稲垣耕司 Inagaki Koji

研究者番号	50273579
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所属 (現在)	2025年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 2016年度 – 2017年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教 2015年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2012年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2010年度 – 2012年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 … もっと見る 2009年度 – 2010年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教 2007年度 – 2008年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 2006年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 助手 2004年度 – 2005年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手 2003年度 – 2005年度: 大阪大学, 工学研究科, 助手 1998年度 – 1999年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分18020:加工学および生産工学関連 / 材料加工・組織制御工学 / 生産工学・加工学 / 機械工作・生産工学研究代表者以外小区分26030:複合材料および界面関連 / 計算科学 / マイクロ・ナノデバイス / 工学 / 理工系 / 理工系 / 生産工学・加工学
キーワード	研究代表者超精密加工 / HF / Pt / 解離吸着 / エッチング / GaN / SiC / 触媒援用加工法 / 第一原理計算 / 大規模MDシミュレーション … もっと見る / メカノケミカル / 反応メカニズム / 機械学習ポテンシャル / H2O / NEB / 触媒反応 / メタダイナミックス / 水分子 / 窒化ガリウム / シリコンカーバイド / NEB法 / 活性化エネルギー / 第一原理分子動力学シミュレーション / CARE / 触媒援用化学エッチング / 反応バリア / 触媒 / 触媒援用加工 / ワイドバンドギャップ半導体 / 加工表面評価 / Siウエハ / 表面電子状態 / 表面準位 / 光反射率スペクトル … もっと見る研究代表者以外ナノストラクチャー / 電気伝導特性 / 第一原理電子状態計算 / 超精密加工 / X線集光 / X線顕微鏡 / X線ミラー / 接着界面シミュレーション / 第一原理計算 / フッ素樹脂 / 接着メカニズム / nanostructures / Electron-conduction property / First-principles electronic structure calculation / 量子化コンダクタンス / 第一原理電気伝導計算 / 微細トランス / エネルギー回生 / 電子デバイス / レールウェイアルゴリズム / 鈴木トロッター公式 / 実空間差分法 / 時間依存密度汎関数法 / X 線光学 / X線自由電子レーザ / X線自由電子レーザー / ナノ集光 / 波面光学 / X線光学 / 数値制御加工 / 非球面ミラー / コヒーレントX線 / 放射光 / 超精密形状計測隠す

メカノケミカル過程の統合理解:機械学習MD法で見る外力下での界面化学反応の真の姿研究代表者
- 研究代表者
  
  稲垣耕司
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分18020:加工学および生産工学関連
- 研究機関
  大阪大学
フッ素樹脂／異種材料の接着メカニズム解明と接着力増強指針の獲得
- 研究代表者
  
  大久保雄司
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分26030:複合材料および界面関連
- 研究機関
  大阪大学
第一原理分子動力学法による触媒援用表面加工法におけるエッチング過程の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  稲垣耕司
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  材料加工・組織制御工学
- 研究機関
  大阪大学
第一原理計算によるCARE加工プロセスの解明研究代表者
- 研究代表者
  
  稲垣耕司
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  生産工学・加工学
- 研究機関
  大阪大学
ナノ構造体電気伝導特性シミュレーションプログラムの開発と低消費電力回路の設計
- 研究代表者
  
  広瀬喜久治
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  大阪大学
硬Ｘ線Ｓｕｂ―１０ｎｍビーム形成と顕微鏡システムの構築
- 研究代表者
  
  山内和人
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  大阪大学
ナノ構造の電子輸送機能デザイン手法の開発・応用
- 研究代表者
  
  広瀬喜久治
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2008
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  大阪大学
第一原理に基づくナノストラクチャーの電気伝導予測シミュレーションプログラムの開発
- 研究代表者
  
  広瀬喜久治
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  計算科学
- 研究機関
  大阪大学
超高精度X線ミラー作製による高分解能硬X線顕微鏡の開発
- 研究代表者
  
