澤田孝幸 SAWADA Takayuki

… 別表記

沢田孝幸 SAWADA Takayuki

研究者番号	40113568
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2008年度 – 2010年度: 北海道工業大学, 創生工学部, 教授 2004年度 – 2006年度: 北海道工業大学, 工学部, 教授 1998年度 – 2001年度: 北海道工業大学, 工学部, 教授 1996年度 – 1997年度: 北海道工業大学, 工学部・応用電子工学科, 教授 1994年度 – 1995年度: 北海道工業大学, 工学部, 教授 … もっと見る 1994年度 – 1995年度: 北海道工業大学, 応用電子工学科, 教授 1992年度 – 1994年度: 北海道大学, 量子界面エレクトロニクス研究センター, 教授 1991年度: 北海道大学, 量子界面エレクトニクス研究センター, 教授 1991年度: 北海道大学, 量子界面エレクトロニクスセンター, 教授 1990年度: 電気通信大学, 電子工学科, 助教授 1988年度 – 1989年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 1986年度: 北海道大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 応用物性 / 応用物性・結晶工学 / 物理計測・光学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子材料工学 / 応用物性
キーワード	研究代表者 GaN / BSO / AlGaN / Schottky Diode / 界面準位密度 / ショットキーダイオード / Interface State Density / GaN Heterostructure / GaNヘテロ構造 / MIS Diode … もっと見る / I-V特性 / I-V-T特性 / MISダイオード / Phase Conjugate Wave / Thermally Stimulated Current / Photorefractive Crystal / 光位相共役波 / 熱刺激電流 / GaP / 光屈折結晶 / Diffraction Efficiency / Image Processing / Deep Impurity Level / Space Charge Layer / 2光波混合 / 光電流 / 旋光性 / 位相共役波 / 画像記録 / ダイナミックホログラム / 空間電荷層 / 不純物準位 / MIS Structures / MBE Growth / HEMT Device / Gate Leakage Current / 2-Dimensional Electron Gas / A1GaN / MIS構造 / MBE成長 / HEMTデバイス / ゲートリーク電流 / 2次元電子ガス / Surface Fermi Level / Schottky Barrier Height / I-V-T characteristics / 電流-電圧特性 / 界面特性 / 陽極エッチング / 表面フェルミ準位 / ショットキー障壁高さ / Fermi Level / C-V Characteristics / I-V-T Characteristics / Schottkv Barrier Height / Interface state density / フェルミ準位 / C-V特性 / ショットキー障壁高 / Transient Response / Index Grating / Band Transport Model / 4準位モデル / 過渡光電流 / 光屈折効果 / 光パルス応答 / 屈折率格子 / バンド輸送モデル … もっと見る研究代表者以外 II-VI族半導体 / MBE成長 / 超格子 / MBE / II-VI semiconductors / ZnSe / InAlAs / InGaAs / Photoluminescence / 界面準位 / フォトルミネセンス / Type-IIバンド構造 / ZnSe-ZnTe超格子 / 半導体 / Device surface passivation / Interiayer insulation / Thin film deposition / Low temterature process / Low frequency(50Hz) / Silicon nitride / Plasma CVD / 最終保護膜 / 層間絶縁膜 / シラン窒素混合ガス / 低温プロセス / 低周波プラズマ / ドライプロセス / 表面保護膜 / 絶縁薄膜 / 室温プロセス / シリコン窒化膜 / デポジション / 低周波 / プラズマCVD / MBE growth / Type-II band structure / superlattice / II-VI compound semiconductor / 光up-conversion / Type-IIバンド / Light wavelenght conversion / superlattices / 光変調 / 歪超格子 / ZnSeTe / 波長変換 / Interface states / Excitions / 励起子 / InAs dot / Solar cell / Interface state density / Surface recombination velocity / 再成長 / インジウムアルミニウム砒素 / インジウムガリウム砒素 / Stranski-Krastanow成長 / 電極界面再結合 / 高濃度ドープ層 / InAsドット / 太陽電池 / 界面準位密度 / 表面再結合速度 / Electron Interference / Lateral Surface Superlattice / Quantum Dot / Multiatomic Step / Crystal Growth / Vicinal Substrate / Patterned Substrate / Semiconductor / 電子波干渉 / 表面超格子 / 量子ドット / 多段原子ステップ / 結晶成長 / 微傾斜基板 / 加工基板 / Surface passivation / Quantum well / Interface control / interface stete / Surface / Compound semiconductor / Quantum structure / 表面電気伝導 / 表面準位 / 量子細線 / 界面制御 / 表面不活性化 / 量子井戸 / 界面制御層 / 表面・界面準位 / 化合物半導体 / 量子構造 / Effective area of a very short optical cavity / Controlled spontaneous emission / Microcavity laser / Very short optical cavity / 超短共振器長測定法 / 有効断面積 / 超短共振器レ-ザ- / 超短光共振器の有効面積 / 自然放出制御 / マイクロキャビティレ-ザ- / 超短光共振器 / 光強度変調隠す

