尾鍋研太郎 ONABE Kentaro

研究者番号	50204227
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2014年度: 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 教授 2009年度 – 2012年度: 東京大学, 新領域創成科学研究科, 教授 2007年度 – 2012年度: 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 2003年度: 東京大学, 新領域創成科学研究科, 教授 1999年度 – 2003年度: 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 … もっと見る 2001年度: 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究所, 教授 1999年度: 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授 1995年度 – 1998年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 1996年度: 東京大学, 工学系研究科, 助手 1988年度 – 1994年度: 東京大学, 工学部, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 理工系 / 応用物性研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 応用物性 / 応用物性・結晶工学 / 応用光学・量子光工学 / 物理計測・光学 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 理工系
キーワード	研究代表者 MOVPE / 窒化物半導体 / RF-MBE / GaAsN / InGaAsN / エピタキシャル成長 / InGaPN / 窒化物混晶半導体 / 窒化ガリウム / ワイドギャップ化合物半導体 … もっと見る / 有機金属気相成長法 / MBE / 立方晶窒化物半導体 / 結晶成長 / ジメチルヒドラジン / 有機金属気相成長 / 立方晶GaN / GaN / heterostructure / photoreflectance / cubic indium nitride / cubic gallium nitride / cubic nitride semiconductors / nitride semiconductors / 深い準位 / 立法晶AlGaN / 立法晶GaN / 選択成長 / GaAs / 立方晶AlGaN / ヘテロ構造 / フォトリフレクタンス / 立方晶窒化インジウム / 立方晶窒化ガリウム / huge bandgap bowing / slloy semiconductors / diluted nitride alloy / 巨大ボウイング / GaNAs / GaNP / 巨大バンドギャッブボウイング / InAsN / 巨大バンドギャップボウイング / 混晶半導体 / III-V-N型窒化物混晶 / METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY / GALLIUM NITRADE / GALLIUM PHOSPHIDE / METASTABLE ALLOY SEMICONDUCTOR / WIDEGAP COMPOUND SEMICONDUCTOR / GaPN ALLOY / NITRIDE ALLOY SEMICONDUCTOR / MOVPE法 / ガリウムリン / 準安定混晶半導体 / GaPN混晶 / Visible-Light-Emitting Material / Structural Transformation / Gallium Arsenide Phosphide / Gallium Nitride / Atomic Layer Epitaxy / Widegap Compound Semiconductor / Movpe / 結晶構造交換 / 青色発光半導体レ-ザ / 可視光発光材料 / 結晶構造変換 / ガリウム砒素燐 / 原子層エピタキシ- / III族窒化物半導体 / 立方晶III族窒化物 / 半導体物性 / III-N半導体 / 立方晶III-N半導体 / 窒化インジウム / 結晶工学 / 希薄窒化物 / 自己形成量子ドット / 量子ドット / 量子ナノ構造 / III-V-N混晶 / 希薄窒化物半導体 / 分離供給法 / アダクト / 成長 / エピタキシャル / InN / GaPN / エピタキシー機構 / 構造変換 / ヘテロエピタキシー / ナイトライド … もっと見る研究代表者以外非線形光学 / SiGe / 光物性 / 半導体 / ZnSe / CsLiB_6O_<10> / β-BaB_2O_4 / AlGaP / Frequency Conversion / Second-Harmonic Generation / Nonlinear Optics / 光第2高調波発生 / 波長変換 / nonlinear optics / エピタキシャル成長 / MBE、エピタキシャル / 応用光学・量子光工学 / 単一光子 / 半導体物性 / シリコンゲルマニウム / ブル-シフト / メゾスコピック領域 / stoichiometric LiNbO_3 / absolute measurement / quadratic nonlinear optical coefficients / GaAs / CLBO / BBo / 赤外 / ストイキオメトリック / コングルエント / LiNbO_3 / ニオブ酸リチウム(ストイキオメトリック組成) / セレン化亜鉛 / 絶対測定 / 2次非線形光学定数 / resistance against oxidation / magnesia / epitaxial growth / pulsed laser ablation / ferroelectric oxides / nitride semiconductors / ferroelectric waveguides / blue laser diodes / チタン酸ジルコン酸鉛 / バッファ層 / 窒化物半導体 / 耐酸化性 / 酸化マグネシウム / レーザアブレーション / 酸化物強誘電体 / 窒化物系半導体 / 強誘電体光導波路 / 青色半導体レーザ / no phonon transition / neighboring confinement structure / indireck semiconductors / アルミニウムガリウム燐 / 無フォノン発光 / 隣接閉じ込め構造 / 間接遷移型半導体 / Antiphase Domain / Quasi Phase Matching / Sublattice Reversal / Domain Inversion / Compound Semiconductor / 差周波発生 / 差調波発生 / アンチフェイズドメイン / 疑似位相整合 / 副格子交換 / 分極反転 / 化合物半導体 / Lithography / Inorganic Resist / Micro Fabrication / Waveguiding Device / Organic Crystal / リソグラフィ- / リソグラフィー / 水溶性無機レジスト / 微細加工 / 光導波路素子 / 光学2高調波発生 / 有機結晶 / exciton / structural phase transition / perovskite / low-dimensional material / layered material / quantum-well / 室温励起子 / ペロブスカイト型構造 / 励起子 / 構造相転移 / ペロブスカイト / 低次元物質 / 層状物質 / 量子井戸 / 微構造 / 原子尺度の制御 / 等電子トラップ / 原子層ドーピング / 励起子分子 / 応用光学・量子光光学 / 量子もつれ光子対 / 量子光学 / MBE,エピタキシャル / 結晶工学 / エピタキシャル / 応用光学・量子光工学MBE / 電子プローブ / 構造解析 / 構造評価 / 格子欠陥 / 結晶成長 / 組織制御 / デバイス材料 / 電子顕微鏡 / 初期酸化 / リン吸着デジタル制御 / 自己触媒 / 島状成長 / 電界効果トランジスタ / 変調ドーピング / 低温Si層 / CMP / 発光ダイオード / 電界効果型トランジス / 電界効果型トランジスタ / 電子物性 / 光エレクトロニクス / 人工IV族半導体 / バンドラインアップ / ガリウム砒素リン / フォトルミネッセンス / フォトリフレクタンス / 半導体超格子 / 真空一貫リソグラフィ / 極微細線 / 化学エッチング / 収束イオン線 / 電子波干渉 / 電子線描画法 / 一次元閉じ込め / ウェットエッチング / GaAs極微細線 / AlGaAs / 電子線描画 / 超微細構造 / 電子波 / 原子尺度 / 超構造隠す

