大鉢忠 OHACHI Tadashi

研究者番号	40066270
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2008年度 – 2010年度: 同志社大学, 理工学部, 教授 1995年度 – 1996年度: 同志社大学, 工学部, 教授 1993年度: 同志社大, 工学部, 教授 1990年度 – 1992年度: 同志社大学, 工学部, 教授 1987年度: 同志社大学, 工学部, 教授 1986年度: 同志社大, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者結晶学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外固体物性
キーワード	研究代表者 CuIn_<21>S_<32> / 空孔欠陥型スピネル / thermal equilibrium Ionic-electronic Mixed Superionic Conductors / <alpha>-Ag_2s / facet transition / Roughening transition / α-【Ag_2】S / 表面自由エネルギー密度 / 平衡形 / 電子・イオン混合超イオン導電体 … もっと見る / α-Ag_2S / ファセット転移 / ラフニング転移 / defect type spinel / Solid state Crystal growth / Solid state reaction / sulfide spinel compounds / 欠陥型スピネル / 固相結晶成長 / 固相反応 / 硫化物スピネル / 界面反応エピタキシャル法 / AlN / ヘテロエピタキシャル成長 / III族窒化物 / 窒化シリコン / AM-MEE成長法 / AlNダブルバッファー層 / 原子フラックス測定 / 半導体物性 / 電子・電気材料 / エピタキシャル / PA-MBE / 結晶成長 / CuIn_5S_8 / スピネルのイオン伝導 / パルスNMR / CuIn_<11>S_<17> / AgIn_<21>S_<32> / ベクトルネットワークアナライザ / マイクロ波イオン伝導 / CuIn_7S_<11> / AgIn_7S_<11> … もっと見る研究代表者以外原子ステップ / MBE / 成長カイネティクス / 核形成 / Structure Analysis / Light Scattering / Lattice Dynamics / mixed Conductors / Lattice Vibration / Ionic Conduction / Solid Electrolytes / Superionic Conductors / 構造解析 / 光散乱 / 格子力学 / 電子・イオン混合伝導 / 格子振動 / イオン伝導 / 固体電解質 / 超イオン導電体 / ラマン分光法 / 荒れた面 / 巨大ステップ / 再蒸発 / 表面拡散 / Jacksonの理論 / 微斜面 / 過飽和度 / 表面拡散距離隠す

表面構造制御法開発による準安定立方晶III族窒化物半導体の創製と物性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  大鉢忠
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  同志社大学
空隙型スピネル構造のイオン移動経路における高速イオンのイオンダイナミクス研究代表者
- 研究代表者
  
  大鉢忠
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  同志社大学
銀銅空孔欠陥型硫化物スピネル化合物のマイクロ波領域でのイオンダイナミクス研究代表者
- 研究代表者
  
  大鉢忠
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  同志社大学
核形成・成長のカイネティクス
- 研究代表者
  
  西永頌
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
核形成と成長のカイネティクス
- 研究代表者
  
  西永頌
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
欠陥型硫化物スピネルを用いた固相反応再結晶法による単結晶成長法の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大鉢忠
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1992
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  結晶学
- 研究機関
  同志社大学
超イオン導電体の構造と動的性質
- 研究代表者
  
  石亀希男
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1991
- 研究種目
  
  総合研究(A)
- 研究分野
  
  固体物性
- 研究機関
  東北大学
電子・イオン混合超イオン導電体によるラフニング転移の実験的検証研究代表者
- 研究代表者
  
  大鉢忠
- 研究期間 (年度)
  1986 – 1987
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  結晶学
- 研究機関
  同志社大学

