鏡谷勇二 KAGAMITANI Yuji

研究者番号	40396536
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2008年度: 東北大学, 多元物質科学研究所, 寄附研究部門教員 2007年度: 東北大学, 多元物質科学研究所, 教育研究支援者
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者窒化物半導体 / 高性能レーザー / 省エネルギー / 環境材料 / 結晶工学 / 結晶成長

安熱合成法によるGaNバルク単結晶作製における成長モードの解明とその制御研究代表者
- 研究代表者
  
  鏡谷勇二, EHRENTRAUT DIRK
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学

すべて 2009 2008 2007 2006 その他

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] アモノサーマル法(安熱合成法)によるGaN単結晶作製2009
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 出版者
  シーエムシー出版(In press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[図書] アモノサーマル法(安熱合成法)によるGaN単結晶作製
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二, 福田承生
- 出版者
  シーエムシー出版(In press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[雑誌論文] Ammonothermal synthesis of thick gallium nitride film employing acidic mineralizers2008
- 著者名/発表者名
  D. Ehrentraut, K. Kagamitani, A. Yoshikawa, N. oshino, H. Itoh, S. Kawabata, K. Fujii, T. Yao,and T. Fukuda
- 雑誌名
  
  J.Mater.Sci. 43
  
  ページ: 2270-2275
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[雑誌論文] Physico-chemical features of the acidic ammonothermal growth of GaN2008
- 著者名/発表者名
  D. Ehrentraut, K. Kagamitani, C. Yokoyama, T. Fukuda
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 310
  
  ページ: 891-895
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[雑誌論文] Temperature effect of ammonium halogenides as mineralizers onphase stability of gallium nitride synthesized under acidic ammonothermal conditions2007
- 著者名/発表者名
  D. Ehrentraut, N. Hoshino, Y. Kagamitani, A. oshikawa, T.Fukuda, H. Itoh and S. Kawabata
- 雑誌名
  
  J.Mater.Chem. 17(9),886-893
  
  ページ: 51-58
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[雑誌論文] Ammonothermal epitaxy of thick GaN film using NH_4Cl mineralizer2006
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani, D. Ehrentraut, A. Yoshikawa, N. Hoshino, T. Fukuda, S. Kawabata and K. Inaba
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys Part 1 45(5A)
  
