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佐々 誠彦  SASA Shigehiko

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50278561
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2010年度 – 2021年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授
2006年度 – 2008年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授
1995年度 – 2001年度: 大阪工業大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・機器工学 / 電子デバイス・電子機器 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
研究代表者以外
電子デバイス・電子機器 / 計測工学
キーワード
研究代表者
InAs / AlGaSb / Terahertz radiation / GaSb/InAs / テラヘルツ放射 / spin-splitting / SPIN-FET / マイクロ波 / Photo-Dember effect / heterostructure … もっと見る / GaSb/InAs ヘテロ構造 / pulse light source / pulse laser source / photo-Dember effect / terahertz radiation / パルス光源 / フォトデンバー効果 / GaSb/InAsヘテロ接合 / ミリ波 / テラヘルツ波 / ヘテロ構造 / インジウムヒ素 / テラヘルツパルス光源 / Rashba effect / spin・splitting / SPIN・FET / spin-slitting / Rashba効果 / type-II heterostructure / single electron devices / AFM oxidation / atomic force microscope / quantum effect devices / バンド間トンネル / 共鳴トンネル / 原子間力顕微鏡 / タイプII / 単一電子デバイス / AFM酸化 / 原子間力顕微鏡(AFM) / 量子効果デバイス / ギガヘルツ / 遮断周波数 / 酸化亜鉛 … もっと見る
研究代表者以外
InAs / AlGaSb / トランジスタ / バリスティック / ヘテロ接合 / 量子効果 / インジウムヒ素 / ballistic / curvature / negative resistance / heterostructure / diode / sub-terahertz / terahertz / 二乗検波 / lnAs / 量子井戸構造 / AlSb / 検出感度 / 負性抵抗 / AIGaSb / ヘテロ構造 / ダイオード / サブテラヘルツ / テラヘルツ / 電子デバイス・機器 / 計測工学 / 先端機能デバイス / High-kゲート絶縁膜 / InAsヘテロ構造 / 高速・低消費電力 / セルフスイッチングダイオード / High-kゲート / III-V MOSFET / ヘテロ接合トランジスタ / 高速・低消費電力素子 / 高誘電率ゲート / 半導体ヘテロ構造 / MOSFET / 化合物半導体 / 整流特性 / 量子ポイントコンタクト / High-k / 量子ナノ構造 / テラヘルツ波 / AIGaSbヘテロ構造 / 回路応用 / 磁気抵抗 / 3分岐構造 / 量子細線 / 整流効果 / AlGaSb ヘテロ構造 / 整流デバイス / 1次元電子 / メゾスコピック構造 / インジウム砒素 / 擬1次元電子輸送 / メゾスコピックデバイス 隠す
  • 研究課題

    (11件)
  • 研究成果

    (154件)
  • 共同研究者

    (7人)
  •  ヘテロ接合を利用した高強度テラヘルツパルス光源の開発研究代表者

    • 研究代表者
      佐々 誠彦
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  高品質InAs薄膜を利用した高強度テラヘルツパルス光源の開発研究代表者

    • 研究代表者
      佐々 誠彦
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  使い捨てが可能で環境に優しい尿糖計測システムの構築

    • 研究代表者
      矢野 満明
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  Si基板上III-V族半導体/High-kゲートを用いた新構造トランジスタの開発

    • 研究代表者
      前元 利彦
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  ギガヘルツ動作を可能にする酸化亜鉛トランジスタの開発研究代表者

    • 研究代表者
      佐々 誠彦
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  半導体量子ナノ構造を用いた超高感度テラヘルツ波計測技術の開発

    • 研究代表者
      前元 利彦
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  極薄超格子構造中のサブバンド間遷移を利用した小型波長可変テラヘルツ波検出器の開発

    • 研究代表者
      井上 正崇
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      計測工学
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  InAs系ヘテロ接合によるスピンエレクトロニクスデバイスの開発研究代表者

    • 研究代表者
      佐々 誠彦
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  InAs系ヘテロ接合を用いた室温量子効果デバイスの開発研究代表者

    • 研究代表者
      佐々 誠彦
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用

    • 研究代表者
      井上 正崇
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用

    • 研究代表者
      井上 正崇
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪工業大学

すべて 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書

  • [図書] 高周波半導体材料・デバイスの新展開(第11編, 第1章 2.InAs系ヘテロ接合デバイスとMBE成長技術)2006

    • 著者名/発表者名
      佐々 誠彦, 井上 正崇
    • 総ページ数
      12
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [図書] 高周波半導体材料・デバイスの新展開2006

    • 著者名/発表者名
      佐々誠彦, 井上正崇
    • 総ページ数
      12
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Development of terahertz optical sources for an excitation wavelength of 1.56 μm2021

    • 著者名/発表者名
      Daichi Shimada; Ryota Ohashi; Masatoshi Koyama; Toshihiko Maemoto; Shigehiko Sasa; Kosuke Okada; Hironaru Murakami; Masayoshi Tonouchi
    • 雑誌名

      IEEE Xplore

      巻: - ページ: 1-2

    • DOI

      10.1109/irmmw-thz46771.2020.9370373

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04540, KAKENHI-PROJECT-20K04506, KAKENHI-PROJECT-17K14673
  • [雑誌論文] Impact of optical absorption for THz radiation in GaSb/InAs heterostructures2021

    • 著者名/発表者名
      R. Ohashi; D. Shimada; M. Koyama; T. Maemoto; S. Sasa; F. Murakami; H. Murakami; M. Tonouchi
    • 雑誌名

      IEEE Xplore

      巻: - ページ: 1-2

    • DOI

      10.1109/irmmw-thz46771.2020.9371009

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04540, KAKENHI-PROJECT-20K04506, KAKENHI-PROJECT-17K14673
  • [雑誌論文] Study for Enhancement of Terahertz Radiation Using GaSb/InAs Heterostructures2017

