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鮫島 俊之  Sameshima Toshiyuki

研究者番号 30271597
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0003-2915-2385
所属 (現在) 2025年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 産学官連携研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2020年度 – 2023年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 産学官連携研究員
2017年度 – 2019年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2012年度 – 2015年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2014年度: 東京農工大学, 共生科学技術研究院, 教授
2013年度: 東京農工大学, 大学院工学研究院, 教授 … もっと見る
2010年度 – 2012年度: 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 教授
2009年度 – 2011年度: 東京農工大学, 共生科学技術研究院, 教授
2008年度: 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器 / 化工物性・移動操作・単位操作 / 理工系
キーワード
研究代表者
ソーラーセル / キャリヤライフタイム / パッシベーション / 加熱水 / 水蒸気熱処理 / キャリヤ拡散 / マイクロ波吸収 / 光誘起フリーキャリヤ / マイクロ波フリーキャリヤ吸収 / 評価技術 … もっと見る / 作製 / カットエッジ / 少数キャリヤ再結合欠陥 / 100℃ / 紫外線 / 純水 / 再結合速度 / ライフタイム / バイアス / 少数キャリヤ / 375 nm紫外レーザダイオード / 活性化 / イオン注入 / PN接合 / 再結合欠陥 / 光侵入長 / キャリヤ濃度 / 実効キャリヤライフタイム / 内蔵電位 / 効少数キャリヤライフタイム / シリコン / パッシベション膜 / 光誘起フリーキャリア / キャリアライフタイム / 低温プロセス技術 / パッシベーション膜 / キャリヤ再接合 / レーザ加熱 / キャリヤ再結合 / AlOx薄膜 / A10_x薄膜 / 酸素プラズマ酸化膜 / 高圧水蒸気熱処理 / 少数キャリヤ実効ライフタイム … もっと見る
研究代表者以外
半導体物性 / マイクロ・ナノデバイス / 電子デバイス / 集積回路 / 不確定性原理 / SiCドット / 光物性 / ナノ材料 / 電子・電気材料 / Si酸化膜 / SiC量子ドット / Si系発光素子 / 量子閉じ込め効果 / ホットイオン注入 / PL発光 / 量子ドット / SiC / ライフタイム / マイクロ波吸収測定 / シリコン / 太陽電池 / マイクロ波吸収 / 少数キャリアライフタイム / 水蒸気熱処理 / ソーラーセル / ナノ界面間力設計 / エアロゾルプロセス / 積層型太陽電池 / 波長変換素子 / リチウム電池電極 / 離散要素法 / コロイド化学プロセス / 凝集分散制御 / ナノ界面設計 / 色素増感太陽電池 / ナノ配列設計 / 界面設計 / ナノ複合体 / ナノ粒子 隠す
  • 研究課題

    (10件)
  • 研究成果

    (180件)
  • 共同研究者

    (9人)
  •  液体プロセスによる新規低温半導体表面及びカットエッジパッシベーション研究代表者

    • 研究代表者
      鮫島 俊之
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  PN接合内蔵電位依存少数キャリヤ再結合欠陥調査及び解析の研究研究代表者

    • 研究代表者
      鮫島 俊之
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  炭素ホットイオン注入法を用いた二次元シリコンカーバイド及びグラフェンの基盤研究

    • 研究代表者
      水野 智久
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      神奈川大学
  •  金属仕事関数誘起高効率シリコンソーラーセルの研究研究代表者

    • 研究代表者
      鮫島 俊之
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  半導体単原子層を用いた超微細素子の基盤研究

    • 研究代表者
      水野 智久
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      神奈川大学
  •  界面構造設計した高機能化ナノ粒子の太陽電池デバイスへの応用

    • 研究代表者
      神谷 秀博
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      化工物性・移動操作・単位操作
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  結晶シリコンソーラーセルの水蒸気熱処理による特性改善機構の解明

    • 研究代表者
      蓮見 真彦
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  マイクロ波フリーキャリヤ吸収法による非熱平衡プロセス処理起因欠陥とその制御の研究研究代表者

    • 研究代表者
      鮫島 俊之
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  歪制御による同一半導体を用いたヘテロ素子構造の研究

    • 研究代表者
      水野 智久
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      神奈川大学
  •  ソースヘテロ構造を用いたバリスティック素子の基盤研究

    • 研究代表者
      水野 智久
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      神奈川大学

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すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Passivation of cut edges and surfaces of crystalline silicon by heat treatment in liquid water2023

    • 著者名/発表者名
      Masahiko Hasumi, Toshiyuki Sameshima, and Tomohisa Mizuno
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 62

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04134
  • [雑誌論文] 無電極ランプを熱源とした加熱装置によるリンイオン注入300 mm径シリコン基板の活性化2023

    • 著者名/発表者名
      宮崎 智由、鮫島 俊之、齋藤 宗平、小野寺 航、上原 琢磨、有馬 卓司、蓮見 真彦、小林 剛、芹澤 和泉、久保 若菜、上野 智雄
    • 雑誌名

      電子情報通信学会論文誌エレクトロニクス

      巻: J106-C ページ: 30-37

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04134
  • [雑誌論文] Passivation of cut edges of crystalline silicon by heat treatment in liquid water2023

    • 著者名/発表者名
      Masahiko Hasumi, Toshiyuki Sameshima and Tomohisa Mizuno
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: SK ページ: SK1022-SK1022

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acc666

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04134, KAKENHI-PROJECT-22K04180
  • [雑誌論文] SiC quantum dot formation in SiO2 layer using double hot-Si+/C+-ion implantation technique2020

    • 著者名/発表者名
      Mizuno Tomohisa、Kanazawa Rikito、Aoki Takashi、Sameshima Toshiyuki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SG ページ: SGGH02-SGGH02

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab5bc4

    • NAID

      210000157669

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [雑誌論文] SiC Quantum Dots in Si-Oxide Layer Fabricated by Double Hot-Si+/C+-Ion Implantation Technique2019

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, R. Kanazawa, T. Aoki, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Extended Abst. of Solid State Devices and Materials

      巻: - ページ: 887-888

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [雑誌論文] MICROWAVE RAPID HEATING SYSTEM USING CARBON HEATING TUBE2019

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, T. Kikuchi, T. Uehara, T. Arima, M. Hasumi, T. Miyazaki, G. Kobayashi, and I. Serizawa
    • 雑誌名

      AMPERE

      巻: AMPERE 2019 ページ: 318-326

    • DOI

      10.4995/ampere2019.2019.9756

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04225
  • [雑誌論文] Si Surface Orientation Dependence of SiC Nano-Dot Formation in Hot-C+-Ion Implanted Bulk-Si Substrate2019

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, M. Yamamoto, T. Aoki, T. Sameshima
    • 雑誌名

      Abst. IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop

      巻: - ページ: 115-116

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [雑誌論文] SiC nanodot formation in amorphous-Si and poly-Si substrates using a hot-C+-ion implantation technique2019

    • 著者名/発表者名
      Tomohisa Mizuno, Rikito Kanazawa, Takashi Aoki, and Toshiyuki Sameshima
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SB ページ: SBBJ01-SBBJ01