局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  埼玉大学
高相純度立方晶III族窒化物半導体薄膜成長とヘテロ構造の物性応用研究代表者
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
有機N原料によるInNおよび関連混晶薄膜のMOVPE成長研究代表者
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  埼玉大学
有機N原料によるInNのMOVPE成長研究代表者
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
狭バンドギャップIII-V-N混晶半導体量子ナノ構造の作製と物性応用研究代表者
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
電子プローブによる光・電子デバイス材料および実装素子のナノ組織解析技術の進展
- 研究代表者
  
  桑野範之
- 研究期間 (年度)
  2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  ナノ材料・ナノバイオサイエンス
- 研究機関
  九州大学
立方晶窒化物半導体ヘテロ構造による光および電子デバイス研究代表者
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
第2高調波エリプソメトリを用いた半導体の2次非線形光学特性に関する研究
- 研究代表者
  
  伊藤良一
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  明治大学
III-V-N型窒化物系混晶半導体の巨大ボウイング効果と物性応用研究代表者
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
青色半導体レーザと強誘電体光導波路の一体型新規光学素子のための複合材料創製
- 研究代表者
  
  増田淳
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
分極反転エピタクシーの研究と波長変換素子への応用
- 研究代表者
  
  伊藤良一
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
新しい超構造を有する間接遷移型半導体の光学遷移に関する研究
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
ガリウム砒素リン系半導体超格子構造による高効率発光素子材料の実現
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
窒化物系準安定混晶半導体の作製と物性に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
ナイトライド系化合物半導体の立方晶構造変換ヘテロエピタキシー機構の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
有機結晶の微細加工技術を用いた波長変換用非線形光学微小素子の開発
- 研究代表者
  
  伊藤良一
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1994
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  物理計測・光学
- 研究機関
  東京大学
電子波デバイスのための極限構造の制御と評価
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
電子波デバイスのための極限構造の制御と評価
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
自然量子井戸構造・層状ペロブスカイト型物質の光物性に関する研究
- 研究代表者
  
  伊藤良一
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1991
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京大学
半導体の原子尺度での制御に関する研究
- 研究代表者
  
  伊藤良一
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  総合研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京大学
有機金属気相成長法によるワイドギャップ化合物半導体の原子層エピタキシ-の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1991
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京大学
半導体の原子尺度での制御に関する研究
- 研究代表者
  
  伊藤良一
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  総合研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東京大学

すべて 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Photoreflectance study of the temperature dependence of excitonic transitions in dilute GaAsN alloys2014
- 著者名/発表者名
  W. Okubo, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 211 号: 4 ページ: 752-755
- DOI
  10.1002/pssa.201300462
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004, KAKENHI-PROJECT-25286048, KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN buffer2013
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya、R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: In Press
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates2013
- 著者名/発表者名
  RG Jin, S Yagi, Y Hijikata, S Kuboya, K Onabe, R Katayama, H Yaguchi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 378 ページ: 85-87
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.12.043
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
[雑誌論文] RF-MBE growth of cubic AlN on MgO(001) substrates via 2-step c-GaN buffer2013
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya、R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe,
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: (In Press)
- URL
  http://www.sciencedirect.com/science/journal/00220248?oldURL=y
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs2013
- 著者名/発表者名
  Kengo Takamiya, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi
- 雑誌名
  
  THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012
  
  巻: 1566 (1) ページ: 538-539
- DOI
  10.1063/1.4848523
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
[雑誌論文] MBE growth of cubic AlN films on MgO substrate via cubic GaN buffer layer2012
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, K. Makino, T. Ishida, S.Kuboya, K. Onabe
- 雑誌名
  
  physica status solidi(c)
  
  巻: Vol. 9 号: 3-4 ページ: 558-561
- DOI
  10.1002/pssc.201100395
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, Y.Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: Vol.706-709 ページ: 2916-2921
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012
- 著者名/発表者名
  K.Takamiya, Y.Endo, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H. Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 706-709 ページ: 2916-2921
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in NitrogenDelta-DopedGaAs2012
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 5 号: 11 ページ: 111201-111201
- DOI
  10.1143/apex.5.111201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-20104004, KAKENHI-PROJECT-23360135, KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
[雑誌論文] YSZ(001)微傾斜基板上立方晶InNへの六方晶相の混入傾向2011
- 著者名/発表者名
  石田崇,角田雅弘,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
- 雑誌名
  
