• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

原田 俊太  Harada Shunta

研究者番号 30612460
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0002-3076-6678
所属 (現在) 2025年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2019年度 – 2024年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授
2017年度 – 2019年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 講師
2014年度 – 2016年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教
2013年度 – 2014年度: 名古屋大学, グリーンモビリティ連携研究センター, 助教
2011年度 – 2013年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教
2011年度 – 2013年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助教
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分26040:構造材料および機能材料関連 / 構造・機能材料 / 中区分26:材料工学およびその関連分野 / 小区分26060:金属生産および資源生産関連 / 理工系
研究代表者以外
中区分26:材料工学およびその関連分野 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
熱伝導 / 積層欠陥 / 結晶成長 / 自然超格子 / 極限熱絶縁材料 / アンダーソン局在 / フォノン / 透過電子顕微鏡法 / ベイズ推定 / エネルギーキャリア … もっと見る / 走査透過電子顕微鏡 / 超解像 / HAADF-STEM / 軽元素 / スペクトル超解像 / 電子線分光 / 軽元素原子 / ベイズ超解像 / 深層視覚運動学習 / 自動操業 / 機械学習 / 逆強化学習 / 製造自動化 / 混合ガウスモデル / 浮遊帯域溶融法 / 自動化 / プロセスインフォマティクス / ガウス混合モデル(GMM) / 強化学習 / 浮遊帯域溶融法(FZ法) / 単結晶育成 / 結晶構造 / 酸化物 / コヒーレント界面 / 格子振動 / シアー構造 / 構造物性 / 面欠陥 / 酸化チタン / 結晶学的せん断構造 / マルチモルフィズム / 原子構造制御 / ピコスケール / 時間分解フォトルミネッセンス / その場観察 / X線トポグラフィ / キャリアライフタイム / 炭化ケイ素 / 紫外線照射 / キャリア再結合 / 再結合 / パワーデバイス / SiC / 低次元電気伝導 / 部分転位分解 / 量子細線 / 量子井戸 / 熱電変換材料 / シリコンカーバイト / 熱電変換 / 量子井戸構造 / 格子欠陥 / パワーデバイス半導体 / ステップバンチング / X線トポグラフィー / ステップフロー成長 / 転位 / 溶液成長法 … もっと見る
研究代表者以外
結晶成長 / SiC / シミュレーション / 機械学習 / 結晶欠陥 / マルチフィジクスシミュレーション / アモルファス / 熱デバイス / 熱物性 / 熱伝導率変化 / 熱制御 / 熱伝導 / インターカレーション / 最適化 / プロセスインフォマティクス / ドーピング / 溶液成長 / SiC / 転位 / シリコンカーバイド 隠す
  • 研究課題

    (13件)
  • 研究成果

    (139件)
  • 共同研究者

    (11人)
  •  熱フォノンのアンダーソン局在を利用した極限熱絶縁材料の設計研究代表者

    • 研究代表者
      原田 俊太
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分26040:構造材料および機能材料関連
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  潜在空間における複雑な結晶成長モデルの構築とプロセス設計

    • 研究代表者
      宇治原 徹
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分30:応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  深層視覚運動学習による単結晶育成自動化の方法論の確立とその実証研究代表者

    • 研究代表者
      原田 俊太
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分26060:金属生産および資源生産関連
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  ベイズ超解像を用いた走査透過電子顕微鏡法による軽元素原子の可視化研究代表者

    • 研究代表者
      原田 俊太
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2022
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 審査区分
      中区分26:材料工学およびその関連分野
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  インターカレーションによる熱物性変化を活用した熱スイッチ素子の提案

    • 研究代表者
      宇治原 徹
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2021
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 審査区分
      中区分26:材料工学およびその関連分野
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  酸化物のマルチモルフィズムと特異な構造物性の材料科学研究代表者

    • 研究代表者
      原田 俊太
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分26040:構造材料および機能材料関連
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  結晶成長インフォマティクスの方法論の構築

    • 研究代表者
      宇治原 徹
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分26:材料工学およびその関連分野
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  バルクSiC結晶中の積層欠陥のアクティブ制御研究代表者

    • 研究代表者
      原田 俊太
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2018
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  高品質化の鍵となるSiC貫通転位変換過程のその場観察

    • 研究代表者
      宇治原 徹
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  高品質・低抵抗SiC結晶の実現

    • 研究代表者
      亀井 一人
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  SiC積層欠陥制御によるバルク量子井戸熱電半導体の実現研究代表者

    • 研究代表者
      原田 俊太
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      構造・機能材料
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  無転位SiC結晶の実現

    • 研究代表者
      宇治原 徹
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  溶液成長法によるSiC結晶の欠陥自己修復メカニズムの解明研究代表者

    • 研究代表者
      原田 俊太
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2012
    • 研究種目
      研究活動スタート支援
    • 研究分野
      構造・機能材料
    • 研究機関
      名古屋大学

すべて 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Data-driven automated control algorithm for floating-zone crystal growth derived by reinforcement learning2023

    • 著者名/発表者名
      Tosa Yusuke、Omae Ryo、Matsumoto Ryohei、Sumitani Shogo、Harada Shunta
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 13 号: 1 ページ: 7517-7517

    • DOI

      10.1038/s41598-023-34732-5

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01681
  • [雑誌論文] 品質管理へのAI活用の現状と展望2022

