岩田直高 IWATA Naotaka

研究者番号	40708939
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 特任教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2023年度: 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電子デバイス・電子機器研究代表者以外電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者スーパー接合 / GaN / 環境発電 / 高電子移動度トランジスタ / ゲーテッドアノードダイオード / 整流用ダイオード / 高耐圧 / 低オン電圧 / 環境発電(エナジーハーベスティング) / GaN(窒化ガリウム) … もっと見る / レーザー照射 / アクセプタ / パワーデバイス / ArFエキシマレーザー / 活性化 / Siドナー / Mgアクセプタ / 有機金属気層成長法 / 保護膜 / オーミック電極 / 先端機能デバイス / エピタキシャル / デバイス / 格子欠陥 / トランジスタ / ダイオード / センサー / 深紫外 / 結晶欠陥 / 結晶成長 / 窒化物半導体 … もっと見る研究代表者以外 Si基板 / 縦型FET / パワーFET / AlGaN / ビアホール / Si基板上縦型FET / Si基板上エピ反り低減法 / Si基板上FET / ｐ－化 / レーザー / ＭＯＣＶＤ / ＡｌＮバッファ / Ｓｉ基板 / 縦型電子デバイス / 導電性ＡｌＮバッファー層 / 縦型ＦＥＴ / ＡｌＧａＮ / Si基板上縦型デバイス / レーザーによるオーミックコンタクト形成 / 自然形成ビアホール / 縦型AlGaNショットキーデバイス / オーミックコンタクト / レーザによるｐ型化 / 導電性AlNバッファーレイヤー / AlGaN縦型 / 縦型パワーFET 隠す

環境発電向けの0Vオン電圧と高耐圧を兼ね備えた高効率GaN整流用ダイオードの創製研究代表者
- 研究代表者
  
  岩田直高
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  豊田工業大学
レーザー照射で作製する省エネ電源用GaNスーパー接合パワーデバイス技術の確立研究代表者
- 研究代表者
  
  岩田直高
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2021
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  豊田工業大学
自然形成ビアホールを用いたSi基板上縦型AlGaNパワーFETの開発
- 研究代表者
  
  黒瀬範子
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  立命館大学
Si基板上モノリシックAlGaN深紫外センシングシステムの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  岩田直高
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊田工業大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] ArF excimer laser activation of Mg-doped GaN small area mesa device2024
- 著者名/発表者名
  M.E. Villamin, R.C. Roca, I. Kamiya & N. Iwata
- 雑誌名
  
  Proc. SPIE 12886, Gallium Nitride Materials and Devices XIX
  
  巻: 128860 ページ: 63-63
- DOI
  10.1117/12.3002082
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K20438, KAKENHI-PROJECT-22K04227
[雑誌論文] Breakdown voltage enhancement of p-GaN/AlGaN/GaN diode by controlling Mg acceptors for compensating residual Si donors2022
- 著者名/発表者名
  Kawata Soichiro、Zhang Yuwei、Iwata Naotaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SA ページ: SA1004-SA1004
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac7630
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04227
[雑誌論文] Low turn-on voltage rectifier using p-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor for energy harvesting applications2021
- 著者名/発表者名
  Yuwei Zhang, Soichiro Kawata, and Naotaka Iwata
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SA ページ: SA1013-SA1013
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac1b74
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[雑誌論文] High-selectivity dry etching for p-type GaN gate formation of normally-off operation high-electron-mobility transistor2020
- 著者名/発表者名
  Iwata Naotaka、Kondo Takaaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SA ページ: SAAD01-SAAD01
- DOI
  10.35848/1347-4065/abb759
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[雑誌論文] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices2018
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose, Kota Matsumoto, Fumihiko Yamada, Teuku Muhammad Roffi, Itaru Kamiya, Naotaka Iwata, and Yoshinobu Aoyagi
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 8 号: 1 ページ: 015329-015329
- DOI
  10.1063/1.5009970
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[雑誌論文] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices2018
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose, Kota Matsumoto, Fumihiko Yamada, Teuku Muhammad Roffi, Itaru Kamiya, Naotaka Iwata, and Yoshinobu Aoyagi
- 雑誌名
  
