仁田昌二 NITTA Shoji

研究者番号	90021584
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	1998年度 – 2002年度: 岐阜大学, 工学部, 教授 1993年度 – 1994年度: 岐阜大学, 工学部, 教授 1990年度: 岐阜大学, 工学部, 教授 1988年度: 岐阜大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性 / 電子材料工学研究代表者以外核・宇宙線・素粒子 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者光ルミネッセンス / PLAS / TICS / TEOS / FSM-16 / ESR / PLAS法 / 低エネルギ光吸収 / aーSi:H / aーSi_3N_4 … もっと見る研究代表者以外アモルファスシリコン半導体 / 放射線検出器 / Radiation damage / 素粒子実験 / 測定器開発 / 光誘起膨張 / 水素化アモルファスシリコン / 光劣化 / レーザー光てこベンディング法 / アモルファス格子緩和 / 初期応力 / 微結晶シリコン / 線膨張係数 / ベンディング法 / アモルファス構造変化 / 可逆現象 / 格子緩和 / Light-induced expansion / Hydrogenated amorphous silicon / Photodegradation / Laser optical-lever bending method / Amorphous lattice relaxzation / Initial stress / Microcrystalline silicon / Coefficient of linear expansion 隠す

研究課題
(7件)
共同研究者
(7人)

窒素ラディカル・スパッタ法によるアモルファス窒化炭素の創製と光伝導への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  仁田昌二
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  岐阜大学
ゼオライトFSM-16中への1次元半導体C_<60>,C_<70>の創生、そのナノ物性と応用研究代表者
- 研究代表者
  
  仁田昌二
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  岐阜大学
水素化アモルファスシリコンの光劣化により生ずる光誘起膨張に関する研究
- 研究代表者
  
  野々村修一
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  岐阜大学
PLAS法によるa-Si:H/aSi_3N_4:H界面の動的性質の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  仁田昌二
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  岐阜大学
PLAS法によるアモルファス半導体超格子の膜面方向の光学的性質の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  仁田昌二
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  岐阜大学
荷電粒子検出用高感度アモルファスシリコン半導体の開発
- 研究代表者
  
  田坂茂樹
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  核・宇宙線・素粒子
- 研究機関
  岐阜大学
アモルファス半導体超格子の電気伝導とその改良研究代表者
- 研究代表者
  
  仁田昌二
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  岐阜大学

1. 野々村修一 (80164721)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
2. 伊藤貴司 (00223157)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
3. 田坂茂樹 (60155059)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 中澤和馬 (60198059)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 中島一久 (80164177)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 荻原千聡 (90233444)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 吉田憲充 (70293545)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

仁田 昌二 NITTA Shoji

研究課題

共同研究者

窒素ラディカル・スパッタ法によるアモルファス窒化炭素の創製と光伝導への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ゼオライトFSM-16中への1次元半導体C_<60>,C_<70>の創生、そのナノ物性と応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

水素化アモルファスシリコンの光劣化により生ずる光誘起膨張に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

PLAS法によるa-Si:H/aSi_3N_4:H界面の動的性質の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

PLAS法によるアモルファス半導体超格子の膜面方向の光学的性質の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

荷電粒子検出用高感度アモルファスシリコン半導体の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

アモルファス半導体超格子の電気伝導とその改良研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

仁田昌二 NITTA Shoji