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西永 頌  NISHINAGA Tatau

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10023128
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2002年度: 名城大, 理工学部, 教授
2000年度 – 2001年度: 名城大学, 理工学部, 教授
1998年度 – 1999年度: 東京大学, 工学系研究科, 教授
1995年度 – 1999年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授
1987年度 – 1994年度: 東京大学, 工学部, 教授
1986年度: 東大, 工学部, 教授
1985年度: 東京大学, 工, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 電子デバイス・機器工学 / 電子材料工学 / 結晶学 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性 / 金属材料 / 航空宇宙工学
キーワード
研究代表者
GaAs / GaSb / MBE / 核形成 / 表面拡散 / Si / 分子線エピタキシ / 原子ステップ / LPE / 横方向成長 … もっと見る / 成長表面構造 / 結晶成長理論 / Bridgman growth / ブリッジマン成長 / 微小重力 / 空間分解フォトルミネッセンス / 巨大ステップ / ヘテロエピタキシ / ステップカイネティクス / RHEED / SOI / マイクロチャネルエピタキシ / 液相エピタキシ / 無転位結晶 / 面発光レーザー / マイクロチャンネルエピタキシ / μ-RHEED / heteroepitaxy / シリコン(Si) / surface diffusion / microgravity / Te impurity / 転位密度 / マランゴニ対流 / Te不純物 / Microgravity / InP / AlAs / フォトルミネッセンス / 液相成長 / マクロステップ / 面間拡散 / モンテカルロシミュレーション / ラマン分光法 / エピタキシ機構 / 過飽和度 / 成長カイネティクス / 成長のその場観察 / 表面ラフニング / 計算機シミュレ-ション / エピタキシャル成長機構 / ステップ機構 / Epitaxial Lateral Overgrowth / ステップ源 / エピタキシャル横方向成長 / In-situ observation / Surface roughening / Computer simulation / Growth surface / Epitaxial growth / Step kinetics / Nucleation / Crystal growth theory / モンテカルロシミユレーション / エピタキシャル成長 / ステップ運動のその場観察 / ステップの動力学 / 原子的ステップ / oxygen impurity / OEIC / long lifetime laser diode / VCSEL / microchannel epitaxy / dislocation-free / hetero-epitaxy / 反応性イオンエッチング / 面発光ダイオード / 屈折率導波構造 / AlGaAs高純度化 / 面発光レーザーダイオード / Si基板上のGaAsエピタキシ / 電流酸化狭窄構造 / 酸化ブロック構造 / 分子線エピタキシ(MBE) / 面発光レーザダイオード / Si基板上のGaAsエピタキシー / 酸素不純物 / 光・電子集積回路 / シリコン / 長寿命レーザー / マイクロチャンネルエピタキシー / 無転位化 / ヘテロエピタキシー / liquid phase epitaxy(LPE) / molecular beam epitaxy(MBE) / dislocation-free crystal / vertical-cavity surface-emitting laser diode / sillicon(Si) / galliumarsenide(GaAs) / microchannel epitaxy(MCE) / 面発光レーザ / 砒化ガリウム(GaAs) / impurity distribution / Mrangoni flow / dislocation density / X-ray topograph / strain free growth / 不純物分布 / X線トポグラフ / 無歪成長 / マイクログラビティ / AィイD2s2ィエD2 molecules / macro-step / pyramid structure / intersurface diffusion / molecular beam epitaxy / As_4分子 / ピラミッド構造 / 拡散距離 / laser diode / release of residual stress / Opto-electronic Integrated circuit (OEIC) / dislocation-free region / epitaxial lateral overgrowth (ELO) / Indiumphosphide (InP) / silicon (Si) / VME(Vapour Mixing Epitaxy) / MQW構造 / Si基板 / インジウム燐(InP) / 空間分解フォトルミネッセンス測定 / ヘテロエピタキシャル成長 / 空間分解フォトルミネッセンス法 / 有限要素法 / 横方向成長法(ELO) / ELO比 / 液相エピタキシャル法(LPE) / レーザーダイオード / 残留応力低減 / 光・電子集積回路(OEIC) / 無転位領域 / 横方向成長(ELO) / 燐化インジウム(InP) / ヘテロエピタキシ- / Monte Carlo Simulation / atomic step / the first principle quantum mechanical calculation / organometallic vapor phase epitaxy / natural superlattice / reconstruction / Molecular beam epitaxy / 第一原理計算 / 有機金属気相エピタキシ / 自然超格子 / 再構成構造 / melt growth / GAS program / Space Shuttle / space experiment / ブリッジマン成長、 / 融液成長、 / GaSb、 / GASプログラム、 / スペースシャトル、 / 宇宙実験、 / 融液成長 / GASプログラム / スペースシャトル / 宇宙実験 / Burstein-Moss effect / Marangoni flow / Segregation / Spatially Resolved photoluminescence / 