  AIP ADVANCES
  
  巻: ８
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04357
[雑誌論文] InGaAs Triangular Barrier Photodiodes for High-Responsivity Detection of Near-Infrared Light2016
- 著者名/発表者名
  Kazuya Sugimura, Masato Ohmor, Takeshi Noda, Tomoya Kojima, Sakunari Kado, Pavel Vitushinskiy, Naotaka Iwata, and Hiroyuki Sakaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 6 ページ: 062101-062101
- DOI
  10.7567/apex.9.062101
- NAID
  210000137928
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998, KAKENHI-PROJECT-26289095
[学会発表] ArF excimer laser activation of Mg-doped GaN small area mesa device2024
- 著者名/発表者名
  Maria Emma Castil Villamin and Naotaka Iwata
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04227
[学会発表] Annealing in oxygen ambient of In-based contact for Mg-doped p-GaN2024
- 著者名/発表者名
  Maria Emma Castil Villamin and Naotaka Iwata
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04227
[学会発表] エネルギーハーベスティングからワイヤレス電力伝送に適用できるGaNヘテロ構造整流ダイオードの研究開発（ポスター発表）2023
- 著者名/発表者名
  岩田直高
- 学会等名
  早稲田大学アンビエントロニクス研究所 × ワイヤレス電力伝送実用化コンソーシアム × エネルギーハーベスティングコンソーシアムジョイントシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04227
[学会発表] Formation of In/Au low-temperature contact for vertical superjunction GaN devices with laser-activated p-GaN region2023
- 著者名/発表者名
  Maria Emma Castil Villamin and Naotaka Iwata
- 学会等名
  International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04227
[学会発表] GaN heterojunction rectifier diode with low turn-on voltage and high breakdown voltage for energy harvesting2023
- 著者名/発表者名
  Naotaka Iwata, Kouki Hino, and Maria Emma Castil Villamin
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04227
[学会発表] Annealing temperature dependence of In/Au electrode performance on p-GaN2023
- 著者名/発表者名
  Maria Emma Castil Villamin and Naotaka Iwata
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04227
[学会発表] N2/O2雰囲気アニールによるAu/Ni/p-GaNオーム性接触の低抵抗化2023
- 著者名/発表者名
  岩田直高, 三明純奈, Maria Emma Castil Villamin
- 学会等名
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04227
[学会発表] エネルギーハーベスティングからワイヤレス電力伝送に適用できるGaNヘテロ構造整流ダイオードの研究開発2023
- 著者名/発表者名
  岩田直高
- 学会等名
  早稲田大学アンビエントロニクス研究所 × ワイヤレス電力伝送実用化コンソーシアム × エネルギーハーベスティングコンソーシアムジョイントシンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04227
[学会発表] 低オン電圧高電流特性を示す環境発電用GaNヘテロ接合整流ダイオード2023
- 著者名/発表者名
  日野晃貴、マリアエマヴィリアミン、岩田直高
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04227
[学会発表] Conduction change of Mg and Si co-doped GaN layer by ArF laser irradiation2022
- 著者名/発表者名
  Ryuji Kamiya, Yukari Yonetani, Yuwei Zhang, Itaru Kamiya, Noriko Kurose, Yoshinobu Aoyagi, and Naotaka Iwata
- 学会等名
  the 14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[学会発表] High breakdown voltage of p-GaN/AlGaN/GaN diode with controlled Mg acceptor charge2022
- 著者名/発表者名
  Soichiro Kawata, Satoshi Fukutani, Yuwei Zhang, and Naotaka Iwata
- 学会等名
  the 14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[学会発表] Two-step mesa p-GaN gated anode diode for low-power rectification applications2021
- 著者名/発表者名
  Yuwei Zhang and Naotaka Iwata
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[学会発表] MgドープGaN層の厚さを変えて電荷濃度を制御したp型GaN/AlGaN/GaNダイオードの耐圧特性2021
- 著者名/発表者名
  川田宗一郎, ジャンユーウェイ, 岩田直高
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[学会発表] Controlled activation of Mg dopant by laser irradiation for p-GaN formation2021
- 著者名/発表者名
  Ryuji Kamiya, Takahito Ichinose, Yuwei Zhang, Noriko Kurose, Itaru Kamiya, Yoshinobu Aoyagi, and Naotaka Iwata
- 学会等名
  The 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[学会発表] P-GaN gated AlGaN/GaN diode for rectification applications2021
- 著者名/発表者名
  Soichiro Kawata, Hinano Kondo, Yuwei Zhang, and Naotaka Iwata
- 学会等名
  The 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[学会発表] Low turn-on voltage rectifier using p-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor for energy harvesting applications2021
- 著者名/発表者名
  Yuwei Zhang, Soichiro Kawata, and Naotaka Iwata
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[学会発表] P-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor with nearly-zero threshold voltage for power rectification applications2021
- 著者名/発表者名
  Yuwei Zhang and Naotaka Iwata
- 学会等名
  The 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[学会発表] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN and AlGaN for high power vertical devices2019
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose, Naotaka Iwata, and Itaru Kamiya
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[学会発表] p型GaN上に形成したAu/Ni電極の熱処理による低接触抵抗化2019
- 著者名/発表者名
  畔柳壮、近藤孝明、安野聡、小金澤智之、岩田直高
