野々村修一 NONOMURA Shuichi

研究者番号	80164721
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2009年度 – 2010年度: 岐阜大学, 工学研究科, 教授 2008年度: 岐阜大学, 大学院・工学研究科, 教授 2004年度: 岐阜大学, 工学研究科, 教授 2002年度 – 2004年度: 岐阜大学, 大学院・工学研究科, 教授 1999年度: 岐阜大学, 大学院工学研究科, 教授 … もっと見る 1999年度: 岐阜大学, 工学部, 教授 1998年度: 岐阜大学, 工学部, 助教授 1993年度 – 1995年度: 岐阜大学, 工学部, 助教授 1990年度: 岐阜大学, 工学部, 助教授 1988年度: 岐阜大学, 工学部, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 電子材料工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性
キーワード	研究代表者微結晶シリコン / Hydrogenated amorphous silicon / 光劣化 / 水素化アモルファスシリコン / low energy absorption / photothermal bending spectroscopy / microcrystalline silicon carbide / microcrystalline silicon / 微結晶シリコンカーバイト薄膜 / 微結晶シリコン薄膜 … もっと見る / 低エネルギー光吸収 / 温度可変光熱ベンディング分光法 / 微結晶シリコン系薄膜 / 低エネルギー吸収 / 温度可変光熱ベンディンング分光法 / 微結晶シリコンカーバイド薄膜 / Coefficient of linear expansion / Microcrystalline silicon / Initial stress / Amorphous lattice relaxzation / Laser optical-lever bending method / Photodegradation / Light-induced expansion / 格子緩和 / 可逆現象 / アモルファス構造変化 / ベンディング法 / 線膨張係数 / 初期応力 / アモルファス格子緩和 / レーザー光てこベンディング法 / 光誘起膨張 / Photo degradiation / Liquid nitrogen temperature PDS / Radiative center / Nonradiative quantumn efficiency / Photoaccoustic spectroscopy / Photothermal deflection spectroscopy / Radiative quatumn efficiency / 液体窒素温度PDS法 / 非輻射再結合 / 光熱偏向分光法(PDS法) / PEIB分光法 / インターカレーション / アモルファス窒化ガリウム / フラーレン薄膜 / 光熱偏向分光法 / 液体窒素温度光熱偏向分光法 / 発光準位 / 非輻射量子効率 / 光音響分光法 / 光熱偏向分光法(PDS) / 輻射量子効率 … もっと見る研究代表者以外 ESR / FSM-16 / TEOS / TICS / PLAS / 光ルミネッセンス / X-ray small angle scattering / luminescence / C_<70> / C_<60> / quantum size effect / embed / 近視場顕微鏡 / ナノ構造 / フラーレン / メゾ・ポーラス / ゼオライト / X線小角散乱 / ルミネッセンス / C70 / C60 / 量子サイズ効果 / 閉じ込め / a-SiO2 / a-Si3N4+x : H / absorption coefficient / photoluminescence / amorphous silicon a-Si : H / ITO / スパッタ金属 / シミュレーション / 光導波路 / アモルファス・シリコン / a-SiO_2 / a-Si_3N_4:H / 吸収係数 / アモルファスシリコンa-Si:H / 基板回転型グロー放電アモルファス超格子作製装置 / 障壁層の酸化 / 高真空化 / 多重反射 / 井戸層ゆらぎ / アモルファス半導体超格子 / 物性実験 / 電気・電子材料 / 太陽電池 / 窒化シリコン / 微結晶シリコン / アモルファスシリコン / 薄膜 / ホットワイアCVD / Cat-CVD / 触媒化学気相成長 / 原子状水素 / 界面欠陥 / aーSiO_2 / aーSi_3N_4 / aーSi:H / 低エネルギ光吸収 / PLAS法隠す

シリコン系薄膜の光吸収スペクトル評価による局在準位起源の解明に関する研究
- 研究代表者
  
  吉田憲充
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  岐阜大学
微結晶シリコン系薄膜の局在準位の評価とその低減に関する研究 -ヘテロ構造薄膜への共振型光熱ベンディング法の応用-研究代表者
- 研究代表者
  
  野々村修一
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  岐阜大学
触媒化学気相成長法によるシリコン系薄膜の成長プロセス
- 研究代表者
  
  松村英樹
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
ゼオライトFSM-16中への1次元半導体C_<60>,C_<70>の創生、そのナノ物性と応用
- 研究代表者
  
