坂本邦博 Sakamoto Kunihiro

研究者番号	50357109
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 招聘研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2010年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 主幹研究員 2007年度 – 2009年度: 産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 主幹研究員
審査区分/研究分野	研究代表者以外応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者以外 MBE・エピタキシャル成長 / MBE・エピタキシャル / 量子コンピュータ / 半導体物性 / 結晶成長 / 結晶工学

シリコン結晶中への多元素重畳δドーピング層の実現と量子情報処理への応用
- 研究代表者
  
  三木一司
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構

すべて 2011 2010 2009 2008 2007

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Hybrid laser activation of highly concentrated Bi donors in wire-δ-doped silicon.2010
- 著者名/発表者名
  Koichi Murata, Yuhsuke Yasutake, Koh-ichi Nittoh, Kunihiro Sakamoto, Susumu Fukatsu, Kazushi Miki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 2
- NAID
  10027015023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[雑誌論文] Hybrid laser activation of highly concentrated Bi donors in wire-δ-doped silicon.2010
- 著者名/発表者名
  Koichi Murata, Yuhsuke Yasutake, Koh-ichi Nittoh, Kunihiro Sakamoto, Susumu Fukatsu, Kazushi Miki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express. 3
  
  ページ: 61302-61302
- NAID
  10027015023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[雑誌論文] Electronic structure of the Si(110)-(16A2) surface : High-resolution ARPES and STM investigation2009
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki Sakamoto, Martin Setvin, Kenji Mawatari, P. E. J. Eriksson, Kazushi Miki, R. I. G. Uhrberg
- 雑誌名
  
  Physical Review B 79
  
  ページ: 45304-45304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[雑誌論文] Electronic structure of the Si(110)-(16x2) surface : High-resolution ARPES and STM investigation2009
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki Sakamoto, Martin Setvin, Kenji Mawatari, P.E.J.Eriksson, Kazushi Miki, R.I.G.Uhrberg
- 雑誌名
  
  Physical Review B 79
  
  ページ: 45304-45304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[雑誌論文] Electronic structure of the Si(110)-(16x2) surface : High-resolution ARPES and STM investigation2009
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki Sakamoto, Martin Setvin, Kenji Mawatari, P. E. J. Eriksson, Kazushi Miki, R. I. G. Uhrberg
- 雑誌名
  
  Physical Review B79
  
  ページ: 45304-45304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[雑誌論文] Alignment induced epitaxial transition in organic-organic heteroepitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Dong Guo, K. Sakamoto, K. Miki, S. Ikeda, K. Saiki
- 雑誌名
  
  Physical Review Letters 101
  
  ページ: 236103-236103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[雑誌論文] Alignment induced epitaxial transition in organic-organic heteroepitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Dong Guo, K.Sakamoto, K.Miki, S.Ikeda, K.Saiki
- 雑誌名
  
