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仁田 昌二
NITTA Shoji
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*注記
研究者番号
90021584
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく)
*注記
1998年度 – 2002年度: 岐阜大学, 工学部, 教授
1993年度 – 1994年度: 岐阜大学, 工学部, 教授
1990年度: 岐阜大学, 工学部, 教授
1988年度: 岐阜大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学
/
応用物性
/
電子材料工学
研究代表者以外
核・宇宙線・素粒子
/
電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
光ルミネッセンス / PLAS / TICS / TEOS / FSM-16 / ESR / PLAS法 / 低エネルギ光吸収 / aーSi:H / aーSi_3N_4
…
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/ aーSiO_2 / 界面欠陥 / 原子状水素 / アモルファス半導体超格子 / 井戸層ゆらぎ / 多重反射 / 高真空化 / 障壁層の酸化 / 基板回転型グロー放電アモルファス超格子作製装置 / アモルファスシリコンa-Si:H / 吸収係数 / a-Si_3N_4:H / a-SiO_2 / アモルファス・シリコン / 光導波路 / シミュレーション / スパッタ金属 / ITO / amorphous silicon a-Si : H / photoluminescence / absorption coefficient / a-Si3N4+x : H / a-SiO2 / 閉じ込め / 量子サイズ効果 / C60 / C70 / ルミネッセンス / X線小角散乱 / ゼオライト / メゾ・ポーラス / フラーレン / ナノ構造 / 近視場顕微鏡 / embed / quantum size effect / C_<60> / C_<70> / luminescence / X-ray small angle scattering / 炭素系材料 / アモルファス半導体 / 窒化炭素 / 酸化窒化炭素 / 光伝導体 / 低誘電率媒体 / レイヤー・バイ・レイヤー法 / 重粒子の検出 / 光感度 / 薄膜 / 酸素プラズマ / carbon related materials / amorphous semiconductors / carbon nitride / oxynitride carbon / photoconductor / low dielectric constant media / layer-by-layer method / detection of heavy particles
…
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研究代表者以外
アモルファスシリコン半導体 / 放射線検出器 / Radiation damage / 素粒子実験 / 測定器開発 / 光誘起膨張 / 水素化アモルファスシリコン / 光劣化 / レーザー光てこベンディング法 / アモルファス格子緩和 / 初期応力 / 微結晶シリコン / 線膨張係数 / ベンディング法 / アモルファス構造変化 / 可逆現象 / 格子緩和 / Light-induced expansion / Hydrogenated amorphous silicon / Photodegradation / Laser optical-lever bending method / Amorphous lattice relaxzation / Initial stress / Microcrystalline silicon / Coefficient of linear expansion
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研究課題
(
7
件)
共同研究者
(
7
人)
研究開始年: 新しい順
研究開始年: 古い順
窒素ラディカル・スパッタ法によるアモルファス窒化炭素の創製と光伝導への応用
研究代表者
研究代表者
仁田 昌二
研究期間 (年度)
2001 – 2002
研究種目
基盤研究(C)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
岐阜大学
ゼオライトFSM-16中への1次元半導体C_<60>,C_<70>の創生、そのナノ物性と応用
研究代表者
研究代表者
仁田 昌二
研究期間 (年度)
1998 – 2000
研究種目
基盤研究(C)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
岐阜大学
水素化アモルファスシリコンの光劣化により生ずる光誘起膨張に関する研究
研究代表者
野々村 修一
研究期間 (年度)
1998 – 1999
研究種目
基盤研究(C)
研究分野
電子・電気材料工学
研究機関
岐阜大学
PLAS法によるa-Si:H/aSi_3N_4:H界面の動的性質の解明
研究代表者
研究代表者
仁田 昌二
研究期間 (年度)
1993 – 1994
研究種目
一般研究(C)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
岐阜大学
PLAS法によるアモルファス半導体超格子の膜面方向の光学的性質の研究
研究代表者
研究代表者
仁田 昌二
研究期間 (年度)
1990
研究種目
一般研究(C)
研究分野
応用物性
研究機関
岐阜大学
荷電粒子検出用高感度アモルファスシリコン半導体の開発
研究代表者
田坂 茂樹
研究期間 (年度)
1988
研究種目
一般研究(C)
研究分野
核・宇宙線・素粒子
研究機関
岐阜大学
アモルファス半導体超格子の電気伝導とその改良
研究代表者
研究代表者
仁田 昌二
研究期間 (年度)
1988 – 1989
研究種目
一般研究(C)
研究分野
電子材料工学
研究機関
岐阜大学
研究課題数: 降順
研究課題数: 昇順
1.
野々村 修一
(80164721)
共同の研究課題数:
5件
共同の研究成果数:
0件
2.
伊藤 貴司
(00223157)
共同の研究課題数:
4件
共同の研究成果数:
0件
3.
田坂 茂樹
(60155059)
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
4.
中澤 和馬
(60198059)
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
5.
中島 一久
(80164177)
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
6.
荻原 千聡
(90233444)
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
7.
吉田 憲充
(70293545)
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
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