すべて 2011 2010 2009 2008

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Improvement of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial Growth of Group III Nitrides on Si Controlling Radio Frequency Discharge Modes and Exposure of Nitrogen Flux2011
- 著者名/発表者名
  Tadashi Ohachia, Nobuhiko Yamabea, Motoi Wada, Osamu Ariyada
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[雑誌論文] Improvement of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial Growth of Group III Nitrides on Si Controlling Radio Frequency Discharge Modes and Exposure of Nitrogen Flux2011
- 著者名/発表者名
  Tadashi Ohachia, Nobuhiko Yamabea, Motoi Wada, Osamu Ariyada
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[雑誌論文] Interface roughness of double buffer layer of GaN film grown on Si(111) substrate using GIXR analysis2011
- 著者名/発表者名
  Yuka Yamamoto, Nobuhiko Yamabe, Tadashi Ohachi
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth
  
  巻: 318 ページ: 474-478
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[雑誌論文] Control of active nitrogen species using by RF-MBE nitrides growth on Si2011
- 著者名/発表者名
  Tadashi Ohachi, Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Motoi Wada, Osamu Ariyada
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 318
  
  ページ: 468-473
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[雑誌論文] Control of active nitrogen species using by RF-MBE nitrides growth on Si2011
- 著者名/発表者名
  Tadashi Ohachi, Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Motoi Wada, Osamu Ariyad
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth
  
  巻: 318 ページ: 468-473
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[雑誌論文] Epitaxial growth of β-Si_3N_4 by the nitridation of Si with adsorbed N atoms for interface reaction epitaxy of double buffer AlN(0001)/β-Si_3N_4/Si(111)2011
- 著者名/発表者名
  Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Tadashi Ohachi
- 雑誌名
  
  Phys.stat.sol. C8
  
  ページ: 1552-1555
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[雑誌論文] Epitaxial growth of β-Si_3N_4 by the nitridation of Si with adsorbed N atoms for interface reaction epitaxy of double buffer AlN (0001)/β-Si_3N_4/Si(111)2011
- 著者名/発表者名
  Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Tadashi Ohachi
- 雑誌名
  
  Phys.stat.sol.
  
  巻: C8 ページ: 1552-1555
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[雑誌論文] Interface roughness of double buffer layer of GaN film grown on Si(111) substrate using GIXR analysis2011
- 著者名/発表者名
  Yuka Yamamoto, Nobuhiko Yamabe, Tadashi Ohachi
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 318
  
  ページ: 474-478
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[雑誌論文] in-situ measurement of adsorbed nitrogen atoms for PA-MBE growth of group III nitrides on Si2011
- 著者名/発表者名
  Tadashi Ohachi, Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Motoi Wada, Osamu Ariyad
- 雑誌名
  
  Phys.stat.sol.
  
  巻: C8 ページ: 1491-1494
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[雑誌論文] in-situ measurement of adsorbed nitrogen atoms for PA-MBE growth of group III nitrides on Si2011
- 著者名/発表者名
  Tadashi Ohachi, Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Motoi Wada, Osamu Ariyada
- 雑誌名
  
  Phys.stat.sol. C8
  
  ページ: 1491-1494
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[雑誌論文] Measurement of nitrogen atomic flux for RF-MBE growth of GaN and AlN on Si substrates2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 311
  
  ページ: 2987-2991
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[雑誌論文] Measurement of nitrogen atomic flux for RF-MBE growth of GaN and AlN on Si substrates2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi, H.Shimomura, T.Shimamura, O.Ariyada, M.Wada
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 311
  