    • 著者名/発表者名
      炭谷 翔悟, 西田 陽良, 原田 俊太
    • 雑誌名

      システム/制御/情報

      巻: 66 号: 5 ページ: 161-166

    • DOI

      10.11509/isciesci.66.5_161

    • ISSN
      0916-1600, 2424-1806
    • 年月日
      2022-05-15
    • 言語
      日本語
    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01681
  • [雑誌論文] Prediction of operating dynamics in floating-zone crystal growth using Gaussian mixture model2022

    • 著者名/発表者名
      R. Omae, S. Sumitani, Y. Tosa, S. Harada
    • 雑誌名

      Science and Technology of Advanced Materials: Methods

      巻: 2 号: 1 ページ: 294-301

    • DOI

      10.1080/27660400.2022.2107884

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01681
  • [雑誌論文] Geometrical design of a crystal growth system guided by a machine learning algorithm2021

    • 著者名/発表者名
      Yu Wancheng、Zhu Can、Tsunooka Yosuke、Huang Wei、Dang Yifan、Kutsukake Kentaro、Harada Shunta、Tagawa Miho、Ujihara Toru
    • 雑誌名

      CrystEngComm

      巻: 23 号: 14 ページ: 2695-2702

    • DOI

      10.1039/d1ce00106j

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03839
  • [雑誌論文] Adaptive process control for crystal growth using machine learning for high-speed prediction: application to SiC solution growth2021

    • 著者名/発表者名
      Dang Yifan、Zhu Can、Ikumi Motoki、Takaishi Masaki、Yu Wancheng、Huang Wei、Liu Xinbo、Kutsukake Kentaro、Harada Shunta、Tagawa Miho、Ujihara Toru
    • 雑誌名

      CrystEngComm

      巻: 23 号: 9 ページ: 1982-1990

    • DOI

      10.1039/d0ce01824d

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03839
  • [雑誌論文] Ordered Arrangement of Planar Faults with Pico-Scale Perfection in Titanium Oxide Natural Superlattice2021

    • 著者名/発表者名
      Shunta Harada, Naoki Kosaka, Miho Tagawa, Toru Ujihara
    • 雑誌名

      The Journal of Physical Chemistry C

      巻: - 号: 20 ページ: 11175-11181

    • DOI

      10.1021/acs.jpcc.1c01831

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01733
  • [雑誌論文] Application of C-face dislocation conversion to 2 inch SiC crystal growth on an off-axis seed crystal2019

    • 著者名/発表者名
      Liu Xinbo、Zhu Can、Harada Shunta、Tagawa Miho、Ujihara Toru
    • 雑誌名

      CrystEngComm

      巻: 21 号: 47 ページ: 7260-7265

    • DOI

      10.1039/c9ce01338e

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03839
  • [雑誌論文] Direct observation of stacking fault shrinkage in 4H-SiC at high temperatures by in-situ X-ray topography using monochromatic synchrotron radiation2018

    • 著者名/発表者名
      Fujie Fumihiro、Harada Shunta、Koizumi Haruhiko、Murayama Kenta、Hanada Kenji、Tagawa Miho、Ujihara Toru
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 113 号: 1 ページ: 012101-012101

    • DOI

      10.1063/1.5038189

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05331
  • [雑誌論文] Conversion behavior of threading screw dislocations on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth2016

    • 著者名/発表者名
      S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, M. Tagawa, T. Ujihara
    • 雑誌名

      Cryst. Growth Des

      巻: 16 号: 11 ページ: 6436-6439

    • DOI

      10.1021/acs.cgd.6b01107

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26246019
  • [雑誌論文] Polytype control by activity ratio of silicon to carbon during SiC solution growth using multicomponent solvents2016

    • 著者名/発表者名
      A. Horio, S. Harada, D. Koike, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 55 号: 1S ページ: 01AC01-01AC01

    • DOI

      10.7567/jjap.55.01ac01

    • NAID

      210000145949

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249034
  • [雑誌論文] Characterization of V-shaped defects formed during the 4H-SiC solution growth by transmission electron microscopy and X-ray topography analysis2016

    • 著者名/発表者名
      S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, T. Ujihara
    • 雑誌名

      Cryst. Growth Des

      巻: 16 号: 9 ページ: 5136-5140

    • DOI

      10.1021/acs.cgd.6b00711

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26246019
  • [雑誌論文] Spatial Distribution of Carrier Concentration in 4H-SiC Crystal Grown by Solution Method2016

    • 著者名/発表者名
      Z. Wang, T. Kawaguchi, K. Murayama, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Kato, T. Ujihara
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 858 ページ: 57-60

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249034
  • [雑誌論文] Dislocation Conversion during SiC Solution Growth for High-quality Crystals2015

    • 著者名/発表者名
      Shunta Harada, Yuji Yamamoto, Shiyu Xiao, Daiki Koike, Takuya Mutoh, Kenta Murayama, Kenta Aoyagi, Takenobu Sakai, Miho Tagawa and Toru Ujihara
    • 雑誌名

      Materials Forum

      巻: N/A

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [雑誌論文] Nitrogen doping of 4H-SiC by top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent2014

    • 著者名/発表者名
      K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada and Toru Ujihara
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 392 ページ: 60-65

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2014.01.044

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249034
  • [雑誌論文] Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion Behavior during Solution Growth of 4HSiC Using Al-Si Solvent2014

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, Y.Yamamoto, S.Y.Xiao, M.Tagawa, T.Ujihara
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 778-780 ページ: 67-70

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.67

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004, KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [雑誌論文] Different behavior of threading edge dislocation conversion during the solution growth of 4H–SiC depending on the Burgers vector2014

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, M. Tagawa, T. Ujihara
    • 雑誌名

      Acta Materialia

      巻: 81 ページ: 284-290

    • DOI

      10.1016/j.actamat.2014.08.027

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [雑誌論文] "Reduction of Threading Screw Dislocation Utilizing Defect Conversion during Solution Growth of 4H-SiC"2013

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, T. Ujihara
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 740-742 ページ: 189-192

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [雑誌論文] Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC2013

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, M.Tagawa, T.Ujihara
    • 雑誌名

      APL Mater.

