市村正也 ICHIMURA Masaya

研究者番号	30203110
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所属 (現在)	2025年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2023年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2013年度 – 2016年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2008年度 – 2010年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 2007年度: 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 2006年度 – 2007年度: 名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 教授 … もっと見る 2004年度 – 2006年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 2004年度 – 2005年度: 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 2003年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 助教授 2002年度: 名古屋工業大学, 工学部・電気情報工学科, 助教授 2000年度: 名古屋工業大学, 工学部, 助教授 1998年度 – 1999年度: 名古屋工業大学, 共同研究センター, 助教授 1995年度: 名古屋工業大学, 共同研究センター, 助教授 1992年度: 名古屋工業大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分36010:無機物質および無機材料化学関連 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子デバイス・機器工学 / 応用光学・量子光工学 / 応用物理学一般 / 応用物理学一般
キーワード	研究代表者電気化学堆積 / pn接合 / 太陽電池 / 伝導型制御 / 酸化スズ / 光化学堆積 / 化学堆積 / 価電子制御 / 薄膜堆積 / ドーピング … もっと見る / 水酸化マグネシウム / 水酸化物 / 酸化鉄 / electrode pattern / gold thin film / oxide thin film / semiconductor thin film / gas sensor / solar cell / photochemical deposition / 硫化亜鉛 / 透明導電膜 / CdZnS / ZnS / 電極パターン形成 / 金薄膜 / 酸化物薄膜 / 半導体薄膜 / ガスセンサー / 光化学堆積法 / ヘテロ接合 / ワイドギャップ半導体 / p型半導体 / ワイドギャップ / CuZnS / 原子間力顕微鏡 / 紫外線照射 / 水素センサー / プロセスシミュレーション / 拡がり抵抗測定 / SOI / 不純物拡散 / 光伝導 / 硫化カドミウム / フォトルミネッセンス / ラマン分光 / 相互拡散 / 格子不整 / ヘテロエピタキシー / ラマン分光法 … もっと見る研究代表者以外 new donor / buried oxide / 埋込酸化膜 / SOI / プロセスシミュレータ / 不純物拡散 / 埋込み酸化膜 / 極薄SOI / シリコンLSI / thin films / ZnO / wide gap oxide / terahertz radiation / ワイドギャップ / 酸化物薄膜 / 光学素子 / テラヘルツ / pair diffusion model / process simulator / recombination velocity of point defect density / carrier density distribution / μ-PCD method / SOI substrate / アンチモン / ひ素 / ニュードナー / 耐圧 / 界面電荷密度 / キャリア分布 / 拡散モデル / P拡散 / B拡散 / 発生ライフタイム / 界面再結合速度 / 対拡散モデル / 点欠陥再結合速度 / キャリア濃度分布 / μ-PCD法 / 埋め込み酸化膜 / SOI基板 / process simulation / impurity diffusion / spreading resistance / carrier concentration / active layer / ultra thin SOI / silicon LSI / シミュレーションモデル / 低消費電力LSI / LSI / 格子間Si / シュミレーションモデル / シリコン / プロセスシミュレーション / 拡がり抵抗法 / キャリア濃度 / 活性層 / X字状成長 / 低温成長 / 直接成長 / グラフェン / Ｘ字状成長 / フォースセンサー / ピエゾ効果 / ZnOナノロッド / 還元作用 / 酸化物 / プラズマCVD法 / カーボンナノチューブ隠す

水酸化マグネシウムの価電子制御：水酸化物エレクトロニクスの可能性研究代表者
- 研究代表者
  
  市村正也
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
- 研究機関
  名古屋工業大学
電気化学堆積による酸化鉄pn接合太陽電池の作製研究代表者
- 研究代表者
  
  市村正也
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  名古屋工業大学
成長様式を制御したＺｎＯナノロッドから創る高感度ピエゾセンサーに関する研究
- 研究代表者
  
  市川洋
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  名古屋工業大学
新しいp型ワイドギャップ半導体CuxZnyS研究代表者
- 研究代表者
  