  仁田昌二
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  岐阜大学
水素化アモルファスシリコンの光劣化により生ずる光誘起膨張に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  野々村修一
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  岐阜大学
光熱変換分光法による非晶質半導体薄膜の輻射量子効率の評価法の開発と発光準位の解析研究代表者
- 研究代表者
  
  野々村修一
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  岐阜大学
PLAS法によるa-Si:H/aSi_3N_4:H界面の動的性質の解明
- 研究代表者
  
  仁田昌二
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  岐阜大学
PLAS法によるアモルファス半導体超格子の膜面方向の光学的性質の研究
- 研究代表者
  
  仁田昌二
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  岐阜大学
アモルファス半導体超格子の電気伝導とその改良
- 研究代表者
  
  仁田昌二
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  岐阜大学

すべて 2010 2009 2008 2005 2004 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Preparations of P- and N-doped hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition method for Si thin film solar cells2010
- 著者名/発表者名
  Norimitsu Yoshida, Sho Terazawa, Atsuteru Takeuchi, Nobutaka Yoneyama, Tomo-o Morino, Zhao Jun, Hironori Natsuhara, Shuichi Nonomura
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 7 ページ: 790-792
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560294
[雑誌論文] Preparations of P-and N-doped hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition method for Si thin film solar cells2010
- 著者名/発表者名
  Norimitsu Yoshida, Sho Terazawa, Atsuteru Takeuchi, Nobutaka Yoneyama, Tomo-o Morino, Zhao Jun, Hironori Natsuhara, Shuichi Nonomura
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) Vol.7, No.3-4
  
  ページ: 790-792
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560294
[雑誌論文] A study of absorption coefficient spectra in a-Si : H films near the transition from amorphous to crystalline phase measured by resonant photothermal bending spectroscopy2008
- 著者名/発表者名
  Norimitsu Yoshida, Yasuko Shimizu, Takashi Honda, Toshiaki Yokoi, Shuichi Nonomura
- 雑誌名
  
  Journal of on-Crystalline Solids Vol.354
  
  ページ: 2164-2166
- NAID
  120006340027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560294
[雑誌論文] Suppression of photo-induced dilation in cyanide treated hydrogenated amorphous silicon films2005
- 著者名/発表者名
  Y.Sobajima, K.Mori, M.Tsukamoto, N.Yoshida, M.Takahashi, H.Kobayashi, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells 85
  
  ページ: 177-187
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Suppression of photo-induced dilation in cyanide treated hydrogenated amorphous silicon films2005
- 著者名/発表者名
  Y.Sobajima, K.Mori, M.Tsukamoto, N.Yoshida, M.Takahashi, H.Kobayashi, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells Vol.85
  
  ページ: 177-187
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] A Study of the localized state at 0.7〜1.2 eV in the Mc-Si:H film by resonant-PBS and CPM2004
- 著者名/発表者名
  T.Kunii, H.Shibagaki, T.Kiriyama, N.Yoshida, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Proceedings of 19^<th> European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
  
  ページ: 1629-1632
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] A change of photoinduced dilation of a-Si:H by cyanide treatment2004
- 著者名/発表者名
  Y.Sobajima, K.Mori, M.Tsukamoto.H.Kamiguchi, N.Yoshida, H.Kobayashi, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Journal of Non-Crystalline Solids 338-340
  
  ページ: 365-368
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] A Study of the localized state at 0.7〜1.2 eV in the μc-Si : H film by resonant-PBS and CPM2004
- 著者名/発表者名
  T.Kunii, H.Shibagaki, T.Kiriyama, N.Yoshida, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Proceedings of 19^<th> European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
  
  ページ: 1629-1632
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] A study of the localized state at 0.7〜1.2 eV in the μc-Si:H by resonant-PBS and CPM2004
- 著者名/発表者名
  T.Kunii, H.Shibagaki, T.Kiriyama, N.Yoshida, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Proceedings of 19^<th> European Photovoltaic Solar Energy Conference
  
