山田明 Yamada Akira

研究者番号	40220363
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所属 (現在)	2025年度: 東京科学大学, 工学院, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2024年度: 東京工業大学, 工学院, 教授 2012年度 – 2013年度: 東京工業大学, 理工学研究科, 教授 2009年度 – 2012年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 2007年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 2004年度 – 2005年度: 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 助教授 … もっと見る 2001年度 – 2003年度: 東京工業大学, 量子効果エレクトロニクス研究センター, 助教授 2000年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助教授 1997年度 – 1999年度: 東京工業大学, 工学部, 助教授 1994年度 – 1995年度: 東京工業大学, 工学部, 助教授 1992年度 – 1993年度: 東京工業大学, 工学部, 講師 1990年度: 東京工業大学, 工学部, 講師 1989年度: 東京工業大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 電子デバイス・電子機器 / 応用物性・結晶工学 / 電子デバイス・機器工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 … もっと見る / 応用物性・結晶工学 / 応用物性 / 電子材料工学 / 応用物性・結晶工学隠す
キーワード	研究代表者太陽電池 / ZnO / Si MOSFET / ホットワイヤーセル法 / Solar Cell / Cu(InGa)Se_2 / タンデム / レジリエント / 低電子親和力材料 / カルコパイライト … もっと見る / 薄膜太陽電池 / 低電子親和力 / レジリエント社会 / 太陽光発電 / 化合物薄膜太陽電池 / vertical MOSFET / gas source MBE / strained Si_<1-y>C_y / 熱的安定性 / 縦型MOS構造 / ガスソースMBE法 / 歪Si_<1-y>C_y / Photo-CVD / Plasma-CVD / Mobility / Hot Wire Cell method / Strained / Low temperature Epitaxy / Group IV semiconductor / 歪み / ホットワイヤーセル / Si / 光CVD法 / プラズマCVD法 / 移動度 / 歪 / 低温エピタキシャル成長 / IV族混晶半導体 / High Efficiency / In (OH, S) : Zn^<2+> / Buffer Layer / Cu (InGa) Se_2 / In(OH,S):Zn^<2+> / 高効率 / バッファ層 / TCO / Atomic Layer Deposition / 透明導電膜 / 原子層成長法 / 量子効果 / ナノワイヤー / シリコン / 半導体 / 化合物薄膜 / ナノ粒子 / 光物性 / カーボンフィラメント / 電界印加 / 配向性制御 / 熱フィラメント法 / カーボンナノチューブ / 超高濃度ドープ半導体 / SNS接合 / 超伝導 / III-VI族化合物半導体 / 層状半導体 / 擬二次元超格子 / GaSe / 複合欠陥モデル / Si低温エピタキシャル成長 / 陽電子消滅法 / 超高濃度ドーピング / 水銀増感光CVD法 … もっと見る研究代表者以外 III-V族化合物半導体 / InAs / 原子間力顕微鏡 / ナノ加工 / ZnO / ZnSe / GaAs / 太陽電池 / 曲げ応力 / 素子剥離技術 / フレキシブル太陽電池 / 擬単結晶 / ヤング率 / 両面受光太陽電池 / エピタキシャル成長 / 格子歪 / カルコゲナイド / 剥離技術 / 軽量型太陽電池 / MoSe2 / 化合物太陽電池 / Quantum dots / AFM oxidation / 単一電子デバイス / ヒ化インジウム / 量子ドット / AFM陽極酸化法 / atomic force microscope / nanofabrication / single hole transistors / III-V compound semiconductors / ガリウム・ヒ素 / 単一正孔トランジスタ / ヒ化ガリウム / Low temperature Epitaxy / Hot Wire Cell method / ab-initio calculation / SiGeC / シリコン・ゲルマニウム・カーボン / IV族多元系混晶 / 低温エピタキシャル成長 / ホットワイヤーセル法 / 第一原理計算 / SiGeC混晶 / photo-ALD / ALD / photo-MOCVD / MOCVD / Solar Cell / Transparent conductive Oxide / D_2O / 太陽電子用透明導電膜 / 太陽電池用透明導電膜 / 光ALD法 / ALD法 / 光MOCVD法 / MOCVD法 / 透明導電膜 / nitrogen doping / molecular beam epitaxy / II-VI compound semiconductors / 触媒 / 窒素ド-ピング / 分子線エピタキシ- / セレン化亜鉛 / II-VI族化合物半導体 / Optical anisotropy / Vacancy ordering / Defect zincblende structure / Gallium selenide / III-VI compound semiconductors / 層状構造 / 光学的異方性 / 空孔の規則配列 / 欠損性閃亜鉛鉱構造 / ガリウムセレン / III-VI族化合物半導体 / Heterojunction bipolar transistor / Heavy doping / Trimethylgallium / MOMBE / ヘテロ接合バイポ-ラトランジスタ / 高濃度ド-ピング / トリメチルガリウム / MOMBE法 / ガリウムひ素 / シリコン太陽電池 / ヘテロ接合 / 太陽光発電 / 超伝導 / 窒化インジウム隠す