  市村正也
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
光化学堆積と光化学ドーピングによる室温動作薄膜水素センサーの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  市村正也
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋工業大学
ワイドギャップ酸化物薄膜のテラヘルツ・新光学素子への展開
- 研究代表者
  
  市川洋
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
カーボンナノチューブのマイクロ・アクチュエーターへの展開
- 研究代表者
  
  市川洋
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  名古屋工業大学
機能性薄膜の新しい製造方法:光化学堆積法研究代表者
- 研究代表者
  
  市村正也
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
ナノメータLSI用極薄SOI基板の結晶評価と不純物拡散モデリングの研究
- 研究代表者
  
  荒井英輔
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
ナノメータLSI用離散的拡散シミュレーション技術の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  市村正也
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  名古屋工業大学
ナノメーターLSI用SOI基板中の不純物拡散モデリングの研究
- 研究代表者
  
  荒井英輔
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
電気化学堆積法によるCdS薄膜の物性評価と光電子素子への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  市村正也
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
顕微ラマン分光によるヘテロエピタキシャル成長層の歪緩和の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  市村正也
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋工業大学

[雑誌論文] Dip-dry deposition of semiconducting aluminum oxide-hydroxide thin films2024
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura, C. Baixian, T. Li
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 63 号: 1 ページ: 018001-018001
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad1423
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K05268
[雑誌論文] Theoretical study of doping in GaOOH for electronics applications2023
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura
- 雑誌名
  
  Electron. Mater.
  
  巻: 4 号: 4 ページ: 148-157
- DOI
  10.3390/electronicmat4040013
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K05268
[雑誌論文] Fabrication of Transparent ZnO/Cu-Mg(OH)2 Heterojunction Diodes by Electrochemical Deposition2022
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura, M. Tanaka, T. Li
- 雑誌名
  
  Solid St. Electron.
  
  巻: 198 ページ: 108479-108479
- DOI
  10.1016/j.sse.2022.108479
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K05268
[雑誌論文] Pulse electrochemical deposition of Cu-doped p-type Fe-O thin films and fabrication of n-Fe-O/p-Fe-O solar cells2020
- 著者名/発表者名
  Takayanagi Ryohei、Ichimura Masaya
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 11 ページ: 111002-111002
- DOI
  10.35848/1347-4065/abc49c
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04232
[雑誌論文] Fabrication of photovoltaic FeSxOy/ZnO heterostructures by electrochemical deposition2019
- 著者名/発表者名
  Ji Wen、Ichimura Masaya
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 5 ページ: 050922-050922
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab1975
- NAID
  210000155744
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04232
[雑誌論文] Electrochemical deposition of Cu-doped p-type iron oxide thin films2018
- 著者名/発表者名
  S. Kobayashi and M. Ichimura
- 雑誌名
  
  Semicond. Sci. Technol.
  
  巻: 33 号: 10 ページ: 105006-105006
- DOI
  10.1088/1361-6641/aad76a
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04232
[雑誌論文] Deposition of p-type wide-gap semiconductor CuxZnyS2017
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura
- 雑誌名
  
  AIP Conf. Proc.
  
  巻: 1788 ページ: 020005-020005
- DOI
  10.1063/1.4968253
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[雑誌論文] Annealing of p-type wide-gap CuxZnyS thin films deposited by the photochemical deposition method2016
- 著者名/発表者名
  Bayingaerdi Tong and M. Ichimura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 9 ページ: 098004-098004
- DOI
  10.7567/jjap.55.098004
- NAID
  210000147086
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[雑誌論文] Effects of annealing on properties of electrochemically deposited CuxZnyS thin films2016
- 著者名/発表者名
  Bayingaerdi Tong and M. Ichimura
- 雑誌名
  
