岩井洋 IWAI Hiroshi

研究者番号	40313358
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2010年度 – 2011年度: 東京工業大学, フロンティア研究機構, 教授 2007年度 – 2009年度: 東京工業大学, フロンティア研究センター, 教授 2005年度 – 2006年度: 東京工業大学, フロンティア創造共同研究センター, 教授 2004年度 – 2005年度: 東京工業大学, フロンテイア創造共同研究センター, 教授 2004年度: 国立大学法人東京工業大学, フロンティア創造共同研究センター, 教授 2002年度 – 2003年度: 東京工業大学, フロンティア創造共同研究センター, 教授 2000年度 – 2001年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者理工系 / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外薄膜・表面界面物性 / 理工系
キーワード	研究代表者 CMOS / 表面・界面物性 / 固定電荷 / 価数変化 / シリケート / 界面ダイポール / 半導体 / 高誘電体薄膜 / Niシリサイド / 短チャネル効果 … もっと見る / エネルギー障壁 / drain / Schottky source / しきい値 / 三次元構造MOSFET / 数値解析 / ショットキー接合 / 3次元 / MOSFET / オン電流 / ショットキー / 特性ばらつき / ロバストネス / 3次元構造 / トランジスタ / 感度解析 / シリサイド / FinFET / ダブルゲート / ゆらぎ / ばらつき / 吸湿性 / 低温長時間アニール / Chemical Oxide / 極浅接合 / ガスドーピング / SiO_2換算膜厚 / リーク電流 / レーザーアニール / 拡散層 / プラズマドーピング / ゲート絶縁膜 / 高誘電率 / MBE / LSI … もっと見る研究代表者以外 Dielectric constant / Maximum entropy concept / Rare oxide film / High dielectric constant film / gate insulators / Angle-resolved photoelectron spectroscopy / photoelectron spectroscopy / Synchrotron radiation / 硬X線 / シリコン界面 / 高エネルギー光電子分光法 / 希土類金属酸化膜 / 電子帯構造 / 誘電率 / 最大エントロピー法 / 希土類酸化膜 / 高誘電率膜 / ゲート絶縁膜 / 角度分解光電子分光法 / 光電子分光法 / 放射光 / 異種材料 / 半導体プロセス / チップ搭載チップ / 異分野融合 / モバイル端末 / ヒューマン・インターフェース・デバイス / 超高速・低消費 / 超機能グローバル / 多機能化 / ヘルスケアチップ / 半導体 / インターフェース / 微細加工 / システム / 超機能化 / シリコン / 集積回路 / インテグレーション隠す

絶縁膜と半導体における界面ダイポールの定量的把握とモデル化に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  岩井洋
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東京工業大学
3次元構造MOSFETのロバストネス研究代表者
- 研究代表者
  
  岩井洋
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
高エネルギー光電子分光法開発と高誘電率膜/シリコン界面の化学結合状態分析への応用
- 研究代表者
  
  服部健雄
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  武蔵工業大学
グローバル・デバイス・インテグレーション技術の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  岩井洋
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
超機能化グローバル・インターフェース・インテグレーション研究
- 研究代表者
  
  堀池靖浩
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2004
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構
   東京大学

すべて 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2005 2004 2003

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Properties of CeOx/La2O3 gate dielectric and its effects on the MOS transistor characteristics2012
- 著者名/発表者名
  H.Wong, B.L.Yang, K.Kakushima, P.Ahmet, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Vacuum
  
  巻: 86 ページ: 990-993
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] CovalentNature in La-Silicate Gate Dielectrics for Oxygen Vacancy Removal2012
- 著者名/発表者名
  T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  IEEEElectron Dev. Lett
  
  巻: Vol.33 ページ: 423-425
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Valence number transition and silicate formation of cerium oxide films onSi(100)2012
- 著者名/発表者名
  M. Mamatrishat, M. Kouda, K. Kakushima, H. Nohira, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiiyama, K. Tsutsui, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Vacuum
  