擬単結晶化合物発電層の創製および高靭性を有す太陽電池設計と曲げ特性の理解
- 研究代表者
  
  西村昂人
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東京工業大学
レジリエント社会構築のための高効率タンデム太陽電池の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  山田明
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  東京工業大学
Ｓｉ量子ナノワイヤーを用いた革新的太陽電池の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  山田明
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2013
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
ナノ粒子を用いた高効率カルコパイライト系太陽電池の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  山田明
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
固定電荷制御による新型シリコンヘテロ接合太陽電池の研究
- 研究代表者
  
  小長井誠
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
カーボンナノチューブの配向制御と自己整合型トランジスタへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  山田明
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
歪Si_<1-y>C_yを用いた高移動度トランジスタの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  山田明
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
AFM陽極酸化法によるInAs量子ドット位置制御法の開発およびSETへの応用
- 研究代表者
  
  小長井誠
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
高抵抗ZnOをバッファ層に用いた高効率Cu(InGa)Se_2薄膜太陽電池の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  山田明
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
歪みSiを用いたキャリアの高移動度化に関する基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  山田明
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
Si-Ge-Cのエピタキシャル成長とバンド不連続制御
- 研究代表者
  
  小長井誠
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
メタリックp形GaAsのナノ加工技術開発と単一正孔トランジスタへの展開
- 研究代表者
  
  小長井誠
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
高電子濃度窒化インジウム薄膜の極低温電気伝導機構に関する研究
- 研究代表者
  
  小長井誠
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
原子層成長法による超均一・低抵抗ZnO薄膜の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  山田明
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
超高濃度ドープ半導体を用いた超伝導体-半導体-超伝導体接合に関する基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  山田明
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
遷移金属の触媒効果を用いたZnSeへのNド-ピングに関する研究
- 研究代表者
  
  小長井誠
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
光MOCVD法による配向制御ZnO透明導電膜の開発
- 研究代表者
  
  高橋清
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  帝京科学大学
   東京工業大学
層状構造III-VI族化合物半導体超格子に関する基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  山田明
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
水素ラジカル制御によるSiへの超高濃度ドーピングに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  山田明
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
III-VI族化合物半導体における空孔の配列制御と光学的異方性
- 研究代表者
  
  小長井誠
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京工業大学
メタリックp形ベ-ス・ヘテロ接合バイポ-ラトランジスタの研究
- 研究代表者
  
  小長井誠
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1990
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東京工業大学

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すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Growth of Zn‐Ge‐O Thin‐Film as a Transparent Conductive Oxide Buffer Material for Chalcopyrite Solar Cell2022
- 著者名/発表者名
  Egyna Dwinanri、Ito Satoru、Nishimura Takahito、Yamada Akira
- 雑誌名
  