二重サブバンドを利用した光駆動光変調
- 研究代表者
  
  今井和明
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  北海道工業大学
AlGaN/GaNヘテロ構造のゲートリーク電流抑制とMBE成長膜の極性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  澤田孝幸
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  北海道工業大学
TypeII二重サブバンド構造超格子の光up-conversion機構
- 研究代表者
  
  今井和明
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  北海道工業大学
GaN系半導体界面の制御と電界効果トランジスタの試作に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  澤田孝幸
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道工業大学
ZnSeTe系歪超格子による光up-conversion効果
- 研究代表者
  
  今井和明
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  北海道工業大学
金属/GaNおよび絶縁膜/GaN界面の制御とMIS形電界効果トランジスタの試作研究代表者
- 研究代表者
  
  澤田孝幸
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道工業大学
CdZnTeSe四元合金における励起子のダイナミクス
- 研究代表者
  
  今井和明
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  北海道工業大学
界面制御された化合物半導体超微細構造の作製とその電子的特性の評価
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
表面制御された超高効率InGaAs/InP太陽電池の研究
- 研究代表者
  
  斉藤俊也 (斎藤俊也)
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
化合物半導体量子構造の量子準位と表面・界面準位の相互作用とその制御の研究
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
強誘電体,化合物半導体光屈折結晶の光パルス応答と材料物性の関係研究代表者
- 研究代表者
  
  沢田孝幸
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1992
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  物理計測・光学
- 研究機関
  北海道大学
超短共振器レ-ザ-における自然放出制御に関する研究
- 研究代表者
  
  氏原紀公雄
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1991
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  電気通信大学
酸化ケイ素材ビスマス(BSO)光屈折結晶の電気的評価に対する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  沢田孝幸
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1989
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  電気通信大学
低周波プラズマCVDによるシリコン窒化膜の室温形成プロセスの開発
- 研究代表者
  
  下妻光夫
- 研究期間 (年度)
  1986 – 1987
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  北海道大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] 光透過型ZnSe-ZnTe超格子の評価について2010
- 著者名/発表者名
  本間一臣、一戸善弘、高橋和也、山本泰輔、今井和明、澤田孝幸、鈴木和彦、木村信行、木村尚仁
- 雑誌名
  
  北海道工業大学研究紀要 vol.38
  
  ページ: 137-142
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] 光透過型ZnSe-ZnTe超格子の評価について2010
- 著者名/発表者名
  本間一臣、一戸善弘、高橋和也、山本泰輔、今井和明、澤田孝幸、鈴木和彦、木村信行、木村尚仁
- 雑誌名
  
  北海道工業大学研究紀要
  
  巻: 38 ページ: 137-142
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] MBE-ZnSeTe混晶の光学的評価2010
- 著者名/発表者名
  高橋和也、一戸善弘、本間一臣、今井和明、鈴木和彦、澤田孝幸、木村信行、木村尚仁
- 雑誌名
  
  北海道工業大学研究紀要 vol.38
  
  ページ: 97-102
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] RF-MBE InN膜成長における窒素プラズマ照射の影響2010
- 著者名/発表者名
  山本泰輔、本間一臣、澤田孝幸、今井和明、木村尚仁
- 雑誌名
  
