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片山 竜二  Katayama Ryuji

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40343115
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2022年度 – 2024年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授
2016年度 – 2021年度: 大阪大学, 工学研究科, 教授
2009年度 – 2015年度: 東北大学, 金属材料研究所, 准教授
2007年度 – 2008年度: 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教
2002年度 – 2005年度: 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
理工系 / 応用光学・量子光工学 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 応用物理工学およびその関連分野 / 光工学・光量子科学 / 結晶工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 小区分30020:光工学および光量子科学関連 / 応用物性・結晶工学 / 理工系
キーワード
研究代表者
第二高調波発生 / 非線形光学 / 窒化物半導体 / エピタキシャル成長 / 量子光学 / GaN / 光パラメトリック下方変換 / 波長変換素子 / 光導波路 / パルスレーザ堆積 … もっと見る / 反応性スパッタリング / パルススパッタ / 表面活性化接合 / MOVPE / 結晶面方位 / μLED / ウエハ接合 / 極性反転構造 / 表面活性化ウエハ接合 / モノリシック共振器 / モノリシック集積 / モノリシック微小共振器 / ワイドギャップ半導体 / 微小共振器 / モノリシック / 量子計算 / 強誘電体 / 自発パラメトリック下方変換 / パルスレーザー堆積 / 酸化ジルコニウム / 窒化アルミニウム / 周期的極性反転 / 擬似位相整合 / スパッタリング / 有機金属気相成長 / 分子線エピタキシー / 酸化チタン / 窒化ガリウム / RF-MBE / KOHエッチング / ケルビンフォース顕微鏡 / 格子極性反転構造 / AlN緩衝層 / 低温窒化 / RF-MBE法 / N極性 / Ga極性 … もっと見る
研究代表者以外
窒化物半導体 / MOVPE / RF-MBE / エピタキシャル成長 / GaAsN / 半導体物性 / InGaAsN / InGaPN / MBE / 立方晶窒化物半導体 / MBE、エピタキシャル / 応用光学・量子光工学 / 単一光子 / 光物性 / 結晶成長 / 結晶工学 / ジメチルヒドラジン / エピタキシャル / 有機金属気相成長 / 光量子コンピュータ / 光子対発生 / 単一モードレーザ / モノリシック光集積デバイス / 量子情報処理 / 非線形光学デバイス / 半導体レーザ / heterostructure / photoreflectance / cubic indium nitride / cubic gallium nitride / cubic nitride semiconductors / nitride semiconductors / 深い準位 / 立法晶AlGaN / 立法晶GaN / 選択成長 / GaAs / GaN / 立方晶AlGaN / 立方晶GaN / 窒化物混晶半導体 / ヘテロ構造 / フォトリフレクタンス / 立方晶窒化インジウム / 立方晶窒化ガリウム / huge bandgap bowing / slloy semiconductors / diluted nitride alloy / 巨大ボウイング / GaNAs / GaNP / 巨大バンドギャッブボウイング / InAsN / 巨大バンドギャップボウイング / 混晶半導体 / III-V-N型窒化物混晶 / 等電子トラップ / 原子層ドーピング / 励起子分子 / 応用光学・量子光光学 / 量子もつれ光子対 / 量子光学 / 半導体 / III族窒化物半導体 / 立方晶III族窒化物 / III-N半導体 / 立方晶III-N半導体 / MBE,エピタキシャル / 応用光学・量子光工学MBE / 窒化インジウム / 希薄窒化物 / 自己形成量子ドット / 量子ドット / 量子ナノ構造 / III-V-N混晶 / 希薄窒化物半導体 / 分離供給法 / アダクト / 成長 / InN 隠す
  • 研究課題

    (18件)
  • 研究成果

    (483件)
  • 共同研究者

    (21人)
  •  光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究

    • 研究代表者
      上向井 正裕
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30020:光工学および光量子科学関連
    • 研究機関
      大阪大学
  •  スクイーズド光発生用半導体レーザ励起窒化物半導体導波路型非線形光学デバイスの開発

    • 研究代表者
      上向井 正裕
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30020:光工学および光量子科学関連
    • 研究機関
      大阪大学
  •  結晶面方位変調テンプレートを用いた高スループットμLED製造プロセスの開発研究代表者

    • 研究代表者
      片山 竜二
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2020
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 審査区分
      中区分30:応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      大阪大学
  •  窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御研究代表者

    • 研究代表者
      片山 竜二
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2020
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      大阪大学
  •  強誘電体・常誘電体積層光導波路を用いた量子計算システムの開発研究代表者

    • 研究代表者
      片山 竜二
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      光工学・光量子科学
    • 研究機関
      大阪大学
  •  モノリシック共振器型ワイドギャップ半導体波長変換素子の開発研究代表者

    • 研究代表者
      片山 竜二
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2018
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 研究分野
      応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      大阪大学
  •  窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用研究代表者

    • 研究代表者
      片山 竜二
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2018
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      大阪大学
  •  光源集積型波長変換による深紫外レーザの超小型化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      片山 竜二
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      大阪大学
      東北大学
  •  局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御

    • 研究代表者
      矢口 裕之
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  極性ワイドギャップ半導体の量子情報処理応用に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      片山 竜二
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      応用光学・量子光工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  高相純度立方晶III族窒化物半導体薄膜成長とヘテロ構造の物性応用

    • 研究代表者
      尾鍋 研太郎
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  有機N原料によるInNおよび関連混晶薄膜のMOVPE成長

    • 研究代表者
      尾鍋 研太郎
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京大学
  •  局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究

    • 研究代表者
      矢口 裕之
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  有機N原料によるInNのMOVPE成長

    • 研究代表者
      尾鍋 研太郎
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京大学
  •  狭バンドギャップIII-V-N混晶半導体量子ナノ構造の作製と物性応用

    • 研究代表者
      尾鍋 研太郎
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  窒化物半導体格子極性反転へテロ構造の作製と非線形光学素子応用研究代表者

    • 研究代表者
      片山 竜二
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2005
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      応用光学・量子光工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  立方晶窒化物半導体ヘテロ構造による光および電子デバイス

    • 研究代表者
      尾鍋 研太郎
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  III-V-N型窒化物系混晶半導体の巨大ボウイング効果と物性応用

    • 研究代表者
      尾鍋 研太郎
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Demonstration of violet-DFB laser with fairly small temperature dependence in current-light characteristics2024

    • 著者名/発表者名
      Fukamachi Toshihiko、Nishinaka Junichi、Naniwae Koichi、Usuda Shuichi、Fukai Haruki、Sugitani Akihiko、Uemukai Masahiro、Tanikawa Tomoyuki、Katayama Ryuji
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 17 号: 5 ページ: 052004-052004

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ad40fb

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [雑誌論文] Polarity Inversion of GaN via AlN Oxidation Interlayer Using Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2023

    • 著者名/発表者名
      Murata Tomotaka、Ikeda Kazuhisa、Yamasaki Jun、Uemukai Masahiro、Tanikawa Tomoyuki、Katayama Ryuji
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 260 号: 8 ページ: 2200583-2200583

    • DOI

      10.1002/pssb.202200583

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631, KAKENHI-PROJECT-20H02640
  • [雑誌論文] GaN channel waveguide with vertically polarity inversion formed by surface activated bonding for wavelength conversion2022

    • 著者名/発表者名
      Yokoyama Naoki、Tanabe Ryo、Yasuda Yuma、Honda Hiroto、Ichikawa Shuhei、FUJIWARA Yasufumi、HIKOSAKA TOSHIKI、Uemukai Masahiro、TANIKAWA Tomoyuki、KATAYAMA Ryuji
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: 5 ページ: 050902-050902

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac57ab

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [雑誌論文] Second harmonic generation in GaN transverse quasi-phase-matched waveguide pumped with femtosecond laser2022

    • 著者名/発表者名
      Yokoyama Naoki、Morioka Yoshiki、Murata Tomotaka、Honda Hiroto、Serita Kazunori、Murakami Hironaru、Tonouchi Masayoshi、Tokita Shigeki、Ichikawa Shuhei、Fujiwara Yasufumi、Hikosaka Toshiki、Uemukai Masahiro、Tanikawa Tomoyuki、Katayama Ryuji
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 15 号: 11 ページ: 112002-112002

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ac9511

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631, KAKENHI-PROJECT-21H01845
  • [雑誌論文] Fabrication and evaluation of rib-waveguide-type wavelength conversion devices using GaN-QPM crystals2022

    • 著者名/発表者名
      Ishihara Hiroki、Shimada Keiya、Umeda Soshi、Yokoyama Naoki、Honda Hiroto、Kurose Kazuhiro、Kawata Yoshimasa、Sugita Atsushi、Inoue Yoku、Uemukai Masahiro、Tanikawa Tomoyuki、Katayama Ryuji、Nakano Takayuki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: SK ページ: SK1020-SK1020

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac727a

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [雑誌論文] Monolithic microcavity second harmonic generation device using low birefringence paraelectric material without polarity-inverted structure2021

    • 著者名/発表者名
      Nambu Tomoaki、Nagata Takumi、Umeda Soshi、Shiomi Keishi、Fujiwara Yasufumi、Hikosaka Toshiki、Mannan Abdul、Bagsican Filchito Renee G.、Serita Kazunori、Kawayama Iwao、Tonouchi Masayoshi、Uemukai Masahiro、Tanikawa Tomoyuki、Katayama Ryuji
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 14 号: 6 ページ: 061004-061004

    • DOI

      10.35848/1882-0786/abff9e

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [雑誌論文] Monolithic microcavity second harmonic generation device using low birefringence paraelectric material without polarity-inverted structure2021

    • 著者名/発表者名
      T. Nambu, T. Nagata,S. Umeda, K. Shiomi, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, A. Mannan, D. Bagsican, K. Serita, I. Kawayama, M. Tonouchi, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: -

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [雑誌論文] Polarity inversion of aluminum nitride by direct wafer bonding2018

    • 著者名/発表者名
      Hayashi, Y; Katayama, R; Akiyama, T; Ito, T; Miyake, H
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS EXPRESS

      巻: 11 号: 3 ページ: 31003-31003

    • DOI

      10.7567/apex.11.031003

    • NAID

      210000136117

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PROJECT-17H01063, KAKENHI-PROJECT-17K19078, KAKENHI-PUBLICLY-17H05335, KAKENHI-PROJECT-17H06762
  • [雑誌論文] Biexciton Emission From Single Quantum-Confined Structures in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells2017

    • 著者名/発表者名
      Takamiya Kengo、Yagi Shuhei、Yaguchi Hiroyuki、Akiyama Hidefumi、Shojiki Kanako、Tanikawa Tomoyuki、Katayama Ryuji
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 255 号: 5 ページ: 1700454-1700454

    • DOI

      10.1002/pssb.201700454

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063, KAKENHI-PROJECT-15H03968, KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [雑誌論文] Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations2017

    • 著者名/発表者名
      Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Ryuji Katayama, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 10 号: 8 ページ: 082101-082101

    • DOI

      10.7567/apex.10.082101

    • NAID

      210000135940

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05325, KAKENHI-PROJECT-17H01063, KAKENHI-PROJECT-17K19078, KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [雑誌論文] Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 (5S) 号: 5S ページ: 05FE01-05FE01

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fe01

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [雑誌論文] Nanometer scale fabrication and optical response of InGaN/GaN quantum disks2016

    • 著者名/発表者名
      Yi-Chun Lai, Akio Higo, Takayuki Kiba, Cedric Thomas, Shula Chen, Chang Yong Lee, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kanako Shojiki, Junichi Takayama, Ichiro Yamashita, Akihiro Murayama, Gou-Chung Chi, Peichen Yu, Seiji Samukawa
    • 雑誌名

      Nanotechnology

      巻: 27 号: 42 ページ: 425401-425401

    • DOI

      10.1088/0957-4484/27/42/425401

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H06359, KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [雑誌論文] Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 (5S) 号: 5S ページ: 05FA04-05FA04

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fa04

    • NAID

      210000146483

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [雑誌論文] Large Stokes-like shift in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes2016

    • 著者名/発表者名
      T. Tanikawa, K. Shojiki, S .Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 (5S) 号: 5S ページ: 05FJ03-05FJ03

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fj03

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082, KAKENHI-PROJECT-13J10877, KAKENHI-PROJECT-16K18074
  • [雑誌論文] Ga‐polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter‐scale wide terraces2016

    • 著者名/発表者名
      Takuya Iwabuchi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: - 号: 9 ページ: 1600754-1600754

    • DOI

      10.1002/pssa.201600754

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [雑誌論文] Homogeneity improvement of N-polar InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut-angle toward a-sapphire plane2016

    • 著者名/発表者名
      Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Tomoyuki Tanikawa, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Ryohei Nonoda, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 (5S) 号: 5S ページ: 05FA09-05FA09

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fa09

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [雑誌論文] Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      K. Shojiki, J.H.Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya,T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 106 (22) 号: 22

    • DOI

      10.1063/1.4922131

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082, KAKENHI-PROJECT-13J10877
  • [雑誌論文] Red to blue wavelength emission of N-polar (000-1) InGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      K. Shojiki, T. Tanikawa, J.H.Choi, S. Kuboya,T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 8 (6) 号: 6 ページ: 061005-061005