不純物縞 / 中国回収型衛星 / バースタイン-モス効果 / 偏析現象 / Spacelab / Semiconductor / Solution growth / Macrostep / Crystal growth mechanism / スペースラブ / 半導体 / 溶液成長 / 結晶成長機構 / Supersaturation / Atomic step / Surface diffusion / Vicinal surface / 微傾斜面 / low-dislocation Crystal / buffer layer / etch pit / Photo luminescence / Epitaxial lateral Overgrowth / GaAs on Si / ヒ-トサイクル法 / 放射状ラインシ-ド / ファセット / 低転位結晶 / バッファ層 / エッチピット / Si基板上のGaAs成長 / 熱力学データベース / 電子ビームエピタキシ / カソードルミネッセンス / BCF理論 / 組成の面方位依存 / 混晶成長における偏析 / RHEED振動 / コンピュータ解析 / 状態図 / 非混和領域 / 有機金属気相成長法 / 混晶成長機構 / (Ga,Al)As / 成長機構 / Si基板上の化合物半導体 / 絶縁膜上半導体薄膜 / Si基盤上の化合物半導体 / 絶縁膜上半導体 / 選択成長 / 低角入射分子線 / 荒れた面 / 再蒸発 / 濃厚環境相 / 分子線エピタキシ- / Jacksonの理論 / 微斜面 / 表面拡散距離 / (111)B面 / 微傾斜基板 / 分子線ユピタキシ- … もっと見る
研究代表者以外
MnAs / GaAs / ErAs / GaMnAs / 分子線エピタキシ- / 磁気光学効果 / molecular beam epitaxy (MBE) / III-V半導体 / 分子線エピタキシー / 半導体ヘテロ構造 / テンプレート法 / 半金属 / テルル化亜鉛 / 有機金属化学気相成長 / optical isolator / magneto-optical effect / 光アイソレータ / 磁性半導体 / GaAs : Mn / MnGa / dissimilar heterostructures / Si substrates / 半導体 / 磁気異方性 / エピタキシャル成長 / スピンバルブ / semiconductor heterostructures / CoAl / 金属間化合物 / 成果報告書 / 成果取りまとめ / 日米科学セミナー / シンポジウム / 研究発表会 / 総括班 / エレクトロニクス / 混晶 / 共鳴トンネルダイオード / 共鳴トンネル効果 / テンプレート / 埋め込みヘテロ構造 / ヘテロ構造 / ジメチル亜鉛 / 四重極質量分析計 / Thin Film Growth Method / Functional Thin Film / 薄膜形成技術 / 機能性薄膜 / granular structure / tunneling magneto-resistance (TMR) / magnetic tunnel junction / magnetic semiconductor / 量子へテロ構造 / 半導体ハイブリッド系材料 / 半導体ハイブリッド材料 / 磁性体 / グラニュラー構造 / トンネル磁気抵抗効果 / 強磁性トンネル接合 / semiconductor-waveguide-type optical isolator / transverse magneto-optical Kerr effect / DBR (Distributed Bragg Reflector) / Faraday effect / s,p-d交換相互作用 / 半導体磁気光学結晶 / (InGaMn)As / (GaMn)As / III-V族ベース強磁性半導体 / 光の局在 / グラニュラー / 磁気光学結晶 / 導波路型光アイソレータ / 横磁気カー効果 / DBR / ファラデー効果 / ferromagnetic semiconductor GaMnAs / ferromagnmet-semiconductor heterostructures / ferromagnet hybrid materials system / III-V-semiconductor / 低温MBE / 希薄磁性半導体 / エピタキシャル強磁性薄膜 / 磁性体融合体 / 量子準位 / 磁性半導体超格子 / p-d交換相互作用 / キャリア誘起強磁性 / 異常ホール効果 / MnAS / 磁気結合 / MnAs 三層構造 / GaAs:Mn / 磁性体融合系 / metal / ferromagnetic semiconductor / 異種物質ヘテロ接合 / 異種物質ヘテロ接合系 / 強磁性半導体 / 強磁性金属 / 異種物質ヘテロ接合糸 / nonvolatile magnetic memory / ferromagnet-semiconductor heterostructures / ferromagnetic thin films / 交番力マグネトメータ / 強磁性MnAs薄膜 / ヘテロエピタキシ- / 垂直磁化 / 強磁性MnGa薄膜 / 磁性体薄膜 / 一軸異方性 / 磁性体多層構造 / 半導体基板 / エピタキシャル強磁性体超薄膜 / エピキシシャル成長 / 強磁性体半導体多層構造 / (111)基板 / 不揮発性メモリ / 半導体多層構造 / 強磁性体 / semiconductor hybrid quantum devices / semimetal / room temperature negative differential resistance / resonant tunneling diodes / semimetallic quantum well / template approach / molecular beam epitaxy / Metal / metallic compounds / MBE / 2重障壁構造 / 室温負性微分抵抗 / 室温微分負性抵抗 / 2垂障壁構造 / 半金属量子井戸 / 半金属ErAs / ジエチルテルル / 紫外光吸収測定 / ガス分析 / 干渉顕微鏡 / マイクログラビティ / クイクログラビティ / 結晶成長 / 凝固 / その場観察 / ホモエピタキシャル膜 / 成長機構 / 非発光センター / 分子線エピタキシ / 不純物混入 / 無転位結晶 / ヘテロエピタキシ / マイクロチャンネルエピタキシ / 光・電子集積化回路 / 光学デバイス / 残留応力低減 / 転位密度低減 / ヘテロエピタキシー / Si / 格子不整合の大きな系の成長 / マイクロチャンネルエピタキシー / 微分負性抵抗 / 3端子デバイス / 負性抵抗 / レーザラマン分光 / 多結晶シリコン / 金属超薄膜 / 分子線ユピタキシ- / 共鳴トンネル現象 / 材料科学 / 燃焼現象 / 宇宙実験 / 宇宙環境利用 / 短時間微小重力実験 / 熱・物質輸送 / 自由落下 / 無重力 / 低温成長 / レーザー光照射 / 常圧 / ジェチルテルル 隠す
  • 研究課題