  Crystal Research and Technology
  
  巻: 58 号: 2 ページ: 2200145-2200145
- DOI
  10.1002/crat.202200145
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02636
[雑誌論文] Improvement of carrier diffusion length in silicon nanowire arrays using atomic layer deposition2013
- 著者名/発表者名
  S. Kato, Y. Kurokawa, S. Miyajima, Y. Watanabe, A. Yamada, Y. Ohta, Y. Niwa, M. Hirota
- 雑誌名
  
  Nanoscale Research Letters
  
  巻: 8 ページ: 361-368
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[雑誌論文] Optical assessment of silicon nanowire arrays fabricated by metal-assisted chemical etching2013
- 著者名/発表者名
  S. Kato, Y. Kurokawa, Y. Watanabe, Y. Yamada, A. Yamada, Y. Ohta, Y. Niwa, Hirota
- 雑誌名
  
  Nanoscale Research Letters
  
  巻: 8 ページ: 216-221
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[雑誌論文] Metal-Assisted Chemical Etching Using Silica Nan particle for the Fabrication of a Silicon Nan wire Array2012
- 著者名/発表者名
  Shinya Kato, Yuya Watanabe, Yasuyoshi Kurokawa, Akira Yamada, Yoshimi Ohta, Yusuke Niwa, and Masaki Hirota
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIEDPHYSICS
  
  巻: 51 号: 2S ページ: 02BP09-02BP09
- DOI
  10.1143/jjap.51.02bp09
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22860022, KAKENHI-PROJECT-24656203
[雑誌論文] Effect of the Quantum Size Effect on the Performance of Solar Cells with a Silicon Nanowire Array Embedded in SiO22012
- 著者名/発表者名
  Y . Kurokawa, S. Kato, Y. Watanabe, A. Yamada, M. Konagai, Y. Ohta, Y. Niwa, Hirota
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
  
  巻: 1439
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[雑誌論文] Effect of the Quantum Size Effect on the Performance of Solar Cells with a Silicon Nanowire Array Embedded in SiO22012
- 著者名/発表者名
  Yasuyoshi Kurokawa, Shinya Kato, Yuya Watanabe, Akira Yamada, Makoto Konagai, Yoshimi Ohta, Yusuke Niwa, Masaki Hirota
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
  
  巻: 1439 ページ: 145-150
- DOI
  10.1557/opl.2012.1154
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[雑誌論文] Numerical Approach to the Investigation of Performance of Silicon Nanowire Solar Cells Embedded in a SiO2 Matrix2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kurokawa, S. Kato, Y. Watanabe, A. Yamada, M. Konagai, Y. Ohta, Y. Niwa, and M. Hirota
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51
- NAID
  210000141635
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[雑誌論文] Metal-Assisted Chemical Etching using Silica Nanoparticle for the Fabrication of a Silicon Nanowire Array2012
- 著者名/発表者名
  S. Kato, Y. Watanabe, Y. Kurokawa, A. Yamada, Y. Ohta, Y. Niwa, M. Hirota
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51
- NAID
  210000140310
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[雑誌論文] Improvement of Film Quality in CuInSe2 Thin Films Fabricated by a Non-Vacuum2011
- 著者名/発表者名
  Y. Zhang, M. Ito, T. Tamura, A. Yamada, and M. Konagai
- 雑誌名
  
  Nanoparticle-Based Approach, Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 50 号: 4S ページ: 04DP12-04DP12
- DOI
  10.1143/jjap.50.04dp12
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360006
[雑誌論文] High Quality Aluminum Oxide Passivation Layer for Crystalline Silicon Solar Cells Deposited by Parallel-Plate Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition2010
- 著者名/発表者名
  Shinsuke Miyajima, Junpei Irikawa, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 3
  
  ページ: 12301-12301
- NAID
  10027012931
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[雑誌論文] Optimization of p-Type Hydrogenated Microcrystalline Silicon Oxide Window Layer for High-Efficiency Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells2009
- 著者名/発表者名
  Jaran Sritharathikhun, Fangdan Jiang, Shinsuke Miyajima, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
  
