和泉亮 Izumi Akira

研究者番号	30223043
外部サイト
所属 (現在)	2025年度: 九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授 2015年度: 九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授 2013年度 – 2014年度: 九州工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2009年度: 九州工業大学, 工学研究院, 教授 2008年度: 九州工業大学, 工学研究院, 准教授 … もっと見る 2007年度: 九州工業大学, 工学部, 准教授 2005年度 – 2006年度: 九州工業大学, 工学部, 助教授 2002年度 – 2003年度: 九州工業大学, 工学部, 助教授 1998年度 – 2002年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助手 1996年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子デバイス・機器工学 / 固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温) / 工学 / 理工系 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者表面窒化 / シリコン窒化膜 / Cat-CVD / ラジカル / 極薄酸化膜 / SiCN / HMDS / silicon nitride / ammmonia / nitridation … もっと見る / Hot wire / シリコン炭窒化膜 / ヘキサメチルジシラザン / アンモニア分解種 / ホットワイヤー / 界面準位 / 絶縁物 / 熱処理 / 表面改質 / 触媒窒化 / HRTEM / 触媒CVD / MIS / C-V / HWCVD / XPS / アンモニア分 / 低温窒化 / 低温酸化 / ゲート絶縁膜 / SiO_2 … もっと見る研究代表者以外 MITT / Ti / Cat-CVD / Rare Earth Doped Fullerenes / Fullerene Polymer / Carrier Control / Carrier Injection / Interface Modification / Self-Assembled Monolayer / Field Effect Transistor / Fullerene / MBE / 誘電異常 / 分子回転 / 金属内包フラーレン / 強磁性 / ネットワーク構造 / インターカレーション / ドーピング / カーボンナノチューブ / 希土類ドープフラーレン / フラーレンポリマー / キャリヤ数制御 / 電荷注入 / 界面修飾 / 自己組織化単分子膜 / 電界効果トランジスタ / フラーレン / liquid crystal display / thin film transistor / lithography / patterning / in-print method / 液晶ディスプレイ / 薄膜トランジスタ / パターン転写 / リソグラフィー / インプリント技術 / anodic oxidation / TiOx / nano-technology / super-micro-technology / ナノテクノリジ- / 陽極酸化 / Ti酸化物 / ナノテクノロジー / 超微細加工 / 反応ダイナミクス / 氷表面 / 水素分子生成 / スピン効果 / 水氷表面 / 反応ダイナミックス / スピン偏極原子 / 吸着脱離 / シリコン表面 / 水素原子 / 太陽電池 / 窒化シリコン / 微結晶シリコン / アモルファスシリコン / 薄膜 / ホットワイアCVD / 触媒化学気相成長 / 低温成長 / 真空エジェクタポンプ / アルゴン / シラン / シリコン膜 / 常圧CVD / ホットワイヤ-CVD 隠す

高密度ラジカル酸化による極薄酸化膜の創成研究代表者
- 研究代表者
  
  和泉亮
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  九州工業大学
高密度ラジカル法による界面制御層を導入したパワーデバイス用絶縁膜の形成研究代表者
- 研究代表者
  
  和泉亮
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  九州工業大学
水素－表面反応基礎過程；スピン効果、反応ダイナミックス、及び星間水素分子の起源
- 研究代表者
  
  並木章
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2009
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  九州工業大学
高密度ラジカル処理法による基板表面の超親水化と高品質絶縁膜の形成研究代表者
- 研究代表者
  
  和泉亮
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  九州工業大学
界面制御層を導入した高品質ゲート絶縁膜の低温形成研究代表者
- 研究代表者
  
  和泉亮
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  九州工業大学
新物質合成・FETデバイス構造によるフラーレン化合物の電子相制御
- 研究代表者
  
  岩佐義宏
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
- 研究機関
  東北大学
活性ラジカルを用いたミリコン集積回路用ゲート絶縁膜の低温形成研究代表者
- 研究代表者
  
  和泉亮
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
液晶ディスプレイの廉価な次世代生産技術
- 研究代表者
  
  松村英樹
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  地域連携推進研究費
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
触媒化学気相成長法によるシリコン系薄膜の成長プロセス
- 研究代表者
  
  松村英樹
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
常圧触媒CVD(Cat-CVD)法
- 研究代表者
  
  松村英樹
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
金属/金属酸化物絶縁体/金属・トンネル接合を用いた新トランジスタ
- 研究代表者
  
