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登坂 仁一郎  Noborisaka Jinichiro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 30515573
所属 (現在) 2025年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 研究主任
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2012年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 研究員
2010年度 – 2012年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 研究員
審査区分/研究分野
研究代表者以外
ナノ構造科学
キーワード
研究代表者以外
シュタルク効果 / ELスペクトル / 不純物準位 / IV族半導体 / 谷分離効果 / ELスペクトル / 第一原理計算 / ナノキャパシタ / 誘電率 / IV族半導体 / ナノ構造 / ナノ構造物性
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (15件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  IV族半導体ナノ構造化による誘電関数制御

    • 研究代表者
      影島 博之
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ構造科学
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

すべて 2013 2012 2011 2010 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011

    • 著者名/発表者名
      Jin-ichiro Noborisaka, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono, Hiroyuki Kageshima, Akira Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 98

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [雑誌論文] Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011

    • 著者名/発表者名
      J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, and A. Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: Vol. 98 号: 11

    • DOI

      10.1063/1.3360224

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [雑誌論文] Strong Stark effect in electroluminescence from phospnorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011

    • 著者名/発表者名
      J.Noborisaka, 他
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 98 号: 3

    • DOI

      10.1063/1.3543849

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [産業財産権] 半導体発光素子2011

    • 発明者名
      登坂仁一郎、西口克彦、小野行徳、影島博之、藤原聡
    • 権利者名
      登坂仁一郎、西口克彦、小野行徳、影島博之、藤原聡
    • 産業財産権番号
      2011-051146
    • 出願年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [産業財産権] 半導体発光素子2011

    • 発明者名
      登坂仁一郎, 西口克彦, 小野行徳, 影島博之, 藤原聡
    • 権利者名
      登坂仁一郎, 西口克彦, 小野行徳, 影島博之, 藤原聡
    • 産業財産権番号
      2011-051146
    • 出願年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [学会発表] シリコンMOSFET における巨大谷分離を用いたフォノンレス発光の増強2013

    • 著者名/発表者名
      登坂仁一郎、西口克彦、藤原聡
    • 学会等名
      2013 年第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(厚木市)
    • 年月日
      2013-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [学会発表] シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光2012

    • 著者名/発表者名
      登坂仁一郎, 他
    • 学会等名
      電子情報通信学会ED-SDM研究会「機能ナノデバイスおよび関連技術」
    • 発表場所
      北海道大学(札幌市)
    • 年月日
      2012-02-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [学会発表] シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光2012

    • 著者名/発表者名
      登坂仁一郎、西口克彦、影島博之、藤原聡
    • 学会等名
      電子情報通信学会ED-SDM 研究会「機能ナノデバイス及び関連技術」
    • 発表場所
      北海道大学(札幌市)
    • 年月日
      2012-02-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [学会発表] Electroluminescence study of phosphorous ionization in silicon-on- insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011

    • 著者名/発表者名
      J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, and A. Fujiwara
    • 学会等名
      The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology
    • 発表場所
      NTT 厚木研究開発センタ(厚木市)
    • 年月日
      2011-01-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [学会発表] Electroluminescence study of phosphorous ionization in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011

    • 著者名/発表者名
      Jin-ichiro Noborisaka, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono, Hiroyuki Kageshima, Akira Fujiwara
    • 学会等名
      The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology(ISNTT2011)
    • 発表場所
      厚木市
    • 年月日
      2011-01-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [学会発表] 薄層SOI-MOSFET の電流注入発光における巨大Stark 効果2010

    • 著者名/発表者名
      登坂仁一郎、西口克彦、小野行徳、影島博之、藤原聡
    • 学会等名
      2010 年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎市)
    • 年月日
      2010-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [学会発表] Strong Stark effect of electroluminescence in thin SOI MOSFETs2010

    • 著者名/発表者名
      Jin-ichiro Noborisaka, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono, Hiroyuki Kageshima, Akira Fujiwara
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
    • 発表場所
      東京都
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [学会発表] Strong Stark effect of electroluminescence in thin SOI MOSFETs2010

    • 著者名/発表者名
      J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, and A. Fujiwara
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      東京大学(東京都)
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [学会発表] 薄層SOI-MOSFETの電流注入発光における巨大Stark効果2010

    • 著者名/発表者名
      登坂仁一郎, 西口克彦, 小野行徳, 影島博之, 藤原聡
    • 学会等名
      2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎市
    • 年月日
      2010-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • [学会発表] シリコンMOSFETにおける巨大谷分離を用いたフォノンレス発光の増強

    • 著者名/発表者名
      登坂仁一郎
    • 学会等名
      2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(厚木市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310062
  • 1.  影島 博之 (70374072)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 9件
  • 2.  小野 行徳 (80374073)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件
  • 3.  藤原 聡 (70393759)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 10件

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