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小林 正治  Kobayashi Masaharu

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40740147
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授
2025年度: 東京大学, 生産技術研究所, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2024年度: 東京大学, 生産技術研究所, 准教授
2018年度 – 2024年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授
2016年度 – 2019年度: 東京大学, 生産技術研究所, 准教授
審査区分/研究分野
研究代表者
中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・電子機器
研究代表者以外
中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連 / 中区分61:人間情報学およびその関連分野 / 小区分90120:生体材料学関連 / 電子デバイス・電子機器
キーワード
研究代表者
トランジスタ / 強誘電体 / 酸化物半導体 / メモリ / HfO2 / 酸化ハフニウム / 不揮発性メモリ / 低消費電力 / 集積デバイス / 原子層堆積法 … もっと見る / メモリデバイス / 三次元集積 / 強誘電体HfO2 / 強誘電性 / IoT / 負性容量 / 負性容量トランジスタ … もっと見る
研究代表者以外
量子コンピュータ / 極低温制御回路 / 極低温回路 / 量子情報 / シリコン / 量子ドット / プローブ顕微鏡 / 強誘電体 / ニューロモルフィック回路 / シリコン神経ネットワーク / 不揮発性メモリデバイス / 超低消費電力アナログ回路 / 神経模倣情報処理 / 神経模倣回路 / 超低電力アナログ回路 / 教師なし学習 / 低電力アナログ集積回路 / 神経模倣システム / ニューロモルフィックハードウェア / オプトロード / スパイク計測 / ナノインク / Bluetooth Low Energy / ChR2発現ラット / 局所フィールド電位(LFP) / 脳皮質電位(ECoG) / 高分子ナノ薄膜 / 神経伝達物質 / 神経電位 / 高分子ナノシート / セロトニン / ノルエピネフリン / 電解重合 / ポリイミド / ドーパミン / ポリピロール / 分子インプリント / 無線計測 / オプトジェネティクス / 神経電極 / インクジェット印刷 / 高分子薄膜 / 規模集積回路 / MOSトランジスタ / しきい値電圧自己調整 / ナノワイヤトランジスタ / MOSFET / 大規模集積回路 / 半導体物性 隠す
  • 研究課題

    (9件)
  • 研究成果

    (102件)
  • 共同研究者

    (12人)
  •  分極反転ダイナミクスの実空間観察に基づく強誘電体薄膜の分極疲労メカニズムの解明

    • 研究代表者
      平永 良臣
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2027
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
    • 研究機関
      東北大学
  •  酸化物半導体が駆動する次世代強誘電体メモリデバイスの大規模集積化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      小林 正治
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京大学
  •  リコンフィギュアラブル量子極低温制御回路の創製

    • 研究代表者
      小寺 哲夫
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2026
    • 研究種目
      挑戦的研究(開拓)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  超低電力ニューロモルフィックハードウェア基盤技術のブレークスルー

    • 研究代表者
      河野 崇
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分61:人間情報学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京大学
  •  酸化物半導体と強誘電体HfO2の融合による三次元集積デバイスとその応用技術の創出研究代表者

    • 研究代表者
      小林 正治
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京大学
  •  神経活動電位・伝達物質を多重同時計測可能なナノ薄膜状ワイヤレスプローブの創製

    • 研究代表者
      藤枝 俊宣
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分90120:生体材料学関連
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  CMOSと整合性の高い強誘電体デバイスの集積化による超低消費電力システムの開拓研究代表者

    • 研究代表者
      小林 正治
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      東京大学
  •  強誘電HfO2による急峻スロープFETの低消費電力回路と混載FeRAMの設計実証研究代表者

    • 研究代表者
      小林 正治
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2017
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京大学
  •  しきい値電圧自己調整機構を有する超低電圧動作シリコンナノワイヤトランジスタ

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] Yano E Plus2020

    • 著者名/発表者名
      小林正治
    • 総ページ数
      4
    • 出版者
      矢野経済研究所
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [雑誌論文] A Nanosheet Oxide Semiconductor FET Using ALD InGaOx Channel for 3-D Integrated Devices2024

    • 著者名/発表者名
      Hikake Kaito、Li Zhuo、Hao Junxiang、Pandy Chitra、Saraya Takuya、Hiramoto Toshiro、Takahashi Takanori、Uenuma Mutsunori、Uraoka Yukiharu、Kobayashi Masaharu
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 71 号: 4 ページ: 2373-2379

