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名西 やす之  NANISHI YASUSHI

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

名西 憓之  NANISHI Yasushi

名西 慱之  ナニシ ヤスシ

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研究者番号 40268157
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2016年度 – 2018年度: 立命館大学, 理工学部, 授業担当講師
2015年度: 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 教授
2014年度: 立命館大学, 立命館グローバルイノベーション研究機構, 教授
2011年度 – 2012年度: 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 教授
2006年度 – 2011年度: 立命館大学, 理工学部, 教授 … もっと見る
2006年度 – 2009年度: 立命館大, 理工学部, 教授
2001年度 – 2004年度: 立命館大学, 理工学部, 教授
1995年度 – 1997年度: 立命館大学, 理工学部, 教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 理工系
研究代表者以外
結晶工学
キーワード
研究代表者
InN / InGaN / RF-MBE / 窒化インジウム / 窒化物半導体 / GaN / MBE / 窒化インジウムガリウム / p型ドーピング / 分子線エピタキシー法 … もっと見る / InAlN / HFET / ECR-MBE / リーク電流 / 転位 / 極微領域評価 / 混晶組成 / 極性 / ヘテロ構造 / MIS構造 / バンドギャップ / 結晶成長 / p形ドーピング / DERI法 / ナノ構造 / 極微構造 / 非混和 / 非混和性 / グラフィン / crystal growth / quantum well / heterostructure / bandqap / Full Band Monte Carlo Simulation / 二次元電子ガス / AlGaN / 低温中間層 / 窒化 / 最大ドリフト速度 / モンテカルロシミュレーション / ヘテロ接合 / AlNバッファ / Si基板 / バンドギャツプ / 貫通転位 / 量子井戸構造 / 臨界膜厚 / 量子井戸 / cubic / Radical / lon / Low temperature Growth / Optical emission spectroscopy / Blue Laser / 原子レベル制御 / 立方晶 / 窒化ガリウム / ラジカル / イオン / 低温成長 / プラズマ発光分析 / 青色レーザ / 不活性化 / X線光電子分光法 / ケルビン力顕微鏡 / ショットキー電極 / オーミック電極 / KOH / ウェットエッチング / ドライエッチング / DERI / 結晶性 / キャリア濃度 / 窒素ラジカル / オーミックコンタクト / インターミキシング / ヘテロ界面 / 分子線エピタキシー / エピタキシャル成長 / 窒化アルミニウム / 発光デバイス / 赤外 / 紫外 / 半導体物性 / 光デバイス / 無極性 / ナノコラム / 多重量子井戸 / 光反射率 / ラジカルビーム / RHEED / その場観察 / 分子線エビタキシー法 / Seebeck係数 / サーモパワー … もっと見る
研究代表者以外
窒素プラズマ / 格子欠陥 / エピタキシャル / 電子顕微鏡 / エピタキシャル成長 / ゼーベック係数 / MBE / p型 / MBE成長 / 窒化物半導体 / 透過電子顕微鏡 / 熱電変換 / プラズマ / 転位 / 結晶成長 / 分子線エピタキシー / 窒化インジウム 隠す
  • 研究課題

    (10件)
  • 研究成果

    (806件)
  • 共同研究者

    (26人)
  •  熱電変換素子応用のための窒化インジウム系半導体の潜在能力開拓

    • 研究代表者
      荒木 努
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      立命館大学
  •  非混和性を利用したInN、InGaNの原子レベルの構造制御とデバイス化基盤の構築研究代表者

    • 研究代表者
      名西 やす之
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      立命館大学
  •  InGaNの非混和性を積極的に利用したDERI法による転位の不活性化研究代表者

    • 研究代表者
      名西 やす之
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      立命館大学
  •  InNおよび関連混晶によるヘテロ・ナノ構造・物性の制御とバンドエンジニアリング研究代表者

    • 研究代表者
      名西 憓之 (名西 やす之)
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      立命館大学
  •  RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成研究代表者

    • 研究代表者
      名西 やす之
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      立命館大学
  •  窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-研究代表者

    • 研究代表者
      名西 やす之
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2011
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      立命館大学
  •  InNおよび関連混晶の高度化RF-MBE成長技術の開発と電子・光物性制御の研究研究代表者

    • 研究代表者
      名西 やす之
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      立命館大学
  •  窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-領域代表者

    • 領域代表者
      名西 やす之
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 研究機関
      立命館大学
  •  InN、GaNおよびその混晶によるヘテロ構造の作製とHFETへの応用に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      名西 やす之
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      立命館大学
  •  ECR-MBE法によるGaN系混晶の成長と青色レーザ作成のための基礎的研究研究代表者

    • 研究代表者
      名西 やす之 (名西 慱之)
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      立命館大学

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] Chapter 1-Molecular-beam epitaxy of InN, Editors : T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff, CRC Press/Taylor and Francis(in press)2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki and T. Yamaguchi
    • 出版者
      Indium Nitride and Related Alloys
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [図書] Chapter: 1 - Molecular-beam epitaxy of InN in Indium Nitride and Related Alloys2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki and T. Yamaguchi (Editors: T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [図書] Chapter : 1-Molecular-beam epitaxy of InN in Indium Nitride and Related Alloys (Editors : T.D.Veal, C.F.McConville, and W.J.Schaff)2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Araki, T.Yamaguchi
    • 総ページ数
      50
    • 出版者
      CRC
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [図書] "Indium Nitride and Related Alloys" Chapter I Molecular-Beam Epitaxy of InN(edited by T.D.Veal, C.F.McConville, and W.J.Schaff)2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Araki, T.Yamaguchi
    • 出版者
      CRC
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [図書] Chapter: 1 - Molecular-beam epitaxy of InN in Indium Nitride and Related Alloys (Editors: T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff)2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Arakiand T. Yamaguchi
    • 出版者
      CRC
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [図書] Vacuum Science and Technology ; Nitrides as seen by technology2002

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, Y.Saito, T.Yamaguchi
    • 総ページ数
      20
    • 出版者
      Research Signpost
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Enhancement of InN Luminescence by Introduction of Graphene Interlayer2019

    • 著者名/発表者名
      Darius Dobrovolskas, Shingo Arakawa, Shinichiro Mouri, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi, Juras Mickevicius and Gintautas Tamulaitis
    • 雑誌名

      Nanomaterials

      巻: 3 号: 3 ページ: 417-417

    • DOI

      10.3390/nano9030417

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21727, KAKENHI-ORGANIZER-15H05866, KAKENHI-PUBLICLY-18H04294, KAKENHI-PROJECT-15H03559, KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [雑誌論文] Surface and Bulk Electronic Structures of Unintentionally and Mg Doped In0.7Ga0.3N Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, H. Takeda, T. Nagata, R. G. Banal, H. Yoshikawa, A. Yang, Y. Yamashita, K. Kobayashi, Y. Koide, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 123 号: 9 ページ: 095701-1

    • DOI

      10.1063/1.5016574

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559, KAKENHI-PLANNED-16H06419, KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [雑誌論文] Threading Dislocation Reduction in InN Grown with in Situ Surface Modification by Radical Beam Irradiation2018

    • 著者名/発表者名
      F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 3 ページ: 035502-035502

    • DOI

      10.7567/jjap.57.035502

    • NAID

      210000148718

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559, KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [雑誌論文] Reduction of Threading Dislocation Density in InN Film Grown with in situ Surface Modification by Radio-frequency Plasma-excited Molecular Beam Epitaxy2018

    • 著者名/発表者名
      F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      MRS Advances

      巻: 3 号: 18 ページ: 931-936

    • DOI

      10.1557/adv.2018.218

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860, KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [雑誌論文] Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-doped InN Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2017

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, R. G. Banal, H. Yoshikawa, A. Yang, Y. Yamashita, K. Kobayashi, Y. Koide, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 121 号: 9 ページ: 095703-095703

    • DOI

      10.1063/1.4977201

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559, KAKENHI-PROJECT-26600090, KAKENHI-PROJECT-16K06330, KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [雑誌論文] Measurement of the Properties of GaN Layers Using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry2017

    • 著者名/発表者名
      K. Tachi, S. Asagami, T. Fujii, T. Nagashima, T. Iwamoto, Y. Sato, N. Morita, R. Sugie, S. Kamiyama, T. Araki and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (b)

      巻: 254 号: 8 ページ: 1600767-1600767

    • DOI

      10.1002/pssb.201600767

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559, KAKENHI-PROJECT-17K05086
  • [雑誌論文] Influence of Defects and Indium Distribution on Emission Properties of Thick In-Rich InGaN Layers Grown by the DERI Technique2017

    • 著者名/発表者名
      D. Dobrovolskas, J. Mickevicius, S. Nargelas, A. Vaitkevicius, Y. Nanishi, T. Araki, G. Tamulaitis
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology

      巻: 32 号: 2 ページ: 025012-025012

    • DOI

      10.1088/1361-6641/32/2/025012

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559, KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [雑誌論文] Microstructure and Thermal Stability of Rf-Plasma-Nitridated α-(AlGa)2O3 Grown by Mist CVD2017

    • 著者名/発表者名
      A. Buma, N. Masuda, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, T. Hitora
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (b)

      巻: 254 号: 8

    • DOI

      10.1002/pssb.201600768

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [雑誌論文] Optical properties of Ga<sub>0.82</sub>In<sub>0.18</sub>N <i>p</i>-<i>n</i> homojunction blue-green light-emitting-diode grown by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, K. Narutani, S. Fujioka, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi, L. Sang, M. Sumiya and T. Honda
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan

      巻: 40 号: 2 ページ: 149-152

    • DOI

      10.14723/tmrsj.40.149

    • NAID

      130005089534

    • ISSN
      1382-3469, 2188-1650
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090, KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [雑誌論文] InN NanoColumns Grown by Molecular Beam Epitaxy and Their Luminescence Properties2015

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Araki, T. Yamaguchi, Y.T. Chen, E. Yoon, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 430 ページ: 93-97

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2015.07.027

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090, KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [雑誌論文] Radio-Frequency Plasma-Excited Molecular Beam Epitaxy Growth of GaN on Graphene/Si(100) Substrates2014

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, S. Uchimura, J. Sakaguchi, Y. Nanishi, T. Fujishima, A. Hsu, K. Kim, T. Palacios,
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 7 号: 7 ページ: 071001-071001

    • DOI

      10.7567/apex.7.071001

    • NAID

      210000137149

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [雑誌論文] Effects of TMSb Overpressure on InSb Surface Morphology for InSb Epitaxial Growth Using Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition2014

    • 著者名/発表者名
      S. Park, J. Jung, C. Seok, K. Shin, S. Park, Y. Nanishi, Y. Park, E. Yoon
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 401 ページ: 518-522

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2013.10.062

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [雑誌論文] Free-Charge Carrier Parameters of N-Type, P-Type and Compensated InN:Mg Determined by Infrared Spectroscopic Ellipsometry2014

    • 著者名/発表者名
      S. Schoche, T. Hofmann, V. Darakchieva, X. Wang, A. Yoshikawa, K. Wang, Y. Nanishi, M. Schubert,
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 571 ページ: 384-388

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2014.01.051

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [雑誌論文] Effect of Mg doping on the structural and free-charge carrier properties of InN films2014

    • 著者名/発表者名
      M.-Y. Xie, N. Ben Sedrine, S. Schöche, T. Hofmann, M. Schubert, L. Hung, B. Monemar, X. Wang, A. Yoshikawa, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi and V. Darakchieva
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys

      巻: 115 号: 16 ページ: 163504-163504

    • DOI

      10.1063/1.4871975

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246056, KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [雑誌論文] P-type InGaN across the entire alloy composition range2013

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Araki, K. M. Yu, T. Katsuki, M. A. Mayer, E. Alarcon-Llado, J. W. Ager, III, W. Walukiewicz and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 102巻 号: 10

    • DOI

      10.1063/1.4795718

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Application of DERI Method to InN/InGaN MQW, Thick InGaN and InGaN/InGaN MQW Structure Growth2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, T. Honda, E. Yoon, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE "Gallium Nitride Materials and Devices VIII

      巻: 8625巻 ページ: 862502-862502

    • DOI

      10.1117/12.2007258

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Investigation of the Near-Surface Structures of Polar InN Films by Chemicalstate-Discriminated Hard X-Ray Photoelectron Diffraction2013

    • 著者名/発表者名
      A. L. Yang, Y. Yamashita, M. Kobata, T. Matsushita, H. Yoshikawa, I. Pis, M. Imura, T. Yamaguchi, O. Sakata, Y. Nanishi, and K. Kobayashi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 102

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Fabrication of Nano-structure of A-plane InN on Patterned A-plane GaN Template by ECR-MBE2012

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, S. Yamashita, T. Yamaguchi, E. Yoon, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 209巻 号: 3 ページ: 447-450

    • DOI

      10.1002/pssa.201100520

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] New Low-Temperature Growth Method for High-Quality Low-Temperature GaN Layer by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      I. -S. Shin, K. Wang, T. Araki, E. Yoon, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5

    • NAID

      10031140432

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Strong Correlation Between Oxygen Donor and Near-Surface Electron Accumulation in Undoped and Mg-Doped In-Polar InN Films2012

    • 著者名/発表者名
      A.Yang, Y.Yamashita, T.Yamaguchi, M.Imura, M.Kaneko, O.Sakata, Y.Nanishi, K.Kobayashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 号: 3 ページ: 031002-031002

    • DOI

      10.1143/apex.5.031002

    • NAID

      10030510922

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004, KAKENHI-PROJECT-23560033
  • [雑誌論文] Surface Acoustic Waves and Elastic Constants of InN Epilayers Determined by Brillouin Scattering2012

    • 著者名/発表者名
      R. J. Jimenez, R. Cusco, N. Domenech-Amador, C. Prieto, T. Yamaguchi, Y. Nanishi, L. Artus
    • 雑誌名

      physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters

      巻: 6 ページ: 256-258

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] MBE法による配列制御InNナノコラム成長2012

    • 著者名/発表者名
      荒木努、山口智広、名西〓之
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 38 ページ: 47-53

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Double Resonance Raman Effects in InN Nanowires2012

    • 著者名/発表者名
      N. Domenech-Amador, R. Cusco, R. Calarco, T. Yamaguchi, Y. Nanishi and L. Artus
    • 雑誌名

      physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters

      巻: 6 ページ: 160-162

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Temperature dependence of Mg-H local vibrational modes in heavily doped InN:Mg2012

    • 著者名/発表者名
      R. Cusco, N. Dome`nech-Amador, L. Artus, K. Wang, T. Yamaguchi, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 50巻

    • NAID

      210000138257

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE photonic West 2011

      巻: 7939 ページ: 793904-793904

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical-Beam Irradiationto InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Ataki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Plays.

      巻: 50

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical -Beam Irradiation to InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, H. Umeda, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 50巻 号: 4S ページ: 04DH08-04DH08

    • DOI

      10.1143/jjap.50.04dh08

    • NAID

      210000070345

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004, KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE photonic West 2011

      巻: 7939 ページ: 793904-793904

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [雑誌論文] Investigation on InN Mole Fraction Fluctuation in InGaN Films Grown by RF-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      T.Kimura, E.Fukumoto, T.Yamaguchi, K.Wang, M.Kaneko, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c)

      巻: 8 号: 5 ページ: 1499-1502

    • DOI

      10.1002/pssc.201001203

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-09F09272, KAKENHI-PROJECT-21246004, KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical-Beam Irradiation to InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 50

    • NAID

      210000070345

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2011

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Yamaguchi, T. Araki, E. Yoon, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 50巻 号: 1S1 ページ: 01AE02-01AE02

    • DOI

      10.1143/jjap.50.01ae02

    • NAID

      210000138257

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical -Beam Irradiation to InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 50巻

    • NAID

      210000070345

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, N.Miller, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, M.A.Mayer, T.Araki, Y.Nanishi, K.M.Yu, E.E.Haller, W.Walukiewicz, J.W.Ager III
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 98

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] High-Pressure Raman Scattering in Wurtzite Indium Nitride2011

    • 著者名/発表者名
      J.Iba~nez, F.J.Manjon, A.Segura, R.Oliva, R.Cusco, R.Vilaplana, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 99 号: 1

    • DOI

      10.1063/1.3609327

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Application of Droplet Elimination Process by Radical-Beam Irradiation to InGaN Growth and Fabrication of InN/InGaN Periodic Structure2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 50

    • NAID

      210000070345

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [雑誌論文] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE photonic West 2011

      巻: 7939 ページ: 793904-793904

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, N. Miller, R. Iwamoto, T. Yamaguchi, M. A. Mayer, T. Araki, Y. Nanishi, K. M. Yu, E. E. Haller, W. Walukiewicz, J. W. Ager III
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 98巻 号: 4

    • DOI

      10.1063/1.3543625

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Raman Scattering Study of Anharmonic Phonon Decay in InN2011

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B.

      巻: 83 号: 24

    • DOI

      10.1103/physrevb.83.245203

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, N.Miller, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, M.A.Mayer, T.Araki, Y.Nanishi, K.M.Yu, E.E.Haller, W.Walukiewicz, J.W.Ager III
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 98

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [雑誌論文] Unintentional Incorporation of Hydrogen in Wurtzite InN with Different Surface Orientations2011

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, M.-Y.Xie, E.Alves, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, W.J.Schaff, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys.

      巻: 110 号: 6

    • DOI

      10.1063/1.3642969

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, N.Miller, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, M.A.Mayer, T.Araki, Y.Nanishi, K.M.Yu, E.E.Haller, W.Walukiewicz, J.W.Ager III
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 98巻

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] PN junction rectification in electrolyte gated Mg-doped InN2011

    • 著者名/発表者名
      E.Alarcon-Llado, M.A.Mayer, B.W.Boudouris, R.A.Segalman, N.Miller, T.Yamaguchi, K.Wang, Y.Nanishi, E.E.Haller, J.W.Ager
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 99 号: 10

    • DOI

      10.1063/1.3634049

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-09F09272, KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Mg Doped InN and Confirmation of Free Holes in InN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, N.Miller, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, M.A.Mayer, T.Araki, Y.Nanishi, K.M.Yu, E.E.Haller, W.Walukiewicz, J.W.Ager III
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 98

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Arakiand Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE photonic West 2011

      巻: 7939巻 ページ: 793904-793904

    • DOI

      10.1117/12.874840

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Electronic Structure of Wurtzite and Rocksalt InN Investigated by Optical Absorption under Hydrostatic Pressure2010

    • 著者名/発表者名
      J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 96

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Structural Anisotropy of Nonpolar and Semipolar InN Epitaxial Layers2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.-Y.Xie, N.Franco, F.Giuliani, B.Nunes, E.Alves, C.L.Hsiao, L.C.Chen, T.Yamaguchi, Y.Takagi, K.Kawashima, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys.

      巻: 108

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, T.Kimura, K.Kawashima, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a)

      巻: 207 ページ: 1356-1360

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, T.Kimura, K.Kawashima, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) (印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Electronic Structure of Wurtzite and Rocksalt InN Investigated by Optical Absorption under Hydrostatic Pressure2010

    • 著者名/発表者名
      J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 96

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, T.Kimura, K.Kawashima, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a)

      巻: 207 ページ: 1356-1360

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2010

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchiand Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat.sol. (a)

      巻: 207巻 号: 1 ページ: 19-23

    • DOI

      10.1002/pssa.200982638

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004, KAKENHI-PROJECT-21760237
  • [雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 50

    • NAID

      210000138257

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Structural Anisotropy of Nonpolar and Semipolar InN Epitaxial Layers2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.-Y.Xie, N.Franco, F.Giuliani, B.Nunes, E.Alues, C.L.Hsiao, L.C.Chen, T.Yamaguchi, Y.Takagi, K.Kawashima, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys.