  山内和人
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  生産工学・加工学
- 研究機関
  大阪大学
光反射率スペクトルの計測および第一原理解析による超精密加工表面の表面準位評価研究代表者
- 研究代表者
  
  稲垣耕司
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  機械工作・生産工学
- 研究機関
  大阪大学

すべて 2018 2016 2015 2013 2012 2011 2010 2009 2008 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Platinum-catalyzed hydrolysis etching of SiC in water: A density functional theory study2018
- 著者名/発表者名
  Pho Van Bui, Daisetsu Toh, Ai Isohashi, Satoshi Matsuyama, Kouji Inagaki, Yasuhisa Sano, Kazuto Yamauchi and Yoshitada Morikawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 5 ページ: 055703-055703
- DOI
  10.7567/jjap.57.055703
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16J06391, KAKENHI-PROJECT-15K06505, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105010, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
[雑誌論文] Study on the mechanism of platinum-assisted hydrofluoric acid etching of SiC using density functional theory calculations2015
- 著者名/発表者名
  .V. Bui, A. Isohashi, H. Kizaki, Y. Sano, K. Yamauchi, Y. Morikawa, and K. Inagaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 107 号: 20
- DOI
  10.1063/1.4935832
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06505, KAKENHI-PROJECT-26410014, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105010
[雑誌論文] First-principles theoretical study of hydrolysis of stepped and kinked Ga-terminated GaN surfaces2013
- 著者名/発表者名
  M. Oue K. Inagaki K. Yamauchi Y. Morikawa
- 雑誌名
  
  Nanoscale Research Letters
  
  巻: 8 ページ: 232-232
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[雑誌論文] First-principles Analysis of Dissociative Absorption of HF Molecule at SiC Surface Step Edge2012
- 著者名/発表者名
  K. Inagaki, B. V. Pho, K. Yamauchi and Y. Morikawa
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 717-720 ページ: 581-584
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[雑誌論文] First-Principles Study of Reaction Process of SiC and HF Molecules in Catalyst-Referred Etching2012
- 著者名/発表者名
  P.V. Bui, K. Inagaki, Y. Sano, K. Yamauchi, Y. Morikawa
- 雑誌名
  
  Engineering Materials
  
  巻: 523-524 ページ: 173-177
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[雑誌論文] One-dimensional sub-10-nm hard X-ray focusing using laterally graded multilayer mirror2011
- 著者名/発表者名
  H.Mimura, S.Handa, T.Kimura, H.Yumoto, D.Yamakawa, H.Yokoyama, S.Matsuyama, K.Inagaki, K.Yamamura, Y.Sano, K.Tamasaku, Y.Nishino, M.Yabashi,T.Ishikawa, K.Yamauchi
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Meth.A 616
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002009
[雑誌論文] An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma2011
- 著者名/発表者名
  K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Inagaki, Y. Oshikane and M. Nakano
- 雑誌名
  
  J. Phys.: Condens. Matter
  
  巻: vol.23 号: 39 ページ: 1-22
- DOI
  10.1088/0953-8984/23/39/394205
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246017, KAKENHI-PROJECT-22560110
[雑誌論文] Single-nanometer focusing of hard x-rays by Kirkpatrick-Baez mirrors2011
- 著者名/発表者名
  K.Yamauchi, et al.
- 雑誌名
  
  J.Phys. : Condens.Matter
  
  巻: 23 号: 39 ページ: 394206-394206
- DOI
  10.1088/0953-8984/23/39/394206
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310075, KAKENHI-PROJECT-22560110, KAKENHI-PROJECT-23651126, KAKENHI-PROJECT-23860001
[雑誌論文] First-Principles Molecular-Dynamics Calculations on Chemical Reactions and Atomic Structures Induced by H Radical Impinging onto Si(001)2 x 1:H Surface2011
- 著者名/発表者名
  Kouji Inagaki, Ryota Kanai, Kikuji Hirose, Kiyoshi Yasutake
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY
  
