高木信一 Takagi Shinichi

研究者番号	30372402
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 帝京大学, 先端総合研究機構, 特任教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2024年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 2012年度 – 2015年度: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2007年度 – 2011年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 2009年度: 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 2006年度: 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 教授 2006年度: 東京大学, 新領域創成科学研究科, 教授 2004年度 – 2006年度: 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・電子機器 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 理工系研究代表者以外工学 / 理工系 / 理工系 / 薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者 MOSFET / 移動度 / ゲルマニウム / III-V族半導体 / トンネリング / Ge / 3次元集積 / サブバンド / 反転層 / クーロン散乱 … もっと見る / ひずみSi / 面方位 / GaAs / バレー構造 / 量子閉じ込め効果 / III-V MOSFET / バリスティック輸送 / 極薄ボディMOSFET / デバイスシミュレーション / トンネルFET / III-V semiconductors / MOS型トランジスタ / デバイス設計・製造プロセス / III-V半導体 / III-V / 結晶ひずみ / III-V族化合物半導体 / subband structure / substrate current / gate current / Coulomb scattering / tunneling current / mobility / strained-Si / 散乱機構 / SiGe / 正孔 / 一軸ひずみ / バンド構造 / サブバンド構造 / 基板電流 / ゲート電流 / トンネル電流 / 酸化膜信頼性 / 界面準位 / 表面ラフネス / 強磁性 / スピン / GOI … もっと見る研究代表者以外ゲルマニウム / MOSFET / スケーリング則 / LSI / 欠陥 / 高キャリア移動度 / 結晶成長 / ひずみ / スズ / ゲートスタック / エネルギーバンド / スズ(錫) / 表面・界面 / CMOS / エピタキシャル成長 / 歪 / 錫 / 超薄膜 / デバイス設計・製造プロセス / 特性ばらつき / ナノデバイスインテグリティ / ナノCMOS / ナノ材料 / デバイス設計・製造プロセス・超薄膜 / 半導体超微細化 / 電子デバイス / ポストスケーリング技術 / シリコンULSI / シグナルインテグリティ / 三次元構造デバイス / ナノ構造化メモリ / 超々大規模集積回路 / シリコン隠す

極薄膜半導体チャネルCMOSのキャリア輸送特性の解明と高移動度化手法の確立研究代表者
- 研究代表者
  
  高木信一
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学
layer transferによる高移動度材料3次元集積CMOSの精密構造制御研究代表者
- 研究代表者
  
  高木信一
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
3次元集積Ge/III-V CMOSに向けた素子技術基盤の構築研究代表者
- 研究代表者
  
  高木信一
- 研究期間 (年度)
  2017
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
スティープスロープＭＯＳトランジスタに最適なＭＯＳゲートスタック構造に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  高木信一
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  特別研究員奨励費
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
Ge-On-Insulator CMOSのキャリア輸送特性解明と性能向上手法確立研究代表者
- 研究代表者
  
  高木信一
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
高移動度チャネルＭＯＳＦＥＴのキャリア輸送と素子構造に関する理論的研究研究代表者
- 研究代表者
  
  高木信一
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  特別研究員奨励費
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
ゲルマニウムＭＯＳ界面電気伝導機構の解明と高移動度化手法の確立研究代表者
- 研究代表者
  
  高木信一
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
省電力／超高速ナノＣＭＯＳのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2013
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  名古屋大学
結晶ひずみを利用したSiMOS反転層移動度決定機構の解明と高移動度化指針の確立研究代表者
- 研究代表者
  
  高木信一
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
ナノ機能化ゲルマニウム系チャネル研究代表者
- 研究代表者
  
  高木信一
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
シリコンナノエレクトロニクスの新展開に関する総括的研究
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学
シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
ひずみSiMOSトランジスタの物理モデル構築の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  高木信一
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学

[図書] Photonics and Electronics with Germanium, chapter 6 "Ge Condensation and Its Device Application"2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 出版者
  Wiley-VCH
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[図書] ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果-2013
- 著者名/発表者名
  財満鎭明、中塚理、高木信一(全執筆者57名)
- 総ページ数
  510
- 出版者
  株式会社エヌ・ティー・エヌ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[図書] 2. III-V/Ge デバイス構造”, 先端LSI技術大系（GNC Tech. Vol. 2）、第3章　将来技術2012
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 総ページ数
  9
- 出版者
  グローバルネット株式会社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[図書] 2. III-V/Ge デバイス構造, 先端LSI 技術大系(GNC Tech. Vol.2)、第3章将来技術2012
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 出版者
  グローバルネット株式会社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[図書] Silicon-germanium (SiGe) nanostructures -Production, properties and applications in electronics (chapter 19)2011
- 著者名/発表者名
  Shinichi Takagi
- 総ページ数
  29
- 出版者
  Woodhead Publishing Limited
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[図書] Electronic Device Architectures for the Nano-CMOS Era - From Ultimate CMOS Scaling to Beyond CMOS Devices, Chapter 52008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, T. Numata, K. Usuda, N. Sugiyama, M. Shichijo, R. Nakane and S. Sugahara
- 出版者
  Pan Stanford Publishing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[図書] Electronic Device Architectures for the Nano-CMOS Era-From Ultimate CMOS Scaling to Beyond CMOS Devices", chapter 52008
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, T.Tezuka, T.Irisawa, S.Nakaharai, T.Numata, K.Usuda, N.Sugiyama, M.Shichijo, R.Nakane and S.Sugahara
- 総ページ数
  440
- 出版者
  Pan Stanford Publishing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[図書] Electronic Device Architectures for the Nano-CMOS Era-From Ultimate CMOS Scaling to Beyond CMOS Devices, Chapter 52008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, T. Numata, K. Usuda, N. Sugiyama, M. Shichijo, R. Nakane and S. Sugahara
- 総ページ数
  23
- 出版者
  Pan Stanford Publishing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[図書] Devices Structures and Carrier Transport Properties of Advanced CMOS using High Mobility Channels, Electronic Device Architectures for the Nano-CMOS Era-From Ultimate CMOS Scaling to Beyond CMOS Devices, chapter 32008
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, T.Tezuka, T.Irisawa, S.Nakaharai, T.Numata, K.Usuda, N.Sugiyama, M.Shichijo, R.Nakane, S.Sugahara
- 出版者
  Pan Stanford Publishing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[図書] Electronic Devices Architectures for the NANO-CMOS Era-From Ultimate CMOS Scaling to Beyond CMOS devices2008
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, T.Tezuka, T.Irisawa, S.Nakaharai, T.Numata, K.Usuda, N.Sugiyama, M.Shichijo, R.Nakaneand S.Sugahara
- 出版者
  will be published in)Pan Stanford Publishing
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[図書] Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics 27)(Chapter 1:Strained-Si CMOS Technology)2007
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- 出版者
  Springer
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[図書] Silicon-germanium (SiGe)-based field effect transistors (FET) and complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technologies, Silicon-germanium (SiGe) nanostructures -Production, properties and applications in electronics, chapter 19
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Accurate Evaluation of Interface Trap Density at InAs MOS Interfaces by Using C-V Curves at Low Temperatures2023
- 著者名/発表者名
  R. Yoshizu, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 62 号: SC ページ: SC1055-SC1055
- DOI
  10.35848/1347-4065/acb1bd
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[雑誌論文] Hole Mobility Boosters of (110)-Oriented SGOI, Thinner Substrate, and Asymmetric Strain in Extremely-Thin Body Channel2023
- 著者名/発表者名
  C.-T. Chen, X. Han, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 70 ページ: 3963-3969
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[雑誌論文] Low Specific Contact Resistance between InAs/Ni-InAs Evaluated by Multi-Sidewall TLM2023
- 著者名/発表者名
  K. Sumita, J. Takeyasu, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  AIP advances
  
  巻: 13 号: 5
- DOI
  10.1063/5.0150296
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[雑誌論文] Formulation of Ground States for 2DEG at Rough Surfaces and Application to Nonlinear Model of Surface Roughness Scattering in nMOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  Sumita Kei、Min-Soo Kang、Toprasertpong Kasidit、Takenaka Mitsuru、Takagi Shinichi
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: －ページ: 216-229
- DOI
  10.1109/jeds.2023.3264814
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21J10272, KAKENHI-PROJECT-22H00208
[雑誌論文] Interpretation of mobility universality against effective electric field of Si nMOSFETs based on nonlinear model of surface roughness scattering2023
- 著者名/発表者名
  K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp.
  
  巻: 16 号: 6 ページ: 064001-064001
- DOI
  10.35848/1882-0786/acd6d6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[雑誌論文] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Extremely Thin Body (100) Silicon-Germanium-on-Insulator p-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor by Oil-immersion Raman spectroscopy2023
- 著者名/発表者名
  Y. Maeda, R. Yokogawa, S. Sugawa, C. -T. Chen, K. Toprasertpong, M. Takenaka, S. Takagi, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 112 (1) 号: 1 ページ: 37-43
- DOI
  10.1149/11201.0037ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[雑誌論文] Effects of Post Deposition Annealing Temperature and Atmosphere on Interface Properties in ALD Al2O3/Plasma Oxidation GeOx/(111) and (100) n-Ge MOS structures2023
- 著者名/発表者名
  X. Han, C.-T. Chen, M. Ke, Z. Zhao, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 62 号: SC ページ: SC1089-SC1089
- DOI
  10.35848/1347-4065/acbb89
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[雑誌論文] Extremely-thin body GOI channel technology in nano-sheet FET era2022
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, C.-T. Chen, X. Han, K. Sumita, K. Toprasertpong and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 109(4) 号: 4 ページ: 59-71
- DOI
  10.1149/10904.0059ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[雑誌論文] Effective Mobility Enhancement Through Asymmetric Strain Channels on Extremely-Thin Body (100) GOI pMOSFETs2022
- 著者名/発表者名
  C.-T. Chen, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 69 号: 1 ページ: 25-30
- DOI
  10.1109/ted.2021.3130221
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Introduction of high tensile strain in Ge-on-Insulator structures by oxidation and annealing at high temperature2022
- 著者名/発表者名
  X. Han, C.-T. Chen, C.-M. Lim, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 61 号: SC ページ: SC1027-SC1027
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac4075
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Optimum Channel Design of Extremely-Thin-Body nMOSFETs by Utilizing Anisotropic Valley -Robust to Surface Roughness Scattering2022
- 著者名/発表者名
  K. Sumita, C.-T. Chen, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 69 号: 4 ページ: 2115-2121
- DOI
  10.1109/ted.2022.3143484
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-21J10272
[雑誌論文] Evaluation of Strained Group IV Semiconductor Devices by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2022
- 著者名/発表者名
  R. Yokogawa, C. -T. Chen, K. Toprasertpong, M. Takenaka, S. Takagi, and A. Ogura
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 109(4) 号: 4 ページ: 351-357
- DOI
  10.1149/10904.0351ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[雑誌論文] Impacts of Equivalent Oxide Thickness Scaling of TiN/Y2O3 Gate Stacks With Trimethylaluminum Treatment on SiGe MOS Interface Properties2021
- 著者名/発表者名
  T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 42 号: 7 ページ: 966-969
- DOI
  10.1109/led.2021.3081513
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-20J10380
[雑誌論文] Proposal and experimental demonstration of ultrathin-body (111) InAs-on-insulator nMOSFETs with L valley conduction2021
- 著者名/発表者名
  K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 68 号: 4 ページ: 2003-2009
- DOI
  10.1109/ted.2021.3049455
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-21J10272
[雑誌論文] Electrical properties of ultra-thin body (111) Ge on-insulator n-channel MOSFETs fabricated by smart-cut process2021
- 著者名/発表者名
  C.-M. Lim, Z. Zhao, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE J. Electron Device Society
  
  巻: 9 ページ: 612-617
- DOI
  10.1109/jeds.2021.3085981
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Evaluation of interface traps inside the conduction band of InAs-On-Insulator nMOSFET by self-consistent Hall-QSCV method2021
- 著者名/発表者名
  K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 119 号: 10 ページ: 103501-103501
- DOI
  10.1063/5.0057182
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-21J10272
[雑誌論文] Re-examination of effects of ALD high-k materials on defects reduction in SiGe metal-oxide-semiconductor interfaces2021
- 著者名/発表者名
  T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 11 号: 8 ページ: 08502116-08502116
- DOI
  10.1063/5.0061573
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-20J10380
[雑誌論文] Reduction of MOS Interface Defects in TiN/Y?O?/Si?.??Ge?.?? Structures by Trimethylaluminum Treatment2020
- 著者名/発表者名
  Lee Tsung-En、Ke Mengnan、Toprasertpong Kasidit、Takenaka Mitsuru、Takagi Shinichi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 67 号: 10 ページ: 4067-4072
- DOI
  10.1109/ted.2020.3014563
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-20J10380
[雑誌論文] Evaluation of polarization characteristics in metal/ferroelectric/semiconductor capacitors and ferroelectric field-effect transistors2020
- 著者名/発表者名
  K. Toprasertpong, K. Tahara, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 116 号: 24 ページ: 242903-242903
- DOI
  10.1063/5.0008060
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-19K15021
[雑誌論文] Effects of hydrogen ion implantation dose on physical and electrical properties of Ge-on-insulator layers fabricated by the smart-cut process2020
- 著者名/発表者名
  Lim C.-M.、Zhao Z.、Sumita K.、Toprasertpong K.、Takenaka M.、Takagi S.
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 1 ページ: 015045-015045
- DOI
  10.1063/1.5132881
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Metal?oxide?semiconductor interface properties of TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38 gate stacks with high temperature post-metallization annealing2020
- 著者名/発表者名
  Lee Tsung-En、Ke Mengnan、Kato Kimihiko、Takenaka Mitsuru、Takagi Shinichi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 127 号: 18 ページ: 185705-185705
- DOI
  10.1063/1.5144198
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-20J10380
[雑誌論文] Operation of (111) Ge-on-Insulator n-Channel MOSFET Fabricated by Smart-Cut Technology2020
- 著者名/発表者名
  Lim Cheol-Min、Zhao Ziqiang、Sumita Kei、Toprasertpong Kasidit、Takenaka Mitsuru、Takagi Shinichi
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 41 号: 7 ページ: 985-988
- DOI
  10.1109/led.2020.2999777
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Improved Ferroelectric/Semiconductor Interface Properties in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric FETs by Low-Temperature Annealing2020
- 著者名/発表者名
  K. Toprasertpong, K. Tahara, T. Fukui, Z. Lin, K. Watanabe, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett.
  
  巻: 41 号: 10 ページ: 1588-1591
- DOI
  10.1109/led.2020.3019265
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-19K15021
[雑誌論文] Accurate evaluation of specific contact resistivity between InAs/Ni?InAs alloy using a multi-sidewall transmission line method2020
- 著者名/発表者名
  Sumita Kei、Kato Kimihiko、Takeyasu Jun、Toprasertpong Kasidit、Takenaka Mitsuru、Takagi Shinichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SG ページ: SGGA08-SGGA08
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab6cb3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Influence of layer transfer and thermal annealing on the properties of InAs-On-Insulator films2020
- 著者名/発表者名
  Sumita K.、Takeyasu J.、Toprasertpong K.、Takenaka M.、Takagi S.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 128 号: 1 ページ: 015705-015705
- DOI
  10.1063/5.0007978
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Reduction of Slow Trap Density in Al2O3/GeO x N y /n-Ge MOS Interfaces by PPN-PPO Process2019
- 著者名/発表者名
  Ke Mengnan、Takenaka Mitsuru、Takagi Shinichi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 66 号: 12 ページ: 5060-5064
- DOI
  10.1109/ted.2019.2948074
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] InGaSb-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si fabricated by direct wafer bonding2019
- 著者名/発表者名
  M. Yokoyama, H. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 125 号: 11 ページ: 114501-114501
- DOI
  10.1063/1.5049518
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Re-examination of effects of sulfur treatment on Al2O3/InGaAs metal-oxide-semiconductor interface properties2019
- 著者名/発表者名
  Yoon S.-H.、Kato K.、Yokoyama C.、Ahn D.-H.、Takenaka M.、Takagi S.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 126 号: 18 ページ: 184501-184501
- DOI
  10.1063/1.5111630
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Fabrication of thin body InAs-on-insulator structures by Smart Cut method with H+ implantation at room temperature2019
- 著者名/発表者名
  Sumita Kei、Kato Kimihiko、Takenaka Mitsuru、Takagi Shinichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SB ページ: SBBA03-SBBA03
- DOI
  10.7567/1347-4065/aafa68
- NAID
  210000135316
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Slow Trap Properties and Generation in Al2O3/GeOx/Ge MOS Interfaces Formed by Plasma Oxidation Process2019
- 著者名/発表者名
  Ke Mengnan、Takenaka Mitsuru、Takagi Shinichi
- 雑誌名
  