  Transaction of Material Research Society of Japan
  
  巻: 41 ページ: 0-0
- NAID
  130005263765
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[雑誌論文] Effects of annealing on properties of electrochemically deposited Cu<sub>x</sub>Zn<sub>y</sub>S thin films2016
- 著者名/発表者名
  Bayingaerdi Tong and M. Ichimura
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: 41 号: 3 ページ: 255-258
- DOI
  10.14723/tmrsj.41.255
- NAID
  130005263765
- ISSN
  1382-3469, 2188-1650
- 言語
  英語
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[雑誌論文] Heterojunctions Based on Photochemically Deposited CuxZnyS and Electrochemically Deposited ZnO2015
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura and Y. Maeda
- 雑誌名
  
  Solid State Electronics
  
  巻: 107 ページ: 8-10
- DOI
  10.1016/j.sse.2015.02.016
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[雑誌論文] Fabrication of transparent CuxZnyS/ZnS heterojunction diodes by photochemical deposition2015
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura and Y. Maeda
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 12 号: 6 ページ: 504-507
- DOI
  10.1002/pssc.201400229
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[雑誌論文] Conduction type of nonstoichiometric alloy semiconductor CuxZnyS deposited by the photochemical deposition method2015
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura and Y. Maeda
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 594 ページ: 277-281
- DOI
  10.1016/j.tsf.2015.04.071
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[雑誌論文] Properties of Gas Sensors Based on Photochemically Deposited Nanocrystalline SnO_2 Films2010
- 著者名/発表者名
  M.Ichimura, Aodengbaoleer, T.Sueyoshi
- 雑誌名
  
  Phys.Status Solidi C Vol.7
  
  ページ: 1168-1171
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560323
[雑誌論文] Properties of gas sensors based on photochemically deposited nanocrystalline SnO_2 films2010
- 著者名/発表者名
  M.Ichimura, Aodengbaoleer, T.Sueyoshii
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 7
  
  ページ: 1168-1171
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560323
[雑誌論文] Room Temperature Gas Sensor with a High Sensitivity to Hydrogen Based on SnO_2 Films Prepared by Photochemical Techniques2009
- 著者名/発表者名
  M.Ichimura, T.Sueyoshi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
  
  ページ: 15503-15503
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560323
[雑誌論文] Room Temperature Gas Sensor with a High Sensitivity to Hydrogen Based on SnO_2 Films Prepared by Photochemical Techniques2009
- 著者名/発表者名
  M.Ichimura, T.Sueyoshi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.48
  
  ページ: 15503-15503
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560323
[雑誌論文] Photovoltaic cells based on pulsed electrochemically deposited SnS and photochemically deposited CdS and Cd_<1-x>Zn_xS2007
- 著者名/発表者名
  M.Gunasekaran, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Solar Energy Mater. Solar Cells (印刷中)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Optical and Electrical Characterization of Photochemically Deposited CdS and Cd_<1-x>Zn_xS Alloys2006
- 著者名/発表者名
  M.Gunasekaran, P.Ramasamy, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  J. Electrochem. Soc. Vol.153 No.6
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Preparation of ternary Cd_<1-x>Zn_xS alloy by photochemical deposition (PCD) and its application to photovoltaic devices2006
- 著者名/発表者名
  M.Gunasekaran, P.Ramasamy, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (c) Vol.3, No.8
  
  ページ: 2656-2660
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Preparation of ternary Cdi_<1-x>Zn_xS alloy by photochemical deposition (PCD) and its application to photovoltaic devices2006
- 著者名/発表者名
  M.Gunasekaran, P.Ramasamy, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Sol (c) Vol.3, No.8
  
  ページ: 2656-2660
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Room-Temperature Hydrogen Sensing Properties of SnO_2 Thin Films Fabricated by the Photochemical Deposition and Doping Methods2006
- 著者名/発表者名
  D.Ito, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45 No.9
  