  ページ: 4018-4020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] アクティブアモノサーマル法によるGaNバルク結晶作製2009
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  日本学術振興会第161・162委員会合同研究会「デバイスに求められるワイドギャップ半導体のバルク・エビ成長技術」
- 発表場所
  鳥羽(日本)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] アモノサーマル法における炉内温度差が原料搬送に及ぼす影響2009
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  茨城県つくば市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] アクティブアモノサーマル法によるGaN単結晶作製2009
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  東北大学多元物質科学研究所窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2009-10-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] アモノサーマル法における炉内温度差が原料搬送に及ぼす影響2009
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  第54回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  つくば(日本)
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] アクティブアモノサーマル法によるGaNバルク結晶作製2009
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  日本学術振興会第161・162委員会合同研究会「デバイスに求められるワイドギャップ半導体のバルク・エピ成長技術」
- 発表場所
  三重県鳥羽市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] Growth of GaN nonpolar-planes by the Ammonothermal Method with Acidic Mineralizer2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 発表場所
  仙台(日本)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] High quality GaN growth by the ammonothermal method with acidic mineralizer2008
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  応用物理学会2008春季学術講演会
- 発表場所
  千葉
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] Ammonothermal Growth of GaN on Non-polr Plane under Acidic Conditions2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  Second Internati onal Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Izu,Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] 酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法による高品質GaN結晶育成2008
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会2008年・年末講演会,宝石から学ぶ結晶工学と若手ポスター発表会
- 発表場所
  東京目白
- 年月日
  2008-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] 安熱合成法による高品質GaN結晶作製(2)2008
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合後援会(2008年春季)
- 発表場所
  千葉(日本)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] 安熱合成法によるGaN結晶へのドーピング結晶中の不純物制御2008
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県春日井
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] Ammonothermal Growth of GaN on Non-polar Plane under Acidic Conditions2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  伊豆(日本)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] 安熱合成法によるGaN結晶へのドーピング結晶中の不純物制御2008
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  春日井(日本)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] アクティブアモノサーマル法によるGaN単結晶作製2008
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  東北大学多元物質科学研究所窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
- 発表場所
  仙台(日本)
- 年月日
  2008-10-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] Ammonothermal growth of thick GaN films2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  Poland-Japan-Germany Workshop
- 発表場所
  ザコパネ(ポーランド)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] GaN growth by the ammonothermal method with acidic mineralizer2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  第2回日本フラックス成長研究発表会
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] 酸性鉱化剤を用いた安熱合成法による高品質GaN単結晶作製2007
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  日本結晶成長学会講演会・日本学術振興会161委員会第54回研究会
- 発表場所
  東京(日本)
- 年月日
  2007-04-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] GaN grown by ammonothermal method2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  応用物理学会2007秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] 酸性鉱化剤を用いた安熱合成法によるGaNのa面及びm面成長2007
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  第54回応用物理学関係連合講演会(春季)
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] GaN growth on a-and m-plane by the ammonothermal method with acidic mineralizer2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  ISCS 2007
- 発表場所
  京都(日本)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] Growth of thick GaN by ammonothermal method using acidic mineralizer2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  2007 International Conference on Crystal Technology and KACG Spring Meeting & 2^<nd> International Symposium for Nano and Advanced Materials
- 発表場所
  Naju,KOREA
- 年月日
  2007-06-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] Ammonothermal Growth of GaN on Polar and Nonpolar Seeds2007
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  第7回東北大学多元物質科学研究所研究発表会
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2007-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] GaN growth on a- and m-plane by the ammonothermal methwith acidic mineralizer2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  ISCS 2007
- 発表場所
  Kyoto,JAPAN
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] Effect of temperature and mineralizer on phase stability of gallium nitride prepared under acidic ammonothermal conditions2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  ソルトレイクシティ(米国)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] Ammonothermal growth of thick GaN films2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  Poland-Japan-Germany Workshop
- 発表場所
  Zakopane,POLAND
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] 安熱合成法による高品質GaN結晶作製2007
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会(2007年秋季)
- 発表場所
  札幌(日本)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] Effect of temperature and mineralizer on phase stability of gallium nitride prepared under acidic ammonothermal conditions2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  The 15^<th> International Conference on Crystal Growth, session Wide Band Gap Bulk & Epitaxial Growth
- 発表場所
  Salt Lake City,Utah,USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] 酸性鉱化剤を用いた安熱合成法によるGaN結晶作製2007
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  第2回日本フラックス成長研究発表会
- 発表場所
  仙台(日本)
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] 酸性鉱化剤を用いた安熱合成法による高品質GaN単結晶作製2007
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二
- 学会等名
  日本結晶成長学会特別講演会・日本学術振興会161委員会第54回研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-04-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] Approach for high quality bulk GaN growth by the ammonothermal method2006
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  6^<th> Meeting of Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials
- 発表場所
  Sendai, JAPAN
- 年月日
  2006-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] Ammonothermal Epit axy of Thick GaN Film Using NH_4Cl Mineralizer2006
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  6^<th> Meeting of Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials
- 発表場所
  Sendai,JAPAN
- 年月日
  2006-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004
[学会発表] Ammonothermal Homoepitaxy of Thick Gallium Nitride Films2006
- 著者名/発表者名
  Y. Kagamitani
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2006(IWN2006)
- 発表場所
  Kyoto,JAPAN
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360004

1. EHRENTRAUT DIRK (50396537)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
2. 福田承生 (30199236)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 5件
3. 吉川彰 (50292264)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
4. 荻野拓 (70359545)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件

鏡谷 勇二 KAGAMITANI Yuji

研究課題

研究成果

共同研究者

安熱合成法によるGaNバルク単結晶作製における成長モードの解明とその制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] アモノサーマル法(安熱合成法)によるGaN単結晶作製2009

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] アモノサーマル法(安熱合成法)によるGaN単結晶作製

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] Ammonothermal synthesis of thick gallium nitride film employing acidic mineralizers2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Physico-chemical features of the acidic ammonothermal growth of GaN2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Temperature effect of ammonium halogenides as mineralizers onphase stability of gallium nitride synthesized under acidic ammonothermal conditions2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Ammonothermal epitaxy of thick GaN film using NH_4Cl mineralizer2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] アクティブアモノサーマル法によるGaNバルク結晶作製2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] アモノサーマル法における炉内温度差が原料搬送に及ぼす影響2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] アクティブアモノサーマル法によるGaN単結晶作製2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] アモノサーマル法における炉内温度差が原料搬送に及ぼす影響2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] アクティブアモノサーマル法によるGaNバルク結晶作製2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Growth of GaN nonpolar-planes by the Ammonothermal Method with Acidic Mineralizer2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] High quality GaN growth by the ammonothermal method with acidic mineralizer2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Ammonothermal Growth of GaN on Non-polr Plane under Acidic Conditions2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] 酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法による高品質GaN結晶育成2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

鏡谷勇二 KAGAMITANI Yuji