      巻: 108

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [雑誌論文] Hydrogen in InN : a Ubiquitous Phenomenon in Molecular Beam Epitaxy Grown Material2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, B.Monemar, M.Schubert, N.Franco, C.L Hsiao, L.C.Chen, J.Schaff, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 96

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) 207巻

      ページ: 19-23

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Structural Anisotropy of Nonpolar and Semipolar InN Epitaxial Layers2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.-Y.Xie, N.Franco, F.Giuliani, B.Nunes, E.Alues, C.L.Hsiao, L.C.Chen, T.Yamaguchi, Y.Takagi, K.Kawashima, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys.

      巻: 108

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Yamaguchi, A. Takeda, T. Kimura, K. Kawashima, T. Arakiand Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (a)

      巻: 207巻 号: 6 ページ: 1356-1360

    • DOI

      10.1002/pssa.200983657

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Electronic Structure of Wurtzite and Rocksalt InN Investigated by Optical Absorption under Hydrostatic Pressure2010

    • 著者名/発表者名
      J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 96

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Hydrogen in InN : a Ubiquitous Phenomenon in Molecular Beam Epitaxy Grown Material2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, B.Monemar, M.Schubert, N.Franco, C.L Hsiao, L.C.Chen, J.Schaff, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 96

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010)

      ページ: 92-95

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, T.Kimura, K.Kawashima, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a)

      巻: 207 ページ: 1356-1360

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)

      ページ: 92-95

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Optical Polarization Anisotropy of Nonpolar InN Epilayers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, T.Kimura, K.Kawashima, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) (印刷中(掲載決定))

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)

      ページ: 92-95

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 50

    • NAID

      210000138257

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] In situ Investigation of Growth Mechanism during Molecular Beam Epitaxy of In-Polar InN2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 50

    • NAID

      210000138257

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2(100) Substrate, phys2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      stat. sol (c)6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Indium Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation for Reproducible and High-Quality Growth of InN by RF Molecular Beam Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

    • NAID

      10025085943

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE, J2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Cryst. Growth 311

      ページ: 2780-2782

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Electron Accumulation at Nonpolar and Semipolar Surfaces of Wurtzite InN from Generalized Infrared Ellipsometry2009

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, T.Hofmann, B.Monemar, Ching-Lien Hsiao, Ting-Wei Liu, Li-Chyong Chen, W.J.Schaff, Y.Takagi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 95

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO2 Substrate by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Growth and Characterization of N-Polar and In-Polar InN Films by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, D.Muto, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 311

      ページ: 2780-2782

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Photoexcited Carriers and Surface Recombination Velocity in InN Epilayers : A Raman Scattering Study2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B. 80

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO2 Substrate by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Indium droplet elimination by radical beam irradiation for reproducible and highquality growth of InN by RF molecular beam epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express 2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Growth and Characterization of N-Polar and In-Polar InN Films by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 武藤大祐, 荒木努, 名西〓之
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 311

      ページ: 2780-2782

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2 (100) Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Proc. of SPIE 7216 72160N

      ページ: 1-8

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] RF-MBE法によるr面(10-12)Sapphire基板上、半極性面InNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      中谷佳津彦、川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C 電子・情報・システム部門誌 129

      ページ: 1974-1977

    • NAID

      10025533035

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Photoexcited Carriers and Surface Recombination Velocity in InN Epilayers : A Raman Scattering Study2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B. 80

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Indium Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation for Reproducible and High-Quality Growth of InN by RF Molecular Beam Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2巻

    • NAID

      10025085943

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al_2O_3 (0001) templates, phys2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      stat. sol (c)6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216 72160N

      ページ: 1-8

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Indium droplet elimination by radical beam irradiation for reproducible and high-quality growth of InN by RF molecular beam epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express 2

      ページ: 51001-51001

    • NAID

      10025085943

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [雑誌論文] Indium droplet elimination by radical beam irradiation for reproducible and high-quality growth of InN by RF molecular beam epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2 051001

      ページ: 1-3

    • NAID

      10025085943

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Araki, T.Yamaguchi
    • 雑誌名

      "Indium Nitride and Related Alloys" Chapter 1 Molecular-Beam Epitaxy of InN( edited by T.D.Veal, C.F.McConville, and W.J.Schaff)(CRC)

      ページ: 1-50

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] RF-MBE法によるr面(10-12)Sapphire 基板上、半極性面InNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      中谷佳津彦、川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C電子・情報・システム部門誌 129

      ページ: 1974-1977

    • NAID

      10025533035

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al_2O_3(0001) templates2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) 207

      ページ: 19-23

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth (In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, D.Fukuoka, H.Tamiya, S.Harui, T.Yamaguchi, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, D.Fukuoka, H.Tamiya, S.Harui, T.Yamaguchi, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Electron Accumulation at Nonpolar and Semipolar Surfaces of Wurtzite InN from Generalized Infrared Ellipsometry2009

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, T.Hofmann, B.Monemar, Ching-Lien Hsiao, Ting-Wei Liu, Li-Chyong Chen, W.J.Schaff, Y.Takagi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 95

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Raman-Scattering Study of the Long-Wavelength Longitudinal-Optical-Phonon-Plasmon Coupled Modes in High-Mobility InN Layers2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 79

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 名西〓之
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) 207

      ページ: 19-23

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO_2 Substrate by RF-MBE, phys2009

    • 著者名/発表者名
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      stat. sol (c)6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Raman-Scattering Study of the Long-Wavelength Longitudinal-Optical-Phonon-Plasmon Coupled Modes in High-Mobility InN Layers2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 79

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth (In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2(100) Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Indium Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation for Reproducible and High-Quality Growth of InN by RF Molecular Beam Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 名西〓之
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

    • NAID

      10025085943

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Indium Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation for Reproducible and High-Quality Growth of InN by RF Molecular Beam Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchiand Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 2巻 ページ: 051001-051001

    • DOI

      10.1143/apex.2.051001

    • NAID

      10025085943

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [雑誌論文] Appl. Phys2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Express 2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns2008

    • 著者名/発表者名
      S. Harui, H. Tamiya, T. Akagi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 5330-5332

    • NAID

      40016161747

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoiuminescence2008

    • 著者名/発表者名
      T.Akagi, K.Kosaka, S.Harui, D.Muto, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials 37

      ページ: 603-606

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008

    • 著者名/発表者名
      T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials 37

      ページ: 603-606

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008

    • 著者名/発表者名
      T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials 37

      ページ: 603-606

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns2008

    • 著者名/発表者名
      S.Harui, H.Tamiya, T.Akagi, HMiyake, Ii.Hiramatsu, T.Arakiand, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn. J.Appl. Phys.

    • NAID

      40016161747

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Photoreflectance of InN and InN : Mg layers : An evidence for Fermi level shift to wards the valence band upon Mg doping in InN2008

    • 著者名/発表者名
      R. Kudrawiec, T. Suski, J. Serafinczuk, J. Misiewicz, D. Muto, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett 93

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns, Jpn2008

    • 著者名/発表者名
      S. Harui, H. Tamiya, T. Akagi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys 47

      ページ: 5330-5332

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns2008

    • 著者名/発表者名
      S. Harui, H. Tamiya, T. Akagi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 5330-5332

    • NAID

      40016161747

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Photoreflectance of InN and InN : Mg layers : An evidence for Fermi level shift to wards the valence band upon Mg doping in InN2008

    • 著者名/発表者名
      R. Kudrawiec, T. Suski, J. Serafinczuk, J. Misiewicz, D. Muto, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 93

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns2008

    • 著者名/発表者名
      S. Harui, H. Tamiya, T. Akagi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 47

      ページ: 330-5332

    • NAID

      40016161747

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008

    • 著者名/発表者名
      T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Electronic Materials 37

      ページ: 603-606

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Microstructure of a-plane InN grown on r-plane Sapphire by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      S.Watanabe, Y.Kumagai, A.Tsuyuguchi, H.Na, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      physica status solidi (in press)

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Effect of low temperature InGaN interlayers on structural and optical properties of In-rich InGaN, J2007

    • 著者名/発表者名
      H. Na, S. Takado, S. Sawada, M. Kurouchi, T. Akagi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Cryst. Growth 300

      ページ: 177-181

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Growth of In-rich InAIN films on(0001) sapphire by RF-MBE and their properties2007

    • 著者名/発表者名
      H.Naoi, K.Fuiishima, S.Takado, M.Kurouchi, D.Muto, T.Araki, H.Na, and Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials 36

      ページ: 1313-1319

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Growth of In-rich InAlN films on(0001) sapphire by RF-MBE and their properties2007

    • 著者名/発表者名
      H. Naoi, K. Fujishima, S. Takado, M. Kurouchi, D, Muto, T. Araki, H. Na, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials 36

      ページ: 1313-1319

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      D.Muto, H.Naoi, S.Takado, H.Na, T.Araki, and Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc 955

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Thermal and Chemical Stabilities of In-and N-Polar InN Surfaces2007

    • 著者名/発表者名
      H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol.(b) 244

      ページ: 1834-1838

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Growth of A-plane(11-20) In-rich InGaN on r-plane(10-12) sapphire by RF-MBE, phys2007

    • 著者名/発表者名
      M. Noda, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      stat. sol (c)4

      ページ: 2560-2563

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 955

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Role of localized donor states in transport and photoluminescence of InN revealed by hydrostatic pressure studies2007

    • 著者名/発表者名
      T. Susuki, A. Kaminska, G. Franssen, H, Teisseyre, L.H. Dmowski, J.A. Plesiewicz, H.L. Lu, W.J. Schaff, M. Kurouchi, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol.(b) 244

      ページ: 1825-1828

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE, Mater2007

    • 著者名/発表者名
      D. Muto, H. Naoi, S. Takado, H. Na, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Res. Soc. Symp. Proc 955

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE, phys2007

    • 著者名/発表者名
      S. Watanabe, Y. Kumagai, A. Tsuyuguchi, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      stat. sol (c)4

      ページ: 2556-2559

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, T.Araki, H.Naoi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings 955

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Thermal and Chemical Stabilities of In-and N-Polar InN Surfaces, phys2007

    • 著者名/発表者名
      H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      stat. sol 244

      ページ: 1834-1838

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      S.Watanabe,Y.Kumagai,A.Tsuyuguchi,H.Naoi,T.Araki,Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phvs.stat.sol.(c) 4

      ページ: 2556-2559

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Effect of low-temperature InGaN interlayers on structural and optical properties of In-rich InGaN2007

    • 著者名/発表者名
      H.Na, S.Takado, S.Sawada, M.Kurouchi, T.Akagi, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 300

      ページ: 177-181

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      D.Muto, H.Naoi, S.Takado, H.Na, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings 955

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Growth of a-plane (11-20) In-rich InGaN on r-plane (10-12) sapphire by RF-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      M.Noda, Y.Kumagai, S.Takado, D, Muto, H.Na, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      physica status solidi (in press)

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Growth of In-rich InA1N films on(0001) sapphire by RF-MBE and their properties2007

    • 著者名/発表者名
      H. Naoi, K. Fujishima, S. Takado, M. Kurouchi, D, Muto, T. Araki, H. Na, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials 36

      ページ: 1313-1319

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      S. Watanabe, Y. Kumagai, A. Tsuyuguchi, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol.(c) 4

      ページ: 2556-2559

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Thermal and Chemical Stabilities of In-and N-Polar InN Surfaces2007

    • 著者名/発表者名
      H.Naoi, D.Muto, T.Hioka, Y.Hayakana, A.Suzuki, T.Araki, and Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phvs.stat.sol.(b) 224

      ページ: 1834-1838

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      D. Muto, H. Naoi, S. Takado, H. Na, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 955

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE, Mater. Res2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Soc. Symp. Proc 955

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Growth of InN nanocolumns by RF-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      S.Nishikawa, Y.Nakao, H.Naoi, T.Araki, H.Na, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 301-302

      ページ: 490-495

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] M.Noda, Y.Kumagai, S.Takado, D.Muto, H.Na, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi2007

    • 著者名/発表者名
      M.Noda, Y.Itumagai, S.Takado, D.Muto, H.Na, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phvs.stat.sol.(c) 4

      ページ: 2560-2563

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] M. Noda, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi2007

    • 著者名/発表者名
      M. Nods, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol.(c) 4

      ページ: 2560-2563

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [雑誌論文] Role of localized donor states in transport and photoluminescence of InN revealed by hydrostatic pressure studies2007

    • 著者名/発表者名
      T.Susuki, A.Kaminska, G.Franssen, H.Teisseyre, L.H.Dmowski, J.A.PlesieNicz, H.L.Lu, W.J.Schaff, M.Iiurouchi, and Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phvs.stat.sol.(b) 224

      ページ: 1825-1828

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Growth of InN nanocolumns by RF-MBE, J2007

    • 著者名/発表者名
      S. Nishikawa, Y. Nakao, H. Naoi, T. Araki, H. Na, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Cryst. Growth 301-302

      ページ: 490-495

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Naoi, T.Araki, and Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Sump.Proc 955

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [雑誌論文] Fabrication and Characterization of InN-Based Quantum Well Structures Grown by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      M.Kurouchi, H.Naoi, T.Araki, T.Miyajima, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.(Express Letter) 44

    • NAID

      10014421076

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Growth of polycrystalline InN on silica glass by ECR-MBE2005

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, T.Ueno, H.Naoi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) 2

      ページ: 2316-2319

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Fabrication and Characterization of InN-Based Quantum Well Structures Grown by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      M.Kurouchi, H.Naoi, T.Araki, T.Miyajima, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44

      ページ: 230-232

    • NAID

      10014421076

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Correlation among Growth Conditions, Crystal Structures and Optical Properties2005

    • 著者名/発表者名
      H.Naoi, M.Kurouchi, T.Araki, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) 2

      ページ: 841-844

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] The effect of substrate polarity on the growth of InN by RF-MBE2004

    • 著者名/発表者名
      H.Naoi, F.Matsuda, T.Araki, A.Suzuki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 269

      ページ: 155-161

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Radio frequency-molecular beam epitaxial growth of InN epitaxial films on (0001) sapphire and their properties2004

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, Y.Saito, T.Yamaguchi, M.Kurouchi, Y.Nanishi, H.Naoi
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Tech.B 22

      ページ: 2139-2143

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Band-Gap Energy and Physical Properties of InN Grown by RE-Molecular Beam Epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, Y.Saito, T.Yamaguchi, F.Matsuda, T.Araki, H.Naoi 他3名
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 798

      ページ: 189-200

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Radio frequency-molecular beam epitaxial growth of InN epitaxial films on (0001) sapphire and thier properties2004

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, Y.Saito, T.Yamaguchi, M.Kurouchi, Y.Nanishi, H.Naoi
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Tech.B 22

      ページ: 2139-2143

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Growth and properties of In-rich InGaN films grown on (0001) supphire by RF-MBE2004

    • 著者名/発表者名
      M.Kurouchi, T.Araki, H.Naoi, T.Yamaguchi, A.Suzuki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) 241

      ページ: 2843-2848

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Recent Development of InN RF-MBE Growth and its Structural and Property Characterization2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, Y.Saito, T.Yamaguchi, T.Araki, T.Miyajima
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) 1

      ページ: 1487-1495

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Band-Gap Energy and Physical Properties of InN Grown by RF-Molecular Beam Epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, Y.Saito, T.Yamaguchi, F.Matsuda, T.Araki, H.Naoi, A.Suzuki, H.Harima, T.Miyajima
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 789

      ページ: 189-200

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Band-Gap Energy and Physical Properties of InN Grown by RF-Molecular Beam Epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, Y.Saito, T.Yamaguchi, F.Matsuda, T.Araki, H.Naoi, A.Suzuki, H.Harima, T.Miyajima
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 798

      ページ: 189-200

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Single crystalline InN films grown on Si substrates by using a brief substrate nitridation process2003

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Mizuo, Y.Saito, T.Noguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 743

      ページ: 163-168

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] RF-Molecular Beam Epitaxy Growth and Properties of InN and Related Alloys2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, Y.Saito, T.Yamaguchi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 42

      ページ: 2549-2559

    • NAID

      10010715464

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] MBE-Growth, Characterization and Properties of InN and InGaN2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, Y.Saito, T.Yamaguchi, M.Hori, F.Matsuda, T.Araki, A.Suzuki, T.Miyajima
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) 200

      ページ: 202-208

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] MBE-Growth, Characterization and Properties of InN and InGaN2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, Y.Saito, T.Yamaguchi, M.Hori, F.Matsuda, T.Araki 他2名
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) 200

      ページ: 202-208

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] RF-MBE Growth and Characterization of Indium Nitride on (0001) sapphire substrate2002

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, Y.Saito, T.Yamaguchi
    • 雑誌名

      Vacuum Science and Technology ; Nitrides as seen by technology

      ページ: 201-220

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Optical properties of InxGa1-xN with entire alloy composition on InN buffer layer grown by RF-MBE2002

    • 著者名/発表者名
      M.Hori, K.Kano, T.Yamaguchi, Y.Saito, T.Araki, Y.Nanishi, N.Teraguchi, A.Suzuki
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) 234

      ページ: 750-754

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [雑誌論文] Growth Temperature Dependence of Indium Nitride Crystalline Quality Grown by RF-MBE2002

    • 著者名/発表者名
      Y.Saito, H.Harima, E.Kurimoto, T.Yamaguchi, N.Teraguchi, A.Suzuki, T.Araki, Y.Nanishi
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(b) 234

      ページ: 796-800

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450131
  • [産業財産権] 窒化物半導体薄膜の製造方法2009

    • 発明者名
      山口智広, 名西〓之
    • 権利者名
      学校法人立命館
    • 出願年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [産業財産権] 窒化物半導体薄膜の製造方法2009

    • 発明者名
      山口智広, 名西やす之
    • 権利者名
      学校法人立命館
    • 出願年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [産業財産権] 窒化物半導体薄膜の製造方法2009

    • 発明者名
      山口智広, 名西やす之
    • 権利者名
      学校法人立命館
    • 出願年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [産業財産権] 窒化物半導体薄膜の製造方法2009

    • 発明者名
      山口智広,名西〓之
    • 権利者名
      学校法人立命館
    • 産業財産権番号
      2009-119315
    • 出願年月日
      2009-05-15
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Van der Waals Epitaxy of Gallium Nitride on Graphene2019

    • 著者名/発表者名
      U. Ooe, S. Mouri, Y. Nanishi, T. Araki
    • 学会等名
      第56回フラーレン・ナノチューブグラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Indium Nitride Growth with in situ Surface Modification by RF-MBE2019

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, F. Abas, H. Omatsu, S. Mouri, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '19)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] Remote Homoepitaxy of GaN on Graphene using RF-MBE2019

    • 著者名/発表者名
      U. Ooe, S. Mouri, Y. Nanishi, and T. Araki
    • 学会等名
      The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Indium Nitride Growth with in situ Surface Modification by RF-MBE2019

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, F. Abas, H. Omatsu, S. Mouri, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '19)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたGaNのリモートホモエピタキシャル成長2019

    • 著者名/発表者名
      大江 佑京,毛利 真一郎,名西 やす之,荒木 努
    • 学会等名
      2019年春季第66回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Metal-Covered Van Der Waals Epitaxy of GaN on Graphitic Substrates by ECR-MBE2019

    • 著者名/発表者名
      U. Ooe, S. Mouri, F.Abas,Y. Nanishi, and T. Araki
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '19)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE法GaInNヘテロエピタキシャル成長における放射光その場X線回折測定2019

    • 著者名/発表者名
      山口 智広, 佐々木 拓生, 高橋 正光, 尾沼 猛儀, 本田 徹, 荒木 努, 名西 やす之
    • 学会等名
      2019年春季第66回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] In situ XRD RSM Measurements in MBE Growth of GaInN at Different Temperatures2019

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahasi, S. Ohno, T. Araki, Y. Nanishi, T. Onuma, T. Honda
    • 学会等名
      The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Van der Waals Epitaxy of Nitride Semiconductors Towards Energy Conversion Devices2018