      巻: 1(2) 号: 2 ページ: 22109-22109

    • DOI

      10.1063/1.4818357

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004, KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [雑誌論文] Reduction of Threading Screw Dislocation Utilizing Defect Conversion during Solution Growth of 4HSiC2013

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, T.Ujihara
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 740-742 ページ: 189-192

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.189

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004, KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [雑誌論文] "Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth"2012

    • 著者名/発表者名
      T. Ujihara, S. Kozawa, K. Seki, Alexander, Y. Yamamoto, S. Harada
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 717-720 ページ: 351-354

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [雑誌論文] Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamamoto, K.Seki, S.Kozawa, Alexander, S.Harada, T.Ujihara
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 717-720 ページ: 53-56

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.53

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [雑誌論文] Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation during SiC Solution Growth2012

    • 著者名/発表者名
      T.Ujihara, S.Kozawa, K.Seki, Alexander, Y.Yamamoto, S.Harada
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 717-720 ページ: 351-354

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.351

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [雑誌論文] "Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth"2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, K. Seki, S. Kozawa, Alexander, S. Harada, T. Ujihara
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 717-720 ページ: 53-56

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [雑誌論文] High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamamoto, S.Harada, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 5 号: 11 ページ: 115501-115501

    • DOI

      10.1143/apex.5.115501

    • NAID

      10031126459

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [雑誌論文] "High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth"2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, S. Harada, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, and T. Ujihara
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 5

    • NAID

      10031126459

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [雑誌論文] Polytype Transformation by Replication of Stacking Faults Formed by Two-Dimensional Nucleation on Spiral Steps during Sic Solution Growth2012

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, K. Seki, Y. Yamamoto, C. Zhu, Y. Yamamoto, S. Arai, J. Yamasaki, N. Tanaka and T. Ujihara
    • 雑誌名

      Crystal Growth & Design

      巻: 12 号: 6 ページ: 3209-3214

    • DOI

      10.1021/cg300360h

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011, KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [雑誌論文] "Polytype Transformation by Replication of Stacking Faults Formed by Two-Dimensional Nucleation on Spiral Steps during SiC Solution Growth"2012

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto, C. Zhu, Y. Yamamoto, S. Arai, J. Yamasaki, N. Tanaka, and T. Ujihara
    • 雑誌名

      Crystal Growth & Design

      巻: 12, (6) ページ: 3209-3214

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [産業財産権] 結晶成長条件の決定方法2018

    • 発明者名
      朱燦, 遠藤友樹, 原田俊太, 宇治原徹
    • 権利者名
      朱燦, 遠藤友樹, 原田俊太, 宇治原徹
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2018
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03839
  • [学会発表] ベイズ超解像を用いたX線光電子分光測定の高速化2023

    • 著者名/発表者名
      原田 俊太, 辻森 皓太, 野本 豊和, 伊藤 孝寛
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K18819
  • [学会発表] ベイズ超解像によるX線光電子スペクトルの高速取得2023

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 辻森皓太, 野本豊和, 伊藤孝寛
    • 学会等名
      第59回表面分析研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K18819
  • [学会発表] Data-Driven Automated Control Algorithm for Floating-Zone Crystal Growth Using Reinforcement Learning2023

    • 著者名/発表者名
      Shunta Harada, Yusuke Tosa, Ryo Omae, Ryohei Matsumoto, Shogo Sumitani
    • 学会等名
      ICCGE-20
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01681
  • [学会発表] 製造プロセスの制御への強化学習の応用ー浮遊帯域溶融法による結晶成長を例に2023

    • 著者名/発表者名
      原田俊太
    • 学会等名
      半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01681
  • [学会発表] Data-Driven Modeling and Adaptive Optimization of Floating Zone Crystal Growth Process Applying Gaussian Mixture Model and Reinforcement Learning2023

    • 著者名/発表者名
      Shunta Harada, Yusuke Tosa, Ryo Omae, Ryohei Matsumoto, Shogo Sumitani
    • 学会等名
      2023 MRS Spring Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01681
  • [学会発表] Application of Baysian super-resolution to spectroscopic data for precise characterizaion2023

    • 著者名/発表者名
      Shunta Harada
    • 学会等名
      Pittcon 2023
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K18819
  • [学会発表] 混合ガウスモデルと強化学習による浮遊帯域溶融法による結晶育成自動化の検討2022

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 土佐祐介, 大前遼, 松本遼平, 炭谷翔悟
    • 学会等名
      第51回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01681
  • [学会発表] ベイズ超解像による分光分析の高精度化2022

    • 著者名/発表者名
      原田俊太
    • 学会等名
      応用物理学会 インフォマティクス応用研究会 第4回研究会「計測インフォマティクス」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K18819
  • [学会発表] 強化学習を用いた浮遊帯域溶融法による結晶成長の自動制御モデルの構築2022