    • DOI

      10.7567/1347-4065/aafb4e

    • NAID

      210000135332

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [雑誌論文] SiC nano-dot formation in bulk-Si substrate using hot-C+-ion implantation process2019

    • 著者名/発表者名
      Mizuno Tomohisa、Yamamoto Masaki、Nakada Shinji、Irie Sho、Aoki Takashi、Sameshima Toshiyuki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: 8 ページ: 081004-081004

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab2ac9

    • NAID

      210000156444

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [雑誌論文] SiC Nano-Dot Controlled by Hot-C+-Ion Implantation Conditions in Bulk-Si Substrate for Photonic Devices2018

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, S. Nakada, M. Yamamoto, S. Irie, T. Aoki, T. Sameshima
    • 雑誌名

      Abst. IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop

      巻: - ページ: 121122-121122

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [雑誌論文] SiC Dots in Amorphous-Si and Poly-Si Substrates Fabricated by Hot-C+ -Ion Implantation2018

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, R. Kanazawa, Y. Omata, T. Aoki, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Extended Abst. of Solid State Devices and Materials

      巻: - ページ: 803804-803804

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [雑誌論文] SiC Nano-Dots in Bulk-Si Substrate Fabricated by Hot-C+-Ion Implantation Technique2017

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, S. Nakada, M. Yamamoto, S. Irie, Y. Omata, T. Aoki, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Extended Abst. of SSDM

      巻: - ページ: 597-598

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [雑誌論文] Heat treatment in 110oC liquid water used for passivating siliconsurfaces2016

    • 著者名/発表者名
      T. Nakamura, T. Motoki, J. Ubukata, T. Sameshima, M. Hasumi and T. Mizuno
    • 雑誌名

      Appl. Phys. A.

      巻: 122 号: 4

    • DOI

      10.1007/s00339-016-9976-z

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [雑誌論文] Passivation of silicon surfaces by heat treatment in liquid water at 110oC2015

    • 著者名/発表者名
      T. Nakamura, T. Sameshima, M. Hasumi, and T. Mizuno
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 54 号: 10 ページ: 106503-106503

    • DOI

      10.7567/jjap.54.106503

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [雑誌論文] Photoinduced carrier annihilation in silicon pn junction2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, T. Motoki, K. Yasuda, T. Nakamura, M. Hasumi, and T. Mizuno
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 54 号: 8 ページ: 081302-081302

    • DOI

      10.7567/jjap.54.081302

    • NAID

      210000145492

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [雑誌論文] Behavior of Photo Induced Minority Carrier Lifetime in PN Junction with Different Bias Voltages2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima and M. Hasumi
    • 雑誌名

      Energy Procedia

      巻: 84 ページ: 110-117

    • DOI

      10.1016/j.egypro.2015.12.303

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [雑誌論文] Impurity doping effects on impurity band structure modulation2015

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, Y. Nagamine, Y. Suzuki, Y. Nakahara, Y. Nagata, T. Aoki, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 54 号: 4S ページ: 04DC05-04DC05

    • DOI

      10.7567/jjap.54.04dc05

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [雑誌論文] Multi junction solar cells using band-gap induced cascaded light absorption2014

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki Sameshima, Hitomi Nomura, Shinya Yoshidomi, and Masahiko Hasumi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FV07-05FV07

    • DOI

      10.7567/jjap.53.05fv07

    • NAID

      210000143904

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [雑誌論文] Photo induced minority carrier annihilation at crystalline silicon surface in metal oxide semiconductor structure2014

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki Sameshima, Jun Furukawa, Tomohiko Nakamura, Satoshi Shigeno, Tomohito Node, Shinya Yoshidomi, and Masahiko Hasumi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 53 号: 3 ページ: 031301-031301

    • DOI

      10.7567/jjap.53.031301

    • NAID

      210000143406

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360, KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [雑誌論文] Crystal direction dependence of quantum confinement effects of two-dimensional Si layers fabricated on silicon-on-quartz substrates: modulation of phonon spectra and energy-band structures2014

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, Y. Nagata, Y. Suzuki, Y. Nakahara, T. Aoki, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 53 号: 4S ページ: 04EC09-04EC09

    • DOI

      10.7567/jjap.53.04ec09

    • NAID

      210000143563

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422, KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [雑誌論文] Activation of silicon implanted with phosphorus and boron atoms by microwave annealing with carbon powder as a heat source2014

    • 著者名/発表者名
      Masahiko Hasumi, Tomohiko Nakamura, Shinya Yoshidomi, and Toshiyuki Sameshima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FV05-05FV05

    • DOI

      10.7567/jjap.53.05fv05

    • NAID

      210000143902

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [雑誌論文] n+/p+-Single Doping Effects on Impurity Band Structure Modulation2014

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, Y. Nakahara, Y. Nagamine, Y. Suzuki, Y. Nagata, T. Aoki, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Extended Abst. of SSDM

      巻: なし ページ: 854-855

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [雑誌論文] Activation of silicon implanted with phosphorus and boron atoms by microwave annealing with carbon powder as a heat source2014

    • 著者名/発表者名
      M. Hasumi, T. Nakamura, S. Yoshidomi, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 53

    • NAID

      210000143902

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [雑誌論文] Quantum confinement effects in doped two-dimensional Si layers: novel device design for two-dimensional pn-junction structures2014

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, Y. Nakahara, Y. Nagata, Y. Suzuki, T. Aoki, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 53 号: 4S ページ: 04EC08-04EC08

    • DOI

      10.7567/jjap.53.04ec08

    • NAID

      210000143562

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422, KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [雑誌論文] Multi junction solar cells using band-gap induced cascaded light absorption2014

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, H. Nomura, S. Yoshidomi, and M. Hasumi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 53

    • NAID

      210000143904

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [雑誌論文] Photo induced minority carrier annihilation at crystalline silicon surface in metal oxide semiconductor structure2014

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, J. Furukawa, T. Nakamura, S. Shigeno, T. Node, S. Yoshidomi, and M. Hasumi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 53

    • NAID

      210000143406

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [雑誌論文] Experimental Study on Surface-Orientation/Strain Dependence of Phonon Confinement Effects and Band Structure Modulation in Two-Dimensional Si Layers2013

    • 著者名/発表者名
      Tomohisa Mizuno, Takashi Aoki, Yuhsuke Nagata, Yuhta Nakahara, and Toshiyuki Sameshima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 52 号: 4S ページ: 04CC13-04CC13

    • DOI

      10.7567/jjap.52.04cc13

    • NAID

      210000142000

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [雑誌論文] Investigation of Silicon Surface Passivation by Microwave Annealing, Jpn2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys

      巻: Vol.52 号: 1R ページ: 11801-11801

    • DOI

      10.7567/jjap.52.011801

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292, KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [雑誌論文] Minority Carrier Annihilation in Lateral Direction Caused by Recombination Defects2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: Vol.52 号: 4R ページ: 41303-41303

    • DOI

      10.7567/jjap.52.041303

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [雑誌論文] Anisotropic Phonon-Confinement-Effects/Band-Structure-Modulation of Two-Dimensional Si Layers Fabricated on Silicon-on-Quartz Substrates2013