  ACS Applied Electronic Materials
  
  巻: 1 号: 3 ページ: 311-317
- DOI
  10.1021/acsaelm.8b00071
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18J13656, KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Impact of SiGe Layer Thickness in Starting Substrates on Strained Ge-on-Insulator pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2019
- 著者名/発表者名
  K.-W. Jo, W.-K. Kim, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 114 号: 6 ページ: 062101-062101
- DOI
  10.1063/1.5068713
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-18J14311
[雑誌論文] Impact of metal gate electrodes on electrical properties of Y2O3/Si0.78Ge0.22 gate stacks2019
- 著者名/発表者名
  Lee T.-E.、Kato K.、Ke M.、Toprasertpong K.、Takenaka M.、Takagi S.
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 214 ページ: 87-92
- DOI
  10.1016/j.mee.2019.05.005
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Electrical characteristic of atomic layer deposition La2O3/Si MOSFETs with ferroelectric-type hysteresis2019
- 著者名/発表者名
  Endo Kiyoshi、Kato Kimihiko、Takenaka Mitsuru、Takagi Shinichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SB ページ: SBBA05-SBBA05
- DOI
  10.7567/1347-4065/aafecf
- NAID
  210000135409
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Pre-treatment Effects on high-k/InxGa1-xAs MOS Interface Properties and their Physical Model2018
- 著者名/発表者名
  C. Yokoyama, C.-Y. Change, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: 6 ページ: 487-493
- DOI
  10.1109/jeds.2017.2760344
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Impact of atomic layer deposition high k films on slow trap density in Ge MOS interfaces with GeOx interfacial layers formed by plasma pre-oxidation2018
- 著者名/発表者名
  M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: 6 ページ: 950-955
- DOI
  10.1109/jeds.2018.2822758
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Ultra-Low Power III-V-Based Mosfets and Tunneling FETs2018
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, D.-h. Ahn, T. Gotow, C. Yokoyama, C.-Y. Chang, K. Endo, K. Katoh and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 85 号: 8 ページ: 27-37
- DOI
  10.1149/08508.0027ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Ultrathin-body Ge-On-Insulator MOSFET and TFET technologies2018
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, W.-K. Kim, K.-W. Jo, R. Matsumura, R. Takaguchi, T. Katoh, T.-E. Bae, K. Kato and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 86 号: 7 ページ: 75-86
- DOI
  10.1149/08607.0075ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-18J14311
[雑誌論文] Relationship between interface state generation and substrate hole current in InGaAs　metal-oxide-semiconductor (MOS) interfaces2018
- 著者名/発表者名
  S.-H. Yoon, D.-H. Ahn, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 123 号: 23 ページ: 234502-234502
- DOI
  10.1063/1.5031052
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] MOS Interface Defect Control in Ge/IIIV Gate Stacks2018
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Ke, C. Y. Chang, C. Yokoyama, M. Yokoyama, T. Gotow, K. Nishi, and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 80 (1) 号: 1 ページ: 109-118
- DOI
  10.1149/08001.0109ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148, KAKENHI-PROJECT-17J08214
[雑誌論文] High performance UTB GeOI n and pMOSFETs featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) technology2018
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, H. Ota, H. Takagi,　Y. Kurashima, N. Uchida, and T. Maeda
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 86 号: 10 ページ: 25-34
- DOI
  10.1149/08610.0025ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Interface state generation of Al2O3/InGaAs MOS structures by electrical stress2017
- 著者名/発表者名
  S. -H. Yoon, C.-Y. Chang, D. H. Ahn, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Microelectronic Eng.
  
  巻: 178 ページ: 313-317
- DOI
  10.1016/j.mee.2017.05.015
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  W.-H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, H. Ota, H. Takagi, Y. Kurashima, N. Uchida, and T. Maeda
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 64 号: 11 ページ: 4615-4621
- DOI
  10.1109/ted.2017.2756061
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Impact of La2O3/InGaAs MOS Interfaces on the Performance of InGaAs MOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  C.-Y. Chang, C. Yokoyama, M. Takenaka, Member and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 64 号: 6 ページ: 2519-2525
- DOI
  10.1109/ted.2017.2696741
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Reduction of slow trap density of Al2O3/GeOx/n-Ge MOS interfaces by inserting ultrathin Y2O3 interfacial layers2017
- 著者名/発表者名
  M. Ke, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Microelectronic Eng.
  
  巻: 178 ページ: 132-136
- DOI
  10.1016/j.mee.2017.04.021
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Modulation of sub-threshold properties of InGaAs MOSFETs by La2O3 gate dielectrics2017
- 著者名/発表者名
  C.-Y. Chang, K. Endo, K. Kato, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 7 号: 9 ページ: 095215-095215
- DOI
  10.1063/1.4999958
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[雑誌論文] Evaluation of mobility degradation factors and performance improvement of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GOI) MOSFETs by GOI thinning using plasma oxidation2016
- 著者名/発表者名
  X. Yu, J. Kang, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices,
  
  巻: 64 号: 4 ページ: 1418-1425
- DOI
  10.1109/ted.2017.2662217
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Properties of slow traps of ALD Al2O3/GeOx/Ge nMOSFETs with plasma post oxidation2016
- 著者名/発表者名
  M. Ke, X. Yu, C. Chang, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 109 号: 3 ページ: 032101-032101
- DOI
  10.1063/1.4958890
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Characterization of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) structures and MOSFETs on flipped Smart-Cut GeOI substrates2016
- 著者名/発表者名
  X. Yu, J. Kang, R. Zhang, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 115 ページ: 120-125
- DOI
  10.1016/j.sse.2015.08.021
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] III-V/Ge MOS Device Technologies for Low Power Integrated Systems2016
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Noguchi, M. Kim, S.-H. Kim, C.-Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  Solid State Electron.
  
  巻: 125 ページ: 82-102
- DOI
  10.1016/j.sse.2016.07.002
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Impact of Postdeposition Annealing Ambient on the Mobility of Ge nMOSFETs with 1-nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate-Stacks2016
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 63 号: 2 ページ: 558-564
- DOI
  10.1109/ted.2015.2509961
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Low temperature formation of higher-k cubic phase HfO2 by atomic layer deposition on GeOx/Ge structures fabricated by in-situ thermal oxidation2016
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, P. C. Huang, N. Taoka, M. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 108 号: 5 ページ: 052903-052903
- DOI
  10.1063/1.4941538
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] III-V/Ge MOS Device Technologies for Low Power Integrated Systems2016
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Noguchi, M. Kim, S.-H. Kim, C.-Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 108
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Quantitative evaluation of slow traps near Ge MOS interfaces by using time response of MOS capacitance2015
- 著者名/発表者名
  K. Tanaka, R. Zhang, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 54
- NAID
  210000144949
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Tunneling FET Technologies Using III-V and Ge Materials2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Kim, M. Noguchi, K. Nishi, and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 69 (10) 号: 10 ページ: 99-108
- DOI
  10.1149/06910.0099ecst
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Properties of ultrathin-body condensation Ge-On-Insulator films thinned by additional thermal oxidation2015
- 著者名/発表者名
  W.-K. Kim, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 54 号: 4S ページ: 04DA05-04DA05
- DOI
  10.7567/jjap.54.04da05
- NAID
  210000144952
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] III-V/Ge Channel MOS Device Technologies in Nano CMOS era2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, R. Zhang, J. Suh, S.-H. Kim, M. Yokoyama, K. Nishi and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 54 号: 6S1 ページ: 06FA01-06FA01
- DOI
  10.7567/jjap.54.06fa01
- NAID
  210000145217
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] MOS Interface Control Technologies for Advanced III-V/ Ge Devices2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, C. Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, J. H. Han, and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 69(5) 号: 5 ページ: 37-51
- DOI
  10.1149/06905.0037ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) Pseudo-MOSFETs fabricated　by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates2015
- 著者名/発表者名
  X. Yu, R. Zhang, J. Kang, T. Maeda, T. Itatani, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  ECS Solid State Letters
  
  巻: 4 号: 2 ページ: P15-P18
- DOI
  10.1149/2.0031502ssl
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] “Impact of back interface passivation on electrical properties of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs2015
- 著者名/発表者名
  X. Yu, J. Kang, R. Zhang, W.-L. Cai, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 147 ページ: 196-200
- DOI
  10.1016/j.mee.2015.04.063
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Fabrication and MOS interface properties of ALD AlYO3/GeOx/Ge gate stacks with plasma post oxidation2015
- 著者名/発表者名
  M. Ke, X. Yu, R. Zhang, J. Kang, C. Chang, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Microelectron. Eng.
  
  巻: 147 ページ: 244-248
- DOI
  10.1016/j.mee.2015.04.079
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Effects of additional oxidation after Ge condensation on electrical properties of germanium-on-insulator p-channel MOSFETs2015
- 著者名/発表者名
  J.-K. Suh, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 117 ページ: 77-87
- DOI
  10.1016/j.sse.2015.11.014
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Fabrication and MOS interface properties of ALD AlYO3/GeOx/Ge gate stacks with plasma post oxidation2015
- 著者名/発表者名
  M. Ke, X. Yu, R. Zhang, J. Kang, C. Chang, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 147
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Impact of Channel Orientation on Electrical Properties of Ge p- and n-MOSFETs with 1-nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate-Stacks Fabricated by Plasma Postoxidation2014
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 61 号: 11 ページ: 3668-3675
- DOI
  10.1109/ted.2014.2359678
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Material Challenges and Opportunities in Ge/III-V channel MOSFETs2014
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, S.-H. Kim, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 64 号: 11 ページ: 99-110
- DOI
  10.1149/06411.0099ecst
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Sb-Doped S/D Ultrathin body Ge-On-insulator nMOSFET fabricated by improved Ge condensation process2014
- 著者名/発表者名
  W.-K. Kim, K. Kuroda, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 61 号: 10 ページ: 3379-3385
- DOI
  10.1109/ted.2014.2350457
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Impact of plasma postoxidation temperature on the electrical properties of Al_2O_3/GeO_X/Ge pMOSFETs and nMOSFETs2014
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, J-C. Lin, X. Yu, M. Takenaka, S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Electron Devices
  
  巻: 61 号: 2 ページ: 416-422
- DOI
  10.1109/ted.2013.2295822
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J09309, KAKENHI-PROJECT-22000011, KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Physical Origins of High Normal Field Mobility Degradation in Ge p- and n-MOSFETs with GeOx/Ge MOS Interfaces Fabricated by Plasma Post Oxidation2014
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 61 号: 7 ページ: 2316-2323
- DOI
  10.1109/ted.2014.2325604
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] Strain-Modulated L-Valley Ballistic-Transport in (lll) GaAs Ultrathin-Body nMOSFETs2014
- 著者名/発表者名
  K. Alain, S. Takagi, and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: Vol.61 号: 5 ページ: 1335-1340
- DOI
  10.1109/ted.2014.2311840
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12F02063
[雑誌論文] New Materials for Post-Si Computing: Ge and GeSn Devices2014
- 著者名/発表者名
  S. Gupta, X. Gong, R. Zhang, Y.-C. Yeo, S. Takagi and K. C. Saraswat
- 雑誌名
  
  MRS Bulletin
  
  巻: 39 号: 8 ページ: 678-686
- DOI
  10.1557/mrs.2014.163
- オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[雑誌論文] A Ge ultrathin-body n-channel tunnel FET: effects of surface orientation2014
- 著者名/発表者名
  Khairul Alam, Shinichi Takagi and Mitsuru Takenaka
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 61 号: 11 ページ: 3594-3600
- DOI
  10.1109/ted.2014.2353513
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12F02063
[雑誌論文] III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI (invited)2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 54 (1) ページ: 39-54
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Performance Enhancement Technologies in III-V/Ge MOSFETs (invited)2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Zhang and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 58(9) ページ: 137-148
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] III-V/Ge CMOS device technologies for high performance logic applications (invited)2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Suzuki, R. Zhang, N. Taoka, and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 53 (3) ページ: 85-96
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] High Mobility Ge p- and n-MOSFETs with 0.7 nm EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge gate stacks fabricated by plasma post oxidation2013
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, P.-C. Huang, J.-C. Lin, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 60 ページ: 927-934
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Ge gate stacks based on Ge oxide interfacial layers and the impact on MOS device properties2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  Micoroelectron. Eng.
  
  巻: 109 ページ: 389-395
- DOI
  10.1016/j.mee.2013.04.034
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] III-V/Ge CMOS device technologies for high performance logic applications2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Yokoyama, S.-H.Kim, R.Suzuki, R.Zhang, N.Taoka and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 53(3) 号: 3 ページ: 85-96
- DOI
  10.1149/05303.0085ecst
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Invited : III-V/Ge MOS transistor technologies for future ULSI future IC technology and novel devices2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: VOL. 54 号: 1 ページ: 39-54
- DOI
  10.1149/05401.0039ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011, KAKENHI-PROJECT-22686034, KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] High Mobility Ge p- and n-MOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation2013
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, P.-C.Huang, J.-C.Lin, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: vol.60, no.3 号: 2 ページ: 927-934
- DOI
  10.1109/ted.2011.2176495
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Limiting factors of channel mobility in III-V/Ge MOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.S.-H.Kim, R.Zhang, N.Taoka, Yokoyama and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 53(3) 号: 3 ページ: 97-105
- DOI
  10.1149/05303.0003ecst
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels on Si platform2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, S. -H. Kim, M. Yokoyama, R. Zhang, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Yamada, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  Solid Stale Electronics
  
  巻: 88 ページ: 2-8
- DOI
  10.1016/j.sse.2013.04.020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J07612, KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Impact of plasma post oxidation temperature on interface trap density and roughness at GeOx/Ge interfaces2013
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, J. C. Lin, X. Yu, M. Takenaka, S. Takagi
- 雑誌名
  
  Microelectron. Eng.
  
  巻: 109 ページ: 97-100
- DOI
  10.1016/j.mee.2013.03.034
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J09309, KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Limiting factors of channel mobility in III-V/Ge MOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. S.-H. Kim, R. Zhang, N. Taoka, Yokoyama and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 53 (3) ページ: 97-105
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Atomic layer-by-layer oxidation of Ge (100) and (111) surfaces by plasma post oxidation of Al2O3/Ge structures2013
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, P.-C. Huang, J.-C. Lin, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 102 号: 8 ページ: 81603-81603
- DOI
  10.1063/1.4794013
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011, KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Invited : Performance enhancement technologies in III-V/Ge MOSFETs Ge-based and III-V technologies2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, Rui Zhang, S. -H. Kim, M. Yokoyama, and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: VOL. 59 号: 9 ページ: 137-148
- DOI
  10.1149/05809.0137ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011, KAKENHI-PROJECT-22686034, KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Analysis and comparison of L valley transport in GaAs, GaSb, and Geultra-thin-body nMOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  K. Alam, S. Takagi, and M. Takenaka
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: Vol.60 号: 12 ページ: 4213-4218
- DOI
  10.1109/ted.2013.2285394
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12F02063
[雑誌論文] MOS interface control of high mobility channel materials for realizing ultrathin EOT gate stacks2012
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, R.Suzuki N.Taoka, M.Yokoyama and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 50(4) 号: 4 ページ: 107-122
- DOI
  10.1149/05004.0107ecst
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] High-mobility Ge pMOSFET with 1-nm EOT Al2O3/GeOx/Ge gate stack fabricated by plasma post oxidation2012
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 59 ページ: 335-341
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] MOS interface control of high mobility channel materials for realizing ultrathin EOT gate stacks2012
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 50 (4) ページ: 107-122
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O32012
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, P.-C.Huang, M.Takenaka and S.Takagi
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 50(9) 号: 9 ページ: 699-706
- DOI
  10.1149/05009.0699ecst
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Impact of GeOx interfacial layer thickness on Al2O3/Ge MOS interface properties2011
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, S. Takagi
- 雑誌名
  
  Microelecton. Engineering
  
  巻: 88 号: 7 ページ: 1533-1536
- DOI
  10.1016/j.mee.2011.03.130
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011, KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Suppression of ALD-induced degradation of Ge MOS interface properties by low power plasma nitridation of GeO22011
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  J. Electrochem. Soc.
  