    • 著者名/発表者名
      土佐 祐介, 炭谷 翔悟, 大前 遼, 原田 俊太
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01681
  • [学会発表] ベイズ超解像による分光分析の高精度化と応用展開2022

    • 著者名/発表者名
      原田俊太
    • 学会等名
      顕微鏡計測インフォマティックス研究部会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K18819
  • [学会発表] ベイズ超解像によるラマン散乱スペクトルの高精度化2022

    • 著者名/発表者名
      長坂 野乃子, 辻森 皓太, 原田 俊太, 廣谷 潤
    • 学会等名
      第59回炭素材料夏季セミナー
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K18819
  • [学会発表] 面欠陥周期配列を含む自然超格子酸化チタンの構造制御と熱輸送特性2021

    • 著者名/発表者名
      原田 俊太, 小坂 直輝, 杉本 峻也, 八木 貴志, 田川 美穂, 宇治原 徹
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01733
  • [学会発表] 混合ガウスモデルを用いた浮遊帯域溶融法における融液状態のダイナミクス推定2021

    • 著者名/発表者名
      大前 遼, 炭谷 翔悟, 土佐 祐介, 原田 俊太
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H01681
  • [学会発表] 面欠陥周期配列を含むCr添加酸化チタン多結晶の熱伝導率の温度依存性2021

    • 著者名/発表者名
      杉本 峻也, 金 柯怜, 竹内 恒博, 田川 美穂, 宇治原 徹, 原田 俊太
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01733
  • [学会発表] Cr添加酸化チタン結晶における面欠陥周期構造の制御2020

    • 著者名/発表者名
      杉本峻也, 田川美穂, 宇治原徹, 原田俊太
    • 学会等名
      第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01733
  • [学会発表] Threading Screw Dislocations Conversion and Suppression of Inclusions in 3-inch 4° off-axis C-face 4H-SiC Solution Growth with Pure Si2019

    • 著者名/発表者名
      TAKAMA UNNO, CAN ZHU, SHUNTA HARADA, HARUHIKO KOIZUMI, MIHO TAGAWA, TORU UJIHARA
    • 学会等名
      the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03839
  • [学会発表] The control of conduction type in high quality bulk solution growth of SiC2019

    • 著者名/発表者名
      Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
    • 学会等名
      the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03839
  • [学会発表] Threading Screw Dislocations Conversion and Suppression of Inclusions in 3-inch 4° off-axis C-face 4H-SiC Solution Growth with Pure Si2019

    • 著者名/発表者名
      TAKAMA UNNO, CAN ZHU, SHUNTA HARADA, HARUHIKO KOIZUMI, MIHO TAGAWA, TORU UJIHARA
    • 学会等名
      ICSCRM2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03839
  • [学会発表] SiC 溶液成長過程における転位変換現象を利用した高品質結晶成長2019

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 朱燦, 遠藤友樹, 小泉晴比古, 鳴海大翔, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      日本金属学会 2019年春期講演大会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05331
  • [学会発表] The control of conduction type in high quality bulk solution growth of SiC2019

    • 著者名/発表者名
      Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
    • 学会等名
      ICSCRM2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03839
  • [学会発表] PREDICTION MODEL OF COMPUTATIONAL FLUID DYNAMICS BASED ON NEURAL NETWORK CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING AND PROCESS OPTIMIZATION OF SIC SOLUTION GROWTH2019

    • 著者名/発表者名
      T. Ujihara, Y. Tsunooka, H. Lin, C. Zhu, T. Narumi, K. Kutsukake, S. Harada, M. Tagawa
    • 学会等名
      the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03839
  • [学会発表] Change in thermal conductivity of amorphous WO3 films by lithium intercalation2019

    • 著者名/発表者名
      S. Harada
    • 学会等名
      International conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019), Nagoya University, Nagoya
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01733
  • [学会発表] Application of high-quality SiC solution growth to large size crystal2019

    • 著者名/発表者名
      Can Zhu, Tomoki Endo, Takama Unno, Haruhiko Koizumi, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
    • 学会等名
      ICSCRM2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03839
  • [学会発表] ESTIMATION OF HIGH-TEMPERATURE PHYSICAL PROPERTIES BY MACHINE LEARNING TOWARD ACCURATE NUMERICAL MODELING OF CRYSTAL GROWTH2019

    • 著者名/発表者名
      K. Ando, H. Lin, Y. Tsunooka, T. Narumi, C. Zhu, K. Kutsukake, S. Harada, K. Matsui, I. Takeuchi, Y. Koyama, Y. Kawajiri, M. Tagawa, T. Ujihara
    • 学会等名
      the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03839
  • [学会発表] PREDICTION MODEL OF COMPUTATIONAL FLUID DYNAMICS BASED ON NEURAL NETWORK CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING AND PROCESS OPTIMIZATION OF SIC SOLUTION GROWTH2019

    • 著者名/発表者名
      T. Ujihara, Y. Tsunooka, H. Lin, C. Zhu, T. Narumi, K. Kutsukake, S. Harada, M. Tagawa
    • 学会等名
      ICCGE-19
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03839
  • [学会発表] 高温X線トポグラフィーによるSiC積層欠陥の挙動のその場観察2018

    • 著者名/発表者名
      原田 俊太、藤榮 文博、村山 健太、宇治原 徹
    • 学会等名
      日本学術振興会 結晶成長の科学と技術 第161委員会第103回研究会「SiC単結晶技術の現状と将来」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05331
  • [学会発表] 還元熱処理により作製した Magneli 相酸化チタンの周期構 造と熱伝導特性2018