  ページ: 7094-7096
- NAID
  10018246466
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Optical and Electrical Characterization of Photochemically Deposited CdS and Cdi_<1-x>Zn_xS Alloys2006
- 著者名/発表者名
  M.Gunasekaran, P.Ramasamy, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  J.Electrochem.Soc. Vol.153
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Room-Temperature Hydrogen Sensing Properties of SnO_2 Thin Films Fabricated by the Photochemical Deposition and Doping Methods2006
- 著者名/発表者名
  D.Ito, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45
  
  ページ: 7094-7096
- NAID
  10018246466
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Preparation of ternary Cd_<1-x>Zn_xS alloy by photochemical deposition (PCD) and its application to photovoltaic devices2006
- 著者名/発表者名
  M.Gunasekaran, P.Ramasamy, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (c) Vo1.3, No. 8
  
  ページ: 2656-2660
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Optical and Electrical Characterization of Photochemically Deposited CdS and Cd_<1-x>Zn_xS Alloys2006
- 著者名/発表者名
  M.Gunasekaran, P.Ramasamy, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  J. Electrochem. Soc. Vol.153 NO.6
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Deposition of Cdi_<1-x>Zn_xS (0<x<1) Alloys by Photochemical Deposition Technique2005
- 著者名/発表者名
  M.Gunasekaran, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44
  
  ページ: 7345-7350
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Deposition of Cd_<1-x>Zn_xS(0 <x <1) Alloys by Photochemical Deposition Technique2005
- 著者名/発表者名
  M.Gunasekaran, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 44(10)
  
  ページ: 7345-7345
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Deposition of Cd_<1-x>Zn_xS (0<x<l) Alloys by Photochemical Deposition Technique2005
- 著者名/発表者名
  M.Gunasekaran, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.44,No.10
  
  ページ: 7345-7350
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Photochemical Deposition of ZnS Thin Films by Intermittent Illumination2004
- 著者名/発表者名
  M.Ichimura, R.Kobayashi, T.Miyawaki
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.43, No.9AB
- NAID
  10013572911
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Conduction type change with annealing in thin silicon-on-insulator wafers2004
- 著者名/発表者名
  Y.Shibata, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics 48
  
  ページ: 1249-1252
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Photochemical Deposition of ZnS Thin Films by Intermittent Illumination2004
- 著者名/発表者名
  M.Ichimura, R.Kobayashi, T.Miyawaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43,No.9
- NAID
  10013572911
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Fabrication of SnO_2 Thin Films by a Photochemical Deposition Method2004
- 著者名/発表者名
  M.Ichimura, K.Shibayama, K.Masui
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.466, No.1-2
  
  ページ: 34-34
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[雑誌論文] Interface recombination velocity of silicon-on-insulator wafers measured by microwave reflectance photoconductivity decay method with electric field2003
- 著者名/発表者名
  T.Kuwayama, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Letters 83
  
  ページ: 928-930
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Applicability of Phosphorus and Boron Diffusin Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Si and Silicon-on-Insulaor2003
- 著者名/発表者名
  E.Arai, D.Iida, H.Asai, Y.Ieki, H.Uchida, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
  
  ページ: 1503-1510
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] As and Sb Diffusion in Thin Silicon-on-Insulator Wafers2003
- 著者名/発表者名
  Y.Shibata, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
  
  ページ: 4282-4283
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Sb Pile-up at Oxide and Si Interface during Drive-in Process after Predeposition Using Doped Oxide Source2003
- 著者名/発表者名
  T.Ichino, H.Uchida, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
  
  ページ: 1139-1144
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Applicability of Phosphorus and Boron Diffusion Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Silicon and Silicon-on-Insulator2003
- 著者名/発表者名
  E.Arai, D.Iida, H.Asai, Y.Ieki, H.Uchida, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
  
  ページ: 1503-1510
- NAID
  80015914766
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Changes in carrier profiles of bonded SOI wafers with thermal annealing measured by the spreading resistance method2002
- 著者名/発表者名
  M.Ichimura, S.Ito, E.Arai
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics 46
  
  ページ: 545-553
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Boron Diffusion Profiles in Ultrathin Silicon-on-Insulator Structvires and Their Relation to Crystalline Quality2002
- 著者名/発表者名
  H.Uchida, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 41
  