    • 著者名/発表者名
      S. Mouri, Y. Miyauchi, K. Matsuda, Y. Nanishi, T. Araki
    • 学会等名
      The 9th International Symposium of Advanced Energy Science - Interplay for Zero-Emission Energy -
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Luminescence Enhancement in InN Deposited by Van der Waals Epitaxy on Graphene Interlayer2018

    • 著者名/発表者名
      D. Dobrovolskas, S. Arakawa, S. Mouri, T. Araki, Y. Nanishi, J. Mickevicius, and G. Tamulaitis
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Epitaxial InN Growth with in situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation2018

    • 著者名/発表者名
      F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      10th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] In situ XRD RSM Measurements in MBE Growth of GaInN on InN2018

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Onuma, T. Honda, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Nitrogen Plasma Effects on MBE Growth of GaN on Graphitic Substrate2018

    • 著者名/発表者名
      U. Ooe, S. Arakawa, S. Mouri, Y. Nanishi, T. Araki
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Characterization of Electrical Properties of InN Epilayer using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry2018

    • 著者名/発表者名
      K. Morino, T. Fujii, S. Mouri, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] Metal Covered Van Der Waals Wpitaxy of GaN Thin Film on Graphene2018

    • 著者名/発表者名
      U. Ooe, S. Mouri, Y. Nanishi, and T. Araki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] Recent Progress and Challenges of InN and In-rich InGaN Growth by RF-MBE using DERI Process2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, S. Mouri, T. Araki, T. Sasaki, M. Takahashi
    • 学会等名
      The 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] THzエリプソメトリーによるInN薄膜の電気特性評価22018

    • 著者名/発表者名
      森野健太,藤井高志,毛利真一郎,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      2018年春季第65回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] 放射光を活用したIn 系窒化物半導体成長中のその場観察2018

    • 著者名/発表者名
      山口智広,佐々木拓生,高橋正光,尾沼猛儀,本田徹,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      JAEA-QST放射光科学シンポジウム2018
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Recent Progress and Challenges of InN and In-rich InGaN by RF-MBE Growth2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, and T. Araki
    • 学会等名
      14th International Conference on Modern Materials and Technologies (CIMTEC 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] グラファイト上にMBE成長したInNナノ結晶の発光特性2018

    • 著者名/発表者名
      毛利 真一郎,荒川 真吾,D. Darius,M. Juras,T. Gintautas,名西 やす之,荒木 努
    • 学会等名
      2018年秋季第79回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Mg ドーピングによる高 In 組成 InGaN の表面-バルク電子状態変化2018

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 小出康夫, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし
    • 学会等名
      2018年春季第65回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] グラフェンを犠牲層とした剥離可能GaNのホモエピタキシャル成長2018

    • 著者名/発表者名
      大江 佑京,毛利 真一郎,名西 やす之,荒木 努
    • 学会等名
      2018年秋季第79回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Metal Covered Van Der Waals Epitaxy of GaN Thin Film on Graphene2018

    • 著者名/発表者名
      U. Ooe, S. Mouri, Y. Nanishi, and T. Araki
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Luminescence Enhancement in InN Deposited by Van der Waals Epitaxy on Graphene Interlayer2018

    • 著者名/発表者名
      D. Dobrovolskas, S. Arakawa, S. Mouri, T. Araki, Y. Nanishi, J. Mickevicius, and G. Tamulaitis
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] Van der Waals Epitaxy of Nitride Semiconductors Towards Energy Conversion Devices2018

    • 著者名/発表者名
      S. Mouri, Y. Miyauchi, K. Matsuda, Y. Nanishi, T. Araki
    • 学会等名
      The 9th International Symposium of Advanced Energy Science - Interplay for Zero-Emission Energy-
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] In-situ Surface Modification of InN Films by Nitrogen Radical Irradiation and Thermal Annealing2018

    • 著者名/発表者名
      H. Omatsu, F. B. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] In-situ Surface Modification of InN Films by Nitrogen Radical Irradiation and Thermal Annealing2018

    • 著者名/発表者名
      H. Omatsu, F. B. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] 放射光X線回折測定を用いたGaInN/InN成長のその場観察~InN解離温度領域での振る舞い~2018

    • 著者名/発表者名
      山口智広,佐々木拓生,高橋正光,尾沼猛儀,本田徹,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      2018年春季第65回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Recent Progress and Challenges of InN and In-rich InGaN by RF-MBE using DERI Process2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, S. Mouri, T. Araki, T. Sasaki, M. Takahashi
    • 学会等名
      The 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] Nitrogen Plasma Effects on MBE Growth of GaN on Graphitic Substrate2018

    • 著者名/発表者名
      U. Ooe, S. Arakawa, S. Mouri, Y. Nanishi, T. Araki
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] RF-MBE 法によるMetal-rich 条件下でのAl1-xInxN 成長2018

    • 著者名/発表者名
      黒田 古都美,川原 達也,毛利 真一郎,荒木 努,名西 やす之
    • 学会等名
      第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] ECR-MBE法によるグラフェン上へのGaN成長における窒素プラズマの効果2018

    • 著者名/発表者名
      大江 佑京,荒川 真吾,毛利 真一郎,荒木 努,名西 やす之
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部 平成30年度第1回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Epitaxial InN Growth with in situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation2018

    • 著者名/発表者名
      F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      10th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/11th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] Growth of InN and In-rich InGaN by RF-MBE -Present Status and Challenges-2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, S. Mouri, T. Araki, T. Sasaki, M. Takahashi and J. Suda
    • 学会等名
      10th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Effects of Nitrogen Radical Irradiation on InN Growth by RF-MBE2018

    • 著者名/発表者名
      F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, Y. Nanishi, and T. Araki
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] 架橋したMoS2/MoSe2積層ヘテロ構造の熱伝導2018

    • 著者名/発表者名
      毛利真一郎, 福島駿介, 宮内雄平, 松田一成, 名西やす之, 荒木努
    • 学会等名
      2018年春季第65回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Effects of Nitrogen Radical Irradiation on InN Growth by RF-MBE2018

    • 著者名/発表者名
      F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, Y. Nanishi, and T. Araki
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] 窒化インジウムの低転位化結晶成長技術2018

    • 著者名/発表者名
      荒木努,F. B. Abas,毛利真一郎,名西やすし
    • 学会等名
      平成30年電気関係学会関西連合大会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] Characterization of Electrical Properties of InN Epilayer using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry2018

    • 著者名/発表者名
      K. Morino, T. Fujii, S. Mouri, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] 窒化インジウムの低転位化結晶成長技術2018

    • 著者名/発表者名
      荒木 努,F. B. Abas,毛利 真一郎,名西 やす之
    • 学会等名
      平成30年電気関係学会関西連合大会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Systematic Investigation of Surface and Bulk Electronic Structures of Unintentionally-Doped InxGa1-xN (0≦x≦1) Epilayers by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, R. G. Ryan, H. Yoshikawa, A. L. Anli, Y. Yamashita, K. Kobayashi, Y. Koide, T. Yamaguchi, M. Kaneko, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE法によるグラフェン上での窒化物半導体成長における初期過程2018

    • 著者名/発表者名
      大江佑京,荒川真吾,内村智,毛利真一郎,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      2018年春季第65回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Characterization of Ohmic Contact on Alpha-Ga2O3 Thin Film2018

    • 著者名/発表者名
      S. Aoyama, T. Matsuda, T. Shinohe, J. Kikawa, Y. Nanishi, T. Araki
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Surface and Bulk Electronic Structures of Unintentionally-Doped InGaN Epilayers by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, H. Yoshikawa, Y. Yamashita, K. Kobayashi, Y. Koide, T. Yamaguchi, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE 法を用いたMetal-rich 条件下でのInAlN の成長2018

    • 著者名/発表者名
      黒田古都美,毛利真一郎,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      2018年春季第65回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Evaluation of Nitride Semiconductors Using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry2017

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, K. Tachi, K. Morino, S. Asagami, T. Fujii, Y. Nanishi, T. Nagashima, T. Iwamoto, Y. Sato, N. Morita, R. Sugie, S. Kamiyama
    • 学会等名
      The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '17)
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-04-20
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] DERI法を用いたサファイア上N極性InN成長2017

    • 著者名/発表者名
      久保中 湧士,毛利真一郎,荒木 努,名西 やす之
    • 学会等名
      2017年春季第64回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] TEM Study of InN Films Grown with In-situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation2017

    • 著者名/発表者名
      Faizulsalihin binAbas、binti Zainol Abidin Nur Liyana、Fujita Ryoichi、Mouri Shinichiro、Araki Tsutomu、Nanishi Yasushi
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] THzエリプソメトリーによるInN薄膜の電気的特性測定に関する検討2017

    • 著者名/発表者名
      森野 健太,達 紘平,藤井 高志,毛利 真一郎,荒木 努,名西 やす之,長島 健,岩本 敏志,佐藤 幸徳
    • 学会等名
      2017年春季第64回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Characterization of Electrical Properties of InN Epilayer using THz Ellipsometry2017

    • 著者名/発表者名
      K. Morino, T. Fujii, S. Mouri, T. Araki, Y. Nanishi, T. Nagashima, T. Iwamoto, Y. Sato
    • 学会等名
      36th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] α-Ga2O3の表面バンドベンディングに関する研究2017

    • 著者名/発表者名
      藤木嘉樹, 城川潤二郎, 荒木努, 名西やす之, 松田時宜, 四戸孝
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Nラジカルビーム照射による in-situ表面改質の InN成長への効果2017

    • 著者名/発表者名
      藤田 諒一、Faizulsalihin bin Abas、Nur Liyana binti Zainol Abidin、毛利 真一、荒木 努、名西 やすし
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] グラフェン上での窒化物半導体のエピタキシャル成長2017

    • 著者名/発表者名
      荒川真吾,久保中湧士,黒田古都美,毛利真一郎,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      第53回フラーレン・ナノチューブグラフェンシンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] α-Ga2O3の表面バンドベンディングの評価2017

    • 著者名/発表者名
      藤木嘉樹, 城川潤二郎, 荒木努, 名西やす之, 織田真也
    • 学会等名
      2017年春季第64回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Threading Dislocation Behavior in InN Grown with In-situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation2017

    • 著者名/発表者名
      F. Abas, R. Fujita, N. L. Z. Abidin, S. Mouri, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      29th International Conference on Defects in Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Nラジカルビーム照射によるin-situ表面改質のInN成長への効果2017

    • 著者名/発表者名
      藤田諒一,Faizulsalihin bin Abas,Nur Liyana binti Zainol Abidin,毛利真一郎,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      2017年春季第64回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] GaN上およびInN上GaInN成長における成長初期過程の観察2017

    • 著者名/発表者名
      山口智広,佐々木拓生,高橋正光,尾沼猛儀,本田徹,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Outstanding Capability of In-situ Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN and GaInN2017

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2017 International Symposium on Novel and Sustainable Technology (2017 ISNST)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE Growth of AlGaN on Nitridated α-(AlGa)2O3 Grown by Mist-CVD2017

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, A. Buma, S. Fukushima, Y. Fujiki, Y. Nanishi, T. Sasaki, S. Fujikawa, M. Takahashi, M. Oda, T. Hitora
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Transferable Indium Nitride on Graphene2017

    • 著者名/発表者名
      S. Mouri, S. Arakawa, U. Oe, S. Kutsuno, Y. Kubonaka, K. Kuroda, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      36th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE Growth of Indium Nitride on Graphene Substrate2017

    • 著者名/発表者名
      S. Arakawa, Y. Kubonaka, S. Mouri, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Electron Spin Resonance study of Sn doped α- Ga2O32017

    • 著者名/発表者名
      J. Kikawa, T. Matsuda, T. Shinohe, T. Araki , and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Growth of Nitrogen-Polar InN on Sapphire Substrate by DERI Method2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Kubonaka, S. Mouri, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Surface and Bulk Electronic Structures of Mg-doped In0.7Ga0.3N Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2017

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, A. L. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, Y. Koide, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE Growth of GaN on Si(100) Substrates2017

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] ラマン分光による遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロ構造の熱伝導評価2017

    • 著者名/発表者名
      毛利真一郎, 名西やす之, 荒木努
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] THzエリプソメトリーによるInN表面電荷蓄積層の電気特性評価2017

    • 著者名/発表者名
      森野健太,藤井高志,毛利真一郎,荒木努,名西やす之,長島健,岩本敏志,佐藤幸徳
    • 学会等名
      2017年 第9回窒化物半導体結晶成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Dislocation Reduction in InN Film Grown with in Situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation2017

    • 著者名/発表者名
      F. Abas,藤田 諒一,毛利 真一郎,荒木 努,名西やすし
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] Study on Surface Band Bending of α-Ga2O3 Grown by Mist -CVD2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiki, J. Kikawa, T. Araki, Y. Nanishi, T. Matsuda, T. Shinohe
    • 学会等名
      2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] DERI法を用いたサファイア上N極性InN成長2017

    • 著者名/発表者名
      久保中 湧士,毛利真一郎,荒木 努,名西 やす之
    • 学会等名
      2017年春季第64回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE法によるグラファイト上へのInN成長2017

    • 著者名/発表者名
      荒川真吾、久保中湧士、毛利真一郎、荒木努、名西やす之
    • 学会等名
      2017年春季第64回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Compositional Pulling Effect in Epitaxial Growth of GaInN by RF-MBE2017

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] TEM Study of InN Films Grown with In-situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation2017

    • 著者名/発表者名
      Faizulsalihin bin Abas,Nur Liyana binti Zainol Abidin,藤田 諒一,毛利 真一郎,荒木 努,名西 やす之
    • 学会等名
      2017年春季第64回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] THzエリプソメトリーによるInN薄膜の電気的特性測定に関する検討2017

    • 著者名/発表者名
      森野 健太,達 紘平,藤井 高志,毛利 真一郎,荒木 努,名西 やす之,長島 健,岩本 敏志,佐藤 幸徳
    • 学会等名
      2017年春季第64回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Dislocation Reduction in InN Film Grown with in Situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation2017

    • 著者名/発表者名
      F. Abas,藤田諒一,毛利真一郎,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Threading Dislocations Behavior in InN Films Regrown on N Radical Irradiated InN Template2017

    • 著者名/発表者名
      F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      36th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] Thermal Transport Properties of MoS2/MoSe2 Hetero Structure Evaluated by Raman Spectroscopy2017

    • 著者名/発表者名
      S. Mouri, Y. Nanishi, T. Araki
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on 2D Materials and Technology (ICON-2DMAT 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Reduction of Treading Dislocation Density in InN Film Grown with in Situ Surface Reformation by Radio-Frequency Plasma-Excited Molecular Beam Epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2017 MRS Fall Meeting and Exhibit
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE法によるグラファイト上へのInN成長2017

    • 著者名/発表者名
      荒川真吾、久保中湧士、毛利真一郎、荒木努、名西やす之
    • 学会等名
      2017年春季第64回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Study on Charge States of SiO2 by Kelvin Probe Force Microscopy and C-V Measurement for GaN Based Power Device Application2017

    • 著者名/発表者名
      Chen Yu Ting, J. Kikawa, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      2017 International Symposium for Advanced Materials Research (ISAMR 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Reduction of Treading Dislocation Density in InN Film Grown with in Situ Surface Reformation by Radio-Frequency Plasma-Excited Molecular Beam Epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2017 MRS Fall Meeting and Exhibit
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] MBEを用いたDERI法によるInGaNの組成制御に関する研究2017

    • 著者名/発表者名
      山口雄斗,毛利真一郎,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部 平成29年度第2回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Study on Charge States of SiO2 by Kelvin Probe Force Microscopy and C-V Measurement for GaN Based Power Device Application2017

    • 著者名/発表者名
      Y.T. Chen, J. Kikawa, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      36th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] グラファイト上InN成長における緩衝層の効果2017

    • 著者名/発表者名
      荒川真吾,久保中湧士,黒田古都美,大江佑京, 毛利真一郎,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Evaluation of Nitride Semiconductors Using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry2017

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, K. Tachi, K. Morino, S. Asagami, T. Fujii, Y. Nanishi, T. Nagashima, T. Iwamoto, Y. Sato, N. Morita, R. Sugie, S. Kamiyama
    • 学会等名
      The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '17)
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-04-20
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] TEM Study of InN Films Grown with In-situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation2017

    • 著者名/発表者名
      Faizulsalihin bin Abas,Nur Liyana binti Zainol Abidin,藤田 諒一,毛利 真一郎,荒木 努,名西 やす之
    • 学会等名
      2017年春季第64回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] N ラジカルビーム照射によるin-situ 表面改質のInN 成長への効果2017

    • 著者名/発表者名
      藤田諒一,F. Abas,片桐温,毛利真一郎,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      2017年 第9回窒化物半導体結晶成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Influence of Nitrogen Radical Beam Irradiation on MBE Growth of InN2017

    • 著者名/発表者名
      K. Watanabe, S. Usuda, A. Katagiri, S. Mouri, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] New Approach for MBE Growth and Applications of High Quality InN and In-rich InGaN2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T.Yamaguchi and T.Araki
    • 学会等名
      2017 International Symposium for Advanced Materials Research (ISAMR 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in GaInN growth on GaN and InN by RF-MBE2017

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] THz エリプソメトリーによるInN 薄膜の電気特性評価2017

    • 著者名/発表者名
      森野健太,藤井高志,毛利真一郎,荒木努,名西やす之,長島健,岩本敏志,佐藤幸徳
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] N ラジカルビーム照射によるin-situ 表面改質のInN 成長への効果2017

    • 著者名/発表者名
      藤田諒一,F. Abas,片桐温,毛利真一郎,荒木努,名西やすし
    • 学会等名
      2017年 第9回窒化物半導体結晶成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] RF-MBE 法を用いたInN 成長におけるN*照射の影響2017

    • 著者名/発表者名
      渡邊一生,臼田知志, 片桐温, 毛利真一郎,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] ラマン分光によるMoS2を含むファンデルワールスへテロ構造の熱伝導評価2017

    • 著者名/発表者名
      毛利真一郎,名西やす之,荒木努
    • 学会等名
      第53回フラーレン・ナノチューブグラフェンシンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Threading Dislocation Behavior in InN Grown with In-situ Surface Reformation by Radical Beam Irradiation2017

    • 著者名/発表者名
      F. Abas, R. Fujita, N. L. Z. Abidin, S. Mouri, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017)
    • 発表場所
      Shimane Prefectural Convention Center, Matsue
    • 年月日
      2017-07-31
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03860
  • [学会発表] α-Ga2O3の表面バンドベンディングの評価2017

    • 著者名/発表者名
      藤木嘉樹, 城川潤二郎, 荒木努, 名西やす之, 織田真也
    • 学会等名
      2017年春季第64回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Nラジカルビーム照射によるin-situ表面改質のInN成長への効果2017

    • 著者名/発表者名
      藤田諒一,Faizulsalihin bin Abas,Nur Liyana binti Zainol Abidin,毛利真一郎,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      2017年春季第64回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Study on Surface Band Bending of α-Ga2O3 Grown by Mist-CVD2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiki, J. Kikawa, T. Araki, Y. Nanishi, T. Matsuda, T. Shinohe
    • 学会等名
      36th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Threading Dislocations Behavior in InN Films Regrown on N Radical Irradiated InN Template2017

    • 著者名/発表者名
      F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      36th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Influence of Nitrogen Radical Beam Irradiation on MBE Growth of InN2017

    • 著者名/発表者名
      K. Watanabe, S. Usuda, A. Katagiri, S. Mouri, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      36th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-doped InN Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2016

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, A. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Koide, K. Kobayashi, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida (USA)
    • 年月日
      2016-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] In-Situ Monitoring in RF-MBE Growth of In-Based Nitrides2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahashi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
    • 学会等名
      15th International Symposium on Advanced Technology
    • 発表場所
      Tainan City (Taiwan)
    • 年月日
      2016-11-10
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Characterization of Electrical Properties of n-type GaN Layer Using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry2016

