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芝原 健太郎  SHIBAHARA Kentaro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50274139
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2008年度: 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授
2007年度: 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 准教授
1996年度 – 2003年度: 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学 / 理工系
キーワード
研究代表者
SIMS / SEM / シリコン / 2D profile / Dopant / silicon / 2次元分布 / ドーパント / Pileup / Antimony … もっと見る / Arsenic / Ion Implantation / Silicon / ヒ素 / パイルアップ / アンチモン / 砒素 / イオン注入 / ゲルマニュウム / キセノン / 淺接合 / 浅接合 / プレアモルファス化 / ゲルマニウム … もっと見る
研究代表者以外
CMOS / SOI / TMAH / BST / ULSI / 集積回路 / キャパシタ / シリコン酸化膜 / ハンプ電流 / 自己整合 / 増速酸化 / 多結晶シリコン埋め込み / フィールド・シールド / ビームチャネル / トンネル障壁 / 二重ゲート構造 / 極微細MOSトランジスタ / 単電子トランジスタ / Self-aligning / Enhanced oxidation / Polysilicon fill / Field shield / Beam channel / 側壁ドーピング / プラズマドーピング / 不純物濃度依存酸化 / 局所酸化法 / 鞍型ゲート / 漏洩電流 / 電界集中 / 素子分離構造 / 鞍型トランジスタ / フィールドシールド / sputtering / inductively-coupled-plasma / band gap / energy band / titanium / strontium / barium / チタン酸ストロンチウム / チタン酸バリウム / 電極金属 / 高誘電率膜 / リーク電流 / 電極 / DRAM / 高誘電率 / ペロブスカイト / スパッタリング / 誘導結合プラズマ / バンドギャップ / エネルギーバンド / チタン / ストロンチウム / バリウム / Pool e-Frenkel current / capacitor / ion-drift velocity / Low-k / methylsilsesquioxane / methylpolysilazane / Porous MSQ / Cu Ion / ドリフト / 拡散速度 / 金属電極 / 銅配線 / 多層配線 / 有機膜 / イオンドリフト / メチル / 配線 / 銅 / 層間絶縁膜 / ポーラス / プールフレンケル電流 / イオンドリフト速度 / 低誘電率膜 / メチルシルセスキオキサン / メチルポリシラザン / ポーラスMSQ / Cu イオン / Coulomb blockade / Transistor / Silicon narrow wire / Intermittent exposure method / Dislane / Self-limiting mechanism / Atomic-layer deposition / Selective deposition of silicon / 活性化エネルギー / シリコン窒化膜 / ジシラン熱分解 / 低抵抗 / シリコンドット / 非線形電気伝導 / クーロン振動 / 低温電気伝導 / 微細トランジスタ / 多結晶シリコン / 光・熱触媒反応 / 金属触媒 / ガスフローパターン / 2インチSiウェハ / 塩化水素脱離反応 / クーロンブロッケイド / トランジスタ / シリコン細線 / 間欠照射 / ジシラン / 自己停止機構 / 原子層成長 / シリコン選択成長 / optical waveguide with no crack / grating coupler / mounting of LED / high pressure / surfactant / high speed / epitaxial lift-off / optical waveguide / サファイア基板 / 信号伝送 / 圧力 / エピタキシャルリフトオフ(ELO) / 溶液加熱 / 消泡剤 / AlAs剥離層膜厚依存性 / 発光素子層高速剥離 / 無欠陥光導波路 / グレーティングカプラ / 発光素子搭載技術 / 圧力印加 / 界面活性剤 / 高速化 / エピタキシャルリフトオフ法 / 光配線 / アスペクト比 / 異方性エッチング / 側壁トランジスタ / 非線形電流-電圧特性 / 選択エッチ / トレンチ形成 / 多結晶シリコンドット / 電子ビーム描画 / 作成要素技術開発 / 酸化膜障壁極微細トランジスタ / SOI(Silicon On Insulator)基板 / 短チャネル効果 隠す
  • 研究課題

    (12件)
  • 研究成果

    (9件)
  • 共同研究者

    (6人)
  •  Geチャネルデバイスのための浅接合形成と素子分離に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      芝原 健太郎
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      広島大学
  •  超高速・超微細・低消費電力ビームチャネル型CMOSトランジスタの開発