    • DOI

      10.7567/apex.8.061005

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082, KAKENHI-PROJECT-13J10877
  • [雑誌論文] Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (0001) GaN/sapphire2014

    • 著者名/発表者名
      T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FL05-05FL05

    • DOI

      10.7567/jjap.53.05fl05

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13J10877, KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
  • [雑誌論文] Effect of c-plane sapphire substrate miscut angle on indium content of MOVPE-grown N-polar InGaN2014

    • 著者名/発表者名
      K. Shojiki and R. Katayama(他6名)
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53(5S1) 号: 5S1 ページ: 05FL07-05FL07

    • DOI

      10.7567/jjap.53.05fl07

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
  • [雑誌論文] Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation into InGaN Grown by MOVPE2014

    • 著者名/発表者名
      J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
    • 雑誌名

      Joumal of Nanoscience and Nanotechynology

      巻: 14 号: 8 ページ: 6112-6115

    • DOI

      10.1166/jnn.2014.8306

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13J10877, KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
  • [雑誌論文] Key Factors for Metal Organic Chemical Vapor Deposition of InGaN Films with High InN Molar Fraction2013

    • 著者名/発表者名
      Yu Huai Liu, Fang Wang, Wei Zhang, Shou Yi Yang, Yuan Tao Zhang, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka
    • 雑誌名

      Applied Mechanics and Materials

      巻: 341 ページ: 204-207

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/amm.341-342.204

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [雑誌論文] RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer2013

    • 著者名/発表者名
      M Kakuda, S Morikawa, S Kuboya, R Katayama, H Yaguchi, K Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 378 ページ: 307-309

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.12.120

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [雑誌論文] RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN buffer2013

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya、R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: In Press

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [雑誌論文] Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      Yuantao Zhang, Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertusk, Takuya Iwabuchi, Suresh Kumar, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 536 ページ: 152-155

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.04.004

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates2013

    • 著者名/発表者名
      RG Jin, S Yagi, Y Hijikata, S Kuboya, K Onabe, R Katayama, H Yaguchi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 378 ページ: 85-87

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.12.043

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [雑誌論文] RF-MBE growth of cubic AlN on MgO(001) substrates via 2-step c-GaN buffer2013

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya、R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe,
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: (In Press)

    • URL

      http://www.sciencedirect.com/science/journal/00220248?oldURL=y

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [雑誌論文] Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE2013

    • 著者名/発表者名
      J. H. Choi and R. Katayama(他4名)
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c)

      巻: 10(3) 号: 3 ページ: 417-420

    • DOI

      10.1002/pssc.201200667

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
  • [雑誌論文] Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs2013

    • 著者名/発表者名
      Kengo Takamiya, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi
    • 雑誌名

      THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012

      巻: 1566 (1) ページ: 538-539

    • DOI

      10.1063/1.4848523

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [雑誌論文] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012

    • 著者名/発表者名
      K.Takamiya, Y.Endo, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H. Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 706-709 ページ: 2916-2921

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [雑誌論文] Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides2012

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama(他7名)
    • 雑誌名

      Proc. of SPIE

      巻: 8268 ページ: 826814-826913

    • DOI

      10.1117/12.909831

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [雑誌論文] Tilted domain and indium content of MOVPE-grown InGaN layer on m-plane GaN substrate2012

    • 著者名/発表者名
      K. Shojiki and R. Katayama(他4名)
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 51 号: 4S ページ: 04DH01-04DH01

    • DOI

      10.1143/jjap.51.04dh01

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
  • [雑誌論文] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, Y.Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: Vol.706-709 ページ: 2916-2921

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [雑誌論文] Effect of Nitridation on Indium-composition of InGaN Films2012

    • 著者名/発表者名
      J. H. Choi, S. Kumar, S. Y. Ji, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
    • 雑誌名

      Key. Eng. Mater.

      巻: 508 ページ: 193-198

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/kem.508.193

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
  • [雑誌論文] Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in NitrogenDelta-DopedGaAs2012

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 5 号: 11 ページ: 111201-111201

    • DOI

      10.1143/apex.5.111201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-20104004, KAKENHI-PROJECT-23360135, KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [雑誌論文] Effect of Nitridation on Indium-composition of InGaN Films2012

    • 著者名/発表者名
      J. H. Choi and R. Katayama(他5名)
    • 雑誌名

      Key. Eng. Mater

      巻: 508 ページ: 193-198

    • URL

      http://www.scientific.net/KEM.508.193

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [雑誌論文] Photoluminescence from single is electronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2010

    • 著者名/発表者名
      T. Fukushima, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      Physica

      巻: Vol.42, No10 号: 10 ページ: 2529-2531

    • DOI

      10.1016/j.physe.2009.12.011

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [雑誌論文] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-dopedGaAs grown on GaAs(111)A2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fukushima, Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, M.Okano, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
    • 雑誌名

      Physica E(掲載確定)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [雑誌論文] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fukushima, Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, M.Okano, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
    • 雑誌名

      Physica E

      巻: 42 ページ: 2529-2531

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [雑誌論文] MOVPE growth of InN films using 1, 1-dimethylhydrazine as a nitrogen precursor2009

    • 著者名/発表者名
      Q. T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Vol. 311

      ページ: 2802-2805

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] MOVPE Growth of InN films Using 1, 1-Dimethylhydrazine as a Nitrogen Precursor Journal of Crystal Growth2009

    • 著者名/発表者名
      Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth (印刷中)(掲載確定)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032002
  • [雑誌論文] MOVPE Growth of InN films Using 1,1-Dimethylhydrazine as a Nitrogen2009

    • 著者名/発表者名
      Q.T.Thieu, Y.Seki, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2802-2805

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] Metastable cubic InN layers on GaAs(001)substrates grown by MBE : Growth condition and crystal structure2009

    • 著者名/発表者名
      S.Sanorpim, P.Jantawongrit, S.Kuntharin, C.Thanachayanont, T.Nakamura, R.Katayama, K.Onabe
    • 雑誌名

      physica status solidi(c) 6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] MOVPE Growth of InN films Using 1,1-Dimethylhydrazine as a Nitrogen Precursor2009

    • 著者名/発表者名
      Q.T.Thieu, Y.Seki, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2802-2805

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016003
  • [雑誌論文] MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN QDs2008

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, S. Takahashi, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      physica status solidi (c) Vol. 5

      ページ: 1715-1718

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] Effect of substrate-surface orientation on the N incorporation in GaAsN films on GaAs grown by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      P. Klangtakai, S. Sanorpim, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      Advanced Materials Research Vol. 55-57

      ページ: 825-828

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] Incorporation of N in high N-content GaAsN films investigated by Raman scattering2008

    • 著者名/発表者名
      S. Sanorpim, P. Panpech, S. Vijarnwannaluk, F. Nakajima, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      physica status solidi (c) Vol. 5

      ページ: 2923-2925

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] InAsN quantum dots grown on GaAs(001) substrates by MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      physica status solidi (c) 4

      ページ: 2387-2390

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] Photoluminescence and photoluminescence-excitation spectro-scopy of InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      D. Kaewket, S. Tungasmita, S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Vol. 298

      ページ: 531-535

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] Structural investigation of InGaAsN films grown on pseudo-lattice-matched InGaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      P. Kongjaeng, S. Sanorpim, T. Yamamoto, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Vol. 298

      ページ: 111-115

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] Photoluminescence and photoluminescence-excitation spectroscopy of InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      D. Kaewket, S. Tungasmita, S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 531-535

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] MOVPE and characterization of InAsN/GaAs multiple quantum wells2007

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, Q. T. Thieu, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 544-547

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] MOVPE and characterization of InAsN/GaAs multiple quantum wells2007

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, Q. T. Thieu, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Vol. 298

      ページ: 544-547

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] Growth and post-growth rapid thermal annealing of InGaPN on GaP grown by metalorganic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Vol. 298

      ページ: 150-153

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] Growth and post-growth rapid thermal annealing of InGaPN on GaP grown by metalorganic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 150-153

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] Structural investigation of InGaAsN films grown on pseudo-lattice-matched InGaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      P. Kongjaeng, S. Sanorpim, T. Yamamoto, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 111-115

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] InAsN quantum dots grown on GaAs(001) substrates by MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 雑誌名

      physica status solidi (c) Vol. 4

      ページ: 2387-2390

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [雑誌論文] Shutterless nitrogen flux modulation using a dual-mode rf-plasma operation during RF-MBE growth of GaN2006

    • 著者名/発表者名
      R.Katayama, H.Tsurusawa, T.Nakamura, H.Komaki, K.Onabe
    • 雑誌名

      physica status solidi (出版中)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16760032
  • [雑誌論文] Buffer design for nitrogen polarity GaN on sapphire (0001) by RF-MBE and application to the nanostructure formation using KOH etching2006

    • 著者名/発表者名
      R.Katayama, K.Onabe
    • 雑誌名

      Physica E (出版中)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16760032
  • [雑誌論文] Fabrication of cubic and hexagonal GaN microcrystals on GaAs(001) substrates with relatively-thin low temperature GaN buffer layer2005

    • 著者名/発表者名
      R.Katayama, K.Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 278

      ページ: 431-436

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16760032
  • [雑誌論文] Buffer design for nitrogen polarity GaN on sapphire (0001) by RF-MBE and application to the nanostructure formation using KOH etching2005

    • 著者名/発表者名
      R.Katayama, K.Onabe
    • 雑誌名

      Physica E

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16760032
  • [雑誌論文] Fabrication of cubic and hexagonal GaN micro-crystals on GaAs(001) substrates with relatively-thin low temperature GaN buffer layer2005

    • 著者名/発表者名
      R.Katayama, K.Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 276(1-2)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16760032
  • [産業財産権] 半導体レーザ素子および発光装置2024

    • 発明者名
      西中 淳一、深町 俊彦、上向井 正裕、片山 竜二、谷川 智之
    • 権利者名
      ウシオ電機株式会社、国立大学法人大阪大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2024-044657
    • 出願年月日
      2024
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [産業財産権] 半導体レーザ素子およびその製造方法、発光装置2024

    • 発明者名
      西中 淳一、深町 俊彦、上向井 正裕、片山 竜二、谷川 智之
    • 権利者名
      ウシオ電機株式会社、国立大学法人大阪大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2024-017482
    • 出願年月日
      2024
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [産業財産権] 半導体レーザ素子および発光装置2024

    • 発明者名
      西中 淳一、深町 俊彦、上向井 正裕、片山 竜二、谷川 智之
    • 権利者名
      ウシオ電機株式会社、国立大学法人大阪大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2024-041407
    • 出願年月日
      2024
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [産業財産権] 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法、発光装置2023

    • 発明者名
      深町 俊彦、上向井 正裕、片山 竜二、谷川 智之
    • 権利者名
      ウシオ電機株式会社、国立大学法人大阪大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2023-119337
    • 出願年月日
      2023
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [産業財産権] 窒化物半導体膜の形成方法2021

    • 発明者名
      高橋伸明、三浦仁嗣、根石浩司、片山竜二、森勇介、今西正幸
    • 権利者名
      高橋伸明、三浦仁嗣、根石浩司、片山竜二、森勇介、今西正幸
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2021
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [産業財産権] 窒化物結晶、光学装置、半導体装置、窒化物結晶の製造方法2020

    • 発明者名
      彦坂年輝、布上真也、谷川智之、片山竜二、上向井正裕
    • 権利者名
      株式会社東芝、大阪大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2020-032021
    • 出願年月日
      2020
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [産業財産権] 窒化物半導体基板、窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板の製造装置及び窒化物半導体デバイス2017

    • 発明者名
      林 侑介、三宅 秀人、片山 竜二
    • 権利者名
      林 侑介、三宅 秀人、片山 竜二
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2017
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] AlN/SiNx水平積層横型擬似位相整合導波路の設計と作製2024

    • 著者名/発表者名
      本田 啓人,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [学会発表] 横型擬似位相整合4層極性反転AlN導波路による第二高調波発生の実証2024

    • 著者名/発表者名
      佐藤 栄希,本田 啓人,百崎 怜,玉野 智大,正直 花奈子,三宅 秀人,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [学会発表] InGaN周期スロットレーザーのCW波長可変単一モード動作実証2024

    • 著者名/発表者名
      楠井 大晴,和田 拓巳,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第44回年次大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [学会発表] Horizontally Stacked Transverse QPM Channel Waveguide for Squeezed Light Generation2023

    • 著者名/発表者名
      Hiroto Honda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      第42回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [学会発表] グレーティング結合器集積化GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスの設計と作製2023

    • 著者名/発表者名
      古川 裕也、池田 和久、本田 啓人、村田 知駿、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第43回年次大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Channel Waveguide using 4-Layer Polarity Inverted AlN Structure for Second Harmonic Generation2023

    • 著者名/発表者名
      Eiki Sato, Hiroto Honda, Ryo Momosaki, Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      第42回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [学会発表] Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Channel Waveguide using 4-Layer Polarity Inverted AlN Structure for Second Harmonic Generation2023

    • 著者名/発表者名
      Eiki Sato, Hiroto Honda, Ryo Momosaki, Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [学会発表] Fabrication of InGaN Tunable Single-Mode Laser Using Periodically Slotted Structure2023