    • 著者名/発表者名
      S. Sasa, Y. Kinoshita, M. Tatsumi, M. Koyama, T. Maemoto, S. Hamauchi, I. Kawayama, and M. Tonouchi
    • 雑誌名

      IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series

      巻: 906 ページ: 012015-012015

    • DOI

      10.1088/1742-6596/906/1/012015

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06326, KAKENHI-PROJECT-16K06327
  • [雑誌論文] Non-destructive carrier concentration determination in InAs thin films for THz radiation generating devices using fast differential reflectance spectroscopy2016

    • 著者名/発表者名
      Michal, A. Kozub, Marcin Motyka, Mateusz Dyksik, Grzegorz Sek, Jan Misiewicz, Kazuichi Nishisaka, Toshihiko Maemoto, higehiko Sasa
    • 雑誌名

      Optical and Quantum Electronics

      巻: 48 号: 8

    • DOI

      10.1007/s11082-016-0653-4

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06326
  • [雑誌論文] A potentiometric glucose sensing by an enzyme-modified Ta2O5/ZnO/Zn0.6Mg0.4O solution-gate field effect transistor2015

    • 著者名/発表者名
      K. Iketani, K. Koike, Y. Hirofuji, T. Maemoto, S. Sasa, M. Yano
    • 雑誌名

      IEEE Explore

      巻: IMFEDK2015 ページ: 40-41

    • DOI

      10.1109/imfedk.2015.7158539

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [雑誌論文] MgCr<sub>2</sub>O<sub>4</sub>-TiO<sub>2</sub>系P型半導体セラミックスのガス検出特性2015

    • 著者名/発表者名
      矢野満明、平原陽介、寺田二郎、佐々誠彦、大松 繁
    • 雑誌名

      電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌)

      巻: 135 号: 8 ページ: 317-322

    • DOI

      10.1541/ieejsmas.135.317

    • NAID

      130005090448

    • ISSN
      1341-8939, 1347-5525
    • 言語
      日本語
    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [雑誌論文] (Zn<sub>1</sub><sub>-<i>x</i></sub>Mg<i><sub>x</sub></i>)Cr<sub>2</sub>O<sub>4</sub>-TiO<sub>2</sub>系P型セラミックスガス感応素子の特性2014

    • 著者名/発表者名
      寺田二郎、平原陽介、大松 繁、佐々誠彦、矢野満明
    • 雑誌名

      電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌)

      巻: 134 号: 9 ページ: 308-314

    • DOI

      10.1541/ieejsmas.134.308

    • NAID

      130004684899

    • ISSN
      1341-8939, 1347-5525
    • 言語
      日本語
    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360175, KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [雑誌論文] MgCr2O4-TiO2系P型半導体セラミックスのガス検出特性2014

    • 著者名/発表者名
      平原陽介,寺田二郎,大松 繁,佐々誠彦,矢野満明
    • 雑誌名

      第31回センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム講演論文集

      巻: なし

    • NAID

      130005090448

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [雑誌論文] Zinc Oxide Ion-Sensitive Field-Effect Transistors and Biosensors2014

    • 著者名/発表者名
      Mitsuaki Yano, Kazuto Koike, Kazuya Mukai, Takayuki Onaka, Yuichi Hirofuji, Kenichi Ogata, Sigeru Omatu, Toshihiko Maemoto, Shiegehiko Sasa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (a)

      巻: A211 号: 9 ページ: 2098-2104

    • DOI

      10.1002/pssa.201300589

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360175, KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [雑誌論文] Characteristics of MoO3 films grown by molecular beam epitaxy2014

    • 著者名/発表者名
      K. Koike, R. Wada, S. Yagi, Y. Harada, S. Sasa, M. Yano
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FJ02-05FJ02

    • DOI

      10.7567/jjap.53.05fj02

    • NAID

      210000143849

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141, KAKENHI-PROJECT-25390033
  • [雑誌論文] A potentiometric immunosensor based on a ZnO field-effect transistor2014

    • 著者名/発表者名
      K. Koike, K. Mukai, T. Onaka, T. Maemoto, S. Sasa, M. Yano
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FF04-05FF04

    • DOI

      10.7567/jjap.53.05ff04

    • NAID

      210000143833

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [雑誌論文] A reflection layer for enhanced THz radiation from InAs thin films2012

    • 著者名/発表者名
      K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, K. Takayama, and M. Tonouchi
    • 雑誌名

      Proceedings of the 2012 International Meeting for Future of Electron Devices

      巻: 1 ページ: 116-117

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス用の広がり2012

    • 著者名/発表者名
      佐々, 矢野, 前元, 小池, 尾形
    • 雑誌名

      電子情報通信学会誌

      巻: 95 (4) ページ: 289-293

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [雑誌論文] 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり2012

    • 著者名/発表者名
      佐々誠彦,矢野満明,前元利彦,小池一歩,尾形健一
    • 雑誌名

      電子情報通信学会誌

      巻: 95-4 ページ: 289-293

    • NAID

      110009437460

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] 酸化亜鉛薄膜の放射線耐性2012

    • 著者名/発表者名
      矢野、小池、佐々、権田、石神、久米,
    • 雑誌名

      機能材料

      巻: 32 (12)(依頼論文) ページ: 4-11

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [雑誌論文] 室温プロセスによるフレキシブル基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製2012

    • 著者名/発表者名
      木村祐太,日垣友宏,前元利彦,佐々誠彦
    • 雑誌名

      材料

      巻: 61-9 ページ: 760-765

    • NAID

      130002084924

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano-diodes2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Kimura, T. Kiso, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
    • 雑誌名

      Proceedings of the 2012 International Meeting for Future of Electron Devices

      巻: 1 ページ: 114-115

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] 室温プロセスによるフレキシブル基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製2012