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 小坂直輝, 八木貴志, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      日本金属学会 2018 年秋期講演(第 163 回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01733
  • [学会発表] Solution Growth of High-Quality SiC Crystals for Power Devices2018

    • 著者名/発表者名
      S. Harada
    • 学会等名
      第6回日中結晶成.結晶工学討論会(日中シンポ)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05331
  • [学会発表] ルチル型TiO2単結晶への周期的な面欠陥導入に伴う熱伝導率の変化2018

    • 著者名/発表者名
      小坂直輝, 八木貴志, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹, 原田俊太
    • 学会等名
      2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01733
  • [学会発表] Thermal conduction in Magneli phase titanium oxides with an ordered arrangement of planar defects2018

    • 著者名/発表者名
      S. Harada
    • 学会等名
      第30回 相変化研究会シンポジウム(PCOS2018)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01733
  • [学会発表] Change in thermal conductivity of rutile-type TiO2 by introducing periodic planar faults2018

    • 著者名/発表者名
      N. Kosaka, T. Yagi, K. Tanaka, H. Inui, M. Tagawa, T. Ujihara, S. Harada
    • 学会等名
      Nanoscale and Microscale Heat Transfer 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01733
  • [学会発表] 4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性2017

    • 著者名/発表者名
      片平 真哉, 市川 義人, 原田 俊太, 木本 恒暢, 加藤 正史
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05331
  • [学会発表] Decay time of photoluminescence from single Schockley stacking faults in n-type 4H-SiC2017

    • 著者名/発表者名
      Masashi Kato, Shinya Katahira, Yoshihito Ichikawa, Shunta Harada
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability ICMaSS2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05331
  • [学会発表] Decay Time of Photoluminescence from 1SSFs and PDs in 4H- SiC2017

    • 著者名/発表者名
      Masashi Kato, Shinya Katahira, Yoshihito Ichikawa, Shunta Harada, Tsunenobu Kimoto
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05331
  • [学会発表] 放射光X線トポグラフィーによる半導体結晶の欠陥評価2017

    • 著者名/発表者名
      原田俊太
    • 学会等名
      基盤産業支援セミナー「結晶の分析・評価~シンクロトロン光によって見えるもの~」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05331
  • [学会発表] The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth2016

    • 著者名/発表者名
      S. Y. Xiao, S. Harada, P. L. Chen, K. Murayama, T.Ujihara
    • 学会等名
      the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26246019
  • [学会発表] 透過電子顕微鏡による窒素添加 SiC 積層欠陥の高温その場観察2016

    • 著者名/発表者名
      陳 鵬磊, 原田 俊太, 荒井 重勇, 藤榮 文博, 肖 世玉, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第3回講演会
    • 発表場所
      つくば国際会議場
    • 年月日
      2016-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249034
  • [学会発表] 窒素添加した 4H-SiC における積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察2016

    • 著者名/発表者名
      藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳 鵬磊, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹,
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第3回講演会
    • 発表場所
      つくば国際会議場
    • 年月日
      2016-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249034
  • [学会発表] Control of Macrostep Structure for High-Quality SiC Grown by Liquid Phase Epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      T. Ujihara, C. Zhu, K. Murayama, S. Harada, M.Tagawa
    • 学会等名
      the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26246019
  • [学会発表] SiC溶液成長における貫通転位変換と成長表面のマクロステップの関係2015

    • 著者名/発表者名
      原田 俊太, 肖 世玉, 青柳 健大, 村山 健太, 酒井 武信, 田川 美穂, 宇治原 徹
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学 湘南キャンパス、神奈川県
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] SiC溶液成長における転位伝播挙動と高品質化2015

    • 著者名/発表者名
      原田俊太
    • 学会等名
      第2回グリーンエネルギー材料のマルチスケール創製研究会
    • 発表場所
      松江市
    • 年月日
      2015-01-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] シンクロトロン X 線トポグラフィによる溶液成長 SiC 結晶の欠陥評価と高品質化2015

    • 著者名/発表者名
      原田俊太
    • 学会等名
      第4回名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム
    • 発表場所
      名古屋大学 坂田平田ホール、愛知県
    • 年月日
      2015-01-22
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] Structure of basal plane defects formed by the conversion of threading screw dislocation during solution growth of SiC2014

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, S.Y. Xiao, M. Tagawa, Y. Yamamoto, S. Arai, N. Tanaka, T. Ujihara
    • 学会等名
      SSDM2014
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center, Ibaraki, Japan
    • 年月日
      2014-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] 高品質4H-SiC溶液成長における多形変化抑制メカニズム2014

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 山本祐治, 村山健太, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス, 北海道
    • 年月日
      2014-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] Efficient Process for Ultrahigh Quality 4H-SiC Crystal Utilizing Solution Growth on Off-axis Seed Crystal2014

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara
    • 学会等名
      2012 MRS Spring Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      California, USA
    • 年月日
      2014-04-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] Correlation between Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion in Solution Growth of SiC2014

    • 著者名/発表者名
      S. Harada S.Y. Xiao, N. Hara, D. Koike, T. Mutoh, M. Tagawa, T. Ujihara
    • 学会等名
      SSDM2014
    • 発表場所
      Fukuoka University, Fukuoka, Japan
    • 年月日
      2014-08-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal2014