  ページ: 101603-101603
- NAID
  40016796042
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[雑誌論文] Fabrication of heterojunction solar cells by using microcrystalline hydrogenated silicon oxide film as an emitter2008
- 著者名/発表者名
  Chandan Banerjee, Jaran Sritharathikhun, Akira Yamada, Makoto Konagal
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D- Applied Physics 41
  
  ページ: 185-107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[雑誌論文] Boron-doped Microcrystalline Silicon Oxide Film for Use as Back Surface Field in Cast Polycrystalline Silicon Solar Cells2008
- 著者名/発表者名
  Amornrat Limmanee, Tsutomu Sugiura, Hiroshi Yamamoto, Takehiko Sato, Shinsuke Miyajima, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 47,12
  
  ページ: 8796-8798
- NAID
  40016389605
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[雑誌論文] Optimization of Amorphous Silicon Oxide Buffer Layer for High-Efficiency p-Type Hydrogenated Microcrystalline Silicon Oxide/n-Type Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells2008
- 著者名/発表者名
  Jaran Sritharathikhun, Hiroshi Yamamoto, Shinsuke Miyajima, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 47
  
  ページ: 8452-8455
- NAID
  40016346968
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[雑誌論文] Fabrication of heterojunction solar cells by using microcrystalline hydrogenated silicon oxide film as an emitter2008
- 著者名/発表者名
  Chandan Banerjee, Jaran Sritharathikhun, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 雑誌名
  
  Journal of Physics DApplied Physics 41(18)
  
  ページ: 185107-185107
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[雑誌論文] Effect of Plasma Power on Structure of Hydrogenated Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide Films Deposited by Very High Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition at a Low Substrate Temperature2008
- 著者名/発表者名
  Shinsuke Miyajima, Makoto Sawamura, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.47,No.5
  
  ページ: 3368-3371
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[雑誌論文] Properties of N-type Hydrogenated Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide Films Deposited by VHF-PECVD at a Low Substrate Temperature2008
- 著者名/発表者名
  Shinsuke Miyajima, Makoto Sawamura, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 雑誌名
  
  Journal of Non-Crystalline Solids 354,19-25
  
  ページ: 2350-2354
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[雑誌論文] Effects of Hydrogen Dilution Ratio on Properties of Hydrogenated Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide Films Deposited by Very High-Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition2007
- 著者名/発表者名
  S. Miyajima, M. Sawamura, A. Yamada, and M. Konagai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
- NAID
  40015511990
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[雑誌論文] Characterization of Undoped, N-and P-Type Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Carbide Films Deposited by Hot-Wire Chemical Vapor Depositi on at Low Temperatures2007
- 著者名/発表者名
  S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 1415-1426
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of Strained Si_<1-y>C_y n-MOSFETs Grown by Hot Wire Cell Method2006
- 著者名/発表者名
  H.Ishihara, T.Watahiki, A.Yamada, M.Konagai
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 329-332
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360185
[雑誌論文] Growth of Strain Relaxed Si_<1-y>C_y on Si Buffer Layer by Gas-Source MBE2006
- 著者名/発表者名
  H.Ishihara, M.Murano, T.Watahiki, Y.Nakamura, A.Yamada, M.Konagai
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 99-102
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360185
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of Strained Si_1-yC_y n-MOSFETs Grown by Hot Wire Cell Method2006
- 著者名/発表者名
  Hanae Ishihara, Tatsuro Watahiki, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 329-332
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360185
[雑誌論文] Growth of Strain Relaxed Si_1-yC_y on Si Buffer Layer by Gas-Source MBE2006
- 著者名/発表者名
  H.Ishihara, M.Murano, T.Watahiki, Y.Nakamura, A.Yamada, M.Konagai
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 99-102
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360185
[雑誌論文] Substitutional C Incorporation into Si_<1-y>C_y Alloys Using Novel Carbon Source, 1,3-Disilabutane2004
- 著者名/発表者名
  S.Yagi, K.Abe, A.Yamada, M.Konagai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43,7A
  