    • DOI

      10.1109/ted.2024.3370534

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549, KAKENHI-PROJECT-23K23226
  • [雑誌論文] Dielectric breakdown behavior of ferroelectric HfO2 capacitors by constant voltage stress studied by in situ laser-based photoemission electron microscopy2024

    • 著者名/発表者名
      Yuki Itoya, Hirokazu Fujiwara, Cedric Bareille, Shik Shin, Toshiyuki Taniuchi, Masaharu Kobayashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 63 号: 2 ページ: 020903-020903

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ad1e84

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13363, KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [雑誌論文] Oxide-semiconductor channel ferroelectric field-effect transistors for high-density memory applications: 3D NAND operation and the potential impact of in-plane polarization2024

    • 著者名/発表者名
      Hao Junxiang、Mei Xiaoran、Saraya Takuya、Hiramoto Toshiro、Kobayashi Masaharu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 63 号: 1 ページ: 014003-014003

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ad11b8

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [雑誌論文] Device modeling of oxide?semiconductor channel antiferroelectric FETs using half-loop hysteresis for memory operation2023

    • 著者名/発表者名
      Huang Xingyu、Itoya Yuki、Li Zhuo、Saraya Takuya、Hiramoto Toshiro、Kobayashi Masaharu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: SC ページ: SC1024-SC1024

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acac3b

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [雑誌論文] Nondestructive imaging of breakdown process in ferroelectric capacitors using in situ laser-based photoemission electron microscopy2023

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fujiwara,Yuki Itoya, Masaharu Kobayashi, Cedric Bareille, Shik Shin, Toshiyuki Taniuchi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 123 号: 17 ページ: 173501-173501

    • DOI

      10.1063/5.0162484

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13363, KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [雑誌論文] On the thickness dependence of the polarization switching kinetics in HfO<sub>2</sub>-based ferroelectric2022

    • 著者名/発表者名
      Sawabe Yoshiki、Saraya Takuya、Hiramoto Toshiro、Su Chun-Jung、Hu Vita Pi-Ho、Kobayashi Masaharu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 121 号: 8 ページ: 082903-082903

    • DOI

      10.1063/5.0098436

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [雑誌論文] A 3D Vertical-Channel Ferroelectric/Anti-Ferroelectric FET With Indium Oxide2022

    • 著者名/発表者名
      Li Zhuo、Wu Jixuan、Mei Xiaoran、Huang Xingyu、Saraya Takuya、Hiramoto Toshiro、Takahashi Takanori、Uenuma Mutsunori、Uraoka Yukiharu、Kobayashi Masaharu
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Letters

      巻: 43 号: 8 ページ: 1227-1230

    • DOI

      10.1109/led.2022.3184316

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [雑誌論文] Mesoscopic-scale grain formation in HfO2-based ferroelectric thin films and its impact on electrical characteristics2022

    • 著者名/発表者名
      Kobayashi Masaharu、Wu Jixuan、Sawabe Yoshiki、Takuya Saraya、Hiramoto Toshiro
    • 雑誌名

      Nano Convergence

      巻: 9 号: 1 ページ: 1-11

    • DOI

      10.1186/s40580-022-00342-6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [雑誌論文] Study on the Roles of Charge Trapping and Fixed Charge on Subthreshold Characteristics of FeFETs2021

    • 著者名/発表者名
      Jin C.、Su C. J.、Lee Y. J.、Sung P. J.、Hiramoto T.、Kobayashi M.
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 68 号: 3 ページ: 1304-1312

    • DOI

      10.1109/ted.2020.3048916

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [雑誌論文] Reliability characteristics of metal/ferroelectric-HfO2/IGZO/metal capacitor for non-volatile memory application2020

    • 著者名/発表者名
      Mo Fei、Saraya Takuya、Hiramoto Toshiro、Kobayashi Masaharu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 7 ページ: 074005-074005

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab9a92

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [雑誌論文] A simulation study on low voltage operability of hafnium oxide based ferroelectric FET memories2020

    • 著者名/発表者名
      Kiyoshi Takeuchi, Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SG ページ: SGGB11-SGGB11

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab6cb4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [雑誌論文] Low-Voltage Operating Ferroelectric FET with Ultrathin IGZO Channel for High-Density Memory Application2020