  巻: Vol.86 ページ: 1513-1516
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Covalent Nature in La-Silicate Gate Dielectrics for Oxygen Vacancy Removal2012
- 著者名/発表者名
  T.Kawanago, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 33 号: 3 ページ: 423-425
- DOI
  10.1109/led.2011.2178111
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] EOT of 0.62 nm and High Electron Mobility in La-silicate/Si Structure Based nMOSFETs Achieved by Utilizing Metal-Inserted Poly-Si Stacks and Annealing at High Temperature2012
- 著者名/発表者名
  T.Kawanago, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 59 号: 2 ページ: 269-276
- DOI
  10.1109/ted.2011.2174442
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Properties of CeO_x/La_2O_3 gate dielectric and its effects on the MOS transistor characteristics2012
- 著者名/発表者名
  H. Wong, B. L. Yang, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Vacuum
  
  巻: Vol.86 ページ: 990-993
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Valence number transition and silicate formation of cerium oxide films on Si(100)2012
- 著者名/発表者名
  M. Mamatrishat
- 雑誌名
  
  Vacuum
  
  巻: 86(10) 号: 10 ページ: 1513-1516
- DOI
  10.1016/j.vacuum.2012.02.050
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003, KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] EOT of 0. 62 nm and High Electron Mobility in La-silicate/Si Structure Based nMOSFETs Achieved by Utilizing Metal-Inserted Poly-Si Stacks and Annealing at High Temperature2012
- 著者名/発表者名
  T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: Vol.59 ページ: 269-276
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Rareearth oxide capping effect on La_2O_3 gatedielectrics for equivalent oxidethickness scaling toward 0. 5 nm2011
- 著者名/発表者名
  M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: Vol.50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Compensation of oxygen defects in La-silicate gate dielectrics for improving effective mobility in high-k/metal gate MOSFET using oxygen annealing process2011
- 著者名/発表者名
  T. Kawanago, Y. Lee, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Solid-StateElectron
  
  巻: Vol.68 ページ: 68-72
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Rare earth oxide capping effect on La2O3 gate dielectrics for equivalent oxide thickness scaling toward 0.5 nm2011
- 著者名/発表者名
  M.Kouda, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physcis
  
  巻: 50
- NAID
  210000071407
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Interface and electrical properties of Tm2O3 gate dielectrics for gate oxide scaling in MOS devices2011
- 著者名/発表者名
  M.Kouda, T.Kawanago, P.Ahmet, K.Natori,T.Hattori, H.Iwai, K.Kakushima, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Tsutsui
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology
  
  巻: 29 号: 6 ページ: 62202-62202
- DOI
  10.1116/1.3660800
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Compensation of oxygen defects in La-silicate gate dielectrics for improving effective mobility in high-k/metal gate MOSFET using oxygen annealing process2011
- 著者名/発表者名
  T.Kawanago, Y.Lee, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 68 ページ: 68-72
- DOI
  10.1016/j.sse.2011.10.006
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Interface and electrical properties of Tm_2O_3 gate dielectrics for gate oxide scaling in MOS devices2011
- 著者名/発表者名
  M. Kouda, T. Kawanago, P. Ahmet, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, K. Kakushima, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B
  
  巻: Vol.29 ページ: 62202-62202
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Analysis of Threshold Voltage Variation in Fin Field Effect Transistors : Separation of Short Channel Effects2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, K.Tsutsui, K.Kakushima, P.Ahmet, V.P.Rao, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 49(掲載決定)
- NAID
  40017085077
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Analysis of Dependence of Short-channel Effects in Double-gate MOSFETs on Channel Thickness2010
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayasih, K. Kakushima, P. Ahmet, V.R. Rao, K. Tsutsui, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability Vol.50
  
  ページ: 332-337
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Characterization of flatband voltage roll-off and roll-up behavior in La_2O_3/silicat gate dielectric2010
- 著者名/発表者名
  K. Kakushima, T. Koyanagi, K. Tachi, J. Song, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Solid-State Electron
  