  第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
  
  巻: CD-ROM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] YSZ(001)微傾斜基板上立方晶InNへの六方晶相の混入傾向2011
- 著者名/発表者名
  石田崇, 角田雅弘, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
- 雑誌名
  
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
  
  巻: (CD-ROM)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] RF-MBE growth of Si doped cubic GaN and hexagonal phase incorporated c-AlGaN films on MgO(001) substrates2011
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe,
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol.323 ページ: 91-94
- URL
  http://www.sciencedirect.com/science/journal/00220248?oldURL=y
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] TEMinvestigation of anisotropic defect structure in cubic GaN/AlGaAs/GaAs(001) grown by MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  J. Parinyataramas, S. Sanorpim, C.Thanachayanont, K. Onabe
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c)
  
  巻: Vol. 8 号: 7-8 ページ: 2255-2257
- DOI
  10.1002/pssc.201001170
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長2011
- 著者名/発表者名
  角田雅弘, 牧野兼三, 石田崇, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
- 雑誌名
  
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
  
  巻: (CD-ROM)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長2011
- 著者名/発表者名
  角田雅弘,牧野兼三,石田崇,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
- 雑誌名
  
  第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
  
  巻: CD-ROM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] RF-MBE growth of Si doped cubic GaN and hexagonal phase incorporated c-AlGaN films on MgO(001) substrates2011
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 323 ページ: 91-94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] RF-MBE growth of Si doped cubic GaN and hexagonal phase incorporated c-AlGaN films on MgO (001) substrates2011
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 323 ページ: 91-94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] A growth model of cubic GaN microstripes grown by MOVPE : Vapour Phase diffusion model including surface migration effects2010
- 著者名/発表者名
  P.Sukkaew, S.Sanorpim, K.Onabe
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 207 ページ: 1372-1374
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] A growth model of cubic GaN microstripes grown by MOVPE: Vapour Phase diffusion model including surface migration effects2010
- 著者名/発表者名
  P. Sukkaew, S. Sanorpim, K. Onabe
- 雑誌名
  
  physica status solidi(a)
  
  巻: Vol. 207 号: 6 ページ: 1372-1374
- DOI
  10.1002/pssa.200983548
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-dopedGaAs grown on GaAs(111)A2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukushima, Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, M.Okano, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Physica E(掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Photoluminescence from single is electronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2010
- 著者名/発表者名
  T. Fukushima, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Physica
  
  巻: Vol.42, No10 号: 10 ページ: 2529-2531
- DOI
  10.1016/j.physe.2009.12.011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukushima, Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, M.Okano, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Physica E
  
  巻: 42 ページ: 2529-2531
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] MOVPE Growth of InN films Using 1,1-Dimethylhydrazine as a Nitrogen2009
- 著者名/発表者名
  Q.T.Thieu, Y.Seki, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2802-2805
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] MOVPE Growth of InN films Using 1,1-Dimethylhydrazine as a Nitrogen Precursor2009
- 著者名/発表者名
  Q.T.Thieu, Y.Seki, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2802-2805
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016003
[雑誌論文] MOVPE growth of InN films using 1, 1-dimethylhydrazine as a nitrogen precursor2009
- 著者名/発表者名
  Q. T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol. 311
  
  ページ: 2802-2805
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] MOVPE Growth of InN films Using 1, 1-Dimethylhydrazine as a Nitrogen Precursor Journal of Crystal Growth2009
- 著者名/発表者名
  Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)(掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032002
[雑誌論文] Metastable cubic InN layers on GaAs (001) substrates grown by MBE : Growth condition and crystal structure2009
- 著者名/発表者名
  S. Sanorpim, P. Jantawongrit, S. Kuntharin, C. Thanachayanont, T. Nakamura, R. Katavama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) Vol. 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] Metastable cubic InN layers on GaAs(001)substrates grown by MBE : Growth condition and crystal structure2009
- 著者名/発表者名
  S.Sanorpim, P.Jantawongrit, S.Kuntharin, C.Thanachayanont, T.Nakamura, R.Katayama, K.Onabe
- 雑誌名
  
  physica status solidi(c) 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] Incorporation of N in high N-content GaAsN films investigated by Raman scattering2008
- 著者名/発表者名
  S. Sanorpim, P. Panpech, S. Vijarnwannaluk, F. Nakajima, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) Vol. 5
  
  ページ: 2923-2925
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] Effect of substrate-surface orientation on the N incorporation in GaAsN films on GaAs grown by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  P. Klangtakai, S. Sanorpim, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Advanced Materials Research Vol. 55-57
  
  ページ: 825-828
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN QDs2008
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, S. Takahashi, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) Vol. 5
  
  ページ: 1715-1718
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] Growth and post-growth rapid thermal annealing of InGaPN on GaP grown by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 150-153
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] Structural investigation of InGaAsN films grown on pseudo-lattice-matched InGaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  P. Kongjaeng, S. Sanorpim, T. Yamamoto, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol. 298
  
  ページ: 111-115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] InAsN quantum dots grown on GaAs(001) substrates by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) 4
  
  ページ: 2387-2390
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] Photoluminescence and photoluminescence-excitation spectro-scopy of InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  D. Kaewket, S. Tungasmita, S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol. 298
  
  ページ: 531-535
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] Structural investigation of InGaAsN films grown on pseudo-lattice-matched InGaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  P. Kongjaeng, S. Sanorpim, T. Yamamoto, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 111-115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] Photoluminescence and photoluminescence-excitation spectroscopy of InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  D. Kaewket, S. Tungasmita, S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 531-535
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] MOVPE and characterization of InAsN/GaAs multiple quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, Q. T. Thieu, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol. 298
  
  ページ: 544-547
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] InAsN quantum dots grown on GaAs(001) substrates by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) Vol. 4
  
  ページ: 2387-2390
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] Growth and post-growth rapid thermal annealing of InGaPN on GaP grown by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol. 298
  
  ページ: 150-153
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[雑誌論文] MOVPE and characterization of InAsN/GaAs multiple quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, Q. T. Thieu, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 544-547
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, H. Yaguchi
- 学会等名
  The 41st International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  モンペリエ(フランス)
- 年月日
  2014-05-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Y立方晶AlNおよび高Al濃度立方晶AlGaNのRF-MBE成長2013
- 著者名/発表者名
  角田雅弘,森川生,窪谷茂幸,片山竜二,矢口裕之,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川)
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定2012
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学(愛媛県)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps Formed by Nitrogen-Nitrogen Pairs in GaAs2012
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, T. Fukushima. S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe. R. Katayama, and H. Yaguchi
- 学会等名
  31st International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  スイス連邦工科大学チューリッヒ校(スイス)
- 年月日
  2012-08-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Growth of Cubic AlN Films on MgO substrates by MBE2012
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya,R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe,
- 学会等名
  GCOE International Sympsium on Physical Sciences Frontier
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表]2012
- 著者名/発表者名
  角田雅弘,森川生,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学(東京)
- 年月日
  2012-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長(3)2012
- 著者名/発表者名
  角田雅弘, 森川生、窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都新宿区)
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価2012
- 著者名/発表者名
  野口駿介, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光2012
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長(3)2012
- 著者名/発表者名
  角田雅弘,森川生,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京).
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2012
- 著者名/発表者名
  新井佑也, 星野真也, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates2012
- 著者名/発表者名
  R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi
- 学会等名
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  奈良県新公会堂(奈良県)
- 年月日
  2012-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Growth of cubic AlN films on MgO substrate via2-step cubic GaN buffer layer by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya,R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  31th Electronic Materials Symposium (EMS-31)
- 発表場所
  伊豆(静岡)
- 年月日
  2012-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長2012
- 著者名/発表者名
  金日国, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学(愛媛県)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] RF-MBEGrowth of cubic AlN on MgO(001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer2012
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
- 発表場所
  奈良(奈良)
- 年月日
  2012-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011
- 著者名/発表者名
  K.Takamiya, Y.Endo, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
- 学会等名
  7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
- 発表場所
  Quebec City Convention Centre (Quebec, Canada)(招待講演)
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011
- 著者名/発表者名
  K.Takamiya, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
- 学会等名
  3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
- 年月日
  2011-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Growth of cubic AlN films on MgO substrate using cubic GaN buffer layer by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, K. Makino, T. Ishida, S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS-2011)
- 発表場所
  Toba,Mie, Japan.
- 年月日
  2011-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T. Ishida, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
- 発表場所
  Toba, Mie, Japan.
- 年月日
  2011-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] YSZ(001)微傾斜基板上立方晶InNへの六方晶相の混入比率の偏り2011
- 著者名/発表者名
  石田崇,角田雅弘,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価2011
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H.Yaguchi
- 学会等名
  The 7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
- 発表場所
  Quebec City Convention Centre (Quebec,Canada)
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] MBE growth of cubic AlN films on MgO substrate via cubic GaN buffer layer2011
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, K.Makino, T.Ishida, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow, UK
- 年月日
  2011-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] RF-MBE growth of cubic AlN films on MgO substrate via cubic GaN buffer layer2011
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, K.Makino, T.Ishida, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
- 発表場所
  Laforet Biwako, Moriyama, Shiga, Japan
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Biexciton Emission from Single Is oelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
- 学会等名
  The 3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
- 年月日
  2011-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] RF-MBE growth of cubic AlN films on MgO substrate via cubic GaN buffer layer2011
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, K. Makino, T. Ishida, S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
- 発表場所
  守山(滋賀).
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] YSZ(001)微傾斜基板上立方晶InNへの六方晶相の混入比率の偏り2011
- 著者名/発表者名
  石田崇、角田雅弘, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県山形市)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of cubic AlN films on MgO substrate using cubic GaN buffer layer by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, K.Makino, T.Ishida, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
- 発表場所
  Toba Hotel International Toba, Mie, Japan
- 年月日
  2011-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T.Ishida, M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
- 発表場所
  Toba Hotel International Toba, Mie, Japan
- 年月日
  2011-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Cubic III-nitrides: potential photonic materials (Invited)2011
- 著者名/発表者名
  K. Onabe, S.Sanorpim, H. Kato, M.Kakuda, T. Nakamura, K. Nakamura, S.Kuboya, R. Katayama
- 学会等名
  SPIE Photonic West 2011
- 発表場所
  San Francisco, CA,USA.
- 年月日
  2011-01-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性2011
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Cubic III-nitrides : potential photonic materials2011
- 著者名/発表者名
  K.Onabe, S.Sanorpim, H.Kato, M.Kakuda, T.Nakamura, K.Nakamura, S.Kuboya, R.Katayama
- 学会等名
  SPIE Photonic West 2011
- 発表場所
  San Francisco, CA, USA(Invited)
- 年月日
  2011-01-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長(2)2011
- 著者名/発表者名
  角田雅弘,牧野兼三,石田崇,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates grown by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T. Ishida, M. Kakuda, S. Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
- 発表場所
  守山(滋賀).
- 年月日
  2011-07-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] MBE growth of cubic AlN films on MgO substrate via cubic GaN buffer layer2011
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, K. Makino, T. Ishida, S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow, UK.
- 年月日
  2011-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates grown by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T.Ishida, M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
- 発表場所
  Laforet Biwako, Moriyama, Shiga, Japan
- 年月日
  2011-07-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長(2)2011
- 著者名/発表者名
  角田雅弘, 牧野兼三、石田崇、窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県山形市)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2010
- 著者名/発表者名
  新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] MOVPE growth of cubic GaN films via an AlGaAs intermediate layer on GaAs (001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  H.Kato, Y.Seki, Q.T.Thieu, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Shuzenji, Japan
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Efficient growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2010
- 著者名/発表者名
  Q.T.Thieu, T.Tachikawa, Y.Seki, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  15th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XV)
- 発表場所
  Lake Tahoe, USA
- 年月日
  2010-05-26
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016003
[学会発表] RF-MBE法によるMgO(001)基板上Siドープ立方晶AlGaNの薄膜成長2010
- 著者名/発表者名
  角田雅弘,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] MOVPE growth of cubic GaN films via an AlGaAs intermediate layer on GaAs(001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  H. Kato, Y. Seki, Q. T. Thieu, S.Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  伊豆(静岡).
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] RF-MBE法によるYSZ(001)基板上立方晶InN及びInGaNの結晶成長2010
- 著者名/発表者名
  中村桂土、角田雅弘、石田崇、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル2010
- 著者名/発表者名
  大久保航, 石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Efficient MOVPE growth of InN films and micro-particles by separate supply of TMIn and DMHy2010
- 著者名/発表者名
  Q.T.Thieu, T.Tachikawa, T.Kikuchi, Y.Seki, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  Shuzenji, Japan Laforet Shuzenji
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016003
[学会発表] Growth of Si doped cubic GaN and AlGaN films on MgO(001) substrates by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S.Kuboya, K. Onabe,
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  伊豆(静岡).
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究2010
- 著者名/発表者名
  星野真也, 遠藤雄太, 福島俊之, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] RF-MBE Growth of Cubic InN and InGaN Films on YSZ(001) Substrates2010
- 著者名/発表者名
  K. Nakamura, T. Ishida, M. Kakuda,S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2010)
- 発表場所
  Tampa,Florida, USA.
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] InP(001)基板上へのInPN薄膜のMOVPE成長2010
- 著者名/発表者名
  関裕紀, 王彦哲, ティユクァントゥ, 窪谷茂幸, サクンタムサノーピン, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] Growth of Si doped cubic GaN and AlGaN films on MgO (001) substrates by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Shuzenji, Japan
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] RF-MBE法によるYSZ(001)基板上立方晶InN及びInGaNの結晶成長2010
- 著者名/発表者名
  中村桂土, 角田雅弘, 石田崇, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学 (神奈川)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] RF-MBE growth of cubic InN and InGaN films on YSZ (001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakamura, T.Ishida, M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Shuzenji, Japan
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] MOVPE growth of c-GaN films via an AlGaAs intermediate Layer2010
- 著者名/発表者名
  H. Kato, Y. Seki, Q. T. Thieu, S.Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN3)
- 発表場所
  Montpellier,France.
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] RF-MBE Growth of Si doped cubic GaN and AlGaN films on MgO(001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S.Kuboya, K. Onabe,
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010)
- 発表場所
  Berlin,Germany.
- 年月日
  2010-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] RF-MBE growth of cubic InN and InGaN films on YSZ(001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  K. Nakamura, T. Ishida, M. Kakuda,S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  伊豆(静岡)
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)2010
- 著者名/発表者名
  福島俊之, 高宮健吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Growth of Si doped c-AlGaN and c-GaN films on MgO (001) substrate by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, Y.Fukuhara, K.Nakamura, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2010)
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of c-GaN Films via an AlGaAs Intermediate Layer on GaAs (001) Substrates by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  H.Kato, Y.Seki, Q.T.Thieu, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2010)
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of c-GaN Films via an AlGaAs Intermediate Layer on GaAs(001) Substrates by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  H. Kato, Y. Seki, Q. T. Thieu, S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices(ISSLED 2010)
- 発表場所
  Beijing, China.
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] MOVPE Growth of InPN Films on InP(001) Substrates2010
- 著者名/発表者名
  Y.Wang, Y.Seki, Q.T.Thieu, T.Kikuchi, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工大
- 年月日
  2010-03-26
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016003
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性2010
- 著者名/発表者名
  石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 岡野真人, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] RF-MBE Growth of Cubic InN and InGaN Films on YSZ (001) Substrates2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakamura, T.Ishida, M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of Si doped c-AlGaN and c-GaNfilms on MgO (001) substrate byRF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, Y. Fukuhara, K.Nakamura, S. Kuboya, K. Onabe,
- 学会等名
  8th International Symposiumon Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2010)
- 発表場所
  Beijing, China.
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長(4)2010
- 著者名/発表者名
  ティユクァントウ、立川卓、菊地健彦、関裕紀、窪谷茂幸、尾鍋研太郎
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE growth of InPN films on InP(001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  Y.Seki, Y.Z.Wang, Q.T.Thieu, S.Kuboya, S.Sanorpim, K.Onabe
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  Shuzenji, Japan Laforet Shuzenji
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016003
[学会発表] RF-MBE Growth of Si doped cubic GaN and AlGaN films on MgO (001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2010-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] InP(001)基板上へのInPN薄膜のMOVPE成長2010
- 著者名/発表者名
  関裕紀, 王彦哲, ティユクァントゥ, 窪谷茂幸, サクンタムサノーピン, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学 (神奈川)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長(4)2010
- 著者名/発表者名
  ティユクァントウ、立川卓、菊地健彦、関裕紀、窪谷茂幸、尾鍋研太郎
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016003
[学会発表] Ge(001)基板上へのInGaAsN薄膜のMOVPE成長2010
- 著者名/発表者名
  菊地健彦, ティユクァントゥ, 加藤宏盟, 窪谷茂幸, サクンタムサノーピン, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] Growth of cubic InN and InGaN films on YSZ (001) substrates by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakamura, T.Ishida, M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2010-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of cubic InN and InGaN films on YSZ(001) substrates by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  K. Nakamura, T. Ishida, M. Kakuda,S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010)
- 発表場所
  Berlin, Germany.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] RF-MBE法によるMgO(001)基板上Siドープ立方晶AlGaNの薄膜成長2010
- 著者名/発表者名
  角田雅弘, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県長崎市)
- 年月日
  2010-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2010
- 著者名/発表者名
  新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] MOVPE growth of c-GaN films via an AlGaAs intermediate Layer on GaAs (001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  H.Kato, Y.Seki, Q.T.Thieu, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN3)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Efficient MOVPE growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2010
- 著者名/発表者名
  Q.T.Thieu, T.Tachikawa, Y.Seki, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN3)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016003
[学会発表] ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長 (4)2010
- 著者名/発表者名
  テイユクァントウ, 立川卓, 菊地健彦, 関裕紀, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学 (神奈川)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] Ge(001)基板上へのInGaAsN薄膜のMOVPE成長2010
- 著者名/発表者名
  菊地健彦, ティユクァントゥ, 加藤宏盟, 窪谷茂幸, サクンタムサノーピン, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学 (神奈川)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE GROWTH OF InPN FILMS ON InP(001) SUBSTRATES2010
- 著者名/発表者名
  Y.Seki, Y.Wang, Q.T.Thieu, S.Kuboya, S.Sanorpim, K.Onabe
- 学会等名
  22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010)
- 発表場所
  Takamatsu, Japan Takamatsu symbol Tower
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016003
[学会発表] Photoluminescence from single is oelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2009
- 著者名/発表者名
  T. Fukushima, M. Ito, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
- 発表場所
  神戸国際会議場 (兵庫県)
- 年月日
  2009-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] MOVPE growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2009
- 著者名/発表者名
  Q. T. Thieu, T. Nakagawa, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea.
- 年月日
  2009-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE Growth of InN Films Using 1,1-dimethylhydrazine as a Nitrogen Precursor(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  ティユクァントウ、中川隆、関裕紀、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS2009)
- 発表場所
  Zhang Jia Jie, Hunan, China
- 年月日
  2009-05-25
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016003
[学会発表] Movpe Growth and Optical Characterization of InGaAsN T-shaped Quantum Wires Lattice-Matched to GaAs2009
- 著者名/発表者名
  P.Klangtakail, S.Sanorpim, R.Katayama, K.Onabe
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE Growth of High Optical Quality InGaPN Layers on GaAs (001) Substrates2009
- 著者名/発表者名
  D. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea.
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長(3)2009
- 著者名/発表者名
  ティユクァントウ、中川隆、関裕紀、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2009
- 著者名/発表者名
  Q.T.Thieu, T.Nakagawa, Y.Seki, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
- 学会等名
  28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
- 発表場所
  Biwako, Japan
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定2009
- 著者名/発表者名
  石川輝, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県・富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光2009
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県・富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Movpe Growth and Optical Characterization of InGaAsN T-shaped Quantum Wires Lattice-Matched to GaAs2009
- 著者名/発表者名
  P. Klangtakai, S. Sanorpim, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea.
- 年月日
  2009-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] InP(001)板上へのInPN薄膜のMOVPE成長2009
- 著者名/発表者名
  関裕紀,窪谷茂幸,ティユクァントゥ,片山竜二,矢口裕之,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE Growth of High Optical Quality InGaPN Layers on GaAs(001)Substrates2009
- 著者名/発表者名
  D.Kaewket, S.Sanorpim, S.Tungasmita, R.Katayama, K.Onabe
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2009
- 著者名/発表者名
  ティユクァントウ、中川隆、関裕紀、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-20
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016003
[学会発表] MOVPE growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2009
- 著者名/発表者名
  Q. T. Thieu, T. Nakagawa, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  28th Electronic Materials Symposium (EMS28)
- 発表場所
  Biwako, Japan.
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)2009
- 著者名/発表者名
  福島俊之, 高宮健吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県・富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長(3)2009
- 著者名/発表者名
  ティユクァントウ、中川隆、関裕紀、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016003
[学会発表] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-dopedGaAs grown on GaAs(111)A2009
- 著者名/発表者名
  福島俊之, M.Ito, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, S.Kuboys, 片山竜二, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
- 発表場所
  兵庫県・神戸国際会議場
- 年月日
  2009-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] MOVPE growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2009
- 著者名/発表者名
  Q.T.Thieu, T.Nakagawa, Y.Seki, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] InP(001)基板上へのInPN薄膜のMOVPE成長2009
- 著者名/発表者名
  関裕紀, 窪谷茂幸, ティユクァントゥ, 片山竜二, 矢口裕之, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学 (茨城)
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE growth of InN films by separate supply of TMIn and DMHy2009
- 著者名/発表者名
  ティユクァントウ、中川隆、関裕紀、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
- 学会等名
  28th Electronic Materials Symposium(EMS28)
- 発表場所
  Biwako, Japan
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016003
[学会発表] ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長 (3)2009
- 著者名/発表者名
  テイユクァントウ, 中川隆, 関裕紀, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学 (富山)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定2009
- 著者名/発表者名
  石川輝, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究2008
- 著者名/発表者名
  谷岡健太郎, 堀口歩, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
- 学会等名
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学(千葉)
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] Compositional pulling effect in MOVPE growth of InGaAsN films on bulk InGaAs substrate2008
- 著者名/発表者名
  S. Sanorpim, R. Katavama, S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  14th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV)
- 発表場所
  Metz, France.
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長(2)2008
- 著者名/発表者名
  ティュクァントウ、関裕紀、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部工業大学
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032002
[学会発表] InAsN薄膜の光学的特性2008
- 著者名/発表者名
  窪谷茂幸,黒田正行,西尾晋,ティユクァントゥ,片山竜二,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部工業大学
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] Composition pulling effect in MOVPE growth of InGaAsN films on bulk InGaAs substrate2008
- 著者名/発表者名
  S. Sanorpim, R. Katayama, S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE・XIV)
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] InAsN薄膜の光学的特性2008
- 著者名/発表者名
  窪谷茂幸, 黒田正行, 西尾晋, ティユクァントゥ, 片山竜二, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部工業大学 (愛知)
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] Compositional pulling effect in MOVPE growth of InGaAsN films on bulk InGaAs substrate2008
- 著者名/発表者名
  S. Sanorpim, R. Katayama, S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  14th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV)
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究2008
- 著者名/発表者名
  谷岡健太郎, 堀口歩, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学 (千葉)
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE growth properties of high quality InAsN films2008
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, Q. T. Thieu, H. Kato, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  14th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV)
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE growth of InN films avoiding parasitic reactions of precursors, trimethylindium and 1, 1-dimethylhydrazine2008
- 著者名/発表者名
  Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
- 学会等名
  International Workshop on Nitiride Semiconductors (IWN 2008)
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032002
[学会発表] InAsN quantum dots grown by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, Q. T. Thieu, S. Takahashi, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  Workshop on Frontier Optoelectronic Materials and Devices
- 発表場所
  箱根(神奈川)
- 年月日
  2008-03-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE growth of InN films using 1,1-dimethylhydrazine as the nitrogen source2008
- 著者名/発表者名
  Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
- 学会等名
  14th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV)
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032002
[学会発表] MOVPE growth of InN films using TMIn and DMHy as the precursors2008
- 著者名/発表者名
  Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
- 学会等名
  28th Electronic Materials Symposium (EMS28)
- 発表場所
  Shuzenji, Japan
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032002
[学会発表] InAsN quantum dots grown by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, Q. T. Thieu, S. Takahashi, F. Nakajima, R. Katavama, K. Onabe
- 学会等名
  Workshop on Frontier Optoelectronic Materials and Devices
- 発表場所
  箱根 (神奈川)
- 年月日
  2008-03-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長2008
- 著者名/発表者名
  ティユクァントウ、関裕紀、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
- 学会等名
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学(千葉)
- 年月日
  2008-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032002
[学会発表] MOVPE growth of InN films using 1,1-dimethylhydrazine as a nitrogen precursor2008
- 著者名/発表者名
  Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
- 学会等名
  Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  修善寺(静岡)
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032002
[学会発表] MOVPE growth of GaAsN and InAsN films by using N_2 carrier gas2008
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, H. Kato, Q. T. Thieu, R. Katavama, K. Onabe
- 学会等名
  27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
- 発表場所
  修善寺 (静岡)
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE Growth of InN films Using 1, 1-Dimethylhydrazine as a Nitrogen Precursor2008
- 著者名/発表者名
  Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
- 学会等名
  2nd International Symposium on Growth of HI-Nitride (ISGN-2)
- 発表場所
  Shuzenji, Japan
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032002
[学会発表] GaAsN及びInAsN薄膜の水素・窒素混合キャリアガスを用いたMOVPE成長2008
- 著者名/発表者名
  窪谷茂幸, 加藤宏盟, ティユクァントゥ, 片山竜二, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学 (千葉)
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE growth of GaAsN and InAsN films by using N2 carrier gas2008
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, H. Kato, Q. T. Thieu, R. Katayama and K. Onabe
- 学会等名
  28th Electronic Materials Symposium (EMS28)
- 発表場所
  Shuzenji, Japan
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE growth of InN films using TMIn and DMHy as the precursors2008
- 著者名/発表者名
  Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
- 学会等名
  27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
- 発表場所
  修善寺(静岡)
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032002
[学会発表] MOVPE growth properties of high quality InAsN films2008
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, Q. T. Thieu, H. Kato, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  14th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV)
- 発表場所
  Metz, France.
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE growth of InN films using 1, 1-dimethylhydrazine as the nitrogen source2008
- 著者名/発表者名
  Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
- 学会等名
  14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV)
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032002
[学会発表] MOVPE growth of GaAsN and InAsN films by using N_2 carrier gas2008
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, H. Kato, Q. T. Thieu, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
- 発表場所
  修善寺(静岡)
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE growth properties of high quahty InAsN films2008
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, Q. T. Thieu, H. Kato, F. Nakajhna, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE・XIV)
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] Photoluminescence properties of InAsN QDs grown by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, Q. T. Thieu, S. Takahashi, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
- 発表場所
  琵琶湖 (滋賀)
- 年月日
  2007-07-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN quantum dots2007
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, S. Takahashi, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA.
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] 光照射によるGaInAsN混晶の発光効率向上に関する研究2007
- 著者名/発表者名
  谷岡健太郎, 遠藤雄太, 伊藤正俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
- 学会等名
  2007年秋季第68回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学 (北海道)
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN quantum dots2007
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, S. Takahashi, Q. T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] Photoluminescence properties of InAsN QDs grown by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  S. Kuboya, Q. T. Thieu, S. Takahashi, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
- 発表場所
  琵琶湖(滋賀)
- 年月日
  2007-07-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] 光照射によるGaInAsN混晶の発光効率向上に関する研究2007
- 著者名/発表者名
  谷岡健太郎, 遠藤雄太, 伊藤正俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
- 学会等名
  2007年秋季第68回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学(北海道)
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] Growth of Cubic AlN Films on MgO substrates by MBE
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe
- 学会等名
  GCOE International Sympsium on Physical Sciences Frontier
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of cubic AlN films on MgO substrate via 2-step cubic GaN buffer layer by RF-MBE
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  31th Electronic Materials Symposium (EMS-31)
- 発表場所
  Izu, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 立方晶AlNおよび高Al濃度立方晶AlGaNのRF-MBE成長
- 著者名/発表者名
  角田雅弘、森川生、窪谷茂幸、片山竜二、矢口裕之、尾鍋研太郎
- 学会等名
  2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学（厚木市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学（京都府）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] RF-MBE Growth of cubic AlN on MgO(001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
- 発表場所
  Nara, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Photoreflectance Study of the Temperature Dependence of Excitonic Transitions in Dilute GaAsN Alloys
- 著者名/発表者名
  W. Okubo, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe and H. Yaguchi
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013
- 発表場所
  ゲイロード・ナショナル・リゾート・アンド・コンベンション・センター（アメリカ合衆国）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Excitation power dependence of the emission from various N-N pairs in N δ-doped GaAs
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe, and H. Yaguchi
- 学会等名
  4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  UCLAコンファレンス・センター（アメリカ合衆国）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] RF-MBE法による立方晶AlNの結晶成長
- 著者名/発表者名
  角田雅弘、森川生、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学（東京都目黒区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005

