structural Analysis of a Single Ga1 x In x N/GaN Multi quantum Shell by using an X-ray Nano beam from Synchrotron Radiation2023
- 著者名/発表者名
  Takao Miyajima, Takato Ichikawa, Nobuhiro Yasuda, Ryota Kobayashi, Shoya Ota, Yasuhiko Imai, Kazushi Sumitani, Shigeru Kimura, Tomoyo Nakao, Sakiko Enomoto, Shigeo Arai, Satoshi Kamiyama, Daichi Imai
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04956
[学会発表] 光熱偏向分光法によるGaNトンネル接合中に形成されたバンドギャップ内準位の評価2023
- 著者名/発表者名
  市川颯人, 宇田陽，野田幸樹, 今井大地, 竹内哲也, 宮嶋孝夫
- 学会等名
  第84回　応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H05460
[学会発表] 分光エリプソメトリーを用いたサファイア基板上Al1-x Inx N混晶のバンド端近傍における光学特性解析2022
- 著者名/発表者名
  豊田隼大, 村上裕人, 宮田梨乃, 今井大地, 宮嶋孝夫, 三好実人, 竹内哲也
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K15182
[学会発表] サファイア基板上Al1-x Inx N混晶薄膜における基礎吸収端以下の光吸収過程2022
- 著者名/発表者名
  村上裕人, 豊田隼大, 久保寿敏, 正木京介, 今井大地, 宮嶋孝夫, 三好実人, 竹内哲也,
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K15182
[学会発表] Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate2021
- 著者名/発表者名
  Hayata Toyoda, Yuto Murakami, Rino Miyata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima
- 学会等名
  ISPlasma 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K15182
[学会発表] Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate2021
- 著者名/発表者名
  Hayata Toyoda, Yuto Murakami, Rino Miyata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima
- 学会等名
  ISPlasma2021/IC-PLANTS2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K15182
[学会発表] 分光エリプソメトリーを用いたAl1-xInxN混晶の光学特性解析における誘電関数モデルの検討2021
- 著者名/発表者名
  豊田隼大，村上裕人，宮田梨乃，今井大地，宮嶋孝夫, 三好実人 , 竹内哲也
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K15182
[学会発表] Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate2021
- 著者名/発表者名
  Hayata Toyoda, Yuto Murakami, Rino Miyata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima
- 学会等名
  ISPlasma 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02176
[学会発表] 分光エリプソメトリーを用いたAl1-xInxN混晶の光学特性解析における誘電関数モデルの検討2021
- 著者名/発表者名
  豊田隼大，村上裕人，宮田梨乃，今井大地，宮嶋孝夫, 三好実人，竹内哲也
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02176
[学会発表] 分光エリプソメトリーを用いたAl1-xInxN混晶の光学特性解析における誘電関数モデルの検討2021
- 著者名/発表者名
  豊田隼大，村上裕人，宮田梨乃，今井大地，宮嶋孝夫, 三好実人, 竹内哲也
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K15182
[学会発表] 大型放射光施設SPring-8のX線マイクロビームを用いた単一Ga1-xInxN/GaN量子殻の局所構造評価2020
- 著者名/発表者名
  市川貴登，近藤剣，安田信広，今井康彦，中尾知代，荒井重勇，後藤七美，上山智，今井大地，宮嶋孝夫
- 学会等名
  2020年<第67回>春季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Pulsed-Laser Activation of Implanted Mg Acceptors in GaN Grown on a GaN Substrate2019
- 著者名/発表者名
  Takao Miyajima, Yusuke Yamada, Takato Ichikawa, Daichi Imai, and Toshiyuki Sameshima
- 学会等名
  ICNS-13 (2019) 13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Pendeo成長GaNを下地とした3次表面グレーティングを有する横結合分布帰還型GaN系半導体レーザの設計と作製2019
- 著者名/発表者名
  高木健太，安藤壮，片山竜二，上向井正裕，今井大地，竹内哲也，宮嶋孝夫
- 学会等名
  第66回春季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Optically Pumped GaN-based Laterally Coupled Distributed-feedback Semiconductor Lasers with 3rd-order Surface Gratings Grown on Pendeo-epitaxy GaN2019
- 著者名/発表者名
  Tsuyoshi Andou, Kenta Takagi, Yoshiki Morioka, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama, Daichi Imai, and Takao Miyajima
- 学会等名
  ICNS-13 (2019) 13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] パルスレーザによるGaNにイオン注入したMgアクセプターの活性化2019
- 著者名/発表者名
  宮嶋孝夫, 山田祐輔, 市川貴登, 今井大地, 鮫島俊之
- 学会等名
  2019年<第66回>応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Characterization of the Optical Constants in Al1-xInxN Alloys Grown on a c-Plane freestanding GaN Substrate; The effect of the potential fluctuations2019