    • 著者名/発表者名
      K. Tachi, S. Asagami, T. Fujii, T. Nagashima, T. Iwamoto, Y. Sato, N. Morita, R. Sugie, S. Kamiyama, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida (USA)
    • 年月日
      2016-10-05
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Recent Advancements and Challenges of Growth of InN and In-rich InGaN by DERI Method2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi and T. Araki
    • 学会等名
      EMN Meeting on Epitaxy
    • 発表場所
      Budapest (Hungary)
    • 年月日
      2016-09-07
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Characterization of GaN Layer Using THz Ellipsometry and Its Verification by Cross-Sectional Observation2016

    • 著者名/発表者名
      K. Tachi, S. Asagami, T. Fujii, T. Nagashima, T. Iwamoto, Y. Sato, N. Morita, R. Sugie, S. Kamiyama, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] In-Situ Monitoring in RF-MBE Growth of In-Based Nitrides2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahashi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
    • 学会等名
      15th International Symposium on Advanced Technology
    • 発表場所
      Tainan City (Taiwan)
    • 年月日
      2016-11-10
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-doped InN Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2016

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, A. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Koide, K. Kobayashi, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida (USA)
    • 年月日
      2016-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] フッ素プラズマによるInNの表面電荷蓄積層の影響軽減に関する研究2016

    • 著者名/発表者名
      福島駿介 , 臼田知志 , 荒木努, 名西やす之
    • 学会等名
      2016年秋季 第77回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Study on Nitridation of α-(AlGa)2O3 Using Rf Plasma for AlGaN Growth2016

    • 著者名/発表者名
      A. Buma, N. Masuda, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, T. Hitora
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Strain Relaxation Analysis Using In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in RF-MBE Growth of GaInN2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahashi, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Characterization of GaN Layer Using THz Ellipsometry and Its Verification by Cross-Sectional Observation2016

    • 著者名/発表者名
      K. Tachi, S. Asagami, T. Fujii, T. Nagashima, T. Iwamoto, Y. Sato, N. Morita, R. Sugie, S. Kamiyama, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Study on Microstructure and Thermal Stability of Rf-Plasma Nitridated α-(AlGa)2O3 Grown by Mist-CVD2016

    • 著者名/発表者名
      A. Buma, N. Masuda, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, T. Hitora
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida (USA)
    • 年月日
      2016-10-03
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Characterization of β-Ga2O3 Single Crystal Based Schottky Barrier Diode2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiki, T. Araki, Y. Moon, A. Kim and Y. Nanishi
    • 学会等名
      35th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県・守山市)
    • 年月日
      2016-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE Growth of GaInN Ternary Alloys Using in-situ Monitoring Techniques2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahashi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      つくば国際会議場(茨城県・つくば市)
    • 年月日
      2016-09-28
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Characterization of III-Nitride Semiconductors Using Electron-Beam-Induced-Current (EBIC) Measurement2016

    • 著者名/発表者名
      E. Oku, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      35th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県・守山市)
    • 年月日
      2016-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Atomic Level C-AFM Characterization of GaN Grown Under Spiral Mode2016

    • 著者名/発表者名
      K. Komura, T. Araki, Y. Nanishi, T. Akasaka
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida (USA)
    • 年月日
      2016-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Characterization of Electrical Properties of n-type GaN Layer Using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry2016

    • 著者名/発表者名
      K. Tachi, S. Asagami, T. Fujii, T. Nagashima, T. Iwamoto, Y. Sato, N. Morita, R. Sugie, S. Kamiyama, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida (USA)
    • 年月日
      2016-10-05
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Study on Nitridation of α-(AlGa)2O3 Using Rf Plasma for AlGaN Growth2016

    • 著者名/発表者名
      A. Buma, N. Masuda, M. Oda, T. Hitora, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      35th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県・守山市)
    • 年月日
      2016-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] フッ素プラズマによるInNの表面電荷蓄積層の影響軽減に関する研究2016

    • 著者名/発表者名
      福島駿介,臼田知志,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      第8回窒化物結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学(京都府・京都市)
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Characterization of β-Ga2O3 Single Crystal Based Schottky Barrier Diode2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiki, T. Araki, Y. Moon, A. Kim and Y. Nanishi
    • 学会等名
      35th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県・守山市)
    • 年月日
      2016-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Recent Advancement of Growth of InN and In-rich InGaN by RF-MBE2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi and T. Araki
    • 学会等名
      45th International School on the Physics of Semiconducting Compounds
    • 発表場所
      Szczyrk (Poland),
    • 年月日
      2016-06-20
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] フッ素プラズマによるInNの表面電荷蓄積層の影響軽減に関する研究2016

    • 著者名/発表者名
      福島駿介 , 臼田知志 , 荒木努, 名西やす之
    • 学会等名
      2016年秋季 第77回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Atomic Level C-AFM Characterization of GaN Grown Under Spiral Mode2016

    • 著者名/発表者名
      K. Komura, T. Araki, Y. Nanishi, T. Akasaka
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida (USA)
    • 年月日
      2016-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] THzエリプソメトリーによるn型GaN膜の電気的特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      達紘平,浅上史歩,藤井高志,荒木努,名西やす之,長島健,岩本敏志,佐藤幸徳,森田直威,杉江隆一,上山智
    • 学会等名
      第8回窒化物結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学(京都府・京都市)
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Recent Advancements and Challenges of Growth of InN and In-rich InGaN by DERI Method2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi and T. Araki
    • 学会等名
      EMN Meeting on Epitaxy
    • 発表場所
      Budapest (Hungary)
    • 年月日
      2016-09-07
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Fluorine Plasma Treatment on InN Films Grown by RF-MBE2016

    • 著者名/発表者名
      S. Fukushima, S. Usuda, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      35th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県・守山市)
    • 年月日
      2016-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Fluorine Plasma Treatment on InN Films Grown by RF-MBE2016

    • 著者名/発表者名
      S. Fukushima, S. Usuda, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      35th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県・守山市)
    • 年月日
      2016-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Study on Microstructure and Thermal Stability of Rf-Plasma Nitridated α-(AlGa)2O3 Grown by Mist-CVD2016

    • 著者名/発表者名
      A. Buma, N. Masuda, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, T. Hitora
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida (USA)
    • 年月日
      2016-10-03
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Strain Relaxation Analysis Using In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in RF-MBE Growth of GaInN2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahashi, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE法によるGaN/Sapphire上へのMgドーピングGaN成長2016

    • 著者名/発表者名
      藤田諒一, 松田雅大, 荒木努, 名西やす之
    • 学会等名
      第8回窒化物結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学(京都府・京都市)
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] THzエリプソメトリーによるn型GaN膜の電気的特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      達紘平,浅上史歩,藤井高志,荒木努,名西やす之,長島健,岩本敏志,佐藤幸徳,森田直威,杉江隆一,上山智
    • 学会等名
      第8回窒化物結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学(京都府・京都市)
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] フッ素プラズマによるInNの表面電荷蓄積層の影響軽減に関する研究2016

    • 著者名/発表者名
      福島駿介,臼田知志,荒木努,名西やす之
    • 学会等名
      第8回窒化物結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学(京都府・京都市)
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Study on Nitridation of α-(AlGa)2O3 Using Rf Plasma for AlGaN Growth2016

    • 著者名/発表者名
      A. Buma, N. Masuda, M. Oda, T. Hitora, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      35th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県・守山市)
    • 年月日
      2016-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Characterization of III-Nitride Semiconductors Using Electron-Beam-Induced-Current (EBIC) Measurement2016

    • 著者名/発表者名
      E. Oku, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      35th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県・守山市)
    • 年月日
      2016-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Recent Advancement of Growth of InN and In-rich InGaN by RF-MBE2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi and T. Araki
    • 学会等名
      45th International School on the Physics of Semiconducting Compounds"Jaszowiec 2016"
    • 発表場所
      Szczyrk (Poland)
    • 年月日
      2016-06-20
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE Growth of GaInN Ternary Alloys Using in-situ Monitoring Techniques2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahashi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      つくば国際会議場(茨城県・つくば市)
    • 年月日
      2016-09-28
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Study on Nitridation of α-(AlGa)2O3 Using Rf Plasma for AlGaN Growth2016

    • 著者名/発表者名
      A. Buma, N. Masuda, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, T. Hitora
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] RF-MBE法によるGaN/Sapphire上へのMgドーピングGaN成長2016

    • 著者名/発表者名
      藤田諒一, 松田雅大, 荒木努, 名西やす之
    • 学会等名
      第8回窒化物結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学(京都府・京都市)
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Comprehensive Study on Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching of GaN and InN2015

    • 著者名/発表者名
      K. Narutani, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015)
    • 発表場所
      Mayan Riviera (Mexico)
    • 年月日
      2015-10-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in GaInN Growth on GaN by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, K. Narutani, M. Sawada, R. Deki, T. Onuma, T. Honda, M. Takahasi, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015)
    • 発表場所
      Mayan Riviera (Mexico)
    • 年月日
      2015-10-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Idea to Passivate Dislocations by Positive Usage of Phase Separation in InGaN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, and T. Araki
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      京都大学(京都府京都市)
    • 年月日
      2015-07-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE Growth of InN on Mist-CVD Grown α-In2O3/Sapphire2015

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, N. Masuda, A. Buma, Y. Nanishi, M. Oda and T. Hitora
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '15)
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
    • 年月日
      2015-04-23
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Comprehensive Study on Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching of GaN and InN2015

    • 著者名/発表者名
      K. Narutani, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, T. Onuma and T. Honda
    • 学会等名
      The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015)
    • 発表場所
      Mayan Riviera (Mexico)
    • 年月日
      2015-10-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Growth Mechanisms of InN and Its Alloys Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2015 EMN Meeting on Droplets
    • 発表場所
      Phuket (Thailand)
    • 年月日
      2015-05-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Progress in GaInN Growth by RF-MBE and Development to Optical Device Fabrication2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonics West
    • 発表場所
      San Fransisco, USA
    • 年月日
      2015-02-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Characterization of RF Plasma Nitridated α-(AlGa)2O3 for AlGaN Growth2015

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, A. Buma, N. Masuda, M. Oda, T. Hitora, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '16)
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
    • 年月日
      2015-05-19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Dislocation Passivation by Positive Usage of Phase Separation During InGaN Growth by DERI Method2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi and T. Araki
    • 学会等名
      Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
    • 発表場所
      Hong Kong (China)
    • 年月日
      2015-12-15
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Idea to Passivate Dislocations by Positive Usage of Phase Separation in InGaN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, and T. Araki
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      京都大学(京都府京都市)
    • 年月日
      2015-07-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Growth and Characterization of InN on α-In2O3/Sapphire by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      N. Masuda, A. Buma, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, and T. Hitora,
    • 学会等名
      The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 発表場所
      Seoul (Korea)
    • 年月日
      2015-05-19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Dislocation Passivation by Positive Usage of Phase Separation During InGaN Growth by DERI Method2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi and T. Araki
    • 学会等名
      Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
    • 発表場所
      Hong Kong (China)
    • 年月日
      2015-12-15
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Growth Mechanisms of InN and Its Alloys Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi,
    • 学会等名
      2015 EMN Meeting on Droplets
    • 発表場所
      Phuket (Thailand)
    • 年月日
      2015-05-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] The Role of Impurities in Raman Scattering of InN: from Thin Films to Nanowires2015

    • 著者名/発表者名
      N. Dom&egrave;nech-Amador, R. Cusc&oacute;, R. Calarco, T. Yamaguchi, Y. Nanishi, L.Art&uacute;s,
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2015
    • 発表場所
      Santa Barbara(USA)
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Dislocation Passivation by Positive Usage of Phase Separation During RF-MBE Growth of InGaN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, and T. Araki
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2015)
    • 発表場所
      Jeju (Korea)
    • 年月日
      2015-11-18
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] The Role of Impurities in Raman Scattering of InN: from Thin Films to Nanowires2015

    • 著者名/発表者名
      N. Domenech-Amador, R. Cusco, R. Calarco, T. Yamaguchi, Y. Nanishi, L.Artus
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2015
    • 発表場所
      Santa Barbara (USA)
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE Growth and Structural Characterization of InN on Mist-CVD-grownα-In2O3/Sapphire2015

    • 著者名/発表者名
      A. Buma, N. Masuda, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, and T. Hitora
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides,
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Growth and Characterization of Thin InN Films Grown by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      A. Usuda, K. Komura, M. Aranami, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE Growth and Structural Characterization of InN on Mist-CVD-grownα-In2O3/Sapphire2015

    • 著者名/発表者名
      A. Buma, N. Masuda, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, and T. Hitora
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] RF-MBE Growth of InN on Mist-CVD Grown α-In2O3/Sapphire2015

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, N. Masuda, A. Buma, Y. Nanishi, M. Oda and T. Hitora
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
    • 年月日
      2015-04-23
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Growth and Characterization of InN on α-In2O3/Sapphire by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      N. Masuda, A. Buma, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, and T. Hitora
    • 学会等名
      The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2015)
    • 発表場所
      Seoul (Korea)
    • 年月日
      2015-05-19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in GaInN Growth on GaN by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, T. Sasaki, K. Narutani, M. Sawada, R. Deki, T. Onuma, T. Honda, M. Takahasi, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015)
    • 発表場所
      Mayan Riviera (Mexico)
    • 年月日
      2015-10-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559
  • [学会発表] Dislocation Passivation by Positive Usage of Phase Separation During RF-MBE Growth of InGaN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, and T. Araki,
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2015)
    • 発表場所
      Jeju (Korea)
    • 年月日
      2015-11-18
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Growth and Characterization of Thin InN Films Grown by RF-MBE2015

    • 著者名/発表者名
      A. Usuda, K. Komura, M. Aranami, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of Ⅲ-nitrides
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Characterization of RF Plasma Nitridated α-(AlGa)2O3 for AlGaN Growth2015

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, A. Buma, N. Masuda, M. Oda, T. Hitora, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
    • 年月日
      2015-05-19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] New Approach to Fabricate Green, Red and IR Light Sources Based on Nitride Semiconductors by DERI Method2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T.Yamaguchi and T. Araki,
    • 学会等名
      31st International Korea-Japan Seminar on Ceramics
    • 発表場所
      Changwon, Korea
    • 年月日
      2014-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] DERI Method; Possible Approach to Longer Wavelength Light Emitters Based on Nitride Semiconductors2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi and T. Araki
    • 学会等名
      6th Forum on New Materials (CIMTEC2014)
    • 発表場所
      Montecatini Terme, Italy
    • 年月日
      2014-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Plasma Induced Point Defects in InN During RF-MBE Growth and Those Reduction by DERI Method2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, T. Araki, A. Uedono and T. Palacios
    • 学会等名
      Defects in Semiconductors ,Gordon Research Conference,
    • 発表場所
      Walthum, USA
    • 年月日
      2014-08-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Recent Material Studies of III-Nitride Semiconductors for Next Generation Devices2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, T. Araki, A. Uedono and T. Palacios,
    • 学会等名
      The Professor Harry C. Gatos Lecture and Prize
    • 発表場所
      Cambridge, USA
    • 年月日
      2014-07-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600090
  • [学会発表] Recent Progress on InN and InGaN Growth for Future Optoelectronic Devices2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Arakiand E. Yoon
    • 学会等名
      Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA-13)
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県)
    • 年月日
      2013-04-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Toward Longer Wavelength and Higher Speed -Challenge to Utilize Full Span of Nitride Semiconductors-Band gap-2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Arakiand E. Yoon
    • 学会等名
      2012 Fall Meeting of the Korean Ceramic Society
    • 発表場所
      大田(韓国)
    • 年月日
      2012-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Application of DERI Method to thick InGaN and InN/InGaN MQW structure Growth2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      KAUST-UCSB-NSF Workshop on Solid-State Lighting
    • 発表場所
      Thwal(サウジアラビア)(招待講演)
    • 年月日
      2012-02-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Importance of Advanced Plasma for Frontier Nitride Semiconductor Technologies2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2012
    • 発表場所
      中部大学(愛知県)(基調講演)
    • 年月日
      2012-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] A Natural PN Junction in Mg-Doped In-Polar InN Film Directly Detected by High Resolution Angle-Resolved Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      A.L.Yang, Y.Yamashita, T.Yamaguchi, M.Imura, M.Kaneko, O.Sakata, Y.Nanishi, K.Kobayashi
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法を応用したInGaN/InGaN量子井戸構造の作製2012

    • 著者名/発表者名
      上松尚、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法InN成長における窒素プラズマパワー依存性2012

    • 著者名/発表者名
      荒木努、上松尚、油谷匡胤、阪口順一、齊藤巧、名西〓之, T.Fujishima、E.Matioli、T.Palacios
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Reduction of Threading Dislocation Density by Regrowth on In-Polar InN2012

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, T.Sakamoto, A.Miki, N.Uematsu, Y.Takamatsu, T.Yamaguchi, Y.Eoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2012
    • 発表場所
      サンフランシスコ(アメリカ)
    • 年月日
      2012-01-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InN Overgrowth Through in Situ A1N Nano-Mask on Sapphire Substrate2012

    • 著者名/発表者名
      王科、荒木努、武内道一、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Free Holes in Mg Doped InN Confirmed by Thermopower Experiments2012

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2012
    • 発表場所
      中部大学(愛知県)
    • 年月日
      2012-03-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] ラジカルモニタリング技術を応用したDERI法InGaN成長の検討2012

    • 著者名/発表者名
      阪口順一、上松尚、油谷匡胤、齊藤巧、山口智広、荒木努、名西〓之、T.Fujishima、E.Matioli、T.Palacios
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InNおよびInGaN成長の最近の進展-DERI法の結果が示唆すること-2012

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、荒木努
    • 学会等名
      東北大学多元物質科学研究所窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2012-01-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Development of Growth and Characterization of InN, In-rich InGaN and Those Nano-structures2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Arakiand E. Yoon
    • 学会等名
      IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology、発表年月日
    • 発表場所
      西安(中国)
    • 年月日
      2012-10-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 窒化物半導体新領域開拓にむけての材料技術最近の展開2012

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、王科、荒木努、E.Yoon
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      サンフランシスコ(アメリカ)
    • 年月日
      2011-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 窒化物光半導体デバイスの新しい可能性を求めて-InNと関連混晶の新しい成長技術の開発と現状-2011

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、荒木努
    • 学会等名
      LED総合フォーラム2011in徳島
    • 発表場所
      徳島グランヴィリオホテル(徳島県)(招待講演)
    • 年月日
      2011-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Strong Luminescence from Self-Assembled InN Nanocolumns with Few Dislocations Grown by Molecular Beam Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Araki, T.Yamaguchi, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] TEM Study on Microstructure of Mg-doped InN Grown by RF-MBE Using DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, T.Sakamoto, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
    • 発表場所
      Nagoya institute of technology, Aichi Japan
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Development of Radical Beam Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, T.Fujishima, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
    • 発表場所
      Nagoya institute of technology, Aichi Japan
    • 年月日
      2011-03-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Hydrogen in InN with Polar, Nonpolar and Semipolar Surface Orientations2011

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, S.Ruffenach, M.-Y.Xie, E.Alves, M.Moret, O.Briot, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamasuchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Development of Radical Beam Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, T.Fujishima, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
    • 発表場所
      Nagoya institute of technology, Aichi Japan
    • 年月日
      2011-03-07
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, K. Wangand T. Araki
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German - Japanese - Spanish Joint Workshop
    • 発表場所
      グラナダ(スペイン)
    • 年月日
      2011-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop
    • 発表場所
      グラナダ(スペイン)(招待講演)
    • 年月日
      2011-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop
    • 発表場所
      Granada Spain
    • 年月日
      2011-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress of DERI Process for Growth of InN and Related Alloys2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      40th "Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Krynica-Zdroj(ポーランド)(招待講演)
    • 年月日
      2011-06-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Evaluation of P-type InN Using Temperature Dependence of I-V Characteristics2011