  ページ: 4153-4154
- NAID
  10013317044
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360185
[雑誌論文] Characterization and Device Application of Tensile-Strained Si_<1-y>C_y Layers Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  K.Abe, C.Yabe, T.Watahiki, A.Yamada, M.Konagai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43,7A
  
  ページ: 3281-3284
- NAID
  10013154204
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360185
[雑誌論文] Substitutional C Incorporation into Si_1-yC_y Alloys Using Novel Carbon Source, 1,3-Disilabutane2004
- 著者名/発表者名
  Shuhei YAGI, Katsuya ABE, Akira YAMADA, Makoto KONAGAI
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 43,7A
  
  ページ: 4153-4154
- NAID
  10013317044
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360185
[雑誌論文] Characterization and Device Application of Tensile-Strained Si_1-yC_y Layers Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  Katsuya ABE, Chiaki YABE, Tatsuro WATAHIKI, Akira YAMADAl, Makoto KONAGAI
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 43,7A
  
  ページ: 3281-3284
- NAID
  10013154204
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360185
[雑誌論文] Characterization and Comparison of Strained Si_1-yC_y Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy and Hot Wire Cell Method2004
- 著者名/発表者名
  Tatsuro WATAHIKI, Hanae ISHIHARA, Katsuya ABE, Akira YAMADA, Makoto KONAGAI
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43,4B
  
  ページ: 1882-1885
- NAID
  10012948787
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360185
[雑誌論文] Characterization and Comparison of Strained Si_<1-y>C_y Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy and Hot Wire Cell Method2004
- 著者名/発表者名
  T.Watahiki, H.Ishihara, K.Abe, Yamada, M.Konagai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43,4B
  