  巻: 11 号: 4 ページ: 2952-2955
- DOI
  10.1166/jnn.2011.3905
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[雑誌論文] Breaking the 10 nm barrier in hard-X-ray focusing2010
- 著者名/発表者名
  H.Mimura, (6名略), K.Inagaki, (5名略)T.Ishikawa, K.Yamauchi
- 雑誌名
  
  NATURE PHYSICS
  
  巻: 2 ページ: 122-125
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[雑誌論文] Breaking the 10 nm barrier in hard-X-ray focusing2010
- 著者名/発表者名
  H.Mimura, S.Handa, T.Kimura, H.Yumoto, D.Yamakawa, H.Yokoyama, S.Matsuyama, K.Inagaki, K.Yamamura, Y.Sano, K.Tamasaku, Y.Nishino, M.Yabashi,T.Ishikawa, K.Yamauchi
- 雑誌名
  
  Nature Physics 6
  
  ページ: 122-125
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002009
[雑誌論文] Breaking the 10nm barrier in hard-X-ray focusing2010
- 著者名/発表者名
  H.Mimura, (6名略), K.Inagaki, (5名略) T.Ishikawa, K.Yamauchi
- 雑誌名
  
  NATURE PHYSICS
  
  巻: 2 ページ: 122-125
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[雑誌論文] First-principles analysis of He and H atom incidence onto hydrogen-terminated Si(001)2AE surface2008
- 著者名/発表者名
  Kouji Inagaki, Kikuji Hirose, Kiyoshi Yasutake
- 雑誌名
  
  Surface and Interface Analysis 40
  
  ページ: 1088-1091
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064012
[雑誌論文] First-principles calculations of dielectric constants of C_<20> bulk using Wannier functions
- 著者名/発表者名
  Jun Otsuka, Tomoya Ono, Kouji Inagaki, Kikuji Hirose
- 雑誌名
  