  巻: 158 号: 8 ページ: G178-G178
- DOI
  10.1149/1.3599065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011, KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Suppression of Interface State Generation in Si MOSFETs with Biaxially-Tensile Strain2011
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, M.Takenaka, S.Takagi
- 雑誌名
  
  in Electron Device Letters 32(accepted)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[雑誌論文] Prospective and critical issues of III-V/Ge CMOS on Si platform2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 35(3) 号: 3 ページ: 279-298
- DOI
  10.1149/1.3569921
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] High Mobility Ge-based CMOS Device Technologies2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, S.Dissanayake and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: Vol.470 ページ: 1-7
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/kem.470.1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Device and integration technologies of III-V/Ge channel CMOS2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Yokoyama, Y.-H.Kim and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 41(7) 号: 7 ページ: 203-218
- DOI
  10.1149/1.3633300
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Al_2O_3/GeO_x/Ge gate stacks with low interface trap density fabricated by electron cyclotron resonance plasma postoxidation2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[雑誌論文] Highly strained-SiGe-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effective transistors fabricated by applying Ge condensation technique to strained-Si-on-insulator substrates2011
- 著者名/発表者名
  J. Suh, R. Nakane, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 99 号: 14 ページ: 142108-142108
- DOI
  10.1063/1.3647631
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011, KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks with Low Interface Trap Density Fabricated by Electron Cyclotron Resonance Plasma Post Oxidation2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: vol.98 号: 11 ページ: 112902-112902
- DOI
  10.1063/1.3564902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] MOS interface control technologies for III-V/Ge channel MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, T.Hoshii and M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 41(3) 号: 3 ページ: 3-20
- DOI
  10.1149/1.3633015
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[雑誌論文] A Novel Characterization Scheme of Si/SiO2 Interface Roughness for Surface Roughness Scattering-limited Mobilities of Electrons and Holes in Unstrained- and Strained-Si MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, H.Matsumoto T.Sato, S.Koyama, M.Takenaka, S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Electron Devices 57
  
  ページ: 2057-2066
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[雑誌論文] High Performance Ultrathin(110)-Oriented Ge-On-Insulator pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique2010
- 著者名/発表者名
  S.Dissanayake, S.Sugahara, M.Takenaka, S.Takagi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 3
  
  ページ: 41302-41302
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Experimental Determination of Shear Stress induced Electron Mobility Enhancements in Si and Biaxially Strained-Si Metal-Oxide-Semiconductor Field-Fffect Transistors2010
- 著者名/発表者名
  O.Weber, M.Takenaka, S.Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Rhys.
  
  巻: 49 ページ: 74101-74101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[雑誌論文] Experimental Determination of Shear Stress induced Electron Mobility Enhancements in Si and Biaxially Strained-Si Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors2010
- 著者名/発表者名
  O.Weber, M.Takenaka, S.Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
  
  ページ: 74101-74101
- NAID
  40017216105
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[雑誌論文] Ge/III-V Channel Engineering for future CMOS2009
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Sugiyama, T.Yasuda, M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 19
  
  ページ: 9-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2009
- 著者名/発表者名
  K.Morii, S.Dissanayake, S.Tanabe, R.Nakane, M.Takenaka, S.Sugahara, S.Takagi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
- NAID
  210000066561
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Interfacial Control and Electrical Properties of Ge MOS structures2009
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, N. Taoka, M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans. vol.19,no.2
  
  ページ: 67-85
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Ge/III-V Channel Engineering for future CMOS2009
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Sugiyama, T. Yasuda, M. Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Trans. vol.19,no.5
  
  ページ: 9-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] On Surface Roughness Scattering-limited Mobilities of Electrons and Holes in Biaxially-tensile Strained Si MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, M.Takenaka, S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters 30
  
  ページ: 987-989
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[雑誌論文] ポストスケーリング時代のCMOSデバイス技術2009
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会誌 vol. 92, No. 1
  
  ページ: 43-48
- NAID
  110007008504
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] 界面制御層を用いた高性能Ge MOSトランジスタ2009
- 著者名/発表者名
  高木信一, 山本豊二, 田岡紀之, 池田圭司
- 雑誌名
  
  応用物理 vol.78,no.1
  
  ページ: 37-42
- NAID
  10023996500
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] 界面制御層を用いた高性能GeMOSトランジスタ2009
- 著者名/発表者名
  高木信一, 由本豊二, 由岡紀之, 池田圭司
- 雑誌名
  
  応用物理 78
  
  ページ: 37-42
- NAID
  10023996500
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Surface Orientation Dependence of Interface Properties of GeO2/Ge metal-oxide-semiconductor Structures Fabricated by Thermal Oxidation2009
- 著者名/発表者名
  T.Sasada, Y.Nakakita, M.Takenaka, S.Takagi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 106
  
  ページ: 73716-73716
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] ポストスケーリング時代のCMOSデバイス技術2009
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会誌 92
  
  ページ: 43-48
- NAID
  110007008504
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] On Surface Roughness Scatteringlimited Mobilities of Electrons and Holes in Biaxially-tensile Strained Si MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, M.Takenaka, S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters 30
  
  ページ: 987-989
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[雑誌論文] Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-On-Insulator Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistors2009
- 著者名/発表者名
  K. Morii, S. Dissanayake, S. Tanabe, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara, S. Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. vol.48,no.4
- NAID
  210000066561
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Surface Orientation Dependence of Interface Properties of GeO2/Ge metal-oxide-semiconductor Structures Fabricated by Thermal Oxidation2009
- 著者名/発表者名
  T. Sasada, Y. Nakakita, M. Takenaka, S. Takagi
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. vol.106
  
  ページ: 73716-73716
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] 界面制御層を用いた高性能Ge MOSトランジスタ2009
- 著者名/発表者名
  高木信一, 山本豊二, 田岡紀之, 池田圭司
- 雑誌名
  
  応用物理 vol. 78, no. 1
  
  ページ: 37-42
- NAID
  10023996500
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Interfacial Control and Electrical Properties of Ge MOS structures2009
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, N.Taoka, M.Takenaka
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 19
  
  ページ: 67-85
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Comprehensive Understanding of Coulomb Scattering Mobility in Biaxially-Strained Si MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, M.Takenaka, S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Electron Devices 56
  
  ページ: 1152-1156
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[雑誌論文] Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance2008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices Vol.55, Issue. 1
  
  ページ: 21-39
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] (110) Ultra-thin GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method2008
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.517,Issue1
  
  ページ: 178-180
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Experimental Examination and Physical Understanding of the Coulomb Scattering Mobility in Strained-Si N-MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  O.Weber and S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Electron Devlces 55
  
  ページ: 2386-2396
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[雑誌論文] Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance2008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices(Invited Paper) Vol. 55, No. 1
  
  ページ: 21-39
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] (110) Ultra-thin GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method2008
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol. 517, Issue 1
  
  ページ: 178-180
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance2008
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, T.Irisawa, T.Tezuka, T.Numata, S.Nakaharai, N.Hirashita, Y.Moriyama, K.Usuda, E.Toyoda, S.Dissanayake, M.Shichijo, R.Nakane, S.Sugahara, M.Takenaka and N.Suiama
- 雑誌名
  
  IEEE Transactionon Eectron Devices Vol.55,Issue.1
  
  ページ: 21-39
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance2008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, S. Nakaharai, et. al.
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices 55
  
  ページ: 21-39
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063013
[雑誌論文] Evidence of low interface trap density in GeO2/Ge Metal-Oxide-Semiconductor structures fabricated by thermal oxidation2008
- 著者名/発表者名
  H. Matsubara, T. Sasada, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. Vol. 93, Issue. 3
  
  ページ: 32104-32104
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance (lnvited Paper)2008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. lrisawa, T. Tezuka, T.Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Electron Devices 55
  
  ページ: 21-39
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance2008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka, N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices Vol.55,No.1
  
  ページ: 21-39
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Evidence of low interface trap density in GeO2/Ge Metal-Oxide- Semiconductor structures fabricated by thermal oxidation2008
- 著者名/発表者名
  H. Matsubara, T. Sasada, M. Takenaka, S. Takagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. Vol.93,Issue.3
  
  ページ: 32104-32104
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] (110)Ultra-thin GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method2008
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 178-180
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Experimental Examination and Physical Understanding of the Coulomb Scattering Mobility in Strained-Si NMOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  O.Weber, S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Electron Devices 55
  
  ページ: 2386-2396
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[雑誌論文] Ultrathin Ge-On-lnsulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 2117-2121
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Mobility- Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, T. Numata, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, S. Dissanayake, M. Tekenaka, S. Sugahara, N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  ECS Trans. Vol.11,No.6
  
  ページ: 61-74
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Ultrathin Ge-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. vol. 46, no. 4B
  
  ページ: 2117-2121
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Ultrathin Ge-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara, S. Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. vol.46,no.4B
  
  ページ: 2117-2121
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Effect of Tensile Strain on Gate Current of strained-Si n-MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  T. Hoshii, S. Sugahara and S. Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys Vol.46
  
  ページ: 2122-2126
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Mobility- Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, T. Numata, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, S. Dissanayake, M. Tekenaka, S. Sugahara and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  ECS Trans. Vol. 11, No. 6
  
  ページ: 61-74
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara, N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering vol.84,Issue9-10
  
  ページ: 2314-2319
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, T. Numata, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, S. Dissanayake, M. Tekenaka, S. Sugahara and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  ECS Transaction 11
  
  ページ: 61-74
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Gate Dielectric Formation and MIS interface Characterization on Ge2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K lkeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 84
  
  ページ: 2314-2319
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering vol. 84, Issue 9-10
  
  ページ: 2314-2319
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Device structures and carrier transport properties of advanced CMOS using high mobility channels2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, T. Numata, K. Usuda, N. Sugiyama, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics Vol.51
  
  ページ: 526-536
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Ultrathin Ge-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T.Uehara, H.Matsubara, S.Sugahara, S.Takagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 46, No. 4B(印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063013
[雑誌論文] Performance Enhancement of Partially and Fully Depleted Strained-SOIMOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T.Numata, T.Irisawa, T.Tezuka, J.Koga, N.Hirashita, K.Usuda, E.Toyoda, Y.Miyamura, A.Tanabe, N.Sugiyama, S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Eectron Devices vol.53, no.5
  
  ページ: 1030-1038
- NAID
  10014405092
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Device structures and carrier transport properties of advanced CMOS using high mobility channels2006
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, T.Tezuka, T.Irisawa, S.Nakaharai, T.Numata, K.Usuda, N.Sugiyama, M.Shichijo, R.Nakane, S.Sugahara
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics Vol.51
  
  ページ: 526-536
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Performance Enhancement of Partially and Fully Depleted Strained-S0I MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T.Numata, T.Irisawa, T.Tezuka, J.Koga, N.Hirashita, K.Usuda, E.Toyoda, Y.Miyamura, A.Tanabe, N.Sugiyama and S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Eectron Devices Vol.52,Issue.8
  
  ページ: 1030-1038
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Hole Mobility Enhancement of p-MOSFETs Using Global and Local Ge Channel Technologies2006
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, T. Maeda, T. Numata, K. Ikeda and N. Sugiyama
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering: B Vol. 135, Issue. 3
  
  ページ: 250-255
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Hole Mobility Enhancement of p-MOSFETs Using Global and Local Ge Channel Technologies2006
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, T.Tezuka, T.Irisawa, S Nakaharai, T.Maeda, T.Numata, K Ikeda, N.Sugiyama
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering : B Volume 135, Issue 3
  
  ページ: 250-255
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[雑誌論文] Performance Enhancement of Partially and Fully Depleted Strained-SOI MOSFETs2006
- 著者名/発表者名
  T. Numata, T. Irisawa, T. Tezuka, J. Koga, N. Hirashita, K. Usuda, E. Toyoda, Y. Miyamura, A. Tanabe, N. Sugiyama and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices Vol.53, Issue. 5
  
  ページ: 1030-1038
- NAID
  10014405092
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Control of Threshold Voltage and Short Channel Effects in Ultra-thin Strained-SOI CMOS Devices2005
- 著者名/発表者名
  T. Numata, T. Mizuno, T. Tezuka, J. Koga and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices Vol.52, Issue 8
  
  ページ: 1780-1786
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Analysis of Microstructures in SiGe Buffer Layers on sSilicon-on-Insulator Substrates2005
- 著者名/発表者名
  N.Taoka, A.Sakai, S.Mochizuki, O.Nakatsuka, M.Ogawa, S.Zaima, T.Tezuka, N.Sugiyama, S.Takagi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 44(10)
  
  ページ: 7356-7363
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17636001
[雑誌論文] Subband Structure Engineering for Advanced CMOS Channels2005
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Mizuno, T. Tezuka, N. Sugiyama, S. Nakaharai, T. Numata, J. Koga and K. Uchida
- 雑誌名
  
  Solid State Electron. Vol.49, Issue 5
  
  ページ: 684-694
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] On the Origin of Increase in Substrate Current and Impact lonization Efficiency in Strained Si n-and p-MOSFETs2005
- 著者名/発表者名
  T.Irisawa, T.Numata, N.Sugiyama and S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Eectron Devices Vol.52,Issue.5
  
  ページ: 993-998
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Si系高移動度MOSトランジスタ技術2005
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 雑誌名
  
  応用物理 74巻・9号
  
  ページ: 1158-1170
- NAID
  130007718043
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Subband Structure Engineering for Advanced CMOS Channels2005
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, T.Mizuno, T.Tezuka, N.Sugiyama, S.Nakaharai, T.Numata, J.Kogaand.K.Uchida
- 雑誌名
  
  Solid State Electronics Vol.49,Issue5
  
  ページ: 684-694
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Subband Structure Engineering for Advanced CMOS Channels2005
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, T.Mizuno, T.Tezuka, N.Sugiyama, S.Nakaharai, T.Numata, J.Koga, K.Uchida
- 雑誌名
  
  Solid State Electronics Vol.49, Issue 5
  
  ページ: 684-694
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] 0n the Origin of Increase in Substrate Current and Impact Ionization Efficiency in Strained Si n- and p-MOSFETs2005
- 著者名/発表者名
  T. Irisawa, T. Numata, N. Sugiyama and S. Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices Vol.52, Issue 5
  
  ページ: 993-998
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] On the Origin of Increase in Substrate Current and Impact Ionization Efficiency in Strained Si n- and p-MOSFETs2005
- 著者名/発表者名
  T.Irisawa, T.Numata, N.Sugiyama, S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Electron Devices Vol.52, Issue.5
  
  ページ: 993-998
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Si-based high mobility MOS transistor technologies2005
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 雑誌名
  
  Oyo Buturi Vol.74
  
  ページ: 1158-1170
- NAID
  130007718043
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Control of Threshold Voltage and Short Channel Effects in Ultra-thin Strained-SOl CMOS Devices2005
- 著者名/発表者名
  T.Numata, T.Mizuno, T.Tezuka, J.Koga and S.Takagi
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Eectron Devices Vol.52,Issue.8
  
  ページ: 1780-1786
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206029
[雑誌論文] Subband Structure Engineering for Advanced CMOS Channels2005
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, T.Mizuno, T.Tezuka, N.Sugiyama, S.Nakaharai, T.Numata, J.Koga, K.Uchida
- 雑誌名
  
  Solid State Electronics 49(5)
  