    • 著者名/発表者名
      H.Sakurai, J.Kikawa, R.Iwamoto, K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] In極性InN上への再成長による貫通転位密度低減2011

    • 著者名/発表者名
      荒木努、坂本務、三木彰、上松尚、高松祐基、山口智広、名西やすし
    • 学会等名
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス(山形県)
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Thick InGaN Growth Using DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      N.Uematsu, T.Yamaguchi, R.Iwamoto, T.Sakamoto, T.Fujishima, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium (EMS30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2011-07-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      San Francisco, CA USA
    • 年月日
      2011-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] TEM Study on Microstructure of Mg-doped InN Grown by RF-MBE Using DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, T.Sakamoto, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
    • 発表場所
      Nagoya institute of technology, Aichi Japan
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] N極性及びIn極性のInN-MIS構造の作製と評価2011

    • 著者名/発表者名
      森本健太、三木彰、山口智弘、前田就彦、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学 神奈川県厚木市
    • 年月日
      2011-03-24
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Fabrication of Nano-structure of A-plane InN on Patterned A-plane GaN Template by ECR-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, S.Yamashita, T.Yamaguchi, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop
    • 発表場所
      Granada Spain
    • 年月日
      2011-03-17
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] DERI法を用いたA面GaNテンプレート上A面InNの作成2011

    • 著者名/発表者名
      油谷匡胤、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成23年電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      兵庫県立大学書写キャンパス(兵庫県)
    • 年月日
      2011-10-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization of InN Nanocolumns on GaN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2011 (EMC2011)
    • 発表場所
      サンタバーバラ(アメリカ)
    • 年月日
      2011-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] ECR-MBE法を用いたA面InNナノ構造の配列制御選択成長2011

    • 著者名/発表者名
      荒木努、山下修平、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
    • 発表場所
      つくば国際会議場(茨城県)(招待講演)
    • 年月日
      2011-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Investigation of InN Nanocolumns Grown on GaN Templates by Molecular Beam Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 電流-電圧特性の温度依存性評価によるp型InNの検証2011

    • 著者名/発表者名
      櫻井秀昭、井脇明日香、岩本亮輔、山口智弘、城川潤二郎、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学 神奈川県厚木市
    • 年月日
      2011-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Contactless Eectroreflectance Spectroscopy of Electron Gas in InN Layers and AlGaN/GaN Transistor Heterostructures2011

    • 著者名/発表者名
      R.Kudrawiec, M.Gladysiewicz, J.Misiewicz, T.Suski, D.Muto, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2011 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      ニース(フランス)
    • 年月日
      2011-05-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 電流-電圧特性の温度依存性評価によるp型InNの検証2011

    • 著者名/発表者名
      櫻井秀昭、井脇明日香、岩本亮輔、山口智弘、城川潤二郎、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学 神奈川県厚木市
    • 年月日
      2011-03-24
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Growth of InN Nanocolumns on GaN Templates and Sapphire by RF-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 発表場所
      鳥羽国際ホテル(三重県)
    • 年月日
      2011-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress of InN and Related Alloys Grown by DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      2011 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      ニース(フランス)(招待講演)
    • 年月日
      2011-05-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Anharmonic Phonon Decay in InN Thin Films2011

    • 著者名/発表者名
      N.Domenech-Amador, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] PN Junction Measurement in InN2011

    • 著者名/発表者名
      E.A.Llado, M.Mayer, N.Mayer, T.Yamaguchi, K.Wang, E.Haller, Y.Nanishi, J.Ager
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Photoreflectance and Photoluminescence of InN Layers with Low Electron Concentration2011

    • 著者名/発表者名
      R.Kudrawiec, J.Misiewicz, T.Suski, D.Muto, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2011 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      ニース(フランス)
    • 年月日
      2011-05-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InNおよびGaN成長における原子脱離過程その場観察2011

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、本田徹、名西〓之
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会主催2011年年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館(東京都)
    • 年月日
      2011-12-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      サンフランシスコ(アメリカ)(招待講演)
    • 年月日
      2011-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Study on DERI Growth of InN-Role of Indium Droplet-2011

    • 著者名/発表者名
      T.Katsuki, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium (EMS30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2011-07-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop
    • 発表場所
      Granada Spain
    • 年月日
      2011-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Unintentional Incorporation of Hydrogen in InN with Different Surface Orientations2011

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, M.-Y.Xie, N.P.Barradas, E.Alves, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2011 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      ニース(フランス)
    • 年月日
      2011-05-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Development of Radical Beam Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, T.Fujishima, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
    • 発表場所
      Nagoya Institute of Technology, Aichi Japan
    • 年月日
      2011-03-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] In Situ Monitoring Techniques by DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, T.Honda, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium (EMS30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2011-07-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] N極性及びIn極性のInN-MIS構造の作製と評価2011

    • 著者名/発表者名
      森本健太、三木彰、山口智弘、前田就彦、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学 神奈川県厚木市
    • 年月日
      2011-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys II -P-Type Doping, Nano-Structure and New Challenges-2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, E.Yoon
    • 学会等名
      The 2nd WCU (World Class University) Symposium
    • 発表場所
      Gwangju(韓国)(招待講演)
    • 年月日
      2011-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Application of DERI Method to InGaN Growth and Mg Doping2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon
    • 学会等名
      Advanced Workshop on 'Frontiers in Electronics' (WOFE 2011)
    • 発表場所
      San Juan(プエルトリコ)(招待講演)
    • 年月日
      2011-12-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Temperature Dependence of I-V Characteristics of p-type InN Grown by RF-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      H.Sakurai, J.Kikawa, R.Iwamoto, K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium (EMS30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2011-07-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      San Francisco, CA USA
    • 年月日
      2011-01-24
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Proposal of Thick InGaN Film Growth Using Advanced Droplet Elimination Process by Radical-Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, N.Uematsu, R.Iwamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
    • 発表場所
      グラスゴー(スコットランド)
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growths of InN/InGaN Periodic Structure and Thick InGaN Film Using Droplet Elimination Process by Radical-Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, T.Araki, T.Honda, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE2011)
    • 発表場所
      サンディエゴ(アメリカ)
    • 年月日
      2011-08-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano- Structures2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 1st WCU Symposium (World Class University) on Hybrid Materials
    • 発表場所
      Gangwon(韓国)(招待講演)
    • 年月日
      2011-06-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth and Fabrication of InN-based III-nitride Structure Using Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      San Francisco, CA USA
    • 年月日
      2011-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] TEM Study on Microstructure of Mg-doped InN Grown by RF-MBE Using DERI Method2011

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, T.Sakamoto, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011)
    • 発表場所
      Nagoya Institute of Technology, Aichi Japan
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Various Application of DERI (Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation) Method in Growth of RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法InGaN成長を用いた厚膜化への試み2010

    • 著者名/発表者名
      上松尚、山口智広、岩本亮輔、坂本努、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Evidence of Rectification in InN pn Junctions2010

    • 著者名/発表者名
      N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W.Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth, Monitoring, P-type doping and MQW Structure Fabrication by DERI Method2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      The international worskshop on modern and advanced phenomena in wurtzite semiconductors
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-09
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Evidence of Rectification in InN pn Junctions2010

    • 著者名/発表者名
      N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W.Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] MBE法を用いたA面GaNテンプレート上A面InN選択成長2010

    • 著者名/発表者名
      山下修平、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成22年 電気関係学会関西連合大会
    • 発表場所
      立命館大学キャンパス滋賀県草津市
    • 年月日
      2010-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Forty years research toward compound semiconductor frontiers-Tributary road from GaAs to InN through GaN-2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] DERI法のRHEED強度その場観察手法を用いたラジカルセル診断2010

    • 著者名/発表者名
      勝木拓郎、福本英太、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学 三重県三重市
    • 年月日
      2010-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] In組織揺らぎのメカニズム解明に向けたRF-MBE成長InGaNのCL測定評価2010

    • 著者名/発表者名
      木村拓也、福本英太、山口智広、王科、金子昌充、武田彰史、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Free Hole Concentration and Mobility in InN : Mg2010

    • 著者名/発表者名
      N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W.Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法InGaN成長を用いた厚膜化への試み2010

    • 著者名/発表者名
      上松尚、山口智広、岩本亮輔、坂本努、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Characterization of Contact Resistance of Ti/Al/Ti/Au Ohmic Metal on N-polar and In-polar InN Films mown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      K.Morimoto, S.Kikuchi, N.Maeda, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Nano-Photonics2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd GIST Information and Mechatronics Week 2010
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-12-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Potential, Present Status and Future Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, E.Yoon
    • 学会等名
      The second LED domestic conference
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-08-25
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Raman scattering study of the temperature dependence of phonons in InN2010

    • 著者名/発表者名
      N.Domenech-Amador, L.Aruzs, R.Cusco, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, M.Kaneko, E.Yoon, N.Miller, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-21
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Unintentional incorporation of hydrogen in InN : diffusion kinetics and effect of surface orientation2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, L.Artus, D.Rogala, H.-W.Becker, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 電流・電圧特性の温度依存性評価によるp型InNの検証2010

    • 著者名/発表者名
      櫻井秀昭、井脇明日香、岩本亮輔、山口智弘、城川潤二郎、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学神奈川県厚本市
    • 年月日
      2010-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InNデバイス作製プロセスへのウエットエッチングの適用2010

    • 著者名/発表者名
      三木彰、森本健太、前田就彦、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Undoped and Mg-doped InN Grown Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, R.Iwamoto, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconduct or Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2010-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth and Characterization of InN-Related Materials2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      Rainbow Second Training Workshop
    • 発表場所
      Madrid Spain
    • 年月日
      2010-08-31
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, M.Kaneko, E.Yoon, N.Miller, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
    • 発表場所
      Takamatsu symbol tower, Kagawa Japan
    • 年月日
      2010-06-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2010 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg France
    • 年月日
      2010-06-10
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Droplet elimination process by radical beam irradiation for the growth of InN-based III-nitrides and its application to device structure2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2010 International Coference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo Univ, Japan
    • 年月日
      2010-09-24
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Growth and Characterization of InN-Related Materials2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      Rainbow Second Training Workshop
    • 発表場所
      Madrid Spain
    • 年月日
      2010-08-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 窒化物光半導体未踏領域への挑戦-InNと関連混晶の新しい成長技術と評価2010

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、王科、荒木努、Euijoon Yoon
    • 学会等名
      応用物理学会九州支部学術講演会
    • 発表場所
      九州大学伊都キャンパス福岡県福岡市
    • 年月日
      2010-11-27
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Japan-Korea Joint Symposium2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      Japan-Korea Joint Symposium
    • 発表場所
      Daejeon Korea
    • 年月日
      2010-04-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討2010

    • 著者名/発表者名
      荒木努、川島圭介、山日智広、名西〓之
    • 学会等名
      2010年度電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学中之島センター大阪府大阪市
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InGaN Growth Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010)
    • 発表場所
      Berlin Germany
    • 年月日
      2010-08-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth and Characterization of InN-Related Materials2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      Rainbow Second Training Workshop
    • 発表場所
      Madrid Spain
    • 年月日
      2010-08-31
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Nano-Photonics2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd GIST Information and Mechatronics Week 2010
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-12-02
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2010)
    • 発表場所
      Takamatsu symbol tower, Kagawa Japan
    • 年月日
      2010-06-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Undoped and Mg-doped InN Grown Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, R.Iwamoto, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      Beijing China
    • 年月日
      2010-05-18
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Growth, Monitoring, P-type doping and MQW Structure Fabrication by DERI Method2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      The international worskshop on modern and advanced phenomena in wurtzite semiconductors
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)
    • 発表場所
      Notre Dame, Indiana, USA
    • 年月日
      2010-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Effect of low-temperature InN buffer on A-plane InN growth on nitridated r-plane sapphire by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, K.Kawashima, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)
    • 発表場所
      Beijing China
    • 年月日
      2010-08-09
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Forty years research toward compound semiconductor frontiers-Tributary road from GaAs to InN through GaN-2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] C面、A面、M面InNの表面化学状態の解析2010

    • 著者名/発表者名
      高木俊樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Evidence of Free Holes in Mg Doped InN2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] In Situ Monitoring of InN Grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      ISPlasma2010
    • 発表場所
      名古屋(日本)
    • 年月日
      2010-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Unintentional incorporation of hydrogen in InN : diffusion kinetics and effect of surface orientation2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P Barradas, E.Alves, L.Artus, D.Rogala, H.-W.Becker.C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.To, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Various Application of DERI (Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation) Method in Growth of RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Free Hole Concentration and Mobility in InN : Mg2010

    • 著者名/発表者名
      N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W_ Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法を用いたInGaN成長と組成制御への試み2010

    • 著者名/発表者名
      岩本亮輔、山口智広、上松尚、坂本努、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Characterization of Contact Resistance of Ti/Al/Ti/Au Ohmic Metal on N-polar and In-polar InN Films grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      K.Morimoto, S.Kikuchi, N.Maeda, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Evidence of Free Holes in Mg Doped InN2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Effect of low-temperature InN buffer on A-plane InN growth on nitridated r-plane sapphire by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, K.Kawashima, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)
    • 発表場所
      Beijing China
    • 年月日
      2010-08-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      F.J.Manjon, J.Ibanez, A.Segura, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      48th European High Pressure Research Group Conference (EHPRG)
    • 発表場所
      Uppsala Sweden
    • 年月日
      2010-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Aloys and Challenges for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, M.Kaneko, E.Yoon, N.Miller, J.W.AgerIII, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InNデバイス作製プロセスへのウエットエッチングの適用2010

    • 著者名/発表者名
      三木彰、森本健太、前田就彦、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2010 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg France
    • 年月日
      2010-06-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Raman scattering study of the temperature dependence of phonons in InN2010

    • 著者名/発表者名
      N.Domenech-Amador, L.Artus, R.Cusco, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] N極性及びIn極性のInN-MIS構造の作製と評価2010

    • 著者名/発表者名
      森本健大、三木彰、山口智弘、前田就彦、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学神奈川県厚木市
    • 年月日
      2010-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Hydrogen in InN : Ubiquitous Phenomena in Molecular Beam Epitaxy Grown Material2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, M.-Y.Xie, B.Monemar, M.Schubert, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      CIMTEC2010 (5th Forum on New Materials)
    • 発表場所
      Montecatini Terme, Tuscany Italy
    • 年月日
      2010-06-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法を用いたIn系窒化物半導体の結晶成長とデバイス構造作製への応用2010

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学三重県三重市
    • 年月日
      2010-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討2010

    • 著者名/発表者名
      荒木努、川島圭介、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2010年度 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学中之島センター大阪府大阪市
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] A面InN成長のための低温InNバッファ層最適成長条件の検討2010

    • 著者名/発表者名
      荒木努、川島圭介、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Raman scattering study of the temperature dependence of phonons in InN2010

    • 著者名/発表者名
      N.Domenech-Amador, L.Artus, R.Cusco, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth, Monitoring, P-type doping and MQW Structure Fabrication by DERI Method2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      The international workshop on modern and advanced phenomena in wurtzite semiconductors
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Wet Etching Process for InN Device Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Characterization of Contact Resistance of Ti/Al/Ti/Au Ohmic Metal on N-polar and In-polar InN Films grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      K.Morimoto, S.Kikuchi, N.Maeda, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)
    • 発表場所
      Notre Dame, Indiana, USA
    • 年月日
      2010-06-25
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] MBE法を用いたA面GaNテンプレート上A面InN選択成長2010

    • 著者名/発表者名
      山下修平、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成22年電気関係学会関西連合大会
    • 発表場所
      立命館大学キャンパス滋賀県草津市
    • 年月日
      2010-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Potential, Present Status and Future Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, E.Yoon
    • 学会等名
      The second LED domestic conference
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-08-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InGaN Growth Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010)
    • 発表場所
      Berlin Germany
    • 年月日
      2010-08-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Investigation on InN mole fraction fluctuation in InGaN films grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kimura, E.Fukumoto, T.Yamaguchi, K.Wang, M.Kaneko, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Growth, Monitoring and InN/InGaN MQW Structure Fabrication by DERI Method2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      IX International Conference of Polish Society for Crystal Growth
    • 発表場所
      Gdansk-Sobieszewo Poland
    • 年月日
      2010-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法を用いたInGaN成長と組成制御への試み2010

    • 著者名/発表者名
      岩本亮輔、山口智広、上松尚、坂本努、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      F.J.Manjon, J.Ibanez, A.Segura, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      48th European High Pressure Research Group Conference (EHPRG)
    • 発表場所
      Uppsala Sweden
    • 年月日
      2010-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Forty years research toward compound semiconductor frontiers-Tributary road from GaAs to InN through GaN-2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] In組織揺らぎのメカニズム解明に向けたRF-MBE成長InGaNのCL測定評価2010

    • 著者名/発表者名
      木村拓也、福本英太、山口智広、王科、金子昌充、武田彰史、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Research Activities in Japan toward Nitride Semiconductor Opto-electronics Frontier2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      Korea Optoelectronic Engineering Society
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] In Situ Monitoring of InN Grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, E..Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      ISPlasma2010
    • 発表場所
      名古屋(日本)
    • 年月日
      2010-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Various Application of DERI (Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation) Method in Growth of RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, H.Umeda, T.Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] TEMを用いたDERI法ドープInNの極微構造評価2010

    • 著者名/発表者名
      坂本努、山口智広、岩本亮輔、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Mg doped InN and search for holes2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J W Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法を用いたIn系窒化物半導体の結晶成長とデバイス構造作製への応用2010

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学 三重県三重市
    • 年月日
      2010-05-14
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Wet Etching by KOH for InN Device Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Fabrication of InN/InGaN Multi Quantum Well Structures by Droplet Elimination by Radical-Beam Irradiation2010

    • 著者名/発表者名
      H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      ISPlasma2010
    • 発表場所
      名古屋(日本)
    • 年月日
      2010-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Free-Charge Carrier Properties and Doping Mechanisms of Thin Films of InN and Related Alloys2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, T.Hofmann, B.Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V)
    • 発表場所
      Albany, New York USA
    • 年月日
      2010-05-27
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Evidence of Rectification in InN pn Junctions2010

    • 著者名/発表者名
      N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W.Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Undoped and Mg-doped InN Grown Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, R.Iwamoto, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      Beijing China
    • 年月日
      2010-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, M. Kaneko, E. Yoon, N. Miller, J. W. Ager III, K. M. Yu, W. Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      タンパ(アメリカ)
    • 年月日
      2010-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Japan-Korea Joint Symposium2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      Japan-Korea Joint Symposium
    • 発表場所
      Daejeon Korea
    • 年月日
      2010-04-21
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] InGaN Growth Using Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation Method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010)
    • 発表場所
      Berlin Germany
    • 年月日
      2010-08-26
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Dry etching of In-and N-polar InN using inductively-coupled plasma2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fujishima, S.Takahashi, K.Morimoto, R.Iwamoto, N.Uematsu, M.Yutani, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Free-Charge Carrier Properties and Doping Mechanisms of Thin Films of InN and Related Alloys2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, T.Hofmann, B.Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V)
    • 発表場所
      Albany, New York USA
    • 年月日
      2010-05-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Unintentional incorporation of hydrogen in InN : diffusion kinetics and effect of surface orientation2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, L.Artus, D.Rogala, H.-W.Becker, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] DERI法を用いたInGaN成長と組成制御への試み2010

    • 著者名/発表者名
      岩本亮輔、山口智広、上松尚、坂本努、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Fabrication of InN/InGaN Multi Quantum Well Structures by Droplet Elimination by Radical-Beam Irradiation2010

    • 著者名/発表者名
      H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      ISPlasma2010
    • 発表場所
      名古屋(日本)
    • 年月日
      2010-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 窒化物光半導体未踏領域への挑戦-InNと関連混晶の新しい成長技術と評価2010