    • 著者名/発表者名
      Taisei Kusui, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      第42回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [学会発表] 2層極性反転AlN横型擬似位相整合チャネル導波路による遠紫外第二高調波発生2023

    • 著者名/発表者名
      本田 啓人、正直 花奈子、上杉 謙次郎、三宅 秀人、市川 修平、舘林 潤、藤原 康文、芹田 和則、村上 博成、斗内 政吉、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第43回年次大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスに向けた高次導波モード励起グレーティング結合器2023

    • 著者名/発表者名
      古川 裕也,本田 啓人, 池田 和久, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [学会発表] High-Order Guided Mode Excitation Grating Coupler for GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Photon Pair Generation Device2023

    • 著者名/発表者名
      Yuya Furukawa, Hiroto Honda, Kazuhisa Ikeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      第42回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [学会発表] マルチ・スパッタアニール法による多層極性反転AlN構造の作製2023

    • 著者名/発表者名
      玉野 智大、正直 花奈子、本田 啓人、上杉 謙次郎、肖 世玉、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二、三宅 秀人
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 多層極性反転 AlN 構造を用いた横型 QPM 導波路の設計2023

    • 著者名/発表者名
      本田 啓人、百崎 怜、玉野 智大、正直 花奈子、三宅 秀人、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Design of AlN/Ta2O5 Horizontally Stacked Transverse-QPM Channel Waveguide for Squeezed Light Generation2023

    • 著者名/発表者名
      Hiroto Honda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26572
  • [学会発表] 高効率スクイーズド光発生に向けた MgO:CLN/GaN横型擬似位相整合導波路波長変換デバイスの作製2023

    • 著者名/発表者名
      野呂 諒介、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第43回年次大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] GaN-QPM結晶を用いた波長変換デバイスの作製および諸特性評価2023

    • 著者名/発表者名
      嶋田 慶也、石原 弘基、梅田 颯志、横山 尚生、本田 啓人、井上 翼、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二、中野 貴之
    • 学会等名
      レーザー学会学術講演会第43回年次大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Polarity Inversion of GaN via AlN Oxidation Interlayer using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2022

    • 著者名/発表者名
      T. Murata, K. Ikeda, J. Yamazaki, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2022
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Second Harmonic Generation of 230 nm DUV Light from Transverse Quasi-Phase-Matched -c-AlN/+c-AlN Channel Waveguide2022

    • 著者名/発表者名
      H. Honda, S. Umeda, K. Shojiki, H. Miyake, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2022
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Design of Transverse Quasi-Phase-Matched Non-Polar/AlN Waveguides for 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation2022

    • 著者名/発表者名
      H. Honda, S. Umeda, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      2022 Materials Research Society Spring Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 高効率スクイーズド光発生に向けたLiNbO3/GaN横型擬似位相整合波長変換デバイスの設計2022

    • 著者名/発表者名
      野呂 諒介、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Design and Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched HfO2/AlN Channel Waveguide for 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation2022

    • 著者名/発表者名
      H. Honda, K. Shujiki, H. Miyake, S. Ichikawa, Y. Fuijiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama
    • 学会等名
      International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 2022
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] MOVPEエピタキシャル極性反転技術を用いたGaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスの作製2022

    • 著者名/発表者名
      池田 和久、村田 知駿、市川 修平、藤原 康文、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] HfO2/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生2022

    • 著者名/発表者名
      本田 啓人、正直 花奈子、上杉 謙次郎、三宅 秀人、芹田 和則、村上 博成、斗内 政吉、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 2層極性反転AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生2022

    • 著者名/発表者名
      本田 啓人、正直 花奈子、上杉 謙次郎、三宅 秀人、芹田 和則、村上 博成、斗内 政吉、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けたHfO2/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路の作製2022

    • 著者名/発表者名
      本田 啓人、俵 悠弥、藤原 康文、正直 花奈子、三宅 秀人、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Demonstration of 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation from HfO2/AlN Transverse Quasi-Phase Matched Channel Waveguide2022

    • 著者名/発表者名
      Y. Furukawa, H. Honda, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第41回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Fabrication of GaN Transverse Quasi Phase Matching Photon Pair Generation Device using MOVPE-Based Epitaxial Polarity Inversion Technology2022

    • 著者名/発表者名
      K. Ikeda, T. Murata, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
    • 学会等名
      第41回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 230 nm深紫外光発生に向けた2層極性反転AlN導波路の設計と作製2021

    • 著者名/発表者名
      本田啓人、永田拓実、市川修平、藤原康文、正直花奈子、三宅秀人、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 有機金属気相成長法を用いたGaNエピタキシャル極性反転技術の開発2021

    • 著者名/発表者名
      村田知駿、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Novel Method of Short-Wavelength Emission from Polarity-Inverted Nitride Semiconductor Waveguides2021

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, M. Uemukai, and T. Tanikawa
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 表面活性化接合を用いた面方位変調GaNテンプレートの作製と組成変調InGaN量子井戸の有機金属気相成長2021

    • 著者名/発表者名
      田辺 凌、吉田 新、安田悠馬、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Novel Method of Short-Wavelength Emission from Polarity-Inverted Nitride Semiconductor Waveguides2021

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, M. Uemukai, and T. Tanikawa
    • 学会等名
      第8回結晶成長と結晶技術に関するアジア会議 (CGCT-8)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] AlN微小二重共振器型面発光DUV第二高調波発生デバイスの検討2021

    • 著者名/発表者名
      南部誠明、矢野岳人、永田拓実、田辺 凌、梅田颯志、市川修平、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Improved Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer Polarity Inverted AlN Waveguide for 230-nm Second Harmonic Generation2021

    • 著者名/発表者名
      S. Umeda, H. Honda, T. Nambu, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
    • 学会等名
      第40回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 広帯域光子対発生に向けたGaN導波路型微小共振器デバイスの作製2021

    • 著者名/発表者名
      永田拓実、梅田颯志、隈部岳瑠、安藤悠人、出来真斗、本田善央、天野 浩、トーマスポージン、山田和輝、岩谷素顕、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合2層極性反転AlN導波路の作製2021

    • 著者名/発表者名
      梅田颯志、本田啓人、南部誠明、市川修平、藤原康文、正直花奈子、三宅秀人、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Novel wavelength converters made of nitride semiconductors: transverse QPM waveguides and monolithic microcavities2021

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, M. Uemukai, and T. Tanikawa
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2021
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Novel wavelength converters made of nitride semiconductors: transverse QPM waveguides and monolithic microcavities2021

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, M. Uemukai, and T. Tanikawa
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2021
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザ2021

    • 著者名/発表者名
      樋口晃大、松下就哉、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Novel Method of Short-Wavelength Emission from Polarity-Inverted Nitride Semiconductor Waveguides2021

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, M. Uemukai, and T. Tanikawa
    • 学会等名
      第8回結晶成長と結晶技術に関するアジア会議 (CGCT-8)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Fabrication of GaN Polarity Inverted Structure via Ultrathin AlN Oxidation Interlayer using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2021

    • 著者名/発表者名
      T. Murata, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第40回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Novel wavelength converters made of nitride semiconductors: transverse QPM waveguides and monolithic microcavities2021

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, M. Uemukai, and T. Tanikawa
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2021
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイスの効率評価2021

    • 著者名/発表者名
      横山尚生、村田知駿、本田啓人、市川修平、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合HfO2/AlN導波路の設計2021

    • 著者名/発表者名
      本田啓人、梅田颯志、正直花奈子、三宅秀人、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイスの効率評価2021

    • 著者名/発表者名
      横山尚生、村田知駿、本田啓人、市川修平、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Design of Non-Polar/AlN Transverse Quasi-Phase Matched Channel Waveguides for 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation2021

    • 著者名/発表者名
      H. Honda, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第40回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 230 nm深紫外光発生に向けた2層極性反転AlN導波路の設計と作製2021

    • 著者名/発表者名
      本田啓人、永田拓実、市川修平、藤原康文、正直花奈子、三宅秀人、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] 窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御2021

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二
    • 学会等名
      新学術領域研究 特異構造の結晶科学 オンライン成果報告・連絡会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] 表面活性化接合を用いた面方位変調GaNテンプレートの作製と組成変調InGaN量子井戸の有機金属気相成長2021

    • 著者名/発表者名
      田辺 凌、吉田 新、安田悠馬、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] 窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御2021

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二
    • 学会等名
      新学術領域研究 特異構造の結晶科学 オンライン成果報告・連絡会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] AlN微小二重共振器型面発光DUV第二高調波発生デバイスの検討2021

    • 著者名/発表者名
      南部誠明、矢野岳人、永田拓実、田辺 凌、梅田颯志、市川修平、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] 広帯域光子対発生に向けたGaN導波路型微小共振器デバイスの作製2021

    • 著者名/発表者名
      永田拓実、梅田颯志、隈部岳瑠、安藤悠人、出来真斗、本田善央、天野 浩、トーマスポージン、山田和輝、岩谷素顕、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Efficiency Evaluation of GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Wavelength Conversion Device under Femtosecond Laser Excitation2021

    • 著者名/発表者名
      N. Yokoyama, H. Honda, T. Murata, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi*, S. Tokita, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第40回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Experimental Determination of Wavelength Conversion Efficiency in Transverse Quasi-Phase-Matched GaN SHG Waveguide Excited with Femtosecond Laser2021

    • 著者名/発表者名
      N. Yokoyama, Y. Morioka, T. Murata, H. Honda, F. R. G. Bagsican, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama
    • 学会等名
      2021 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] ワイドギャップ窒化物半導体波長変換デバイスによる紫外光発生2020

    • 著者名/発表者名
      片山竜二、上向井正裕、谷川智之
    • 学会等名
      応用物理学会 応用電子物性分科会 研究例会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Design of Ttransverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer AlN Waveguide for 230-nm DUV Second Harmonic Generation2020

    • 著者名/発表者名
      Hiroto Honda, Naoki Yokoyama, Asahi Yamauchi, Tenta Komatsu, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      第39回 電子材料シンポジウム EMS39
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] 広帯域光子対発生に向けたGaN導波路型微小共振器デバイスの設計2020

    • 著者名/発表者名
      永田 拓実,梅田 颯志,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第81回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Design of Waveguide Directional Coupler for Electric-Field Driven GaN Mach-Zehnder Interferometer2020

    • 著者名/発表者名
      Y. Hisada, A. Tomibayashi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
    • 学会等名
      第39回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Transverse Quasi-Phase-Matched Second Harmonic Generation using Polarity-Inverted GaN Channel Waveguide with Input Grating Coupler2020

    • 著者名/発表者名
      Tomotaka Murata, Naoki Yokoyama, Tenta Komatsu, Yoshiki Morioka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      第39回 電子材料シンポジウム EMS39
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Design and Fabrication of AlN Waveguide Microcavity SHG Device2020

    • 著者名/発表者名
      S. Umeda, T. Nagata, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
    • 学会等名
      第39回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Fabrication of GaN Polarity-Inverted Structure by Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching and Surface Activated Bonding2020

    • 著者名/発表者名
      Naoki Yokoyama, Ryo Tanabe, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      第39回 電子材料シンポジウム EMS39
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] 表面活性化接合に必要な表面平坦性を維持するGaNのエッチング2020

    • 著者名/発表者名
      横山 尚生,田辺 凌,森川 隆哉,藤原 康文,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第67回 応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体の分極制御と量子光学応用:遠UVC全固体光源2020

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二,上向井 正裕,谷川 智之
    • 学会等名
      第81回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] 横型擬似位相整合 GaN 導波路型波長変換デバイスの開発2020

    • 著者名/発表者名
      小松 天太,彦坂 年輝,布上 真也,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第67回 応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Design of Ttransverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer AlN Waveguide for 230-nm DUV Second Harmonic Generation2020

    • 著者名/発表者名
      H. Honda, N. Yokoyama, A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第39回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] AlN 導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計2020

    • 著者名/発表者名
      梅田 颯志,永田 拓実,彦坂 年輝,布上 真也,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 表面活性化接合に必要な表面平坦性を維持するGaNのエッチング2020

    • 著者名/発表者名
      横山 尚生,田辺 凌,森川 隆哉,藤原 康文,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第67回 応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] Design of GaN Waveguide Microcavity Device for Broadband Photon Pair Generation2020

    • 著者名/発表者名
      Takumi Nagata*, Soshi Umeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      第39回 電子材料シンポジウム EMS39
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] ワイドギャップ窒化物半導体波長変換デバイスによる紫外光発生2020

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二
    • 学会等名
      応用電子物性分科会研究例会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN films maintaining surface flatness for surface activated bonding2020

    • 著者名/発表者名
      N. Yokoyama, R. Tanabe, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama
    • 学会等名
      第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'20
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Design of Waveguide Directional Coupler for Electric-Field Driven GaN Mach-Zehnder Interferometer2020

    • 著者名/発表者名
      Y. Hisada, A. Tomibayashi, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第39回 電子材料シンポジウム EMS39
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体の分極制御と量子光学応用:遠UVC全固体光源2020

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二,上向井 正裕,谷川 智之
    • 学会等名
      第81回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] AlN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計2020

    • 著者名/発表者名
      梅田 颯志,永田 拓実,彦坂 年輝,布上 真也,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第67回 応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] グレーティング結合器集積GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイス2020