    • 著者名/発表者名
      Mo Fei、Tagawa Yusaku、Jin Chengji、Ahn MinJu、Saraya Takuya、Hiramoto Toshiro、Kobayashi Masaharu
    • 雑誌名

      IEEE Journal of the Electron Devices Society

      巻: 8 ページ: 717-723

    • DOI

      10.1109/jeds.2020.3008789

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [雑誌論文] A first-principles study on ferroelectric phase formation of Si-doped HfO2 through nucleation and phase transition in thermal process2020

    • 著者名/発表者名
      Wu Jixuan、Mo Fei、Saraya Takuya、Hiramoto Toshiro、Kobayashi Masaharu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 117 号: 25 ページ: 252904-252904

    • DOI

      10.1063/5.0035139

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [雑誌論文] A Monolithic 3-D Integration of RRAM Array and Oxide Semiconductor FET for In-Memory Computing in 3-D Neural Network2020

    • 著者名/発表者名
      Wu Jixuan、Mo Fei、Saraya Takuya、Hiramoto Toshiro、Kobayashi Masaharu
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 67 号: 12 ページ: 5322-5328

    • DOI

      10.1109/ted.2020.3033831

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [雑誌論文] Physical Mechanisms of Reverse DIBL and NDR in FeFETs With Steep Subthreshold Swing2020

    • 著者名/発表者名
      Jin Chengji、Saraya Takuya、Hiramoto Toshiro、Kobayashi Masaharu
    • 雑誌名

      IEEE Journal of the Electron Devices Society

      巻: 8 ページ: 429-434

    • DOI

      10.1109/jeds.2020.2986345

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [雑誌論文] A Feasibility Study on Ferroelectric Shadow SRAMs Based on Variability-Aware Design Optimization2019

    • 著者名/発表者名
      Kiyoshi Takeuchi, Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Journal of the Electron Devices Society

      巻: 7 ページ: 1284-1292

    • DOI

      10.1109/jeds.2019.2949564

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [雑誌論文] Experimental Demonstration of a Nonvolatile SRAM with Ferroelectric HfO2 Capacitor for Normally Off Application2018

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama, Kyungmin Jang, and Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Journal of the Electron Devices Society

      巻: 6 ページ: 280-285

    • DOI

      10.1109/jeds.2018.2800090

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [雑誌論文] Experimental Observation and Simulation Model for Transient Characteristics of Negative-Capacitance in Ferroelectric HfZrO2 Capacitor2018

    • 著者名/発表者名
      Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Journal of the Electron Devices Society

      巻: 6 ページ: 346-353

    • DOI

      10.1109/jeds.2018.2806920

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [雑誌論文] On gate stack scalability of double-gate negative-capacitance FET with ferroelectric HfO2 for energy efficient sub-0.2V operation2017

    • 著者名/発表者名
      Kyungmin Jang, Takuya Sayara, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 136 号: 2 ページ: 60-67

    • DOI

      10.7567/jjap.57.024201

    • NAID

      210000148597

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [雑誌論文] Negative Capacitance for Boosting Tunnel FET Performance”, IEEE Transactions on Nanotechnology2017

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, and Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nanotechnology

      巻: 16 号: 2 ページ: 253-258

    • DOI

      10.1109/tnano.2017.2658688

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [雑誌論文] I on /I off ratio enhancement and scalability of gate-all-around nanowire negative-capacitance FET with ferroelectric HfO22017

    • 著者名/発表者名
      Jang Kyungmin, Saraya Takuya, Kobayashi Masaharu, Hiramoto Toshiro
    • 雑誌名

      Solid State Electronics

      巻: 136 ページ: 60-67

    • DOI

      10.1016/j.sse.2017.06.011

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [産業財産権] 不揮発性記憶素子2019

    • 発明者名
      小林正治,莫非,平本俊郎
    • 権利者名
      小林正治,莫非,平本俊郎
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [産業財産権] 不揮発性記憶素子2019

    • 発明者名
      小林正治,莫非,平本俊郎
    • 権利者名
      小林正治,莫非,平本俊郎
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2019
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] 上部電極越しに観察したHfO2 系強誘電体の分極コントラスト:レーザー励起光電子顕微鏡2024