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, Y. Nagata, Y. Suzuki, Y. Nakahara, T. Tanaka, T. Aoki and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Extended Abst. of SSDM

      巻: なし ページ: 96-97

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [雑誌論文] Physical Limitation of pn Junction in Two Dimensional Si Layers for Future CMOS2013

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, Y. Nakahara, Y. Nagata, Y. Suzuki, Y. Kubodera, Y. Shimizu, T. Aoki, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Extended Abst. of SSDM

      巻: なし ページ: 696-697

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [雑誌論文] Investigation of Silicon Surface Passivation by Microwave Annealing Using Multiple-Wavelength Light-Induced Carrier Lifetime Measurement2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, R. Ebina, K. Betsuin, Y. Takiguchi, and M. Hasumi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 52

    • NAID

      210000141723

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [雑誌論文] Heat treatment of amorphous silicon p-i-n solar cells with high-pressure H2O vapor2012

    • 著者名/発表者名
      J. Takenezawa, M. Hasumi, T. Sameshima, T. Koida, T. Kaneko, M. Karasawa, and M. Kondo
    • 雑誌名

      J. Non-Cryst. Solids

      巻: 358

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [雑誌論文] Experimental Study of Silicon Monolayers for Future Extremely Thin Silicon-on-Insulator Devices: Phonon/Band Structures Modulation Due to Quantum Confinement Effects2012

    • 著者名/発表者名
      Tomohisa Mizuno, Keisuke Tobe, Yohichi Maruyama, and Toshiyuki Sameshima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 51 号: 2S ページ: 02BC03-02BC03

    • DOI

      10.1143/jjap.51.02bc03

    • NAID

      210000140201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [雑誌論文] Laser Induced Formation of Buried Void Layer in Silicon2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, Y. Kanda , M. Hasumi, J. Tatemichi, Y. Inouchi, M. Naito
    • 雑誌名

      J. Laser Micro/Nanoengineering

      巻: Vol.7 号: 1 ページ: 93-96

    • DOI

      10.2961/jlmn.2012.01.0018

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [雑誌論文] Surface Passivation of Crystalline Silicon by Combination of Amorphous Silicon Deposition with High-Pressure H2O Vapor Heat Treatment2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, T. Nagao, M. Hasumi, A. Shuku, E. Takahashi, and Y. Andoh
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 51

    • NAID

      210000140378

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [雑誌論文] Minority Carrier Lifetime Behavior in Crystalline Silicon in Rapid Laser Heating2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, K. Betsuin, T. Mizuno and N. Sano
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: Vol.51 号: 3S ページ: 03CA04-03CA04

    • DOI

      10.1143/jjap.51.03ca04

    • NAID

      210000140376

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [雑誌論文] Infrared semiconductor laser irradiation used for crystallization of silicon thin films2012

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki Sameshima
    • 雑誌名

      Journal of Non-Crystalline Solids

      巻: 358 号: 17 ページ: 2162-2165

    • DOI

      10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.030

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [雑誌論文] Surface Passivation of Crystalline Silicon by Combination of Amorphous Silicon Deposition with High-Pressure H_2O Vapor Heat Treatment2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, T. Nagao, M. Hasumi, A.Shuku, E.Takahashi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: Vol.51 号: 3S ページ: 03CA06-03CA06

    • DOI

      10.1143/jjap.51.03ca06

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292, KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [雑誌論文] Heat Treatment of Amorphous Silicon p-i-n Solar Cells with High-Pressure H2O Vapor2012

    • 著者名/発表者名
      J. Takenezawa
    • 雑誌名

      Journal of Non-Crystalline Solids

      巻: 358 号: 17 ページ: 2285-2288

    • DOI

      10.1016/j.jnoncrysol.2012.01.057

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292, KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [雑誌論文] Characterization of Plasma-Irradiated SiO_2/Si Interface Properties by Photoinduced-Carrier Microwave Absorption Method2011

    • 著者名/発表者名
      M. Hasumi, J. Takenezawa, T. Nagao, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: Vol.50 号: 3S ページ: 03CA03-03CA03

    • DOI

      10.1143/jjap.50.03ca03

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [雑誌論文] Characterization of Plasma-Irradiated SiO_2/Si Interface Properties by Photoinduced-Carrier Microwave Absorption Method2011

    • 著者名/発表者名
      Masahiko Hasumi, Jun Takenezawa, Tomokazu Nagao, Toshiyuki Sameshima
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys

      巻: Vol.50

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [雑誌論文] Fabrication of Aluminum Oxide Films by Aluminum Metal Evaporation in Oxygen Gas Atmosphere for Surface Passivation2011

    • 著者名/発表者名
      M. Hasumi, Y. Kanda, S. Yoshidomi, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Technical Digest of the 24^<th> Int. Photovoltaic Solar Energy Conf

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [雑誌論文] Fabrication of Aluminum Oxide Films by Aluminum Metal Evaporation in Oxygen Gas Atmosphere for Surface Passivation2011

    • 著者名/発表者名
      M. Hasumi, Y. Kanda, S. Yoshidomi, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Technical Digest of the 24th Int. Photovoltaic Solar Energy Conf.

      巻: 1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [雑誌論文] Novel Source Heterojunction Structures with Relaxed-/Strained-Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors2011

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, M. Hasegawa, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials

      巻: 470 ページ: 72-78

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560371
  • [雑誌論文] Minority Carrier Lifetime Measurements by Photo-Induced Carrier Microwave Absorption Method2011

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, T. Nagao, S. Yoshidomi, K. Kogure, and M. Hasumi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: Vol.50 号: 3S ページ: 03CA02-03CA02

    • DOI

      10.1143/jjap.50.03ca02

    • NAID

      210000070162

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [雑誌論文] Infrared semiconductor laser irradiation used for crystallization of silicon thin films2011

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima
    • 雑誌名

      Journal of Non-Crystalline Solids

      巻: Vol.358 ページ: 2162-2165

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [雑誌論文] Minority Carrier Lifetime Measurements by Photo-Induced Carrier Microwave Absorption Method2011

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki Sameshima, Tomokazu Nagao, Shinya Yoshidomi, Kazuya Kogure, Masahiko Hasumi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys

      巻: Vol.50

    • NAID

      210000070162

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [雑誌論文] New Source Heterojunction Structures with Relaxed/Strainal Semiconductors for Quasi-Ballistic Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistors : Relaxation Technique of Strained Substrates and Design of Sub-10nm Devices2010

    • 著者名/発表者名
      Tomohisa Mizuno, Naoki Mizoguchi, Kotaio Tanimoto, Tomoaki Yamauchi, Mitsuo Hasegawa, Toshiyuki Sameshima, Tsutomu Tezuka
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 49

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20035014
  • [雑誌論文] Crystalline Silicon Solar Cells with Two Different Metals2010

    • 著者名/発表者名
      T. SAMESHIMA, K. KOGURE, M. HASUMI
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: Vol.49 号: 11R ページ: 110205-110205