  ページ: 684-694
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17636001
[学会発表] 先端ロジックCMOSのための異種材料チャネルFET技術2024
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会(ED研)特別ワークショップ「化合物半導体トランジスタと関連技術の研究開発に学ぶ」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] 先端ロジックCMOSのチャネル形成技術2023
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  東京大学大学院工学系研究科附属ナノシステム集積センター (NanoHub) 第2回シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] Superiority of extremely-thin body GOI channels in nano-sheet MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, K. Sumita, C.-T. Chen, X. Han, K. Toprasertpong and M. Takenaka
- 学会等名
  13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] ［記念講演］表面ラフネス散乱の非線形モデルに基づく極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計2023
- 著者名/発表者名
  隅田圭, Chia-Tsong Chen, トープラサートポンカシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] 表面ラフネス散乱の非線形モデルにより決定されるSi nMOSFETの電子移動度の妥当性と極薄膜チャネル材料の最適設計2023
- 著者名/発表者名
  高木信一, 隅田圭, Min-Soo Kang, Chia-Tsong Chen, トープラサートポンカシディット, 竹中充
- 学会等名
  第87回半導体・集積回路技術シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] 極薄膜GOI pMOSFETに印加される異方性二軸応力のチャネル方向依存性2023
- 著者名/発表者名
  横川凌, 前田結葉, 寿川尚, Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, 竹中充, 高木信一, 小椋厚志
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] Extremely-Thin Channel MOS transistors for Advanced Logic LSI2023
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  Germany-Japan Workshop on Recent Developments in Quantum Materials and Nanoscale Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] Stress Relaxation of Extremely-Thin-Body GOI p-type MOSFETs along <100> and <110> Observed by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2023
- 著者名/発表者名
  R. Yokogawa, Y. Maeda, S. Sugawa, C. -T. Chen, K. Toprasertpong, M. Takenaka, S. Takagi, and A. Ogura
- 学会等名
  244th Electrochemical Society (ECS) Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] 極薄膜(100)SGOI p-MOSFETのチャネル領域における異方性二軸応力のチャネル幅依存性2023
- 著者名/発表者名
  前田唯葉, 横川凌, 寿川尚, Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, 竹中充, 高木信一, 小椋厚志
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Extremely Thin Body (100) SGOI p-MOSFETs by Oil-immersion Raman spectroscopy2023
- 著者名/発表者名
  Y. Maeda, R. Yokogawa, S. Sugawa, C. -T. Chen, K. Toprasertpong, M. Takenaka, S. Takagi, and A. Ogura
- 学会等名
  244th Electrochemical Society (ECS) Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] Performance Enhancement of Extremely-thin Body (111) Ge-on-Insulator nMOSFETs by Using Flipped Substrate Process2023
- 著者名/発表者名
  X. Han, C.-T. Chen, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] Impacts of Annealing Temperature and Atmosphere on (111) and (100) n-Ge MOS Interface Properties with Plasma Oxidation GeOx and ALD Al2O32022
- 著者名/発表者名
  X. Han, C.-T. Chen, M. Ke, Z. Zhao, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] 先端ロジックCMOSのためのチャネル材料・デバイス技術2022
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第27回研究会)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] 表面ラフネス散乱に対してロバストな極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計2022
- 著者名/発表者名
  隅田圭, Chia-Tsong Chen, トープラサートポンカシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] 表面ラフネス散乱の新モデルに基づく極薄膜nMOSFETの最適なチャネル材料と面方位の設計2022
- 著者名/発表者名
  隅田圭, Chia-Tsong Chen, トープラサートポンカシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  電子情報通信学会SDM研究会／応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催１月研究会（IEDM特集）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Mobility Enhancement in Extremely-Thin Body (110) SiGe-on-insulator pMOSFETs using Starting Substrates with Thin SiGe Layers2022
- 著者名/発表者名
  C.-T. Chen, X. Han, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] Extremely-Thin Body Goi Channel Technology in Nano-Sheet FET Era2022
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, C. T. Chen, X. Han, K. Sumita, K. Toprasertpong, and M. Takenaka
- 学会等名
  242nd ECS Meeting, G03 - SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices 10
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] Electron mobility of Si nMOSFETs in a nonlinear model of surface roughness scattering at cryogenic temperature2022
- 著者名/発表者名
  K. Sumita, M.-S. Kang, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] 異種材料集積による最先端集積Siデバイス技術2022
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  千葉エリア産官学公金共創イノベーションネットワーク第1回産官学公金マッチングシンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Accurate Evaluation of Interface Trap Density at InAs MOS Interfaces by Using C-V characteristics at Low Temperatures2022
- 著者名/発表者名
  R. Yoshizu, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] Extremely-Thin Channel FET Technology for Advanced Logic CMOS2022
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, K. Sumita, C.-T. Chen, X. Han, K. Toprasertpong, and M. Takenaka
- 学会等名
  28th Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] 液浸ラマン分光法による極薄膜GOI pMOSFETの異方性二軸応力評価2022
- 著者名/発表者名
  横川凌, Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, 竹中充, 高木信一, 小椋厚志
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Evaluation of Strained Group IV Semiconductor Devices by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2022
- 著者名/発表者名
  R. Yokogawa, C. -T. Chen, K. Toprasertpong, M. Takenaka, S. Takagi, and A. Ogura
- 学会等名
  242nd ECS Meeting, G03 - SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices 10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00208
[学会発表] Characterization of slow traps in MOS interfaces of TiN/Y2O3/SiGe gate stacks2021
- 著者名/発表者名
  T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] ラフネスを有するチャネルにおける2次元電子ガスの基底状態の新たな定式化と表面ラフネス散乱移動度への影響2021
- 著者名/発表者名
  隅田圭, トープラサートポン　カシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Optimum Design of Channel Material and Surface Orientation for Extremely-Thin-Body nMOSFETs under New Modeling of Surface Roughness Scattering2021
- 著者名/発表者名
  K. Sumita, C.-T. Chen, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] InAs-On-Insulatorチャネルの極薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるサブバンド制御を利用したnMOSFETの高性能化2021
- 著者名/発表者名
  隅田圭, トープラサートポン　カシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会, 「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] InAs/Ni-InAs間のコンタクト抵抗率とその評価法に関する実験的検討2021
- 著者名/発表者名
  竹安淳, 隅田圭, トープラサートポン・カシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] (111) InAs-OI nMOSFETのチャネル薄膜化による移動度向上の実現と伝導帯内の界面準位の実験的評価2021
- 著者名/発表者名
  隅田圭, 吉津遼平, トープラサートポン・カシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Anisotropic Strain States in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator p-type MOSFET Observed by Oil-immersion Raman Spectroscopy2021
- 著者名/発表者名
  R. Yokogawa, C.-T. Chen, T. Kasidit, M. Takenaka, S. Takagi and A. Ogura
- 学会等名
  53rd International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] HfO2系FeFETにおける結晶化アニール温度とSi界面特性のトレードオフ2021
- 著者名/発表者名
  トープラサートポン・カシディット，田原建人，福井太一郎，林早ヨウ，渡辺耕坪，竹中充，高木信一
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Introduction of high tensile strain in Ge-on-Insulator structures by oxidation/annealing at high temperature2021
- 著者名/発表者名
  X. Han, C.-T. Chen, C.-M. Lim, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  53rd International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Advanced CMOS technologies for ultra-low power logic and AI applications2021
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, K. Toprasertpong, K. Kato, K. Sumita, E. Nako, R. Nakane, K.-w. Jo and M. Takenaka
- 学会等名
  IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] C-V測定によるAl2O3/GeOx/p-Ge MOS界面の電子とホールの遅い準位密度の評価2021
- 著者名/発表者名
  柯夢南, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Improvement of performance of Si0.8Ge0.2/SOI p-FinFETs by ultrathin Y2O3 gate stacks with TMA treatment2021
- 著者名/発表者名
  T.-E. Lee, S.-T. Huang, C.-Y. Yang, K. Toprasertpong, M. Takenaka, Y.-J. Lee and S. Takagi
- 学会等名
  53rd International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Defect control of Y2O3-based SiGe MOS interfaces properties2021
- 著者名/発表者名
  T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] (111)面チャネルの薄膜化によるInAs-OI nMOSFETのサブバンド制御手法の提案と極薄膜(111) InAs-OI基板の実現2021
- 著者名/発表者名
  隅田圭, 吉津遼平, トープラサートポン・カシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] [招待講演] チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御2021
- 著者名/発表者名
  隅田圭, トープラサートポンカシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  電子情報通信学会SDM研究会／応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催１月研究会（IEDM特集）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Impact of asymmetric strain on performance of extremely-thin body (100) GOI and (110) SGOI pMOSFETs2021
- 著者名/発表者名
  C. T. Chen, R. Yokogawa, K. Toprasertpong, A. Ogura, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  Symp. on VLSI technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Performance improvement of Si0.8Ge0.2/SOI p-FinFETs by ultrathin Y2O3 gate stacks with TMA treatment2021
- 著者名/発表者名
  T.-E. Lee, S.-T. Huang, C.-Y. Yang, K. Toprasertpong, M. Takenaka, Y.-J. Lee, and S. Takagi
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] 液浸ラマン分光法で観測されるGOI極薄膜ラマンスペクトルのブロードピークと歪の関係に関する考察2021
- 著者名/発表者名
  横川凌, C.-T. Chen, K. Toprasertpong, 竹中充, 高木信一, 小椋厚志
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Hole mobility enhancement in extremely-thin body asymmetrically-strained (100) GOI pMOSFETs2021
- 著者名/発表者名
  C. -T. Chen, R. Yokogawa, K. Toprasertpong, A. Ogura, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Introduction of high tensile strain into Ge-on-Insulator structures by oxidation/annealing at high temperature2021
- 著者名/発表者名
  X. Y. Han, C. T. Chen, C.-M Lim, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Asymmetrically-strained (110) SGOI pMOSFETs for hole mobility enhancement in extremely-thin body channels2021
- 著者名/発表者名
  C. -T. Chen, R. Yokogawa, K. Toprasertpong, A. Ogura, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Characterization of slow traps in SiGe MOS interfaces by TiN/Y2O3 gate stacks2021
- 著者名/発表者名
  T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] n-Ge MOS絶縁膜中の異なるキャリア捕獲トラップの峻別手法の提案2020
- 著者名/発表者名
  柯夢南, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Subband Engineering by Combination of Channel Tchikness Scaling and (111) Surface Orientation in InAs-On-Insulator nMOSFETs2020
- 著者名/発表者名
  K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] InAs-On-Insulator基板の高品質化と貼り合わせ界面特性の評価2020
- 著者名/発表者名
  隅田圭, 加藤公彦, 竹安淳, トープラサートポン・カシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Asymmetric Polarization Response of Electrons and Holes in Si FeFETs: Demonstration of Absolute Polarization Hysteresis Loop and Inversion Hole Density over 2×1013 cm-22020
- 著者名/発表者名
  K. Toprasertpong, Z. -Y. Lin, T. -E. Lee, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  Symposia on VLSI Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Prospects and challenges of advanced CMOS logic devices2020
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  7th International conference on “Microelectronics, Circuits and Systems” (Micro2020)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Antiferroelectricity and cycling behavior of ALD ZrO2 ultra-thin films2020
- 著者名/発表者名
  X. Luo, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  52nd International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] (001)GOI薄膜化によるnMOSFETの電子移動度向上機構に関する考察2020
- 著者名/発表者名
  高木信一, 曺光元, 林澈敏, トープラサートポン・カシディット, 竹中充
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Multi-Sidewall TLMを用いた精密なInAs/Ni-InAs間の接触抵抗率測定2020
- 著者名/発表者名
  隅田圭, 竹安淳, 加藤公彦, トープラサートポン・カシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] [招待講演] チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御2020
- 著者名/発表者名
  隅田圭, トープラサートポン・カシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  電子情報通信学会SDM研究会／応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催１月研究会（IEDM特集）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] 強誘電体FETのMOS界面における電荷分布の評価とデバイス動作の理解2020
- 著者名/発表者名
  トープラサートポン・カシディット，竹中充，高木信一
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Revision of conductance method for evaluating interface state density at MFIS interfaces2020
- 著者名/発表者名
  T.-E. Lee, Z. Lin, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  51th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Improvement of ferroelectric properties of TiN/Hf0.5Zr0.5O2/Si gate stacks by the insertion of Al2O3 interfacial layers2020
- 著者名/発表者名
  Z.-Y. Lin, T.-E. Lee, H.-Z. Tang, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] n-Ge MOS構造における異なる界面層へのキャリアトラップ特性の比較2020
- 著者名/発表者名
  柯夢南, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] InAs-On-Insulatorチャネルの極薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるサブバンド制御を利用したnMOSFETの高性能化2020
- 著者名/発表者名
  隅田圭, トープラサートポン・カシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] 【招待講演】先端CMOSデバイスの研究動向2020
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  東レリサーチセンター半導体デバイス分析セミナー2020
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Thickness dependence of antiferroelectricity in ALD ultrathin ZrO2 films2020
- 著者名/発表者名
  Xuan Luo, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Si強誘電体FETにおける強誘電分極に誘起される反転層電荷の振る舞い2020
- 著者名/発表者名
  トープラサートポン・カシディット，林早ヨウ，李宗恩，竹中充，高木信一
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Critical Impact of Ferroelectric-Phase Formation Annealing on MFIS Interface of HfO2-Based Si FeFETs2020
- 著者名/発表者名
  K. Toprasertpong, K. Tahara, T. Fukui, Z. Lin, K. Watanabe, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  52nd International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] 酸化濃縮法により作製したGOIを用いた引張りひずみGOI nMOSFET2020
- 著者名/発表者名
  曺光元, 林澈敏, トープラサートポン・カシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] First demonstration of (111) Ge-on-insulator n-channel MOSFET fabricated by smart-cut technology2020
- 著者名/発表者名
  C.-M. Lim, Z. Zhao, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Impact of ALD high-k materials on SiGe MOS interface properties with TiN gate2020
- 著者名/発表者名
  T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] 酸化濃縮法により作製した圧縮ひずみ(110)面SiGe-OI pMOSFET2020
- 著者名/発表者名
  曺光元、トープラサートポン・カシディット、竹中充、高木信一
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] プラズマ酸化により作製したAl2O3/GeOx/n-Ge MOS界面における遅い準位の特性2020
- 著者名/発表者名
  柯夢南, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] ［招待講演］Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響2020
- 著者名/発表者名
  トープラサートポン・カシディット, 林早ヨウ, 李宗恩, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  電子情報通信学会ICD/SDM/ ITE-IST研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] (NH4)2S処理理前の前処理がAl2O3/InGaAs MOS界面に与える影響2019
- 著者名/発表者名
  尹尚希, 加藤公彦, 横山千晶, 安大煥, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Improvement of Si0.78Ge0.22 MOS interface properties by using TiN/Y2O3 gate stacks with TMA passivation2019
- 著者名/発表者名
  T. Lee, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] 性能限界を越えるCMOS デバイス技術2019
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  名古屋大学シリコンフロンティア・特別研究会, ～特定領域研究『ポストスケール』から10年を超えて～
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Improvement of material quality of (100) and (111) Ge-on-insulator substrates fabricated by smart-cut technology2019
- 著者名/発表者名
  C.-M. Lim, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  3rd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Impact of metal gate electrodes on electrical properties of Y2O3/Si0.78Ge0.22 gate stacks2019
- 著者名/発表者名
  T.-E. Lee, K. Kato, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  21st Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Performance enhancement of extremely-thin-body SiGe- or Ge-on-insulator pMOSFETs fabricated by Ge condensation2019
- 著者名/発表者名
  K.-W. Jo, W.-K. Kim, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] MOS interface defect control in alternative channel materials2019
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Ke, D.-H Ahn, T.-E. Lee, S.-H. Yoon, K. Kato, K. Toprasertpong and M. Takenaka
- 学会等名
  21st Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Advanced MOSFETs and TFETs using Alternative Semiconductors for Ultralow Power Logic Applications2019
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, K. Kato, K. Sumita, K.-W. Jo, R. Takaguchi, D.-H. Ahn, K. Toprasertpong, M. Takenaka
- 学会等名
  MRS spring meeting, Symposium: EP09: Devices and Materials to Extend the CMOS Roadmap for Logic and Memory Applications
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Influence of hydrogen ion implantation dose on characteristics of Ge-on-insulator substrates fabricated by smart-cut technology2019
- 著者名/発表者名
  C.-M. Lim, Z. Zhao, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Re-examination of Sulfur treatment effects on Al2O3/InGaAs MOS interface properties2019
- 著者名/発表者名
  S.-H. Yoon, K. Kato, C. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  21st Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Fabrication of high quality InAs-on-Insulator structures by Smart Cut process with reuse of InAs wafers2019
- 著者名/発表者名
  K. Sumita, J. Takeyasu, K. Kato, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  IEEE International 3D Systems Integration Conference (3DIC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Strain and surface orientation engineering in extremely-thin body Ge and SiGe-on-insulator MOSFETs fabricated by Ge condensation2019
- 著者名/発表者名
  K.-W. Jo, C.-M. Lim, W.-K. Kim, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Contributions of electron and hole slow traps to hysteresis in C-V characteristics of Al2O3/GeOx/p-Ge MOS capacitors2019
- 著者名/発表者名
  M. Ke, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Advanced MOS Device Technology for Low Power Logic LSI2019
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, K. Kato, K. Sumita, K.-w. Jo, C.-M. Lim, R. Takaguchi, D.-H. Ahn, J. Takeyasu, K. Toprasertpong and M. Takenaka
- 学会等名
  26th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] TiN/Hf0.5Zr0.5O2/Si MFSキャパシタの電気特性に与える基板タイプの影響2019
- 著者名/発表者名
  トープラサートポン・カシディット，田原建人，福井太一郎，竹中充，高木信一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Germanium Layer Transfer with Low Temperature Direct Bonding and Epitaxial Lift-off Technique for Ge-based monolithic 3D integration2019
- 著者名/発表者名
  T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, Y. Kurashima, H. Takagi and N. Uchida
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Improvement of SiGe MOS interface properties with a wide range of Ge contents by using TiN/Y2O3 gate stacks with TMA passivation2019
- 著者名/発表者名
  T.-E. Lee, K. Kato, M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi,
- 学会等名
  Symposia on VLSI Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Importance of semiconductor MOS interface control on advanced electron devices2019
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T.-E. Lee, M. Ke, S.-H. Yoon, D.-H Ahn, K. Kato, K. Toprasertpong and M. Takenaka
- 学会等名
  International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and Technology (IWDTF)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Spin on Glassからの固相拡散によるGe中のn型不純物拡散挙動2019
- 著者名/発表者名
  高口遼太郎，竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Effects of Hydrogen ion implantation dose on electrical and physical properties of (100) and (111) Ge-on-insulator substrates fabricated by Smart-cut process2019
- 著者名/発表者名
  C.-M. Lim, Z. Zhao, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  51th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Accurate evaluation of contact resistivity between InAs/Ni-InAs alloy2019
- 著者名/発表者名
  K. Sumita, J. Takeyasu, K. Kato, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  51th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Impact of atomic layer deposition high-k materials on Si0.78Ge0.22 MOS interface properties with TiN gate2019
- 著者名/発表者名
  T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Direct Observation of Interface Charge Behaviors in FeFET by Quasi-Static Split C-V and Hall Techniques: Revealing FeFET Operation2019
- 著者名/発表者名
  K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Effects of thermal annealing on film quality of InAs-On-Insulator structures fabricated by Smart Cut method2019
- 著者名/発表者名
  K. Sumita, J. Takeyasu, K. Kato, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  2019 Compound Semiconductor Week (CSW2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Smart Cut法により作製したInAs-On-Insulator基板への熱処理の影響2019
- 著者名/発表者名
  隅田圭, 竹安淳, 加藤公彦, トープラサートポン・カシディット, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Impact of metal gate electrodes on electrical properties of Y2O3/Si0.78Ge0.22 gate stacks2019
- 著者名/発表者名
  T. Lee, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Reduction in interface trap density of TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38 gate stacks with high temperature PMA2018
- 著者名/発表者名
  T.-E. Lee, M. Ke, K. Kato, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Extremely-Thin Body GOI structures and MOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, W.-K. Kim, K. Jo, X. Yu and M. Takenaka
- 学会等名
  11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Ultrathin-body Ge-On-Insulator MOSFET and TFET technologies2018
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, W.-K. Kim, K.-W. Jo, R. Matsumura, R. Takaguchi, T. Katoh, T.-E. Bae, K. Kato and M. Takenaka
- 学会等名
  AiMES 2018 (ECS and SMEQ Joint International Meeting), Symposium G03: SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] High performance UTB GeOI n and pMOSFETs featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) technology2018
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, H. Ota, H. Takagi,　Y. Kurashima, N. Uchida, and T. Maeda
- 学会等名
  AiMES 2018 (ECS and SMEQ Joint International Meeting), Symposium G03: SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Characterization and understanding of slow traps in GeOx-based n-Ge MOS interfaces2018
- 著者名/発表者名
  M. Ke, P. Cheng, K. Kato, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Improvement of SiGe MOS Interfaces Properties by TiN/Y2O3 Gate Stacks2018
- 著者名/発表者名
  T. Lee, K. Kato, M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Impact of SiGe Layer Thickness in Starting Substrates on Properties of Ultrathin Body Ge-on-insulator pMOSFETs fabricated by Ge Condensation2018
- 著者名/発表者名
  Kwang-Won Jo, Wu-Kang Kim, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] High quality UTB GeOI by HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) technology for future Ge CMOS application2018
- 著者名/発表者名
  W.-H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, Hi. Ota, H. Takagi, Y. Kurashima, N. Uchida, T. Maeda
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] MOS Device Technology using Alternative Channel Materials for Low Power Logic LSI2018
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, K. Kato, W.-K. Kim, K.-w. Jo, R. Matsumura, R. Takaguchi, D.-H. Ahn, T. Gotow and M. Takenaka
- 学会等名
  48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Fabrication of InAs-on-Insulator structures by Smart Cut method with room temperature hydrogen implantation2018
- 著者名/発表者名
  K. Sumita, K. Kato, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Al2O3/p-InxGa1-xAs MOS界面に与える前処理の効果2018
- 著者名/発表者名
  横山千晶，張志宇，加藤公彦, 竹中充，高木信一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] ECRプラズマ酸化によるALD high-k/GeOx/Ge界面の遅い準位起源2018
- 著者名/発表者名
  柯夢南, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第23回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Ultrathin-body Ge-On-Insulator MOSFET and TFET technologies2018
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, W.-K. Kim, K.-W. Jo, R. Matsumura, R. Takaguchi, T. Katoh, T.-E. Bae, K. Kato and M. Takenaka
- 学会等名
  234th Electrochemical Society (ECS) Meeting, Symposium G03: SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Smart Cut法を用いたInAs on Insulator構造の作製2018
- 著者名/発表者名
  隅田圭, 竹中充,　高木信一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Ultra-Low Power III-V-Based Mosfets and Tunneling FETs2018
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, D.-H. Ahn, T. Gotow, C. Yokoyama, C.-Y. Chang, K. Endo, K. Katoh and M. Takenaka
- 学会等名
  233rd Electrochemical Society (ECS) Meeting, H02 - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Physical origins of slow traps for ALD high-k dielectrics on GeOx/Ge interfaces2018
- 著者名/発表者名
  M. Ke, K. Kato, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Ultra-Low Power III-V-Based Mosfets and Tunneling FETs2018
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, D.-h. Ahn, T. Gotow, C. Yokoyama, C.-Y. Chang, K. Endo, K. Katoh and M. Takenaka
- 学会等名
  233rd Electrochemical Society (ECS) Meeting, H02 - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Correlation of interface state generation and InGaAs MOS interface properties2018
- 著者名/発表者名
  S.-H. Yoon, D.-H. Ahn, C. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Hole mobility enhancement in extremely-thin-body strained GOI and SGOI pMOSFETs by improved Ge condensation method2018
- 著者名/発表者名
  K.-W. Jo, W.-K. Kim, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  Symposia on VLSI Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] InGaAs nチャネルMOSFETにおける界面準位発生と基板ホール電流の関係2018
- 著者名/発表者名
  尹尚希, 張志宇, 安大煥, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] MOSトランジスタにおけるキャリアのフォノン散乱2018
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  応用物理学会第212回シリコンテクノロジー分科会研究集会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Ge MOSFETへの期待と課題2018