  Physica B (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064012
[学会発表] 自由エネルギー表面計算を高速化するための新しいメタダイナミクス法の開発2018
- 著者名/発表者名
  和田一真, 稲垣耕司, 森川良忠
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会18p-P2-9
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06505
[学会発表] Pt触媒を用いたGaN表面CARE加工の第一原理計算による解析 -Ga面のキンク部における反応解析-2018
- 著者名/発表者名
  稲垣耕司, Pho Bui Van, 長谷川未貴, 山内和人, 森川良忠
- 学会等名
  2018年精密工学会春季大会学術講演会G80
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06505
[学会発表] 水とPt触媒によるSiC/GaN表面エッチングの反応初期過程の第一原理シミュレーション2016
- 著者名/発表者名
  稲垣耕司
- 学会等名
  関西薄膜・表面セミナー
- 発表場所
  神戸セミナーハウス、兵庫県神戸市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06505
[学会発表] First-Principles Simulations of Platinum-Assisted Water Etching of SiC2016
- 著者名/発表者名
  P. V. Bui, A. Isohashi, K. Inagaki, Y. Sano, K. Yamauchi, and Y. Morikawa
- 学会等名
  ECOSS32 - European Conference on Surface Science
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2016-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06505
[学会発表] aN表面CARE加工の反応メカニズムの第一原理計算による解析II -表面キンクサイト周辺のH2O終端構造-2016
- 著者名/発表者名
  稲垣耕司、森川良忠、山内和人
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06505
[学会発表] First‐Principles Simulations of Initial Etching Process of SiC with Water Assisted by Platinum Catalyst2015
- 著者名/発表者名
  P. V. Bui, K. Inagaki, H. Kizaki, Y. Sano, K. Yamauchi and Y. Morikawa
- 学会等名
  The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015
- 発表場所
  Giardini Naxos, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06505
[学会発表] GaN表面CARE加工の反応メカニズムの第一原理計算による解析ステップ/キンク部における水分子の解離吸着2015
- 著者名/発表者名
  稲垣耕司、森川良忠、山内和人
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場、愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06505
[学会発表] First-Principles Simulations of Catalyst Assisted Wet-etching Processes at Semiconductor Surfaces2012
- 著者名/発表者名
  K. Inagaki
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Osaka Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] 第一原理計算によるHF水溶液のアニーリング2012
- 著者名/発表者名
  弘瀬大地, 稲垣耕司, 森川良忠
- 学会等名
  日本物理学会第67回年次大会
- 発表場所
  兵庫県西宮市
- 年月日
  2012-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] HラジカルによるSi表面プラズマェッチングにおける表面H拡散の役割2012
- 著者名/発表者名
  稲垣耕司, 森川良忠, 安武潔
- 学会等名
  応用物理学会2012年度春季大会
- 発表場所
  東京都新宿区
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] First- Principles Simulations of Catalyst Assisted Wet-etching Processes at Semiconductor Surfaces2012
- 著者名/発表者名
  K. Inagaki,M. Oue,B.V. Pho,D. Hirose,K. Yamauchi , and Y. Morikawa
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Osaka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] 第一原理計算による HF 水溶液のアニーリング2012
- 著者名/発表者名
  弘瀬大地,稲垣耕司,森川良忠
- 学会等名
  日本物理学会第67回年次大会
- 発表場所
  関西学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] Pt触媒を用いた水分子によるGaN表面エッチング現象初期過程の第一原理計算による解明2012
- 著者名/発表者名
  大上まり, 稲垣耕司, 山内和人, 森川良忠
- 学会等名
  応用物理学会2012年度春季大会
- 発表場所
  東京都新宿区
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] 第一原理計算による GaN 表面エッチング現象初期過程の解明2012
- 著者名/発表者名
  大上まり、稲垣耕司、山内和人、森川良忠
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与2011
- 著者名/発表者名
  稲垣耕司, 広瀬喜久治, 森川良忠, 安武潔
- 学会等名
  日本物理学会2011年年次大会
- 発表場所
  新潟市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] 第一原理計算によるGaN(0001)表面の終端原子構造の解析2011
- 著者名/発表者名
  大上まり, 稲垣耕司, 森川良忠
- 学会等名
  日本物理学会2011年年次大会
- 発表場所
  新潟市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] カーボンアロイ触媒によるCO酸化反応の第一原理シミュレーション2011
- 著者名/発表者名
  井関信太郎, 稲垣耕司, 森川良忠
- 学会等名
  日本物理学会2011年年次大会
- 発表場所
  新潟市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] 第一原理計算によるGaN(0001)表面の終端原子構造の解析2011
- 著者名/発表者名
  大上まり, 稲垣耕司, 森川良忠
- 学会等名
  日本物理学会2011年年次大会
- 発表場所
  新潟市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] カーボンアロイ触媒によるCO酸化反応の第一原理シミュレーション2011
- 著者名/発表者名
  井関信太郎, 稲垣耕司, 森川良忠
- 学会等名
  日本物理学会2011年年次大会
- 発表場所
  新潟市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] First-Principles Analysis on Si(001) Etching with Hydrogen Radicals2011
- 著者名/発表者名
  K. Inagaki, K. Hirose, Y. Morikawa, and K. Yasutake
- 学会等名
  Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Osaka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与2011
- 著者名/発表者名
  稲垣耕司, 広瀬喜久治, 森川良忠, 安武潔
- 学会等名
  日本物理学会2011年年次大会
- 発表場所
  新潟市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] First-principles Analysis Silicon Etching by Hydrogen Radical-Diffusion of Absorbed Hydrogen Atom on Si(001)2x1 Surface-2010
- 著者名/発表者名
  K.Inagaki K.Hirose Y.Morikawa, K.Yasutake
- 学会等名
  Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Suita, Japan
- 年月日
  2010-11-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] First-Principles study of electron transfer from 4H-SiC(0001) to Pt2010
- 著者名/発表者名
  S.Iseki, K.Inagaki, K.Yamauchi, Y.Morikawa
- 学会等名
  International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials
- 発表場所
  Osaka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] H終端2x1Si(001)表面に過剰吸着したH原子の拡散過程2010
- 著者名/発表者名
  稲垣耕司、広瀬喜久治、安武潔
- 学会等名
