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井上 正崇  INOUE Masataka

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

井上 正嵩

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研究者番号 20029325
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2011年度 – 2013年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授
2006年度 – 2008年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授
1998年度 – 2001年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授
1996年度 – 2000年度: 大阪工業大学, 電気工学科, 教授
1994年度 – 1996年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授 … もっと見る
1989年度 – 1992年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授
1990年度: 大阪工業大学, 教授
1990年度: 大阪工業大学, 工学部
1986年度 – 1987年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授
1985年度: 大阪工業大学, 工, 助教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
計測工学 / 応用物性
研究代表者以外
電子デバイス・機器工学 / 電子デバイス・電子機器
キーワード
研究代表者
ヘテロ接合 / 量子効果 / InAs / AlGaSb / MBE / ヘテロ構造 / メゾスコピック構造 / ballistic / curvature / negative resistance … もっと見る / heterostructure / diode / sub-terahertz / terahertz / 二乗検波 / lnAs / 量子井戸構造 / AlSb / バリスティック / 検出感度 / 負性抵抗 / AIGaSb / ダイオード / サブテラヘルツ / テラヘルツ / High speed Device / Heterostructure / 分子線エピタキシ- / 高速電子輸送 / 高速デバイス / フォノン / 2次元電子 / 1次元電子 / インジウム砒素 / 擬1次元電子輸送 / メゾスコピックデバイス / インジウムヒ素 / 低次元電子輸送 … もっと見る
研究代表者以外
InAs / AlGaSb / 量子細線 / spin-splitting / SPIN-FET / クロライド法 / トランジスタ / 有機伝導体 / Rashba effect / spin・splitting / SPIN・FET / spin-slitting / Rashba効果 / type-II heterostructure / single electron devices / AFM oxidation / atomic force microscope / quantum effect devices / バンド間トンネル / 共鳴トンネル / 原子間力顕微鏡 / タイプII / 単一電子デバイス / AFM酸化 / 原子間力顕微鏡(AFM) / 量子効果デバイス / SET modeling / Photon assisted tunneling / Binary decision diagram / SOI-MOS device / Quantum dot detector / Single electron memory / Quantum dot / Single electron transistor / トンネル現象 / インジウム砒素(InAs) / 単電子トランジスタ(SET) / 分割ゲート構造 / テラヘルツ光 / 帯電効果 / 量子箱 / 単電子素子 / 単電子回路シミュレータ / 非対照ターンスケール / 単電子FETメモリー / シングルエレクトロン多数決論理システム / InAs系 / InAs量子ドット / サブバンド間遷移 / 単電子多数決論理システム / 単電子回路シュミレーター / 非対称ターンスケール / SET寸法スケーリング / FETメモリー / ヘテロ接合界面・表面層原子配列 / EL2欠陥 / ホット・エレクトロン輸送 / 2次元電子ガス / 表面保護膜 / 広バンド・ギャップ化合物半導体 / 混晶半導体表面安定化 / 欠陥分布 / レーザーCVD / 表面準位密度 / ホット・ルミネッセンス / 有効質量 / High-kゲート絶縁膜 / InAsヘテロ構造 / 高速・低消費電力 / セルフスイッチングダイオード / High-kゲート / III-V MOSFET / ヘテロ接合トランジスタ / 高速・低消費電力素子 / 高誘電率ゲート / インジウムヒ素 / 半導体ヘテロ構造 / MOSFET / 化合物半導体 / 整流特性 / 量子ポイントコンタクト / High-k / 量子ナノ構造 / テラヘルツ波 / AIGaSbヘテロ構造 / 回路応用 / 磁気抵抗 / 3分岐構造 / 整流効果 / AlGaSb ヘテロ構造 / 整流デバイス / バリスティック / 量子化コンダクタンス / 微粒子 / アンダーソン局在 / 量子ホール効果 / 電荷KTB転移 / エッジ電流 / 2次元電子系 / 量子ホ-ル効果 / 非局所抵抗 / バリスティック伝導 / メゾスコピック / STM / AB効果 / エッジ状態 / 量子化ホ-ル効果 / 超格子 / 非局所的量子伝導 隠す
  • 研究課題

    (16件)
  • 研究成果

    (67件)
  • 共同研究者

    (20人)
  •  Si基板上III-V族半導体/High-kゲートを用いた新構造トランジスタの開発

    • 研究代表者
      前元 利彦
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  半導体量子ナノ構造を用いた超高感度テラヘルツ波計測技術の開発