  ページ: 1882-1885
- NAID
  10012948787
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360185
[雑誌論文] Growth of Strain Relaxed Si_<1-y>C_y on Si Buffer Layer by Gas-Source MBE
- 著者名/発表者名
  H.Ishihara, M.Murano, T.Watahiki, Y.Nakamura, A.Yamada, M.Konagai
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360185
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of Strained Si_<1-y>C_y n-MOSFETs Grown by Hot Wire Cell Method
- 著者名/発表者名
  Hanae Ishihara, Tatsuro Watahiki, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360185
[産業財産権] 化合物半導体薄膜作製用インク、そのインクを用いて得た化合物半導体薄膜、その化合物半導体薄膜を備える太陽電池、およびその太陽電池の製造方法2011
- 発明者名
  張毅聞、山田明
- 権利者名
  凸版印刷、東工大
- 出願年月日
  2011-08-12
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360006
[産業財産権] 化合物半導体薄膜作製用インク、そのインクを用いて得た化合物半導体薄膜、その化合物半導体薄膜を備える太陽電池、およびその太陽電池の製造方法2011
- 発明者名
  張毅聞、山田明
- 権利者名
  凸版印刷、東工大
- 出願年月日
  2011-08-12
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360006
[産業財産権] 化合物半導体薄膜作製用インク、そのインクを用いて得た化合物半導体薄膜、その化合物半導体薄膜を備える太陽電池、及びその太陽電池の製造方法2010
- 発明者名
  張毅聞、山田明
- 権利者名
  凸版印刷、東工大
- 産業財産権番号
  2010-182529
- 出願年月日
  2010-08-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360006
[産業財産権] 化合物半導体薄膜太陽電池及びその製造方法2010
- 発明者名
  張毅聞、山田明
- 権利者名
  凸版印刷、東工大
- 産業財産権番号
  2010-291278
- 出願年月日
  2010-12-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360006
[学会発表] 硫黄粉末を用いた硫化法によるCu(In,Ga)S2の作製2022
- 著者名/発表者名
  柴田智樹, 鈴木陽太, 西村昂人, 山田明
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02636
[学会発表] Optimum Back Junction utilizing P-Type MoSe2:Nb Layer for Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells2022
- 著者名/発表者名
  Takahito Nishimura and Akira Yamada
- 学会等名
  33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22801
[学会発表] 粉末硫黄を用いた硫化法によるCuInS2の作製2022
- 著者名/発表者名
  鈴木陽太、Egyna Dwinanri、山田明
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02636
[学会発表] The Advantage of Low Electron Affinity Materials as the Window Layer of Buffer-free CIGS2 Solar Cells2021
- 著者名/発表者名
  Dwinanri Egyna, Kazuyoshi Nakada, Akira Yamada
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02636
[学会発表] The Importance of Low Electron Affinity Materials as the n-type Layers of Cu(In, Ga)S2 Solar Cell Design2021
- 著者名/発表者名
  Dwinanri Egyna, Kazuyoshi Nakada, Akira Yamada
- 学会等名
  48th IEEE Photovoltaic Specialists (IEEE-PVSC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02636
[学会発表] Evaluation of effective silicon nanowire arrays2013
- 著者名/発表者名
  Y. Yamada, Y. Kurokawa, S. Kato, A. Yamada
- 学会等名
  23^<rd> International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- 年月日
  2013-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[学会発表] シリコンナノワイヤ太陽電池応用に向けた表面パッシベーション材料の探索2013
- 著者名/発表者名
  山田康晴, 加藤慎也, 黒川康良, 山田明,太田最実, 丹羽勇介, 廣田正樹
- 学会等名
  第10回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
- 発表場所
  金沢,日本
- 年月日
  2013-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[学会発表] Optical properties of silicon nanowire arrays themselves prepared with metal assisted chemical etching2012
- 著者名/発表者名
  Y. Watanabe, S. Kato, Y. Kurokawa, A. Yamada, O. Yoshimi, Y. Niwa
- 学会等名
  22nd International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 発表場所
  Hangzhou, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[学会発表] シリコンナノワイヤアレイへのパッシベーション膜の作製と評価2012
- 著者名/発表者名
  加藤慎也, 渡邊裕也, 黒川康良, 山田明,太田最実, 丹羽勇介, 廣田正樹
- 学会等名
  東北大学金属材料研究所ワークショップ
- 発表場所
  仙台, 日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[学会発表] Atomic Layer Deposition (ALD)を用いたシリコンナノワイヤアレイのパッシベーション膜の作製2012
- 著者名/発表者名
  加藤慎也, 渡邊裕也, 黒川康良, 山田明, 太田最実, 丹羽勇介, 廣田正樹
- 学会等名
  第9回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
- 発表場所
  京都, 日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[学会発表] Atomic Layer Deposition (ALD)を用いたシリコンナノワイヤアレイのパッシベーション膜の作製2012
- 著者名/発表者名
  加藤慎也, 渡邊裕也, 黒川康良, 山田明, 太田最実, 丹羽勇介, 廣田正樹
- 学会等名
  第９回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[学会発表] 酸化シリコンに埋め込まれたシリコンナノワイヤアレイ太陽電池の量子サイズ効果による特性変化解析2012
- 著者名/発表者名
  黒川康良, 加藤慎也, 渡邊裕也, 山田明, 太田最実, 丹羽勇介, 廣田正樹
- 学会等名
  第9回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
- 発表場所
  京都, 日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[学会発表] Influence of surface recombination on the performance of SiNW solar cells and the preparation of a passivation film2012
- 著者名/発表者名
  S. Kato, Y. Watanabe, Y. Kurokawa, A. Yamada, Y. Ohta, Y. Niwa, M. Hirota
- 学会等名
  Materials Research Society Symposium Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[学会発表] シリコンナノワイヤアレイへのパッシベーション膜の作製と評価2012
- 著者名/発表者名
  加藤慎也, 渡邊裕也, 黒川康良, 山田明, 太田最実, 丹羽勇介, 廣田正樹
- 学会等名
  東北大学金属材料研究所ワークショップ
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[学会発表] 酸化シリコンに埋め込まれたシリコンナノワイヤアレイ太陽電池の量子サイズ効果による特性変化解析2012
- 著者名/発表者名
  黒川康良, 加藤慎也, 渡邊裕也, 山田明, 太田最実, 丹羽勇介, 廣田正樹
- 学会等名
  第９回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[学会発表] Effect of the Quantum Size Effect on the Performance of Solar Cells with a Silicon Nanowire Array Embedded in SiO22012
- 著者名/発表者名
  Y. Kurokawa, S. Kato, Y. Watanabe, A. Yamada, M. Konagai, Y. Ohta, Y. Niwa, M. Hirota
- 学会等名
  Materials Research Society Symposium Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[学会発表] Improvement of Film Quality in CIS Thin Films Fabricated by Nonvacuum, Nanoparticles- based Approach2010
- 著者名/発表者名
  Y.Zhang, M.Ito, A.Yamada, M.Konagai
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  東京、日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360006
[学会発表] Improvement of Film Quality in CIS Thin Films Fabricated by Non-vacuum2010
- 著者名/発表者名