    • 著者名/発表者名
      横山 尚生,森岡 佳紀,森川 隆哉,藤原 康文,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第81回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Second harmonic generation devices with transverse quasi-phase-matched polarity-inverted stacked AlN waveguide2020

    • 著者名/発表者名
      A. Yamauchi,T. Komatsu,K. Ikeda,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake,T. Hikosaka,S. Nunoue,T. Morikawa,Y. Fujiwara,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2020
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Second harmonic generation devices with transverse quasi-phase-matched polarity-inverted stacked AlN waveguide2020

    • 著者名/発表者名
      A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2020
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN films maintaining surface flatness for surface activated bonding2020

    • 著者名/発表者名
      N. Yokoyama, R. Tanabe, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama
    • 学会等名
      第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'20
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] Design of GaN Waveguide Microcavity Device for Broadband Photon Pair Generation2020

    • 著者名/発表者名
      T. Nagata, S. Umeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
    • 学会等名
      第39回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Transverse Quasi-Phase-Matched Second Harmonic Generation using Polarity-Inverted GaN Channel Waveguide with Input Grating Coupler2020

    • 著者名/発表者名
      T. Murata, N. Yokoyama, T. Komatsu, Y. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
    • 学会等名
      第39回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Fabrication of GaN Polarity-Inverted Structure by Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching and Surface Activated Bonding2020

    • 著者名/発表者名
      Naoki Yokoyama, Ryo Tanabe, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      第39回 電子材料シンポジウム EMS39
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Design and Fabrication of AlN Waveguide Microcavity SHG Device2020

    • 著者名/発表者名
      Soshi Umeda*, Takumi Nagata, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      第39回 電子材料シンポジウム EMS39
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] ワイドギャップ窒化物半導体波長変換デバイスによる紫外光発生2020

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二
    • 学会等名
      応用電子物性分科会研究例会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] Fabrication process of InGaN high-order deeply etched DBR laser2020

    • 著者名/発表者名
      A. Higuchi, D. Tazuke, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] グレーティング結合器集積GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイス2020

    • 著者名/発表者名
      横山尚生、森岡佳紀、森川隆哉、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 周期的スロット構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザ2020

    • 著者名/発表者名
      樋口晃大、上向井正裕、谷川智之、片山竜二
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Electrical and Optical Characteristics of ITO Electrode for Electrically-Tunable Waveguide Phase Shifter2020

    • 著者名/発表者名
      A. Tomibayashi, Y. Hisada, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
    • 学会等名
      第39回 電子材料シンポジウム EMS39
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Design of AlN doubly-resonant waveguide microcavity SHG device2020

    • 著者名/発表者名
      S. Umeda, T. Nagata, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体の分極制御と量子光学応用:遠UVC全固体光源2020

    • 著者名/発表者名
      片山竜二、上向井正裕、谷川智之
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 横型擬似位相整合GaN 導波路型波長変換デバイスの開発2020

    • 著者名/発表者名
      小松 天太,彦坂 年輝,布上 真也,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] First Demonstration of Tunable Single-Mode InGaN Laser with Periodically Slotted Structure2020

    • 著者名/発表者名
      A. Higuchi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
    • 学会等名
      第39回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Design of AlN doubly-resonant waveguide microcavity SHG device2020

    • 著者名/発表者名
      S. Umeda, T. Nagata, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama
    • 学会等名
      第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'20
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器2019

    • 著者名/発表者名
      森岡 佳紀,上向井 正裕,上杉 謙次郎,正直 花奈子,三宅 秀人,森川 隆哉,藤原 康文,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第80回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Fabrication of GaN doubly resonant waveguide microcavity SHG device2019

    • 著者名/発表者名
      T. Nagata,S. Umeda,T. Hikosaka,S. Nunoue,T. Morikawa,Y. Fujiwara,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      38th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体を用いた新規波長変換デバイスの開発ー極性反転導波路と微小共振器ー2019

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二,上向井 正裕,谷川 智之
    • 学会等名
      第80回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] Input Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第7回 半導体ナノ構造のエピタキシャル成長と基礎物性に関する国際ワークショップ SEMICONNANO2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Bonding Strength of Polarity-Inverted GaN/GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding2019

    • 著者名/発表者名
      R. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      APWS2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Fabrication of +c/-c AlN Structure toward IR Wavelength Conversion2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Hayashi, K. Uesugi, K. Shojiki, R. Katayama, A. Sakai and H. Miyake
    • 学会等名
      International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Design and Fabrication of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device2019

    • 著者名/発表者名
      Takumi Nagata,Masahiro Uemukai,Toshiki Hikosaka,Shinya Nunoue,Takaya Morikawa,Yasufumi Fujiwara,Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Bonding Strength Optimization of Polarity-Inverted GaN/GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding2019

    • 著者名/発表者名
      N. Yokoyama, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第38回 電子材料シンポジウム EMS38
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] Demonstration of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Waveguide SHG Device Fabricated by Surface-Activated Bonding and Silicon Removal2019

    • 著者名/発表者名
      S. Yamaguchi, A. Yamauchi, T. Onodera, M. Uemukai, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      窒化物半導体国際会議 ICNS2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体を用いた新規波長変換デバイスの開発ー極性反転導波路と微小共振器ー2019

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二,上向井 正裕,谷川 智之
    • 学会等名
      第80回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Si台座構造上 GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製2019

    • 著者名/発表者名
      南部 誠明,永田 拓実,塩見 圭史,藤原 康文,大西 一生,谷川 智之,上向井 正裕,片山 竜二
    • 学会等名
      第66回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Quantum Optical Application of Nitride Semiconductor: DUV Laser and Quantum Computer2019

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, M. Uemukai and T. Tanikawa
    • 学会等名
      紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2019
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] Design of GaN doubly resonant waveguide microcavity SHG device2019

    • 著者名/発表者名
      S. Umeda,T. Nagata,T. Hikosaka,S. Nuoue,T. Morikawa,Y. Fujiwara,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      38th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 表面活性化接合により作製したGaN分極反転積層構造の接合強度評価2019

    • 著者名/発表者名
      田辺 凌,横山 尚生,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第80回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] 波長変換デバイスに向けたスパッタ成膜AlNの極性制御2019

    • 著者名/発表者名
      林 侑介, 上杉 謙次郎, 正直 花奈子, 片山 竜二, 三宅 秀人
    • 学会等名
      第66回 応用物理学会 春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 横型擬似位相整合AlN導波路による第二高調波発生の原理実証2019

    • 著者名/発表者名
      山内 あさひ,山口 修平,小野寺 卓也,林 侑介, 三宅 秀人,彦坂 年輝,布上 真也,塩見 圭史,藤原 康文,芹田 和則,川山 巌,斗内 政吉,上向井 正裕,片山 竜二
    • 学会等名
      第80回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Design and Fabrication of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device2019

    • 著者名/発表者名
      T. Nagata, M. Uemukai, , T. Hikosaka, S. Nunoue , T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      APWS2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] 表面活性化接合により作製したGaN分極反転積層構造の接合強度評価2019

    • 著者名/発表者名
      田辺 凌,横山 尚生,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第80回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] GaN waveguide directional coupler and wavelength filter for optical quantum application2019

    • 著者名/発表者名
      M. Maeda, T. Komatsu, M. Kihira, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第38回 電子材料シンポジウム EMS38
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Optimization of annealing temperature to reduce contact resistance on p GaN toward fabrication of InGaN single mode laser2019

    • 著者名/発表者名
      A. Higuchi,D. Tazuke,T. Hikosaka, T. Oka,S. Nunoue,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      38th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Raman Scattering Investigation of Strain Evolution during Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si Substrate2019

    • 著者名/発表者名
      R. Tanabe, T. Onodera, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H.J. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama
    • 学会等名
      第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Input Focusing Grating Coupler for Deep UV AlN Waveguide SHG Device2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Morioka, M. Uemukai, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第38回 電子材料シンポジウム EMS38
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Morioka, S. Yamaguchi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器2019

    • 著者名/発表者名
      森岡 佳紀、上向井 正裕、上杉 謙次郎、正直 花奈子、三宅 秀人、森川 隆哉、藤原 康文、谷川 智之、片山 竜二
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] AlN光導波路型波長変換デバイスのための入力グレーティング結合器2019

    • 著者名/発表者名
      森岡 佳紀, 山口 修平, 正直 花奈子, 林 侑介, 三宅 秀人, 塩見 圭史, 藤原 康文, 上向井 正裕, 片山 竜二
    • 学会等名
      第66回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Design and Evaluation of Electrical and Optical Characteristics of ITO Electrode for Electric-Field Driven Optical Waveguide Devices2019

    • 著者名/発表者名
      A. Tomibayashi, M. Kihira, T. Komatsu, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第38回 電子材料シンポジウム EMS38
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] GaN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計と試作2019

    • 著者名/発表者名
      永田 拓実,森川 隆哉,藤原 康文 ,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第80回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Nonlinear Optical Application of Nitride Semiconductors: Polarity-Inverted Waveguides and Microcavities2019

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, M. Uemukai and T. Tanikawa
    • 学会等名
      固体素子と材料に関する国際会議 SSDM2019
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] Bonding Strength of Polarity-Inverted GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding2019

    • 著者名/発表者名
      Ryo Tanabe,Naoki Yokoyama,Masahiro Uemukai,Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Design of Deep Ultraviolet Second Harmonic Generation Device with Double-Layer Polarity-Inverted AlN Waveguide2019

    • 著者名/発表者名
      A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      APWS2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Raman Scattering Evaluation of Strain Evolution During Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si Substrate2019

    • 著者名/発表者名
      R. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama
    • 学会等名
      第38回 電子材料シンポジウム EMS38
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] 量子コンピュータ開発と結晶技術2019

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二
    • 学会等名
      日本学術振興会 第161委員会 第109回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Benchmark of Nonlinear Optical Crystals for Single-Path Waveguide Optical Parametric Amplifier2019

    • 著者名/発表者名
      T. Komatsu, R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第38回 電子材料シンポジウム EMS38
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] 窒化物半導体波長変換デバイスの開発ー極性反転導波路と微小共振器ー2019

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二,上向井 正裕,谷川 智之
    • 学会等名
      第11回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] 表面活性化接合により作製した GaN分極反転積層構造の接合強度評価2019

    • 著者名/発表者名
      田辺 凌、横山 尚生、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Benchmark of nonlinear optical crystals for single path waveguide optical parametric amplifier2019

    • 著者名/発表者名
      T. Komatsu,R. Noro,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      38th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Demonstration of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device2019

    • 著者名/発表者名
      M. Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      窒化物半導体国際会議 ICNS2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Nonlinear Optical Application of Nitride Semiconductors: Polarity-Inverted Waveguides and Microcavities2019

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama
    • 学会等名
      Workshop on Nitride Semiconductor Lasers
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] 近赤外波長変換に向けた+c AlN/-c AlN構造の作製2019

    • 著者名/発表者名
      林 侑介,上杉 謙次郎,正直 花奈子,片山 竜二,酒井 朗,三宅 秀人
    • 学会等名
      第80回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] 窒化物半導体波長変換デバイスの開発ー極性反転導波路と微小共振器ー2019

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二,上向井 正裕,谷川 智之
    • 学会等名
      第11回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Polarity-Inverted Stacked AlN Waveguide by Surface-Activated Bonding and Silicon Removal2019

    • 著者名/発表者名
      A. Yamauchi, S. Yamaguchi, T. Onodera, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Bonding Strength of Polarity-Inverted GaN/GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding2019

    • 著者名/発表者名
      R. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      APWS2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] Quantum Optical Application of Nitride Semiconductor2019

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, M. Uemukai and T. Tanikawa
    • 学会等名
      International Workshop on Creation of Singularity Structures
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Design and fabrication of InGaN single mode laser with periodically slotted structure2019

    • 著者名/発表者名
      D. Tazuke,A. Higuchi,T. Hikosaka,T. Oka,S. Nunoue,M. Uemukai,T .Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      38th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] 2層極性反転積層AlN光導波路を用いた深紫外域波長変換デバイスの設計2019

    • 著者名/発表者名
      山内 あさひ,小松 天太,上杉 謙次郎,正直 花奈子,三宅 秀人,彦坂 年輝,布上 真也,森川 隆哉,藤原 康文,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • 学会等名
      第80回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] 近赤外波長変換に向けた+c/-c AlN構造の作製2019

    • 著者名/発表者名
      林 侑介,上杉 謙次郎,正直 花奈子,片山 竜二,藤平 哲也,酒井 朗,三宅 秀人
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部 2019年度第2回 支部講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Input Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Morioka,M. Uemukai,T. Tanikawa,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake2,T. Morikawa,Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Fabrication of GaN doubly-resonant waveguide microcavity SHG device2019

    • 著者名/発表者名
      T. Nagata, S. Umeda, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第38回 電子材料シンポジウム EMS38
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Design of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device2019

    • 著者名/発表者名
      S. Umeda, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nuoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第38回 電子材料シンポジウム EMS38
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Bonding Strength Optimization of Polarity-Inverted GaN/GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding2019

    • 著者名/発表者名
      N. Yokoyama, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第38回 電子材料シンポジウム EMS38
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] 量子光学応用のためのGaN 光導波路型波長フィルタの開発2019