    • 著者名/発表者名
      木村祐太, 日垣友宏, 前元利彦, 佐々誠彦
    • 雑誌名

      材料

      巻: 61巻9号 ページ: 760-765

    • NAID

      130002084924

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり2012

    • 著者名/発表者名
      佐々誠彦, 矢野満明, 前元利彦, 小池一歩, 尾形健一
    • 雑誌名

      電子情報通信学会誌

      巻: 95巻4号 ページ: 289-293

    • NAID

      110009437460

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano -diodes2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Kimura, T. Kiso, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Proceedings of the 2012 International Meeting for Future of Electron Devices Kansai

      巻: 1巻 ページ: 114-115

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] A reflection layer for enhanced THz radiation from InAs thin films2012

    • 著者名/発表者名
      K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, K. Takayama, M. Tonouchi
    • 雑誌名

      Proceedings of the 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

      巻: 1巻 ページ: 116-117

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり2012

    • 著者名/発表者名
      佐々誠彦,矢野満明,前元利彦,小池一歩,尾形健一
    • 雑誌名

      電子情報通信学会誌

      巻: Vol.95-4 ページ: 289-293

    • NAID

      110009437460

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] Effects of post annealing on IZO thin-film transistor characteristics2012

    • 著者名/発表者名
      R. Morita, T. Maemoto, and S. Sasa
    • 雑誌名

      2012 Int. Mtg. for Future of Electron Devices Kansai (IMFEDK)

      ページ: 118-119

    • DOI

      10.1109/imfedk.2012.6218610

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] 高性能酸化亜鉛系 FET と酸化物デバイス応用の広がり2012

    • 著者名/発表者名
      佐々誠彦,矢野満明,前元利彦,小池一歩,尾形健一
    • 雑誌名

      電子情報通信学会誌

      巻: 95 ページ: 289-293

    • NAID

      110009437460

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用2011

    • 著者名/発表者名
      矢野満明, 小池一歩, 佐々誠彦, 前元利彦, 井上正崇
    • 雑誌名

      材料

      巻: 60 ページ: 447-456

    • NAID

      130000861066

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] 水溶液プロセスによる酸化亜鉛ナノロッドの作製とバイオセンサへの応用2011

    • 著者名/発表者名
      尾形,土橋,小池,佐々,井上,矢野
    • 雑誌名

      材料

      巻: 60 号: 11 ページ: 976-982

    • DOI

      10.2472/jsms.60.976

    • NAID

      130001396964

    • ISSN
      0514-5163, 1880-7488
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353, KAKENHI-PROJECT-22760306
  • [雑誌論文] 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用2011

    • 著者名/発表者名
      矢野満明, 小池一歩, 佐々誠彦, 前元利彦, 井上正崇
    • 雑誌名

      材料

      巻: 60 号: 5 ページ: 447-456

    • DOI

      10.2472/jsms.60.447

    • NAID

      130000861066

    • ISSN
      0514-5163, 1880-7488
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310084, KAKENHI-PROJECT-22560353, KAKENHI-PROJECT-22760306
  • [雑誌論文] Microwave performance of ZnO/ZnMgO heterostructure field effect transistors2011

    • 著者名/発表者名
      佐々誠彦
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 208 ページ: 449-452

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] 単結晶酸化亜鉛薄膜に対する8MeVプロトンの照射効果2011

    • 著者名/発表者名
      小池, 天野, 青木, 藤本, 佐々, 矢野, 權田, 石神, 久米
    • 雑誌名

      材料

      巻: 60 ページ: 988-993

    • NAID

      130001396966

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] Effects of N and P ion-implantation and post-annealing on single-crystalline ZnO films2011

    • 著者名/発表者名
      T.Aoki, R.Fujimoto, K.Koike, S.Sasa, M.Yano, S.Nagamachi, K.Yoshida
    • 雑誌名

      30th Electronic Materials Sympo

      ページ: 287-288

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulators2011

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, H. Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices

      巻: 1 ページ: 88-89

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] Flexible Zinc Oxide Thin-Film Transistors using Oxide buffer layers on Polyethylene Napthalate Substrates2011

    • 著者名/発表者名
      T.Higaki, T.Tachibana, Y.Kimura, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
    • 雑誌名

      Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices

      ページ: 92-93

    • DOI

      10.1109/imfedk.2011.5944860

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310084, KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] Microwave performance of ZnO/ZnMgO heterostructure field effect transistors2011

    • 著者名/発表者名
      S. Sasa, T. Maitani, Y. Furuya, T. Amano, K.Koike, M. Yano, and M. Inoue
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi A208

      巻: 208 号: 2 ページ: 449-452

    • DOI

      10.1002/pssa.201000509

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] Radiation-proof characteristic of ZnO/ZnMgO HFETs2011

    • 著者名/発表者名
      T.Yabe, T.Aoki, T.Higashiyama, K.Koike, S.Sasa, M.Yano, S.Gonda, R.Ishigami, K.Kume
    • 雑誌名

      Proc.of International Meeting for Future of Electron Devices

      ページ: 90-91

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] Radiation-proof characteristic ofZnO/ZnMgO HFETs2011

    • 著者名/発表者名
      T. Yabe, T. Aoki, T. Higashiyama, K. Koike, S. Sasa, M. Yano, S. Gonda, R. Ishigami, K. Kume
    • 雑誌名

      Proc. of Int. Meeting for Future of Electron Devices

      ページ: 90-91

    • DOI

      10.1109/imfedk.2011.5944859

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] 水溶液プロセスによる酸化亜鉛ナノロッドの製作とバイオセンサへの応用2011

    • 著者名/発表者名
      尾形, 土橋, 小池, 佐々, 井上, 矢野
    • 雑誌名

      材料

      巻: 60 ページ: 976-982

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] Irradiation effect of 8 MeV protons on single-crystalline zinc oxide2011

    • 著者名/発表者名
      T. Aoki, R. Fujimoto, K. Koike, S. Sasa, M.Yano, S. Gonda, R. Ishigami, and K. Kume
    • 雑誌名

      Proc. of Int. Meeting for Future of Electron Devices

      ページ: 88-89

    • DOI

      10.1109/imfedk.2011.5944858

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulator2011

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, H.Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