  ページ: 1629-1632
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Preparation of N-doped TiO_2 thin films protecting transparent conducting oxide films for Si thin film solar cells
- 著者名/発表者名
  H.Natsuhara, K.Matsumoto, N.Yoshida, T.Itoh, S.Nonomura, M.Fukawa, K.Sato
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (発表予定)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Formation of the heterojunctions using carbon alloys by the hot-wire CVD method
- 著者名/発表者名
  S.Nonomura, N.Yoshida, T.Itoh
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (発表予定)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Amorphous SiC_x : H films prepared by Cat-CVD method using C_4H_<10> as a C source gas and its application to window layer for Si thin film solar cells
- 著者名/発表者名
  N.Yoshida, K.Takemoto, Y.Yamaguchi, M.Tsukamoto, K.Chikusa, A.Fukuta, T.Itoh, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (in print)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Formation of the heterojunctions using carbon alloys by the hot-wire CVD method
- 著者名/発表者名
  S.Nonomura, N.Yoshida, T.Itoh
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Preparation of N-doped TiO_2 shin films protecting transparent conducting oxide films for Si thin film solar cells
- 著者名/発表者名
  H.Natsuhara, K.Matsumoto, N.Yoshida, T.Itoh, S.Nonomura, M.Fukawa, K.Sato
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] TiO_2 thin films as protective material for transparent conducting oxides used in Si thin film solar cells
- 著者名/発表者名
  H.Natsuhara, K.Matsumoto, N.Yoshida, T.Itoh, S.Nonomura, M.Fukawa, K.Sato
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (発表予定)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] TiO_2 thin films as protective material for transparent conducting oxides used in Si thin film solar cells
- 著者名/発表者名
  H.Natsuhara, K.Matsumoto, N.Yoshida, T.Itoh, S.Nonomura, M.Fukawa, K.Sato
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (in print)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Formation of the heterojunctions using carbon alloys by the hot-wire CVD method
- 著者名/発表者名
  S.Nonomura, N.Yoshida, T.Itoh
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (in print)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Amorphous SiC_X:H films prepared by Cat-CVD method using C_4H_<10> as a C source gas and its application to window layer for Si thin film solar cell
- 著者名/発表者名
  N.Yoshida, K.Takemoto, Y.Yamaguchi, M.Tsukamoto, K.Chikusa, A.Fukuta, T.Itoh, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Amorphous SiC_x : H films prepared by Cat-CVD method using C_4H_<10> as a C source gas and its application to window layer for Si thin film solar cell
- 著者名/発表者名
  N.Yoshida, K.Takemoto, Y.Yamaguchi, M.Tsukamoto, K.Chikusa, A.Fukuta, T.Itoh, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (発表予定)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[学会発表] Preparations of P-and N-doped hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition method for Si thin film solar cells2009
- 著者名/発表者名
  Norimitsu Yoshida, Sho Terazawa, Atsuteru Takeuchi, Nobutaka Yoneyama, Tomo-o Morino, Zhao Jun, Hironori Natsuhara, Shuichi Nonomura
- 学会等名
  23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
- 発表場所
  Utrecht, the Netherlands.
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560294

1. 仁田昌二 (90021584)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
2. 伊藤貴司 (00223157)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
3. 吉田憲充 (70293545)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 20件
4. 夏原大宗 (30444334)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
5. 松村英樹 (90111682)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 増田淳 (30283154)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 和泉亮 (30223043)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 梅本宏信 (80167288)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 小長井誠 (40111653)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 荻原千聡 (90233444)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

野々村 修一 NONOMURA Shuichi

研究課題

研究成果

共同研究者

シリコン系薄膜の光吸収スペクトル評価による局在準位起源の解明に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

微結晶シリコン系薄膜の局在準位の評価とその低減に関する研究 -ヘテロ構造薄膜への共振型光熱ベンディング法の応用-研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

触媒化学気相成長法によるシリコン系薄膜の成長プロセス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ゼオライトFSM-16中への1次元半導体C_<60>,C_<70>の創生、そのナノ物性と応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

水素化アモルファスシリコンの光劣化により生ずる光誘起膨張に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

光熱変換分光法による非晶質半導体薄膜の輻射量子効率の評価法の開発と発光準位の解析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

PLAS法によるa-Si:H/aSi_3N_4:H界面の動的性質の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

PLAS法によるアモルファス半導体超格子の膜面方向の光学的性質の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

アモルファス半導体超格子の電気伝導とその改良

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Preparations of P- and N-doped hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition method for Si thin film solar cells2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Preparations of P-and N-doped hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition method for Si thin film solar cells2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] A study of absorption coefficient spectra in a-Si : H films near the transition from amorphous to crystalline phase measured by resonant photothermal bending spectroscopy2008

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Suppression of photo-induced dilation in cyanide treated hydrogenated amorphous silicon films2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Suppression of photo-induced dilation in cyanide treated hydrogenated amorphous silicon films2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

野々村修一 NONOMURA Shuichi