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[学会発表] Formation of ohmic contact to p-type GaN by heat treatment of Au/Ni electrode2019
- 著者名/発表者名
  So Kuroyanagi, Satoshi Yasuno, Takaaki Kondo, Tomoyuki Koganezawa, Naotaka Iwata
- 学会等名
  12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[学会発表] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN and AlGaN for high power vertical devices2019
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose, Naotaka Iwata, and Itaru Kamiya
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] 様々なp型GaNゲート構造をドライエッチングで形成したAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性2019
- 著者名/発表者名
  近藤孝明、赤澤良彦、岩田直高
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] Effects of p-GaN gate structures and their fabrication process on performances of normally-off AlGaN/GaN HEMTs2019
- 著者名/発表者名
  Takaaki Kondo, Yoshihiko Akazawa, and Naotaka Iwata
- 学会等名
  11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] Characterization of Au/Ni ohmic contact on p-GaN using hard X-ray photoelectron spectroscopy and 2D-X-ray diffraction2019
- 著者名/発表者名
  Satoshi Yasuno, Tomoyuki Koganezawa, So Kuroyanagi, Naotaka Iwata
- 学会等名
  Materials Research Meeting 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[学会発表] Au/Ni/p-GaNオーミックコンタクトの熱処理温度依存性とバンドアライメント評価2019
- 著者名/発表者名
  安野聡、畔柳壮、小金澤智之、岩田直高
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会　第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K18866
[学会発表] p型GaNゲートを用いたノーマリオフ動作AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ2018
- 著者名/発表者名
  赤澤良彦、近藤孝明、吉川慎也、岩田直高、榊裕之
- 学会等名
  第65回春季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] Effect of inductively coupled plasma reactive ion etching on performances of p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs2018
- 著者名/発表者名
  Yoshihiko Akazawa, Takaaki Kondo, and Naotaka Iwata
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] 選択ドライエッチングがp型GaNゲートAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性へ及ぼす影響2018
- 著者名/発表者名
  近藤孝明、赤澤良彦、岩田直高
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] レーザを用いた局所p-GaNオーミック電極形成法の開発2018
- 著者名/発表者名
  川﨑輝尚、黒瀬範子、松本晃太、岩田直高、青柳克信
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会2018 シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04357
[学会発表] 放射光XRD・HAXPESによるAl/Ti/AlGaNの界面反応層の結晶構造及び化学結合状態評価2017
- 著者名/発表者名
  安野聡、小金澤智之、鈴木貴之、岩田直高
- 学会等名
  第78回秋季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] MgドープGaNのレーザー誘起による活性化とその局所制御2017
- 著者名/発表者名
  松本滉太，黒瀬範子，岩田直高，山田郁彦，神谷格，青柳克信
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04357
[学会発表] MgドープGaNのレーザー誘起による活性化とその局所制御2017
- 著者名/発表者名
  松本滉大、黒瀬範子、下野貴史、岩田直高、山田郁彦、神谷格、青柳克信
- 学会等名
  第78回秋季応用物理学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] MgドープGaNへのレーザー照射による局所活性化と結晶性のその場観測2017
- 著者名/発表者名
  松本滉太、黒瀬範子、山田郁彦、神谷格、青柳克信、岩田直高
- 学会等名
  IEEE Metro Area Workshop in Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] HCl表面処理とプラズマ励起原子層堆積 SiNx膜による AlGaN/GaN HEMTの表面安定化2017
- 著者名/発表者名
  鈴木貴之、土屋晃祐、大保崇博、赤澤良彦、下野貴史、松本滉太、江口卓也、岩田直高
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜 (神奈川県横浜市)
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] SiNx Passivated GaN HEMT by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition2016
- 著者名/発表者名
  Takayuki Suzuk, Tomiaki Yamada, Ryosuke Kawai, Shohei Kawaguchi, Dongyan Zhang, and Naotaka Iwata
- 学会等名
  The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
- 発表場所
  Toyama International Conference Center (富山県富山市)
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] Realization of Conductive AlN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET2016
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose, Kota Ozeki, Tsutomu Araki, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya, and Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  the 43rd International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Toyama International Conference Center(Toyama, Toyama),Japan
- 年月日
  2016-06-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04357
[学会発表] プラズマ励起原子層堆積プラズマ励起原子層堆積保護膜によるAlGaN/GaN HEMTの表面安定化2016
- 著者名/発表者名
  鈴木貴之、山田富明、河合亮輔、川口翔平、張東岩、岩田直高
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ (新潟県新潟市)
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998
[学会発表] Realization of Conductive AlN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET2016
- 著者名/発表者名
  Noriko Kurose, Kota Ozeki, Tsutomu Araki, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya, and Yoshinobu Aoyagi
- 学会等名
  The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
- 発表場所
  Toyama International Conference Center (富山県富山市)
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998