- 著者名/発表者名
  高木信一, 曺光元, 金佑彊, 柯夢南, 加藤公彦, 竹中充
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Low power III-V MOSFETs and TFETs on Si platform2017
- 著者名/発表者名
  S. Takagi and M. Takenaka
- 学会等名
  9th International Conference on Materials for Advanced Technologies
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Effect of SiGe Layer Thickness in Starting Substrate on Electrical Properties of Ultrathin Body Ge-on-insulator pMOSFET fabricated by Ge Condensation2017
- 著者名/発表者名
  K.-W. Jo, W.-K. Kim, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] III-V/Ge MOSFETs and TFETs for Ultra-Low Power Logic LSIs2017
- 著者名/発表者名
  S. Takagi and M. Takenaka
- 学会等名
  2017 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (2017 VLSI-TSA)
- 発表場所
  Ambassador Hotel Hsinchu, Hsinchu, Taiwan
- 年月日
  2017-04-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] III-V-based low power CMOS devices on Si platform2017
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, D. H. Ahn, T. Gotow, M. Noguchi, K. Nishi, S.-H. Kim, M. Yokoyama, C.-Y. Chang, S.-H. Yoon, C. Yokoyama and M. Takenaka
- 学会等名
  IEEE International Conference on Integrated Circuit Design & Technology (ICICDT)
- 発表場所
  Avaya Auditorium, Austin, USA
- 年月日
  2017-05-23
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] 酸化濃縮プロセスにおける冷却方法がGeOI中の圧縮ひずみに及ぼす効果2017
- 著者名/発表者名
  金佑彊, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Advanced MOS device technology for ultra-low power IoT applications2017
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  12th VDEC D2T Symposium
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Advanced MOS device technology2017
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, H. Ota, H. Takagi, Y. Kurashima, N. Uchida and T. Maeda
- 学会等名
  Sympia on VLSI technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] 電気ストレスによるAl2O3/InGaAs MOS界面における界面準位発生2017
- 著者名/発表者名
  尹尚希, 張志宇, 安大煥, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Influence of ALD High-k film deposition on plasma oxidation GeOx/Ge gate stacks2017
- 著者名/発表者名
  M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar, "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration
- 発表場所
  東北大学（宮城県仙台市）
- 年月日
  2017-02-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] プラズマ酸化により形成したAl2O3/GeOx/Ge MOS界面の遅い準位の起源2017
- 著者名/発表者名
  柯夢南, シャオ・ユウ, 張志宇, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―
- 発表場所
  東レ研修センター（静岡県三島市）
- 年月日
  2017-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] MOS Interface Defect Control in Ge/IIIV Gate Stacks2017
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Ke, C. Y. Chang, C. Yokoyama, M. Yokoyama, T. Gotow, K. Nishi, and M. Takenaka
- 学会等名
  232nd Electrochemical Society (ECS) Meeting, D01: Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 15: In Memory of Samares Kar
- 発表場所
  Gaylord National Resort and Convention Center, National Harbor, USA
- 年月日
  2017-10-01
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Reduction of slow trap density of Al2O3/GeOx/n-Ge MOS interfaces by inserting ultrathin Y2O3 interfacial layers2017
- 著者名/発表者名
  M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2017)
- 発表場所
  Seminaris SeeHotel Potsdam, Potsdam, Germany
- 年月日
  2017-06-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Discrimination of pre-existing and generated slow traps under electrical stress in Al2O3/GeOx/n-Ge gate stacks with plasma oxidation process2017
- 著者名/発表者名
  M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] プラズマ酸化による酸化濃縮GOI層の薄膜化により作製した極薄ひずみGOI pMOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  金佑彊, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Interface state generation of Al2O3/InGaAs MOS structures by electrical stress2017
- 著者名/発表者名
  S.-H. Yoon, C.-Y. Chang, D. H. Ahn, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Ultra-low Power MOSFETs and Tunneling FETs using III-V and Ge2017
- 著者名/発表者名
  S. Takagi and M. Takenaka
- 学会等名
  International Workshop on Nanodevice Technologies 2017 (IWNT 2017)
- 発表場所
  広島大学（広島県東広島市）
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] High Performance 4.5-nm-Thick Compressively-Strained Ge-on-Insulator pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation with Optimized Temperature Control2017
- 著者名/発表者名
  W.-K. Kim, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  Sympia on VLSI technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Pre-cleaning Effects for Al2O3/p-InxGa1-xAs MOS Interfaces2017
- 著者名/発表者名
  C. Yokoyama, C.-Y. Chang, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Understanding of slow traps generation in plasma oxidation GeOx/Ge MOS interfaces with ALD high-k layers2017
- 著者名/発表者名
  M. Ke, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] High Performance 4.5-nm-Thick Compressively-Strained Ge-on-Insulator pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation with Optimized Temperature Control2017
- 著者名/発表者名
  W.-K. Kim, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  Symposium on VLSI technology
- 発表場所
  京都リーガローヤルホテル（京都府京都市）
- 年月日
  2017-06-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Effect of SiGe Layer Thickness in Starting Substrate on Electrical Properties of Ultrathin Body Ge-on-insulator pMOSFET fabricated by Ge Condensation2017
- 著者名/発表者名
  K.-W. Jo, W.-K. Kim, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Reduction of slow trap density of Al2O3/GeOx/n-Ge MOS interfaces by inserting ultrathin Y2O3 interfacial layers2017
- 著者名/発表者名
  M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Ultra-low power MOSFET and Tunneling FET technologies using III-V and Ge2017
- 著者名/発表者名
  S. Takagi and M. Takenaka
- 学会等名
  2017 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] MOS Interface Defect Control in Ge/IIIV Gate Stacks2017
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Ke, C. Y. Chang, C. Yokoyama, M. Yokoyama, T. Gotow, K. Nishi, and M. Takenaka
- 学会等名
  232nd Electrochemical Society (ECS) Meeting, D01: Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 15: In Memory of Samares Kar
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Advanced Devices and Materials for Future CMOS-based IC Technologies2017
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS) 2017
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] Relationship between interface state generation and substrate hole current in InGaAs n-channel MOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  S.-H. Yoon, D.-H. Ahn, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] ALD Al2O3/GeOx/Ge界面の電子と正孔に対する遅い準位の物理的起源に関する考察2017
- 著者名/発表者名
  柯夢南, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] プラズマ後酸化によるALD Al2O3/Y2O3/GeOx/Geゲートスタックの電気特性2017
- 著者名/発表者名
  柯夢南, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] 冷却レートを低減した酸化濃縮プロセスにより作製した高圧縮ひずみGOI pMOSFET2017
- 著者名/発表者名
  金佑彊, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H06148
[学会発表] 温度サイクルを減らした酸化濃縮法による高圧縮ひずみ極薄膜Ge-OI 構造の実現2016
- 著者名/発表者名
  金佑彊, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] 極低電力LSIのための先端Ge MOSデバイス技術2016
- 著者名/発表者名
  高木信一, シャオ・ユウ, 張睿, 柯夢南, 竹中充
- 学会等名
  第80回半導体・集積路技術シンポジウム
- 発表場所
  東京理科大学森戸記念館（東京都新宿区）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Control of slow traps of ALD Al2O3/Ge-based gate stacks with post plasma process2016
- 著者名/発表者名
  M. Ke, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar, "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration”
- 発表場所
  東北大学（宮城県仙台市）
- 年月日
  2016-01-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Al2O3/GeOx/Ge MOS界面の遅い準位密度に与える界面構造の影響2016
- 著者名/発表者名
  柯夢南, ユウ・シャオ, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] 極薄膜Ge-On-Insulator(GOI) p-MOSFETのキャリア輸送特性2016
- 著者名/発表者名
  ユウ・シャオ, 亢健, 竹中充,　高木信―
- 学会等名
  電子情報通信学会SDM研究会・応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催研究集会「先端CMOSデバイス・プロセス技術（IEDM特集）」
- 発表場所
  機械振興会館（東京都港区）
- 年月日
  2016-01-28
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] III-V/Ge MOS Device Technologies for Ultra-Low Power LSIs2016
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  KIST PSI International Symposium,
- 発表場所
  Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, Korea
- 年月日
  2016-09-22
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Non-Si MOSFET and TFET for low-power circuits2016
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  2016 International Workshop for Ultra Low Power Nano-electronics for IoT
- 発表場所
  Hanyang University, Seoul, Korea
- 年月日
  2016-10-18
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Carrier Transport Properties in Extremely-Thin Body GOI p-MOSFETs2016
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, X. Yu, J. Kang and M. Takenaka
- 学会等名
  Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
- 発表場所
  Forschungszentrum Julich, Julich, Germany
- 年月日
  2016-11-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] GeOxNy 層の挿入によるAl2O3/n-Ge MOS界面の遅い準位密度低減2016
- 著者名/発表者名
  柯夢南, シャオ・ユウ, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Fabrication and MOS interface properties of ALD AlYO3/GeOx/Ge gate stacks with plasma post oxidation2015
- 著者名/発表者名
  M. Ke, X. Yu, R. Zhang, J. Kang, C. Chang, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Experimental Study on Carrier Transport Properties in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator (GOI) p-MOSFETs with GOI Thickness down to 2 nm2015
- 著者名/発表者名
  X. Yu, J. Kang, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  International Electron Device Meeting (IEDM)
- 発表場所
  Hilton Washington, Washington DC., USA
- 年月日
  2015-12-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] MOS Interface Control Technologies for Advanced III-V/ Ge Devices2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, C. Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, J. H. Han, and M. Takenaka
- 学会等名
  228th Fall meeting of the Electrochemical Society, D04 - Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 13
- 発表場所
  Hyatt Regency Hotel, Pheonix, Arizona, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Low Power MOS Device Technologies based on Heterogeneous Integration2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi and M. Takenaka
- 学会等名
  2015 International Electron Devices and Materials Symposia (IEDMS)
- 発表場所
  Kun Shan University, Tainan, Taiwan
- 年月日
  2015-11-19
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Tunneling FET Technologies Using III-V and Ge Materials2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Kim, M. Noguchi, K. Nishi, and M. Takenaka
- 学会等名
  228th Fall meeting of the Electrochemical Society, G04 - ULSI Process Integration 9
- 発表場所
  Hyatt Regency Hotel, Pheonix, Arizona, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Fabrication and MOS interface properties of ALD AlYO3/GeOx/Ge gate stacks with plasma post oxidation2015
- 著者名/発表者名
  M. Ke, X. Yu, R. Zhang, J. Kang, C. Chang, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  19th Conference on "Insulating Films on Semiconductors" (INFOS)
- 発表場所
  University of Udine, Udine, Italy
- 年月日
  2015-06-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Impact of back interface passivation on electrical properties of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs2015
- 著者名/発表者名
  X. Yu, J. Kang, R. Zhang, W.-L. Cai, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  19th Conference on "Insulating Films on Semiconductors" (INFOS)
- 発表場所
  University of Udine, Udine, Italy
- 年月日
  2015-06-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Nano Device Technologies for Ultra Low Power LSIs2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC11)
- 発表場所
  ヒルトン福岡シーホーク（福岡県福岡市）
- 年月日
  2015-05-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] 低消費LSIのためのIII-V族半導体およびGe/ひずみSOIトンネルFETテクノロジー2015
- 著者名/発表者名
  高木信一, 金閔洙, 野口宗隆, ジ・サンミン, 西康一, 竹中充
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催研究集会第184回研究集会「先端CMOSデバイス・プロセス技術（VLSIシンポジウム特集）」
- 発表場所
  甲南大学ネットワークキャンパス東京（東京都千代田区）
- 年月日
  2015-08-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Impact of back interface passivation on electrical properties of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs2015
- 著者名/発表者名
  X. Yu, J. Kang, R. Zhang, W.-L. Cai, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Ge/SiGe CMOS device technology for future logic LSIs2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, W.-K. Kim, X. Yu, J.-h. Han, R. Zhang and M. Takenaka
- 学会等名
  E-MRS Spring meeting 2015, Symposium K, "Transport and photonics in group IV-based nanodevices"
- 発表場所
  Lille Grand Palace, Lille, France
- 年月日
  2015-05-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Properties of slow traps of ALD Al2O3/GeOx/Ge gate stacks with plasma post oxidation2015
- 著者名/発表者名
  M. Ke, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 発表場所
  Key Bridge Marriott, Arlington, USA
- 年月日
  2015-12-03
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] III-V/Ge MOSFETs and Tunneling FETs on Si platform for Low Power Logic Applications2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi and M. Takenaka
- 学会等名
  13th International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  龍谷大学アバンティ京都ホール（京都府京都市）
- 年月日
  2015-06-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Advanced Nano CMOS using Ge/III-V semiconductors for Low Power Logic LSIs2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi and M. Takenaka
- 学会等名
  15th IEEE International Conference on Nanotechnology
- 発表場所
  Angelicum Congress Centre, Rome, Italy
- 年月日
  2015-07-27
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Ge/III-V MOS Device Technologies for Low Power Integrated Systems2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi and M. Takenaka
- 学会等名
  45th European Solid-State Device Conference (ESSDERC)
- 発表場所
  Messe Congress Graz Betriebsgesellschaft, Graz, Austria
- 年月日
  2015-09-14
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Gate stack technologies for high mobility channel MOSFETs2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, R. Zhang, C.-Y. Chang, J.-H. Han, M. Yokoyama and M. Takenaka
- 学会等名
  2015 MRS Spring Meeting & Exhibit, Sympoium AA, “Materials for Beyond the Roadmap Devices in Logic, Power and Memory”
- 発表場所
  Moscone West Convention Cener, San Francisco, USA
- 年月日
  2015-04-06
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] III-V and Ge tunneling FET technologies for low power LSIs2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M.-S. Kim, M. Noguchi, S.-M. Ji, K. Nishi and M. Takenaka
- 学会等名
  Symposia on VLSI Technology
- 発表場所
  京都リーガローヤルホテル（京都府京都市）
- 年月日
  2015-06-16
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Tunneling FET Device Technologies Using III-V and Ge Materials2015
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Kim, M. Noguchi, K. Nishi, M. Takenaka
- 学会等名
  4th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems (E3S)
- 発表場所
  University of California, Berkeley, California, USA
- 年月日
  2015-10-02
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] High Mobility Ge CMOS Devices with Ultrathin EOT Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation2015
- 著者名/発表者名
  Rui Zhang, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] nチャネルGel-xSnx MOSFETの電流-電圧特性へのSn組成依存性2014
- 著者名/発表者名
  浅野孝典, 田岡紀之, 加藤公彦, 坂下満男, 張睿, 横山正史, 竹中充, 高木信一、財満鎭明
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2014-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 容量値の時間応答を利用したGe MOS界面における遅い準位の定量的評価2014
- 著者名/発表者名
  田中克久，張睿，竹中充，高木信一
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県相模原市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] III-V and Germanium FET Technologies on Si platform2014
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  Compound Semiconductor International Conference
- 発表場所
  Sheraton Frankfurt Airport Hotel, Frankfurt, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] III-V/Ge CMOS Device Technologies for Future Logic LSIs2014
- 著者名/発表者名
  S.Takagi and M.Takenaka
- 学会等名
  7th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
- 発表場所
  Swissotel Merchant Court, Singapore, Singapore
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates2014
- 著者名/発表者名
  X.Yu, R.Zhang, J.Kang, T.Osada, M.Hata, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  21st International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA)
- 発表場所
  Ambassador Hotel Hsinchu, Hsinchu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates2014
- 著者名/発表者名
  X. Yu, R. Zhang, J. Kang, T. Maeda, T. Itatani, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県相模原市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Mobility Strained-Ge pMOSFETs with 0.7-nm Ultrathin EOT using Plasma Post Oxidation HfO2/Al2O3/GeOx Gate Stacks2014
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, W. Chern, X. Yu, M. Takenaka, J. L. Hoyt and S. Takagi
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県相模原市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Sb拡散ソース・ドレインを有する酸化濃縮基板上反転型極薄膜Ge-on-Insulator nMOSFET2014
- 著者名/発表者名
  金佑彊, 金栄現, 金相賢, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県相模原市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Performance Enhancement Technologies in III-V/Ge MOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Zhang and M. Takenaka
- 学会等名
  224th Fall meeting of the Electrochemical Society, ULSI Process Integration 8
- 発表場所
  The Hilton San Francisco Hotel, San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] MOS interface engineering for high-mobility Ge CMOS2013
- 著者名/発表者名
  M. Takenaka, R. Zhang, S. Takagi
- 学会等名
  IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS'13)
- 発表場所
  Monterey, USA(招待講演)
- 年月日
  2013-04-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Examination of physical origins limiting effective mobility of Ge MOSFETs and the improvement by atomic deuterium annealing2013
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, J-C. Lin, X. Yu, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  VLSI Symposium
- 発表場所
  Rihga Royal Hotel, Kyoto
- 年月日
  2013-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi and M. Takenaka
- 学会等名
  International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors
- 発表場所
  Grand Hôtel de Paris, Villard de Lans, France
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Examination of Physical Origins Limiting Effective Mobility of Ge MOSFETs and the Improvement by Atomic Deuterium Annealing2013
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, J-C. Lin, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  2013 Symposia on VLSI Technology
- 発表場所
  リーガロイヤルホテル京都（京都府京都市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi and M.Takenaka
- 学会等名
  International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors
- 発表場所
  Grand Hotel de Paris, Villard de Lans, France
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] MOS interface engineering for high-mobility Ge CMOS2013
- 著者名/発表者名
  M.Takenaka, R.Zhang, and S.Takagi
- 学会等名
  International Reliability Physics Symposium (IRPS)
- 発表場所
  Hyatt Regency Monterey, Monterey, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Mobility Strained-Ge pMOSFETs with 0.7-nm Ultrathin EOT using Plasma Post Oxidation HfO2/Al2O3/GeOx Gate Stacks and Strain Modulation2013
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, W.Chern, X.Yu, M.Takenaka, J.L.Hoyt and S.Takagi
- 学会等名
  International Electron Device Meeting (IEDM)
- 発表場所
  Washington Hilton, Washington, DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High mobility strained-Ge pMOSFETs with 0.7-nm ultrathin EOT using plasma post oxidation Hf02/Al203/GeOx gate stacks and strain modulation2013
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, W. Chern, X. Yu, M. Takenaka, J. L. Hoyt, S. Takagi
- 学会等名
  International Electron Devices Meeting (IEDM' 13)
- 発表場所
  Wasnington Hilton, Washington D. C., U.S.A.
- 年月日
  2013-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Limiting factors of channel mobility in III-V/Ge MOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. S.-H. Kim, R. Zhang, N. Taoka, Yokoyama and M. Takenaka
- 学会等名
  223rd Spring Meeting of Electrochemical Society, E5 Symposium on Silicon compatible materials, processes and technologies for Advanced Integrated Circuits and Emerging Applications 3
- 発表場所
  The Sheraton Centre Toronto Hotel, Toronto, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] III-V/Ge device engineering for CMOS photonics2013
- 著者名/発表者名
  M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  8th international conference on processing and manufacturing of advanced materials (THERMEC2013)
- 発表場所
  Rio Hotel, Las Vegas, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] III-V/Ge CMOS device technologies2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi and M.Takenaka
- 学会等名
  20th Symposium on Nano Device Technology (SNDT)
- 発表場所
  International Conference Hall of Nano Device Laboratory, Hsinchu, Taiwan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] MOS interface control in III-V/Ge gate stacks and the impact on MOSFET performance2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, R. Zhang, N. Taoka, R. Suzuki, S.-H. Kim, M. Yokoyama, and M. Takenaka
- 学会等名
  2013 MRS (Material Research Society) Spring Meeting, Symposium CC “Gate Stack Technology for End-of-Roadmap Devices in Logic, Power, and Memory”
- 発表場所
  Moscone Center, San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Quality Ge Gate Stacks Technologies by Using Plasma Oxidation2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, R. Zhang and M. Takenaka
- 学会等名
  JSPS Core-to-Core Program Seminar, “Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration”
- 発表場所
  九州大学医学部百年講堂（福岡県福岡市）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi and M.Takenaka
- 学会等名
  IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC)
- 発表場所
  National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Ge gate stacks based on Ge oxide interfacial layers and the impact on MOS device properties2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang and M.Takenaka
- 学会等名
  18th Conference of "Insulating Films on Semiconductors" (INFOS)
- 発表場所
  The Jagiellonian University, Cracow, Poland (plenary)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Characterization of Interface Properties of Au/Al2O3/GeOx/Ge MOS Structures2013
- 著者名/発表者名
  J.-C. Lin, R. Zhang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI)
- 発表場所
  九州大学医学部百年講堂（福岡県福岡市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Characterization of Interface Traps in Au/Al2O3/GeOx/Ge MOS Structures2013
- 著者名/発表者名
  J.-C. Lin, R. Zhang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス（京都府京田辺市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Impact of Plasma Post Oxidation Temperature on Interface Trap Density and Roughness at GeOx/Ge Interfaces2013
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, Ju-Chin Lin, X.Yu, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  18th Conference of "Insulating Films on Semiconductors" (INFOS)
- 発表場所
  The Jagiellonian University, Cracow, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] 酸化濃縮基板へのSbドーピングにより作製した極薄膜Ge-on-Insulator nMOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  金佑彊, 忻宇飛, 金栄現, 金相賢, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス（京都府京田辺市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] 原子層平坦GeOx/Ge界面によるGe MOSFETsの高電界領域移動度の向上2013
- 著者名/発表者名
  張睿，黄博勤，林汝静，竹中充，高木信一
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] MOS interface engineering for high-mobility Ge CMOS2013
- 著者名/発表者名
  M. Takenaka, R. Zhang, S. Takagi
- 学会等名
  IEEE International Reliability Physcis Symposium (IRPS' 13)
- 発表場所
  Hyatt Regency Monterey Hotel and Spa, Monterey, U.S.A.
- 年月日
  2013-04-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] MOS interface control in III-V/Ge gate stacks and the impact on MOSFET performance2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, N.Taoka, R.Suzuki, S.-H.Kim, M.Yokoyama, and M.Takenaka
- 学会等名
  2013 MRS (Material Research Society) Spring Meeting, Symposium CC "Gate Stack Technology for End-of-Roadmap Devices in Logic, Power, and Memory"
- 発表場所
  Moscone Center, San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] III-V/Ge CMOSフォトニクス実現に向けたデバイス技術2013
- 著者名/発表者名
  竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第77回半導体・集積回路技術シンポジウム
- 発表場所
  東京工業大学蔵前会館（東京都目黒区）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] 0.7 nm超薄EOT HfO2/Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge CMOS2013
- 著者名/発表者名
  張睿，林汝静，黄博勤，田岡紀之，竹中充，高木信一
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] High Mobility Channel CMOS Technology2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) Short Course, A. Fundamentals on Advanced CMOS/Memory technologies
- 発表場所
  ヒルトン福岡シーホーク（福岡県福岡市）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Sb-diffused source/drain ultra-thin body Ge-on insulator nMOSFETs fabricated by Ge condensation2013
- 著者名/発表者名
  W. K. Kim, Y. Kin, Y. H. Kim, S. H. Kim, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013)
- 発表場所
  Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka city, Fnkuoka
- 年月日
  2013-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] High Mobility Ge MOSFETs using 0.7 nm EOT HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  6th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar - Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration
- 発表場所
  東北大学、宮城県
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Ge oxide growth by plasma oxidation of Ge substrates through Al2O3 Layers2013
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, J.-C. Lin, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Thickness dependent performance of (111) GaAs UTB nMOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  K. Alam, S. Takagi, and M. Takenaka
- 学会等名
  16th International Workshop on Computational Electronics (IWCE)
- 発表場所
  奈良県新公会堂, 奈良県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12F02063
[学会発表] III-V/Ge CMOS device technologies for high performance logic applications2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Suzuki, R. Zhang, N. Taoka, and M. Takenaka
- 学会等名
  223rd Spring Meeting of Electrochemical Society, E5 Symposium on Silicon compatible materials, processes and technologies for Advanced Integrated Circuits and Emerging Applications 3
- 発表場所
  The Sheraton Centre Toronto Hotel, Toronto, Canada
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] III-V/Ge MOS Interface Control Using and High k Films2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, R.Suzuki, C.-Y.Chang, N.Taoka, S.-H.Kim, M.Yokoyama and M.Takenaka
- 学会等名
  15th Asian Chemical Congress (15ACC)
- 発表場所
  Resorts World Sentosa, Singapore, Singapore
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] III-V/Ge device engineering for CMOS photonics2013
- 著者名/発表者名
  M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  International Conference on Processing Manufacturing of Advanced Materials (THERMEC2013)
- 発表場所
  Rio Hotel, Las Vegas, U.S.A.
- 年月日
  2013-11-20
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] MOS interface control of high mobility channel materials for advanced CMOS applications2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, R.Suzuki, N.Taoka, M.Yokoyama and M.Takenaka
- 学会等名
  3rd Molecular Materials Meeting (M3)
- 発表場所
  Singapore, Singapore
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Heterogeneous integration for CMOS photonics2013
- 著者名/発表者名
  M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  3rd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2013)
- 発表場所
  Eneos Hall, Meguro-ku, Tokyo
- 年月日
  2013-11-20
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Examination of Physical Origins Limiting Effective Mobility of Ge MOSFETs and the Improvement by Atomic Deuterium Annealing2013
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, J-C.Lin, X.Yu, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  2013 Symposia on VLSI Technology
- 発表場所
  リーガロイヤルホテル京都(京都府京都市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Ultra-thin body MOS device technologies using high mobility channel materials2013
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, S.-H.Kim, M.Yokoyama, W.-K.Kim, R.Zhang and M.Takenaka
- 学会等名
  IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
- 発表場所
  Hyatt Regency Monterey Hotel and Spa, Monterey, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析2013
- 著者名/発表者名
  張睿，黄博勤，林汝静，竹中充，高木信一
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Suppression of Surface States inside Conduction Band and Effective Mobility Improvement of Ge nMOSFETs by Atomic Deuterium Annealing2013
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, J-C. Lin, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス（京都府京田辺市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] 低消費電力CMOSのため高移動度チャネルトランジスタ技術2013
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  第29回　(2013) 京都賞記念ワークショップ先端技術部門「集積回路の発展50年とその未来－超高集積メモリ・省電力LSI に向けてー」
- 発表場所
  国立京都際会館（京都府京都市）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Ge gate stacks based on Ge oxide interfacial layers and the impact on MOS device properties2013
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, R. Zhang and M. Takenaka
- 学会等名
  18th Conference of "Insulating Films on Semiconductors" (INFOS)
- 発表場所
  The Jagiellonian University, Cracow, Poland
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with ～1nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks2012
- 著者名/発表者名
  張睿、田岡紀之、黄博勤、竹中充、高木信一
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Physical mechanism determining Ge p- and n-MOSFETs mobility in high ns region and mobility improvement by atomically flat GeOx/Ge interfaces2012
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, P.C. Huang, J.C. Lin, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  International Electron Devices Meeting (IEDM’12)
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] MOS interface control of high mobility channel materials for realizing ultrathin EOT gate stacks2012
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  Symposium on High Dielectric Constant and Other Dielectric Materials for Nanoelectronics and Photonics 10, Symposium E4 of the 222nd Electrochemical Society (ECS) Meeting
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels on Si platform2012
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Takenaka
- 学会等名
  13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS 2012)
- 発表場所
  Grenoble, France(invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Mobility Channel CMOS Transistors - Beyond Silicon2012
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  2012 International Electron Devices Meeting (IEDM) tutorial
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge gate stacks fabricated by plasma post oxidation2012
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, P.-C. Huang, N. Taoka, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  VLSI Symposium
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Advanced Nano CMOS Platform using High Mobility Channel Materials2012
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Takenaka
- 学会等名
  International Symposium on Secure-Life Electronics-Advanced Electronics and Information Systems for Quality Life and Society-
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] III-V/Ge Channel MOS Transistor Technologies for Advanced CMOS2012
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, S,-H, Kim, R.Zhang, M.Yokoyama, N.Taoka and M.Takenaka
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
- 発表場所
  国立京都国際会館、京都府
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O32012
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, P. Huang, J. Lin, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  The PRiME 2012 Joint International (222nd) ECS Meeting
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with 1nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate stacks2012
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, N.Taoka, P.-C.Huang, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京(受賞講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] MOS interface and channel engineering for high-mobility Ge/III-V CMOS2012
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, S.-H Kim, N.Taoka, M.Yokoyama, J.-K.Suh, R.Suzuki, Y.Asakura, C.Zota and M.Takenaka
- 学会等名
  2012 International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Physical Mechanism Determining Ge p- and n-MOSFETs Mobility in High Ns Region and Mobility Improvement by Atomically Flat GeOx/Ge Interfaces2012
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, P.-C.Huang, J.-C.Lin, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  2012 International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] 0.7 nm超薄EOT HfO2/Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFETs2012
- 著者名/発表者名
  張睿、林汝静、黄博勤、田岡紀之、竹中充、高木信一
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels on Si platform2012
- 著者名/発表者名
  S.Takagi and M.Takenaka
- 学会等名
  13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS 2012)
- 発表場所
  Grenoble, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] 異種材料(Si/Ge/化合物半導体)集積化技術2012
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  Electronic Journal第984回Technical Seminar
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] 高移動度チャネルCMOSデバイス2012
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第152回研究集会
- 発表場所
  産業技術総合研究所、東京都
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O32012
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, P.-C.Huang, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  Symposium on 5th International SiGe, Ge, & Related Compounds : Materials, Processing, and Devices, Symposium E of the 222nd Electrochemical Society (ECS) Meeting
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation2012
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, P.C.Huang, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  Symposium on VLSI technology
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Advanced CMOS Technologies using III-V/Ge Channels2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Takenaka
- 学会等名
  11th International Symposium on VLSI Technology, System and Applications (VLSI-TSA)
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan(invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Mobility Channel MOS Device Technologies toward Nano-CMOS era (plenary talk)2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- 学会等名
  IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference (NMDC)
- 発表場所
  Jeju, Korea(invited)
- 年月日
  2011-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] 1-nm-thick EOT High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with Ultrathin GeOx/Ge MOS Interfaces Fabricated by Plasma Post Oxidation2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, N.Taoka, P.Huang, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  Washington DC., USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Mobility Channel MOS Device Technologies toward Nano-CMOS era2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- 学会等名
  IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference (NMDC)
- 発表場所
  Jeju, Korea (plenary)
- 年月日
  2011-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] MOS Interface Properties of Ge Gate Stacks based on Ge oxides and the Impact on MOS Device Performance2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, N.Taoka and M.Takenaka
- 学会等名
  41th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2011)
- 発表場所
  Arlington, VA, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  張睿、田岡紀之、岩崎敬志、竹中充、高木信一
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness of Al2O3/Ge HOS interface Properties2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  7th Conference on Insulating Films on Semiconductor
- 発表場所
  Grenoble, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness of Al2O3/Ge MOS interface Properties2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Mobility Enhancement of Strained-SGOI p-Channel MOSFETs by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates2011
- 著者名/発表者名
  J.Suh, R.Nakane, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  第72回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  山形
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness of Al2O3/Ge MOS interface Properties2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  17th Conference on "Insulating Films on Semiconductors"
- 発表場所
  Grenoble, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Mobility Ge pMOSFETs with 1nm Thin EOT using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  Symposium on VLSI technology
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Non-Si Channel MOS Device Technologies in Nano-CMOS era2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Takenaka
- 学会等名
  2011 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS' 11)
- 発表場所
  つくば、茨城(invited)
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Mobility enhancement of strained-SGOI p-channel MOSFETs by applying Ge condensation technique to strained-SOI substrates2011
- 著者名/発表者名
  徐準教、中根了昌、田岡紀之、竹中充、高木信一
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] 1-nm-thick EOT high mobility Ge n- and p-MOSFETs with ultrathin GeOx/Ge MOS interfaces fabricated by plasma post oxidation2011
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, N. Taoka, P. Huang, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  International Electron Devices Meeting (IEDM2011)
- 発表場所
  Washington D.C., USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Device and integration technologies of III-V/Ge channel CMOS2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Yokoyama, Y.-H.Kim, M.Takenaka
- 学会等名
  Symposium on ULSI Process Integration 7, Symposium E4 of the 220th Electrochemical Society (ECS) Meeting
- 発表場所
  Boston, Massachusetts, USA(invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFET2011
- 著者名/発表者名
  張睿, 岩崎敬志, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第139回研究集会
- 発表場所
  東京(招待講演)
- 年月日
  2011-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Mobility Materials : III-V/Ge FETs (IEDM short course)2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- 学会等名
  ternational Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  Washington DC, USA(invite)
- 年月日
  2011-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates2011
- 著者名/発表者名
  J.-K.Suh, R.Nakane, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  37th Device Research Conference (DRC)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Nobility Ge pMOSFETs with 1nm Thin EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate stacks2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, N.Taoka, T.Iwasaki, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  第72回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  山形
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Channel/Stress Engineering for Advanced CMOS Devices : Performance Booster2011
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  16th Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC 2011), (Tutorial 1) Advanced CMOS Device Technologies (1)
- 発表場所
  Pacifico, Yokohama, Kanagawa, Japan
- 年月日
  2011-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates2011
- 著者名/発表者名
  J.-K.Suh, R.Nakane, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  37th Device Research Conference (DRC)
- 発表場所
  Santa Barbara, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] 1-nm-thick EOT High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with Ultrathin GeOx/Ge MOS Interfaces Fabricated by Plasma Post Oxidation2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, N.Taoka, P.Huang, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  Washington DC, DSA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Prospective and critical issues of III-V/Ge CMOS on Si platform2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Takenaka
- 学会等名
  219th Electrochemical Society Meeting, Symposium E3 : International Symposiu on Graphene, Ge/III-V, Nanowires and Emerging Materials for Post-CMOS Applications -3
- 発表場所
  Montreal, Canada(invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Non-Si材料チャネルMOSトランジスタの研究開発動向2011
- 著者名/発表者名
  高木信一, 竹中充
- 学会等名
  日本学術振興会ナノプローブテクノロジー第167委員会第63回研究会
- 発表場所
  神奈川(招待講演)
- 年月日
  2011-07-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Highly-strained SGOI p-channel MOSFETs fabricated by applying Ge condensation technique to strained-SOI substrates2011
- 著者名/発表者名
  J. Suh, R. Nakane, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
- 学会等名
  Device Research Conference (DRC 2011)
- 発表場所
  Santa Barbara, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] MOS Interface Properties of Ge Gate Stacks based on Ge oxides and the Impact on MOS Device Performance2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, N.Taoka, M.Takenaka
- 学会等名
  41th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2011)
- 発表場所
  Arlington, VA, USA(invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Mobility Material Channel CMOS Technologies based on Heterogeneous Integration (Keynote Speech)2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Takenaka
- 学会等名
  11th International Workshop on Junction Technology (IWJT2011)
- 発表場所
  Kyoto, Japan(invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] MOS interface control technologies for III-V/Ge channel MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, R.Zhang, T.Hoshii, M.Takenaka
- 学会等名
  Symposium on High Dielectric Constant and other Dielectric Materials for Nanoeleectronics and Photonics 9, Symposium E4 of the 220th Electrochemical Society (ECS) Meeting
- 発表場所
  Boston, Massachusetts, USA(invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Impact of GeOx interfacial layer thickness of Al2O3/Ge MOS interface Properties2011
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  17th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS' 11)
- 発表場所
  Grenoble, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] (III-V/Ge)-On-Insulator CMOS Technology2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- 学会等名
  37th IEEE International SOI Conference
- 発表場所
  Tempe, Arizona, USA(invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High Mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm Thin EOT using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation2011
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  VLSI symp.
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] Channel Engineering for Advanced CMOS Devices (SSDM short course)2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid state Devices and Materials (SSDM 2011)
- 発表場所
  名古屋(invited)
- 年月日
  2011-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246058
[学会発表] High mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm thin EOT using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks fabricated by plasma post oxidation2011
- 著者名/発表者名
  R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  VLSI Symposium., 4A-1, , June 2011
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Channel/Stress Engineering for Advanced CMOS Devices : Performance Booster2011
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- 学会等名
  16th Asia and South Pacific Design Automation Conference(ASP-DAC 2011), (Tutorial 1)Advanced CMOS Device Technologies(1)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
- 年月日
  2011-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] CMOSプラットフォーム上の高移動度チャネルMOSトランジスタ技術2010
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  TRC第7回半導体デバイス分析セミナー
- 発表場所
  東京コンファレンスセンター品川、東京都
- 年月日
  2010-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] 気相拡散によるソース・ドレイン接合を用いた高性能GeO2/Ge nMOSFET2010
- 著者名/発表者名
  森井清仁, 岩崎敬志, 中根了昌, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Mobility CMOS Technologies using Ge-based Channels2010
- 著者名/発表者名
  高木信一, 竹中充
- 学会等名
  5th international SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM)
- 発表場所
  Stockholm, Sweden
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Evidence of Correlation between Surtace Roughness and Intertace States Generationin Unstrained and Strained-Si MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, M.Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  2010 Symposium on VLSI Technology
- 発表場所
  Horwlulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2010-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] 気相拡散により形成したソース・ドレイン接合を用いた高性能GeO2/Ge nMOSFET2010
- 著者名/発表者名
  森井清仁, 岩崎敬志, 中根了昌, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  電気学会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」調査専門委員会
- 発表場所
  大岡山、東京
- 年月日
  2010-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] 二軸引張りひずみSi MOS電子・正孔反転層における界面電荷・基板不純物によるクーロン散乱に与える影響の統一的な物理機構2010
- 著者名/発表者名
  趙毅, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第57回応物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川県
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] MOVPEを用いた気相ドーピングによる高品質Ge n+/p接合の形成およびGe nMOSFETへの応用2010
- 著者名/発表者名
  竹中充, 森井清仁, 高木信一
- 学会等名
  電気学会シリコンナノデバイス集積化技術調査専門委員会・化合物半導体電子デバイス調査専門委員会合同委員会「高移動度化技術」
- 発表場所
  早稲田、東京
- 年月日
  2010-03-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] 高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価2010
- 著者名/発表者名
  趙毅, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山晋, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京大学、神奈川県
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] 酸化濃縮法により生成したSGOI中の圧縮ひずみと酸化前基板構造の関係2010
- 著者名/発表者名
  富山健太郎, Dissanayake Sanjeewa, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第57回応用物理学関係迎合講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Siプラットフォーム上のIII-V/GeチャネルMOSトランジスタ技術2010
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] 二軸引張りひずみSi MOS電子・正孔反転層における界面電荷・基板不純物によるクーロン散乱に与える影響の統一的な物理機構2010
- 著者名/発表者名
  趙毅, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川県
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Evidence of Correlation between Surface Roughness and Interface States Generation in Unstrained and Strained-Si MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  2010 Symposium on VLSI Technology
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2010-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Suppression of ALD-induced degradation of Ge MOS interface properties by low power plasma nitridation of GeO_22010
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'10)
- 発表場所
  東京大学(東京都)
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Si MOS界面ラフネス散乱による移動度とひずみの効果(招待講演)2010
- 著者名/発表者名
  高木信一, 趙毅, 竹中充, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山晋
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第121回研究集会「半導体シリコン単結晶ウェーハを特徴づける評価技術」
- 発表場所
  学習院大学、東京
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] High Mobility Ge CMOS Technologies2010
- 著者名/発表者名
  高木信一, 竹中充
- 学会等名
  5th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Si MOS界面ラフネス散乱による移動度とひずみの効果2010
- 著者名/発表者名
  高木信一, 趙毅, 竹中充, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山晋
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第121回研究集会「半導体シリコン単結晶ウェーハを特徴づける評価技術」
- 発表場所
  学習院大学、東京(招待講演)
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] A Plasma Assisted Top-to-Bottom Assembly of Ge/GeOx/Al2O3 Gate Stack with Superior Electrical Properties2010
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Siプラットフォーム上の高移動度チャネルCMOS技術2010
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  第4回九州大学稲盛フロンティア研究講演会
- 発表場所
  九州大学伊都キャンパス、福岡県
- 年月日
  2010-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Siプラットフォーム上の高移動度チャネルCMOS技術2010
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  第4回九州大学稲盛フロンティア研究講演会
- 発表場所
  九州大学伊都キャンパス、福岡県
- 年月日
  2010-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Suppression of ALD-Induced Degradation on ultra thin GeO2 using Low Power Plasma Nitridation2010
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Thin EOT and low D_<it>Al_2O_3/GeO_x/Ge Gate stacks fabricated by novel post-oxidation method2010
- 著者名/発表者名
  R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  IEEE Semiconductor Interface Specialists conference (SISC'10)
- 発表場所
  Washington D.C., USA
- 年月日
  2010-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] III-V/Ge CMOS technologies on Si platform2010
- 著者名/発表者名
  高木信一, 竹中充
- 学会等名
  Symposium on VLSI Technology
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] 高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価2010
- 著者名/発表者名
  趙毅, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山晋, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川県
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Electrical Properties of(110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique2009
- 著者名/発表者名
  S.Dissanayake, Y.Shuto, S.Sugahara, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Performance(110)-oriented GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique2009
- 著者名/発表者名
  S.Dissanayake, S.Sugahara, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  International Conference on Solid Sate Devices and Materials(SSDM2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Ge/III-V Channel CMOS Technologies on Si platform (invited)2009
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  First Korea-Japan Nano Forum, NANO KOREA 2009
- 年月日
  2009-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Performance Ge MOS Device Technologies (invited)2009
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  1st International Workshop on Si based nano-electronics and -photonics (SiNEP-09)
- 発表場所
  Vigo, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] 高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度の定量評価及び引張り歪からの影響2009
- 著者名/発表者名
  趙毅, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山晋, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第73回半導体・集積回路技術シンポジウム
- 発表場所
  東京農工大学、東京
- 年月日
  2009-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Ge/III-V Channel CMOS Technologies on Si platform2009
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  First Korea-Japan Nano Forum, NANO KOREA 2009
- 発表場所
  Soeul, Korea
- 年月日
  2009-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Mobility Channel CMOS Technologies for Realizing High Performance LSI's2009
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC)
- 発表場所
  San Jose, California, USA(invited)
- 年月日
  2009-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] New channel material MOSFETs on Si platform2009
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030 : Prospects by World's Leading Scientists
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Interfacial Control and Electrical Properties of Ge MOS structures2009