  巻: Vol54 ページ: 720-723
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Analysis of Dependence of Short-channel Effects in Double-gate MOSFETs on Channel Thickness2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, K.Kakushima, P.Ahmet, V.R.Rao, K.Tsutui, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability 50
  
  ページ: 332-337
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Electrical Characteristics of Rare Earth(La, Ce, Pr and Tm) Oxides/Silicates Gate Dielectric2010
- 著者名/発表者名
  K. Matano, K. Funamizu, M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECSTrans
  
  巻: Vol.27 ページ: 1120-1134
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Analysis of Threshold Voltage Variation in Fin Field Effect Transistors: Separation of Short Channel Effects2010
- 著者名/発表者名
  Y. Koyabashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, P. Ahmet, V.R. Rao, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys Vol.49
  
  ページ: 44201-44201
- NAID
  40017085077
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. Ch, orkar, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Trans Vol.16
  
  ページ: 29-34
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K.Noguchi, W.Hosoda, K.Matano, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, A.N.Chandorkar, T.Hattori, H.Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 16
  
  ページ: 29-34
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Crystallographic Orientation Dependent Electrical Characteristics of La_2O_3 MOS Capacitors2009
- 著者名/発表者名
  H. Nakayama, K. Kakushima, P. Ahmet, E. Ikenaga, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Trans
  
  巻: Vol.25 ページ: 339-345
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Analysis of irregular increase in sheet resistance of Ni silicides on transition from NiSi to NiSi_22008
- 著者名/発表者名
  Kazuo Tsutsui, Ruifei Xiang, Koji Nagahiro, Takashi Shiozawa, Parhat Ahmet, Yasutoshi Okuno, Michikazu Matsumoto, Masafumi Kubota, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 85
  
  ページ: 315-319
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Thermal Stability of Ni-silicide Films on Heavily Doped n^+ and P^+ Si Substrates2008
- 著者名/発表者名
  Parhat Ahmet, Takashi Shiozawa, Koji Nagahiro, Takahiro Nagata, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Toyohiro Chikyow and Hiroshi Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering in press
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Thermal Stability of Ni silicide Films on Heavily Doped n+ and p+ Si Substrates2008
- 著者名/発表者名
  P. Ahmet, T. Shiozawa, K. Nagahiro, T. Nagata, K. Kakushima, K. Tsutsui, T. Chikyo, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering Vol.85
  
  ページ: 1642-1645
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic effects in multi-gate MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  Yusuke Kobayashi, C. Raghunathan Manoj, Kazuo Tsutsui, Venkanarayan Hariharan, Kuniyuki Kakushima, V. Ramgopal Rao, Parhat Ahmet, and Hiroshi Iwai
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions E90-C
  
  ページ: 2051-2056
- NAID
  110007541196
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, V. Hariharan, V. R. Rao, P. Ahmet, and H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Transaction Vol. 6, No. 4
  
  ページ: 83-88
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic effects in multi-gate MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  Yusuke Kobayashi, C. Raghunathan Manoj, Kazuo Tsutsui, Venkanarayan Hariharan, Kuniyuki Kakushima, V. Ramgopal Rao, Parhat Ahmet, and Hiroshi Iwai
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions vol. E90-C, No.10
  
  ページ: 2051-2056
- NAID
  110007541196
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, V. Hariharan, V. R. Rao, P. Ahmet, H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Transaction 6
  
  ページ: 83-88
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Improvement of Thermal Stability of Ni Silcide by Additive Metals with Specific Introduction Processes2007
- 著者名/発表者名
  K. Tsutsui, K. Nagahiro, T. Shiozawa, P. Ahmet, K. Kakushima and H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Transaction 11
  
  ページ: 207-213
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kobahashi, K.Tsutsui, K.Kakushima, V.Hariharan, V.R.Rao, P.Ahmet, H.Iwai
- 雑誌名
  