    • 研究代表者
      前元 利彦
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  極薄超格子構造中のサブバンド間遷移を利用した小型波長可変テラヘルツ波検出器の開発研究代表者

    • 研究代表者
      井上 正崇
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      計測工学
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  InAs系ヘテロ接合によるスピンエレクトロニクスデバイスの開発

    • 研究代表者
      佐々 誠彦
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  InAs系ヘテロ接合を用いた室温量子効果デバイスの開発

    • 研究代表者
      佐々 誠彦
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用研究代表者

    • 研究代表者
      井上 正崇
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  単電子デバイスの創出とその回路・アーキテクチャの検討

    • 研究代表者
      榊 裕之
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1999
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用研究代表者

    • 研究代表者
      井上 正崇
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用研究代表者

    • 研究代表者
      井上 正崇
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  量子干渉効果ディバイスの基礎

    • 研究代表者
      邑瀬 和生
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  量子干渉効果ディバイスの基礎

    • 研究代表者
      邑瀬 和生
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  量子干渉効果ディバイスの基礎

    • 研究代表者
      邑瀬 和生
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  ポリタイプへテロ構造における2次元電子・正孔分布の制御とデバイス応用研究代表者

    • 研究代表者
      井上 正崇
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  混晶の物性とその制御・設計に関する研究

    • 研究代表者
      犬石 嘉雄
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      近畿大学
  •  混晶の物性とその制御・設計に関する研究

    • 研究代表者
      犬石 嘉雄
    • 研究期間 (年度)
      1986
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      近畿大学
  •  半導体2次元電子ガスと超高周波音波との相互作用研究代表者

    • 研究代表者
      井上 正崇
    • 研究期間 (年度)
      1985
    • 研究種目
      特定研究
    • 研究機関
      大阪工業大学

すべて 2012 2011 2008 2007 2006 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書

  • [図書] 高周波半導体材料・デバイスの新展開2006

    • 著者名/発表者名
      佐々誠彦, 井上正崇
    • 総ページ数
      12
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [図書] 高周波半導体材料・デバイスの新展開(第11編, 第1章 2.InAs系ヘテロ接合デバイスとMBE成長技術)2006

    • 著者名/発表者名
      佐々 誠彦, 井上 正崇
    • 総ページ数
      12
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano-diodes2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Kimura, T. Kiso, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
    • 雑誌名

      Proceedings of the 2012 International Meeting for Future of Electron Devices

      巻: 1 ページ: 114-115

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano -diodes2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Kimura, T. Kiso, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Proceedings of the 2012 International Meeting for Future of Electron Devices Kansai

      巻: 1巻 ページ: 114-115

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulators2011

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, H. Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices

      巻: 1 ページ: 88-89

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulator2011

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, H.Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

      巻: 1巻 ページ: 88-89

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in InAs/AIGaSb Ballistic Devices2008

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, T.Inoue, N.Amano, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) 5

      ページ: 107-110

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Nonlinear electron transport properties in InAs/AIGaSb three-terminal ballistic junctions2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, K. Fujiwara, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Technical report of IEICE. Vol.107, No.473-474

      ページ: 29-32

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] InAs/AlGaSb HEMTs with Al_2O_3 and HfO_<2 >Gate Insulators2008

    • 著者名/発表者名
      K. Fujiwara, N, Amano, M. Koyama, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue,
    • 雑誌名

      Proc. Of the 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai c

      ページ: 73-74

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue,
    • 雑誌名

      J. of Physics: Conf. Ser. 109 012023

      ページ: 1-3

    • NAID

      110006613703

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      J. of Physics : Conf. Ser. 109

      ページ: 12023-12023

    • NAID

      110006613703

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in lnAsIAlGaSb Ballistic Devices2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(c) 5

      ページ: 107-110

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron "Transport Properties and Rectification Effects in InAs/AlGaSb Ballistic Devices"2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto,S. Sasa, and M. Inoue
    • 雑誌名

      phys. Stat. sol. c 5

      ページ: 107-110

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] InAs/AlGaSb HEMTs with Al_2O_3 and HfO_2 Gate Insulators2008

    • 著者名/発表者名
      K. Fuiiwara, N, Amano, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Proc. of the 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

      ページ: 73-74

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties in lnAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      J. of Physics: Conf. Ser. 109

      ページ: 12023-12026

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Nonlinear electron transport in InAs/AlGaSb three-terminal ballistic junctions2008