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, N.Taoka, M.Takenaka
- 学会等名
  10th International Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Alternate Emerging Dielectrics, 215th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2009-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Mobility Channel CMOS Technologies for Realizing High Performance LSI's (invited)2009
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- 学会等名
  2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC)
- 発表場所
  San Jose, California USA
- 年月日
  2009-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] S.Takagi, "High Mobility Channel CMOS Technologies for Realizing High Performance LSI's2009
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  2009 Custom Integrated Circuits Conference(CICC)
- 発表場所
  San Jose, California, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Advanced Nano CMOS Platform using Ge/III-V Channels2009
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Sugiyama and M. Takenaka
- 学会等名
  First International Symposium on Atomically Controlied Fabrication Technology-Surface and Thin Film Processing-
- 発表場所
  Osaka, Japan(invited)
- 年月日
  2009-02-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Ge/III-V Channel Engineering for future CMOS (invited)2009
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, M. Sugiyama, T. Yasuda, M. Takenaka
- 学会等名
  1st International Symposium on Graphene and Emerging Materials for Post-CMOS Applications, 215 th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Impact of plasma nitridation of thermally-grown GeO2/Ge MIS structures on the GeO2 film and interface properties2009
- 著者名/発表者名
  T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC)
- 発表場所
  Washington D.C., USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Performance Ge MOS Device Technologies2009
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  1st International Workshop on Si based nano-electronics and-photonics(SiNEP-09)
- 発表場所
  Vigo, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Performance (110)-oriented GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique2009
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  SSDM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping2009
- 著者名/発表者名
  森井清仁, 岩崎敬志, 中根了昌, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  International Electron Device Meeting(IEDM)
- 発表場所
  Baltimore, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Interfacial Control and Electrical Properties of Ge MOS structures (invited)2009
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, N. Taoka, M. Takenaka
- 学会等名
  10th International Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Alternate Emerging Dielectrics, 215 th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping2009
- 著者名/発表者名
  K. Morii, T. Iwasaki, R. Nakane, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  International Electron Device Meeting
- 発表場所
  Baltimore, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Comprehensive Understanding of Surface Roughness Limited Mobility in Unstrained-and Strained-Si MOSFETs by Novel Characterization Scheme of Si/SiO2 Interface Roughness2009
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, H.Matsumoto, T.Sato, S.Koyama, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  Symposium on VLSI Technology
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2009-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Ge/III-V Channel Engineering for future CMOS2009
- 著者名/発表者名
  S.Takagi, M.Sugiyama, T.Yasuda, M.Takenaka
- 学会等名
  1st International Symposium on Graphene and Emerging Materials for Post-CMOS Applications, 215th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2009-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Comprehensive Understanding of Surface Roughness Limited Mobility in Unstrained- and Strained-Si MOSFETs by Novel Characterization Scheme of Si/SiO2 Interface Roughness2009
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, H.Matsumoto, T.Sato, S.Koyama, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  Symposium on VLSI Technology
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2009-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Gas phase doping of arsenic into germanium by using MOVPE system for source/drain formation of high performance Ge nMOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  M. Takenaka, M. Sugiyama, Y. Nakano, S. Takagi
- 学会等名
  Symposium I: Silicon and Germanium issues for future CMOS devices, E-MRS 2009
- 発表場所
  Strasbourg (France)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Mobility Channel CMOS Technologies for Realizing High Performance LSI's (invited)2009
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC)
- 発表場所
  San Jose, California
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Impact of plasma nitridation of thermally-grown GeO2/Ge MIS structures on the GeO2 film and interface properties2009
- 著者名/発表者名
  T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Washington D.C., USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Gas phase doping of arsenic into germanium by using MOVPE system for source/drain formation of high performance Ge nMOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  M.Takenaka, M.Sugiyama, Y.Nakano, S.Takagi
- 学会等名
  Symposium I : Silicon and Germanium issues for future CMOS devices, E-MRS 2009
- 発表場所
  Strasbourg, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] New channel material MOSFETs on Si platform(invited)2009
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Understanding and Engineering of Carrier TraOsport in Advanced MOS Channels(plenary)2008
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- 学会等名
  2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices(SISPAD)
- 発表場所
  Hakone, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Interface-controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nakakita, R. Nakane, T. Sasada, H. Matsubara, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  International Electron Device Meeting (IEDM)
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Advanced Nano CMOS Platform using Carrier-Transport-Enhanced Channels2008
- 著者名/発表者名
  Shinichi Takagi
- 学会等名
  2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan(invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Devices for high performance CMOS2008
- 著者名/発表者名
  Shinichi Takagi
- 学会等名
  38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Workshop on Germanium and III-V MOS Technology
- 発表場所
  Edinburgh, UK(invited)
- 年月日
  2008-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High mobility channel MOSFET2008
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- 学会等名
  8th European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC)
- 発表場所
  Edinburgh, United Kingdom
- 年月日
  2008-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] 新チャネル材料を使った高電流駆動力CMOSデバイス技術(招待講演)2008
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  第72回半導体集積回路技術シンポジウム
- 発表場所
  於東京農工大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Understanding and Engineering of Carrier Transport in Advanced MOS Channels (plenary)2008
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
- 発表場所
  Hakone, Japan
- 年月日
  2008-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] [チュートリアル講演]高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望2008
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
- 発表場所
  於東京大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High mobility channel MOSFET2008
- 著者名/発表者名
  Shinichi Takagi
- 学会等名
  38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Tutorials "Ti : CMOS at the bleeding edge"
- 発表場所
  Edinburgh, UK(invited)
- 年月日
  2008-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Interface-controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers2008
- 著者名/発表者名
  Yosuke Nakakita, Ryosho Nakane, Takashi Sasada, Hiroshi Matsubara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  International Electron Device Meeting
- 発表場所
  San Fracisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Understanding and Engineering of Carrier Transport in Advanced MOS Channels2008
- 著者名/発表者名
  Shinichi Takagi
- 学会等名
  2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
- 発表場所
  Hakone, Japan(plenary)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High mobility channel MOSFET (invited)2008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  ESSDERC Tutorials "T1: CMOS at the bleeding edge", 38th European Solid-State Device Research Conference
- 発表場所
  Edinburgh, UK
- 年月日
  2008-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Improvement of Interface Properties of GeO2/Ge MOS Structures Fabricated by Thermal Oxidation2008
- 著者名/発表者名
  T. Sasada, H. Matsubara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Comprehensive understanding of surface roughness and Coulomb scattering mobility in biaxially-strained Si MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, M.Takenaka and S.Takagi
- 学会等名
  International Electron Device Meeting(IEDM)
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Understanding and Engineering of Carrier Transport in Advanced MOS Channels (plenary)2008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
- 発表場所
  Hakone, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Advanced Nano CMOS Platform using Carrier-Transport-Enhanced Channels(invited)2008
- 著者名/発表者名
  S.Takagi
- 学会等名
  2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications(VLSI-TSA)
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Advanced Nano CMOS Platform using Carrier-Transport-Enhanced Channels2008
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications (VLSI-TSA)
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan(invited)
- 年月日
  2008-04-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical MOS Interfaces by using Metal Source/Drain GOI MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Kiyohito Morii, Sanjeewa Dissanayake, Satoshi Tanabe, Ryosho Nakane, Mitsuru Takenaka, Satoshi Sugahara, Shinichi Takagi
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Surface Orientation Dependence of Interface Properties of GeO2/Ge MOS Structures Fabricated by Thermal Oxidation2008
- 著者名/発表者名
  Takashi Sasada, Yosuke Nakakita, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
- 学会等名
  39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Comprehensive understanding of surface roughness and Coulomb scattering mobility in biaxiallystrained Si MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Y.Zhao, M.Takenaka, S.Takagi
- 学会等名
  International Electron Device Meeting (IEDM)
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2008-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] 先端CMOSのためのデバイス性能向上技術(招待講演)2008
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  SEMI Forum Japan 2008
- 発表場所
  於大阪国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Advanced Nano CMOS Platform using Carrier-Transport-Enhanced Channels (invited)2008
- 著者名/発表者名
  Shinichi Takagi
- 学会等名
  2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Interface-controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nakakita, R. Nakane, T. Sasada, H. Matsubara, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  International Electron Device Meeting, pp. 877-880
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High mobility channel MOSFET2008
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  8th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
- 発表場所
  Edinburgh, United Kingdom
- 年月日
  2008-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246055
[学会発表] Electrical Characteristics of (110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2008
- 著者名/発表者名
  Sanjeewa Dissanayake, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  於中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Devices for high performance CMOS (invited)2008
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  Workshop on Germanium and III-V MOS Technology, 38th European Solid-State Device Research Conference
- 発表場所
  Edinburgh, UK
- 年月日
  2008-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, H. Matsubara, M. Nishikawa, T. Sasada, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Gate Dielectric Formation and MIS interface Characteriation on Ge(invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. lkeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
- 学会等名
  15th lnsulating Films on Semiconductors(INFOS2007)
- 発表場所
  Athens, Greece
- 年月日
  2007-06-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge (invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara, N. Sugiyama
- 学会等名
  15th Insulatring Films on Semiconductors (INFOS2007)
- 発表場所
  Athens, Greece
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] ナノCMOS時代のデバイス高性能化技術(High Performance Device Technologies in Nano CMOS Era)2007
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  東京大学21世紀COEプログラム「未来社会を担うエレクトロニクスの展開」最終シンポジウム「豊かな社会を築くセキュアライフ・エレクトロニクス」
- 発表場所
  東京大学本郷キャンパス・工学部2号館1階213大講堂
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Mobility-Enhanced MOS Device Technologies in Nano-CMOS era (plenary talk)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  Device Research Conference (DRC)
- 発表場所
  South Bend, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, H. Matsubara, M. Nishikawa, T. Sasada, R. Nakane, S. Sugahara and M. Takenaka
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces-for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2007-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Fabrication of(110)GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/(110)SOI Structure and Application to pMOSFET Devices2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  2nd International Conference on Industrial and Information Systems(ICIIS 2007)
- 発表場所
  University of Peradeniya, Sri Lanka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, S. Tanabe, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V), pp. 233-234
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] (110)Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, H. Kumagai, T. Uehara, Y. Shuto, S. Sugahara and S. Takagi
- 学会等名
  5th international Conference on SiGe(C)Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Marseille, France
- 年月日
  2007-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Uehara, S. Tanabe, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara
- 学会等名
  34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2007-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Mobility-Enhanced MOS Device Technologies in Nano-CMOS era (plenary talk)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  Device Research Conference(DRC)
- 発表場所
  South Bend, USA
- 年月日
  2007-06-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Mobility-Enhanced CMOS Technology (invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  SEMICON KOREA Semi Technology Symposium (STS) 2007
- 発表場所
  Souel, Korea(invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Carrier-Transport-Enhanced CMOS using New Channel Materials and Structures (invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, K. Usuda, N. Hirashita, M. Takenaka and N. Sugiyama
- 学会等名
  International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS)
- 発表場所
  Maryland, USA
- 年月日
  2007-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structure and Application to pMOSFET Devices2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  2nd International Conference on Industrial and Information Systems (ICIIS 2007)
- 発表場所
  Sri Lanka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Evaluation of SiO2/GeO2/Ge MIS Interface Properties by Low Temperature Conductance Method2007
- 著者名/発表者名
  H. Matsubara, H. Kumagai, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  Ext. Abs. SSDM
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] (110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, H. Kumagai, T. Uehara, Y. Shuto, S. Sugahara, S. Takagi
- 学会等名
  5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Understanding and Control of Ge MIS Interface Properties (invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Harada, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Nishikawa, H. Kumagai, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara
- 学会等名
  4th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology
- 発表場所
  Dallas, USA
- 年月日
  2007-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels (invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, N. Hirashita, K. Usuda and N. Sugiyama
- 学会等名
  ULSI Process Integration Symposium, 212thElectrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Washington, DC., USA
- 年月日
  2007-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Examination of Additive Mobility Enhancements for Uniaxial Stress Combined with Biaxially Strained Si, Biaxially Strained SiGe and Ge Channel MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  O. Weber, T. Irisawa, T. Numata, M. Harada, N. Taoka, Y. Yamashita, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  International Electron Device Meeting
- 発表場所
  Washington DC., USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge (invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
- 学会等名
  15th Insulatring Films on Semiconductors (INFOS2007), pp. 2314-2319
- 発表場所
  Athens, Greece
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Uehara, S. Tanabe, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara
- 学会等名
  34th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Evaluation of SiO2/GeO2/Ge MlS Interface Properties by Low Temperature Conductance Method2007
- 著者名/発表者名
  H. Matsubara, H. Kumagai, S. Sugahara and M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Mobility-Enhanced MOS Device Technologies in Nano-CMOS era (plenary talk)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  Device Research Conference (DRC), pp. 5-8
- 発表場所
  South Bend, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] (110) surface Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, H. Kumagai, Y. Shuto, S. Sugahara, S. Takagi
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  於北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, S. Tanabe, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces-for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Advanced CMOS technologies using high mobility channels based on column-IV materials (invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, N. Hirashita, K. Usuda, N. Sugiyama
- 学会等名
  5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Effects of Annealing on (110) GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  於北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Performance CMOS Device Technologies using New Channel Materials(invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  International Workshop on Advanced Silicon-based Nano-devices
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2007-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, S. Tanabe, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] (110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method2007
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, H. Kumagai, T. Uehara, Y. Shuto, S. Sugahara and S. Takagi
- 学会等名
  5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, pp. 57-58
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Performance CMOS Device Technologies using New Channel Materials (invited)2007
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  International Workshop on Advanced Silicon-based Nano-devices
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Prospects and Critical Issues on Ge MOS Technologies (invited)2006
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, N. Taoka, S. Nakaharai, K. Ikeda, T. Tezuka, Y. Yamashita, Y. Moriyama, T. Maeda, N. Sugiyama
- 学会等名
  SiGe & Ge: Materials, Processing, and Devices Symposium, the 2006 Joint International Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Moon Palace Resort, Cancun, Mexico(invited)
- 年月日
  2006-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels (invited)2006
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, K. Ikeda, N. Taoka, Y. Yamashita, M. Harada, T. Maeda, T. Yamamoto, N. Sugiyama
- 学会等名
  2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] High Performance CMOS Device Technologies in Nano CMOS Era (invited)2006
- 著者名/発表者名
  S. Takagi
- 学会等名
  IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC)
- 発表場所
  Gyeongju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Ultra-thin Ge-on-Insulator (GOI) Metal S/D p-channel MOSFETs fabricated by low temperature MBE growth2006
- 著者名/発表者名
  T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara, S. Takagi
- 学会等名
  Ext. Abs. SSDM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Metal Source/Drain Ge MOSFET Technologies (invited)2006
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, K. Ikeda, T. Maeda, S. Nakaharai, N. Sugiyama, T. Uehara, S. Sugahara
- 学会等名
  Workshop on Gate Stack and Contact Engineering for sub-30nm FETs
- 発表場所
  Monterey Plaza Hotel, Monterey CA, USA
- 年月日
  2006-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] 高性能LSIのための新構造CMOSデバイス技術2006
- 著者名/発表者名
  高木信一
- 学会等名
  ISTF(Industry Strategy and Technology Forum)2006
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2006-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Fabrication of SiO2/Ge MIS structures by plasma oxidation of ultrathin Si films grown on Ge2006
- 著者名/発表者名
  H. Kumagai, M. Shichijo, H. Ishikawa, T. Hoshii, S. Sugahara, Y. Uchida, S. Takagi
- 学会等名
  Ext. Abs. SSDM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structures2006
- 著者名/発表者名
  Sanjeewa Dissanayake, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一
- 学会等名
  2006秋応物第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  於立命館大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Mobility improvement of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs on flipped Smart-Cut GeOI substrates
- 著者名/発表者名
  X. Yu, J. Kang, R. Zhang, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)
- 発表場所
  Aula Prodi, Bologna, Italy
- 年月日
  2015-01-26 – 2015-01-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Gate stack technologies for high mobility channel MOSFETs
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, R. Zhang, C.-Y. Chang, J.-H. Han, M. Yokoyama and M. Takenaka
- 学会等名
  2015 MRS Spring Meeting & Exhibit, Sympoium AA, “Materials for Beyond the Roadmap Devices in Logic, Power and Memory”
- 発表場所
  Moscone West Convention Center, San Francisco, USA
- 年月日
  2015-04-06 – 2015-04-10
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Properties of ultrathin body condensation GOI films thinned by additional thermal oxidation
- 著者名/発表者名
  W.-K. Kim, M. Takenka and S. Takagi
- 学会等名
  46th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県つくば市）
- 年月日
  2014-09-09 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] III-V/Ge CMOS Device Technologies for Future Logic LSIs
- 著者名/発表者名
  S. Takagi and M. Takenaka
- 学会等名
  7th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
- 発表場所
  Swissotel Merchant Court, Singapore, Singapore
- 年月日
  2014-06-02 – 2014-06-04
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Electrical Properties of (110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
- 著者名/発表者名
  S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  2008年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063005
[学会発表] Mobility improvement of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs on flipped Smart-Cut GeOI substrates
- 著者名/発表者名
  X. Yu, J. Kang, R. Zhang, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates
- 著者名/発表者名
  X. Yu, R. Zhang, J. Kang, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  21st International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (2014 VLSI-TSA)
- 発表場所
  Ambassador Hotel, Hsinchu, Taiwan
- 年月日
  2014-04-28 – 2014-04-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFET
- 著者名/発表者名
  張睿、岩崎敬志、田岡紀之、竹中充、高木信一
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第139回研究集会「VLSIシンポジウム特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術）」
- 発表場所
  東京
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22000011
[学会発表] Quantitative evaluation of slow traps near Ge MOS interfaces by using time response of MOS capacitance
- 著者名/発表者名
  K. Tanaka, R. Zhang, M. Takenaka and S. Takagi
- 学会等名
  46th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県つくば市）
- 年月日
  2014-09-09 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] Material Challenges and Opportunities in Ge/III-V channel MOSFETs
- 著者名/発表者名
  S. Takagi, S.-H. Kim, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang and M. Takenaka
- 学会等名
  226th Fall meeting of the Electrochemical Society, P3 - High Purity and High Mobility Semiconductors 13
- 発表場所
  Moon Palace Resort, Cancun, Mexico
- 年月日
  2014-10-05 – 2014-10-10
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[学会発表] III-V/Ge Channel MOS Device Technologies in Nano CMOS era
- 著者名/発表者名
  S. Takagi and M. Takenaka
- 学会等名
  27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)
- 発表場所
  ヒルトン福岡シーホーク（福岡県福岡市）
- 年月日
  2014-11-04 – 2014-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249038
[]