  ページ: 2987-2991
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[産業財産権] 原子フラックス測定装置2010
- 発明者名
  大鉢忠、和田元、有屋田修、山邊信彦
- 権利者名
  大鉢忠、和田元、有屋田修、山邊信彦
- 産業財産権番号
  2010-287599
- 出願年月日
  2010-12-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[産業財産権] 原子フラックス測定装置2010
- 発明者名
  大鉢忠、和田元、有屋田修、山邊信彦
- 権利者名
  大鉢忠、和田元、有屋田修、山邊信彦
- 産業財産権番号
  2010-152658
- 出願年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[産業財産権] シリコン基板上にSi_3N_4へテロエピタキシャルバッファ層を有する窒化シリコン基板の作製方法および装置2009
- 発明者名
  大鉢忠、和田元、有屋田修、山邊信彦
- 権利者名
  大鉢忠、和田元、有屋田修、山邊信彦
- 産業財産権番号
  2009-079062
- 出願年月日
  2009-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[産業財産権] 原子フラックス測定装置2009
- 発明者名
  大鉢忠、和田元、有屋田修
- 権利者名
  大鉢忠、和田元、有屋田修
- 公開番号
  2009-146755
- 出願年月日
  2009-07-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[産業財産権] 特許願2009
- 発明者名
  大鉢忠, 他3名
- 権利者名
  大鉢忠, 他3名
- 産業財産権番号
  2009-079602
- 出願年月日
  2009-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Crack in HVPE grown 2H-AlN films on AlN templatesprepared by PA-MBE using AM-MEE2011
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi, N.Yamabe, Y.Yamamoto, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWBNS7)
- 発表場所
  Koyasan University, Japan
- 年月日
  2011-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Crack in HVPE grown 2H-AlN films on AlN templatesprepa red by PA-MBE using AM-MEE2011
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi, N.Yamabe, Y.Yamamoto, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWBNS7)
- 発表場所
  高野山大学
- 年月日
  2011-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Parallel mesh electrode to monitor nitrogen atoms for PA-MBE2011
- 著者名/発表者名
  Tadashi Ohachi, Nobuhiko Yamabe, Motoi Wada, Osamu Ariyada
- 学会等名
  ISPlasma2011
- 発表場所
  名古屋工業大学
- 年月日
  2011-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF-MBEプラズマ窒素源の窒素原子フラックスその場計測2010
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第65回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学湘南学舎(平塚市)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Si(111)上の吸着窒素原子によるβ-Si3N4成長とAl照射による界面反応エピタキシーAlN成長2010
- 著者名/発表者名
  山邊信彦, 山本由香, 大鉢忠
- 学会等名
  第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] in-situ measurement of adsorbed nitrogen atoms for RF-MBE growth of group III nitrides on Si2010
- 著者名/発表者名
  Tadashi Ohachi, Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Motoi Wada, Osamu Ariyada
- 学会等名
  The third International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Nitridation of Si and activity modulation of nitrogen atoms for growth of group III nitrides on Si using PA-MBE2010
- 著者名/発表者名
  Tadashi Ohachi, Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Motoi Wada, Osamu Ariyada
- 学会等名
  The 14th International Summer School on Crystal Growth (ISSCG-14)
- 発表場所
  Dalian International Finance Conference Center, Dalian, China
- 年月日
  2010-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF-MBEプラズマ窒素源の窒素原子フラックスその場計測2010
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(津市)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Epitaxial growth of β-Si3N4 by the nitridation of Si by adsorbed N atoms or interface reaction epitaxy of double buffer AlN(0001)/β-Si3N4/Si(111) structure2010
- 著者名/発表者名
  Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Tadashi Ohachi
- 学会等名
  The third International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Control of active nitrogen species using by RF-MBE nitrides growth on Si2010
- 著者名/発表者名
  Tadashi Ohachi, Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Motoi Wada, Osamu Ariyada
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Groqwth( ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing International Convention Center, Beijing, China
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Control of active nitrogen species using by RF-MBE nitrides growth on Si2010
- 著者名/発表者名
  Tadashi Ohachi, Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Motoi Wada, Osamu Ariyada
- 学会等名
  The16th International Conference on Crystal Groqwth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing International Convention Center, Beijing, China
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Si(111)上の吸着窒素原子によるβ-Si3N4成長とAl照射による界面反応エピタキシーAlN成長2010
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(津市)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Nitridation of Si and activity modulation of nitrogen atoms_ for growth of group III nitrides on Si using PA-MBE2010
- 著者名/発表者名
  大鉢忠, Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Motoi Wada, Osamu Ariyada
- 学会等名
  The 14th International Summer School on Crystal Growth (ISSCG-14)
- 発表場所
  Dalian International Finance Conference Center, Dalian, China
- 年月日
  2010-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF nitrogen source for MBE growth of group III nitrides on Si and its application for AM-MEE2010
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi
- 学会等名
  Interntional Symposium of Plasma 2010
- 発表場所
  名城大学(名古屋市)
- 年月日
  2010-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF-MBE成長用2H-AlN/β-Si3N4/Si(111)の界面反応エピタキシー2010
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第65回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学湘南学舎(平塚市)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Polarity of AlN and GaN films grown by RF-MBE on double buffer AlN(0001)/β-Si3N4/Si(111)2010
- 著者名/発表者名
  Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Tadashi Ohachi
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Groqwth( ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing International Convention Center, Beijing, China