  SOI Device Technology 13 (ECS Transaction-Chicago) 3(出版予定)(掲載決定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic Effects in Multi-gate MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, C.R.Manoj, K.Tsutsui, V.Hariharan, K.Kakushima, V.R.Rao, P.Ahmet, H.Iwai
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics (出版予定)(掲載決定)
- NAID
  110007541196
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic Effects in Multi-gate MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, V.R. Manoj, K. Tsutsui, V. Hariharan, K. Kakushima, V.R. Rao, P. Ahmet, H. Iwai
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. on Electronics Vol.E90-C
  
  ページ: 2051-2056
- NAID
  110007541196
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Thermal Stability of LaO_x/Si Interfacial Transition Layer2005
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Yoshida, H.Okamoto, Ng Jin Aun, Y.Kobayashi, S.Ohmi, H.Iwai, E.Ikenaga, K.Kobayashi, Y.Takata, T.Hattori
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 1
  
  ページ: 87-95
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 72
  
  ページ: 283-287
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Electrical Characteristics for Lu_2O_3 Thin Films Fabricated by E-beam Deposition Method2004
- 著者名/発表者名
  S.Ohmi, M.Takeda, H.Ishiwara, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Journal of The Electrochemical Society 151
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La_2O_3/Si(100) interfacial transition layer2004
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, K.Takahashi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 234
  