    • DOI

      10.1143/jjap.49.110205

    • NAID

      40017377249

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [雑誌論文] New Source Heterojunction Structures with Relaxed-/Strained-Semiconductors for Quasi-Ballistic Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor(CMOS) Transistors : Relaxation Technique of Strained-Substrates and Design of Sub-10nm Devices2010

    • 著者名/発表者名
      Yamauchi, M. Hasegawa, T. Sameshima, and T. Tezuka
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 49 ページ: 4-13

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560371
  • [雑誌論文] New Source Heterojunction Structures with Relaxed/Strained Semiconductors for Quasi-Ballistic Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistors : Relaxation Technique of Strained Substrates and Design of Sub-10nm Devices2010

    • 著者名/発表者名
      Tomohisa Mizuno, Naoki Mizoguchi, Kotaro Tanimoto, Tomoaki Yamauchi, Mitsuo Hasegawa, Toshiyuki Sameshima, Tsutomu Tezuka
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 49

    • NAID

      210000068211

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560371
  • [雑誌論文] Crystalline Silicon Solar Cells with Two Different Metals2010

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki SAMESHIMA, Kazuya KOGURE, Masahiko HASUMI
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys

      巻: Vol.49 ページ: 110205-110205

    • NAID

      40017377249

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [雑誌論文] Source Heterojunction with Relaxed/Strained-Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors2010

    • 著者名/発表者名
      T.Mizuno, M.Hasegawa, T.Sameshima
    • 雑誌名

      Extend.Abst.ISTESNE

      ページ: 66-66

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560371
  • [雑誌論文] Source Heterojunction with Relaxed/Strained-Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors2010

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, M. Hasegawa, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      ISTESNE

      ページ: 66-66

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560371
  • [雑誌論文] Novel Source Heterojunction Structures with Relaxed-/Strained-Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors using Ion Implantation Induced Relaxation Technique of Strained-Substrates2009

    • 著者名/発表者名
      T.Mizuno, N.Mizoguchi, K..Tanimoto, T.Yamauchi, T.Tezuka, T.Sameshima
    • 雑誌名

      Ext.Ahstr.SSDM

      ページ: 769-770

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20035014
  • [雑誌論文] Novel Source Heterojunction Structures with Relaxed-/Strained-Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors using Ion Implantation Induced Relaxation Technique of Strained-Substrates2009

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, N. Mizoguchi, K. Tanimoto, T. Yamauchi, T. Tezuka, and T. Sameshima
    • 雑誌名

      Extended Abst. of SSDM

      ページ: 769-769

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560371
  • [雑誌論文] Novel Source Heterojunction Structures with Relaxed-/Strained-Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors using Ion Implantation Induced Relaxation Technique of Strained-Substrates2009

    • 著者名/発表者名
      T.Mizuno, N.Mizoguchi, K.Tanimoto, T.Yamauchi, T.Tezuka, T.Sameshima
    • 雑誌名

      Ext.Abstr.SSDM

      ページ: 769-770

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560371
  • [産業財産権] 光誘起キャリヤライフタイム測定方法及び光誘起キャリヤライフタイム測定装置2016

    • 発明者名
      鮫島俊之
    • 権利者名
      鮫島俊之
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-025808
    • 出願年月日
      2016-02-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [産業財産権] 半導体基板の処理方法2012

    • 発明者名
      鮫島俊之
    • 権利者名
      国立大学法人東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2012-034288
    • 出願年月日
      2012-02-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [産業財産権] 光誘起キャリヤライフタイム測定装置及び光誘起キャリヤライフタイム測定方法2011

    • 発明者名
      鮫島俊之
    • 権利者名
      国立大学法人東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2011-276215
    • 出願年月日
      2011-12-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Nondestructive Investigation of Impurity Activation using Microwave Transmission Measurement2023

    • 著者名/発表者名
      Masahiko Hasumi, Toshiyuki Sameshima, and Tomohisa Mizuno
    • 学会等名
      20th Thin Film Materials & Devices Meeting, Kyoto, 12a-A27-6, 2023
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04134
  • [学会発表] Properties of complete absorption of 2.45 GHz microwave and heating by the two conductive plate system2023

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki Sameshima, Tomoyoshi Miyazaki, Masahiko Hasumi, Wakana Kubo, Tomo Ueno, and Tomohisa Mizuno
    • 学会等名
      20th Thin Film Materials & Devices Meeting, Kyoto, 10p-P36, 2023.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04134
  • [学会発表] Passivation of cut edges of crystalline silicon by heat treatment in liquid water2022

    • 著者名/発表者名
      Masahiko Hasumi, Toshiyuki Sameshima, and Tomohisa Mizuno
    • 学会等名
      33th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC33)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04134
  • [学会発表] 935 GHz マイクロ波透過測定を用いたシリコンの電気特性評価2021

    • 著者名/発表者名
      蓮見 真彦、鮫島 俊之、水野 智久
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04225
  • [学会発表] Non-Destructive 9.35 GHz Microwave Sensing System for Investigating Electrical Properties of Silicon2020

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, M. Hasumi, T. Mizuno
    • 学会等名
      2020 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04225
  • [学会発表] 多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC+イオン注入法によるSiCナノドットの形成(Ⅱ):C+ドーズ依存性2019

    • 著者名/発表者名
      金澤力斗, 青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] Si Surface Orientation Dependence of SiC Nano-Dot Formation in Hot-C+-Ion Implanted Bulk-Si Substrate2019

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, M. Yamamoto, T. Aoki, T. Sameshima
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] バルクSi基板へのホットC+イオン注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅳ):面方位依存性2019

    • 著者名/発表者名
      山本将輝,青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] ホット-ダブルSi+/C+イオン注入法を用いた酸化膜中のSiC量子ドットの形成2019

    • 著者名/発表者名
      金澤力斗, 青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] SiC Quantum Dots in Si-Oxide Layer Fabricated by Double Hot-Si+/C+-Ion Implantation Technique2019

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, R. Kanazawa, T. Aoki, and T. Sameshima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] バルクSi基板へのホットC+注入法によるSiCナノドット形成 (III):Cドーズ量依存性2018

    • 著者名/発表者名
      入江翔, 山本将輝, 中田真史,小又祐介,青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] PHOTO-INDUCED MINORITY CARRIER ANNIHILATION FOR SILICON SAMPLES WITH METAL INSULATOR SEMICONDUCTOR STRUCTURE2018

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki Sameshima
    • 学会等名
      GRAND RENEWABLE ENERGY 2018 International Conference and Exhibition
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04225
  • [学会発表] SiC Dots in Amorphous-Si and Poly-Si Substrates Fabricated by Hot-C+ -Ion Implantation2018

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, R. Kanazawa, Y. Omata, T. Aoki, and T. Sameshima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] REDUCTION IN CONNECTING RESISTIVITY OF INTERMEDIATE ADHESIVE LAYER FOR MECHANICALLY STACKED MULTI-JUNCTION SOLAR CELLS2018

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki Sameshima
    • 学会等名
      GRAND RENEWABLE ENERGY 2018 International Conference and Exhibition
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04225
  • [学会発表] Surface Passivation of Crystalline Silicon by Heat Treatment in Liquid Water and Its Application to Improve the Interface Properties of Metal-Oxide-Semiconductor Structures2018