1. 神谷格 (10374018)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 13件
2. 荒木努 (20312126)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
3. 黒瀬範子 (50520540)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件
4. 青柳克信 (70087469)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 8件
5. VILLAMIN MARIAEMMA

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

岩田 直高 IWATA Naotaka

研究課題

研究成果

共同研究者

環境発電向けの0Vオン電圧と高耐圧を兼ね備えた高効率GaN整流用ダイオードの創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

レーザー照射で作製する省エネ電源用GaNスーパー接合パワーデバイス技術の確立研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

自然形成ビアホールを用いたSi基板上縦型AlGaNパワーFETの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Si基板上モノリシックAlGaN深紫外センシングシステムの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] ArF excimer laser activation of Mg-doped GaN small area mesa device2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Breakdown voltage enhancement of p-GaN/AlGaN/GaN diode by controlling Mg acceptors for compensating residual Si donors2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Low turn-on voltage rectifier using p-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor for energy harvesting applications2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] High-selectivity dry etching for p-type GaN gate formation of normally-off operation high-electron-mobility transistor2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices2018

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] InGaAs Triangular Barrier Photodiodes for High-Responsivity Detection of Near-Infrared Light2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[学会発表] ArF excimer laser activation of Mg-doped GaN small area mesa device2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Annealing in oxygen ambient of In-based contact for Mg-doped p-GaN2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] エネルギーハーベスティングからワイヤレス電力伝送に適用できるGaNヘテロ構造整流ダイオードの研究開発（ポスター発表）2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Formation of In/Au low-temperature contact for vertical superjunction GaN devices with laser-activated p-GaN region2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] GaN heterojunction rectifier diode with low turn-on voltage and high breakdown voltage for energy harvesting2023

岩田直高 IWATA Naotaka