    • 著者名/発表者名
      小松 天太,紀平 将史,上向井 正裕,谷川 智之,彦坂 年輝,布上 真也,片山 竜二
    • 学会等名
      第80回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] First Demonstration of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device on Si Pedestal Structure2019

    • 著者名/発表者名
      M. Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Design of deep ultraviolet second harmonic generation device with double layer polarity inverted AlN waveguide2019

    • 著者名/発表者名
      A. Yamauchi,T. Komatsu,K. Ikeda,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake,T. Hikosaka,S. Nunoue,T. Morikawa,Y. Fujiwara,M. Uemukai,T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      38th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] InGaN Laser Pumped Nitride Semiconductor Transverse Quasi-Phase-Matched Waveguide Second Harmonic Generation Devices2019

    • 著者名/発表者名
      M. Uemukai , S. Yamaguchi, A. Yamauchi, D. Tazuke, A. Higuchi, R. Tanabe, T. Tanikawa, T. Hikosaka, S. Nunoue, Y. Hayashi, H. Miyake, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第7回 半導体ナノ構造のエピタキシャル成長と基礎物性に関する国際ワークショップ SEMICONNANO2019
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Design of Deep Ultraviolet Second Harmonic Generation Device with Double-Layer PolarityInverted AlN Waveguide2019

    • 著者名/発表者名
      Asahi Yamauchi,Tenta Komatsu,Kazuhisa Ikeda,Kenjiro Uesugi,Kanako Syojiki,Hideto Miyake,Toshiki Hikosaka,Sinya Nunoue,Takaya Morikawa,Yasufumi Fujiwara,Masahiro Uemukai,Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama
    • 学会等名
      9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Fabrication of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device on Si trapezoidal structure2019

    • 著者名/発表者名
      T. Nambu, T. Komatsu, M. Uemukai, K. Shiomi, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 2層極性反転積層 AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計2019

    • 著者名/発表者名
      山内 あさひ、小松 天太、池田 和久、上杉 謙二郎、正直 花奈子、三宅 秀人、彦坂 年輝、布上 真也、森川 隆哉、藤原 康文、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Nonlinear Optical Application of Nitride Semiconductors: Polarity-Inverted Waveguides and Microcavities2019

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, M. Uemukai and T. Tanikawa
    • 学会等名
      固体素子と材料に関する国際会議 SSDM2019
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Raman Scattering Evaluation of Strain Evolution During Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si Substrate2019

    • 著者名/発表者名
      R. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama
    • 学会等名
      第38回 電子材料シンポジウム EMS38
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Design of Deep Ultraviolet Second Harmonic Generation Device with Double-Layer Polarity-Inverted AlN Waveguide2019

    • 著者名/発表者名
      A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      第38回 電子材料シンポジウム EMS38
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Quantum Optical Application of Nitride Semiconductor2019

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, M. Uemukai and T. Tanikawa
    • 学会等名
      International Workshop on Creation of Singularity Structures
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] Design of GaN-waveguide-based Mach-Zehnder Interferometer Compatible to the Optical Waveguide-based Quantum Computer2019

    • 著者名/発表者名
      T. Komatsu, M. Kihira, A. Tomibayashi, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] InGaN Laser Pumped Nitride Semiconductor Transverse Quasi-Phase-Matched Waveguide Second Harmonic Generation Devices2019

    • 著者名/発表者名
      M. Uemukai,S. Yamaguchi,A. Yamauchi,D. Tazuke,A. Higuchi,R. Tanabe,T. Tanikawa,T. Hikosaka,S. Nunoue,Y. Hayashi,H. Miyake,Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] Nonlinear Optical Application of Nitride Semiconductors: Polarity-Inverted Waveguides and Microcavities2019

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama
    • 学会等名
      Workshop on Nitride Semiconductor Lasers
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] ラマン散乱による表面活性化接合前後のGaN薄膜中の歪変化の評価2019

    • 著者名/発表者名
      田辺 凌, 小野寺 卓也,上向井 正裕, 彦坂 年輝, 布上 真也,正直 花奈子,三宅 秀人,久志本 真希,鄭 惠貞,本田 善央,天野 浩,片山 竜二
    • 学会等名
      第66回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Quantum Optical Application of Nitride Semiconductor: DUV Laser and Quantum Computer2019

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, M. Uemukai and T. Tanikawa
    • 学会等名
      紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2019
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Development of GaN Waveguide Wavelength Filter for Quantum Optical Application2019

    • 著者名/発表者名
      T. Komatsu, M. Kihira, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      APWS2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-19H04543
  • [学会発表] Raman Scattering Investigation of Strain Evolution during Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si Substrate2019

    • 著者名/発表者名
      R. Tanabe, T. Onodera, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H.J. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama
    • 学会等名
      第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K22145
  • [学会発表] Input grating coupler for AlN channel waveguide wavelength conversion device2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Morioka,M. Uemukai,K. Uesugi,K. Shojiki,H. Miyake,T. Morikawa,Y. Fujiwara,T. Tanikawa and R. Katayama
    • 学会等名
      38th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02631
  • [学会発表] GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製2018

    • 著者名/発表者名
      南部 誠明,上向井 正裕,藤 諒健,山田 智也,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製2018

    • 著者名/発表者名
      南部 誠明,上向井 正裕,藤 諒健,山田 智也,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device2018

    • 著者名/発表者名
      T. Nambu, T. Komatsu, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第37回 電子材料シンポジウム EMS37
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] 深溝周期構造を用いたGaAsP量子井戸波長可変単一モードレーザー2018

    • 著者名/発表者名
      上向井 正裕,片山 竜二
    • 学会等名
      第38回 レーザー学会 学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] 横型疑似位相整合極性反転AlN導波路を用いた深紫外光源2018

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二,山口 修平,小野寺 卓也,山内 あさひ,上向井 正裕,林 侑介,三宅 秀人
    • 学会等名
      電子情報通信学会 2018年ソサイエティ大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Polarity-Inverted Stacked AlN Waveguide by Surface-Activated Bonding and Silicon Removal2018

    • 著者名/発表者名
      S. Yamaguchi, T. Onodera, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第37回 電子材料シンポジウム EMS37
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 深溝周期構造を用いたGaAsP量子井戸波長可変単一モードレーザー2018

    • 著者名/発表者名
      上向井 正裕,片山 竜二
    • 学会等名
      第38回 レーザー学会 学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device on Si Substrate2018

    • 著者名/発表者名
      T. Nambu, T. Komatsu, M. Uemukai, K. Shiomi, Y. Fujiwara, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue and R. Katayama
    • 学会等名
      窒化物半導体国際ワークショップ IWN2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Area Expansion of Surface-Activated Wafer Bonding using GaN Samples with Improved Surface Smoothness and Reduced Curvature2018

    • 著者名/発表者名
      T. Onodera, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Kushimoto, H.J. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama
    • 学会等名
      窒化物半導体国際ワークショップ IWN2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 深紫外SHGに向けたウェハ接合型AlN極性反転構造2018

    • 著者名/発表者名
      林 侑介, 片山 竜二, 三宅 秀人
    • 学会等名
      第10回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device2018

    • 著者名/発表者名
      T. Nambu, T. Komatsu, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第37回 電子材料シンポジウム EMS37
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用2018

    • 著者名/発表者名
      片山竜二
    • 学会等名
      科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] ZnO系ワイドギャップ半導体微小共振器を用いた量子相関光子対発生素子の設計2018

    • 著者名/発表者名
      矢野 岳人,上向井 正裕,片山 竜二
    • 学会等名
      第10回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] Si台座構造上 GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製2018

    • 著者名/発表者名
      南部 誠明,永田 拓実,塩見 圭史,藤原 康文,大西 一生,谷川 智之,上向井 正裕,片山 竜二
    • 学会等名
      第66回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発:GaNストリップ導波路型方向性結合器の設計2018

    • 著者名/発表者名
      紀平 将史,三輪 純也,上向井 正裕,藤 諒健,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] ZrO2 /AlN積層導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計2018

    • 著者名/発表者名
      山口 修平,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,山田 智也,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] 横型疑似位相整合極性反転AlN導波路を用いた深紫外光源2018

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二,山口 修平,小野寺 卓也,山内 あさひ,上向井 正裕,林 侑介,三宅 秀人
    • 学会等名
      電子情報通信学会 2018年ソサイエティ大会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 表面活性化接合とSi基板剥離によるGaN極性反転構造の作製2018

    • 著者名/発表者名
      小野寺 卓也,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,久志本 真希,鄭 惠貞,本田 善央,天野 浩,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] 周期的スロット構造を用いたGaAsP波長可変単一モードレーザ2018

    • 著者名/発表者名
      楠本 壮,上向井 正裕,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] Second harmonic generation from polarity-inverted GaN waveguide2018

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Design of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Tapered Waveguide SHG Device for Broadening Wavelength Acceptance Bandwidth2018

    • 著者名/発表者名
      A. Yamauchi, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      IEEE Photonics Society Kansai Chapter 第4回フォトニクス英語発表会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 周期的スロット構造を用いたGaAsP波長可変単一モードレーザ2018

    • 著者名/発表者名
      楠本 壮,上向井 正裕,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] ZrO2 /AlN積層導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計2018

    • 著者名/発表者名
      山口 修平,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,山田 智也,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] Input Grating Coupler for AlN Channel Waveguide Wavelength Conversion Device2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Morioka, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake,K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第37回 電子材料シンポジウム EMS37
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 量子コンピュータ開発と結晶技術2018

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二
    • 学会等名
      日本学術振興会 第161委員会 第109回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] 表面活性化接合とSi基板剥離によるGaN極性反転構造の作製2018

    • 著者名/発表者名
      小野寺 卓也,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,久志本 真希,鄭 惠貞,本田 善央,天野 浩,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Second harmonic generation from polarity-inverted GaN waveguide2018

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] Design and Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device2018

    • 著者名/発表者名
      T. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第19回 有機金属気相成長法に関する国際会議 ICMOVPE-XIX
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発:GaNリブ導波路型方向性結合器の特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      三輪 純也,紀平 将史,上向井 正裕,藤 諒健,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用2018

    • 著者名/発表者名
      片山竜二
    • 学会等名
      科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] 波長許容幅拡大を目指した横型擬似位相整合AlNテーパ導波路SHGデバイスの設計2018

    • 著者名/発表者名
      山口 修平,山内 あさひ,上向井 正裕,林 侑介,三宅 秀人,塩見 圭史,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第79回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Design and Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device2018

    • 著者名/発表者名
      T. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第19回 有機金属気相成長法に関する国際会議 ICMOVPE-XIX
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Design of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Waveguide for Deep UV Second Harmonic Generation2018

    • 著者名/発表者名
      S. Yamaguchi, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第6回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'18
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製2018

    • 著者名/発表者名
      南部 誠明,上向井 正裕,藤 諒健,山田 智也,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] Area Expansion of Surface-Activated Wafer Bonding using GaN Samples with Improved Surface Smoothness and Reduced Curvature2018

    • 著者名/発表者名
      T. Onodera, R. Tanabe, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Kushimoto, H.J. Cheong, Y. Honda, H. Amano, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第37回 電子材料シンポジウム EMS37
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device on Si Substrate2018

    • 著者名/発表者名
      T. Nambu, T. Komatsu, M. Uemukai, K. Shiomi, Y. Fujiwara, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue and R. Katayama
    • 学会等名
      窒化物半導体国際ワークショップ IWN2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] Design of ZnO-Based Microcavities with SiO2/ZrO2 Distributed Bragg Reflectors for Entangled Photon Pair Generation2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Matsui, T. Yano, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第37回 電子材料シンポジウム EMS37
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] ZrO2 /AlN積層導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計2018

    • 著者名/発表者名
      山口 修平,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,山田 智也,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Fabrication of Polarity-Inverted GaN Heterostructure by Surface-Activated Wafer Bonding and Silicon Removal2018

    • 著者名/発表者名
      T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama
    • 学会等名
      第6回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'18
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 表面活性化接合とSi基板除去によるGaN極性反転構造の作製2018

    • 著者名/発表者名
      小野寺 卓也,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,久志本 真希,鄭 惠貞,本田 善央,天野 浩,片山 竜二
    • 学会等名
      第10回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 表面活性化接合とSi基板剥離によるGaN極性反転構造の作製2018

    • 著者名/発表者名
      小野寺 卓也,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,久志本 真希,鄭 惠貞,本田 善央,天野 浩,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] 深溝周期構造を用いたGaAsP量子井戸波長可変単一モードレーザー2018

    • 著者名/発表者名
      上向井 正裕,片山 竜二
    • 学会等名
      第38回 レーザー学会 学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発:GaNストリップ導波路型方向性結合器の設計2018

    • 著者名/発表者名
      紀平 将史,三輪 純也,上向井 正裕,藤 諒健,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発:GaNリブ導波路型方向性結合器の特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      三輪 純也,紀平 将史,上向井 正裕,藤 諒健,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] 量子相関光子対発生に向けたZnO/ZnMgO多重量子井戸微小共振器の設計2018

    • 著者名/発表者名
      矢野 岳人,松井 裕輝,上向井 正裕,片山 竜二
    • 学会等名
      第66回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用2018