      巻: 1巻 ページ: 88-89

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] Effects of N and P ion-implantation and post-annealing on single-crystalline ZnO films2011

    • 著者名/発表者名
      T. Aoki, R. Fujimoto, K. Koike, S. Sasa, M.Yano, S. Nagamachi, and K. Yoshida
    • 雑誌名

      30th Electronic Materials Symposium

      ページ: 287-288

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] 単結晶酸化亜鉛薄膜に対する8MeVプロトンの照射効果2011

    • 著者名/発表者名
      小池,天野,青木,藤本,佐々,矢野,權田,石神,久米
    • 雑誌名

      材料

      巻: 60 号: 11 ページ: 988-993

    • DOI

      10.2472/jsms.60.988

    • NAID

      130001396966

    • ISSN
      0514-5163, 1880-7488
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353, KAKENHI-PROJECT-22760306
  • [雑誌論文] Irradiation effect of 8MeV protons on single-crystalline zinc oxide2011

    • 著者名/発表者名
      T.Aoki, R.Fujimoto, K.Koike, S.Sasa, M.Yano, S.Gonda, R.Ishigami, K.Kume
    • 雑誌名

      Proc.of International Meeting for Future of Electron Devices

      ページ: 88-89

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] Flexible zinc oxide thin-film transistors using oxide buffer layers on polyethylene napthalate Substrates2011

    • 著者名/発表者名
      T.Higaki, T.Tachibana, Y.Kimura, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
    • 雑誌名

      Proc.of International Meeting for Future of Electron Devices

      ページ: 92-93

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [雑誌論文] Electron transport properties in InAs four-terminal ballistic junctions under weak magnetic fields2009

    • 著者名/発表者名
      M. Kovama, K. Fujiwara, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. lnoue
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) (印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Nonlinear electron transport properties in InAs/AIGaSb three-terminal ballistic junctions2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, K. Fujiwara, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Technical report of IEICE. Vol.107, No.473-474

      ページ: 29-32

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue,
    • 雑誌名

      J. of Physics: Conf. Ser. 109 012023

      ページ: 1-3

    • NAID

      110006613703

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron "Transport Properties and Rectification Effects in InAs/AlGaSb Ballistic Devices"2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto,S. Sasa, and M. Inoue
    • 雑誌名

      phys. Stat. sol. c 5

      ページ: 107-110

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] InAs/AlGaSb HEMTs with Al_2O_3 and HfO_2 Gate Insulators2008

    • 著者名/発表者名
      K. Fuiiwara, N, Amano, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Proc. of the 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

      ページ: 73-74

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Nonlinear electron transport in InAs/AlGaSb three-terminal ballistic junctions2008

    • 著者名/発表者名
      M Koyama, T Inoue, N Amano, T Maemoto, S Sasa and M.Inoue
    • 雑誌名

      Journal of Phys 109

      ページ: 120231-4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AIGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2008

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, T.Inoue, N.Amano, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
    • 雑誌名

      J.of Physics:Conf.Ser. 109

      ページ: 12023-12026

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      J. of Physics : Conf. Ser. 109

      ページ: 12023-12023

    • NAID

      110006613703

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in lnAsIAlGaSb Ballistic Devices2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(c) 5

      ページ: 107-110

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in InAs/AIGaSb Ballistic Devices2008

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, T.Inoue, N.Amano, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) 5

      ページ: 107-110

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] InAs/AlGaSb HEMTs with Al_2O_3 and HfO_<2 >Gate Insulators2008

    • 著者名/発表者名
      K. Fujiwara, N, Amano, M. Koyama, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue,
    • 雑誌名

      Proc. Of the 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai c

      ページ: 73-74

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties in lnAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      J. of Physics: Conf. Ser. 109

      ページ: 12023-12026

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in InAs/AIGaSb Ballistic Devices2008

    • 著者名/発表者名
      M. Kovama, T. lnoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. lnoue
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 5

      ページ: 107-110

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Field characteristjcs of eiectron mobility and velocity in lnAs/AlGaSb HFETs with high-kgate insulators2007

    • 著者名/発表者名
      T.Maemoto, M.Koyama, H.Takahashi, S.Sasa, and M.Inoue
    • 雑誌名

      American Inst.of Phys.Conf.Proc 893

      ページ: 1391-1392

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Ballistic rectification effects in lnAs/AlGaSb nanostructures2007

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      AlP conference proceeding 893

      ページ: 577-578

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Investigation of Sb-Based Diode Structures for Detecting Subterahertz Waves2007

    • 著者名/発表者名
      T. lnoue, N. Amano, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Memoirs of the Osaka Inst. of Tech, Ser, A 52

      ページ: 25-30

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Field characteristics of electron mobility and veloclty in InAs/AlGaSb HFETs with high-kgate insulators2007

    • 著者名/発表者名
      T.Maemoto, M.Koyama, H.Takahashi, S.Sasa, and M.Inoue
    • 雑誌名

      American Inst.of Phys.Conf.Proc 893

      ページ: 1391-1392

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Improved Stability of High-Performance ZnO/ZnMgO Hetero.MISFETs2007

    • 著者名/発表者名
      S.Sasa, T.Hayafuji, M.Kawasaki, K.Koike, M.Yano, M.Inoue
    • 雑誌名

      Electron Device Letters, IEEE 28

      ページ: 543-545

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Ballistic rectification effects in InAs/AlGaSb nanostructures2007

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa, and M.Inoue
    • 雑誌名

      American Inst.of Phys.Conf.Proc 893

      ページ: 577-578

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Ballistic rectification effects in InAs/AIGaSb nanostructures2007

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa, and M.Inoue
    • 雑誌名

      American Inst.of Phys.Conf.Proc 893

      ページ: 577-578

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Field characteristics of electron mobility and velocity in InAs/AIGaSb HFETs with high-k gate insulators2007

    • 著者名/発表者名
      T. Maemoto, M. Koyama, H. Takahashi, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      AlP conference proceeding 893