1. 竹中充 (20451792)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 259件
2. 財満鎭明 (70158947)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 3件
3. 宮崎誠一 (70190759)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 益一哉 (20157192)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 堀勝 (80242824)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 田畑仁 (00263319)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 平本俊郎 (20192718)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. KHAIRUL Alam

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
9. 菅原聡 (40282842)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 50件
10. 坂下満男 (30225792)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
11. 田中信夫 (40126876)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 竹内和歌奈 (90569386)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 中塚理 (20334998)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
14. 前田辰郎 (40357984)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
15. 入沢寿史 (40759940)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
16. ALAM Khairul

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
17. HUANG PO-CHIN

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. KE MENGNAN

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

高木 信一 Takagi Shinichi

研究課題

研究成果

共同研究者

極薄膜半導体チャネルCMOSのキャリア輸送特性の解明と高移動度化手法の確立研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

layer transferによる高移動度材料3次元集積CMOSの精密構造制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

3次元集積Ge/III-V CMOSに向けた素子技術基盤の構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

スティープスロープＭＯＳトランジスタに最適なＭＯＳゲートスタック構造に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Ge-On-Insulator CMOSのキャリア輸送特性解明と性能向上手法確立研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高移動度チャネルＭＯＳＦＥＴのキャリア輸送と素子構造に関する理論的研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ゲルマニウムＭＯＳ界面電気伝導機構の解明と高移動度化手法の確立研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

省電力／超高速ナノＣＭＯＳのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

結晶ひずみを利用したSiMOS反転層移動度決定機構の解明と高移動度化指針の確立研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノ機能化ゲルマニウム系チャネル研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコンナノエレクトロニクスの新展開に関する総括的研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ひずみSiMOSトランジスタの物理モデル構築の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

高木信一 Takagi Shinichi

[図書] 2. III-V/Ge デバイス構造”, 先端LSI技術大系（GNC Tech. Vol. 2）、第3章　将来技術2012

[図書] 2. III-V/Ge デバイス構造, 先端LSI 技術大系(GNC Tech. Vol.2)、第3章将来技術2012