- 著者名/発表者名
  Daichi Imai, Tomoaki Yamaji, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima
- 学会等名
  1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] 分子線エピタキシー法で成長したGaAs 系バイセクションレーザの設計と作製2019
- 著者名/発表者名
  川裕介，荒川亮太，神林大介，成塚重弥，今井大地，宮嶋孝夫
- 学会等名
  2019年<第88回>応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Optically Pumped GaN-Based Laterally Coupled Distributed-Feedback Semiconductor Lasers with 3rd-Order Surface Gratings Grown on Pendeo-Epitaxy GaN2019
- 著者名/発表者名
  T. Ando, K. Takagi, Y. Morioka, M. Uemukai, R. Katayama, D. Imai and T. Miyajima
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] xInxN混晶におけるバンド端近傍のポテンシャル揺らぎと光学定数2019
- 著者名/発表者名
  今井大地，山路知明，三好実人, 竹内哲也, 宮嶋孝夫
- 学会等名
  2019年<第66回>応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Pulsed-Laser Activation of Implanted Mg Acceptors in GaN Grown on a GaN Substrate2019
- 著者名/発表者名
  T. Miyajima,　Y. Yamada, T. Ichikawa, D. Imai and T. Sameshima
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] 半導体レーザーに応用されている窒化物系混晶半導体の光学特性解析2019
- 著者名/発表者名
  今井大地
- 学会等名
  第6回ニューフロンティアリサーチワークショップ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Characterization of Potential Fluctuations and Optical Constants in Al1-xInxN Alloys Grown on C-Plane GaN Substrate2019
- 著者名/発表者名
  Daichi Imai, Tomoaki Yamaji, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, and Takao Miyajima
- 学会等名
  ICNS-13 (2019) 13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] X線マイクロビーム回折を用いた単一Ga1-xInxN/GaN量子殻の局所構造評価2019
- 著者名/発表者名
  市川貴登，近藤剣，安田信広，隅谷和嗣，今井康彦，中尾知代，荒井重勇，後藤七美，上山智，今井大地，宮嶋孝夫
- 学会等名
  第7回応用物理学会スチューデントチャプター東海地区学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] パルスレーザによるGaNにイオン注入したMgアクセプターの活性化2019
- 著者名/発表者名
  宮嶋孝夫、山田祐輔、市川貴登、今井大地、鮫島俊之
- 学会等名
  第66回春季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Al1-xInxN混晶におけるバンド端近傍のポテンシャル揺らぎと光学定数の解析2019
- 著者名/発表者名
  今井大地、山路知明、三好実人、竹内哲也、宮嶋孝夫
- 学会等名
  第66回春季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] 分子線エピタキシー法で成長したGaAs系バイセクションレーザの設計と作製2019
- 著者名/発表者名
  石川裕介、荒川亮太、神林大介、成塚重弥、今井大地、宮嶋孝夫
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会 (2019 北海道大学札幌キャンパス)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02176
[学会発表] 放射光を使ったGaN系混晶半導体とGaN系量子殻の局所構造評価2019
- 著者名/発表者名
  宮嶋孝夫、清木良麻、近藤剣、市川貴登、伊奈稔哲、新田清文、宇留賀朋哉、鶴田一樹、隅谷和嗣、今井康彦、木村滋、安田伸広、三好実人、今井大地、竹内哲也、上山智
- 学会等名
  第66回春季応用物理学会学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Pendeo成長GaNを下地とした3次表面グレーティンを有する横結合分布帰還型 GaN系半導体レーザの設計と作製2019
- 著者名/発表者名
  高木健太，安藤壮，森岡佳紀，上向井正裕，片山竜二，今井大地，宮嶋孝夫
- 学会等名
  2019年<第66回>応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Structural analysis of Ga1-xInxN/GaN five-quantum wells grown on side-walls of GaN nano-wires by using an X-ray nano-beam from synchrotron radiation2019
- 著者名/発表者名
  T. Kondo, T. Ichikawa, H. Akasaka, K. Uno, R. Kobayashi, Y. Imai, K. Sumitani, S. Kimura, N. Goto, D. Imai, S. Kamiyama and T. Miyajima
- 学会等名
  Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Characterization of Potential Fluctuations and Optical Constants in Al1-xInxN Alloys Grown on C-Plane GaN Substrate2019
- 著者名/発表者名
  D. Imai, T. Yamaji, M. Miyoshi, T. Takeuchi and T. Miyajima
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] 放射光を使ったGaN系混晶半導体とGaN系量子殻の局所構造評価2019
- 著者名/発表者名
  宮嶋孝夫，清木良麻，近藤剣，市川貴登，伊奈稔哲，新田清文，宇留賀朋哉，鶴田一樹，隅谷和嗣，今井康彦，木村滋，安田伸広，三好実人，今井大地，竹内哲也，上山智
- 学会等名
  2019年<第66回>応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Structural analysis of m-plane Ga1-xInxN/GaN multi-quantum wells grown on GaN　nano-wires by using 1 -1 0 0 reflection of X-ray nano-beam2018