    • 著者名/発表者名
      藤原弘和,糸矢祐喜,小林正治,C´edric Bareille,辛埴,谷内敏之
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] 高集積 3 次元積層シリコン量子ビットにおける量子ドットの個別制御2024

    • 著者名/発表者名
      二木 大輝、金 駿午、水谷 朋子、更屋 拓哉、小林 正治、平本 俊郎
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K17327
  • [学会発表] 3 次元集積デバイス応用に向けた原子層堆積法によるInGaOx チャネルナノシートトランジスタ2024

    • 著者名/発表者名
      日掛 凱斗,李 卓,&#37085; 俊翔,パンディ チトラ,更屋 拓哉,平本 俊郎,髙橋 崇典,上沼 睦典,浦岡 行治,小林 正治
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] HfO2系強誘電体キャパシタの下部電極オゾン酸化による絶縁破壊寿命の向上2024

    • 著者名/発表者名
      糸矢 祐喜,更屋 拓哉,平本 俊郎,小林 正治
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] 原子層堆積法によるナノシート酸化物半導体トランジスタ2024

    • 著者名/発表者名
      小林正治
    • 学会等名
      DIT29(電子デバイス界面テクノロジー研究会)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] Oxide Semiconductor Transistors for LSI Application2024

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      IEEE SISC
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] 三次元積層型シリコン量子ドットの特性の個別制御2023

    • 著者名/発表者名
      金 駿午、水谷 朋子、更屋 拓哉、岡 博史、森 貴洋、小林 正治、平本 俊郎
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K17327
  • [学会発表] 3D Integrated Device Applications of ALD-Grown Ferroelectric and Oxide-Semiconductor Materials2023

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      ALD 2023
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] HfO2系強誘電体膜の絶縁破壊箇所の電子状態:レーザー励起光電子顕微鏡2023

    • 著者名/発表者名
      藤原 弘和,糸矢 祐喜,小林 正治,Bareille Cedric,辛 埴,谷内 敏之
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] A Simulation Study on Memory Characteristics of Oxide-Semiconductor Channel Antiferroelectric FETs Using Half-Loop Hysteresis2023

    • 著者名/発表者名
      Xingyu Huang, Yuki Itoya, Zhuo Li, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] 3次元集積デバイス応用に向けた原子層堆積法によるInGaOxチャネルナノシートトランジスタ2023

    • 著者名/発表者名
      日掛 凱斗,李 卓,&#37085; 俊翔,パンディ チトラ,更屋 拓哉,平本 俊郎,髙橋 崇典,上沼 睦典,浦岡 行治,小林 正治
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] A Nanosheet Oxide Semiconductor Transistor Using Atomic layer Deposition for 3D Integrated Devices2023

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      2023 ICICDT
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] 3D NAND Memory Operation of Oxide-Semiconductor Channel FeFETs2023

    • 著者名/発表者名
      Junxiang Hao, Xiaoran Mei, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体 キャパシタの非破壊イメージングの開拓2023

    • 著者名/発表者名
      藤原 弘和 ,糸矢 祐喜,小林 正治,Cedric Bareille,辛 埴,谷内敏之
    • 学会等名
      SDM研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] レーザー励起光電子顕微鏡を用いたHfO2系強誘電体キャパシタの絶縁破壊に関する評価2023

    • 著者名/発表者名
      糸矢祐喜,藤原弘和,Bareille Cedric,辛埴,谷内敏之,小林正治
    • 学会等名
      2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] レーザー励起光電子顕微鏡を用いたHfO2系強誘電体の強誘電ドメイン及びその温度変化の観察2023

    • 著者名/発表者名
      糸矢 祐喜,藤原 弘和,Bareille Cedric,辛 埴,谷内 敏之,小林 正治
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] 強誘電体トンネル接合の電荷トラップ影響シミュレーション2023

    • 著者名/発表者名
      金在顕,更屋拓哉,平本俊郎,小林正治
    • 学会等名
      2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] 原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ2023

    • 著者名/発表者名
      小林正治,日掛凱斗,李卓,ハオ ジュンシャン,パンディ チトラ,更屋拓哉,平本俊郎,高橋崇典,上沼睦典,浦岡行治
    • 学会等名
      SDM研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] Individual Control of Characteristics of Vertically Stacked Silicon Quantum Dots2023