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、王科、荒木努、Euijoon Yoon
    • 学会等名
      応用物理学会九州支部学術講演会
    • 発表場所
      九州大学伊都キャンパス福岡県福岡市
    • 年月日
      2010-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Investigation on InN mole fraction fluctuation in InGaN films grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kimura, E.Fukumoto, T.Yamaguchi, K.Wang, M.Kaneko, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Mg doped InN and search for holes2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J W Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Nano-Photonics2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      3rd GIST Information and Mechatronics Week 2010
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-12-02
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] A面InN成長のための低温InNバッファ層最適成長条件の検討2010

    • 著者名/発表者名
      荒木努、川島圭介、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Surface Kinetics of Indium Adlayers and Droplets and Their Roles in InN Growth by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Research Activities in Japan toward Nitride Semiconductor Opto-electronics Frontier2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      Korea Optoelectronic Engineering Society
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Mg doped InN and search for holes2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J W Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Research Activities in Japan toward Nitride Semiconductor Opto-electronics Frontier2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      Korea Optoelectronic Engineering Society
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-10-08
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討2010

    • 著者名/発表者名
      荒木努、川島圭介、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2010年度 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学中之島センター大阪府大阪市
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] MBE法を用いたA面GaNテンプレート上A面InN選択成長2010

    • 著者名/発表者名
      山下修平、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成22年 電気関係学会関西連合大会
    • 発表場所
      立命館大学キャンパス滋賀県草津市
    • 年月日
      2010-11-14
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Wet Etching Process for InN Device Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Optical Hall Effect in InN : Bulk Doping Mechanism and Surface Electron Accumulation Properties2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, T.Hofmann, Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      PLCN10
    • 発表場所
      Cuernavaca Mexico
    • 年月日
      2010-04-12
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Droplet elimination process by radical beam irradiation for the growth of InN-based III-nitrides and its application to device structure2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2010 International Coference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo Univ, Japan
    • 年月日
      2010-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Wet Etching by KOH for InN Device Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺 静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Optical Hall Effect in InN : Bulk Doping Mechanism and Surface Electron Accumulation Properties2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, T.Hofmann, Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      PLCN10
    • 発表場所
      Cuernavaca Mexico
    • 年月日
      2010-04-12
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] 硬X線光電子分光によるInNバルク評価2010

    • 著者名/発表者名
      金子昌充、山口智広、井村将隆、山下良之、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] TEMを用いたDERI法ドープInNの極微構造評価2010

    • 著者名/発表者名
      坂本努、山口智広、岩本亮輔、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Surface Kinetics of Indium Adlayers and Droplets and Their Roles in InN Growth by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      J.Ibanez, A.Segura, F.J.Manjon, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2010 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg France
    • 年月日
      2010-06-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Wet Etching Process for InN Device Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 窒化物光半導体フロンティア領域開拓の現状2010

    • 著者名/発表者名
      名西〓之
    • 学会等名
      LED総合フォーラム
    • 発表場所
      阿波銀ホール徳島県徳島市
    • 年月日
      2010-04-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Investigation on InN mole fraction fluctuation in InGaN films grown by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kimura, E.Fukumoto, T.Yamaguchi, K.Wang, M.Kaneko, T.Araki, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Dry etching of In-and N-polar InN using inductively-coupled plasma2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fujishima, S.Takahashi, K.Morimoto, R.Iwamoto, N.Uematsu, M.Yutani, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] 窒化物光半導体未踏領域への挑戦-InNと関連混晶の新しい成長技術と評価2010

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、山口智広、王科、荒木努、Euijoon Yoon
    • 学会等名
      応用物理学会九州支部学術講演会
    • 発表場所
      九州大学伊都キャンパス福岡県福岡市
    • 年月日
      2010-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Hydrogen in InN : Ubiquitous Phenomena in Molecular Beam Epitaxy Grown Material2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, M.-Y.Xie, B.Monemar, M.Schubert, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      CIMTEC2010 (5th Forum on New Materials)
    • 発表場所
      Montecatini Terme, Tuscany Italy
    • 年月日
      2010-06-16
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] TEMを用いたDERI法ドープInNの極微構造評価2010

    • 著者名/発表者名
      坂本努、山口智広、岩本亮輔、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Free-Charge Carrier Properties and Doping Mechanisms of Thin Films of InN and Related Alloys2010

    • 著者名/発表者名
      V. Darakchieva, M.Schubert, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, T.Hofmann, B.Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.To, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V)
    • 発表場所
      Albany, New York USA
    • 年月日
      2010-05-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法のRHEED強度その場観察手法を用いたラジカルセル診断2010

    • 著者名/発表者名
      勝木拓郎、福本英太、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学三重県三重市
    • 年月日
      2010-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] LiAlO_2(100)板上M面InN低温バッファ層利用に向けたM面GaN下地層の有効性2010

    • 著者名/発表者名
      香川和明、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Optical Hall Effect in InN : Bulk Doping Mechanism and Surface Electron Accumulation Properties2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, T.Hofmann, Monemar, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W Tu, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      PLCN10
    • 発表場所
      Cuernavaca Mexico
    • 年月日
      2010-04-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Hydrogen in InN : Ubiquitous Phenomena in Molecular Beam Epitaxy Grown Material2010

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, M.-Y.Xie, B.Monemar, M.Schubert, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.To, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      CIMTEC2010 (5th Forum on New Materials)
    • 発表場所
      Montecatini Terme, Tuscany Italy
    • 年月日
      2010-06-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Dry etching of In-and N-polar InN using inductively-coupled plasma2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fujishima, S.Takahashi, K.Morimoto, R.Iwamoto, N.Uematsu, M.Yutani, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Japan-Korea Joint Symposium2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      Japan-Korea Joint Symposium
    • 発表場所
      Daejeon Korea
    • 年月日
      2010-04-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2010 (EMC2010)
    • 発表場所
      Notre Dame, Indiana, USA
    • 年月日
      2010-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth, Monitoring and InN/InGaN MQW Structure Fabrication by DERI Method2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      IX International Conference of Polish Society for Crystal Growth
    • 発表場所
      Gdansk-Sobieszewo Poland
    • 年月日
      2010-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Umeda, T.Yamaguchi, T.Sakamoto, E.Yoon, Y.Nanishi
    • 学会等名
      22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
    • 発表場所
      Takamatsu symbol tower, Kagawa Japan
    • 年月日
      2010-06-01
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Free Hole Concentration and Mobility in InN : Mg2010

    • 著者名/発表者名
      N.Miller, J.W.Ager III, E.E.Haller, W.Walukiewicz, Ke Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] DERI法のRHEED強度その場観察手法を用いたラジカルセル診断2010

    • 著者名/発表者名
      勝木拓郎、福本英太、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学 三重県三重市
    • 年月日
      2010-05-15
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Effect of low-temperature InN buffer on A-plane InN growth on nitridated r-plane sapphire by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, K.Kawashima, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)
    • 発表場所
      Beijing China
    • 年月日
      2010-08-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法InGaN成長を用いた厚膜化への試み2010

    • 著者名/発表者名
      上松尚、山口智広、岩本亮輔、坂本努、藤嶌辰也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法を用いたIn系窒化物半導体の結晶成長とデバイス構造作製への応用2010

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学 三重県三重市
    • 年月日
      2010-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth, Monitoring and InN/InGaN MQW Structure Fabrication by DERI Method2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      IX International Conference of Polish Society for Crystal Growth
    • 発表場所
      Gdansk-Sobieszewo Poland
    • 年月日
      2010-05-25
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Droplet elimination process by radical beam irradiation for the growth of InN-based III-nitrides and its application to device structure2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo Univ Tokyo Japan
    • 年月日
      2010-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 硬X線光電子分光によるInNバルク評価2010

    • 著者名/発表者名
      金子昌充、山口智広、井村将隆、山下良之、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Surface Kinetics of Indium Adlayers and Droplets and Their Roles in InN Growth by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida USA
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] LiA1O_2(100)基板上M面InN低温バッファ層利用に向けたM面GaN下地層の有効性2010

    • 著者名/発表者名
      香川和明、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] High-Pressure Optical Absorption and Raman Scattering in InN Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      F.J.Manjon, J.Ibanez, A.Segura, R.Cusco, L.Artus, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      48th European High Pressure Research Group Conference (EHPRG)
    • 発表場所
      Uppsala Sweden
    • 年月日
      2010-07-26
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] C面、A面、M面InNの表面化学状態の解析2010

    • 著者名/発表者名
      高木俊樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Challenges for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki, M.Kaneko, E.Yoon, N.Miller, J.W.Ager III, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      タンパ(アメリカ)(基調講演)
    • 年月日
      2010-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] InNデバイス作製プロセスへのウエットエッチングの適用2010

    • 著者名/発表者名
      三木彰、森本健太、前田就彦、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年(平成22年)秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学 文教キャンパス長崎県長崎市
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Potential, Present Status and Future Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi, E.Yoon
    • 学会等名
      The second LED domestic conference
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-08-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Adsorption and Desorption of Indium Adlayer on GaN Surface2010

    • 著者名/発表者名
      王科、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 窒化物光半導体フロンティア領域開拓の現状2010

    • 著者名/発表者名
      名西〓之
    • 学会等名
      LED総合フォーラム
    • 発表場所
      阿波銀ホール 徳島県徳島市
    • 年月日
      2010-04-17
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] Evidence of Free Holes in Mg Doped InN2010

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, R.Iwamoto, T.Yamaguchi, K.Kagawa, T.Araki, Y.Nanishi, N.Miller, M.Mayer, J.W.Ager, K.M.Yu, W.Walukiewicz
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides 2010
    • 発表場所
      Montpellier France
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Wet Etching by KOH for InN Device Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      A.Miki, K.Morimoto, N.Maeda, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EM529)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺静岡県伊豆市
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 窒化物光半導体フロンティア領域開拓の現状2010

    • 著者名/発表者名
      名西〓之
    • 学会等名
      LED総合フォーラム
    • 発表場所
      阿波銀ホール 徳島県徳島市
    • 年月日
      2010-04-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Adsorption and Desorption of Indium Adlayer on GaN Surface2010

    • 著者名/発表者名
      王科、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth of InN and Related Alloys Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      2009 E-MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ワルシャワ(ポーランド)
    • 年月日
      2009-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth and Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki
    • 学会等名
      PDI Topical workshop on MBE-grown Nitride Nanowires
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      2009-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE Growth and Characterization of M-Plane InN on LiAlO2 with C-Plane Phase Inclusion2009

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Nozawa, Y.Takagi, A.Takeda, T.Sakamoto, K.Kagawa, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Polarized Photoluminescence from Nonpolar InN Films2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, K.Kawashima, Y.Takagi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Proposal of New RF-MBE Method Capable for Reproducible, High-Quality InN Growth2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之, 山口智広
    • 学会等名
      17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ACCGE-17)
    • 発表場所
      ウィスコンシン(アメリカ)
    • 年月日
      2009-08-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] V/III Ratiodependence on M-Plane InN Growth on LiAlO2(100) Substrates by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      K.Kagawa, Y.Takagi, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium (EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] LiAlO_2基板上C面混在M面InN薄膜の構造評価2009

    • 著者名/発表者名
      荒木努、野沢浩一、高木悠介、武藤大祐、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE Growth and Characterization of M-Plane InN on LiAIO2 with C-Plane Phase Inclusion2009

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Nozawa, Y.Takagi, A.Takeda, T.Sakamoto, K.Kagawa, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法によるr面(10-12)Sapphire 基板上InNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      川島圭介、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成21年電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      大阪大学(吹田市)
    • 年月日
      2009-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長-配列制御InNナノコラム成長について-2009

    • 著者名/発表者名
      荒木努、山口智広、金子昌充、名西〓之
    • 学会等名
      2009年度電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学(徳島市)
    • 年月日
      2009-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] CTLM法によるIn極性及びN極性の高品質InN薄膜へのコンタクト抵抗評価2009

    • 著者名/発表者名
      森本健太、菊池将悟、前田就彦、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth and Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki
    • 学会等名
      PDI Topical workshop on MBE-grown Nitride Nanowires
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      2009-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Raman Scattering by LO-Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN Epilayers : Dependence on the Excitation Laser Intensity and Wavelength2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, J.lbanez, E.Alarcon-Llado, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 学会等名
      2009 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ボストン(アメリカ)
    • 年月日
      2009-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Structural Anisotropy and Free Electron Properties of a-Plane InN2009

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, N.Franco, M.Schubert, B.Monemar, C.-L.Hsiao, T.-W Liu, L.-C.Chen, D.Muto, Y.Nanishi
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
    • 発表場所
      ストラスブルグ(フランス)
    • 年月日
      2009-06-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress and Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      33rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits(WOCSDICE 2009)
    • 発表場所
      マラガ(スペイン)
    • 年月日
      2009-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Structural Anisotropy and Free Electron Properties of a-Plane InN2009

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, N.Franco, M.Schubert, B.Monemar, C.-L.Hsiao, T.-W Liu, L.-C.Chen, D.Muto, Y.Nanishi
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
    • 発表場所
      ストラスブルグ(フランス)
    • 年月日
      2009-06-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 低温InNバッファ層を用いた高品質A面(11-20)InNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] InNへのMgドーピングにおける成長条件依存性2009

    • 著者名/発表者名
      岩本亮輔、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Influence of Defects, Dopants and Surface Orientation on Free Carrier Properties of InN2009

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, E.Alves, K.Lorenz, M.-Y.Xie, T.Hofmann, W.J.Schaff, L.C.Chen, L.W.Tu, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2009 E-MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ワルシャワ(ポーランド)
    • 年月日
      2009-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE International Symposium on Integrated Optoelectronic Devices 2009
    • 発表場所
      San Jose Convention Center(San Jose, USA)
    • 年月日
      2009-01-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] 極性及び無極性InNの表面電位評価2009

    • 著者名/発表者名
      金子昌充、川島圭介、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法により作製されたInNの光反射率その場観察2009

    • 著者名/発表者名
      王科、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Hydorogen in InN2009

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N.P.Barradas, E.Alves, M.-Y.Xie, B.Monemar, M.Schubert, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Proposal of New RF-MBE Method Capable for Reproducible, High-Quality InN Growth2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ACCGE-17)
    • 発表場所
      ウィスコンシン(アメリカ)
    • 年月日
      2009-08-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] AlN/InNへテロ構造の作製と評価2009

    • 著者名/発表者名
      奥村昌平、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Photoexcited Carriers in InN Layers Observed by Raman Scattering2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco.E.Alarcon-Llado, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] New Reproducible MBE Growth method for High Quality InN and InGaN2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      Advanced Workshop on 'Frontiers in Electronics'(WOFE09)
    • 発表場所
      リンコン(プエルトリコ)
    • 年月日
      2009-12-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] MBE法によるGaN加工基板上配列制御InNナノコラムの作製2009

    • 著者名/発表者名
      片岡佳大、田宮秀敏、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会(Post-ISGN2)
    • 発表場所
      東京農工大学(小金井市)
    • 年月日
      2009-05-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE International Symposium on Integrated Optoelectronic Devices 2009
    • 発表場所
      San Jose Convention Center (San Jose, USA)
    • 年月日
      2009-01-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法により作製されたInNの光反射率その場観察2009

    • 著者名/発表者名
      王科、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Proposal of New InN Growth Method by MBE and Usefulness of This Method as Nitrogen Radical Beam Monitoring2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi
    • 学会等名
      First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2009)
    • 発表場所
      Nagoya University
    • 年月日
      2009-03-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] 窒化インジウム半導体の進展2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之
    • 学会等名
      第25回京都賞記念ワークショップ先端技術部門
    • 発表場所
      国立京都国際会館(京都市)
    • 年月日
      2009-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE InN成長におけるDERI法の有用性2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、王科、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] New Reproducible MBE Growth method for High Quality InN and InGaN2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之, 山口智広
    • 学会等名
      Advanced Workshop on 'Frontiers in Electronics'(WOFE 09)
    • 発表場所
      リンコン(プエルトリコ)
    • 年月日
      2009-12-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Al簿膜堆積によるC面InNの表面改質効果2009

    • 著者名/発表者名
      高木俊樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Influence of Defects, Dopants and Surface Orientation on Free Carrier Properties of InN2009

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, M.Schubert, E.Alves, K.Lorenz, M.-Y.Xie, T.Hofmann, W.J.Schaff, L.C.Chen, L.W.Tu, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2009 E-MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ワルシャワ(ポーランド)
    • 年月日
      2009-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Indium Incorporation Behavior in InGaN Growth by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Proposal and Potential of Simple, Reproducible, Thick and High Quality InN Growth Method by MBE2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之, 山口智広
    • 学会等名
      The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors(APWS2009)
    • 発表場所
      張家界(中国)
    • 年月日
      2009-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, D.Muto, M.Kaneko, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors(APWS2009)
    • 発表場所
      張家界(中国)
    • 年月日
      2009-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] カソードルミネッセンス法によるr面サファイア基板上InN薄膜の光学的評価2009

    • 著者名/発表者名
      武田彰史、川島圭介、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] CTLM法によるIn極性及びN極性の高品質InN簿膜綴へのコンタクト抵抗評価2009

    • 著者名/発表者名
      森本健太、菊池将悟、前田就彦、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Proposal of New InN Growth Method by MBE and Usefulness of This Method as Nitrogen Radical Beam Monitoring2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi and T. Yamaguchi
    • 学会等名
      First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2009)
    • 発表場所
      Nagoya University
    • 年月日
      2009-03-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Raman Scattering and Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN : a Free-Electron Density Study2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, E..Alarcon-Llado, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
    • 発表場所
      ストラスブルグ(フランス)
    • 年月日
      2009-06-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法を用いたRF-MBE InN結晶成長と各種その場観察評価2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、王科、岩本亮輔、名西やすし
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, D.Muto, M.Kaneko, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会(Post-ISGN2)
    • 発表場所
      東京農工大学(小金井市)
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] DERI法を用いたInN/InGaN量子井戸構造の作製2009

    • 著者名/発表者名
      梅田英知、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE InN成長におけるDERI法の有用性2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、王科、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] KFMによるInN表面電位の直接評価2009

    • 著者名/発表者名
      金子昌充, 山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Simple and Reproducible Growth of High-Quality InN by DERI2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, R.Iwamoto, N.Maeda, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 段差AlGaN/GaN基板上へのInN再成長構造の作製と電気的特性評価2009

    • 著者名/発表者名
      前田就彦, 山口智広, 菊池将悟, 廣木正伸, 名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Structural Characterization of M-Plane InN Grown on LiAIO2 Substrate with C-Plane Phase Inclusion2009

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Nozawa, Y.Takagi, A.Takeda, K.Kagawa, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Hydorogen in InN2009

    • 著者名/発表者名
      V.Darakchieva, K.Lorenz, N. P.Barradas, E.Alves, M.-Y.Xie, B.Monemar, M.Schubert, W.J.Schaff, C.L.Hsiao, L.C.Chen, L.W.Tu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-23
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 文部科学省 科研費 特定領域研究 窒化物光半導体のフロンティア 企画「紫外発光素子の進展」2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、吉田治正、川上養一、平松和政、船戸充、川西英雄、平山秀樹、天野浩
    • 学会等名
      2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] DERI法を用いたInN/InGaN量子井戸構造の作製2009