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, N. Hara, D. Koike, T. Mutoh, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara
    • 学会等名
      10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014)
    • 発表場所
      The congress center of the World Trade Center, Grenoble, France
    • 年月日
      2014-09-23
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の弾性論的考察2014

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 肖世玉, 村山健太, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館, 東京都
    • 年月日
      2014-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の成長表面との相互作用による考察2014

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 肖世玉, 村山健太, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第1回講演会
    • 発表場所
      ウインクあいち、愛知県
    • 年月日
      2014-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] Defect evolution in high-qualit 4H-SiC grown by solution method2014

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara
    • 学会等名
      IUCr 2014
    • 発表場所
      The Palais des congres de Montreal, Montreal, Quebec, Canada
    • 年月日
      2014-08-11
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method utilizing the conversion from threading dislocations to basal plane defects2013

    • 著者名/発表者名
      T.Ujihara, Y.Yamamoto, S.Harada, S.Xiao, K.Seki
    • 学会等名
      ICCGE-17
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 年月日
      2013-08-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] 4H-SiC 溶液成長における成長表面のステップ構造と貫通転位変換挙動の相関2013

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 山本祐治, 肖世玉, 堀尾篤史, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      SiC 及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      埼玉会館
    • 年月日
      2013-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] “SiC溶液成長過程における基底面転位の形成”2013

    • 著者名/発表者名
      肖 世玉,原田俊太,宇治原徹
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      埼玉会館,埼玉県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] "Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method utilizing the conversion from threading dislocations to basal plane defects"2013

    • 著者名/発表者名
      T. Ujihara, Y. Yamamoto, S. Harada, S. Xiao, K. Seki
    • 学会等名
      17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-17)
    • 発表場所
      University of Warsaw, Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] 4H-SiC溶液成長における成長表面のステップ構造と貫通転位変換挙動の相関2013

    • 著者名/発表者名
      原田俊太、山本祐治、肖世玉、堀尾篤史、田川美穂、宇治原徹
    • 学会等名
      第22回SiC講演会
    • 発表場所
      埼玉会館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] Control of dislocation conversion during solution growth by changing surface step structure2013

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, Y.Yamamoto, S. Xiao, A. Horio, M.Tagawa, T.Ujihara
    • 学会等名
      ICSCRM 2013
    • 発表場所
      Phoenix Seagia Resort, Miyazaki
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] SiC溶液成長における欠陥変換挙動と高品質結晶成長2013

    • 著者名/発表者名
      原田俊太
    • 学会等名
      表面技術協会 関東支部・第86回講演会「ひらめき・未来材料~進化する選択的物質貯蔵・輸送・分離・変換材料~
    • 発表場所
      信州大学
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] "Control of Dislocation Conversion during Solution Growth by Changing Surface Step Structure"2013

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, A. Horio, M. Tagawa, T. Ujihara
    • 学会等名
      the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
    • 発表場所
      Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] “4H-SiC溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する欠陥の微細構造”2013

    • 著者名/発表者名
      原田俊太,國松亮太,田川美穂,山本悠太,荒井重勇,田中信夫,宇治原徹
    • 学会等名
      公益社団法人応用物理学会 2012年春季 第60回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学, 神奈川県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] 4H-SiC 溶液成長過程における貫通転位変換挙動と成長表面モフォロジーの相関2013

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 山本祐治, 肖世玉, 堀尾篤史, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      長野市生涯学習センター
    • 年月日
      2013-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] 溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する基底面欠陥の微細構造2013

    • 著者名/発表者名
      原田俊太
    • 学会等名
      2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2013-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] "Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at a High Speed during the Solution Growth of SiC"2013

    • 著者名/発表者名
      T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara
    • 学会等名
      the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
    • 発表場所
      Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at a High Speed during the Solution Growth of SiC2013

    • 著者名/発表者名
      T.Umezaki, D.Koike, S.Harada, T.Ujihara
    • 学会等名
      ICSCRM2013
    • 発表場所
      Miyazaki, Japan
    • 年月日
      2013-09-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] “高品質SiC溶液成長”2013

    • 著者名/発表者名
      宇治原徹, 原田俊太
    • 学会等名
      一般社団法人資源・素材学会 平成25年度春季大会
    • 発表場所
      千葉工業大学津田沼キャンパス, 千葉県
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] Structure of basal plane defects formed by threading screw dislocation conversion during high quality SiC solution growth2013

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, R.Kunimatsu, S. Xiao, Y.Yamamoto, M.Tagawa, Y.Yamamoto, S.Arai, N.Tanaka, T.Ujihara
    • 学会等名
      ISETS '13
    • 発表場所
      Nagoya University
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] “SiC溶液成長過程における基底面転位の形成”2013

    • 著者名/発表者名
      肖世玉,朱燦,原田俊太,宇治原徹
    • 学会等名
      2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] Control of Dislocation Conversion during Solution Growth by Changing Surface Step Structure2013

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, Y.Yamamoto, S.Xiao, A.Horio, M.Tagawa, T.Ujihara
    • 学会等名
      ICSCRM2013
    • 発表場所
      Miyazaki, Japan
    • 年月日
      2013-09-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] 4H-SiC溶液成長過程における貫通転位変換挙動と成長表面モフォロジーの相関2013

    • 著者名/発表者名
      原田俊太,山本祐治,肖世玉,堀尾篤史、田川美穂,宇治原徹
    • 学会等名
      第43回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      長野市生涯学習センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC2013