  ページ: 493-496
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Chemical and electronic structures of Lu_2O_3/Si interfacial transition layer2003
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, T.Nakamura, K.Takahashi, M.Takeda, S.Ohmi, H.Iwai, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 234-238
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Effect of surface treatment of Si substrates and annealing condition on high・k rare earth oxide gate dielectrics2003
- 著者名/発表者名
  C.Ohshima, J.Taguchi, I.Kashiwagi, H.Yamamoto, S.Ohmi, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 302-306
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Effect of surface treatment of Si substrates and annealing condition on high-k rare earth oxide gate dielectrics2003
- 著者名/発表者名
  C.Ohshima, J.Taguchi, I.Kashiwagi, H.Yamamoto, S.Ohmi, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 302-306
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Chemical and electronic structures of Lu2O3/Si interfacial transition layer2003
- 著者名/発表者名
  H.Nohira, T.Shiraishi, T.Nakamura, K.Takahashi, M.Takeda, S.Ohmi, H.Iwai, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 234-238
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[雑誌論文] Characterization of La_2O_3 and Yb_2O_3 Thin Films for High-k Gate Insulator Application2003
- 著者名/発表者名
  S.Ohmi, C.Kobayashi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, H.Ishiwara, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Journal of The Electrochemical Society 150
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206006
[学会発表] 酸化膜中のSiナノワイヤにおけるNi拡散の制御2010
- 著者名/発表者名
  茂森直登, 新井英明, 佐藤創志, 角嶋クニユキ, アヘメトパールハット, 西山彰, 筒井一生, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Fabrication of SB-MOSFETs on SOI Substrate Using Ni Silicide Containing Er Interlayer2010
- 著者名/発表者名
  W.Hosoda, K.Ozawa, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 学会等名
  China Semiconductor Technology International Conference(CSTIC)
- 発表場所
  上海、中国
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Er Inserted Ni Silicide Metal Source/Drain for Schottky MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  P. Ahmet, W. Hosoda, K. Noguchi, Y. Ohishi, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Iwai
- 学会等名
  10th Int. Workshop on Junction Technology (IWJT2010)
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2010-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] A Study of Schottky Barrier Height Modulation of NiSi by Interlayer In sertion and Its Application to SOI SB-MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  W.Hosoda, K.Ozawa, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 学会等名
  G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology, Japan
- 年月日
  2009-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 異種金属界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB一MOSFETへの応用2009
- 著者名/発表者名
  細田亘, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  2009春季第56回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 異種金属界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用II2009
- 著者名/発表者名
  小澤健児, 細田亘, 角嶋邦之, アヘメトパールハット, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 服部健雄, 名取研二, 岩井洋
- 学会等名
  第70回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Short-channel effects on FinFETs induced by inappropriate fin widths2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, K.Kakushima, P.Ahmet, V.Ramgopal Rao, K.Tsutsui, H.Iwai
- 学会等名
  G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology, Japan
- 年月日
  2009-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] FinFETの構造ばらつきによるオン電流のばらつきの検討2009
- 著者名/発表者名
  小林勇介、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、ラオ・ラムゴパル、筒井一生、岩井洋
- 学会等名
  2009春季第56回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Annealing Reaction for Ni Silicidation of Si Nanowire2009
- 著者名/発表者名
  H.Arai, H.Kamimura, S.Sato, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 学会等名
  216^<th> Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Vienna, Austria
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 2stepアニールを用いた酸化膜中のSiナノワイヤへのNiシリサイド化2009
- 著者名/発表者名
  茂森直登, 新井英朗, 佐藤創志, 角嶋邦之, アヘメトパールハット, 西山彰, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第70回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Hf層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術2008
- 著者名/発表者名
  又野克哉, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  2008秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] FinFETの閾値変動における短チャネル効果による影響の切り分け2008
- 著者名/発表者名
  小林勇介、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、ラオ・ラムゴパル、筒井一生、岩井洋
- 学会等名
  2008秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Analysis of threshold voltage variations of FinFETs : Separation of short channel effects and space charge effects2008
- 著者名/発表者名
  Yusuke Kobayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, V. Ramgopal Rao and Hiroshi Iwai
- 学会等名
  Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] FinFETにおけるショートチャネル効果のフィン幅依存性2008
- 著者名/発表者名
  小林勇介, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, ラムゴパルラオ, 筒井一生, 岩井洋
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学船橋キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs: Separation of Short Channel Effects and Space Charge Effects2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, V.R. Rao, P. Ahmet, H. Iwai
- 学会等名
  Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
- 発表場所
  Ibaraki, Japan
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A.N. Chandorkar, T. Hattori, H. Iwai
- 学会等名
  214th Electrochem. Society (ECS) Meeting (PRiME 2008)
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2008-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-M OSFETs2008
- 著者名/発表者名
  K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsu i, N. Sugii, A. N. Chandorkar, T. Hattori, and H. Iwai
- 学会等名
  Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-M OSFETs
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs Relating to Short Channel Effects2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, A.B. Sachid, K. Tsutsui, K. Kakushima, P. Ahmet, V.R. Rao, H. Iwai
- 学会等名
  214th Electrochem. Society (ECS) Meeting (PRiME 2008)
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2008-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用2008
- 著者名/発表者名
  細田亘, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 高濃度n^+-Si及びp^+-Si基板上のNiシリサイドの熱安定性の違い2008
- 著者名/発表者名
  アヘメトパールハット, 角嶋邦之, 長田貴弘, 筒井一生, 杉井信之, 知京豊裕, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学船橋キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Analysis of threshold voltage variations of FinFETs : Separation of short channel effects and space charge effects2008
- 著者名/発表者名
  Yusuke Kobayashi, Kazuo Tsutsui, K uniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, V. Ramgopal Rao and Hiroshi Iwai
- 学会等名
  Analysis of threshold voltage variations of FinFETs : Separation of short channel effects and space charge effects
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2008-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Improvement of Thermal Stability of Ni Silicide on N^+-Si by Direct Deposition of Group III Element (A1,B) Thin Film at Ni/Si Interface2008
- 著者名/発表者名
  K. Tsutsui, T. Shiozawa, K. Nagahiro, Y. Ohishi, K. Kakushima, P. Ahmet, N. Urushihara, M. Suzuki, and H. Iwai
- 学会等名
  Materials for Advanced Metalization (MAM2008)
- 発表場所
  Dresden, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術2008
- 著者名/発表者名
  野口浩平, 大石善久, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学船橋キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs Relating to Short Channel Effects2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, Angada B. Sachidc, K. Tsutsui, K. Kakushima, P. Ahmet, V. Ramgopal Rao and H. Iwai
- 学会等名
  214th ECS Meeting
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Schottky Barrier Height Modulation of Ni Silicide/Si Contacts by Insertion of Thin Er or Pt Layers2008
- 著者名/発表者名
  Yoshisa Ohishi, Kohei Noguchi, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Sugii, Takeo Hattori, and Hiroshi Iwai
- 学会等名
  7th Int. Semiconductor Technology Conference (ECS-ISTC2008)
- 発表場所
  Shanghai, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. N. Chandorkar, T. Hattori and H. Iwai
- 学会等名
  214th ECS Meeting
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, V. Hariharan, V. R. Rao, P. Ahmet, H. Iwai
- 学会等名
  211th ECS Meeting
- 発表場所
  Chicago, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] ダブルゲート型およびプレーナー型MOSFETにおける構造バラつきの影響の比較検討2007
- 著者名/発表者名
  小林勇介, 角嶋邦之, Ahmet P., Rao V.R., 筒井一生, 岩井洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 極薄Er層を界面に挿入したNiSi/p-Siショットキー障壁の熱処理温度依存性2007
- 著者名/発表者名
  野口浩平, 大石善久, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Improvement of Thermal Stability of Ni Silcide by Additive Metals with Specific Introduction Processes2007
- 著者名/発表者名
  K. Tsutsui, K. Nagahiro, T. Shiozawa, P. Ahment, K. Kakushima and H. Iwai
- 学会等名
  212th ECS Meeting
- 発表場所
  Washington D.C., USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009