    • 著者名/発表者名
      梅田英知、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Raman Scattering and Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN : a Free-Electron Density Study2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, E., Alarcon-Llado, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
    • 発表場所
      ストラスブルグ(フランス)
    • 年月日
      2009-06-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Present Status and New Challenges of Nitride Semiconductors for Advanced Electronic Devices2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      2009 E-MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ワルシャワ(ポーランド)(招待講演)
    • 年月日
      2009-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Mg Doping of In-Rich InGaN Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      E.Fukumoto, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Evaluation of Surface Fermi Level of MBE-Grown InN by Kelvin-Probe Force Microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      金子昌充, 山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Evaluation of Surface Fermi Level of MBE-Grown InN by Kelvin-Probe Force Microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kaneko, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Potential and Challenges of InN and Related Alloys for Advanced Electronic Devices2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, N.Maeda, T.Yamaguchi, M.Kaneko
    • 学会等名
      67th Device Research Conference
    • 発表場所
      ペンシルバニア(アメリカ)
    • 年月日
      2009-06-23
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたメタルリッチ条件下でのInGaN成長2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Characterization of Metal Contact Resistance Using Al, Ti, and Ni on High-Quality InN Films Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      S.Kikuchi, N.Maeda, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Plarized Photoluminescence from Polar and Nonpolar InN Films2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] カソードルミネッセンス法によるr面サファイア基板上InN薄膜の光学的評価2009

    • 著者名/発表者名
      武田彰史、川島圭介、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Plarized Photoluminescence from Polar and Nonpolar InN Films2009

    • 著者名/発表者名
      王科, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 低温InNバッファ層を用いた高品質A面(11-20)InNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      川島圭介, 山口智広, 武藤大祐, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Structural Characterization of M-Plane InN Grown on LiAlO2 Substrate with C-Plane Phase Inclusion2009

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, H.Nozawa, Y.Takagi, A.Takeda, K.Kagawa, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] InNナノウォールの作製と評価2009

    • 著者名/発表者名
      片岡佳大、岩本亮輔、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Polarized Photoluminescence from Nonpolar InN Films2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, K.Kawashima, Y.Takagi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、名西やすし
    • 学会等名
      2009年度電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学(徳島市)
    • 年月日
      2009-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Photoexcited Carriers in InN Layers Observed by Raman Scattering2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, E.Alarcon-Llado, J.Ibanez, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Raman Scattering by LO-Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN Epilayers : Dependence on the Excitation Laser Intensity and Wavelength2009

    • 著者名/発表者名
      R.Cusco, J.Ibanez, E.Alarcon-Llado, T.Yamaguchi, Y.Nanishi, L.Artus
    • 学会等名
      2009 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ボストン(アメリカ)
    • 年月日
      2009-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] LiAlO_2基板上C面混在M面InN薄膜の構造評価2009

    • 著者名/発表者名
      荒木努, 野沢浩一, 高木悠介, 武藤大祐, 山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Indium Incorporation Behavior in InGaN Growth by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法によるr面(10-12)Sapphire基板上InNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      川島圭介、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成21年電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      大阪大学(吹田市)
    • 年月日
      2009-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] InNへのMgドーピングにおける成長条件依存性2009

    • 著者名/発表者名
      岩本亮輔、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 極性及び無極性InNの表面電位評価2009

    • 著者名/発表者名
      金子昌充、川島圭介、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Characterization of Contact Resistance of Al, Ti, and Ni in High-Quality InN Films grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟, 前田就彦, 山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2009(EMC2009)
    • 発表場所
      ペンシルバニア(アメリカ)
    • 年月日
      2009-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長-配列制御InNナノコラム成長について-2009

    • 著者名/発表者名
      荒木努、山口智広、金子昌充、名西〓之
    • 学会等名
      2009年度 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学(徳島市)
    • 年月日
      2009-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Simple and Reproducible Growth of High-Quality InN by DERI2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, R.Iwamoto, N.Maeda, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Observation of Surface Potential on Polar and Nonpolar InN by Kelvin-Probe Force Microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kaneko, Y.Takagi, K.Kawashima, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-23
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Proposal and Potential of Simple, Reproducible, Thick and High Quality InN Growth Method by MBE2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors(APWS2009)
    • 発表場所
      張家界(中国)
    • 年月日
      2009-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Characterization of Metal Contact Resistance Using At, Ti, and Ni on High-Quality InN Films Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟, 前田就彦, 山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広, 名西〓之
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
    • 発表場所
      ストラスブルグ(フランス)
    • 年月日
      2009-06-12
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] InNナノウォールの作製と評価2009

    • 著者名/発表者名
      片岡佳大、岩本亮輔、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Proposal of Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation for Reproducible Growth of High-quality InN and InGaN2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, A.Uedono, T.Suski, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Observation of Surface Potential on Polar and Nonpolar InN by Kelvin-Probe Force Microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kaneko, Y.Takagi, K.Kawashima, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 窒化インジウム半導体の進展2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之
    • 学会等名
      第25回京都賞記念ワークショップ先端技術部門
    • 発表場所
      国立京都国際会館(京都市)
    • 年月日
      2009-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Proposal of Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation for Reproducible Growth of High-quality InN and InGaN2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, A.Uedono, T.Suski, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 2009)
    • 発表場所
      チェジュ(韓国)
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、名西やすし
    • 学会等名
      2009年度 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学(徳島市)
    • 年月日
      2009-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Mg Doping of In-Rich InGaN Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      福本英太, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 高品質InN上薄膜AIN成長構造の作成と電気的特性の評価2009

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟、山口智広、前田就彦、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたLiA1O_2(100)基板上へのInNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      香川和明、高木悠介、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成21年電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      大阪大学(吹田市)
    • 年月日
      2009-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Progress and Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之, 山口智広
    • 学会等名
      33rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits(WOCSDICE 2009)
    • 発表場所
      マラガ(スペイン)
    • 年月日
      2009-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたLiAlO_2(100)基板上へのInNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      香川和明、高木悠介、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      平成21年電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      大阪大学(吹田市)
    • 年月日
      2009-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, D.Muto, M.Kaneko, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors(APWS2009)
    • 発表場所
      張家界(中国)
    • 年月日
      2009-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] CTLM法によるAl, Ti, Ni, のInNへのコンタクト抵抗評価2009

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟、前田就彦、山口智広、名西やす之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Characterization of Contact Resistance of Al, Ti, and Ni in High-Quality InN Films grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      S.Kikuchi, N.Maeda, T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2009(EMC2009)
    • 発表場所
      ペンシルバニア(アメリカ)
    • 年月日
      2009-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      K.Wang, T.Yamaguchi, A.Takeda, D.Muto, M.Kaneko, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会(POSt-ISGN2)
    • 発表場所
      東京農工大学(小金井市)
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] AlN/InNヘテロ構造の作製と評価2009

    • 著者名/発表者名
      奥村昌平、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西やす之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Growth of InN and Related Alloys Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2009 E-MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ワルシャワ(ポーランド)
    • 年月日
      2009-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] A1薄膜堆積によるC面InNの表面改質効果2009

    • 著者名/発表者名
      高木俊樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 高品質InN上薄膜AlN成長構造の作成と電気的特性の評価2009

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟、山口智広、前田就彦、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Proposal of New RF-MBE Growth Method for Reproducible and High-Quality InN and InGaN2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Yamaguchi
    • 学会等名
      15th Semiconducting and Insulating Materials Conference(SIMC-15)
    • 発表場所
      ヴィリニュス(リトアニア)
    • 年月日
      2009-06-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法を用いたRF-MBE InN結晶成長と各種その場観察評価2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、王科、岩本亮輔、名西やすし
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Potential and Challenges of InN and Related Alloys for Advanced Electronic Devices2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, N.Maeda, T.Yamaguchi, M.Kaneko
    • 学会等名
      67th Device Research Conference
    • 発表場所
      ペンシルバニア(アメリカ)
    • 年月日
      2009-06-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] V/III Ratiodependence on M-Plane InN Growth on LiAlO2(100)Substrates by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      香川和明, 高木悠介, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] MBE法によるGaN加工基板上配列制御InNナノコラムの作製2009

    • 著者名/発表者名
      片岡佳大、田宮秀敏、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会(Post-ISGN2)
    • 発表場所
      東京農工大学(小金井市)
    • 年月日
      2009-05-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Proposal of New RF-MBE Growth Method for Reproducible and High-Quality InN and InGaN2009

    • 著者名/発表者名
      名西〓之, 山口智広
    • 学会等名
      15th Semiconducting and Insulating Materials Conference(SIMC-15)
    • 発表場所
      ヴィリニュス(リトアニア)
    • 年月日
      2009-06-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology2009

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      E-MRS 2009 Spring Meeting(European Materials Research Society Spring Meeting)
    • 発表場所
      ストラスブルグ(フランス)
    • 年月日
      2009-06-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] New insight into the free carrier properties of InN2008

    • 著者名/発表者名
      V. Darakchieva, T. Hofmann, M. Schubert, B. Monemar, H. Lu, W. J. Schaff, C. -L. Y. Hsiao, T. -W. Liu, L. -C. Chen, D. Muto, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzeland)
    • 年月日
      2008-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Study on Initial Growth Process of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji(静岡県)
    • 年月日
      2008-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] X線光電子分光法によるMgドープInNの表面評価2008

    • 著者名/発表者名
      緩利友晶紀、野田光彦、武藤大祐、山口智広、金子昌充、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 低速陽電子ビームを用いたMgドープInNの点欠陥の検出2008

    • 著者名/発表者名
      成田幸輝、伊東健一、中森寛人、本多典宏、上殿明良、武藤大祐、荒木努、名西〓之、石橋章司
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications (Invited), International Conference on Optical2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
    • 学会等名
      Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA08)
    • 発表場所
      Edmonton, Canada
    • 年月日
      2008-07-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-2008

    • 著者名/発表者名
      名西〓之
    • 学会等名
      特定領域研究公開シンポジウム「窒化物光半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現-
    • 発表場所
      学士会館(東京都)
    • 年月日
      2008-08-01
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] TEMを用いたN極性MgドープInNの極微構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      野沢浩一、春井聡、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      高木悠介、野沢浩一、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      電子情報通信学会
    • 発表場所
      名古屋工業大学(名古屋市)
    • 年月日
      2008-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
    • 学会等名
      International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA 08)
    • 発表場所
      University of ALBERTA (EDMONTON, CANADA)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth and structura investigation of high-In-com Position InGaN/GaN Nanostructure2008

    • 著者名/発表者名
      T.Yamaguchi, A.Pretorius, A.Rosenauer, D.Hommel, T.Araki, and Y.Nanishi
    • 学会等名
      Workshop on Frontie Photonic and Electronic Materials and Devices-2008 JaPanese-German-SPanishpoint Workshop-
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] CTLM法によるInNオーミックコンタクト抵抗の評価2008

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟, 佐藤丈, 檜木啓宏, 山口智広, 前田就彦, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] LiAIO_2(100)基板上MgドープM面(10-10)lnNの結晶成長2008

    • 著者名/発表者名
      高木悠介, 武藤大祐, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2 (100) Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzeland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO_2 Substrate by RF-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] InN MISダイオードの順方向電気的特性2008

    • 著者名/発表者名
      佐藤 丈、檜木 啓宏、武藤 大祐、前田 就彦、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al2O3(0001) templates2008

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE Growth and Properties of Mg-doped Polar and Non-polar InN and In-rich InGaN (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi
    • 学会等名
      Topical Workshop on achieving p-type InN
    • 発表場所
      Hakone, Japan
    • 年月日
      2008-03-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Growth of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE on Hole-Pattemed GaN Template2008

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      27th Electronic Materials Symposium (EMS27)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
    • 年月日
      2008-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji(静岡県)
    • 年月日
      2008-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いた高In組成In GaNに対するMg dopingの検討2008

    • 著者名/発表者名
      福本英太、澤田慎也、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第38回結晶成長国内会議(NCCG-38)
    • 発表場所
      仙台市戦災復興記念館(仙台市)
    • 年月日
      2008-11-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] GaN and InN intermixing during RF-MBE growth observed by XRD2008

    • 著者名/発表者名
      D. Muto, T. Yamaguchi, S. Sawada, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2008Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      University of California (Santa Barbara, USA)
    • 年月日
      2008-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2(100) Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] CTLM法によるInNオーミックコンタクト抵抗の評価2008

    • 著者名/発表者名
      菊池将悟、佐藤丈、檜木啓宏、山口智広、前田就彦、荒木努、名西やす之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] GaN and InN intermixing during RF-MBE growth observed by XRD2008

    • 著者名/発表者名
      D. Muto, T. Yamaeuchi, S. Sawada, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      2008Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      University of California (Santa Barbara, USA)
    • 年月日
      2008-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] GaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシング2008

    • 著者名/発表者名
      武藤 大祐、山口 智広、澤田 慎也、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
    • 学会等名
      International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA08)
    • 発表場所
      Edmonton, Canada
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji (Japan)
    • 年月日
      2008-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] M面(10-10)InN結晶成長および電気的特性の評価2008

    • 著者名/発表者名
      高木悠介、野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] X線光電子分光法によるMgドープInNの表面評価2008

    • 著者名/発表者名
      緩利 友晶紀、野田 光彦、武藤 大祐、山口 智広、金子 昌充、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Recent Progress of InN and In GaN Growth for Device Applications (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] A面(11-20) InNに対するMgドーピングの効果2008

    • 著者名/発表者名
      野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Fabrication and Electrical Characterization of InN MES and MIS Diode Structures2008

    • 著者名/発表者名
      S. Kikuchi, T. Sato, A. Hinoki, D. Muto, N. Maeda, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      27th Electronic Materials Symposium (EMS27)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2008-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] GaN/InNヘテロ構造の成長と評価2008

    • 著者名/発表者名
      武藤大祐, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] LiAlO_2(100)基板上MgドープM面(10-10)InNの結晶成長2008

    • 著者名/発表者名
      高木悠介、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] M面(10-10) InN結晶成長および電気的特性の評価2008

    • 著者名/発表者名
      高木 悠介、野田 光彦、武藤 大祐、山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Fabrication and Electrical Characterization of InN MES and MIS Diode Structures2008

    • 著者名/発表者名
      S. Kikuchi, T. Sato, A. Hinoki, D. Muto, N. Maeda, T. Araki Y. Nanishi
    • 学会等名
      27th Electronic Materials Symposium (EMS27)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
    • 年月日
      2008-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] TEMを用いたN極性MgドープInNの極微構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      野沢 浩一、春井 聡、武藤 大祐、山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi, T.Araki, T.Yamaguchi, D.Muto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      モントルー(スイス)(招待講演)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Photoreflectance and contactless electroreflectancc investigations of the energy gap and band bending for un-doped and Mg-doped InN layers2008

    • 著者名/発表者名
      R. Kudrawiec, J. Misiewicz, T. Suski, D. Muto, Y. Nanishi
    • 学会等名
      XXXVII International School on the Physics of Semiconducting Compounds "Jaszowiec 2008"
    • 発表場所
      Gwarek Hotel (Poland)
    • 年月日
      2008-06-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] RF-MBE法によるR面(10-12)Sapphire基板上、半極性面InNの結晶成長2008

    • 著者名/発表者名
      中谷佳津彦、川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      京都工芸繊維大学
    • 年月日
      2008-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      高木悠介, 野沢浩一, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      電子情報通信学会
    • 発表場所
      名古屋工業大学(名古屋市)
    • 年月日
      2008-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] InN MISダイオードの順方向電気的特性2008

    • 著者名/発表者名
      佐藤丈、檜木啓宏、武藤大祐、前田就彦、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Photoreflectance and contactless electroreflectance investigations of the energy gap and band bending for un-doped and Mg-doped InN layers2008

    • 著者名/発表者名
      R. Kudrawiec, J. Misiewicz, T. Suski, D. Muto, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      XXXVII International School on the Physics of Semiconducting Compounds "Jaszowiec 2008"
    • 発表場所
      Gwarek Hotel (Poland)
    • 年月日
      2008-06-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzeland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Study on Initial Growth Process of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji (Japan)
    • 年月日
      2008-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] InN MISダイオードの順方向電気的特性2008

    • 著者名/発表者名
      佐藤丈、 檜木啓宏、武藤大祐、前田就彦、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] GaN/InNヘテロ構造の成長と評価2008

    • 著者名/発表者名
      武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] GaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシング2008

    • 著者名/発表者名
      武藤大祐、山口智広、澤田慎也、荒木努、名西やす之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] GaN/InNヘテロ構造の成長と評価2008

    • 著者名/発表者名
      武藤大祐、山口智広、荒木努、名西やす之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] RF-MBE法を用いた高In組成In GaNに対するMg dopingの検討2008

    • 著者名/発表者名
      福本英太、澤田慎也、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西やす之
    • 学会等名
      第38回結晶成長国内会議(NCCG-38)
    • 発表場所
      仙台市戦災復興記念館
    • 年月日
      2008-11-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] GaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシング2008

    • 著者名/発表者名
      武藤大祐、山口智広、澤田慎也、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] GaNテンプレート上InN成長におけるRHEEDその場観察法を用いた実効的V/III比制御2008

    • 著者名/発表者名
      山口智広、野沢浩一、武藤大祐、荒木努、前田就彦、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] InN MISダイオードの順方向電気的特性2008

    • 著者名/発表者名
      佐藤丈、檜木啓宏、武藤大祐、前田就彦、荒木努、名西やす之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] RF-MBE法を用いた高In組成InGaNに対するMg dopingの検討2008

    • 著者名/発表者名
      福本英太, 澤田慎也, 武藤大祐, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      第38回結晶成長国内会議(NCCG-38)
    • 発表場所
      仙台市戦災復興記念館(仙台市)
    • 年月日
      2008-11-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO_2 Substrate by RF-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzeland)
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] TEMを用いたM面(10-10)InNの極微構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      野沢浩一, 高木悠介, 春井聡, 武藤大祐, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] RF-MBE Growthand Properties of Mg-doped Polar and Non-PoIar InN and In-rich InGaN2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Nanishi
    • 学会等名
      Topical Workshop on achieving p-type InN
    • 発表場所
      The Prince HakoneJ(Hakoneapan)
    • 年月日
      2008-03-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] TEMを用いたM面(10-10)InNの極微構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      野沢浩一、高木悠介、春井聡、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE Growth and Properties of Mg-doped Polar and Non-polar InN and In-rich InGaN2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi
    • 学会等名
      Topical Workshop on achieving p-type InN
    • 発表場所
      The Prince Hakone (Hakone, Japan)
    • 年月日
      2008-03-04
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE Growth and Properties of Mg-doped Polar and Non-polar InN and In-rich InGaN2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi
    • 学会等名
      Topical Workshop on achieving p-type InN
    • 発表場所
      The Prince Hakone (Hakone, Japan)
    • 年月日
      2008-03-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] A面 (11-20) InNに対するMgドーピングの効果2008

    • 著者名/発表者名
      野田 光彦、武藤 大祐、山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] 低速陽電子ビームを用いたMgドープInNの点2008

    • 著者名/発表者名
      成田 幸輝、伊東 健一、中森 寛人、本多 典宏、上殿 明良、武藤 大祐、荒木 努、名西 憾之、石橋 章司
    • 学会等名
      2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Growth of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE on Hole-Patterned GaN Template2008

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      27th Electronic Materials Symposium (EMS27)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
    • 年月日
      2008-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] New insight into the free carrier properties of InN2008

    • 著者名/発表者名
      V. Darakchieva, T. Hofmann, M. Schubert, B. Monemar, H. Lu, W. J. Schaff, C.-L.Y. Hsiao, T.-W. Liu, L.-C. Chen, D. Muto, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth and structural investigation of high-In-composition InGaN/GaN Nanostructures2008

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, A. Pretorius, A. Rosenauer, D. Hommel, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices -2008 Japanese-German-Spanish joint Workshop-
    • 発表場所
      The Prince Hakone (Hakone, Japan)
    • 年月日
      2008-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
    • 学会等名
      International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA08)
    • 発表場所
      University of ALBERTA (EDMONTON, CANADA)
    • 年月日
      2008-07-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] RF-MBE法によるR面(10-12)Sapphire基板上、半極性面InNの結晶成長2008

    • 著者名/発表者名
      中谷佳津彦, 川島圭介, 山口智広, 武藤大祐, 荒木努, 名西〓之
    • 学会等名
      電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      京都工芸繊維大学
    • 年月日
      2008-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Study on ECR-MBE Growth and Properties of A-plane InN on R-plane Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, Y. Kumagai, S. Watanabe, T. Akagi. H. Naoi, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Conference on Crystal Growth(ICCG15)
    • 発表場所
      Grand America and Little America hotels(Salt Lake City, USA)
    • 年月日
      2007-08-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法による(100)LiAIO2基板上M面(10-10)InNの結晶成長2007