      ページ: 1391-1392

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves2007

    • 著者名/発表者名
      H. Takahashi, T. lnoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Memoirs of the Osaka Inst. of Tech, Ser. A 51

      ページ: 15-19

    • NAID

      110006162463

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Ballistic transport and rectification effects in lnAs/AlGaSb mesoscopic stricture2007

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, H. Takahashi, T. Inoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Technical report of IEICE. Vol.106, No.520-521

      ページ: 67-71

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertzwaves2007

    • 著者名/発表者名
      H.Takahashi, T.Inoue, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
    • 雑誌名

      Proc. of the 2007 International Meeting for Future of Electron Devices 5

      ページ: 81-82

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] High-Performance ZnO/ZnMgO Field-Effect Transistors using a Hetero-Metal-Insulator-Semiconductor Structure2006

    • 著者名/発表者名
      S.Sasa, M.Ozaki, K.Koike, M.Yano, M.Inoue
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. vol.89

      ページ: 53502-53504

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves2006

    • 著者名/発表者名
      H.Takahashi, T.Inoue, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
    • 雑誌名

      Memories of the Osaka Institute of Technology,Series A Vol.51

      ページ: 15-19

    • NAID

      110006162463

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Nonlinear electron transport properties in InAs/AIGaSb ballistic rectifiers2006

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Proc. of Int. Mtg. on Future Electron Devices Kansai 2006

      ページ: 85-86

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Fabrication and Characterization of InAs Mesoscopic Devices2006

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, M.Furukawa, H.Ishii, M.Nakai, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
    • 雑誌名

      Springer Proceedings in Physics Vol.110

      ページ: 7-10

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Electron transport in InAs field effect and mesoscopic devices2006

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, M.Furukawa, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
    • 雑誌名

      Proc.of 12th Int.Conf.on Narrow Gap Semicond.,Inst.Phys.Conf.Ser. Vol.187

      ページ: 445-449

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Electron transport in InAs/AlGaSb ballistic rectifiers2006

    • 著者名/発表者名
      T.Maemoto, M.Koyama, M.Furukawa, H.Takahashi, S.Sasa, M.Inoue
    • 雑誌名

      Journal of Physics Conference Series Vol.38

      ページ: 112-115

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Nonlinear electron Transport properties in InAs/AlGaSb Ballistic Rectifiers2006

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
    • 雑誌名

      Proc. of the 2006 International Meeting for Future of Electron Devices,Kansai

      ページ: 85-86

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves2006

    • 著者名/発表者名
      H. Takahashi, T. lnoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Technical report of IEICE. Vol.106, No.403

      ページ: 19-22

    • NAID

      110006162463

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Electron transport properties in InAs four-terminal ballistic junctions under weak magnetic fields

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, K. Fujiwara, N. Amano, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue,
    • 雑誌名

      phys. Stat. sol.c 印刷中

      ページ: 0-0

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] InGaSb/InAs ヘテロ接合を用いた高強度テラヘ ルツ放射素子の研究( II)2022

    • 著者名/発表者名
      高木 善之、長谷川 尊之、小山 政俊、前元 利彦、佐々 誠彦
    • 学会等名
      応用物理学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04540
  • [学会発表] Impact of optical absorption for THz radiation in GaSb/InAs heterostructures2020

    • 著者名/発表者名
      R. Ohashi; D. Shimada; M. Koyama; T. Maemoto; S. Sasa; F. Murakami; H. Murakami; M. Tonouchi
    • 学会等名
      2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04540
  • [学会発表] Nonuniform Carrier Heating Induced Nonlinear Electron Transport Properties in Asymmetrically Necked InAs Mesa Structures2020

    • 著者名/発表者名
      Ryota Ohashi, Daichi Shimada, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, and Shigehiko Sasa
    • 学会等名
      238th Meeting of The Electrochemical Society
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04540
  • [学会発表] Development of terahertz optical sources for an excitation wavelength of 1.56 μm2020

    • 著者名/発表者名
      Daichi Shimada; Ryota Ohashi; Masatoshi Koyama; Toshihiko Maemoto; Shigehiko Sasa; Kosuke Okada; Hironaru Murakami; Masayoshi Tonouchi
    • 学会等名
      2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04540
  • [学会発表] Terahertz Radiation Characteristics of GaSb/InAs Heterostructures2019

    • 著者名/発表者名
      S. Sasa, R. Ohashi, D. Shimada, M. Koyama, T. Maemoto, I. Kawayama, and M. Tonouchi
    • 学会等名
      Int. Conf. on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04540
  • [学会発表] GaSb/InAsヘテロ接合を用いたテラヘルツ波の放射強度増強の検討 II2018

    • 著者名/発表者名
      巽 雅史,木下耀平,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,寳田智哉,川山 巌,斗内政吉
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06326
  • [学会発表] Enhanced Terahertz Radiation from GaSb/InAs Heterostructures2018

    • 著者名/発表者名
      S. Sasa, M. Tatsumi, Y. Kinoshita, M. Koyama, T. Maemoto, I. Kawayama, and M. Tonouchi
    • 学会等名
      43 rd Int. Conf. on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06326
  • [学会発表] GaSb/InAsヘテロ接合を用いたテラヘルツ波の放射強度増強の検討 II2018

    • 著者名/発表者名
      巽 雅史,木下耀平,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,寶田智哉,川山 巌,斗内政吉
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06326
  • [学会発表] GaSb/InAsヘテロ接合を用いたテラヘルツ波の放射強度増強の検討2017

    • 著者名/発表者名
      木下耀平,巽 雅史,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,濱内 翔太,川山 巌,斗内政吉
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜,神奈川県
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06326
  • [学会発表] GaSb/InAsヘテロ接合を用いたテラヘルツ放射素子の検討2017

    • 著者名/発表者名
      木下 耀平,巽 雅史,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,寳田智哉,川山 巌,斗内政吉
    • 学会等名
      材料学会平成29年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06326
  • [学会発表] Glucose sensing by an enzyme-modified ZnO-based FET2016