  日本物理学会2010年秋季大会
- 発表場所
  長崎市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] 第一原理分子動力学シミュレーションによる固体表面現象の解析2010
- 著者名/発表者名
  稲垣耕司
- 学会等名
  第1回表面物理若手勉強会
- 発表場所
  吹田市
- 年月日
  2010-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] First-Principles Study of CO Oxidation on Carbon Alloy Catalysts2010
- 著者名/発表者名
  S.Iseki, K.Inagaki, Y.Morikawa
- 学会等名
  Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Suita, Japan
- 年月日
  2010-11-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] カーボンアロイ触媒によるCO酸化反応の第一原理シミュレーション2010
- 著者名/発表者名
  井関信太郎、稲垣耕司、森川良忠
- 学会等名
  第4回分子科学討論会2010大阪
- 発表場所
  大阪府豊中市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] First-Principles study of electron transfer from 4H-SiC(0001) to Pt2010
- 著者名/発表者名
  S.Iseki, K.Inagaki, K.Yamauchi, Y.Morikawa
- 学会等名
  International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials
- 発表場所
  Osaka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] カーボンアロイ触媒によるCO酸化反応の第一原理シミュレーション2010
- 著者名/発表者名
  井関信太郎、稲垣耕司、森川良忠
- 学会等名
  第4回分子科学討論会2010大阪
- 発表場所
  大阪府豊中市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] First-principles Analysis Silicon Etching by Hydrogen Radical-Diffusion of Absorbed Hydrogen Atom on Si(001)2x1 Surface-2010
- 著者名/発表者名
  K.Inagaki, K. Hirose, Y. Morikawa, K.Yasutake
- 学会等名
  Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Suita, Japan
- 年月日
  2010-11-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] H終端2x1Si(001)表面に過剰吸着したH原子の拡散過程2010
- 著者名/発表者名
  稲垣耕司、広瀬喜久治、安武潔
- 学会等名
  日本物理学会2010年秋季大会
- 発表場所
  長崎市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] First-Principles Study of CO Oxidation on Carbon Alloy Catalysts2010
- 著者名/発表者名
  S.Iseki, K.Inagaki, Y.Morikawa
- 学会等名
  Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Suita, Japan
- 年月日
  2010-11-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] 水素終端化Si(001)2x1表面に過剰吸着したHの拡散2010
- 著者名/発表者名
  稲垣耕司、広瀬喜久治、安武潔
- 学会等名
  日本物理学会2010年秋季大会
- 発表場所
  大阪市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] 水素終端化Si(001)2x1表面に過剰吸着したHの拡散2010
- 著者名/発表者名
  稲垣耕司、広瀬喜久治、安武潔
- 学会等名
  日本物理学会2010年秋季大会
- 発表場所
  大阪市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560110
[学会発表] First-principles molecular-dynamics simulation of reaction in CVD Si epitaxial thin film growth process-hydrogen coverage dependence on incident radical temperature-2009
- 著者名/発表者名
  K. Inagaki, R. Kasai, K. Hirose and K. Yasutake
- 学会等名
  Second International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Osaka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] 第一原理計算による色素増感型太陽電池の新色素設計手法のためのプログラム開発2009
- 著者名/発表者名
  古山健介, 稲垣耕司, 広瀬喜久治, 後藤英和
- 学会等名
  日本物理学会2009年秋季大会
- 発表場所
  熊本大学 (熊本市)
- 年月日
  2009-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] First-principles molecular-dynamics analysis on hydrogen coverage in chemical vapor deposition of silicon thin film2009
- 著者名/発表者名
  Kouji Inagaki, Ryota Kanai, Kikuji Hirose, and Kiyoshi Yasutake
- 学会等名
  The 12th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] First-principles molecular-dynamics simulation of reaction in CVD Siepitaxial thin film growth process -hydrogen coverage dependence on incident radical temperature-2009
- 著者名/発表者名
  K.Inagaki, R.Kasai, K.Hirose, K.Yasutake
- 学会等名
  Second International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Osaka University Nakanoshima Center, Osaka
- 年月日
  2009-11-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] 第一原理計算による色素増感型太陽電池の新色素設計手法のためのプログラム開発2009
- 著者名/発表者名
  古山健介、稲垣耕司、広瀬喜久治、後藤英和
- 学会等名
  日本物理学会2009年秋季大会
- 発表場所
  熊本市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21510133
[学会発表] First-Principles Molecular-Dynamics Analysis of Sueface Reaction in Low-Temperature Si Thin Film Growth-Adsorption of Reactive Precursors onto H-Terminated Si Surface-2009
- 著者名/発表者名
  K Inagaki, R. Kanai, K. Hirose, and K. Yasutake
- 学会等名
  First International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology Surface and Thin Film Processing, Osaka, February 16-17, 2009
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2009-02-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064012
[学会発表] Time evolving Self-Consistent calculation based on Real-Space Finite-Difference Method2008
- 著者名/発表者名
  Kensuke Koyama, Kouji Inagaki, Kikuji Hirose, and Hidekazu Goto
- 学会等名
  The 11th Asian Workshop On First-Principles Electronic Structure Calculations, November 3-5, 2008
- 発表場所
  Kaohsiung, Taiwan
- 年月日
  2008-11-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064012
[学会発表] The development of TDDFT Self-Consistent calculation program based on Real-Space Finite-Difference Method2008
- 著者名/発表者名
  K. Koyama, K. Inagaki, K. Hirose and H. Goto
- 学会等名
  International Conference on Quantum Simulators and Design 2008, May 31-June 3, 2008
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2008-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17064012