  Y. Zhang, M. Ito, A. Yamada and M. Konagai
- 学会等名
  Nanoparticles-based Approach, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  東京、日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360006
[学会発表] SILICON HETEROJUNCTION SOLAR CELLS WITH A HYDROGENATED AMORPHOUS ALUMINUM OXIDE REAR SURFACE PASSIVATION LAYER2009
- 著者名/発表者名
  Junpei Irikawa, Shinsuke Miyajima, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 学会等名
  18th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition
- 発表場所
  Science City Convention Center, Kollata, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[学会発表] Properties of heterojunction crystalline silicon solar cells with a hydrogenated nanocrystalline cubic silicon carbide window layer2009
- 著者名/発表者名
  Shinsuke Miyajima, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 学会等名
  18^<th> International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition
- 発表場所
  Science City Convention Center, Kollata, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[学会発表] OPTIMIZATION OF CONTACT HOLE FORMATION PROCESS BY REACTIVE ION ETCHING FOR CUBIC SILICON CARBIDE/SILICON HETEROJUNCTION SOLAR CELLS WITH HYDROGENATED AMOURPHOUS ALUMINUM OXIDE REAR SURFACE PASSIVATIONLAYER2009
- 著者名/発表者名
  Junpei Irikawa, Shinsuke Miyajima, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 学会等名
  24th European Photovoltaic solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  Hambury
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[学会発表] Properties of Heterojunction crystalline silicon solar cells with A hydrogenated nanocrystalline Cubic silicon carbide window layer2009
- 著者名/発表者名
  Shinsuke Miyajima, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 学会等名
  18^<th> International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition
- 発表場所
  Kollata, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[学会発表] HIGH QUALITY i-a-SiO : H BUFFER LAYER FOR HIGH EFFICIENCY p-μc-SiO : H/N-c-Si HETEROJUNCTION SOLAR CELLS2009
- 著者名/発表者名
  Junpei Irikawa, Shinsuke Miyajima, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 学会等名
  18^<th> International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition
- 発表場所
  Science City Convention Center, Kollata, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[学会発表] Heterojunction crystalline silicon solar cells with a-Si_<1-x>O_x : H or nc-3C-SiC : H emitter2009
- 著者名/発表者名
  S.Miyajima, J.Sritharathikhun, A.Yamada, Makoto Konagai
- 学会等名
  5^<th> Workshop on the Future Direction of Photovoltaics
- 発表場所
  Aogaku Kaikan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[学会発表] HIGH QUALITY i-a-SiO : H BUFFER LAYER FOR HIGH EFFICIENCYP-μC-SiO : H/N-C-SI HETEROJUNCTION SOLAR CELLS2009
- 著者名/発表者名
  Jaran Sritharathikhun, ShinsukeMiyajima, Akira Yamada, MakotoKonagai
- 学会等名
  18^<th> International Photovoltaic Science and EngineeringConference and Exhibition
- 発表場所
  Kollata, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[学会発表] Low-Temperature Deposited Hydrogenated Silicon Oxide Films and Their Applications to Silicon Heterojunction Solar Cells2008
- 著者名/発表者名
  Jaran Sritharathikhun, Hiroshi Yamamoto, Shinsuke Miyajima, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 学会等名
  Renewable Energy 2008 (RE2008)
- 発表場所
  Busan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[学会発表] Hydrogenated Aluminum Oxide Films Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition for Passivation of p-type Crystalline Silicon2008
- 著者名/発表者名
  Shinsuke Miyajima, Junpei Irikawa, Akira Yamada, Makoto Konagai
- 学会等名
  23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC)
- 発表場所
  Valencia, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[学会発表] Hydrogenated Aluminum Oxide Films Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition for Passivation of p-type Crystalline Silicon2008
- 著者名/発表者名
  Shinsuke Miyajima, Junpei Irikawa, Akira Yamada^*, Makoto Konagai
- 学会等名
  23^<rd> European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  Valencia, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[学会発表] Low-Temperature Deposited Hydrogenated Silicon Oxide Films and Their Applications to Silicon Heteroj unction Solar Cells2008
- 著者名/発表者名
  Jaran Sritharathikhun, HiroshiYamamoto, Shinsuke Miyajima。Akira Yamada, Makoto Konagai
- 学会等名
  Renewable Energy 2008
- 発表場所
  Busan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[学会発表] HETEROJUNCTION CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS WITH AWIDEGAP HYDROGENATED NANOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE WINDOW LAYER DEPOSITED BY VHF-PECVD2007
- 著者名/発表者名
  S. Miyajima, A. Yamada and M. Konagai
- 学会等名
  17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[学会発表] FABRICATION OF N-AND P-TYPE HETEROJUNCTION SOLAR CELLSBY USING HYDROGENATED MICROCRYSTALLINE SILICON OXIDE FILM AS AN EMITTER2007
- 著者名/発表者名
  J. Sritharathikhun, A. Yamada and M. Konagai
- 学会等名
  17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206001
[学会発表] Evaluation of effective lifetime of silicon nanowire arrays
- 著者名/発表者名
  Yasuharu Yamada, Yasuyoshi Kurokawa, Shinya Kato, Akira Yamada
- 学会等名
  23rd International Photovoltaic Science & Engineering Conference (PVSEC-23)
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203
[学会発表] シリコンナノワイヤ太陽電池応用に向けた表面パッシベーション材料の探索
- 著者名/発表者名
  山田康晴, 加藤慎也, 黒川康良, 山田明, 太田最実, 丹羽勇介, 廣田正樹
- 学会等名
  学振175委員会第１０回次世代の太陽光発電システムシンポジウム
- 発表場所
  石川県立音楽堂, 金沢
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656203