    • 著者名/発表者名
      M Koyama, T Inoue, N Amano, T Maemoto, S Sasa and M.Inoue
    • 雑誌名

      Journal of Phys 109

      ページ: 120231-4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AIGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2008

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, T.Inoue, N.Amano, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
    • 雑誌名

      J.of Physics:Conf.Ser. 109

      ページ: 12023-12026

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Field characteristjcs of eiectron mobility and velocity in lnAs/AlGaSb HFETs with high-kgate insulators2007

    • 著者名/発表者名
      T.Maemoto, M.Koyama, H.Takahashi, S.Sasa, and M.Inoue
    • 雑誌名

      American Inst.of Phys.Conf.Proc 893

      ページ: 1391-1392

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Ballistic transport and rectification effects in lnAs/AlGaSb mesoscopic stricture2007

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, H. Takahashi, T. Inoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Technical report of IEICE. Vol.106, No.520-521

      ページ: 67-71

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Ballistic rectification effects in lnAs/AlGaSb nanostructures2007

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      AlP conference proceeding 893

      ページ: 577-578

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertzwaves2007

    • 著者名/発表者名
      H.Takahashi, T.Inoue, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
    • 雑誌名

      Proc. of the 2007 International Meeting for Future of Electron Devices 5

      ページ: 81-82

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Investigation of Sb-Based Diode Structures for Detecting Subterahertz Waves2007

    • 著者名/発表者名
      T. lnoue, N. Amano, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Memoirs of the Osaka Inst. of Tech, Ser, A 52

      ページ: 25-30

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Field characteristics of electron mobility and veloclty in InAs/AlGaSb HFETs with high-kgate insulators2007

    • 著者名/発表者名
      T.Maemoto, M.Koyama, H.Takahashi, S.Sasa, and M.Inoue
    • 雑誌名

      American Inst.of Phys.Conf.Proc 893

      ページ: 1391-1392

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Improved Stability of High-Performance ZnO/ZnMgO Hetero.MISFETs2007

    • 著者名/発表者名
      S.Sasa, T.Hayafuji, M.Kawasaki, K.Koike, M.Yano, M.Inoue
    • 雑誌名

      Electron Device Letters, IEEE 28

      ページ: 543-545

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Ballistic rectification effects in InAs/AlGaSb nanostructures2007

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa, and M.Inoue
    • 雑誌名

      American Inst.of Phys.Conf.Proc 893

      ページ: 577-578

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves2007

    • 著者名/発表者名
      H. Takahashi, T. lnoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Memoirs of the Osaka Inst. of Tech, Ser. A 51

      ページ: 15-19

    • NAID

      110006162463

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Ballistic rectification effects in InAs/AIGaSb nanostructures2007

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa, and M.Inoue
    • 雑誌名

      American Inst.of Phys.Conf.Proc 893

      ページ: 577-578

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Field characteristics of electron mobility and velocity in InAs/AIGaSb HFETs with high-k gate insulators2007

    • 著者名/発表者名
      T. Maemoto, M. Koyama, H. Takahashi, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      AlP conference proceeding 893

      ページ: 1391-1392

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Electron transport in InAs/AlGaSb ballistic rectifiers2006

    • 著者名/発表者名
      T.Maemoto, M.Koyama, M.Furukawa, H.Takahashi, S.Sasa, M.Inoue
    • 雑誌名

      Journal of Physics Conference Series Vol.38

      ページ: 112-115

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Fabrication and Characterization of InAs Mesoscopic Devices2006

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, M.Furukawa, H.Ishii, M.Nakai, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
    • 雑誌名

      Springer Proceedings in Physics Vol.110

      ページ: 7-10

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] High-Performance ZnO/ZnMgO Field-Effect Transistors using a Hetero-Metal-Insulator-Semiconductor Structure2006

    • 著者名/発表者名
      S.Sasa, M.Ozaki, K.Koike, M.Yano, M.Inoue
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. vol.89

      ページ: 53502-53504

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Nonlinear electron Transport properties in InAs/AlGaSb Ballistic Rectifiers2006

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
    • 雑誌名

      Proc. of the 2006 International Meeting for Future of Electron Devices,Kansai

      ページ: 85-86

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves2006

    • 著者名/発表者名
      H.Takahashi, T.Inoue, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
    • 雑誌名