    (41件)
  • 共同研究者

    (88人)
  •  低角入射分子線エピタキシ法による絶縁膜上への半導体単結晶薄膜の横方向成長研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  Si上無転位GaAs成長層を基板とした面発光レーザーの試作研究代表者

    • 研究代表者
      成塚 重弥, 西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  ハイブリッドマイクロチャンネルエピタキシーを用いたSi上のGaAs無転位結晶

    • 研究代表者
      成塚 重弥
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
      東京大学
  •  III-V族ベース強磁性半導体によるバンドエンジニアリングと磁気光学デバイスへの応用

    • 研究代表者
      田中 雅明
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  磁性体/半導体ハイブリッド系材料のエピタキシャル成長とその応用

    • 研究代表者
      田中 雅明
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  レーザラマン分光法による多結晶シリコン形成機構の解明と粒径制御

    • 研究代表者
      河東田 隆
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      高知工科大学
  •  ErAs/III-V量子ヘテロ構造における電子伝導と負性抵抗デバイスへの応用

    • 研究代表者
      田中 雅明
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  微小重力下での無容器成長による高品質半導体の結晶成長研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  マイクロチャンネルエピタキシを用いたSi上無転位GaAsの成長とレーザーの試作研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  ナノ構造エピタキシにおける面間拡散に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  半金属/半導体超薄膜ヘテロ構造における共鳴トンネル現象とそのデバイス応用

    • 研究代表者
      田中 雅明
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  新・異種物質へテロ接合系の結晶成長とその応用

    • 研究代表者
      田中 雅明
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  III-V半導体/磁性体融合系(GaAs:Mn)の形成とその物性

    • 研究代表者
      田中 雅明
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  宇宙での無重力場を用いた半導体の融液成長研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  エピタキシャル成長の量子論と構造のダイナミクス研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  Si基板上のInP横方向成長と長波長レーザーダイオードの試作研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  半導体基板上におけるエピタキャシャル強磁性体超薄膜の形成とその応用

    • 研究代表者
      田中 雅明
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  原子レベルでの結晶成長機構(総括班)研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  微小重力下で成長させた半導体結晶の結晶性と局所不純物偏析の評価研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  金属間化合物/半導体ヘテロ構造の分子線エピタキシ-成長とその電子物性

    • 研究代表者
      田中 雅明
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  核形成・成長のカイネティクス研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  微小重力を利用した結晶成長機構の研究研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  短時間マイクログラビティ環境の高度利用に関する調査研究

    • 研究代表者
      伊藤 献一
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      航空宇宙工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  核形成と成長のカイネティクス研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  原子レベルでの結晶成長機構(総括班)研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  微傾斜表面上における半導体結晶成長の素過程研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  分子線エピタキシ-の成長素過程の解明と成長表面における原子ステップの制御ー面内極微細構造作製のための基礎研究ー研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  原子レベルでの結晶成長機構に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      結晶学
    • 研究機関
      東京大学
  •  格子定数差の大きいヘテロエピタキシーにおける無転位結晶成長技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1992
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  テルル化亜鉛ホモエピタキシャル膜の有機金属化学気相法による成長と成長機構の解明