1. 伊藤良一 (40133102)

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 0件
2. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 0件
3. 矢口裕之 (50239737)

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 49件
4. 片山竜二 (40343115)

共同の研究課題数: 9件

共同の研究成果数: 112件
5. 近藤高志 (60205557)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
6. 深津晋 (60199164)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
7. 宇佐美徳隆 (20262107)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
8. 黄晋二 (50323663)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
9. 窪谷茂幸 (70583615)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 90件
10. 長田俊人 (00192526)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
11. 土方泰斗 (70322021)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 37件
12. 八木修平 (30421415)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 27件
13. 秋山英文 (40251491)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 29件
14. 高柳邦夫 (80016162)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
15. 中島尚男 (20198071)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
16. 竹田美和 (20111932)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
17. 吉野淳二 (90158486)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
18. 永宗靖 (20218027)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
19. 呉軍 (80313005)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
20. 山本剛久 (20220478)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
21. 小笠原長篤 (90134486)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 五神真 (70161809)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 花村榮一 (70013472)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 工藤徹一 (90205097)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 増田淳 (30283154)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 清水立生 (30019715)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 森本章治 (60143880)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 三浦登 (10257131)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 立川真樹 (60201612)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 崔博坤 (30143530)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 中川清和 (40324181)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 末光眞希 (00134057)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 櫻庭政夫 (30271993)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 桑野範之 (50038022)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
35. 田中信夫 (40126876)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
36. 森博太郎 (10024366)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
37. 進藤大輔 (20154396)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
38. 纐纈明伯 (10111626)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
39. サクンタムサノーピン

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
40. 庄司一郎

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

尾鍋 研太郎 ONABE Kentaro

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高相純度立方晶III族窒化物半導体薄膜成長とヘテロ構造の物性応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

有機N原料によるInNおよび関連混晶薄膜のMOVPE成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

有機N原料によるInNのMOVPE成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

狭バンドギャップIII-V-N混晶半導体量子ナノ構造の作製と物性応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

立方晶窒化物半導体ヘテロ構造による光および電子デバイス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

III-V-N型窒化物系混晶半導体の巨大ボウイング効果と物性応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

尾鍋研太郎 ONABE Kentaro