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, M.Tagawa, T.Ujihara
    • 学会等名
      ICCGE-17
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 年月日
      2013-08-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] 4H-SiC 溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する欠陥の微細構造2013

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 國松亮太, 田川美穂, 山本悠太, 荒井重勇, 田中信夫, 宇治原徹
    • 学会等名
      応用物理学会 2012年春季 第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2013-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] “4H-SiC溶液成長過程における貫通転位変換挙動と成長表面モフォロジーの相関”2013

    • 著者名/発表者名
      原田俊太,山本祐治,肖世玉,堀尾篤史, 田川美穂,宇治原徹
    • 学会等名
      日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43)
    • 発表場所
      長野市生涯学習センター (TOiGO内), 長野県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] “4H-SiC溶液成長における成長表面のステップ構造と貫通転位変換挙動の相関”2013

    • 著者名/発表者名
      原田俊太,山本祐治,肖世玉,堀尾篤史,田川美穂,宇治原徹
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      埼玉会館,埼玉県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] "Structure of basal plane defects formed by threading screw dislocation conversion during high quality SiC solution growth"2013

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, R.Kunimatsu, Xiao Shiyu, Y.Yamamoto, M.Tagawa, Y.Yamamoto, S.Arai, N.Tanaka, T.Ujihara
    • 学会等名
      ISETS '13
    • 発表場所
      Nagoya University, Nagoya
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] SiC 溶液成長過程における基底面転位の形成2013

    • 著者名/発表者名
      肖世玉, 原田俊太, 宇治原徹
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      埼玉会館
    • 年月日
      2013-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] "Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC"2013

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, M. Tagawa, T. Ujihara
    • 学会等名
      17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)
    • 発表場所
      University of Warsaw, Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] “SiC溶液成長過程における貫通転位変換と成長表面のステップ構造”2013

    • 著者名/発表者名
      原田俊太,山本祐治,肖世玉,堀尾篤史,田川美穂,宇治原徹
    • 学会等名
      2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] 高品質SiC 溶液成長2013

    • 著者名/発表者名
      宇治原徹, 原田俊太
    • 学会等名
      資源・素材学会 平成25年度春季大会
    • 発表場所
      千葉工業大学
    • 年月日
      2013-03-30
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] SiC 溶液成長過程における貫通転位変換と成長表面のステップ構造2013

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 山本祐治, 肖世玉, 堀尾篤史, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 年月日
      2013-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] Evolution of threading screw dislocation conversion during solution growth of 4H-SiC2013

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, Y.Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, M.Tagawa, T.Ujihara
    • 学会等名
      ICCGE-17
    • 発表場所
      Warsaw university
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] Structure of basal plane defects formed by threading screw dislocation conversion during high quality SiC solution growth2013

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, R.Kunimatsu, Xiao Shiyu, Y.Yamamoto, M.Tagawa, Y.Yamamoto, S.Arai, N.Tanaka, T.Ujihara
    • 学会等名
      ISETS '13
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2013-12-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] SiC溶液成長過程における基底面転位の形成2013

    • 著者名/発表者名
      肖世玉, 朱燦, 原田俊太, 宇治原徹
    • 学会等名
      2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 年月日
      2013-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] "Evolution of Threading Edge Dislocation During Solution Growth of SiC"2012

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, and T. Ujihara
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
    • 発表場所
      Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] 透過電子顕微鏡法によるSiC溶液成長における欠陥挙動解析2012

    • 著者名/発表者名
      原田俊太
    • 学会等名
      SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第21回講演会
    • 発表場所
      大阪市中央公会堂
    • 年月日
      2012-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] “Si-C-X溶媒を用いたSiC溶液成長における結晶化多形の熱力学的考察”2012

    • 著者名/発表者名
      堀尾篤史, 原田俊太,宇治原徹
    • 学会等名
      SiC及び関連ワイド ギャップ半導体研究会 第21回講演会
    • 発表場所
      大阪市中央公会堂, 大阪府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] Efficient process for ultrahigh quality 4H-SiC crystal utilizing solution growth on off-axis seed crystal2012

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara
    • 学会等名
      Materials research society 2012 spring meeting
    • 発表場所
      San Francisco (USA)
    • 年月日
      2012-04-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23860025
  • [学会発表] Evolution of Threading Edge Dislocation During Solution Growth of SiC2012

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara
    • 学会等名
      SSDM2012
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2012-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] Reduction of threading screw dislocation density utilizing defect conversion during solution growth of 4H-SiC2012

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, T.Ujihara
    • 学会等名
      ECSCRM-2012
    • 発表場所
      Saint-Petersburg, Russia
    • 年月日
      2012-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] “4H-SiC溶液成長における貫通刃状転位の選択的変換”2012

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 山本祐治, 関 和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹
    • 学会等名
      公益社団法人 応用物理学会 2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      愛媛大学城北地区, 愛媛県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] 一方向の溶液流れ下におけるSiC のステップバンチングの挙動2012

    • 著者名/発表者名
      朱燦, 原田俊太, 関和明, 新家寛正, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      第42回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      九州大学
    • 年月日
      2012-11-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] Direct Observation of Defect Evolution during Solution Growth of SiC by Synchrotron X-ray Topography2012

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara
    • 学会等名
      IUMRS-ICEM2012
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2012-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] 溶液法による高品質SiC 結晶成長メカニズム2012

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 山本祐治, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      第42回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      九州大学
    • 年月日
      2012-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] 溶液法による超高品質SiC 結晶成長2012