    • 著者名/発表者名
      M. Yano, Y. Mori, S. Sasa, Y. Hirofuji, K. Koike
    • 学会等名
      30th EUROSENSORS
    • 発表場所
      Budapest, Hungary
    • 年月日
      2016-09-05
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] A potentiometric glucose sensor based on an enzyme-modified Ta2O5/ZnO/ZnMgO solution-gate field-effect transistor2015

    • 著者名/発表者名
      K. Iketani, K. Koike, Y. Hirofuji, T. Maemoto, S. Sasa, M. Yano
    • 学会等名
      13th Int. Mtg. for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2015-06-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] ゾルゲル成膜したZnO薄膜の乾燥温度依存性とTFTへの応用2015

    • 著者名/発表者名
      川上祐貴、尾形健一、小山政俊、前元利彦、佐々誠彦
    • 学会等名
      日本材料学会平成27年度半導体エレクトロニクス部門第2回研究会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス、京都市
    • 年月日
      2015-11-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] MgCr2O4-TiO2系P型半導体セラミックスのガス検出特性2014

    • 著者名/発表者名
      平原陽介,寺田二郎,大松 繁,佐々誠彦,矢野満明
    • 学会等名
      日本材料学会半導体エレクトロニクス部門,平成26年度第2回研究会
    • 発表場所
      神戸大学
    • 年月日
      2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] InAs/AlGaSbヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長と高誘電率ゲート材料を用いたHFETの製作2013

    • 著者名/発表者名
      森口航平,西坂和一,前元利彦,尾形健一,佐々誠彦
    • 学会等名
      2013年春季第60回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学,神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Rectification effects in ZnO-based self-switching nanodiodes toward transparent flexible electronics2013

    • 著者名/発表者名
      T. Maemoto, Y. Kimura, Y.Sun, S., S. Sasa
    • 学会等名
      18^<th> International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
    • 発表場所
      Matsue, Shimane, Japan
    • 年月日
      2013-07-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] InAs/AlGaSbヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長と高誘電率ゲート材料を用いたHFETの製作2013

    • 著者名/発表者名
      森口航平, 西坂和一, 前元利彦, 尾形健一, 佐々誠彦
    • 学会等名
      2013年春期第60回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      神奈川県厚木市
    • 年月日
      2013-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] 新対向ターゲット式スパッタ法によるTa205/Zn0 : Inヘテロ構造膜の作製と高感度pHセンサーへの応用2013

    • 著者名/発表者名
      向井、大仲、小池、前元、佐々、矢野、門倉、中光
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学、神奈川県
    • 年月日
      2013-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] Crystal growth of InAs/AlGaSb heterostructures by molecular beam epitaxy and fabrication of InAs HFETs using Ni/Au alloy ohmic metal2013

    • 著者名/発表者名
      K. Moriguchi, T.Maemoto, K. Ogata, S.Sasa
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Pulsed laser deposition of low resistivity transparent conducting Al-doped ZnO films at room temperature and its transparent thin-film transistor applications2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Sun, Y. Kimura, T. Maemoto, S. Sasa
    • 学会等名
      12^<th> International Conference on Laser Ablation
    • 発表場所
      Ischia, Italy
    • 年月日
      2013-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] 高誘電率ゲート材料を用いたInAs/AlGaSbヘテロ構造トランジスタの作製と半導体/ゲート界面の改善2013

    • 著者名/発表者名
      森口航平, 前元利彦, 尾形健一, 佐々誠彦
    • 学会等名
      平成25年電気関係学会関西連合大会
    • 発表場所
      大阪府寝屋川市
    • 年月日
      2013-11-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Electron transport properties in self switching nano-diodes2012

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
    • 学会等名
      APS March meeting 2012
    • 発表場所
      Boston, Massachusetts, USA
    • 年月日
      2012-02-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Microwave Performance ofZnO/ZnMgO HFETs2012

    • 著者名/発表者名
      S. Sasa
    • 学会等名
      Int. Symp. onCompound Semiconductors
    • 発表場所
      Takamatsu
    • 年月日
      2012-06-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [学会発表] Effects of post annealing on IZO thin-film transistor characteristics2012

    • 著者名/発表者名
      R. Morita, T. Maemoto, and S. Sasa
    • 学会等名
      2012 Int. Mtg. for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    • 発表場所
      Osaka
    • 年月日
      2012-05-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [学会発表] Electron transport properties in self switching nano-diodes2012

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
    • 学会等名
      APS March Meeting 2012
    • 発表場所
      ボストンコンベンションセンター(アメリカ)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] 分子線エピタキシー法によるInAs/AlGaSbヘテロ構造の結晶成長と高誘電率ゲート材料を用いた電界効果トランジスタの作製2012

    • 著者名/発表者名
      森口航平, 西坂和一, 前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇
    • 学会等名
      平成24年電気関係学会関西連合大会
    • 発表場所
      大阪府吹田市
    • 年月日
      2012-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano-diodes2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Kimura, T. Kiso, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
    • 学会等名
      2012 Int. Mtg. for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    • 発表場所
      Kansai University Centenary Memorial Hall, Osaka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] 分子線エピタキシー法によるInAs/AlGaSbヘテロ構造の結晶成長と高誘電率ゲート材料を用いた電界効果トランジスタの作製2012

    • 著者名/発表者名
      森口航平,西坂和一,前元利彦,佐々誠彦,井上正崇
    • 学会等名
      平成24年電気関係学会関西連合大会
    • 発表場所
      関西大学100周年記念会館,大阪
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] フレキシブル酸化亜鉛透明薄膜トランジスタの開発2012

    • 著者名/発表者名
      孫屹,木村祐太,前元利彦,佐々誠彦
    • 学会等名
      電気材料技術懇談会
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2012-07-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [学会発表] Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano-diodes2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Kimura, T. Kiso, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Suita, Osaka, Japan
    • 年月日
      2012-05-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Rectification Effects of ZnO-based Transparent Nano-diodes on Glass and Flexible Plastic Substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Kimura, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa , S. Kasai and M. Inoue
    • 学会等名
      25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Kobe Meriken Park Oriental Hotel, Kobe, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] 新対向ターゲット式スパッタ法による単結晶ZnO薄膜のエピタキシャル成長2012

