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西坂 美香  NISHISAKA Mika

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

吉田 美香  YOSHIDA Mika

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研究者番号 50336096
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2006年度: 九州工大, 助手
2002年度 – 2005年度: 九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
マイクロ・ナノデバイス
研究代表者以外
薄膜・表面界面物性 / 電子デバイス・機器工学 / マイクロ・ナノデバイス
キーワード
研究代表者以外
SOI / 金属誘起固相結晶化 / 固相結晶化 / 薄膜トランジスタ / 多結晶シリコン / metal induced crystallization / laser annealing / excimer laser / single grain / thin film transistor … もっと見る / silicon / nanoimprint / システム・オン・パネル / 薄膜集積回路 / TFT / レーザー結晶化 / TFT回路 / 単一結晶粒トランジスタ / 結晶粒位置制御 / SO1 / レーザーアニール / エキシマレーザー / 疑似単結晶 / シリコン / ナノインプリント / non-volatile memory / image Processing / device variataion / Communication / Interface / System-LSI / System-on-A-Chip / PLL / 不揮発メモリ / 画像処理 / 素子ばらつき / 高速通信 / インターフェース / システムLSI / SoC / マイクロ・ナノデバイス / 金属シリサイド / ナノ細線 / 多結晶シリコン薄膜 / ナノ造形 / 固相成長 / 薄膜 / ニッケルシリサイド / 金属触媒 / 結晶細線 / 金属誘起横方向固相結晶化 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  ショットキー接合を付加した三端子型シリコン系発光素子の研究研究代表者

    • 研究代表者
      西坂 美香
    • 研究期間 (年度)
      2006
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      マイクロ・ナノデバイス
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  金属触媒を利用したシリコン単結晶固相成長におけるナノ造形過程の研究

    • 研究代表者
      浅野 種正
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      マイクロ・ナノデバイス
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  ナノ・インプリント技術によるシリコン薄膜の結晶位置と方位制御の研究

    • 研究代表者
      浅野 種正
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  次世代SoC-LSIにおける超高バンド幅マクロ間インターコネクト技術の研究

    • 研究代表者
      中村 和之
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  • 1.  浅野 種正 (50126306)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  馬場 昭好 (80304872)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  牧平 憲治 (10253569)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  中村 和之 (60336097)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  渡辺 直也 (10380734)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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