    • 著者名/発表者名
      J. Kim, T. Mizutani, T. Saraya, H. Oka, T. Mori, M. Kobayashi and T. Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K17327
  • [学会発表] 3D NAND Memory Operation of Oxide-Semiconductor Channel FeFETs and the Potential Impact of In-Plane Polarization2023

    • 著者名/発表者名
      Junxiang Hao, Xiaoran Mei, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto and Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) 2023
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] A Nanosheet Oxide Semiconductor FET Using ALD InGaOx Channel and InSnOx Electrode with Normally-off Operation, High Mobility and Reliability for 3D Integrated Devices2023

    • 著者名/発表者名
      Kaito Hikake, Zhuo Li, Junxiang Hao, Chitra Pandy, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, and Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      VLSI Symposium 2023
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] Modeling and Simulation of Antiferroelectric FETs with Oxide Semiconductor Channel Using Half-Loop Hysteresis for Memory Applications2022

    • 著者名/発表者名
      Xingyu Huang, Yuki Itoya, Zhuo Li, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] 次世代強誘電体と酸化物半導体で切り拓くメモリデバイス技術」2022

    • 著者名/発表者名
      小林正治
    • 学会等名
      応用電子物性分科会研究例会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] A Vertical Channel Ferroelectric/Anti-Ferroelectric FET with ALD InOx2022

    • 著者名/発表者名
      Zhuo Li, Jixuan Wu, Xiaoran Mei, Xingyu Huang, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] A Vertical Channel Ferroelectric/Anti-Ferroelectric FET with ALD InOx and Field-Induced Polar-Axis Alignment for 3D High-Density Memory2022

    • 著者名/発表者名
      Zhuo Li, Jixuan Wu, Xiaoran Mei, Xingyu Huang, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, and Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      2022 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] Field-Induced Polar-Axis Alignment for 3D High-Density Memory2022

    • 著者名/発表者名
      李 卓,Jixuan Wu,Mei Xiaoran,Xingyu Huant,更屋 拓哉,平本 敏郎,髙橋 崇典,上沼 睦典,浦岡 行治,小林 正治
    • 学会等名
      2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] Field-Induced Polar-Axis Alignment for 3D High-Density Memory2022

    • 著者名/発表者名
      李 卓,Jixuan Wu,Mei Xiaoran,黄 星宇,更屋 拓哉,平本 敏郎,髙橋 崇典,上沼 睦典,浦岡 行治,小林 正治
    • 学会等名
      2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] HfO2系強誘電体と酸化物半導体を用いた新規メモリデバイス~酸化物半導体はスパッタからALDへ2022

    • 著者名/発表者名
      小林正治
    • 学会等名
      NEDIA第9回電子デバイスフォーラム
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] 酸化物半導体を用いた三次元集積メモリデバイスの研究動向2022

    • 著者名/発表者名
      小林正治
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第19回研究集会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21H04549
  • [学会発表] 強誘電体トンネル接合メモリの大規模集積化に向けた設計に関する検討2020

    • 著者名/発表者名
      吉村英将, 莫非, 平本俊郎, 小林正治
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会,上智大学(COVID-19のため開催中止),2020年3月14日
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Reliability characteristics of Ferroelectric-HfO2 capacitor with IGZO capping for 3D structure non-volatile memory application2020

    • 著者名/発表者名
      Fei Mo, Saraya Takuya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] A Simulation Study on the System Performance of Neural Networks using Embedded Nonvolatile Memory2020

    • 著者名/発表者名
      Paul Johansen, Masaharu Kobayash
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] On the Physical Mechanism of Negative Capacitance Effect in Ferroelectric FET2020

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      SISPAD 2020
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] IGZO Channel Ferroelectric Memory FET2020

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      ACTIVE-MATRIXFLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD) 2020
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Emerging Ferroelectric-HfO2 Based Device Technologies for Energy-Efficient Computing2020

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] 大容量低消費電力メモリ応用に向けたMoS2チャネルを有するHfO2系強誘電体トランジスタの実験実証2020

    • 著者名/発表者名
      項 嘉文, 張 文馨, 更屋 拓哉, 入沢 寿史, 平本 俊郎, 小林 正治
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Emerging Ferroelectric Devices for Energy-Efficient Computing2020

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi,
    • 学会等名
      Semicon Korea
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Reliability characteristics of Ferroelectric-HfO2 capacitor with IGZO capping for non-volatile memory application2020