1. 小長井誠 (40111653)

共同の研究課題数: 9件

共同の研究成果数: 22件
2. 岡本保 (80233378)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 0件
3. 宮島晋介 (90422526)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 20件
4. 阿部克也 (70334498)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 黒川康良 (00588527)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
6. 高橋清 (10016313)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 斉藤幸喜 (60225703)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 松澤剛雄 (00229460)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 木村龍平 (80161587)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 中田和吉 (70783223)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
11. 西村昂人 (80822840)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
12. 久野恭平 (30822845)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 峯元高志 (80373091)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 櫛屋勝巳

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 西村啓道

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 白樫淳一

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

山田 明 Yamada Akira

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

レジリエント社会構築のための高効率タンデム太陽電池の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Ｓｉ量子ナノワイヤーを用いた革新的太陽電池の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノ粒子を用いた高効率カルコパイライト系太陽電池の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

カーボンナノチューブの配向制御と自己整合型トランジスタへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

歪Si_<1-y>C_yを用いた高移動度トランジスタの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高抵抗ZnOをバッファ層に用いた高効率Cu(InGa)Se_2薄膜太陽電池の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

歪みSiを用いたキャリアの高移動度化に関する基礎研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原子層成長法による超均一・低抵抗ZnO薄膜の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

山田明 Yamada Akira