    • 著者名/発表者名
      高木 悠介、野田 光彦、武藤 大祐、山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      第37回結晶成長国内会議(NCCG-37)
    • 発表場所
      北海道大学(札幌市)
    • 年月日
      2007-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Infrared Cathodoluminescence measurements of InN films2007

    • 著者名/発表者名
      T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, H. Naoi, T. Araki. Y. Nanishi
    • 学会等名
      TMS 2007 ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE
    • 発表場所
      University of Notre Dame(Indiana, USA)
    • 年月日
      2007-06-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] MgドープA面(11-20)InNの結晶成長と電気的特性評価2007

    • 著者名/発表者名
      野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第37回結晶成長国内会議(NCCG-37)
    • 発表場所
      北海道大学(札幌市)
    • 年月日
      2007-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Electrical Properties of P-type N-polar InN Grown by RF-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      D. Muto, H. Naoi, S. Fukumoto, K. M.Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. Ager III, E. E. Haller, T. Araki, Y. Nanishi, and W. Walukiewicz
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      MGM GRAND HOTEL (Las Vegas, USA)
    • 年月日
      2007-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Study on Growth of Mg-doped InN by RF-MBE and its Electrical Properties2007

    • 著者名/発表者名
      D. Muto, H. Naoi, S. Takado, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 19th Indium Phosphide and Related Materials Conference(IPRM2007)
    • 発表場所
      Kunibiki Messe(Matsue, Japan)
    • 年月日
      2007-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] TEMを用いた配列制御InNナノコラムの極微構造評価2007

    • 著者名/発表者名
      春井 聡、田宮 秀敏、赤木 孝信、三宅 秀人、平松 和政、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2007年 (平成19年) 秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] TEM Characterization of position-controlled InN nanocolumns2007

    • 著者名/発表者名
      S.Harui, H.Tamiya, T.Araki, H.Mivake, K.Hiramatsu, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      2007 MRS Fall MEETING
    • 発表場所
      Hynes Convention Center&Sheraton Boston Hotel(Boston,MA,USA)
    • 年月日
      2007-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] MgドープA面 (11-20)InNの結晶成長と電気的特性評価2007

    • 著者名/発表者名
      野田 光彦、武藤 大祐、山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      第37回結晶成長国内会議(NCCG-37)
    • 発表場所
      北海道大学(札幌市)
    • 年月日
      2007-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Fabrication of patterned InN nano-columns by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, T.Yamaguchi, S.Harui, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Nanishi
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      MGM GRAND HOTEL(Las Vegas,USA)
    • 年月日
      2007-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Electrical Properties of P-type N-polar InN Grown by RF-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      D. Muto, H. Naoi, S. Fukumoto, K. M. Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. Ager III, E. E. Haller, T. Araki, Y. Nanishi, and W. Walukiewicz
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Study on ECR-MBE Growth and Properties of A-plane InN on R-plane Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T.Araki, Y.Iiumagai, S.Watanabe, T.Akagi, H.Naoi, Y.Nanishi
    • 学会等名
      International Conference on Crystal Growth (ICCG15)
    • 発表場所
      Grand America and Little America hotels(SaltLake City,USA)
    • 年月日
      2007-08-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Study on surface electron accumulation on A-plane InN by electrolyte-basedcapacitance-voltage measurements2007

    • 著者名/発表者名
      M.Noda, S.Fukumoto, D.Muto, k.M.Yu, N.Miller, R.E.Jones, J.W.AltermI, E.E.Haller, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi and W.Walukiewicz
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      MGM GRAND HOTEL(Las Vegas,USA)
    • 年月日
      2007-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Polar and Non-polar Growth of InN and InGaN2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, Y. Kumagai, M. Noda, and T. Araki
    • 学会等名
      The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS 2007)
    • 発表場所
      Jeonju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] ECV方を用いたA面InNの表面電荷蓄積層の評価2007

    • 著者名/発表者名
      野田 光彦、武藤 大祐、武藤 大祐、K.M.Yu, R.E.Jones, W.Walikiewicz, 山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2007年 (平成19年) 秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] 「窒化物の新展開」特定領域研究企画「窒化物光半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現-2007

    • 著者名/発表者名
      名西〓之、藤岡洋、纐纈明伯、吉川明彦、川上養一、上殿明良、天野浩、平山秀樹、岸野克巳
    • 学会等名
      2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-05
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-18069013
  • [学会発表] 原子状水素照射によるRF-MBE成長InNの光学特性の変化2007

    • 著者名/発表者名
      草塩卓矢、福田貴之、武藤大祐、野田光彦、赤木孝信、直井弘之、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 水素・窒素混合プラズマ照射によるInNの表面エッチングに関する検討2007

    • 著者名/発表者名
      和田 伸之、澤田 慎也、山口 智弘、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2007年 (平成19年) 秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] ECR-MBE法を用いた加工GaN基板上の配列制御したInNナノコラム成長2007

    • 著者名/発表者名
      田宮 秀敏、春井 聡、山口 泰平、赤木 孝信、三宅 秀人、平松 和政、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2007年 (平成19年) 秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] P形MgドープInNの結晶成長とその電気的特性評価2007

    • 著者名/発表者名
      武藤大祐、野田光彦、K. M. Yu, J. W. Ager, W. Walukiewicz, 山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] RF-MBE法による(100)LiAIO_2基板上M面(10-10)InNの結晶成長2007

    • 著者名/発表者名
      高木悠介、野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第37回結晶成長国内会議(NCCG-37)
    • 発表場所
      北海道大学(札幌市)
    • 年月日
      2007-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Study on surface electron accumulation on A-plane InN by electrolyte-based capacitance-voltage measurements2007

    • 著者名/発表者名
      M. Nods, S. Fukumoto, D. Muto, K. M. Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi and W. Walukiewicz
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      MGM GRAND HOTEL (Las Vegas, USA)
    • 年月日
      2007-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growth of InN hexagonal pyramids on hole-patterned GaN templates by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      D. Fukuoka, T. Yamaguchi, S. Harui, T. Akagi, K. Hiramatsu, H. Miyake, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Conference on Crystal Growth(ICCG15)
    • 発表場所
      Grand America and Little America hotels(Salt Lake City, USA)
    • 年月日
      2007-08-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] 水素・窒素混合プラズマ照射によるInNの表面エッチングに関する検討2007

    • 著者名/発表者名
      和田伸之、澤田慎也、山口智弘、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Infrared Cathodoluminescence measurements of InN films2007

    • 著者名/発表者名
      T.Akagi, k.kosaka, S.Harui, H.Naoi, T.Araki, Y.Nanishi
    • 学会等名
      TMS 2007 ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE
    • 発表場所
      University of Notre Dame(Indiana,USA)
    • 年月日
      2007-06-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] 原子状水素照射によるRF-MBE成長InNの光学特性の変化2007

    • 著者名/発表者名
      草塩 卓矢、福田 貴之、武藤 大祐、野田 光彦、赤木 孝信、直井 弘之、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2007年 (平成19年) 秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Fabrication of patterned InN nano-columns by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, T. Yamaguchi, S. Harui, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      MGM GRAND HOTEL (Las Vegas, USA)
    • 年月日
      2007-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Growthof InN hexagonal pyramids on hole-patterned GaN templates by ECR-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      D.Fukuoka, T.Yamaguchi, S.Harui, T.Akagi, K.Hiramatsu, H.Miyake, H.Naoi, T.Araki, and Y.Nanishi
    • 学会等名
      International Conference on Crystal Growth (ICCG15)
    • 発表場所
      Grand America and Little America hotels(SaltLake City,USA)
    • 年月日
      2007-08-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Electrical Properties of P-type N-polar InN Grown by RF-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      D.Muto, H.Naoi, S.Fukumoto, K.M.Yu, N.Miller, R.E.Jones, J.W.AltermI, E.E.Haller, T.Araki, Y.Nanishi, and W.Walukiewicz
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      MGM GRAND HOTEL(Las Vegas,USA)
    • 年月日
      2007-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] P形MgドープInNの結晶成長とその電気的特性評価2007

    • 著者名/発表者名
      武藤 大祐、野田 光彦、K.M.Yu, J.W.Agerm, W.Walukiewicz, 山口 智広、荒木 努、名西 憾之
    • 学会等名
      2007年 (平成19年) 秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] ECR-MBE法を用いた加工GaN基板上の配列制御したInNナノコラム成長2007

    • 著者名/発表者名
      田宮秀敏、春井聡、山口泰平、赤木孝信、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] ECV方を用いたA面InNの表面電荷蓄積層の評価2007

    • 著者名/発表者名
      野田光彦、武藤大祐、K. M. Yu, R. E. Jones, W. Walikiewicz, 山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] TEM Characterization of position-controlled InN nanocolumns2007

    • 著者名/発表者名
      S. Harui, H. Tamiya, T. Araki, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      2007 MRS Fall MEETING
    • 発表場所
      Hypes Convention Center & Sheraton Boston Hotel (Boston, MA, USA)
    • 年月日
      2007-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] TEMを用いた配列制御InNナノコラムの極微構造評価2007

    • 著者名/発表者名
      春井聡、田宮秀敏、赤木孝信、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市手稲区)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069012
  • [学会発表] Study on Growth of Mg-doped InN by RF-MBE and its Electrical Properties2007

    • 著者名/発表者名
      D.Muto, H.Naoi, S.Takado, T.Araki, and Y.Nanishi
    • 学会等名
      The 19th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2007)
    • 発表場所
      kunibiki Messe(Matsue,Japan)
    • 年月日
      2007-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206003
  • [学会発表] Injection-activated defect-governed recombination rate in InN

    • 著者名/発表者名
      S. Nargelas, K. Jarasiunas, M. Vengris, T. Yamaguchi, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Angled-resolved XPS measurements of InN films grown by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      R. Amiya, T. Yamaguchi, D. Tajimi, M. Hayashi, Y. Sugiura, T. Honda, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] P-type InGaN across the entire composition range

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Katsuki, J. Sakaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, K. M. Yu, M. Mayer, E. Alarcon-Llado, J. W. Ager III, W. Walukiewicz
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス 愛媛県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Surface acoustic waves and elastic constants of InN epilayers determined by Brillouin scattering

    • 著者名/発表者名
      R. J. Jimenez, N. Domenech-Amador, R. Cusco, C. Prieto, T. Yamaguchi, Y. Nanishi, and L. Artus,
    • 学会等名
      4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN2012)
    • 発表場所
      St. Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Frontier Research of Nitride Semiconductors toward Longer Wavelength and Higher Speed

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki and E. Yoon
    • 学会等名
      2nd Solid-State Systems Symposium; VLSIs and Semiconductor Related Technologies (4S-2012)
    • 発表場所
      Ho Chi Minh City, Vietnam
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth of InN and In-rich InGaN and those Applications

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス、愛媛県
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE 法によるグラフェン/Si (100)基板上GaN 成長

    • 著者名/発表者名
      荒木努、阪口順一、内村智、名西やす之、T. Fujishima、T. Palacios、A. Zurutuza
    • 学会等名
      2013年春季 第60回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学, 神奈川県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] T-dependence of local vibrational modes of Mg-H complexes in InN:Mg

    • 著者名/発表者名
      R. Cusco, N. Domenech-Amador, L. Artus, K. Wang, T. Yamaguchi, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Thickness Dependence of Structural and Electrical Properties of Thin InN Grown by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      J. Sakaguchi, T. Araki, T. Fujishima, E. Matioli, T. Palacios, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Angled-resolved XPS measurements of In-polar and N-polar InN films

    • 著者名/発表者名
      R. Amiya, T. Yamaguchi, D. Tajimi, M. Hayashi, Y. Sugiura, T. Honda, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium (EMS31)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺, 静岡県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Investigation of near-surface structures of polar InN films by chemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction

    • 著者名/発表者名
      A. L. Yang, Y. Yamashita, M. Kobata, T. Matsushita, H. Yoshikawa, I. Pis, M. Imura, T. Yamaguchi, O. Sakata, Y. Nanishi, and K. Kobayashi
    • 学会等名
      The 6th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-6)
    • 発表場所
      メルパルク横浜 神奈川県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長

    • 著者名/発表者名
      荒木 努、上松 尚、阪口 順一、王 科、山口 智広、Euijoon Yoon、名西やす之
    • 学会等名
      2012年度電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学, 大阪府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth of InGaN-based heterostructures using DERI by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, N. Uematsu, J. Sakaguchi, K. Wang, T. Yamaguchi, E. Yoon, Yasushi Nanishi
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス、愛媛県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Polarity determination of InN films by hard X-ray photoelectron diffraction

    • 著者名/発表者名
      楊 安麗, 山下良之, 小畠雅明, 松下智裕, 吉川英樹, Pis Igor, 山口智広, 坂田修身, 名西やすし, 小林啓介
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス、愛媛県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth of improved quality LT GaN by using a new low temperature growth method

    • 著者名/発表者名
      I. Shin, KeWang, T. Araki, E. Yoon, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth of InGaN/InGaN MQW structures using DERI by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, N. Uematsu, K. Wang, T. Yamaguchi, E. Yoon and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The Electronic Materials Conference 2012(EMC2012)
    • 発表場所
      State College, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Application of DERI method to InN/InGaN MQW, thick InGaN and InGaN/InGaN MQW structure growth

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, T. Honda, E. Yoon, Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2013
    • 発表場所
      San Francisco, California, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Surface and Bulk Electronic Structure of Mgdoped InN Analyzed by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, Y. Koide, A. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, M. Kaneko, T. Yamaguchi, N. Uematsu, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth of High Quality Thin InN Layers by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, N. Uematsu, M. Yutani, J. Sakaguchi, K. Wang, A. Uedono, T. Fujishima, E. Matioli, T. Palacios, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] In-situ Raman probing of the electron accumulation layer in InN

    • 著者名/発表者名
      E. Alarcon-Llado, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi and J. W. Ager
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] R. Amiya, T. Yamaguchi, D. Tajimi, M. Hayashi, Y. Sugiura, T. Honda, T. Araki, and Y. Nanishi

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, Y. Koide, A. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, M. Kaneko, T. Yamaguchi, N. Uematsu, R. Iwamoto, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium (EMS31)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺, 静岡県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] HVPE growth of InN on InN/sapphire (0001) templates prepared by MBE

    • 著者名/発表者名
      R. Imai, S. Yamamoto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, and A. Koukitu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth of thick InGaN films with entire alloy composition using DERI method

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, N. Uematsu, T. Araki, T. Honda, E. Yoon and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-17)
    • 発表場所
      奈良県新公会堂 奈良県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth of high quality LT GaN layer with indium surfactant

    • 著者名/発表者名
      I. S. Shin, K. Wang, T. Araki, E. Yoon and Y. Nanishi
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium (EMS31)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺, 静岡県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] N-polar InN overgrowth on in situ AlN mask on sapphire substrate

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Araki, M. Takeuchi, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-17)
    • 発表場所
      奈良県新公会堂 奈良県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Selective growth of N-polar InN on an in situ AlN mask on sapphire substrate

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Araki, M. Takeuchi and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] 硬X線光電子分光法を用いたInNの表面電子状態評価

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 小出康夫, Yang Anli, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 名西やすし, 山口智広, 金子昌充, 上松 尚, 荒木 努
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス、愛媛県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Toward Longer Wavelength and Higher Speed -Challenge to Utilize Full Span of Nitride Semiconductors’ Band gap-

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T.Yamaguchi, K.Wang, T.Araki and E. Yoon
    • 学会等名
      2012 Fall Meeting of the Korean Ceramic Society
    • 発表場所
      Daejoin, Korea
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] N-polar InN overgrowth on in situ AlN mask on sapphire substrate

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Araki, M. Takeuchi, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium (EMS31)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺, 静岡県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Angled-resolved X-ray photoelectron spectroscopy of c-plane InN grown by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      R. Amiya, T. Yamaguchi, D. Tajimi, Y. Sugiura, T. Araki, Y. Nanishi, T. Honda
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス、愛媛県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Angle-Resolved XPS Measurements of GaN and InN Grown by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, R. Amiya, D. Tajimi, M. Hayashi, Y. Sugiura, T. Honda, N. Uematsu, T. Araki and Y. Nanishi
    • 学会等名
      17th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2012)
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Nucleation and density control of uniform and narrow GaN nanorods by molecular beam epitaxy

    • 著者名/発表者名
      Y. Chen, T. Araki, J. Palisaitis, P. O. A. Persson, L. Chen, K. Chen, P. O. Holtz, J. Birch, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth of InGaN film and InGaN/InGaN periodic structure using DERI method

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, T. Honda, E. Yoon, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium (EMS31)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺, 静岡県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] P-type InGaN Grown by RG-MBE Across the Entire Composition Range

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Katsuki, J. Sakaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 2012
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Recent Development in Growth of InN and In-rich InGaN and Future Prospect

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2013)
    • 発表場所
      名古屋大学 愛知県
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] RF-MBE法薄膜InN成長における結晶性と電気的特性の膜厚依存性

    • 著者名/発表者名
      阪口順一, 荒木 努, 藤嶌辰也, Matioli Elison, Palacios Tomas, 名西やす之
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学城北地区/松山大学文京キャンパス、愛媛県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Growth of InN, InGaN and those Nano-structures by DERI Method

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T.Yamaguchi, K. Wang, T. Araki and E. Yoon
    • 学会等名
      2012 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] Strong correlation between oxygen donor and nearsurface electron accumulation in non-polar mplane (10-10) InN film

    • 著者名/発表者名
      A. Yang, Y. Yamashita, H Yoshikawa, T. Yamaguchi, M. Imura, M. Kaneko, O. Sakata, Y. Nanishi, and K. Kobayashi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] DERI法InGaN成長におけるラジカルモニタリング技術応用

    • 著者名/発表者名
      荒木努、阪口順一、上松尚、油谷匡胤、齋藤巧、山口智広、名西やす之、T. Fujishima, E. Matioli, T. Palacios
    • 学会等名
      第4回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012)
    • 発表場所
      東京大学生産技術研究所, 東京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] In-situ monitoring of InGaN growth using DERI method

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, N. Uematsu, M. Yutani, T. Saito, J. Sakaguchi, T. Yamaguchi, T. Fujishima, E. Matioli, T. Palacios, Y. Nanishi
    • 学会等名
      4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN2012)
    • 発表場所
      St. Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • [学会発表] P-type InGaN across the entire composition range

    • 著者名/発表者名
      K. Wang, T. Katsuki, J. Sakaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, K. M. Yu, M. Mayer, E. Alarcon-Llado, J. W. Ager III, W. Walukiewicz
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター 北海道
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246004
  • 1.  荒木 努 (20312126)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 600件
  • 2.  山口 智広 (50454517)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 469件
  • 3.  金子 昌充 (70374709)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 37件
  • 4.  WANG Ke (60532223)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 108件
  • 5.  HYUNSEOK Na (80411239)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 196件
  • 6.  直井 弘之 (10373101)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 46件
  • 7.  須田 淳 (00293887)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 35件
  • 8.  赤坂 哲也 (90393735)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 2件
  • 9.  吉川 明彦 (20016603)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 10.  天野 浩 (60202694)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 11.  岸野 克巳 (90134824)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 12.  川上 養一 (30214604)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 13.  船戸 充 (70240827)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 14.  青柳 克信 (70087469)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  城川 潤二郎 (70469196)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 16.  高倉 秀行 (30112022)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  今井 茂 (40223309)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  鈴木 彰 (10111931)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 19.  播磨 弘 (00107351)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 20.  赤崎 勇
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  佐々木 昭夫
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  高橋 清
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 23.  西永 頌
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  上殿 明良
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  寺口 信明
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  鈴木 章
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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