  ページ: 4436-4441
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] As and Sb diffusion profiles in thin silicon-on-insulator2002
- 著者名/発表者名
  Y.Shibata, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 3^<rd> International Workshop on Junction Technology
  
  ページ: 89-90
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Applicability of Phosphorus and Boron Diffusion Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Si and Silicon-on-Insulator2002
- 著者名/発表者名
  E.Arai, D.Iida, H.Asai, Y.Ieki, H.Uchida, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
  
  ページ: 1503-1510
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Boron Diffusion Profiles in Ultrathin Silicon-on-Insulator Structures and Their Relation to Crystalline Quality2002
- 著者名/発表者名
  H.Uchida, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 41
  
  ページ: 4436-4441
- NAID
  110006341535
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] As and Sb diffusion profiles in thin silicon-on-insulator wafers2002
- 著者名/発表者名
  Y.Shibata, M.Ichimura, E.Arai
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 3^<rd> International Workshop on Junction Technology
  
  ページ: 89-90
- NAID
  130004531037
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550323
[雑誌論文] Photovoltaic cells based on pulsed electrochemically deposited SnS and photochemically deposited CdS and Cdi_<1-x>Zn_xS
- 著者名/発表者名
  M.Gunasekaran, M.Ichimura
- 雑誌名
  
  Solar Energy Mater.Solar Cells (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560006
[学会発表] Dip-dry Deposition of Semiconducting Al-O Thin Films2023
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura, C. Baixian, T. Li
- 学会等名
  Grand Meeting MRM&ICA2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K05268
[学会発表] Possibility of Doping in GaOOH2023
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura
- 学会等名
  Grand Meeting MRM&ICA2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K05268
[学会発表] Fe2O3-based pn junction solar cells with a Mg(OH)2 interface layer2022
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura, R. Takayanagi
- 学会等名
  Symposium on Earth-Abundant Materials for Future Photovoltaics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04232
[学会発表] 中間層に水酸化マグネシウム薄膜を用いた酸化鉄薄膜太陽電池の作製2022
- 著者名/発表者名
  村上諒、市村正也
- 学会等名
  2022年応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04232
[学会発表] Fe2O3-based pn junction solar cell fabricated by electrochemical deposition2019
- 著者名/発表者名
  S. Kobayashi and M. Ichimura
- 学会等名
  Materials Research Meeting 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04232
[学会発表] 電気化学堆積法による酸化鉄薄膜太陽電池の作製2019
- 著者名/発表者名
  高柳、市村
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04232
[学会発表] 酒石酸添加三段パルス電気化学堆積によるFeSxOy薄膜の作製とZnO/FeSxOyヘテロ接合太陽電池の作製2018
- 著者名/発表者名
  W. Ji and M. Ichimura
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04232
[学会発表] Deposition of p-type wide-gap semiconductor CuxZnyS2016
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura
- 学会等名
  Int. Conf. Eng. Sci. Nanotechnol.
- 発表場所
  Solo, Indonesia
- 年月日
  2016-08-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[学会発表] Photochemical Deposition of p-type wide-gap semiconductor CuxZnyS2016
- 著者名/発表者名
  Masaya Ichimura
- 学会等名
  Intl. Conf. Engineering, Science and Nanotechnology
- 発表場所
  Solo, インドネシア
- 年月日
  2016-08-03
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[学会発表] Stability of electrochemically deposited Cu-Zn-S-O thin films2015
- 著者名/発表者名
  Bayingaerdi Tong and Masaya Ichimura
- 学会等名
  The 25th Annual Meeting of MRS-J A1:Functional Oxide Materials Symposium
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2015-12-09
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[学会発表] Fabrication of transparent CuxZnyS/ZnS heterojunction diodes2014
- 著者名/発表者名
  Y. Maeda and M. Ichimura
- 学会等名
  Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds　2014.9.2
- 発表場所
  新潟
- 年月日
  2014-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[学会発表] Heterojunctions Based on Photochemically Deposited CuxZnyS and Electrochemically Deposited ZnO2014
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura, and Y. Maeda
- 学会等名
  IUMRS Int. Conf. in Asia （ICA) 2014
- 発表場所
  台北
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[学会発表] Conduction type of nonstoichiometric alloy semiconductor CuxZnyS deposited by the photochemical deposition method2014
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura, and Y. Maeda
- 学会等名
  Int. Symp. Transparent Conductive Materials　2014
- 発表場所
  ギリシャ、クレタ島
- 年月日
  2014-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[学会発表] UV irradiation effects on hydrogen sensors based on SnO_2 thin films fabricated by the photochemical deposition2010
- 著者名/発表者名
  Dengbaoleer An, M.Ichimura
- 学会等名
  Renewable Energy 2010
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2010-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560323
[学会発表] UV irradiation effects on hydrogen sensors based on SnO_2 thin films fabricated by the photochemical deposition2010
- 著者名/発表者名
  Dengbaoleer Ao, Masaya Ichimura
- 学会等名
  RENEWABLE ENERGY 2010
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2010-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560323
[学会発表] Properties of gas sensors based on photochemically deposited nanocrystalline SnO_2 films2009
- 著者名/発表者名
  M.Ichimura
- 学会等名
  23rd Int. Conf. Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
- 発表場所
  Utrecht, Netherlands
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560323
[学会発表] Properties of gas sensors based on photochemically deposited nanocrystalline SnO_2 films2009
- 著者名/発表者名
  M.Ichimura, Aodengbaoleer, T.Sueyoshi
- 学会等名
  23rd Int.Conf Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
- 発表場所
  Utrecht, Netherlands
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560323
[学会発表] Photochemical Deposition of Transparent p-type Alloy CuxZnyS and Its Applicaiton for Heterostructure Photovoltaic Cells
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura, Mandula, and Y. Kai
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[学会発表] 光化学堆積法による透明p型CuxZnyS 薄膜の作製及びヘテロ接合への応用
- 著者名/発表者名
  前田、市村
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286
[学会発表] Photochemical Deposition of Oxide and Sulfide Semiconductor Thin Films and Their Application for Gas Sensors and Solar Cells
- 著者名/発表者名
  M. Ichimura
- 学会等名
  IUMRS-Int. Conf. Electronic Materials 2014
- 発表場所
  台北
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420286