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Interface roughness of double buffer layer of GaN film grown on Si(111) substrate using GIXR analysis2010
- 著者名/発表者名
  Yuka Yamamoto, Nobuhiko Yamabe, Tadashi Ohachi
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Groqwth( ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing International Convention Center, Beijing, China
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF-MBEプラズマ窒素源の窒素原子フラックスその場計測2010
- 著者名/発表者名
  大鉢忠,山邊信彦,山本由香,和田元,有屋田修
- 学会等名
  第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] PA-MBEによるSi上へのAlN、GaN膜ヘテロエピタキシャル成長 -窒素原子源、界面反応エピタキシー、活性度変調マイグレーションエンハンストエピタキシー-2010
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  「結晶成長の数理」第5回研究会
- 発表場所
  学習院大学(招待講演)
- 年月日
  2010-12-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF-MBE法によるSi(111)基板上の組成連続変化AlGaN層を用いた六方晶GaNの活性度変調MEE成長2009
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第38回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名城大学(名古屋市)
- 年月日
  2009-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Si(111)基板上β-Si3N4へのAl照射による2H-AlN(0001)テンプレート作製とAlN表面構造2009
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第53回マテリアルズ・テーラリング研究会
- 発表場所
  加藤科学振興会軽井沢研修所
- 年月日
  2009-07-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Growth of 2H-AlN films on Si(111)grown by RF-MBE using an interface reaction epitaxy and AM-MEE for HVPE growth2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi
- 学会等名
  The 6^<th> International Workshop of Bulk Nitride(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Poland
- 年月日
  2009-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF-MBEプラズマ窒素源の活性度変調と窒素原子フラックス計測2009
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名城大学(名古屋市)
- 年月日
  2009-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] β-Si3N4へのAl照射による反応性エピタキシャルAlNテンプレート成長とAM-MEE法による2H-AlN膜成長2009
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第一回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(小金井市)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] 2H-AlN/β-Si3N4/Si(111)の界面反応エピタキシーとSi(111)上III族窒化物MBE成長2009
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名城大学(名古屋市)
- 年月日
  2009-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF-MBEにおけるSi (111)上2H-AIN (0001)用β-Si3N4窒化膜成長2009
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF-MBE growth of group III nitrides on Si using activity modulation migration enhanced epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi
- 学会等名
  The 15th Chinese Conference on Crystal Growth(CCCG-15)
- 発表場所
  寧波大学(中国)
- 年月日
  2009-11-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF-MBE法により成長させたSi基板上の立方晶と六方晶GaNの混在比評価2009
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第一回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(小金井市)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Si(111)基板上β-Si3N4へのA1照射による2H-A1N(0001)テンプレート作製とAIN表面構造2009
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF-MBE growth of group III nitrides on Si2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi
- 学会等名
  2009 Japan-China Crystal Grows and Crystal Technology Symposium
- 発表場所
  大阪大学銀杏会館(吹田市)
- 年月日
  2009-07-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Activity Modulation Migration Enhanced MBE to grow GaN and AlN on Si substrates2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohachi
- 学会等名
  The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2008-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] 窒素活性度変調(Activity Modulation, AM)法によるSi窒化とSi上のIII族窒化物MBE成長2008
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第38回結晶成長国内会議
- 発表場所
  仙台市
- 年月日
  2008-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF-MBE法によるSi (lll)基板上の組成連続変化AlGaN層を用いた六方晶GaNの活性度変調MEE成長2008
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第38回結晶成長国内会議
- 発表場所
  仙台市
- 年月日
  2008-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Measurement of nitrogen atomic flux for RF-MBE growth of GaN and AlN on Si substrates2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohachi
- 学会等名
  The second International Symposium of Growth of Nitrides
- 発表場所
  Izu
- 年月日
  2008-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF-MBE法による窒素活性度変調窒化法を用いたSi (111)窒化膜上のAIN膜成長2008
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第38回結晶成長国内会議
- 発表場所
  仙台市
- 年月日
  2008-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] RF-MBE法により成長させたSi基板上の立方晶と六方晶GaNの混在比評価2008
- 著者名/発表者名
  大鉢忠
- 学会等名
  第38回結晶成長国内会議
- 発表場所
  仙台市
- 年月日
  2008-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] AlN and GaN hetero epitaxy on Si substrate using activity modulation migration enhanced MBE2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohachi
- 学会等名
  UCr2008 "21st Congress and General Assembly of the International Union of Crystallography
- 発表場所
  Osaka
- 年月日
  2008-08-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Measurement of nitrogen atomic flux for RF-MBE growth of GaN and AlN on Si substrates2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohachi
- 学会等名
  5th Int. Symp. of Electrochemical Processing of Tailored Materials (EPTM2008)
- 発表場所
  Nagoya
- 年月日
  2008-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011
[学会発表] Nitrdation of Si(lll) for growth of 2H-AlN(0001)/β-Si3N4/Si (lll) structure2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohachi
- 学会等名
  The second International Symposium of Growth of Nitrides
- 発表場所
  Izu
- 年月日
  2008-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360011