  北海道工業大学研究紀要
  
  巻: 38 ページ: 143-148
- NAID
  40017157902
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] RF-MBE InN膜成長における窒素プラズマ照射の影響2010
- 著者名/発表者名
  山本泰輔、本間一臣、澤田孝幸、今井和明、木村尚仁
- 雑誌名
  
  北海道工業大学研究紀要 vol.38
  
  ページ: 143-148
- NAID
  40017157902
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] MBE-ZnSeTe混晶の光学的評価2010
- 著者名/発表者名
  高橋和也、一戸善弘、本間一臣、今井和明、鈴木和彦、澤田孝幸、木村信行、木村尚仁
- 雑誌名
  
  北海道工業大学研究紀要
  
  巻: 38 ページ: 97-102
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] Optical properties of ZnSe on GaN (0001) grown by MBE2009
- 著者名/発表者名
  Y.Ichinohe, K.Kyoh, K.Honma, T.Sawada, K.Suzuki, No.Kimura, Na.Kimura, K.Imai
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 311
  
  ページ: 2106-2108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] Optical properties of ZnSe on GaN (0001) grown by MBE2009
- 著者名/発表者名
  Y.Ichinohe, K. Kyoh, K.Honma, T.Sawada, K.Suzuki, No.Kimura, Na.Kimura, K.Imai
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth vol.311
  
  ページ: 2106-2108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] In_xGa_<1-x>As結晶基板上へのZnSeのMBE成長2009
- 著者名/発表者名
  本間一臣、共佳、一戸善弘、今井和明、澤田孝幸、鈴木和彦、木村信行、木村尚仁
- 雑誌名
  
  北海道工業大学研究紀要 vol.37
  
  ページ: 219-222
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] The de-oxidation of a ZnTe surface by hydrogen treatment2009
- 著者名/発表者名
  K. Kyoh, Y.Ichinohe, K.Honma, Na.Kimura, No.Kimura, T.Sawada, K.Suzuki, K.Imai, H. Saito, Yu. V. Korostelin
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth vol.311
  
  ページ: 2096-2098
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] MBE-ZnTe/GaAsの水素による表面処理2009
- 著者名/発表者名
  共佳、一戸善弘、本間一臣、今井和明、澤田孝幸、鈴木和彦、木村信行、木村尚仁
- 雑誌名
  
  北海道工業大学研究紀要 vol.37
  
  ページ: 279-283
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] The de-oxidation of a ZnTe surface by hydrogen treatment2009
- 著者名/発表者名
  K.Kyoh, Y.Ichinohe, K.Honma, Na.Kimura, No.Kimura, T.Sawada, K.Suzuki, K.Imai, H.Saito, Yu.V.Korostelin
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 311
  
  ページ: 2096-2098
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] Photoluminescence of periodic alloy of ZnSeTe grown by MBE2008
- 著者名/発表者名
  G. Shigaura, M. Kanamori, Y.Ichinohe, K. Kyoh, K.Honma, Na.Kimura, No.Kimura, T.Sawada, K.Suzuki, K.Imai
- 雑誌名
  
  J.Korean Phys.Soc. vol.53
  
  ページ: 179-182
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] Influence of surface preparation and i-AlGaN thickness on electrical properties of i-AlGaN/GaN heterostructures2008
- 著者名/発表者名
  T.Sawada, K.Takahashi, K.Imai, K.Suzuki, N.Kimura, K. Kitamori
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c) vol.5
  
  ページ: 1695-1698
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] MBE growth of ZnSe films on lattice matched In_xGa_<1-x>As substrate2008
- 著者名/発表者名
  T. Karita, K.Suzuki, Y.Ichinohe, S. Seto, T.Sawada, K.Imai
- 雑誌名
  
  J.Korean Phys.Soc. vol.53
  
  ページ: 150-153
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] Photoluminescence of modulation doped ZnSe : Te grown by MBE2008
- 著者名/発表者名
  G. Shigaura, Y.Ichinohe, M. Kanamori, K. Kyoh, K.Honma, Na.Kimura, No.Kimura, T.Sawada, K.Suzuki, K.Imai
- 雑誌名
  
  J.Korean Phys.Soc. vol.53
  
  ページ: 2901-2904
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] Influence of surface preparation and i-AlGaN thickness on electrical properties of i-AlGaN/GaN heterostructures2008
- 著者名/発表者名
  T. Sawada, et al.
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 5
  