      Memories of the Osaka Institute of Technology,Series A Vol.51

      ページ: 15-19

    • NAID

      110006162463

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves2006

    • 著者名/発表者名
      H. Takahashi, T. lnoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Technical report of IEICE. Vol.106, No.403

      ページ: 19-22

    • NAID

      110006162463

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Nonlinear electron transport properties in InAs/AIGaSb ballistic rectifiers2006

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 雑誌名

      Proc. of Int. Mtg. on Future Electron Devices Kansai 2006

      ページ: 85-86

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Electron transport in InAs field effect and mesoscopic devices2006

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, M.Furukawa, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue
    • 雑誌名

      Proc.of 12th Int.Conf.on Narrow Gap Semicond.,Inst.Phys.Conf.Ser. Vol.187

      ページ: 445-449

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [雑誌論文] Electron transport properties in InAs four-terminal ballistic junctions under weak magnetic fields

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, K. Fujiwara, N. Amano, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue,
    • 雑誌名

      phys. Stat. sol.c 印刷中

      ページ: 0-0

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano-diodes2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Kimura, T. Kiso, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
    • 学会等名
      2012 Int. Mtg. for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    • 発表場所
      Kansai University Centenary Memorial Hall, Osaka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Electron transport properties in self switching nano-diodes2012

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
    • 学会等名
      APS March Meeting 2012
    • 発表場所
      ボストンコンベンションセンター(アメリカ)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] 分子線エピタキシー法によるInAs/AlGaSbヘテロ構造の結晶成長と高誘電率ゲート材料を用いた電界効果トランジスタの作製2012

    • 著者名/発表者名
      森口航平,西坂和一,前元利彦,佐々誠彦,井上正崇
    • 学会等名
      平成24年電気関係学会関西連合大会
    • 発表場所
      関西大学100周年記念会館,大阪
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Electron transport properties in self switching nano-diodes2012

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
    • 学会等名
      APS March meeting 2012
    • 発表場所
      Boston, Massachusetts, USA
    • 年月日
      2012-02-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano-diodes2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Kimura, T. Kiso, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Suita, Osaka, Japan
    • 年月日
      2012-05-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Rectification Effects of ZnO-based Transparent Nano-diodes on Glass and Flexible Plastic Substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Kimura, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa , S. Kasai and M. Inoue
    • 学会等名
      25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Kobe Meriken Park Oriental Hotel, Kobe, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] 分子線エピタキシー法によるInAs/AlGaSbヘテロ構造の結晶成長と高誘電率ゲート材料を用いた電界効果トランジスタの作製2012

    • 著者名/発表者名
      森口航平, 西坂和一, 前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇
    • 学会等名
      平成24年電気関係学会関西連合大会
    • 発表場所
      大阪府吹田市
    • 年月日
      2012-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Rectification Effects of ZnO-based Transparent Nano-diodes on Glass and Flexible Plastic Substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Kimura, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
    • 学会等名
      25^<th> International Microprocess and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Kobe, Hyogo, Japan
    • 年月日
      2012-10-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Fabrication and transport properties in InAs-based self switching nano-diodes2011

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
    • 学会等名
      24^<th> Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2011-10-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Fabrication and transport properties in InAs-based self switching nano-diodes2011

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, M. Inoue
    • 学会等名
      24th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      ANAホテル京都(京都府)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulators2011

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, H. Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices
    • 発表場所
      関西大学(大阪府)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulator2011

    • 著者名/発表者名
      T. Kiso, H.Yoshikawa, Y. Ishibashi, K. Nishisaka, K. Ogata, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Suita, Osaka, Japan
    • 年月日
      2011-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560422
  • [学会発表] 高誘電率材料を用いたInAs/AlGaSb HEMT の作製と評価2008

    • 著者名/発表者名
      藤原健司,塩路真広,天野直樹,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,井上正崇
    • 学会等名
      2008 年秋季第70 回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] Fabrication and characterization of InAs/AlGaSb HEMTs with high-k gate insulators2008

    • 著者名/発表者名
      T. Maemoto, K. Fujiwara, T. Inoue, N. Amano, M. Koyama, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      APS March Meeting 2008
    • 発表場所
      New Orleans, USA
    • 年月日
      2008-03-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] InAs/AlGaSb HEMTs with Al_2O_3 and HfO_2 Gate Insulators2008