  松村英樹
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学

すべて 2015 2009 2008 2007 2006 その他

すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] 低温ポリシリコン薄膜トランジスターの開発第9章HWCVD(Cat-CVD)法による薄膜の成膜技術2006
- 著者名/発表者名
  浦岡行治(監修), 和泉亮
- 総ページ数
  342
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560009
[雑誌論文] Crystalization of D2O thin films on Ru(001) surfaces2009
- 著者名/発表者名
  T. Yamauchi, K. Mine, Y. Nakashima, A. Izumi, A. Namiki
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. 256
  
  ページ: 1124-1127
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17002011
[雑誌論文] Crtstakuzatuib of D_2O thin films on Ru (001) surfaces2009
- 著者名/発表者名
  T.Yamauchi, K.Mine, Y.Nakashima, A.Izumi, A.Namiki
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 256
  
  ページ: 1124-1127
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17002011
[雑誌論文] Oxidation and reduction of thin Ru films by gas plasma2008
- 著者名/発表者名
  Y. Iwasaki, A. Izumi, H. Tsurumaki, A. Namiki, H. Oizumi, I. Nishiyama
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. 253
  
  ページ: 8699-8704
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17002011
[雑誌論文] Oxidation and reduction of thin Ru films by gas plasma2007
- 著者名/発表者名
  Y.Iwasaki, A.Izumi, H.Tsurumaki, A.Namiki, H.Oizumi, I.Nishiyama
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17002011
[雑誌論文] Reduction of oxide layer on various metal surfaces by atomic-hydrogen treatment2006
- 著者名/発表者名
  A.Izumi, T.Ueno, Y.Miyazaki, H.Oizumi, I.Nishiyama
- 雑誌名
  
  Ext. abs. 4th Int. conf. Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process
  
  ページ: 314-316
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560009
[雑誌論文] Deposition of SiCN films using organic liquid materials by HWCVD2006
- 著者名/発表者名
  A.Izumi, K.Oda
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 501
  
  ページ: 195-197
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560009
[雑誌論文] Evaluation of corrosion resistance of SiCN films deposited by HWCVD using organic liquid materials2006
- 著者名/発表者名
  T.Nakayamada, K.Matsuo, Y.Hayashi, A.Izumi, Y.Kadotani
- 雑誌名
  
  Ext. abs. 4th Int. conf. Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process
  
  ページ: 234-236
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560009
[雑誌論文] Ultra thin silicon nitride prepared by direct nitridation using ammonia decomposed species2006
- 著者名/発表者名
  Akira Izumi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 501
  
  ページ: 157-159
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560009
[雑誌論文] Deposition of SiCN films using organic liquid materials by HWCVD method2006
- 著者名/発表者名
  Akira Izumi, Koshi Oda
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 501
  
  ページ: 195-197
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560009
[雑誌論文] Ultra thin silicon nitride prepared by direct nitridation using ammonia decomposed species2006
- 著者名/発表者名
  A.Izumi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 501
  
  ページ: 157-159
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560009
[雑誌論文] Evaluation of corrosion resistance of SiCN films deposited by HWCVD using organic liquid materials2006
- 著者名/発表者名
  T.Nakayamada, K.Matsuo, Y.Hayashi, A.Izumi, Y.KAdotani
- 雑誌名
  
  Ext. abs. 4th Int. conf. Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process
  
  ページ: 234-236
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560009
[雑誌論文] Evaluation of corrosion resistance of SiGN films deposited by HWCVD using organic liquid materials2006
- 著者名/発表者名
  T.Nakayamada, K.Matsuo, Y.Hayashi, A.Izumi, Y.KAdotani
- 雑誌名
  
  Ext. abs. 4th Int. conf. Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process
  