    • 著者名/発表者名
      田辺、向井、小池、前元、佐々、矢野、門倉、中光
    • 学会等名
      第73回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学、愛媛県
    • 年月日
      2012-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] A reflection layer for enhanced THz radiation from InAs thin films2012

    • 著者名/発表者名
      K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, K. Takayama, and M. Tonouchi
    • 学会等名
      2012 Int. Mtg. for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    • 発表場所
      Kansai University Centenary Memorial Hall, Osaka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] A reflection layer for enhanced THz radiation from InAs thin films2012

    • 著者名/発表者名
      K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, K. Takayama, M. Tonouchi
    • 学会等名
      2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Suita, Osaka, Japan
    • 年月日
      2012-05-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Rectification Effects of ZnO-based Transparent Nano-diodes on Glass and Flexible Plastic Substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Kimura, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
    • 学会等名
      25^<th> International Microprocess and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Kobe, Hyogo, Japan
    • 年月日
      2012-10-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Fabrication and transport properties in InAs-based self switching nano-diodes2011

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
    • 学会等名
      24th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      ANAホテル京都(京都府)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulators2011

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, H. Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices
    • 発表場所
      関西大学(大阪府)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Zinc oxide-based biosensors2011

    • 著者名/発表者名
      M.Yano, K.Koike, K.Ogata, T.Nogami, S.Tanabe, S.Sasa
    • 学会等名
      16^<th> Semiconducting and insulating Materials Conference (SIMC)
    • 発表場所
      Stockholm, Sweden
    • 年月日
      2011-06-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [学会発表] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulator2011

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, H.Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Suita, Osaka, Japan
    • 年月日
      2011-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Fabrication and transport properties in InAs-based self switching nano-diodes2011

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
    • 学会等名
      24^<th> Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2011-10-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Microwave Performance of ZnO/ZnMgO HFETs2010

    • 著者名/発表者名
      佐々誠彦
    • 学会等名
      Int.Symp.on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      高松シンボルタワー(高松市)(招待講演)
    • 年月日
      2010-06-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [学会発表] 高誘電率材料を用いたInAs/AlGaSb HEMT の作製と評価2008

    • 著者名/発表者名
      藤原健司,塩路真広,天野直樹,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,井上正崇
    • 学会等名
      2008 年秋季第70 回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] Fabrication and characterization of InAs/AlGaSb HEMTs with high-k gate insulators2008

    • 著者名/発表者名
      T. Maemoto, K. Fujiwara, T. Inoue, N. Amano, M. Koyama, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      APS March Meeting 2008
    • 発表場所
      New Orleans, USA
    • 年月日
      2008-03-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Electron transport properties in InAs four-terminal ballistic junctions under weak magnetic fields2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, K. Fujiwara, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Lnoue
    • 学会等名
      34th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Rust, Germany
    • 年月日
      2008-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] 高誘電率材料を用いたInAs/AIGaSb HEMTの作製と評価2008

    • 著者名/発表者名
      藤原健司, 塩路真広, 天野直樹, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇
    • 学会等名
      2008年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] InAs/AlGaSb HEMTs with Al_2O_3 and HfO_2 Gate Insulators2008

    • 著者名/発表者名
      K. Fujiwara, N, Amano, M. Koyama, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
    • 学会等名
      2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      大阪大学中ノ島センター
    • 年月日
      2008-05-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] Electron transport properties in InAs four-terminal ballistic junctions under weak magnetic fields2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, K. Fujiwara, N. Amano, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
    • 学会等名
      34th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Rust,Germany
    • 年月日
      2008-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] Nonlinear Electron Transport properties in lnAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2007

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, T.Inoue, N.Amano, T.Maemoto, S.Sasa, and M.Inoue
    • 学会等名
      International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology 2007
    • 発表場所
      Waikaloa,Hawaii,USA
    • 年月日
      2007-12-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves2007

    • 著者名/発表者名
      H. Takahashi, T. Inoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      Int. Mtg. on Future Electron Devices Kansai 2007
    • 発表場所
      Osaka Univ., Japan
    • 年月日
      2007-04-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Ballistic rectification in four-terminal InAs/AlGaSb nanostructures2007

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, H. Takahashi, T. Inoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      APS March Meeting 2007
    • 発表場所
      Denver, USA
    • 年月日
      2007-03-07
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in InAs/AlGaSb Ballistic Devices2007

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. lnoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      15th Int. Conf. on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors
    • 発表場所
      Tokyo Univ., Japan
    • 年月日
      2007-07-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] InAs/AlGaSb量子細線を有するT字型3分岐構造における電子輸送特性2007

    • 著者名/発表者名
      小山 政俊, 中島 貴史, 井上 達也, 天野 直樹, 前元 利彦, 佐々 誠彦, 井上 正崇
    • 学会等名
      2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学,北海道
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] Fabrication and Characrerization of Sb-Based Diode structures for Detecting Subterahertz Waves2007

    • 著者名/発表者名
      T.Inoue, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
    • 学会等名
      2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Osaka,Japan
    • 年月日
      2007-04-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] Fabrication and Characterization of Sb-Based Diode structures for Detecting Subterahertz Waves2007

    • 著者名/発表者名
      T.Inoue, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
    • 学会等名
      2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Osaka,Japan
    • 年月日
      2007-04-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2007

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. lnoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2007-12-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves(2)2007

    • 著者名/発表者名
      T. Inoue, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. lnoue
    • 学会等名
      JSAP Annual meeting
    • 発表場所
      Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2007-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Field characteristics of electron mobility and velocity in InAs/AlGaSb HFETs with high-k gate insulators2006