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki Sameshima
    • 学会等名
      THE 25th INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04225
  • [学会発表] 多結晶SiへのホットC+イオン注入法によるSiCナノドットの形成2018

    • 著者名/発表者名
      金澤力斗,小又祐介,井口裕輔,青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] バルクSi基板へのホットC+イオン注入法によるSiCナノドットの形成(Ⅱ) :イオン注入温度依存性2018

    • 著者名/発表者名
      中田真史,山本将輝,入江翔,小又祐介,青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] バルクSi基板中のSiCナノドットサイズのプロセス依存性2018

    • 著者名/発表者名
      山本将輝,青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] 多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC+イオン注入法によるSiCナノドットの形成2018

    • 著者名/発表者名
      金澤力斗, 青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] SiC Nano-Dot Controlled by Hot-C+-Ion Implantation Conditions in Bulk-Si Substrate for Photonic Devices2018

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, S. Nakada, M. Yamamoto, S. Irie, T. Aoki, T. Sameshima
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] バルク Si 基板へのホット C+イオン注入法による SiC ナノドットの形成2017

    • 著者名/発表者名
      中田 真史,山本 将暉,入江 翔,小又 祐介,青木 孝,鮫島 俊之,水野 智久
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] SiC Nano-Dots in Bulk-Si Substrate Fabricated by Hot-C+-Ion Implantation Technique2017

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, S. Nakada, M. Yamamoto, S. Irie, Y. Omata, T. Aoki, and T. Sameshima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06359
  • [学会発表] PN接合の電圧印加による光誘起少数キャリヤライフタイム挙動の研究2015

    • 著者名/発表者名
      鮫島俊之, 中村友彦, 蓮見真彦
    • 学会等名
      Thin Film Materials & Devices Meeting
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール(京都府京都市)
    • 年月日
      2015-10-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Laser Induced Minority Carrier Lifetime in PN Junction2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, T. Nakamura, S. Yoshidomi, M. Hasumi
    • 学会等名
      Symposium on Laser Precision Microfabrication
    • 発表場所
      北九州国際会議場(福岡県北九州 市)
    • 年月日
      2015-05-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Behavior of Photo Induced Minority Carrier Lifetime in PN Junction with Different Bias Voltages2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, M. Hasumi
    • 学会等名
      E-Mater. Res. Soc. Symp.
    • 発表場所
      France, Lille
    • 年月日
      2015-05-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Annihilation Properties of Photo-Induced Carrier in Silicon PN Junction2015

    • 著者名/発表者名
      M. Hasumi, T. Sameshima, T. Motoki, T. Nakamura and T. Mizuno
    • 学会等名
      Active Matrix Flat Panel Displays
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール(京都府京都市)
    • 年月日
      2015-07-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] マイクロ波急速加熱によるシリコンの活性化とドーピングの検討2015

    • 著者名/発表者名
      太田康介, 木村駿介, 蓮見真彦, 鈴木歩太, 牛島満, 鮫島俊之
    • 学会等名
      Thin Film Materials & Devices Meeting
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール(京都府京都市)
    • 年月日
      2015-10-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Passivation of Silicon Surfaces by Treatment in Water at 110oC2015

    • 著者名/発表者名
      T. Nakamura, T. Sameshima, M. Hasumi, T. Mizuno
    • 学会等名
      Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
    • 発表場所
      USA, San Francisco
    • 年月日
      2015-04-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Microwave-Induced Rapid Heating Used to Crystallize Thin Silicon Films2015

    • 著者名/発表者名
      S. Kimura, K. Ohta, T. Nakamura, M. Hasumi, A. Suzuki, M. Ushijima, T. Sameshima
    • 学会等名
      第76回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Heat treatment in 110oC liquid water used for Passivating silicon surfaces2015

    • 著者名/発表者名
      T. Nakamura, T. Sameshima, M. Hasumi, T. Mizuno
    • 学会等名
      Active Matrix Flat Panel Displays
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール(京都府京都市)
    • 年月日
      2015-07-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] n+/p+-Single Doping Effects on Impurity Band Structure Modulation2014

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, Y. Nakahara, Y. Nagamine, Y. Suzuki, Y. Nagata, T. Aoki, and T. Sameshima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center
    • 年月日
      2014-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [学会発表] 数nm-COMOS素子用二次元Si層の検討(Ⅸ):量子閉じ込め効果の結晶方位依存性へのドーパントの影響2014

    • 著者名/発表者名
      長嶺由騎, 鈴木佑弥,青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [学会発表] Crystallization of Amorphous Silicon Thin Films by Microwave Heating2014

    • 著者名/発表者名
      中村友彦, 吉冨真也, 蓮見真彦, 鮫島俊之
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      2014-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Activation of Silicon Implanted with Phosphorus Atoms by Microwave Heating2013

    • 著者名/発表者名
      S. Yoshidomi, C. Akiyama, J. Furukawa, M. Hsumi, T. Ishii, T. Sameshima, Y. Inouchi, and M. Naito
    • 学会等名
      Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Passivation of Silicon Surface by Laser Rapid Heating2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, H. Abe, M. Hasumi, T. Mizuno, and N. Sano
    • 学会等名
      レーザー先端材料加工国際会議
    • 発表場所
      朱鷺メッセ新潟コンベンションセンター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Multi-Connected Solar Cells Using Band-Gap Induced Cascaded Light Absorption2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, S. Yoshidomi, and M. Hasumi
    • 学会等名
      JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Doshisha Univ
    • 年月日
      2013-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Passivation of Silicon Surface by Laser Rapid Heating2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima
    • 学会等名
      Laser Precision Microfabrication
    • 発表場所
      朱鷺メッセ新潟コンベンションセンター(新潟)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Activation of Silicon Implanted with Phosphorus Atoms by Microwave Heating2013

    • 著者名/発表者名
      S. Yoshidomi, C. Akiyama, J. Furukawa, M. Hasumi, T. Ishii, T. Sameshima, Y. Inouchi, and M. Nait
    • 学会等名
      International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      Ryukoku Univ
    • 年月日
      2013-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] MOS構造における結晶シリコン表面の少数キャリア再結合2013

    • 著者名/発表者名
      古川潤, 吉冨真也, 蓮見真彦, 鮫島俊之
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2013-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Passivation of Silicon Surface by Laser Rapid Heating2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima
    • 学会等名
      Laser Precision Microfabrication
    • 発表場所
      Niigata, 朱鷺メッセ新潟コンベンションセンター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Microwave Annealing of Phosphorus Implanted ptype Silicon2013

    • 著者名/発表者名
      M. Hasumi , S. Yoshidomi and T. Sameshima
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Annihilation of Photo-Induced Minority Carrier Caused by Ion Implantation and Rapid Thermal Annealing2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima and S. Shibata
    • 学会等名
      Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Minority Carrier Annihilation at Crystalline Silicon Surface in MOS Structure2013

    • 著者名/発表者名
      J. Furukawa, S. Yoshidomi, M. Hasumi, and T. Sameshima
    • 学会等名
      International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      Ryukoku Univ
    • 年月日
      2013-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Silicon Surface oxidation and Passivation by Remote Induction-Coupled Oxygen Plasma2013

