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徳山 巍  TOKUUAMA Takashi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40197885
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1989年度 – 1992年度: 筑波大学, 物理工学系, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性
キーワード
研究代表者
ion implantation / structural relaxation / amorphous silicon / イオン注入 / 構造緩和 / 非晶質シリコン / Raman scattering / ラマン散乱 / simulation / Raman spectrum … もっと見る / solid phase epitazial growth / ラマンスペクトル / シミュレ-ション / ラマン散乱スペクトル / 固相成長 … もっと見る
研究代表者以外
ショットキ-接合 / GaAs / 原子層エピタキシャル成長 / 前駆物質 / 超音速分子ビ-ム / 水素感応性 / 表面準位 / 硫化物処理 / 表面処理 / 界面欠陥 / 選択励起 / 界面欠陥密度 / MIS構造 / 放射光電子分光 / 分子結合 / イオウ処理 / 表面欠陥密度 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  GaAsショットキ-接合

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  超音速分子ビ-ムによる光励起反応の制御と分子層エピタキシャル成長メカニズムの研究

    • 研究代表者
      本岡 輝昭
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  結晶シリコンの非晶質化過程に関する基礎的研究研究代表者

    • 研究代表者
      徳山 巍
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      筑波大学
  •  GaAsショットキ-接合

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  超音速分子ビ-ムによる光励起反応の制御と原子層エピタキシャル成長メカニズムの研究

    • 研究代表者
      本岡 輝昭
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  GaAsショットキ-接合

    • 研究代表者
      南日 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  シリコン固相エピキシャル成長の基礎的研究研究代表者

    • 研究代表者
      徳山 巍
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      筑波大学
  • 1.  本岡 輝昭 (50219979)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  南日 康夫 (10133026)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  大井川 治宏 (60223715)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件

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