    • 著者名/発表者名
      T. Maemoto, M. Koyama, H. Takahashi, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      Int. Conf. on Phys. of Semicond.
    • 発表場所
      Wien, Austria
    • 年月日
      2006-07-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Ballistic Rectification effects in InAs/AlGaSb Nano-structures2006

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      Int. Conf. on Phys. of Semicond.
    • 発表場所
      Wien, Austria
    • 年月日
      2006-07-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Fabricatior and characterization of Sb-based diode structures for detectinc, subterahertz waves2006

    • 著者名/発表者名
      H. Takahashi, T. Inoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      IEICE Technical meetings
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2006-12-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Nonlinear electron transport properties in InAs/AlGaSb ballistic rectifiers2006

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      Int. Mtg. on Future Electron Devices Kansai 2006
    • 発表場所
      Kyoto Univ., Japan
    • 年月日
      2006-04-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] ZnO溶液ゲート電界効果トランジスタを用いた免疫センサの作製と評価

    • 著者名/発表者名
      大仲崇之、池谷 謙、広藤裕一、小池一歩、前元利彦、佐々誠彦、矢野満明
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] ZnO Devices: Current and Future

    • 著者名/発表者名
      S. Sasa, M. Yano, K. Koike, T. Maemoto, K. Ogata
    • 学会等名
      Asia Pacific Microwave Conference Workshop 2014
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2014-11-04 – 2014-11-07
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] Characteristics of MoO3 films grown by molecular beam epitaxy

    • 著者名/発表者名
      R. Wada, S. Yagi, K. Koike, Y. Harada, S. Sasa, M. Yano
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] ZnO溶液ゲート電界効果トランジスタを用いたバイオセンサの開発

    • 著者名/発表者名
      大仲崇之,池谷謙,小池一歩,広藤裕一,前元利彦,佐々誠彦,矢野満明
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] 高誘電率ゲート材料を用いたInAs/AlGaSbヘテロ構造トランジスタの作製と半導体/ゲート界面の改善

    • 著者名/発表者名
      森口航平,前元利彦,尾形健一,佐々誠彦
    • 学会等名
      平成25年電気関係学会関西連合大会
    • 発表場所
      大阪電気通信大学寝屋川キャンパス,大阪府寝屋川市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Pulsed laser deposition of low resistivity transparent conducting Al-doped ZnO films at room temperature and its transparent thin-film transistor applications

    • 著者名/発表者名
      Y. Sun, Y. Kimura, T. Maemoto and S. Sasa
    • 学会等名
      12th International Conference on Laser Ablation
    • 発表場所
      Hotel Continental, Ischia, Italy
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] MgCr2O4-TiO2系P型半導体セラミックスのガス検出特性

    • 著者名/発表者名
      平原陽介,寺田二郎,大松 繁,佐々誠彦,矢野満明
    • 学会等名
      第31回センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム
    • 発表場所
      松江
    • 年月日
      2014-10-20 – 2014-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] Crystal growth of InAs/AlGaSb heterostructures by molecular beam epitaxy and fabrication of InAs HFETs using Ni/Au alloy ohmic metal

    • 著者名/発表者名
      K. Moriguchi, T. Maemoto, K. Ogata and S. Sasa
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] 酸化亜鉛系電界効果トランジスターを用いたグルコースセンサーの作製と評価

    • 著者名/発表者名
      池谷謙,小池一歩,広藤裕一,前元利彦,佐々誠彦,矢野満明
    • 学会等名
      第62回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] Potentiometric immunosensors based on a ZnO field-effect transistor

    • 著者名/発表者名
      K. Mukai, T. Onaka, K. Koike, T. Maemoto, S. Sasa, M. Yano
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] Zinc oxide ion-sensitive field-effect transistors and biosensors

    • 著者名/発表者名
      M. Yano, K. Koike, K. Mukai, T. Onaka, Y. Hirofuji, K. Ogata, S. Omatu, T. Maemoto, S. Sasa
    • 学会等名
      European Materials Research Society 2013 Fall Meeting
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] サファイア基板上にMBE成長したMoO3薄膜の結晶構造評価

    • 著者名/発表者名
      八木信治、松尾昌幸、小池一歩、原田義之、佐々誠彦、矢野満明、稲葉勝彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] Effects of post annealing on IZO thin-film transistor characteristics

    • 著者名/発表者名
      R. Morita, T. Maemoto, and S. Sasa
    • 学会等名
      2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      関西大学100周年記念会館(大阪)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [学会発表] フレキシブル酸化亜鉛透明薄膜トランジスタの開発

    • 著者名/発表者名
      孫屹,木村祐太,前元利彦,佐々誠彦
    • 学会等名
      電気材料技術懇談会
    • 発表場所
      大阪市中央電気倶楽部(大阪)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560353
  • [学会発表] ゾルゲル成膜した酸化亜鉛薄膜の乾燥温度依存性とTFT特性

    • 著者名/発表者名
      川上祐貴,大東隆文,尾形健一,前元利彦,佐々誠彦
    • 学会等名
      第62回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • [学会発表] Rectification effects in ZnO-based self-switching nanodiodes toward transparent flexible electronics

    • 著者名/発表者名
      T. Maemoto, Y. Kimura, Y. Sun, S. Kasai, and S. Sasa
    • 学会等名
      18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
    • 発表場所
      Shimane Prefectural Convention Center "Kunibiki Messe", Matsue, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Growth of a sputtered Ta2O5/ZnO film and its application to an ion-sensitive field-effect transistor

    • 著者名/発表者名
      K. Mukai, T. Onaka, K. Koike, T. Maemoto, S. Sasa, M. Yano
    • 学会等名
      IEEE 2013 Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Osaka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360141
  • 1.  井上 正崇 (20029325)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 67件
  • 2.  前元 利彦 (80280072)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 94件
  • 3.  矢野 満明 (40200563)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 22件
  • 4.  小山 政俊 (30758636)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 13件
  • 5.  小池 一歩 (40351457)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 18件
  • 6.  筒井 博司 (00351453)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  大松 繁 (30035662)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 5件

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