- 著者名/発表者名
  Tsurugi Kondo, Ryoma Seiki, Yasuhiko Imai, Kazushi Sumitani, Shigeru Kimura, Kenta Takagi, Nanami Goto, Daichi Imai, Satoshi Kamiyama, and Takao Miyajima
- 学会等名
  2018 International Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Optical Characterization of Ordered InGaN Ternary Alloys Based on (InN)1/(GaN)n Short-period Superlattices Grown by Dynamic Atomic Layer Epitaxy (D-ALEp)2018
- 著者名/発表者名
  Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
- 学会等名
  International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] (InN)1/(GaN)n短周期超格子による秩序InGaN混晶の物性評価2018
- 著者名/発表者名
  今井大地, 草部一秀, 吉川明彦
- 学会等名
  第10回窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] X線ナノビームによる1-100反射を用いたGaNナノワイヤ側壁上m面Ga1-xInxN/GaN量子井戸の構造評価2018
- 著者名/発表者名
  近藤剣、清木良麻、今井康彦、隅谷和嗣、木村滋2、高木健太、後藤七美、市川貴登、今井大地、上山智、宮嶋孝夫
- 学会等名
  第79回秋季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06360
[学会発表] Systematic study on dynamic atomic layer epitaxy (D-ALEp) of InN on/in GaN matrix and its application for fabricating ordered alloys in whole III-N system2016
- 著者名/発表者名
  A. Yoshikawa, K. Kusakabe, K. Wang, and D. Imai
- 学会等名
  2016 Lawrence symposium on epitaxy
- 発表場所
  Arizona, USA
- 年月日
  2016-02-20
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18036
[学会発表] Proposal of “1 ML” InN / GaN Matrix Coherent-Structure QW System and Its Application for Novel Structure Photonic Devices2015
- 著者名/発表者名
  A. Yoshikawa, K. Kusakabe, K. Wang, and D. Imai
- 学会等名
  Invited Lecture for IEEE Photonics Society
- 発表場所
  McGill University, Montreal, Canada
- 年月日
  2015-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18036
[学会発表] In-situ ellipsometry observation of Al adatoms and oxidation/nitridation processes for deactivating leak paths in nitride solar cells2015
- 著者名/発表者名
  Ke Wang, Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
- 学会等名
  11th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2015-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18036
[学会発表] Systematic study on dynamic atomic layer epitaxy (D-ALEp) of InN on/in GaN matrix and its extension for whole III-N (AlN/GaN/InN) system2015
- 著者名/発表者名
  A. Yoshikawa, K. Kusakabe, k. Wang, and D. Imai
- 学会等名
  9th Workshop on Frontiers in Electronics (WOFE-2015) & Workshop on Multifunctional Nanomaterials
- 発表場所
  San Juan, Commonwealth of Puerto Rico
- 年月日
  2015-11-15
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18036
[学会発表] InGaN quasi-ternary alloys based on (InN)1/(GaN)4 short-period superlattices2015
- 著者名/発表者名
  Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and Akihiko Yoshikawa
- 学会等名
  11th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2015-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18036
[学会発表] 1 ML InN/GaN matrix coherent-structure QW system and its evolution to short period superlattice-based InGaN ternary alloys2015
- 著者名/発表者名
  A. Yoshikawa, K. Kusakabe, K. Wang, and D. Imai
- 学会等名
  42nd Int. Conf. on Metallurgical Coatings and Thin Film
- 発表場所
  Town and Country Conv. Center, San Diego, CA, USA
- 年月日
  2015-04-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18036
[学会発表] Development of Superfine Structure One Monolayer-thick InN/GaN-Matrix MQW System using Novel ALEp Method: Dynamic-ALEp2015
- 著者名/発表者名
  A. Yoshikawa, K. Kusakabe, K. Wang, and D. Imai
- 学会等名
  15th International Conference on Atomic Layer Deposition ALD2015
- 発表場所
  Portland, Oregon, USA
- 年月日
  2015-06-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K18036