    • 著者名/発表者名
      莫非, 更屋 拓哉, 平本 俊郎, 小林 正治
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] 3D Integration of RRAM Array with Oxide Semiconductor FET for In-Memory Computing2020

    • 著者名/発表者名
      Jixuan Wu, Fei Mo, Saraya Takuya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi,
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Comparative Study on Memory Characteristics of Ferroelectric-HfO2 Transistors with Different Structure of Oxide-Semiconductor Channel2020

    • 著者名/発表者名
      FEI MO, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Ferroelectric-HfO2 Devices: Physics and Applications2020

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      ECS PRiME 2020
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] A Monolithic 3D Integration of RRAM Array with Oxide Semiconductor FET for In-memory Computing in Quantized Neural Network AI Applications2020

    • 著者名/発表者名
      Jixuan Wu, Fei Mo, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto and Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      VLSI Symposium on Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] 3D Neural Network: Monolithic Integration of Resistive-RAM Array with Oxide-Semiconductor FET2020

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Jixuan Wu, Fei Mo, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      ECS PRiME 2020
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] A First-Principles Study on Ferroelectric Phase Formation of Si-Doped HfO22020

    • 著者名/発表者名
      Jixuan Wu, Fei Mo, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] 三次元ニューラルネットの実現に向けた抵抗変化型メモリと酸化物半導体トランジスタのモノリシック集積2020

    • 著者名/発表者名
      小林正治
    • 学会等名
      NEDIA 第7回電子デバイスフォーラム京都
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Ferroelectric-HfO2 based transistor and memory technologies enabling ultralow power IoT applications2019

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2019), Busan, Korea
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Comprehensive Understanding of Negative Capacitance FET From the Perspective of Transient Ferroelectric Model2019

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      2019 IEEE 13th Internationla Conference on ASIC (ASICON), Oct. 30, 2019, Chongqing, China
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] 強誘電体トンネル接合メモリの大規模集積化に向けた設計に関する検討2019

    • 著者名/発表者名
      吉村英将, 莫非, 平本俊郎, 小林正治
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会,上智大学(COVID-19のため開催中止),2020年3月14日
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Mechanisms of Reverse-DIBL and NDR Observed in Ferroelectric FETs2019

    • 著者名/発表者名
      Chengji Jin, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会,北海道大学(北海道),18p-B11-1
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Challenges and opportunities of ferroelectric-HfO2 based transistor and memory technologies2019

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      Symposium on Nano Device Technology, TSRI, hsinchu, Taiwan, Apr. 4, 2019
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Demonstration of HfO2 based Ferroelectric FET with Ultrathin-body IGZO for High-Density Memory Application2019

    • 著者名/発表者名
      FEI MO, Yusaku Tagawa, Chengji Jin, MinJu Ahn, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会,北海道大学(北海道), 18p-B11-2
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Transient Negative Capacitance as Cause of Reverse Drain-induced Barrier Lowering and Negative Differential Resistance in Ferroelectric FETs2019

    • 著者名/発表者名
      Chengji Jin, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      VLSI technology symposium 2019, June 13th, 2019, Kyoto
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Experimental Demonstration of Ferroelectric HfO2 FET with Ultrathin-body IGZO for High-Density and Low-Power Memory Application2019

    • 著者名/発表者名
      Fei Mo, Yusaku Tagawa, Chengji Jin, MinJu Ahn, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      VLSI technology symposium 2019, June 11th, 2019, Kyoto
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] 負性容量トランジスタの理解と今後の展望2019

    • 著者名/発表者名
      小林正治
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会,北海道大学(北海道),2019年9月20日
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] 極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討2019

    • 著者名/発表者名
      小林正治, 莫非, 多川友作, 金成吉, 安珉柱, 更屋拓哉, 平本俊郎
    • 学会等名
      シリコン材料・デバイス(SDM)研究会,北海道大学,2019年8月9日
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] Emerging ferroelectric memory devices by material innovation2019

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      ISCSI-8, Tohoku University, Nov. 28th, 2019, pp. 63-64.
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] 強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討2019

    • 著者名/発表者名
      小林正治, 莫非, 多川友作, 更屋拓哉, 平本俊郎
    • 学会等名
      シリコン材料・デバイス研究会(SDM研究会),機械振興会館,2019年11月7日
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01489
  • [学会発表] 超低消費電力エレクトロニクスに向けた強誘電体HfO2系薄膜材料による デバイス技術のブレークスルー2018