    • 著者名/発表者名
      片山竜二
    • 学会等名
      科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 表面活性化接合を用いた大面積GaN極性反転構造の作製2018

    • 著者名/発表者名
      小野寺 卓也,上向井 正裕,髙橋 一矢 ,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介, 三宅 秀人,久志本 真希,鄭 惠貞,本田 善央,天野 浩,片山 竜二
    • 学会等名
      第79回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Fabrication of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device on Si trapezoidal structure2018

    • 著者名/発表者名
      T. Nambu, T. Komatsu, M. Uemukai, K. Shiomi, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] Design of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Tapered Waveguide SHG Device for Broadening Wavelength Acceptance Bandwidth2018

    • 著者名/発表者名
      A. Yamauchi, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake,K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第37回 電子材料シンポジウム EMS37
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Second harmonic generation from polarity-inverted GaN waveguide2018

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] 周期的スロット構造を用いたGaAsP波長可変単一モードレーザ2018

    • 著者名/発表者名
      楠本 壮,上向井 正裕,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発:GaNストリップ導波路型方向性結合器の設計2018

    • 著者名/発表者名
      紀平 将史,三輪 純也,上向井 正裕,藤 諒健,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発:GaNリブ導波路型方向性結合器の特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      三輪 純也,紀平 将史,上向井 正裕,藤 諒健,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第65回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 高次結合ディープエッチDBRレーザの作製と単一モード発振2017

    • 著者名/発表者名
      山下 諒大、上向井 正裕、片山 竜二
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの設計2017

    • 著者名/発表者名
      南部 誠明,上向井 正裕,藤 諒健,山田 智也,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用2017

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二
    • 学会等名
      科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Design of polarity-inverted multilayer AlN waveguide for deep UV second harmonic generation2017

    • 著者名/発表者名
      S. Yamaguchi, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Design of polarity-inverted multilayer AlN waveguide for deep UV second harmonic generation2017

    • 著者名/発表者名
      S. Yamaguchi, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO32017

    • 著者名/発表者名
      T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama
    • 学会等名
      紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] Polarity inversion of AlN fabricated by wafer bonding and its atomic arrangement models2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Hayashi, H. Miyake,K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO32017

    • 著者名/発表者名
      T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama
    • 学会等名
      紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] GaN rib waveguide directional coupler for optical quantum information processing systems2017

    • 著者名/発表者名
      J. Miwa, M. Kihira, M. Uemukai, R. Fuji, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] AlN・GaN・LiNbO3の表面活性化ウエハ接合技術の開発2017

    • 著者名/発表者名
      小野寺 卓也,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] GaAsP quantum well tunable single-mode semiconductor lasers with deeply etched periodic structures2017

    • 著者名/発表者名
      M. Uemukai, A. Yamashita, S. Kusumoto, R. Katayama
    • 学会等名
      発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] GaN rib waveguide directional coupler for optical quantum information processing systems2017

    • 著者名/発表者名
      J. Miwa, M. Kihira, M. Uemukai, R. Fuji, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発:GaNリブ導波路型方向性結合器の作製2017

    • 著者名/発表者名
      三輪 純也,上向井 正裕,藤 諒健,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] GaN rib waveguide directional coupler for optical quantum information processing systems2017

    • 著者名/発表者名
      J. Miwa, M. Kihira, M. Uemukai, R. Fuji, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] AlN・GaN・LiNbO3の表面活性化ウエハ接合技術の開発2017

    • 著者名/発表者名
      小野寺 卓也,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] GaAsP quantum well single-mode semiconductor laser with periodically slotted structure2017

    • 著者名/発表者名
      S. Kusumoto, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] ワイドギャップ窒化物半導体による量子情報処理システム開発2017

    • 著者名/発表者名
      片山竜二
    • 学会等名
      日本学術振興会 第162委員会 第106回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体の量子光学素子応用2017

    • 著者名/発表者名
      片山竜二
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会 シンポジウム 金属酸化物の結晶物性に迫る
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発:GaNリブ導波路型方向性結合器の作製2017

    • 著者名/発表者名
      三輪 純也,上向井 正裕,藤 諒健,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] 極性反転積層AlN光導波路を用いた波長変換デバイスの設計2017

    • 著者名/発表者名
      山口 修平,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,山田 智也,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] Abrupt Polarity Inversion of AlN for Second Harmonic Generation in DUV Region2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Hayashi, H. Miyake,K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito and R. Katayama
    • 学会等名
      紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] GaAsP quantum well single-mode semiconductor laser with periodically slotted structure2017

    • 著者名/発表者名
      S. Kusumoto, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO32017

    • 著者名/発表者名
      T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] GaAsP quantum well single-mode semiconductor laser with periodically slotted structure2017

    • 著者名/発表者名
      S. Kusumoto, M. Uemukai and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用2017

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二
    • 学会等名
      科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] GaAsP quantum well tunable single-mode semiconductor lasers with deeply etched periodic structures2017

    • 著者名/発表者名
      M. Uemukai, A. Yamashita, S. Kusumoto, R. Katayama
    • 学会等名
      発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] Polarity inversion of AlN fabricated by wafer bonding and its atomic arrangement models2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Hayashi, H. Miyake,K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] AlN・GaN・LiNbO3の表面活性化ウエハ接合技術の開発2017

    • 著者名/発表者名
      小野寺 卓也,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] 極性反転積層AlN光導波路を用いた波長変換デバイスの設計2017

    • 著者名/発表者名
      山口 修平,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,山田 智也,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] Design of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device2017

    • 著者名/発表者名
      T. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] Face to FaceアニールによるAlN分極反転構造の作製と評価2017

    • 著者名/発表者名
      林 侑介,三宅 秀人,平松 和政,片山 竜二
    • 学会等名
      第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO32017

    • 著者名/発表者名
      T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] Design of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device2017

    • 著者名/発表者名
      T. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] Polarity inversion of AlN fabricated by wafer bonding and its atomic arrangement models2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Hayashi, H. Miyake,K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの設計2017

    • 著者名/発表者名
      南部 誠明,上向井 正裕,藤 諒健,山田 智也,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの設計2017

    • 著者名/発表者名
      南部 誠明,上向井 正裕,藤 諒健,山田 智也,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] 疑似位相整合SHGに向けたFace to FaceアニールによるAlN分極反転構造の作製2017

    • 著者名/発表者名
      林 侑介,三宅 秀人,平松 和政,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] 疑似位相整合SHGに向けたFace to FaceアニールによるAlN分極反転構造の作製2017

    • 著者名/発表者名
      林 侑介,三宅 秀人,平松 和政,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用2017

    • 著者名/発表者名
      片山 竜二
    • 学会等名
      科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO32017

    • 著者名/発表者名
      T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] Design of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device2017

    • 著者名/発表者名
      T. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] GaAsP quantum well tunable single-mode semiconductor lasers with deeply etched periodic structures2017

    • 著者名/発表者名
      M. Uemukai, A. Yamashita, S. Kusumoto, R. Katayama
    • 学会等名
      発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] Design of polarity-inverted multilayer AlN waveguide for deep UV second harmonic generation2017

    • 著者名/発表者名
      S. Yamaguchi, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama
    • 学会等名
      第36回 電子材料シンポジウム EMS36
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO32017

    • 著者名/発表者名
      T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama
    • 学会等名
      紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 疑似位相整合SHGに向けたFace to FaceアニールによるAlN分極反転構造の作製2017

    • 著者名/発表者名
      林 侑介,三宅 秀人,平松 和政,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] 極性ワイドギャップ半導体の量子光学応用2017

    • 著者名/発表者名
      片山竜二
    • 学会等名
      IEEE Photonics Society Kansai Chapter 講演会
    • 発表場所
      伊勢市観光文化会館(三重県・伊勢市)
    • 年月日
      2017-01-18
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] 極性反転積層AlN光導波路を用いた波長変換デバイスの設計2017

    • 著者名/発表者名
      山口 修平,上向井 正裕,髙橋 一矢,岩谷 素顕,赤﨑 勇,林 侑介,三宅 秀人,山田 智也,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] ワイドギャップ窒化物半導体による量子情報処理システム開発2017

    • 著者名/発表者名
      片山竜二
    • 学会等名
      日本学術振興会 第162委員会 第106回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-17H05335
  • [学会発表] ワイドギャップ窒化物半導体による量子情報処理システム開発2017

    • 著者名/発表者名
      片山竜二
    • 学会等名
      日本学術振興会 第162委員会 第106回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01063
  • [学会発表] AlN系窒化物半導体のウェハ接合技術の検討2017

    • 著者名/発表者名
      高橋 一矢、篠田 涼二、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、服部 友一、赤崎 勇、片山 竜二、上向井 正裕
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発:GaNリブ導波路型方向性結合器の作製2017

    • 著者名/発表者名
      三輪 純也,上向井 正裕,藤 諒健,藤原 康文,片山 竜二
    • 学会等名
      第78回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K19078
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体研究の新展開 量子光学デバイス・システム開発2016

    • 著者名/発表者名
      片山竜二
    • 学会等名
      第1回 電子材料若手研究会
    • 発表場所
      広島大学(広島県・東広島市)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体の 量子光学応用2016

    • 著者名/発表者名
      片山竜二
    • 学会等名
      第9回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期セミナー
    • 発表場所
      立命館大学(滋賀県・草津市)
    • 年月日
      2016-08-29
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用2016

    • 著者名/発表者名
      片山竜二
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会 シンポジウム 窒化物半導体特異構造の科学 ~新機能の発現と理解~
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] Polarity-controlled MOVPE growth of GaN on PLD-AlN templates2015

    • 著者名/発表者名
      J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
    • 学会等名
      The 34th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖、滋賀県守山市
    • 年月日
      2015-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] Polarity control of MOVPE-grown GaN on AlN/GaN templates2015

    • 著者名/発表者名
      J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
    • 学会等名
      日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会 第7回 窒化物半導体研究会
    • 発表場所
      東北大学 片平さくらホール、宮城県仙台市
    • 年月日
      2015-05-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] 横型疑似位相整合AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生素子の設計2015

    • 著者名/発表者名
      三谷 悠貴,片山 竜二,劉 陳燁,正直 花奈子,谷川 智之,窪谷 茂幸,松岡 隆志
    • 学会等名
      日本結晶成長学会 ナノ構造エピタキシャル成長分科会 第7回 窒化物半導体研究会
    • 発表場所
      東北大学 片平さくらホール、宮城県仙台市
    • 年月日
      2015-05-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] Realization of p-Type Conduction in Mg-Doped N-Polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2014

    • 著者名/発表者名
      T. Tanikawa, J. H. Choi, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
    • 学会等名
      Conference on LED and it’s industrial application ‘14
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Suppression of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells2014

    • 著者名/発表者名
      K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
    • 学会等名
      Conference on LED and it’s industrial application ‘14
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] MOVPE成長 -c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制2014

    • 著者名/発表者名
      正直花奈子,崔正焄,岩渕拓也,宇佐美徳隆,谷川智之,窪谷茂幸,花田貴,片山竜二,松岡隆志
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学淵野辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] c面Al2O3基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定2014

    • 著者名/発表者名
      花田貴,稲葉克彦,正直花奈子,崔正焄,片山竜二,谷川智之,窪谷茂幸,松岡隆志
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学淵野辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Observation of Indium Content Distribution on m-plane InGaN Film with Hilloks2014

    • 著者名/発表者名
      K. Shojiki, T. Hanada, J. H. Choi, Y. Imai, S. Kimura, T. Shimada, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka
    • 学会等名
      2013 Annual Meeting of Excellent Graduate School for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" & International Workshop on Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during MOVPE Growth of GaN/Sapphire2013

    • 著者名/発表者名
      N. Yoshinogawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama and T. Matsuoka
    • 学会等名
      第32回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Effect of c-plane Sapphire Substrate Miscut-angle on Indium Content of MOVPE-grown N-polar InGaN2013

    • 著者名/発表者名
      K. Shojiki, J.-H. Choi, H. Shindo, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Inサーファクタントによる(0001)GaNのMOVPE成長におけるステップフロー成長の促進2013

    • 著者名/発表者名
      逢坂崇,谷川智之,正直花奈子,木村健司,岩渕拓也,花田貴,片山竜二,松岡隆志
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] mprovement of Surface Morphology in (000-1) GaN/Sapphire Grown by MOVPE with Indium Surfactant2013

    • 著者名/発表者名
      T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, and T. Matsuoka
    • 学会等名
      40th Intern. Symp. on Comp. Semcond. (ISCS2013)
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Enhancement of Surface Migration by Mg Doping in the Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of (000-1) GaN/sapphire2013

    • 著者名/発表者名
      T. Tanikawa, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] 窒化物半導体フォトニックナノ構造の量子光学応用2013

    • 著者名/発表者名
      片山竜二(他7名)
    • 学会等名
      第5回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2013-07-11
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during MOVPE Growth of GaN/Sapphire2013

    • 著者名/発表者名
      N. Yoshinogawa and R. Katayama(他5名、6番)
    • 学会等名
      The 32nd Electron. Mater. Symp
    • 発表場所
      Shiga
    • 年月日
      2013-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] ヒロック形成にともなうm面InGaN薄膜のIn組成分布観察2013