1. 西永頌 (10023128)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
2. 岸清 (90087354)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 墻内千尋 (80027812)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 七里公毅 (80046987)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 権田武彦 (50084455)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 後藤芳彦 (90005942)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 寒川義裕 (90327320)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 石亀希男 (40006143)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 小林迪助 (20018881)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 石井忠男 (90033240)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 星埜禎男 (40013453)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 松原武生 (60025202)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 池沢幹彦 (10004334)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 上田顕 (20025852)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

大鉢 忠 OHACHI Tadashi

研究課題

研究成果

共同研究者

表面構造制御法開発による準安定立方晶III族窒化物半導体の創製と物性制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

空隙型スピネル構造のイオン移動経路における高速イオンのイオンダイナミクス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

銀銅空孔欠陥型硫化物スピネル化合物のマイクロ波領域でのイオンダイナミクス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

核形成・成長のカイネティクス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

核形成と成長のカイネティクス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

欠陥型硫化物スピネルを用いた固相反応再結晶法による単結晶成長法の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超イオン導電体の構造と動的性質

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電子・イオン混合超イオン導電体によるラフニング転移の実験的検証研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Improvement of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial Growth of Group III Nitrides on Si Controlling Radio Frequency Discharge Modes and Exposure of Nitrogen Flux2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Improvement of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial Growth of Group III Nitrides on Si Controlling Radio Frequency Discharge Modes and Exposure of Nitrogen Flux2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Interface roughness of double buffer layer of GaN film grown on Si(111) substrate using GIXR analysis2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Control of active nitrogen species using by RF-MBE nitrides growth on Si2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Control of active nitrogen species using by RF-MBE nitrides growth on Si2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Epitaxial growth of β-Si_3N_4 by the nitridation of Si with adsorbed N atoms for interface reaction epitaxy of double buffer AlN(0001)/β-Si_3N_4/Si(111)2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Epitaxial growth of β-Si_3N_4 by the nitridation of Si with adsorbed N atoms for interface reaction epitaxy of double buffer AlN (0001)/β-Si_3N_4/Si(111)2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Interface roughness of double buffer layer of GaN film grown on Si(111) substrate using GIXR analysis2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

大鉢忠 OHACHI Tadashi