1. 山内和人 (10174575)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 16件
2. 山村和也 (60240074)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 2件
3. 佐野泰久 (40252598)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 2件
4. 広瀬喜久治 (10073892)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 16件
5. 後藤英和 (80170463)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 4件
6. 三村秀和 (30362651)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
7. 小野倫也 (80335372)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
8. 森川良忠 (80358184)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 23件
9. 江上喜幸 (20397631)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 高橋幸生 (00415217)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 松山智至 (10423196)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
12. 森勇藏 (00029125)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 大久保雄司 (10525786)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 大参宏昌

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
15. 安武潔

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
16. 垣内弘章

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

稲垣 耕司 Inagaki Koji

研究課題

研究成果

共同研究者

メカノケミカル過程の統合理解:機械学習MD法で見る外力下での界面化学反応の真の姿研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

フッ素樹脂／異種材料の接着メカニズム解明と接着力増強指針の獲得

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

第一原理分子動力学法による触媒援用表面加工法におけるエッチング過程の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

第一原理計算によるCARE加工プロセスの解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノ構造体電気伝導特性シミュレーションプログラムの開発と低消費電力回路の設計

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

硬Ｘ線Ｓｕｂ―１０ｎｍビーム形成と顕微鏡システムの構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノ構造の電子輸送機能デザイン手法の開発・応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

第一原理に基づくナノストラクチャーの電気伝導予測シミュレーションプログラムの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高精度X線ミラー作製による高分解能硬X線顕微鏡の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

光反射率スペクトルの計測および第一原理解析による超精密加工表面の表面準位評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Platinum-catalyzed hydrolysis etching of SiC in water: A density functional theory study2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Study on the mechanism of platinum-assisted hydrofluoric acid etching of SiC using density functional theory calculations2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] First-principles theoretical study of hydrolysis of stepped and kinked Ga-terminated GaN surfaces2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] First-principles Analysis of Dissociative Absorption of HF Molecule at SiC Surface Step Edge2012

著者名/発表者名

稲垣耕司 Inagaki Koji

[学会発表] 自由エネルギー表面計算を高速化するための新しいメタダイナミクス法の開発2018

[学会発表] 水とPt触媒によるSiC/GaN表面エッチングの反応初期過程の第一原理シミュレーション2016