1. 内田秀雄 (10293739)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 6件
2. 荒井英輔 (90283473)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 12件
3. 市川洋 (10314072)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 邵春林 (20242828)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 吉田正幸 (80038984)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 加藤正史 (80362317)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 猿倉信彦 (40260202)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 宇佐美晶 (90024265)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 和田隆夫 (60023040)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 内藤隆 (80242907)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

市村 正也 ICHIMURA Masaya

研究課題

研究成果

共同研究者

水酸化マグネシウムの価電子制御：水酸化物エレクトロニクスの可能性研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

電気化学堆積による酸化鉄pn接合太陽電池の作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

成長様式を制御したＺｎＯナノロッドから創る高感度ピエゾセンサーに関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新しいp型ワイドギャップ半導体CuxZnyS研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

光化学堆積と光化学ドーピングによる室温動作薄膜水素センサーの作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ワイドギャップ酸化物薄膜のテラヘルツ・新光学素子への展開

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

カーボンナノチューブのマイクロ・アクチュエーターへの展開

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

機能性薄膜の新しい製造方法:光化学堆積法研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノメータLSI用極薄SOI基板の結晶評価と不純物拡散モデリングの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノメータLSI用離散的拡散シミュレーション技術の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

ナノメーターLSI用SOI基板中の不純物拡散モデリングの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電気化学堆積法によるCdS薄膜の物性評価と光電子素子への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

顕微ラマン分光によるヘテロエピタキシャル成長層の歪緩和の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

市村正也 ICHIMURA Masaya