  Physical Review Letters 101
  
  ページ: 236103-236103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[産業財産権] 半導体とその製造方法(SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2011
- 発明者名
  三木一司、八木修平、日塔光一、坂本邦博
- 権利者名
  物質・材料研究機構
- 取得年月日
  2011-06-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[産業財産権] 半導体とその製造方法(SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007
- 発明者名
  三木一司、八木修平、日塔光一、坂本邦博
- 権利者名
  物質・材料研究機構
- 出願年月日
  2007-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[産業財産権] 半導体とその製造方法2007
- 発明者名
  三木一司、人木修平、日塔光一、坂本邦博
- 権利者名
  物質・材料研究機構、産業技術総合研究所
- 出願年月日
  2007-08-27
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[産業財産権] 半導体とその製造方法 (SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007
- 発明者名
  三木一司, 八木修平, 日塔光一, 坂本邦博
- 権利者名
  物質・材料研究機構、産業技術総合研究所
- 産業財産権番号
  2008-530980
- 出願年月日
  2007-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[産業財産権] 半導体とその製造方法 (SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007
- 発明者名
  三木一司, 八木修平, 日塔光一, 坂本邦博
- 権利者名
  物質・材料研究機構
- 出願年月日
  2007-08-27
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[産業財産権] 半導体とその製造方法(SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007
- 発明者名
  三木一司、八木修平、日塔光一、坂本邦博
- 権利者名
  物質・材料研究機構、産業技術総合研究所
- 産業財産権番号
  2008-530980
- 出願年月日
  2007-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[産業財産権] 半導体とその製造方法 (SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007
- 発明者名
  三木一司, 八木修平, 日塔光一, 坂本邦博
- 権利者名
  物質・材料研究機構
- 出願年月日
  2007-08-27
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[学会発表] シリコン結晶中の高濃度δドーピング層ビスマス不純物のハイブリッドレーザアニール法による活性化2010
- 著者名/発表者名
  村田晃一、安武裕輔、日塔光一、坂本邦博、深津晋、三木一司
- 学会等名
  第70回応用物理学会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[学会発表] シリコン結晶中の高濃度ビスマス不純物準位からのフォトルミネスセンス2010
- 著者名/発表者名
  村田晃一、安武裕輔、日塔光一、坂本邦博、深津晋、三木一司
- 学会等名
  第70回応用物理学会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[学会発表] シリコン結晶中の高濃度δドーピング層ビスマス不純物のハイブリッドレーザアニール法による活性化2010
- 著者名/発表者名
  村田晃一、安武裕輔、日塔光一、坂本邦博、深津晋、三木一司
- 学会等名
  第70回応用物理学会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[学会発表] シリコン結晶中の高濃度ビスマス不純物準位からのフォトルミネスセンス2010
- 著者名/発表者名
  村田晃一、安武裕輔、日塔光一、坂本邦博、深津晋、三木一司
- 学会等名
  第70回応用物理学会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[学会発表] Spatially resolved STS on Si(110)-16×22009
- 著者名/発表者名
  Martin Setvin, Kazuyuki Sakamoto, Kazushi Miki
- 学会等名
  10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-10)
- 発表場所
  Granada Conference Centre, Spain
- 年月日
  2009-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[学会発表] Electronic structure of the Si(110)-(16×2) surface2009
- 著者名/発表者名
  Kazushi Miki, Kazuyuki Sakamoto, Martin Setvin, Kenji Mawatari, P. E. J. Eriksson, R. I. G. Uhrberg
- 学会等名
  The Third General Meeting of ACCMS-VO (Asian Consortium on Computational Materials Science - Virtual Organization)
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai
- 年月日
  2009-02-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[学会発表] Photoemission and scanning tunneling microscopy studies on the Si(110)-(16×2) surface2009
- 著者名/発表者名
  Kazushi Miki, Kazuyuki Sakamoto, Martin Setvin, Kenji Mawatari, P. E. J. Eriksson, R. I. G. Uhrberg
- 学会等名
  The Symposium on Surface and Nano Science 2009 (SSNS'09)
- 発表場所
  Shizukuishi Prince Hotel, Shizukuishi
- 年月日
  2009-01-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[学会発表] Spatially resolved STS on Si(110)-16×22009
- 著者名/発表者名
  Martin Setvin, Kazuyuki Sakamoto, Kazushi Miki
- 学会等名
  10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-10)
- 発表場所
  Granada, Spain
- 年月日
  2009-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003
[学会発表] Photoemission and scanning tunneling microscopy studies on the Si(110)-(16×2) surface2009
- 著者名/発表者名
  Kazushi Miki, Kazuyuki Sakamoto, Martin Setvin, Kenji Mawatari, P.E.J.Eriksson, R.I.G.Uhrberg
- 学会等名
  The Symposium on Surface and Nano Science 2009 (SSNS'09)
- 発表場所
  Shizukuishi
- 年月日
  2009-01-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206003

1. 三木一司 (30354335)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
2. 日塔光一 (20421414)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
3. 川畑史郎 (30356852)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 深津晋 (60199164)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件

坂本 邦博 Sakamoto Kunihiro

研究課題

研究成果

共同研究者

シリコン結晶中への多元素重畳δドーピング層の実現と量子情報処理への応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Hybrid laser activation of highly concentrated Bi donors in wire-δ-doped silicon.2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Hybrid laser activation of highly concentrated Bi donors in wire-δ-doped silicon.2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Electronic structure of the Si(110)-(16A2) surface : High-resolution ARPES and STM investigation2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Electronic structure of the Si(110)-(16x2) surface : High-resolution ARPES and STM investigation2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Electronic structure of the Si(110)-(16x2) surface : High-resolution ARPES and STM investigation2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Alignment induced epitaxial transition in organic-organic heteroepitaxy2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Alignment induced epitaxial transition in organic-organic heteroepitaxy2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[産業財産権] 半導体とその製造方法(SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2011

発明者名

権利者名

取得年月日

データソース

[産業財産権] 半導体とその製造方法(SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体とその製造方法2007

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体とその製造方法 (SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体とその製造方法 (SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体とその製造方法(SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体とその製造方法 (SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME)2007

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[学会発表] シリコン結晶中の高濃度δドーピング層ビスマス不純物のハイブリッドレーザアニール法による活性化2010

著者名/発表者名

学会等名

坂本邦博 Sakamoto Kunihiro