    • 研究代表者
      小川 博司
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      佐賀大学
  •  微小動力環境における凝固、結晶成長のその場観察

    • 研究代表者
      堀内 良
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      金属材料
    • 研究機関
      宇宙科学研究所
  •  テルル化亜鉛ホキエピタキシヤル膜の有機金属化学気相法による成長と成長機構の解明

    • 研究代表者
      小川 博司
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      佐賀大学
  •  機能性薄膜の形成技術の開発と応用

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  テルル化亜鉛ホモエピタキシャル膜の有機金属化学気相法による成長と成長機構の解明

    • 研究代表者
      小川 博司
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      佐賀大学
  •  原子レベルでの結晶成長機構に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1989
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      結晶学
    • 研究機関
      東京大学
  •  SOI結晶の高品質化に関する新技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1989
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  準平衡成長および非平衡成長における混晶の成長機構と非混和性に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1985
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  混晶の成長機構と相安定性に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1987
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  混晶の成長機構と相安定に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1987
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  混晶エレクトロニクスの研究

    • 研究代表者
      佐々木 昭夫
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1987
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  混晶エレクトロニクスの研究

    • 研究代表者
      佐々木 昭夫
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1988
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      京都大学
  • 1.  田中 雅明 (30192636)
    共同の研究課題数: 19件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  成塚 重弥 (80282680)
    共同の研究課題数: 12件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  武居 文彦 (60005981)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  佐々木 昭夫 (10025900)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  赤崎 勇 (20144115)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  小川 博司 (10039290)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  西尾 光弘 (60109220)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  藤本 正友 (50251640)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  八木 克道 (90016072)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  小松 啓 (00108565)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  黒田 登志雄 (70080447)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  西沢 泰二 (60005212)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  石田 哲朗 (10020281)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  GERHARD Faso (10251472)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  岸 清 (90087354)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  墻内 千尋 (80027812)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  七里 公毅 (80046987)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  大鉢 忠 (40066270)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  原田 仁平 (80016071)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  西岡 一水 (90035650)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  新宮 秀夫 (20026024)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  和田 隆夫 (60023040)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  関 寿 (70015022)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  柊元 宏 (50013488)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  高村 仁一 (80025775)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  柳井 久義 (60010617)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  BENZ K.W.
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  太刀川 正美
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  森 英史
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  大野 英男 (00152215)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  中山 弘 (30164370)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  一宮 彪彦 (00023292)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  中野 義昭 (50183885)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  丸山 隆浩 (30282338)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 35.  安田 幸夫 (60126951)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 36.  米津 宏雄 (90191668)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 37.  美浜 和弘 (50023007)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 38.  内山 晋 (40023022)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 39.  権田 武彦 (50084455)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 40.  後藤 芳彦 (90005942)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 41.  伊藤 献一 (80001163)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 42.  新岡 嵩 (90208108)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 43.  飯塚 敏彦 (50001441)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 44.  河野 道方 (60011194)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 45.  魚崎 浩平 (20133697)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 46.  河東田 隆 (90013739)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 47.  西田 謙 (40299384)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 48.  成沢 忠 (30299383)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 49.  堀内 良 (40013627)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 50.  佐久田 博司 (10170630)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 51.  塚本 勝男 (60125614)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 52.  栗林 一彦 (70092195)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 53.  梅田 高照 (50011078)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 54.  坂輪 盛一
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 55.  寺崎 隆一
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 56.  設楽 智也
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 57.  鈴木 貴志
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 58.  CHERNOV A.A.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 59.  DANILEWSKY A
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 60.  白石 賢二
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 61.  伊藤 智徳
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 62.  広野 滋
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 63.  DEBOECK Joha
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 64.  PALMSTROM Ch
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 65.  浅川 潔
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 66.  阿部 孝夫
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 67.  吉田 庄司
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 68.  D. Vvedensky
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 69.  B・A・ Joyce
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 70.  JOYCE BRUCE.A.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 71.  VVEDENSKY Dimitri D.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 72.  VREDENSKY D.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 73.  JOYCE B.A.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 74.  HUO C.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 75.  GE P.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 76.  NIE Y.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 77.  NIE Yuxin
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 78.  GE Peiwen
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 79.  HUO Chongru
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 80.  HUO C
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 81.  GE P
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 82.  NIE Y
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 83.  FASOL Gerhart
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 84.  EASOL Gerhar
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 85.  林 稔晶
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 86.  DEBOCCK Joha
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 87.  REGEL L.L.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 88.  WILCOX W.R.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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