    • 著者名/発表者名
      宇治原徹, 原田俊太, 山本祐治, 関和明
    • 学会等名
      日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2012-09-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] Si-C-X溶媒を用いたSiC 溶液成長における結晶化多形の熱力学的考察2012

    • 著者名/発表者名
      堀尾篤史, 原田俊太, 宇治原徹
    • 学会等名
      SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会
    • 発表場所
      大阪市中央公会堂
    • 年月日
      2012-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal : conversion of threading edge dislocations by solution growth2012

    • 著者名/発表者名
      原田俊太
    • 学会等名
      ECSCRM 2012
    • 発表場所
      Russia, Saint-Peterburg
    • 年月日
      2012-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] "Effect of surface polarity on the conversion of threading dislocations in solution growth"2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, S. Harada, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara
    • 学会等名
      The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012)
    • 発表場所
      Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] “一方向の溶液流れ下におけるSiCのステップバンチングの挙動”2012

    • 著者名/発表者名
      朱燦, 原田俊太, 関和明, 新家寛正, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      第42回結晶成長国内会議 (NCCG-42)
    • 発表場所
      九州大学, 福岡県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] SiC溶液成長における貫通らせん転位低減の促進2012

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 山本祐治, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23860025
  • [学会発表] SiC溶液成長における窒素ドープによる積層欠陥の形成2012

    • 著者名/発表者名
      原田俊太
    • 学会等名
      第42回日本結晶成長学会 NCCG-42
    • 発表場所
      九州大学
    • 年月日
      2012-11-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] "Efficient Process for Ultrahigh Quality 4H-SiC Crystal Utilizing Solution Growth on Off-axis Seed Crystal"2012

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara
    • 学会等名
      2012 MRS Spring Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Moscone West Convention Center Martiott Marquis San Francisco, California, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal : conversion of threading edge dislocations by solution growth2012

    • 著者名/発表者名
      S.Harada, Y.Yamamoto, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, C.Zhu, M.Tagawa, T.Ujihara
    • 学会等名
      ECSCRM-2012
    • 発表場所
      Saint-Petersburg, Russia
    • 年月日
      2012-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] 4H-SiC 溶液成長における貫通刃状転位の選択的変換2012

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 山本祐治, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹
    • 学会等名
      応用物理学会 2012年秋季 第73回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • 年月日
      2012-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] "Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal: conversion of threading edge dislocations by solution growth"2012

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, C. Zhu, M. Tagawa, T. Ujihara
    • 学会等名
      The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012)
    • 発表場所
      Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] “溶液法による高品質SiC結晶成長メカニズム”2012

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 山本祐治, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      第42回結晶成長国内会議 (NCCG-42)
    • 発表場所
      九州大学, 福岡県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] "Reduction of threading screw dislocation density utilizing defect conversion during solution growth of 4H-SiC"2012

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, T. Ujihara
    • 学会等名
      The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012)
    • 発表場所
      Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] “溶液法による超高品質SiC結晶成長”2012

    • 著者名/発表者名
      宇治原徹, 原田俊太,山本祐治, 関 和明
    • 学会等名
      公益社団法人日本セラミックス協 会 第25回秋季シンポジウム
    • 発表場所
      名古屋大学, 愛知県
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] 溶液成長過程における貫通転位変換を利用した高品質4H-SiC の実現2012

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 山本祐治, 関和明, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会
    • 発表場所
      大阪市中央公会堂
    • 年月日
      2012-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] Direct Observation of Defect Evolution during Solution Growth of SiC by Synchrotron X-ray Topography2012

    • 著者名/発表者名
      原田俊太
    • 学会等名
      IUMRS-ICEM 2012
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2012-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24686078
  • [学会発表] “溶液成長過程における貫通転位変換を利用した高品質4H-SiCの実現”2012

    • 著者名/発表者名
      原田俊太, 山本祐治, 関和明, 田川美穂, 宇治原徹
    • 学会等名
      SiC及び関連ワイド ギャップ半導体研究会 第21回講演会
    • 発表場所
      大阪市中央公会堂, 大阪府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] "Direct Observation of Defect Evolution during Solution Growth of SiC by Synchrotron X-ray Topography"2012

    • 著者名/発表者名
      S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, and T. Ujihara
    • 学会等名
      International Union of Materials Research Societies International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
    • 発表場所
      PACIFICO YOKOHAMA, Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] Effect of surface polarity on the conversion of threading dislocations in solution growth2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamamoto, S.Harada, K.Seki, A.Horio, T.Mitsuhashi, T.Ujihara
    • 学会等名
      ECSCRM-2012
    • 発表場所
      Saint-Petersburg, Russia
    • 年月日
      2012-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246004
  • [学会発表] N-Type Doping of 4H-SiC by the Top-Seeded Solution Growth Technique

    • 著者名/発表者名
      K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada, and T. Ujihara
    • 学会等名
      the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
    • 発表場所
      宮崎、日本
    • 年月日
      2013-09-29 – 2013-10-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249034
  • 1.  宇治原 徹 (60312641)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 80件
  • 2.  加藤 正史 (80362317)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 3件
  • 3.  岡野 泰則 (90204007)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  佐々木 勝寛 (00211938)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  亀井 一人 (10527576)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 6.  田渕 雅夫 (90222124)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  佐藤 正英 (20306533)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  烏山 昌幸 (40628640)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  河村 貴宏 (80581511)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  沓掛 健太朗 (00463795)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  田中 信夫
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

URL: 

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi