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沈 旭強  Shen Xu-Qiang

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50272381
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 上級主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2022年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 上級主任研究員
2020年度 – 2021年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 総括研究主幹
1996年度 – 1998年度: 理化学研究所, 半導体工学研究室, 基礎科学特別研究員
1996年度: 理化学研究所, 半導体工学研究室, 基礎特研
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分30010:結晶工学関連 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
In-doping / AlGaN / GaN / RHEED / GSMBE / SSBE / 高温 / 有機金属気相成長 / 不純物 / 高温結晶成長 … もっと見る / AlN / 微細構造 / 高温成長 / AlN薄膜 / 窒化アルミニウム / アンモニアフリー / ヘテロエピタキシャル成長 / 窒化物 / Quantum dot / フォートルミネセンス / ガスソースMBE / 超音速ビーム / Inドーピング / 量子箱 … もっと見る
研究代表者以外
GaAs / RHEED / GaN / 絶縁化 / 外周構造 / 高耐圧化 / GaNパワーデバイス / 硼素 / イオン注入 / 硼素イオン注入 / 電界緩和 / 終端構造 / 高耐圧 / 縦型パワーデバイス / 窒化ガリウム / Quantum dot / AlGaN / Epitaxial growth / SSBE / 吸着原子の脱離過程の観察 / 高速応答の電子線回折観察 / SSBE法 / 半導体薄膜の結晶成長 / 拡散を促進 / 素過程を制御 / 並進運動エネルギー / 短パルス超音速ビームエピタキシ法 / 結晶成長 / エピタキシャル / 短パルスビーム / 超音速 / ガスソースMBE / 量子箱 / 超音速ビーム 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 研究成果

    (12件)
  • 共同研究者

    (7人)
  •  硼素イオン注入による絶縁性GaN結晶層を用いた超低損失パワー素子の高破壊耐量化

    • 研究代表者
      三浦 喜直
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
  •  新規高温有機金属気相成長法における高品質AlNヘテロエピタキシーに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      沈 旭強
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
  •  短パルス超音速ビームエピタキシャル法によるIII族窒化物結晶成長とその応用研究代表者

    • 研究代表者
      沈 旭強
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      理化学研究所
  •  反応制御型超音速ノズルビームエピタキシャル結晶成長法の開発

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      理化学研究所

すべて 2023 2022 2021

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Behaviours of the lattice-polarity inversion in AlN growth on c-Al2O3 (0001) substrates by ammonia-free high temperature metalorganic chemical vapor deposition2022

    • 著者名/発表者名
      Shen Xuqiang、Matsuhata Hirofumi、Kojima Kazutoshi
    • 雑誌名

      CrystEngComm

      巻: 24 号: 33 ページ: 5922-5929

    • DOI

      10.1039/d2ce00652a

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02643
  • [雑誌論文] Heteroepitaxial AlN growth on c-plane sapphire substrates by ammonia-free high temperature metalorganic chemical vapor deposition2022

    • 著者名/発表者名
      Shen Xu-Qiang、Kojima Kazutoshi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 581 ページ: 126496-126496

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2021.126496

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02643
  • [産業財産権] 半導体装置および半導体装置の製造方法2023

    • 発明者名
      三浦喜直、中島昭、沈旭強、平井悠久、原田信介
    • 権利者名
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2023-515445
    • 出願年月日
      2023
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04590
  • [産業財産権] 半導体装置および半導体装置の製造方法2022

    • 発明者名
      三浦喜直、中島昭、沈旭強、平井悠久、原田信介
    • 権利者名
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2022
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04590
  • [産業財産権] 半導体装置および半導体装置の製造方法2021

    • 発明者名
      三浦喜直 中島昭 沈旭強 平井悠久 原田信介
    • 権利者名
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2021-072595
    • 出願年月日
      2021
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04590
  • [学会発表] Heteroepitaxial growth of AlN by ammonia-free high-temperature metalorganic chemical vapor deposition (AFHT-MOCVD)2022

    • 著者名/発表者名
      X.Q. Shen and K. Kojima
    • 学会等名
      International conference on optoelectronic materials, technology and application 2022 (OMTA2022)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02643
  • [学会発表] Lattice-polarity and microstructures in AlN films grown on c-Al2O3 (0001) substrates by NH3-free high-temperature MOCVD2022

    • 著者名/発表者名
      X.Q. Shen, H. Matsuhata and K. Kojima
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02643
  • [学会発表] 半極性(10-13)面AlNエピ膜中の微細構造の評価2022

    • 著者名/発表者名
      沈旭強、児島一聡
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02643
  • [学会発表] High-quality semipolar (10-13) AlN epilayers grown on m-plane sapphire substrates by NH3-free high temperature MOCVD2022

    • 著者名/発表者名
      X.Q. Shen and K. Kojima
    • 学会等名
      5th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD 2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02643
  • [学会発表] アンモニアフリー高温有機金属気相成長法による高品質(10-13)半極性面AlNヘテロエピタキシャル成長2021

    • 著者名/発表者名
      沈旭強、児島一聡
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02643
  • [学会発表] High quality polar and semipolar AlN grown by ammonia-free high temperature metalorganic chemical vapor deposition2021

    • 著者名/発表者名
      X. Q. Shen, and K. Kojima
    • 学会等名
      The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (IFWS2021)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02643
  • [学会発表] アンモニアフリー高温有機金属気相成長法で成長したAlNヘテロエピタキシャル薄膜中の微細構造評価2021

    • 著者名/発表者名
      沈旭強、児島一聡
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H02643
  • 1.  青柳 克信 (70087469)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  岩井 荘八 (40087474)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  三浦 喜直 (90828287)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  張 随安 (20260218)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  田中 悟 (80281640)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  中島 昭 (60450657)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  児島 一聡 (40371041)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 9件

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