    • 著者名/発表者名
      小林正治
    • 学会等名
      電子デバイス界面テクノロジー研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Negative Capacitance Transistor for Steep Subthreshold Slope2018

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] 負性容量トランジスタに向けた強誘電性HfZrO2膜における負性容量の直接観測2017

    • 著者名/発表者名
      上山 望,小林正治,平本俊郎
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] CMOSプロセスと整合性の高い強誘電ナノ薄膜材料による不揮発性メモリの新展開2017

    • 著者名/発表者名
      小林正治
    • 学会等名
      NEDIA 第4回 電子デバイスフォーラム京都(2017)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO2を集積した不揮発性SRAM2017

    • 著者名/発表者名
      小林正治,上山望,平本俊郎
    • 学会等名
      シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Technology break-through by ferroelectric HfO2 for ultralow power electronics2017

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation Workshop (INC workshop)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] A nonvolatile SRAM integrated with ferroelectric HfO2 capacitor for normally-off and ultralow power IoT application2017

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      VLSI symposium 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] 低消費電力応用に向けた強誘電体HfO2薄膜不揮発性SRAMの動作実証2017

    • 著者名/発表者名
      小林正治,上山望,平本俊郎
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Investigations on dynamic characteristics of ferroelectric HfO2 based on multi-domain interaction model2017

    • 著者名/発表者名
      Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nano Workshop (SNW) 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] 強誘電体HfO2を用いたGate-All-Aroundナノワイヤ負性容量FETにおけるIon/Ioff比の向上とそのスケーラビリティ2017

    • 著者名/発表者名
      Jang Kyungmin,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Present status and future prospects of Si-based CMOS devices2017

    • 著者名/発表者名
      小林正治
    • 学会等名
      第1回 CSRN-Tokyo Workshop 2017
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] 強誘電性マルチドメイン相互作用モデルを用いた強誘電体HfO2の動特性に関する考察2017

    • 著者名/発表者名
      Jang Kyungmin, 上山望,小林正治,平本俊郎
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] 強誘電体HfO2ダブルゲート負性容量FETの動特性に関する考察2017

    • 著者名/発表者名
      Jang Kyungmin、上山 望、小林正治、平本俊郎
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] A nonvolatile SRAM integrated with ferroelectric HfO2 capacitor for normally-off and ultralow power IoT application2017

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      The Fifth Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Ultra-Low Power and Ultra-Low Voltage Devices and Circuits for IoT Applications2016

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Kiyoshi Takeuchi, and Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI, USA
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] On Gate Stack Scalability of Double-Gate Negative-Capacitance FET with Ferroelectric HfO2 for Energy-Efficient Sub-0.2V Operation2016

    • 著者名/発表者名
      Kyungmin Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Ion/Ioff Ratio Enhancement of Gate-All-Around Nanowire Negative-Capacitance FET with Ferroelectric HfO22016

    • 著者名/発表者名
      Kyungmin Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS)
    • 発表場所
      Hyatt Regency Bethesda, Bethesda, MD, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Experimental Study on Polarization-Limited Operation Speed of Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO22016

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama, Kyungmin Jang, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, CA, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Negative Capacitance as a Performance Booster for Tunnel FET2016

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] 負性容量によるトンネルFETの性能向上負性容量によるトンネルFETの性能向上2016

    • 著者名/発表者名
      小林正治,チャン キュンミン,上山 望,平本俊郎
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] サブ0.2Vの高エネルギー効率動作に向けた強誘電体HfO2ダブルゲート負性容量FETにおけるゲートスタックのスケーラビリティ2016

    • 著者名/発表者名
      Jang Kyungmin,更屋拓哉,小林正治,平本 俊郎
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • 1.  平本 俊郎 (20192718)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 20件
  • 2.  更屋 拓哉 (90334367)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  藤枝 俊宣 (70538735)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  河野 崇 (90447350)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  太田 宏之 (20535190)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  武岡 真司 (20222094)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  平永 良臣 (70436161)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  小寺 哲夫 (00466856)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  三木 拓司 (60754629)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  米田 淳 (60734366)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  溝口 来成 (90848772)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  藤原 弘和
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件

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