    • 著者名/発表者名
      鮫島俊之,蓮見真彦,吉冨真也,中村友彦, 滋野聖
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Activation of Silicon Implanted with Dopant Atoms by Microwave Heating2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, T. Nakamura, S. Yoshidomi, M. Hasumi, T. Ishii, Y. Inouchi, M. Naito and T. Mizuno
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Minority Carrier Annihilation at Crystalline Silicon Surface in MOS Structure2013

    • 著者名/発表者名
      J. Furukawa, S. Yoshidomi, M. Hasumi, and T. Sameshima
    • 学会等名
      Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Silicon Surface Oxidation and Passivation by Remote Induction-Coupled Oxygen Plasma2013

    • 著者名/発表者名
      鮫島俊之, 蓮見真彦, 吉冨真也, 中村友彦, 滋野聖
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 年月日
      2013-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Microwave Annealing of Phosphorus Implanted p-type Silicon2013

    • 著者名/発表者名
      M. Hasumi, S. Yoshidomi, and T. Sameshima
    • 学会等名
      JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Doshisha Univ
    • 年月日
      2013-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Activation of Silicon Implanted with Dopant Atoms by Microwave Heating2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, T. Nakamura, S. Yoshidomi, M. Hasumi, T. Ishii, Y. Inouchi, M. Naito and T. Mizuno
    • 学会等名
      Solid State Devices and Materials 2013
    • 発表場所
      ヒルトン福岡シーホーク
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Increase in Minority Carrier Lifetime Measured by Microwave Irradiation Method2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, K. Betsuin, T. Nagao, M. Hasumi
    • 学会等名
      THE 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES
    • 発表場所
      Ryukoku University
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] シリコン表面における光誘起少数キャリヤ再結合消滅挙動2012

    • 著者名/発表者名
      古川 潤,滝口裕太,永尾友一,蓮見真彦,鮫島俊之
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] 多波長光照射によるマイクロ波フリーキャリヤ吸収を用いた半導体少数キャリヤ消滅特性の調査2012

    • 著者名/発表者名
      滝口裕太,永尾友一,蓮見真彦,鮫島俊之
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] リモート酸素プラズマ処理と高圧水蒸気熱処理によるシリコン表面パッシベーション2012

    • 著者名/発表者名
      永冨佳将, 蓮見真彦, 鮫島俊之
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2012-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] 多波長光照射によるマイクロ波フリーキャリヤ吸収を用いた半導体少数キャリヤ消滅特性の調査2012

    • 著者名/発表者名
      滝口裕太, 永尾友一, 蓮見真彦, 鮫島俊之
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2012-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Decrease in Minority Carrier Lifetime of Crystalline Silicon Caused by Rapid Heating2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima
    • 学会等名
      Materials Research Society
    • 発表場所
      San Francisco, USA, モスコーニウエストコンベンションセンター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Increase in Minority Carrier Lifetime Measured by Microwave Irradiation Method2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima
    • 学会等名
      Active Matrix Flat Panel Displays
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール(京都市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Increase in Minority Carrier Lifetime Measured by Microwave Irradiation Method2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, K. Betsuin, T. Nagao, and M. Hasumi
    • 学会等名
      International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      Ryukoku Univ
    • 年月日
      2012-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Increase in Minority Carrier Lifetime Measured by Microwave Irradiation Method2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima
    • 学会等名
      Active Matrix Flat Panel Displays
    • 発表場所
      Kyoto, 龍谷大学アバンティ響都ホール
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Decrease in Minority Carrier Lifetime of Crystalline Silicon Caused by Rapid Heating2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima
    • 学会等名
      Materials Research Society
    • 発表場所
      San Francisco, モスコーニウエストコンベンションセンター(USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] リモート酸素プラズマ処理と高圧水蒸気熱処理によるシリコン表面パッシベーション2012

    • 著者名/発表者名
      永冨佳将,蓮見真彦,鮫島俊之
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Minority Carrier Lifetime Measurements by Multiple Wavelength Light Induced Carrier Microwave Absorption Method2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, Y. Takiguchi, T. Nagao, and M. Hasumi
    • 学会等名
      International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      Ryukoku Univ
    • 年月日
      2012-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Minority Carrier Lifetime Measurements by Multiple Wavelength Light Induced Carrier Microwave Absorption Method2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, Y. Takiguchi, T. Ngao, M. Hasumi
    • 学会等名
      THE 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES
    • 発表場所
      Ryukoku University
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Minority Carrier Lifetime Measurements by Multiple Wavelength Light Induced Carrier Microwave Absorption Method2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima
    • 学会等名
      Active Matrix Flat Panel Displays
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール(京都市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Minority Carrier Lifetime Measurements by Multiple Wavelength Light Induced Carrier Microwave Absorption Method2012

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima
    • 学会等名
      Active Matrix Flat Panel Displays
    • 発表場所
      Kyoto, 龍谷大学アバンティ響都ホール
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Heat Treatment of Amorphous Silicon p-i-n Solar Cells with High-Pressure H2O Vapor2011

    • 著者名/発表者名
      M. Hasumi, J. Takenezawa, T. Sameshima, T. Koida, T. Kaneko, M. Karasawa, and M. Kondo
    • 学会等名
      International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
    • 発表場所
      Nara Prefectural New Public Hall
    • 年月日
      2011-08-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Surface Passivation of Crystalline Silicon by Micro Crystalline Silicon Deposition Followed by High-Pressure H2O Vapor Heat Treatment2011

    • 著者名/発表者名
      T.Nagao, T.Sameshima, Y.Andoh, A Shuku, E.Takahashi
    • 学会等名
      8th Thin Film Materials & Devices Meeting
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール(京都市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Surface Passivation of Crystalline Silicon by Micro Crystalline Silicon Deposition Followed by High-Pressure H_2O Vapor Heat Treatment2011

    • 著者名/発表者名
      T. Nagao, T. Sameshima, Y. Andoh, A. Shuku and E. Takahashi
    • 学会等名
      8_th Thin Film Materials & Devices Meeting
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール(京都市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] High-Pressure H2O Vapor Heat Treatment Used to Improve Polycrystalline Silicon Soar Cell Characteristics2011

    • 著者名/発表者名
      J. Takenezawa, M. Hasumi, and T. Sameshima
    • 学会等名
      International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      Ryukoku Univ
    • 年月日
      2011-07-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Laser Induced Formation of Buried Void Layer in Silicon2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Kanda, T. Sameshima, M. Hasumi, J. Tatemichi, Y. Inouchi, and M. Naito
    • 学会等名
      The 12_th International Symposium on Laser Precision Microfabrication
    • 発表場所
      かがわ国際会議場・サンポート高松(高松市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] High-Pressure H_2O Vapor Heat Treatment Used to Improve Polycrystalline Solar Cell Characteristics2011