    • 著者名/発表者名
      正直花奈子,花田貴,崔正焄,島田貴章,今井康彦,木村滋,谷川智之,片山竜二,松岡隆志
    • 学会等名
      第74回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      社大学田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN2013

    • 著者名/発表者名
      T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada and T. Matsuoka
    • 学会等名
      第32回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] サファイア基板上GaN薄膜の有機金属気相成長挙動の格子極性依存性2013

    • 著者名/発表者名
      吉野川伸雄,片山竜二(他5名、6番)
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 年月日
      2013-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Observation of Phase Separation on m-plane InGaN Films with Micro-vicinal surface by Micro-beam XRD2013

    • 著者名/発表者名
      K. Shojiki, T. Hanada, J. H. Choi, Y. Imai, S. Kimura, T. Shimada, T. Tanikawa, R. Katayama and T. Matsuoka
    • 学会等名
      第32回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Investigation and Suppression of Metastable-phase Inclusion in MOVPE-grown –c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells2013

    • 著者名/発表者名
      K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi1, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
    • 学会等名
      KINKEN-WAKATE 2013 10th Materials Science School for Young Scientists
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Nonlinear Optical Application of Periodic Polarity-inverted GaN Waveguide2013

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, N. Yoshinogawa, S. Kurokawa, T. Tanikawa, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, and T. Matsuoka
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定2013

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾,八木修平,土方泰斗,望月敏光,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎,矢口裕之
    • 学会等名
      第74回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] MOVPE成長N極性InGaNにおけるIn組成のc面サファイア基板微傾斜角依存性2013

    • 著者名/発表者名
      正直花奈,崔正焄,進藤裕文,木村健司,谷川智之,花田貴,片山竜二,松岡隆志
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Influence of Mg-Doping on the Surface Morphology of (000-1) GaN/Sapphire Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      T. Tanikawa, T. Aisaka, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
    • 学会等名
      10th Int. Conf. on Nitride Semicond. (ICNS-10)
    • 発表場所
      Washington DC, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Evaluation and Solution of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-grown -c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells2013

    • 著者名/発表者名
      K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
    • 学会等名
      10th Int. Conf. on Nitride Semicond. (ICNS-10)
    • 発表場所
      Washington DC, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Improvement of surface morphology in (000-1) GaN/Sapphire grown by MOVPE with indium surfactant2013

    • 著者名/発表者名
      T. Tanikawa, T. Aisaka, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada and T. Matsuoka
    • 学会等名
      Conference on LED and its industrial application '13 (LEDIA '13)
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Nonlinear Optical Application of Periodic Polarity-inverted GaN Waveguide2013

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama(他8名)
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2013-09-18
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] サファイア基板上GaN薄膜のMOVPE成長挙動の格子極性依存性2013

    • 著者名/発表者名
      吉野川伸雄,岩渕拓也,正直花奈子,木村健司,谷川智之,片山竜二,松岡隆志
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Y立方晶AlNおよび高Al濃度立方晶AlGaNのRF-MBE成長2013

    • 著者名/発表者名
      角田雅弘,森川生,窪谷茂幸,片山竜二,矢口裕之,尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川)
    • 年月日
      2013-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [学会発表] MOVPE成長–c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制2013

    • 著者名/発表者名
      正直花奈子, 崔正焄, 岩渕拓也, 宇佐美徳隆, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山 竜二, 松岡 隆志
    • 学会等名
      第68回応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表場所
      山形大学米沢キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] The improvement of N-polar GaN surface during MOVPE growth with indium surfactant2013

    • 著者名/発表者名
      T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] 窒化物半導体フォトニックナノ構造の量子光学応用2013

    • 著者名/発表者名
      片山竜二、黒川周斉、吉野川伸雄、谷川智之、福原裕次郎、窪谷茂幸、尾鍋研太郎、松岡隆志
    • 学会等名
      第5回 窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      大阪大学吹田キャンパス
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Influence of Sapphire Substrate Miscut Angle on Indium Content of MOVPE-grown InGaN Films2012

    • 著者名/発表者名
      K. Shojiki, H. Shindo, S. Y. Ji, V. S. Kumar, J. H. Choi, Y. H. Liu, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
    • 学会等名
      4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)
    • 発表場所
      St. Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Enhancement of violet second harmonic generation in periodic polarity-inverted GaN waveguides2012

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe and T. Matsuoka
    • 学会等名
      17th Int. Conf. Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Nara, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定2012

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
    • 年月日
      2012-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] Comparison of crystalline quality in InGaN grown on (0001) and (0001) GaN/Sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      T. Tanikawa, R. Katayama and T. Matsuoka
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] マイクロファセットができたm面InGaN薄膜のIn濃度分布観察2012

    • 著者名/発表者名
      花田貴,崔正焄,正直花奈子,今井康彦,木村 滋,島田貴章,片山竜二,松岡隆志
    • 学会等名
      プレIWN2012
    • 発表場所
      東京大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] 窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光2012

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] Violet-colored enhanced second harmonic generation from periodic polarity-inverted GaN waveguide2012

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama(他8名)
    • 学会等名
      The 31st Electron. Mater. Symp
    • 発表場所
      Shizuoka
    • 年月日
      2012-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides2012

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama(他7名)
    • 学会等名
      SPIE Photonics WEST 2012
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2012-01-23
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Enhanced second harmonic generation from periodic polarity-inverted GaN waveguide2012

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, and T. Matsuoka
    • 学会等名
      Int. Conf. on Superlattices, Nanostructures, and Nanodevices (ICSNN2012)
    • 発表場所
      Dresden, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps Formed by Nitrogen-Nitrogen Pairs in GaAs2012

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, T. Fukushima. S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe. R. Katayama, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      31st International Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      スイス連邦工科大学チューリッヒ校(スイス)
    • 年月日
      2012-08-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] Linear and nonlinear optical investigations of periodic polarity- inverted GaN waveguides2012

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama(他5名)
    • 学会等名
      4th Intern. Symp. on Growth of III-nitrides
    • 発表場所
      St. Petersburg, Russia
    • 年月日
      2012-07-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Growth of Cubic AlN Films on MgO substrates by MBE2012

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya,R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe,
    • 学会等名
      GCOE International Sympsium on Physical Sciences Frontier
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2012-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [学会発表] Enhancement of In-incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE2012

    • 著者名/発表者名
      J. H. Choi, S. Kumar, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama andT. Matsuoka
    • 学会等名
      4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)
    • 発表場所
      St. Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Enhancement of violet second harmonic generation in periodic polarity-inverted GaN waveguides2012

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama(他5名)
    • 学会等名
      Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Nara
    • 年月日
      2012-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表]2012

    • 著者名/発表者名
      角田雅弘,森川生,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第4回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京大学(東京)
    • 年月日
      2012-04-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [学会発表] Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides2012

    • 著者名/発表者名
      Ryuji Katayama, Yujiro Fukuhara, Masahiro Kakuda, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Syusai Kurokawa, Naoto Fujii, Takashi Matsuoka
    • 学会等名
      SPIE Photonics WEST 2012
    • 発表場所
      米国・サンフランシスコ(招待講演)
    • 年月日
      2012-01-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] (0001)面、(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの表面モフォロジーとIn取り込み2012

    • 著者名/発表者名
      谷川智之,正直花奈子,崔正焄,片山竜二,松岡隆志
    • 学会等名
      第67回応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表場所
      東北大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Violet second harmonic generation from polarity inverted GaN waveguides2012

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama(他8名)
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sapporo
    • 年月日
      2012-10-18
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] 極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能2012

    • 著者名/発表者名
      片山竜二, 松岡隆志, 福原裕次郎, 角田雅弘, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京・早稲田(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates2012

    • 著者名/発表者名
      R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi
    • 学会等名
      17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      奈良県新公会堂(奈良県)
    • 年月日
      2012-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] Growth of cubic AlN films on MgO substrate via2-step cubic GaN buffer layer by RF-MBE2012

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya,R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      31th Electronic Materials Symposium (EMS-31)
    • 発表場所
      伊豆(静岡)
    • 年月日
      2012-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [学会発表] MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長2012

    • 著者名/発表者名
      金日国, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
    • 年月日
      2012-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] Linear and nonlinear optical investigations of periodic polarity- inverted GaN waveguides2012

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama(他5名)
    • 学会等名
      Int. Conf. on Superlattices, nanostructures, and Nanodevices
    • 発表場所
      Dresden, Germany
    • 年月日
      2012-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] 極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能2012

    • 著者名/発表者名
      片山竜二(他5名)
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2012-03-15
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] MOVPE成長(0001) GaNのステップフロー成長の促進2012

    • 著者名/発表者名
      逢坂崇,正直花奈子,岩渕拓也,木村健司,谷川智之,花田貴,片山竜二,松岡隆志
    • 学会等名
      第67回応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表場所
      東北大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Linear and nonlinear optical investigations of periodic polarity-inverted GaN waveguides2012

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, and T. Matsuoka
    • 学会等名
      4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)
    • 発表場所
      St. Petersburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Violet-colored enhanced second harmonic generation from periodic polarity- inverted GaN waveguide2012

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, S. Kurokawa, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Tanikawa, T. Hanada and T.Matsuoka
    • 学会等名
      The 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31)
    • 発表場所
      Shuzenji, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] (0001)および(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの結晶品質比較2012

    • 著者名/発表者名
      谷川智之,片山竜二,松岡隆志
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] サファイア基板上GaN薄膜の有機金属気相成長初期過程における表面モフォロジーの格子極性依存性2012

    • 著者名/発表者名
      吉野川伸雄,岩渕拓也,正直花奈子,木村健司,谷川智之,片山竜二,松岡隆志
    • 学会等名
      第67回応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表場所
      東北大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] MOVPE成長N極性InGaNにおけるIn組成のc面サファイア基板微傾斜角依存性2012

    • 著者名/発表者名
      正直花奈子,崔正焄,進藤裕文,木村健司,谷川智之,花田貴,片山竜ニ,松岡隆志
    • 学会等名
      第67回応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表場所
      東北大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Influence of sapphire substrate miscut angle on Indium content of MOVPE-grown InGaN films2012

    • 著者名/発表者名
      K. Shojiki, J. H. Choi, H. Shindo, S. Y. Ji, V. S. Kumar, Y. H. Liu, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
    • 学会等名
      The 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31)
    • 発表場所
      Shuzenji, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Violet second harmonic generation from polarity inverted GaN waveguides2012

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, S. Kurokawa, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Tanikawa, T. Hanada and T. Matsuoka
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] Study of In-composition of InGaN islands on m-plane GaN substrate using high-resolution microbeam XRD2012

    • 著者名/発表者名
      J.H. Choi, K. Shojiki, T. Shimada, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka, Y. Imai and S. Kimura
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23686010
  • [学会発表] RF-MBEGrowth of cubic AlN on MgO(001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer2012

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
    • 発表場所
      奈良(奈良)
    • 年月日
      2012-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [学会発表] Biexciton Emission from Single Is oelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
    • 学会等名
      The 3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 発表場所
      International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
    • 年月日
      2011-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] Cubic III-nitrides: potential photonic materials (Invited)2011

    • 著者名/発表者名
      K. Onabe, S.Sanorpim, H. Kato, M.Kakuda, T. Nakamura, K. Nakamura, S.Kuboya, R. Katayama
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      San Francisco, CA,USA.
    • 年月日
      2011-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [学会発表] Cubic III-nitrides : potential photonic materials2011

    • 著者名/発表者名
      K.Onabe, S.Sanorpim, H.Kato, M.Kakuda, T.Nakamura, K.Nakamura, S.Kuboya, R.Katayama
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      San Francisco, CA, USA(Invited)
    • 年月日
      2011-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [学会発表] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011

    • 著者名/発表者名
      K.Takamiya, Y.Endo, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
    • 学会等名
      7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
    • 発表場所
      Quebec City Convention Centre (Quebec, Canada)(招待講演)
    • 年月日
      2011-08-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価2011

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H.Yaguchi
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
    • 発表場所
      Quebec City Convention Centre (Quebec,Canada)
    • 年月日
      2011-08-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性2011

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形県)
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      K.Takamiya, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
    • 学会等名
      3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 発表場所
      International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
    • 年月日
      2011-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル2010

    • 著者名/発表者名
      大久保航, 石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)2010

    • 著者名/発表者名
      福島俊之, 高宮健吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2010

    • 著者名/発表者名
      新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2010

    • 著者名/発表者名
      新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] RF-MBE法によるYSZ(001)基板上立方晶InN及びInGaNの結晶成長2010

    • 著者名/発表者名
      中村桂土, 角田雅弘, 石田崇, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学 (神奈川)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] RF-MBE法によるYSZ(001)基板上立方晶InN及びInGaNの結晶成長2010

    • 著者名/発表者名
      中村桂土、角田雅弘、石田崇、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
    • 学会等名
      2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究2010

    • 著者名/発表者名
      星野真也, 遠藤雄太, 福島俊之, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] 極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性2010

    • 著者名/発表者名
      石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 岡野真人, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] Photoluminescence from single is oelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2009