  ページ: 234-236
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560009
[産業財産権] 原子状水素定量方法及びその装置2008
- 発明者名
  並木章, 和泉亮, 鶴巻浩
- 権利者名
  国立大学法人九州工業大学
- 取得年月日
  2008-02-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17002011
[学会発表] 窒化層を導入したSiCN/Si(100)の絶縁特性2015
- 著者名/発表者名
  林田祥吾、和泉亮
- 学会等名
  応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  琉球大学工学部
- 年月日
  2015-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420290
[学会発表] Si基板上に堆積したSiCN膜の機械的特性調査および熱処理効果の検討2015
- 著者名/発表者名
  山本賢宏、山田知宏、門谷豊、和泉亮
- 学会等名
  第12回Cat-CVD研究会
- 発表場所
  名古屋大学大学院工学研究科
- 年月日
  2015-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420290
[学会発表] HWCVD法により堆積したSiCN/SI(100)の熱処理による電気的特性の向上2015
- 著者名/発表者名
  林田祥吾、井上洋平、和泉亮
- 学会等名
  九州表面・真空研究会2015
- 発表場所
  九州工業大学工学部
- 年月日
  2015-06-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420290
[学会発表] IRAS study on crystallization process of thin D_2O ice films on Ru(0001) surface2008
- 著者名/発表者名
  K. Mine, Y, Nakashima, T. Yamauchi, A. Izumi, and A. Namiki
- 学会等名
  The 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia
- 発表場所
  松江、くにびきメッセ
- 年月日
  2008-10-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17002011
[学会発表] HW 法により堆積したSiCN 膜の電気的特性
- 著者名/発表者名
  森田慎弥、井上洋平、和泉　亮
- 学会等名
  応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎大学工学部
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420290
[学会発表] 窒化層導入したSiCN/Si(100)の電気的特性評価
- 著者名/発表者名
  井上洋平、森田慎弥、和泉亮
- 学会等名
  第11回Cat-CVD研究会
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2014-07-11 – 2014-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420290
[学会発表] HWCVD法により成膜したSiCN膜の剥離強度特性～熱処理効果の検討～
- 著者名/発表者名
  伊勢田徹平、中上昌俊、山本賢宏、山田知広、門谷豊、和泉亮
- 学会等名
  応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  大分大学
- 年月日
  2014-12-06 – 2014-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420290
[学会発表] Evaluation of friction coefficient of silicon carbon nitride films deposited by HWCVD
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Yamada, Masatoshi Nakagami, Yutaka Kadotani, Akira Izumi
- 学会等名
  The 15th IUMRS-International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2014)
- 発表場所
  Fukuoka
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420290
[学会発表] Adhesion properties of SiCN films deposited by hot-wire chemical deposition
- 著者名/発表者名
  Teppei Iseda, Masatoshi Nakagami, Tomohiro Yamada, Yutaka Kadotani, Akira Izumi
- 学会等名
  HWCVD 8 Conference
- 発表場所
  Braunschweig (Germany)
- 年月日
  2014-10-13 – 2014-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420290

1. 松村英樹 (90111682)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
2. 増田淳 (30283154)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
3. 並木章 (40126941)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
4. 新田晃平 (70260560)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 寺野稔 (90251975)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 岩佐義宏 (20184864)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 小林慎一郎 (20361173)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 竹延大志 (70343035)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 田口康二郎 (70301132)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 梅本宏信 (80167288)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 野々村修一 (80164721)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 小長井誠 (40111653)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 鶴巻浩 (20315162)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
14. 山内貴志 (70419620)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
15. 成田克 (30396543)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 稲永征司 (30093959)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 内藤正路 (60264131)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 孫勇 (60274560)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 木田健一郎

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

和泉 亮 Izumi Akira

研究課題

研究成果

共同研究者

高密度ラジカル酸化による極薄酸化膜の創成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高密度ラジカル法による界面制御層を導入したパワーデバイス用絶縁膜の形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

水素－表面反応基礎過程；スピン効果、反応ダイナミックス、及び星間水素分子の起源

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高密度ラジカル処理法による基板表面の超親水化と高品質絶縁膜の形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

界面制御層を導入した高品質ゲート絶縁膜の低温形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新物質合成・FETデバイス構造によるフラーレン化合物の電子相制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

活性ラジカルを用いたミリコン集積回路用ゲート絶縁膜の低温形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

液晶ディスプレイの廉価な次世代生産技術

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

触媒化学気相成長法によるシリコン系薄膜の成長プロセス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

常圧触媒CVD(Cat-CVD)法

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属/金属酸化物絶縁体/金属・トンネル接合を用いた新トランジスタ

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] 低温ポリシリコン薄膜トランジスターの開発 第9章HWCVD(Cat-CVD)法による薄膜の成膜技術2006

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[雑誌論文] Crystalization of D2O thin films on Ru(001) surfaces2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Crtstakuzatuib of D_2O thin films on Ru (001) surfaces2009

和泉亮 Izumi Akira

[図書] 低温ポリシリコン薄膜トランジスターの開発第9章HWCVD(Cat-CVD)法による薄膜の成膜技術2006