    • 著者名/発表者名
      J. Takenezawa, M. Hasumi, and T. Sameshima
    • 学会等名
      The Eighteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール(京都市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Laser Induced Formation of Buried Void Layer in Silicon2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Kanda, T.Sameshima, M.Hasumi, J.Tatemichi, Y.Inouchi
    • 学会等名
      The 12th International Symposium on Laser Precision Microfabrication
    • 発表場所
      かがわ国際会議場・サンポート高松(高松市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Change in Minority Carrier Lifetime Caused by Rapid Laser Heating2011

    • 著者名/発表者名
      K. Betsuin, Y. Kanda, W. Kato, S.Yoshidomi, M. Hasumi T. Sameshima, N. Sano, and T. Mizuno
    • 学会等名
      The Eighteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール(京都市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] シリコンの少数キャリヤライフタイムの種々の外部刺激による変化2011

    • 著者名/発表者名
      鮫島俊之、別院公一、蓮見真彦
    • 学会等名
      第8回薄膜材料デバイス研究会
    • 発表場所
      龍谷大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Surface Passivation of Crystalline Silicon by Amorphous Silicon Deposition Followed by High-Pressure H_2O Vapor Heat Treatment2011

    • 著者名/発表者名
      T. Nagao, M. Hasumi, T. Sameshima, and Y. Andoh
    • 学会等名
      The Eighteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ響都ホール(京都市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Oxygen Plasma Followed by High-Pressure H_2O Vapor Heat Treatment Used for Passivation of Silicon Surfaces2010

    • 著者名/発表者名
      S. Yoshidomi, M. Hasumi and T. Sameshima
    • 学会等名
      Proc in 7^<th> Thin Film Materials & Devices Meeting
    • 発表場所
      百年会館(奈良)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors2010

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki Sameshima
    • 学会等名
      218^<th> Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Riviera Hotel, Las Vegas (USA) 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] HIGH PRESSURE H_2O VAPOR HEAT TREATMENT FOR IMPROVEMENT IN PASSIVATION LAYERS OF CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS2010

    • 著者名/発表者名
      M. Hasumi, J. Takenezawa, T. Nagao, Y. Kanda and T. Sameshima
    • 学会等名
      RENEWABLE ENERGY 2010
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Minority Carrier Lifetime Measurement by Photo-Induced Carrier Microwave Absorption Method2010

    • 著者名/発表者名
      T. Nagao, S. Yoshidomi, M. Hasumi, T. Sameshima and T. Mizuno
    • 学会等名
      Proc in 7^<th> Thin Film Materials & Devices Meeting
    • 発表場所
      百年会館(奈良)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Stacked Solar Cells using Transparent and Conductive Adhesive2010

    • 著者名/発表者名
      J. Takenezawa, M. Hasumi, T. Sameshima, T. Koida, T. Kaneko, M. Karasawa and M. Kondo
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      東京大学本郷キャンパス(東京)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Characterization of Plasma Irradiated Properties by Photo Induced Carrier Microwave Absorption Method2010

    • 著者名/発表者名
      M. Hasumi, J. Takenezawa, T. Nagao and T. Sameshima
    • 学会等名
      2010 The Seventeenth International Workshop on Active Matrix Flat Panel Displays
    • 発表場所
      東京工業大学ディジタル多目的ホール(東京)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Stacked Solar Cells using Transparent and Conductive Adhesive2010

    • 著者名/発表者名
      J.Takenezawa, M.Hasumi, T.Sameshima, T.Koida, T.Kaneko, M.Karasawa, M.Kondo
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      東京大学本郷キャンバス(東京)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Minority Carrier Lifetime Measurements by Microwave Photo-Induced Carrier Absorption Method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Nagao, J.Takenezawa, M.Shimokawa, M.Hasumi, T.Sameshima
    • 学会等名
      2010 The Seventeenth International Workshop on Active Matrix Flat Panel Displays
    • 発表場所
      東京工業大学ディジタル多目的ホール(東京)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Source Heterojunction with Relaxed/Strained-Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors2010

    • 著者名/発表者名
      T.Mizuno, M.Hasegawa, T.Sameshima
    • 学会等名
      ISTESNE
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2010-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560371
  • [学会発表] Crystalline Silicon Solar Cells Used with Al and Au Metals2010

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, K. Kogure and M. Hasumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      東京大学本郷キャンパス(東京)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Crystalline Silicon Solar Cells With Two Different Metals2010

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima, K. Kogure, and M. Hasumi
    • 学会等名
      Proc in 7_th Thin Film Materials & Devices Meeting
    • 発表場所
      百年会館(奈良)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] 巣一半導体を用いた新ソースヘテロ構造の検討(II):CMOS川緩和/歪半導体構造2010

    • 著者名/発表者名
      水野智久, 長谷川光央, 鮫島俊之
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20035014
  • [学会発表] HIGH PRESSURE H2O VAPOR HEAT TREATMENT FOR IMPROVEMENT IN PASSIVATION LAYERS OF CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS2010

    • 著者名/発表者名
      Masahiko Hasumi, Jun Takenezawa, Tomokazu Nagao, Yasushi Kanda, Toshiyuki Sameshima
    • 学会等名
      RENEWABLE ENERGY 2010
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] 単一半導体を用いた新ソースヘテロ構造の検討(II):CMOS用緩和/歪半導体構造2010

    • 著者名/発表者名
      水野智久, 長谷川光央, 鮫島俊之
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560371
  • [学会発表] Oxygen Plasma Followed by High-Pressure H2O Vapor Heat Treatment Used for Passivation of Silicon Surfaces2010

    • 著者名/発表者名
      S.Yoshidomi, M.Hasumi, T.Sameshima
    • 学会等名
      Proc in 7^<th> Thin Film Materials & Devices Meeting
    • 発表場所
      百年会館(奈良)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors2010

    • 著者名/発表者名
      T. Sameshima
    • 学会等名
      218^<th> Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Riviera Hotel, Las Vegas (USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Crystalline Silicon Solar Cells With Two Different Metals2010

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki Sameshima, Kazuya Kogure, Masahiko Hasumi
    • 学会等名
      Proc in 7^<th> Thin Film Materials & Devices Meeting
    • 発表場所
      百年会館(奈良)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560292
  • [学会発表] Novel Source Heterojunction Structures with Relaxed-/Strained-Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors using Ion Implantation Induced Relaxation Technique of Strained-Substrates2009

    • 著者名/発表者名
      T.Mizuno, N.Mizoguchi, K.Tanimoto, T.Yamauchi, T.Tezuka, T.Sameshima
    • 学会等名
      SSDM
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20035014
  • [学会発表] 単一半導体を用いた新ソースヘテロ構造の検討:(I)緩和Si/歪Siヘテロ構造2009

    • 著者名/発表者名
      水野智久, 溝口直樹, 谷本光太郎, 山内知明, 鮫島俊之
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560371
  • [学会発表] 単一半導体を用いた新ソースヘテロ構造の検討:(I)緩和Si/歪Siヘテロ構造2009

    • 著者名/発表者名
      水野智久, 溝口直樹, 谷本光太郎, 山内知明, 鮫島俊之
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20035014
  • [学会発表] Novel Source Heterojunction Structures with Relaxed-/Strained-Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors using Ion Implantation Induced Relaxation Technique of Strained-Substrates2009

    • 著者名/発表者名
      T.Mizuno, N.Mizoguchi, K.Tanimoto, T.Yamauchi, T.Tezuka, T.Sameshima
    • 学会等名
      SSDM
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560371
  • [学会発表] 数nm-CMOS 素子用二次元Si 層の検討(VI):閉じ込め効果の異方性のSi 膜厚依

    • 著者名/発表者名
      永田祐介,中原雄太,青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [学会発表] Activation of Silicon Implanted with Phosphorus Atoms by Microwave Heating

    • 著者名/発表者名
      S. Yoshidomi, C. Akiyama, J.Furukawa, M. Hsumi, T. Ishii, T. Sameshima, Y. Inouchi, M. Naito
    • 学会等名
      THE TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES
    • 発表場所
      Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Physical Limitation of pn Junction in Two Dimensional Si Layers for Future CMOS

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, Y. Nakahara, Y. Nagata, Y. Suzuki, Y. Kubodera, Y. Shimizu, T. Aoki, and T. Sameshima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      福岡ヒルトンホテル
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [学会発表] Anisotropic Phonon-Confinement-Effects/Band-Structure-Modulation of Two-Dimensional Si Layers Fabricated on Silicon-on-Quartz Substrates

    • 著者名/発表者名
      T. Mizuno, Y. Nagata, Y. Suzuki, Y. Nakahara, T. Tanaka, T. Aoki and T. Sameshima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      福岡ヒルトンホテル
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [学会発表] Passivation of silicon surface by laser rapid heating

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki Sameshima, Hiroshi Abe, Masahiko Hasumi, Tomohisa Mizuno, Naoki Sano
    • 学会等名
      LPM2013
    • 発表場所
      Toki Messe, Niigata
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] 数nm-CMOS素子用2次元Si層の検討(I):フォノン閉じ込め効果の面方位/歪み依存性

    • 著者名/発表者名
      中原雄太,永田祐介,青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [学会発表] MOS 構造における結晶シリコン表面の少数キャリヤ再結合

    • 著者名/発表者名
      古川潤,吉冨真也,蓮見真彦,鮫島俊之
    • 学会等名
      第 60 回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] 数nm-CMOS素子用二次元Si層の検討(III):量子的閉じ込め効果の異方性

    • 著者名/発表者名
      永田祐介,中原雄太,青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [学会発表] Minority Carrier Annihilation at Crystalline SiliconSurface in MOS Structure

    • 著者名/発表者名
      J. Furukawa, S. Yoshidomi, M. Hasumi, T. Sameshima
    • 学会等名
      THE TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES
    • 発表場所
      Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Activation of Silicon Implanted with Dopant Atoms by Microwave Heating

    • 著者名/発表者名
      中村友彦,滋野聖,吉冨真也,蓮見真彦,石井寿子,鮫島俊之,井内裕,内藤勝男,水野智久
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Passivation of Silicon Surfaces by Oxygen Radical followed by High Pressure H2O Vapor

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki Sameshima, Shinya Yoshidomi, Tomohiko Nakamura, Satoshi Shigeno, and Masahiko Hasumi
    • 学会等名
      2014 Workshop on Active Matrix Flat Panel Displays
    • 発表場所
      京都府京都市、龍谷大学アバンティ響都ホール
    • 年月日
      2014-07-02 – 2014-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Microwave Annealing of Phosphorus Implanted p-type Silicon

    • 著者名/発表者名
      Masahiko Hasumi, Shinya Yoshidomi and Toshiyuki Sameshima
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Doshisha University, Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] 酸素プラズマ処理によるシリコン表面パッシベーション

    • 著者名/発表者名
      野手智仁,吉冨真也,古川潤,阿部博史,蓮見真彦,鮫島俊之
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] 数nm-CMOS 素子用二次元Si 層の検討(IV):光学特性の変調効果

    • 著者名/発表者名
      鈴木佑弥,中原雄太,永田祐介,青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [学会発表] 数nm-CMOS素子用2次元Si層の検討(II):バンド構造の変調効果

    • 著者名/発表者名
      永田祐介,中原雄太,青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [学会発表] Multi-Connected Solar Cells Using Band-Gap Induced Cascaded Light Absorption

    • 著者名/発表者名
      TOSHIYUKI SAMESHIMA, SHINYA YOSHIDOMI and MASAHIKO HASUMI
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Doshisha University, Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] 数nm-CMOS素子用Si単原子層の検討(II):フォトルミネッセンス特性

    • 著者名/発表者名
      水野智久,戸部圭亮,丸山洋一,鮫島俊之
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [学会発表] Oxygen Radical Treatment used for Fabricating Metal-Insulator-Semiconductor Solar Cells

    • 著者名/発表者名
      滋野聖,吉冨真也,蓮見真彦,鮫島俊之
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] 数nm-CMOS素子用二次元Si層の検討(V):高濃度不純物原子のバンド変調/フォノン閉じ込め効果への影響

    • 著者名/発表者名
      中原雄太,永田祐介,鈴木佑弥,青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [学会発表] Passivation of Silicon Surfaces by Heat Treatment in Boiled Water and its Application of

    • 著者名/発表者名
      Tomohiko Nakamura, Shinya Yoshidomi, Masahiko Hasumi, and Toshiyuki Sameshima
    • 学会等名
      2014 Workshop on Active Matrix Flat Panel Displays
    • 発表場所
      京都府京都市、龍谷大学アバンティ響都ホール
    • 年月日
      2014-07-02 – 2014-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420282
  • [学会発表] Crystallization of Amorphous Silicon Thin Films by Microwave Heating

    • 著者名/発表者名
      中村友彦,吉冨真也,蓮見真彦,鮫島俊之
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • [学会発表] Surface-Orientation/Strain Dependence of Quantum Confinement Effects in Si Monolayers for Future CMOS Devices

    • 著者名/発表者名
      T.Mizuno, K.Higa, Y.Nakajima, D.Urata, Y.Abe, H.Akamatsu,Y.Nagata, Y.Nakahara, Y.Sato, J.Takehi and T.Sameshima
    • 学会等名
      国際固体素子材料学会
    • 発表場所
      京都国際会館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [学会発表] 数nm-CMOS素子用二次元Si層の検討(VII):量子的閉じ込め効果のドナー/アクセプター濃度依存性

    • 著者名/発表者名
      中原雄太,永田祐介,鈴木佑弥,青木孝,鮫島俊之,水野智久
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560422
  • [学会発表] Silicon Surface oxidation and Passivation by Remote Induction-Coupled Oxygen Plasma

    • 著者名/発表者名
      鮫島俊之,蓮見真彦,吉冨真也,中村友彦,滋野聖
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560360
  • 1.  水野 智久 (60386810)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 76件
  • 2.  蓮見 真彦 (60261153)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 85件
  • 3.  神谷 秀博 (20183783)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  ウレット レンゴロ (10304403)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  伊原 学 (90270884)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  伏見 千尋 (50451886)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  飯島 志行 (70513745)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  酒井 幹夫 (00391342)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  稲澤 晋 (30466776)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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