    • 著者名/発表者名
      T. Fukushima, M. Ito, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      神戸国際会議場 (兵庫県)
    • 年月日
      2009-07-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] MOVPE growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2009

    • 著者名/発表者名
      Q.T.Thieu, T.Nakagawa, Y.Seki, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      Biwako, Japan
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光2009

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山県・富山大学
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] MOVPE Growth of High Optical Quality InGaPN Layers on GaAs(001)Substrates2009

    • 著者名/発表者名
      D.Kaewket, S.Sanorpim, S.Tungasmita, R.Katayama, K.Onabe
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)2009

    • 著者名/発表者名
      福島俊之, 高宮健吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山県・富山大学
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-dopedGaAs grown on GaAs(111)A2009

    • 著者名/発表者名
      福島俊之, M.Ito, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, S.Kuboys, 片山竜二, 尾鍋研太郎
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      兵庫県・神戸国際会議場
    • 年月日
      2009-07-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] InP(001)基板上へのInPN薄膜のMOVPE成長2009

    • 著者名/発表者名
      関裕紀, 窪谷茂幸, ティユクァントゥ, 片山竜二, 矢口裕之, 尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学 (茨城)
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] MOVPE growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2009

    • 著者名/発表者名
      ティユクァントウ、中川隆、関裕紀、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
    • 発表場所
      Biwako, Japan
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016003
  • [学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定2009

    • 著者名/発表者名
      石川輝, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] Movpe Growth and Optical Characterization of InGaAsN T-shaped Quantum Wires Lattice-Matched to GaAs2009

    • 著者名/発表者名
      P.Klangtakail, S.Sanorpim, R.Katayama, K.Onabe
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長(3)2009

    • 著者名/発表者名
      ティユクァントウ、中川隆、関裕紀、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定2009

    • 著者名/発表者名
      石川輝, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山県・富山大学
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360004
  • [学会発表] MOVPE growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2009

    • 著者名/発表者名
      ティユクァントウ、中川隆、関裕紀、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-20
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016003
  • [学会発表] MOVPE growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2009

    • 著者名/発表者名
      Q.T.Thieu, T.Nakagawa, Y.Seki, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] Movpe Growth and Optical Characterization of InGaAsN T-shaped Quantum Wires Lattice-Matched to GaAs2009

    • 著者名/発表者名
      P. Klangtakai, S. Sanorpim, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea.
    • 年月日
      2009-10-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] InP(001)板上へのInPN薄膜のMOVPE成長2009

    • 著者名/発表者名
      関裕紀,窪谷茂幸,ティユクァントゥ,片山竜二,矢口裕之,尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長 (3)2009

    • 著者名/発表者名
      テイユクァントウ, 中川隆, 関裕紀, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学 (富山)
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] MOVPE growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2009

    • 著者名/発表者名
      Q. T. Thieu, T. Nakagawa, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea.
    • 年月日
      2009-10-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] MOVPE Growth of InN Films Using 1,1-dimethylhydrazine as a Nitrogen Precursor(Invited)2009

    • 著者名/発表者名
      ティユクァントウ、中川隆、関裕紀、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS2009)
    • 発表場所
      Zhang Jia Jie, Hunan, China
    • 年月日
      2009-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016003
  • [学会発表] MOVPE Growth of High Optical Quality InGaPN Layers on GaAs (001) Substrates2009

    • 著者名/発表者名
      D. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea.
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] MOVPE growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2009

    • 著者名/発表者名
      Q. T. Thieu, T. Nakagawa, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium (EMS28)
    • 発表場所
      Biwako, Japan.
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長(3)2009

    • 著者名/発表者名
      ティユクァントウ、中川隆、関裕紀、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-21016003
  • [学会発表] ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長(2)2008

    • 著者名/発表者名
      ティュクァントウ、関裕紀、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部工業大学
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032002
  • [学会発表] InAsN薄膜の光学的特性2008

    • 著者名/発表者名
      窪谷茂幸,黒田正行,西尾晋,ティユクァントゥ,片山竜二,尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部工業大学
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究2008

    • 著者名/発表者名
      谷岡健太郎, 堀口歩, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学 (千葉)
    • 年月日
      2008-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] MOVPE growth properties of high quality InAsN films2008

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, Q. T. Thieu, H. Kato, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      14th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV)
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] MOVPE growth of InN films avoiding parasitic reactions of precursors, trimethylindium and 1, 1-dimethylhydrazine2008

    • 著者名/発表者名
      Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
    • 学会等名
      International Workshop on Nitiride Semiconductors (IWN 2008)
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • 年月日
      2008-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032002
  • [学会発表] MOVPE growth of InN films using 1,1-dimethylhydrazine as the nitrogen source2008

    • 著者名/発表者名
      Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
    • 学会等名
      14th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV)
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032002
  • [学会発表] MOVPE growth of InN films using 1,1-dimethylhydrazine as a nitrogen precursor2008

    • 著者名/発表者名
      Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
    • 学会等名
      Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      修善寺(静岡)
    • 年月日
      2008-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032002
  • [学会発表] MOVPE Growth of InN films Using 1, 1-Dimethylhydrazine as a Nitrogen Precursor2008

    • 著者名/発表者名
      Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
    • 学会等名
      2nd International Symposium on Growth of HI-Nitride (ISGN-2)
    • 発表場所
      Shuzenji, Japan
    • 年月日
      2008-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032002
  • [学会発表] GaAsN及びInAsN薄膜の水素・窒素混合キャリアガスを用いたMOVPE成長2008

    • 著者名/発表者名
      窪谷茂幸, 加藤宏盟, ティユクァントゥ, 片山竜二, 尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学 (千葉)
    • 年月日
      2008-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] MOVPE growth of GaAsN and InAsN films by using N_2 carrier gas2008

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, H. Kato, Q. T. Thieu, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
    • 発表場所
      修善寺(静岡)
    • 年月日
      2008-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] MOVPE growth properties of high quahty InAsN films2008

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, Q. T. Thieu, H. Kato, F. Nakajhna, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE・XIV)
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究2008

    • 著者名/発表者名
      谷岡健太郎, 堀口歩, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
    • 学会等名
      2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学(千葉)
    • 年月日
      2008-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] Composition pulling effect in MOVPE growth of InGaAsN films on bulk InGaAs substrate2008

    • 著者名/発表者名
      S. Sanorpim, R. Katayama, S. Kuboya, K. Onabe
    • 学会等名
      14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE・XIV)
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] InAsN薄膜の光学的特性2008

    • 著者名/発表者名
      窪谷茂幸, 黒田正行, 西尾晋, ティユクァントゥ, 片山竜二, 尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部工業大学 (愛知)
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] MOVPE growth of GaAsN and InAsN films by using N2 carrier gas2008

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, H. Kato, Q. T. Thieu, R. Katayama and K. Onabe
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium (EMS28)
    • 発表場所
      Shuzenji, Japan
    • 年月日
      2008-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] MOVPE growth of InN films using TMIn and DMHy as the precursors2008

    • 著者名/発表者名
      Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
    • 学会等名
      27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
    • 発表場所
      修善寺(静岡)
    • 年月日
      2008-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032002
  • [学会発表] MOVPE growth of InN films using 1, 1-dimethylhydrazine as the nitrogen source2008

    • 著者名/発表者名
      Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
    • 学会等名
      14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV)
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032002
  • [学会発表] Compositional pulling effect in MOVPE growth of InGaAsN films on bulk InGaAs substrate2008

    • 著者名/発表者名
      S. Sanorpim, R. Katayama, S. Kuboya, K. Onabe
    • 学会等名
      14th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV)
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] InAsN quantum dots grown by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, Q. T. Thieu, S. Takahashi, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      Workshop on Frontier Optoelectronic Materials and Devices
    • 発表場所
      箱根(神奈川)
    • 年月日
      2008-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] MOVPE growth of InN films using TMIn and DMHy as the precursors2008

    • 著者名/発表者名
      Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
    • 学会等名
      28th Electronic Materials Symposium (EMS28)
    • 発表場所
      Shuzenji, Japan
    • 年月日
      2008-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032002
  • [学会発表] ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長2008

    • 著者名/発表者名
      ティユ クァン トウ、関 裕紀、窪谷 茂幸、片山 竜二、尾鍋 研太郎
    • 学会等名
      2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学(千葉)
    • 年月日
      2008-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19032002
  • [学会発表] MOVPE growth properties of high quality InAsN films2008

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, Q. T. Thieu, H. Kato, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      14th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV)
    • 発表場所
      Metz, France.
    • 年月日
      2008-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] 光照射によるGaInAsN混晶の発光効率向上に関する研究2007

    • 著者名/発表者名
      谷岡健太郎, 遠藤雄太, 伊藤正俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
    • 学会等名
      2007年秋季第68回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学 (北海道)
    • 年月日
      2007-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN quantum dots2007

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, S. Takahashi, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • 年月日
      2007-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] Photoluminescence properties of InAsN QDs grown by MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, Q. T. Thieu, S. Takahashi, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
    • 発表場所
      琵琶湖(滋賀)
    • 年月日
      2007-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] Photoluminescence properties of InAsN QDs grown by MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, Q. T. Thieu, S. Takahashi, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
    • 発表場所
      琵琶湖 (滋賀)
    • 年月日
      2007-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN quantum dots2007

    • 著者名/発表者名
      S. Kuboya, S. Takahashi, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA.
    • 年月日
      2007-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] 光照射によるGaInAsN混晶の発光効率向上に関する研究2007

    • 著者名/発表者名
      谷岡健太郎, 遠藤雄太, 伊藤正俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
    • 学会等名
      2007年秋季 第68回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道)
    • 年月日
      2007-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360003
  • [学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定

    • 著者名/発表者名
      高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • [学会発表] RF-MBE Growth of cubic AlN on MgO(001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
    • 発表場所
      Nara, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [学会発表] 横型擬似位相整合AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生素子の設計

    • 著者名/発表者名
      三谷悠貴, 片山竜二, 劉陳燁, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第7回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東北大学片平さくらホール(宮城県仙台市)
    • 年月日
      2015-05-07 – 2015-05-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] Growth of cubic AlN films on MgO substrate via 2-step cubic GaN buffer layer by RF-MBE

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      31th Electronic Materials Symposium (EMS-31)
    • 発表場所
      Izu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [学会発表] Accurate Determination of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by Spectroscopic m-line Technique

    • 著者名/発表者名
      R. Katayama, N. Yoshinogawa, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
    • 発表場所
      Wrocław Congress Center, Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] RF-MBE法による立方晶AlNの結晶成長

    • 著者名/発表者名
      角田雅弘、森川生、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第4回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京大学(東京都目黒区)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [学会発表] Polarity control of MOVPE-grown GaN on AlN/GaN templates

    • 著者名/発表者名
      J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第7回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東北大学片平さくらホール(宮城県仙台市)
    • 年月日
      2015-05-07 – 2015-05-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] 立方晶AlNおよび高Al濃度立方晶AlGaNのRF-MBE成長

    • 著者名/発表者名
      角田雅弘、森川生、窪谷茂幸、片山竜二、矢口裕之、尾鍋研太郎
    • 学会等名
      2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(厚木市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [学会発表] MOVPE Growth of GaN onto PLD-Grown AlN Interlayer on GaN Templates

    • 著者名/発表者名
      J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA ’15)
    • 発表場所
      Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2015-04-22 – 2015-04-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] Design of the Transverse Quasi-Phase Matched AlN Waveguides for Deep-UV Second Harmonic Generation

    • 著者名/発表者名
      Y. Mitani, R. Katayama, J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
    • 学会等名
      The 34th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      La-Foret Biwako, Shiga, Japan
    • 年月日
      2015-07-15 – 2015-07-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] Investigation of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by m-line Spectroscopy

    • 著者名/発表者名
      N. Yoshinogawa, R. Katayama, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
    • 学会等名
      The 33rd Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      La-Foret Shuzenji, Shizuoka, Japan
    • 年月日
      2014-07-09 – 2014-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600082
  • [学会発表] Growth of Cubic AlN Films on MgO substrates by MBE

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe
    • 学会等名
      GCOE International Sympsium on Physical Sciences Frontier
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360005
  • [学会発表] Excitation power dependence of the emission from various N-N pairs in N δ-doped GaAs

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 発表場所
      UCLAコンファレンス・センター(アメリカ合衆国)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360004
  • 1.  尾鍋 研太郎 (50204227)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 110件
  • 2.  矢口 裕之 (50239737)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 44件
  • 3.  上向井 正裕 (80362672)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 140件
  • 4.  窪谷 茂幸 (70583615)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 60件
  • 5.  谷川 智之 (90633537)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 29件
  • 6.  土方 泰斗 (70322021)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 32件
  • 7.  八木 修平 (30421415)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 22件
  • 8.  秋山 英文 (40251491)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 28件
  • 9.  黄 晋二 (50323663)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  白木 靖寛 (00206286)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  呉 軍 (80313005)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  山本 剛久 (20220478)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 13.  横山 弘之 (60344727)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  宇佐美 徳隆 (20262107)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  岩谷 素顕 (40367735)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 16.  宮嶋 孝夫 (50734836)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  川原村 敏幸 (00512021)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  サクンタム サノーピン
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  寒川 誠二
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 20.  村山 明宏
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 21.  三宅 秀人
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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