1. パールハットアヘメト (00418675)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 62件
2. 大見俊一郎 (30282859)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件
3. 服部健雄 (10061516)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 22件
4. 角嶋邦之 (50401568)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 63件
5. 筒井一生 (60188589)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 45件
6. 小林啓介 (50372149)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
7. 高田恭孝 (90261122)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
8. 野平博司 (30241110)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
9. 堀池靖浩 (20209274)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 財満鎭明 (70158947)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 霜垣幸浩 (60192613)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 角南英夫 (10311804)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 益一哉 (20157192)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

岩井 洋 IWAI Hiroshi

研究課題

研究成果

共同研究者

絶縁膜と半導体における界面ダイポールの定量的把握とモデル化に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

3次元構造MOSFETのロバストネス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高エネルギー光電子分光法開発と高誘電率膜/シリコン界面の化学結合状態分析への応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

グローバル・デバイス・インテグレーション技術の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

超機能化グローバル・インターフェース・インテグレーション研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Properties of CeOx/La2O3 gate dielectric and its effects on the MOS transistor characteristics2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] CovalentNature in La-Silicate Gate Dielectrics for Oxygen Vacancy Removal2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Valence number transition and silicate formation of cerium oxide films onSi(100)2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Covalent Nature in La-Silicate Gate Dielectrics for Oxygen Vacancy Removal2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] EOT of 0.62 nm and High Electron Mobility in La-silicate/Si Structure Based nMOSFETs Achieved by Utilizing Metal-Inserted Poly-Si Stacks and Annealing at High Temperature2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Properties of CeO_x/La_2O_3 gate dielectric and its effects on the MOS transistor characteristics2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Valence number transition and silicate formation of cerium oxide films on Si(100)2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] EOT of 0. 62 nm and High Electron Mobility in La-silicate/Si Structure Based nMOSFETs Achieved by Utilizing Metal-Inserted Poly-Si Stacks and Annealing at High Temperature2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Rareearth oxide capping effect on La_2O_3 gatedielectrics for equivalent oxidethickness scaling toward 0. 5 nm2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Compensation of oxygen defects in La-silicate gate dielectrics for improving effective mobility in high-k/metal gate MOSFET using oxygen annealing process2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Rare earth oxide capping effect on La2O3 gate dielectrics for equivalent oxide thickness scaling toward 0.5 nm2011

著者名/発表者名

雑誌名

岩井洋 IWAI Hiroshi