    • 研究代表者
      角南 英夫
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      広島大学
  •  超高密度鞍型CMOSトランジスタの電子電導制御

    • 研究代表者
      角南 英夫
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  原子層選択成長を利用した超微細トランジスタ作製法の研究

    • 研究代表者
      横山 新
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  ナノポーラス/有機構造低誘電率膜と金属電極の界面制御

    • 研究代表者
      吉川 公麿
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  ペロブスカイト構造高誘電率膜と金属電極の界面制御

    • 研究代表者
      吉川 公麿
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  MOSトランジスタのソース・ドレイン近傍でのドーパント2次元拡がり測定の研究研究代表者

    • 研究代表者
      芝原 健太郎
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  2重ゲート極微細MOSトランジスタによる単電子制御

    • 研究代表者
      横山 新
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      広島大学
  •  2重ゲート極微細MOSトランジスタによる単電子制御

    • 研究代表者
      横山 新
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      広島大学
  •  Si中にイオン注入されたAs及びSbの酸化膜界面パイルアップ現象の解明研究代表者

    • 研究代表者
      芝原 健太郎
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  2重ゲート極微細MOSトランジスタによる単電子制御

    • 研究代表者
      横山 新
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      広島大学
  •  エピタキシャルリフトオフ法による発光素子搭載光電子集積回路の研究

    • 研究代表者
      横山 新
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      広島大学

すべて 2009 2008 2007

すべて 学会発表

  • [学会発表] Anomalous Amorphization Resistance of Ge against (11)^B^+ Implantation2009

    • 著者名/発表者名
      K. Shibahara, T. Eto and T. Fukunaga
    • 学会等名
      The 9th International Workshop on Junction Technology 2009
    • 発表場所
      Kyoto, Japan(to be presented)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560344
  • [学会発表] Critical Amorphization Dose and Amorphization Mechanism for Ion Implantation into Germanium2009

    • 著者名/発表者名
      K. Osada and K. Shibahara
    • 学会等名
      Conf. Digest of The 2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Osaka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560344
  • [学会発表] Ge Shallow Junction Formation by As implantation and Flash Lamp Annealing2009

    • 著者名/発表者名
      K. Osada and K. Shibahara
    • 学会等名
      Proceedings of 2009 Int. Symp.on VLSI Technology, Systems, and Applications
    • 発表場所
      Hsinchu, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560344
  • [学会発表] GeへのSD拡散層形成技術2008

    • 著者名/発表者名
      芝原健太郎
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    • 発表場所
      千葉県船橋市
    • 年月日
      2008-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560344
  • [学会発表] GeへのSD拡散層形成技術2008

    • 著者名/発表者名
      芝原 健太郎
    • 学会等名
      2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部 船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560344
  • [学会発表] 極淺接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス2008

    • 著者名/発表者名
      長田光生, 芝原健太郎
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • 発表場所
      京都府京都市
    • 年月日
      2008-12-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560344
  • [学会発表] As, P, B注入によるGe基板のアモルファス化2008

    • 著者名/発表者名
      長田光生, 福永哲也, 芝原健太郎
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    • 発表場所
      千葉県船橋市
    • 年月日
      2008-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560344
  • [学会発表] Xe+プレアモルファス化注入を用いたGe n^+/p接合形成2007

    • 著者名/発表者名
      福永哲也, 芝原健太郎
    • 学会等名
      電子情報通信学会SDM2007年12月研究会
    • 発表場所
      奈良県生駒市
    • 年月日
      2007-12-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560344
  • [学会発表] 低ドーズXe^+プレアモルファス化注入を用いたGeのn^+/p接合形成2007

    • 著者名/発表者名
      福永哲也, 芝原健太郎
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会講演予稿集
    • 発表場所
      北海道札幌市
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560344
  • 1.  横山 新 (80144880)
    共同の研究課題数: 10件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  MATTAUSCH Ha (20291487)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  永田 真 (40274138)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  角南 英夫 (10311804)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  吉川 公麿 (60304458)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  中島 安理 (70304459)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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