    • 著者名/発表者名
      K. Fujiwara, N, Amano, M. Koyama, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
    • 学会等名
      2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      大阪大学中ノ島センター
    • 年月日
      2008-05-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] Electron transport properties in InAs four-terminal ballistic junctions under weak magnetic fields2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, K. Fujiwara, N. Amano, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
    • 学会等名
      34th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Rust,Germany
    • 年月日
      2008-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] 高誘電率材料を用いたInAs/AIGaSb HEMTの作製と評価2008

    • 著者名/発表者名
      藤原健司, 塩路真広, 天野直樹, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇
    • 学会等名
      2008年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] Fabrication and Characrerization of Sb-Based Diode structures for Detecting Subterahertz Waves2007

    • 著者名/発表者名
      T.Inoue, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
    • 学会等名
      2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Osaka,Japan
    • 年月日
      2007-04-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] Nonlinear Electron Transport properties in lnAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2007

    • 著者名/発表者名
      M.Koyama, T.Inoue, N.Amano, T.Maemoto, S.Sasa, and M.Inoue
    • 学会等名
      International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology 2007
    • 発表場所
      Waikaloa,Hawaii,USA
    • 年月日
      2007-12-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] InAs/AlGaSb量子細線を有するT字型3分岐構造における電子輸送特性2007

    • 著者名/発表者名
      小山 政俊, 中島 貴史, 井上 達也, 天野 直樹, 前元 利彦, 佐々 誠彦, 井上 正崇
    • 学会等名
      2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学,北海道
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560361
  • [学会発表] Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in InAs/AlGaSb Ballistic Devices2007

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. lnoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      15th Int. Conf. on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors
    • 発表場所
      Tokyo Univ., Japan
    • 年月日
      2007-07-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Ballistic rectification in four-terminal InAs/AlGaSb nanostructures2007

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, H. Takahashi, T. Inoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      APS March Meeting 2007
    • 発表場所
      Denver, USA
    • 年月日
      2007-03-07
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Fabrication and Characterization of Sb-Based Diode structures for Detecting Subterahertz Waves2007

    • 著者名/発表者名
      T.Inoue, H.Takahashi, T.Maemoto, S.Sasa and M.Inoue
    • 学会等名
      2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Osaka,Japan
    • 年月日
      2007-04-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2007

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, T. lnoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2007-12-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves2007

    • 著者名/発表者名
      H. Takahashi, T. Inoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      Int. Mtg. on Future Electron Devices Kansai 2007
    • 発表場所
      Osaka Univ., Japan
    • 年月日
      2007-04-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves(2)2007

    • 著者名/発表者名
      T. Inoue, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. lnoue
    • 学会等名
      JSAP Annual meeting
    • 発表場所
      Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2007-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Field characteristics of electron mobility and velocity in InAs/AlGaSb HFETs with high-k gate insulators2006

    • 著者名/発表者名
      T. Maemoto, M. Koyama, H. Takahashi, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      Int. Conf. on Phys. of Semicond.
    • 発表場所
      Wien, Austria
    • 年月日
      2006-07-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Ballistic Rectification effects in InAs/AlGaSb Nano-structures2006

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      Int. Conf. on Phys. of Semicond.
    • 発表場所
      Wien, Austria
    • 年月日
      2006-07-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Fabricatior and characterization of Sb-based diode structures for detectinc, subterahertz waves2006

    • 著者名/発表者名
      H. Takahashi, T. Inoue, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      IEICE Technical meetings
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2006-12-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • [学会発表] Nonlinear electron transport properties in InAs/AlGaSb ballistic rectifiers2006

    • 著者名/発表者名
      M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • 学会等名
      Int. Mtg. on Future Electron Devices Kansai 2006
    • 発表場所
      Kyoto Univ., Japan
    • 年月日
      2006-04-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560421
  • 1.  佐々 誠彦 (50278561)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 67件
  • 2.  前元 利彦 (80280072)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 63件
  • 3.  邑瀬 和生 (50028164)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  川路 紳治 (00080440)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  荒川 泰彦 (30134638)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  小林 俊一 (90029471)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  浜口 智尋 (40029004)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  矢野 満明 (40200563)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  犬石 嘉雄 (90028902)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  白藤 純嗣 (70029065)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  新井 夫差子 (10010927)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  赤崎 勇 (20144115)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  長谷川 文夫 (70143170)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  岩井 嘉男 (60079530)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  榊 裕之 (90013226)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  谷口 研二 (20192180)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  坪内 和夫 (30006283)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  雨宮 好仁 (80250489)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  鳳 紘一郎 (60211538)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  佐々木 亘 (90011436)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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