1. 上山智 (10340291)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
2. 竹内哲也 (10583817)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
3. 田中崇之 (10367120)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 岩谷素顕 (40367735)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 亀井利浩 (90356824)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 宮嶋孝夫 (50734836)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
7. 成塚重弥 (80282680)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
8. 秩父重英 (80266907)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 吉川明彦

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
10. 草部一秀

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
11. 王科

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 13件

今井 大地 IMAI DAICHI

研究課題

研究成果

共同研究者

ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

次世代光源開発に資する窒化物系混晶半導体サブギャップ領域の光・熱物性制御指針解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化物系混晶半導体のサブギャップ領域における光物性解明とLD用低損失光共振器開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

蛍光バイオイメージング用小型光源をめざした超短パルス半導体レーザの要素技術開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

InN/GaN短周期超格子による窒化物半導体レーザー導波光制御構造の高機能化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

短周期超格子による窒化物系擬似InGaN混晶の連続的バンドエンジニアリング研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Sub-bandgap optical absorption processes in 300-nm-thick Al1－xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Development of High-Reflectivity and Antireflection Dielectric Multilayer Mirrors for AlGaN-Based Ultraviolet-B Laser Diodes and their Device Applications2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Near-bandgap optical properties of Al1－xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 分子線エピタキシー法により成長したGaAs系半導体レーザの室温パルス発振2020

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Analysis of the optical constants and bandgap energy in Al1-xInxN alloys grown on a c-plane freestanding GaN substrate by using spectroscopic ellipsometry2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Growth kinetics and structural perfection of (InN)1/(GaN)n short-period superlattices on +c-GaN template in dynamic atomic layer epitaxy2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Leak path passivation by in situ Al-N for InGaN solar cells operating at wavelengths up to 570 nm2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

今井大地 IMAI DAICHI

[学会発表] 光熱偏向分光法によるGaNトンネル接合中に形成されたバンドギャップ内準位の評価2023