  ページ: 1695-1698
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[雑誌論文] Suppression of Gate Leakage Current in i-AlGaN/GaN Heterostructure by Insertion of Anodic Al_2O_3 Layer and Influence of Thermal Annealing on Channel Electrons2007
- 著者名/発表者名
  T.Sawada
- 雑誌名
  
  Proc. of Int. Workshop on Nitride Semiconductors (phys. stat. sol. (c)) Vol.4
  
  ページ: 4-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560013
[雑誌論文] Suppression of Gate Leakage Current in i-AlGaN/GaN Hetero-structures by Insertion of Anodic Al_2O_3 Layer and Influence of Thermal Annealing on Channel Electrons2007
- 著者名/発表者名
  T.Sawada
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) Vol.4・No.7
  
  ページ: 2686-2689
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560013
[雑誌論文] Suppression of Gate Leakage Current in i-AlGaN/GaN Heterostructures by Insertion of Anodic Al_2O_3 Layer and Influence of Thermal Annealing on Channel Electrons2007
- 著者名/発表者名
  T.Sawada
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) Vol.4-No.7
  
  ページ: 2686-2689
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560013
[雑誌論文] Electrical Properties of Ni/i-A1GaN/GaN Structures and Influence of Thermal Annealing2006
- 著者名/発表者名
  T.Sawada
- 雑誌名
  
  Proc.of 6th Int.Conf.on Nitride Semiconductors (Phys.Stat.Sol.) (掲載予定)(未定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560013
[雑誌論文] Electrical Properties of Ni/i-AlGaN/GaN Structures and Influence of Thermal Annealing2006
- 著者名/発表者名
  T.Sawada
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) Vol.3-No.6
  
  ページ: 1704-1708
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560013
[雑誌論文] Electrical properties of Ni/i-AlGaN/GaN structures and influence of thermal annealing2006
- 著者名/発表者名
  T.Sawada, N.Kimura, K.Suzuki, K.Imai, S.-W.Kim, T.Suzuki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(c) Vol.3,No.6
  
  ページ: 1704-1708
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560015
[雑誌論文] Effects of sub-gap irradiation on the time-of flight current waveforms of high resistivity CdTe2006
- 著者名/発表者名
  K.Suzuki, S.Seto, T.Sawada, K.Imai
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(c) Vol.3
  
  ページ: 1130-1134
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560015
[雑誌論文] Electrical properties of Ni/i-AlGaN/GaN structures and influence of thermal annealing2006
- 著者名/発表者名
  T.Sawada et al.
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) vol. 3, no. 6
  
  ページ: 1704-1708
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560015
[雑誌論文] Electrical Properties of Ni/i-AlGaN/GaN Structures and Influence of Thermal Annealing2006
- 著者名/発表者名
  T.Sawada
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) Vol.3・No.6
  
  ページ: 1704-1708
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560013
[雑誌論文] Electrical properties of Ni/i-AlGaN/GaN structures and influence of thermal annealing2006
- 著者名/発表者名
  T.Sawada et al.
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) vol.3,No.6
  
  ページ: 1704-1708
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560015
[雑誌論文] Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響2005
- 著者名/発表者名
  澤田孝幸
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 ED2005-135
  
  ページ: 79-84
- NAID
  110003501729
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560013
[雑誌論文] Electrical Properties of Ni/i-AlGaN/GaN Gate Structures and Influence of Thermal Annealing (in Japanese)2005
- 著者名/発表者名
  T.Sawada
- 雑誌名
  
  Technical Report of IEICE ED2005-135
  
  ページ: 79-84
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560013
[雑誌論文] Interpretation of current transport properties at Ni/n-GaN Shottoky interfaces2004
- 著者名/発表者名
  T.Sawada et al.
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Tech.B vol.22,No.4
  
  ページ: 2051-2058
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560015
[雑誌論文] Interpretation of current transport properties at Ni/n-GaN Shottoky interfaces2004
- 著者名/発表者名
  T.Sawada et al.
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Tech. B vol.22,No.4
  
  ページ: 2051-2058
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560015
[雑誌論文] Interpretation of current transport properties at Ni/n-GaN Shottoky interfaces2004
- 著者名/発表者名
  T.Sawada et al.
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Tech. B vol. 22, no. 4
  
  ページ: 2051-2058
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560015
[学会発表] ZnSe-ZnTe DSB構造混晶の光による光スイッチングについて2010
- 著者名/発表者名
  高橋和也、山本泰輔、阿部誠、木村尚仁、木村信行、澤田孝幸、鈴木和彦、今井和明
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎市
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[学会発表] RF-MBE法によるGaNバッファ層上InN膜の成長2010
- 著者名/発表者名
  山本泰輔、澤田孝幸、今井和明、木村尚仁
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎市
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[学会発表] Light switching driven by light of ZnSe-ZnTe dual sub-band superlattices2010
- 著者名/発表者名
  K. Takahashi, K.Honma, T. Yamamoto, M. Abe, Na.Kimura, No.Kimura, T.Sawada, K.Suzuki, K.Imai
- 学会等名
  The 16th Int'l.Conf.on MBE
- 発表場所
  Berlin, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[学会発表] ZnSe-ZnTe歪超格子のエネルギーバンド2009
- 著者名/発表者名
  一戸善弘、本間一臣、今井和明、澤田孝幸、鈴木和彦、木村信行、木村尚仁
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[学会発表] 光透過型ZnSe-ZnTeDSB超格子の評価2009
- 著者名/発表者名
  本間一臣、一戸善弘、高橋和也、山本泰輔、今井和明、木村尚仁、木村信行、澤田孝幸、鈴木和彦
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[学会発表] 光透過型ZnSe-ZnTe DSB超格子の評価2009
- 著者名/発表者名
  本間一臣、一戸義弘、高橋和也、山本泰輔、今井和明、木村尚仁、木村信行、澤田孝幸、鈴木和彦
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[学会発表] ZnSe-ZnTe超格子の波長変換効果と電子バンド構造2009
- 著者名/発表者名
  一戸善弘、共佳、本間一臣、今井和明、澤田孝幸、鈴木和彦、木村信行、木村尚仁
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[学会発表] De-oxidation of ZnTe surface by hydrogen treatment2008
- 著者名/発表者名
  今井和明, 共佳, 一戸善弘, 本間一臣, 木村尚仁, 木村信行, 澤田孝幸, 鈴木和彦
- 学会等名
  The 15th Int'l.Conf.on MBE
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[学会発表] ZnTeの水素による表面処理III2008
- 著者名/発表者名
  共佳、一戸善弘、本間一臣、今井和明、澤田孝幸、鈴木和彦、木村信行、木村尚仁
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  春日井市
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013
[学会発表] Optical properties of ZnSe on GaN (0001)by MBE2008
- 著者名/発表者名
  Y.Ichinohe, K.Kyoh, K.Honma, T.Sawada, K.Suzuki, No.Kimura, Na.Kimura, K.Imai
- 学会等名
  The 15th Int'l.Conf.on MBE
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560013

1. 今井和明 (40001987)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 28件
2. 鈴木和彦 (30226500)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 25件
3. 氏原紀公雄 (90017351)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 北守一隆 (40153134)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 齊藤俊也 (70241396)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 木村信行 (10204984)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 26件
7. 赤澤正道 (30212400)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 長谷川英機 (60001781)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 本久順一 (60212263)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 陽完治 (60220539)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 下妻光夫 (70041960)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 大野英男 (00152215)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 田頭博昭 (10001174)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 大森義行

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

澤田 孝幸 SAWADA Takayuki

沢田 孝幸 SAWADA Takayuki

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

AlGaN/GaNヘテロ構造のゲートリーク電流抑制とMBE成長膜の極性制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

GaN系半導体界面の制御と電界効果トランジスタの試作に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属/GaNおよび絶縁膜/GaN界面の制御とMIS形電界効果トランジスタの試作研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強誘電体,化合物半導体光屈折結晶の光パルス応答と材料物性の関係研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

酸化ケイ素材ビスマス(BSO)光屈折結晶の電気的評価に対する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

澤田孝幸 SAWADA Takayuki

沢田孝幸 SAWADA Takayuki